JPH08130184A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JPH08130184A JPH08130184A JP6290583A JP29058394A JPH08130184A JP H08130184 A JPH08130184 A JP H08130184A JP 6290583 A JP6290583 A JP 6290583A JP 29058394 A JP29058394 A JP 29058394A JP H08130184 A JPH08130184 A JP H08130184A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- heater
- heater wire
- sample
- display panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数のヒータ線を具備した熱処理装置におい
て熱処理中のヒータ線の断線を直ちに発見する。 【構成】 熱処理すべき試料８を搭載する試料台７と、
この試料台７を加熱するための複数本のヒータ線３を備
えた熱処理装置において、加熱時に各ヒータ線３の通電
状態を常時検出するための電流検出手段１６を各ヒータ
線ごとに設け、各電流検出手段による検出状態を表示す
る表示パネル１７を設けた。
て熱処理中のヒータ線の断線を直ちに発見する。 【構成】 熱処理すべき試料８を搭載する試料台７と、
この試料台７を加熱するための複数本のヒータ線３を備
えた熱処理装置において、加熱時に各ヒータ線３の通電
状態を常時検出するための電流検出手段１６を各ヒータ
線ごとに設け、各電流検出手段による検出状態を表示す
る表示パネル１７を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電熱ヒータ線を用いた熱
処理装置に関し、特にヒータ線の断線検出機構に関する
ものである。
処理装置に関し、特にヒータ線の断線検出機構に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造工程におけるウエハ上へ
の各種薄膜形成プロセスやアニールプロセスにおいて
は、ＣＶＤ装置やその他複数のヒータ線を用いた熱処理
装置が用いられている。
の各種薄膜形成プロセスやアニールプロセスにおいて
は、ＣＶＤ装置やその他複数のヒータ線を用いた熱処理
装置が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
熱処理装置においては、複数のヒータ線のうち１本が断
線した場合、これを発見できる可能性は非常に少なく、
断線したままで熱処理が続けられていた。このため加熱
量不足等により熱処理状態に不具合が生じるまでヒータ
線の断線が発見されなかった。このようなヒータ線の断
線は、半導体装置の薄膜特性その他の製品特性に対し大
変影響がある。従って、ヒータ線の断線は極力早期に発
見して処置することが望ましい。
熱処理装置においては、複数のヒータ線のうち１本が断
線した場合、これを発見できる可能性は非常に少なく、
断線したままで熱処理が続けられていた。このため加熱
量不足等により熱処理状態に不具合が生じるまでヒータ
線の断線が発見されなかった。このようなヒータ線の断
線は、半導体装置の薄膜特性その他の製品特性に対し大
変影響がある。従って、ヒータ線の断線は極力早期に発
見して処置することが望ましい。
【０００４】本発明は上記の点に鑑みなされたものであ
って、複数のヒータ線を具備した熱処理装置において熱
処理中のヒータ線の断線を直ちに発見できる断線検出機
構を備えた熱処理装置の提供を目的とする。
って、複数のヒータ線を具備した熱処理装置において熱
処理中のヒータ線の断線を直ちに発見できる断線検出機
構を備えた熱処理装置の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項１に係る発明においては、熱処理すべき試料
を搭載する試料台と、この試料台を加熱するための複数
本のヒータ線を備えた熱処理装置において、加熱時に各
ヒータ線の通電状態を常時検出するための電流検出手段
を各ヒータ線ごとに設け、各電流検出手段による検出状
態を表示する表示パネルを設けたことを特徴とする熱処
理装置を提供する。
め、請求項１に係る発明においては、熱処理すべき試料
を搭載する試料台と、この試料台を加熱するための複数
本のヒータ線を備えた熱処理装置において、加熱時に各
ヒータ線の通電状態を常時検出するための電流検出手段
を各ヒータ線ごとに設け、各電流検出手段による検出状
態を表示する表示パネルを設けたことを特徴とする熱処
理装置を提供する。
【０００６】また請求項２に係る発明においては、前記
ヒータ線の電源供給手段と前記表示パネルとを連結して
ヒータ線への電源停止時には表示パネルの表示を停止す
るように構成したことを特徴としている。
ヒータ線の電源供給手段と前記表示パネルとを連結して
ヒータ線への電源停止時には表示パネルの表示を停止す
るように構成したことを特徴としている。
【０００７】好ましい実施例においては、前記熱処理す
べき試料は半導体ウエハであることを特徴としている。
べき試料は半導体ウエハであることを特徴としている。
【０００８】
【作用】ヒータ線による加熱時に各ヒータ線はそれぞれ
常時電流検出手段により通電状態が検出され表示パネル
に表示される。従って、断線した場合には直ちにこれが
パネルに表示され発見される。
常時電流検出手段により通電状態が検出され表示パネル
に表示される。従って、断線した場合には直ちにこれが
パネルに表示され発見される。
【０００９】ヒータ線の電源と表示パネルの駆動電源と
を共通化あるいは同期して連結することにより、ヒータ
線の非使用時（このときヒータ線に電流が流れていな
い）に、電流検出手段が誤ってヒータ線が断線したもの
として表示パネルに表示することを防止する。
を共通化あるいは同期して連結することにより、ヒータ
線の非使用時（このときヒータ線に電流が流れていな
い）に、電流検出手段が誤ってヒータ線が断線したもの
として表示パネルに表示することを防止する。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の実施例に係る熱処理装置の概
略構成図である。この実施例は、半導体製造工程で用い
る常圧ＣＶＤ装置を示す。実質上円筒形状のチャンバー
１内に環状のヒータ台２が設けられ、このヒータ台２上
に６本のヒータ線３がリング状に並列して同心円状に設
置される。チャンバー１の円錐状屋根部の頂部には反応
ガス供給管４が接続されチャンバー内に熱処理に応じた
所定の反応ガスを矢印Ａのように供給する。またチャン
バー１の底部には排気管５が接続され熱処理中の反応ガ
スを矢印Ｂのように排気する。６はバッファであり、頂
部中央から導入された反応ガスを周囲に均一に分散させ
るためのものである。
略構成図である。この実施例は、半導体製造工程で用い
る常圧ＣＶＤ装置を示す。実質上円筒形状のチャンバー
１内に環状のヒータ台２が設けられ、このヒータ台２上
に６本のヒータ線３がリング状に並列して同心円状に設
置される。チャンバー１の円錐状屋根部の頂部には反応
ガス供給管４が接続されチャンバー内に熱処理に応じた
所定の反応ガスを矢印Ａのように供給する。またチャン
バー１の底部には排気管５が接続され熱処理中の反応ガ
スを矢印Ｂのように排気する。６はバッファであり、頂
部中央から導入された反応ガスを周囲に均一に分散させ
るためのものである。
【００１１】環状ヒータ台２の中央部に設けた公転溝２
０に沿って複数の試料台７が回動可能に装着される。こ
の試料台７上に熱処理すべき半導体ウエハ８が搭載され
る。この試料台７は、その中央自転軸９廻りに回転可能
であるとともに、チャンバー１の中心位置に設けた公転
軸１０廻りに回転可能である。公転軸１０はモータや減
速ギヤ等を含む回転駆動機構１１に連結され、遊星ギヤ
その他の回転伝達ギヤ機構等を介して各試料台７をその
自転軸９廻りに自転させながらヒータ台２の公転溝２０
に沿って公転させる。
０に沿って複数の試料台７が回動可能に装着される。こ
の試料台７上に熱処理すべき半導体ウエハ８が搭載され
る。この試料台７は、その中央自転軸９廻りに回転可能
であるとともに、チャンバー１の中心位置に設けた公転
軸１０廻りに回転可能である。公転軸１０はモータや減
速ギヤ等を含む回転駆動機構１１に連結され、遊星ギヤ
その他の回転伝達ギヤ機構等を介して各試料台７をその
自転軸９廻りに自転させながらヒータ台２の公転溝２０
に沿って公転させる。
【００１２】上記構成のＣＶＤ装置により、例えば反応
ガスとして３塩化ひ素（ＡｓＣｌ3）、シランガス（Ｓ
ｉＨ4 ）および酸素ガス（Ｏ2）の混合ガスを用い、半
導体ウエハ８上にシリケートガラスを成膜させる。この
ときチャンバー１内圧力は約１５ｍｍＨｇに保たれるよ
うに反応ガス供給管４から上記混合ガスが導入されると
ともに排気管５から常時排気される。熱処理終了後は窒
素ガスによりチャンバー内がパージされる。またこのと
きの熱処理温度は約４１０℃に保たれるように６本のヒ
ータ線が例えばオンオフ動作により温度制御される。
ガスとして３塩化ひ素（ＡｓＣｌ3）、シランガス（Ｓ
ｉＨ4 ）および酸素ガス（Ｏ2）の混合ガスを用い、半
導体ウエハ８上にシリケートガラスを成膜させる。この
ときチャンバー１内圧力は約１５ｍｍＨｇに保たれるよ
うに反応ガス供給管４から上記混合ガスが導入されると
ともに排気管５から常時排気される。熱処理終了後は窒
素ガスによりチャンバー内がパージされる。またこのと
きの熱処理温度は約４１０℃に保たれるように６本のヒ
ータ線が例えばオンオフ動作により温度制御される。
【００１３】図２は上記ヒータ線３の構成図である。こ
のヒータ線３はインコロイ等からなるシース管１２で外
側を覆われ、石英粉末等の絶縁材１３を介して中心部に
タングステン線１４を設けたものである。
のヒータ線３はインコロイ等からなるシース管１２で外
側を覆われ、石英粉末等の絶縁材１３を介して中心部に
タングステン線１４を設けたものである。
【００１４】図３は、上記６本のヒータ線のレイアウト
図である。また図４はその回路構成図である。図３に示
すように、外側の３本のヒータ線３−１，３−２，３−
３および内側の３本のヒータ線３−４，３−５，３−６
の各々に対し電流検出器１６が装着される。この電流検
出器１６は各ヒータ線３−１〜３−６の通電状態を検出
するものであり、この電流検出器自体の構造は公知であ
る。各電流検出器１６は表示パネル１７に接続される。
表示パネル１７は、図４に示すように、６個の電流検出
器１６に対応して６個の表示ランプ１８を備え、また共
通のブザー１９を備えている。この構成により、６本の
ヒータ線３−１〜３−６のうちいずれか１本が断線する
と、そのヒータ線に装着した電流検出器１６がこれを検
出し、断線したヒータ線に対応した表示ランプ１８を点
灯させるとともにブザーを鳴らして警報を発する。
図である。また図４はその回路構成図である。図３に示
すように、外側の３本のヒータ線３−１，３−２，３−
３および内側の３本のヒータ線３−４，３−５，３−６
の各々に対し電流検出器１６が装着される。この電流検
出器１６は各ヒータ線３−１〜３−６の通電状態を検出
するものであり、この電流検出器自体の構造は公知であ
る。各電流検出器１６は表示パネル１７に接続される。
表示パネル１７は、図４に示すように、６個の電流検出
器１６に対応して６個の表示ランプ１８を備え、また共
通のブザー１９を備えている。この構成により、６本の
ヒータ線３−１〜３−６のうちいずれか１本が断線する
と、そのヒータ線に装着した電流検出器１６がこれを検
出し、断線したヒータ線に対応した表示ランプ１８を点
灯させるとともにブザーを鳴らして警報を発する。
【００１５】６本のヒータ線は、図４に示すように、外
側と内側の１本ずつが対になって結線され、例えばＡＣ
２００Ｖの電源２１からオンオフ式温度制御用のヒータ
コントローラ１５を介して電源が供給される。この電源
２１は表示パネル１７の駆動電源としても用いられる。
このように電源を共通化することにより、ヒータ線を使
用していないときに、電流検出器１６のみが動作してヒ
ータ線を断線状態と誤って検出しこれを表示パネル１７
に表示することが防止される。その他適当なリレー手段
あるいはスイッチ手段からなる連動機構によりヒータ線
の不使用時には電流検出器１６が動作しないように構成
してもよい。
側と内側の１本ずつが対になって結線され、例えばＡＣ
２００Ｖの電源２１からオンオフ式温度制御用のヒータ
コントローラ１５を介して電源が供給される。この電源
２１は表示パネル１７の駆動電源としても用いられる。
このように電源を共通化することにより、ヒータ線を使
用していないときに、電流検出器１６のみが動作してヒ
ータ線を断線状態と誤って検出しこれを表示パネル１７
に表示することが防止される。その他適当なリレー手段
あるいはスイッチ手段からなる連動機構によりヒータ線
の不使用時には電流検出器１６が動作しないように構成
してもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明においては
複数本のヒータ線からなる熱処理装置において、各ヒー
タ線ごとに電流検出器を装着して通電状態を常時検出し
これを表示するため、ヒータ線が断線した場合には直ち
にこれが発見され製品に影響を及ぼす前に迅速な対処が
可能になる。
複数本のヒータ線からなる熱処理装置において、各ヒー
タ線ごとに電流検出器を装着して通電状態を常時検出し
これを表示するため、ヒータ線が断線した場合には直ち
にこれが発見され製品に影響を及ぼす前に迅速な対処が
可能になる。
【００１７】なお、前記実施例は常圧ＣＶＣ装置につい
て本発明を適用したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、各種ＣＶＤ装置やアニール装置その他ヒータ
線を用いた各種熱処理装置に対し適用可能である。
て本発明を適用したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、各種ＣＶＤ装置やアニール装置その他ヒータ
線を用いた各種熱処理装置に対し適用可能である。
【図１】 本発明の実施例に係るＣＶＤ装置の構成図で
ある。
ある。
【図２】 図１の実施例のヒータ線の断面構成図であ
る。
る。
【図３】 図１の実施例のヒータ線のレイアウト図であ
る。
る。
【図４】 図１の実施例のヒータ線の回路構成図であ
る。
る。
１：チャンバー、 ２：ヒータ台、 ３，３−１〜３−
６：ヒータ線、 ７：試料台、 ８：半導体ウエハ（試
料）、 １５：ヒータコントローラ、 １６：電流検出
器、 １７：表示パネル、 １８：表示ランプ、 １
９：ブザー、 ２１：電源。
６：ヒータ線、 ７：試料台、 ８：半導体ウエハ（試
料）、 １５：ヒータコントローラ、 １６：電流検出
器、 １７：表示パネル、 １８：表示ランプ、 １
９：ブザー、 ２１：電源。
Claims (3)
- 【請求項１】 熱処理すべき試料を搭載する試料台と、
この試料台を加熱するための複数本のヒータ線を備えた
熱処理装置において、加熱時に各ヒータ線の通電状態を
常時検出するための電流検出手段を各ヒータ線ごとに設
け、各電流検出手段による検出状態を表示する表示パネ
ルを設けたことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】 前記ヒータ線の電源供給手段と前記表示
パネルとを連結してヒータ線への電源停止時には表示パ
ネルの表示を停止するように構成したことを特徴とする
請求項１に記載の熱処理装置。 - 【請求項３】 熱処理すべき試料は半導体ウエハである
ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体製造
用熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6290583A JPH08130184A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6290583A JPH08130184A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08130184A true JPH08130184A (ja) | 1996-05-21 |
Family
ID=17757903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6290583A Pending JPH08130184A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08130184A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11354527A (ja) * | 1998-06-10 | 1999-12-24 | Sukegawa Electric Co Ltd | 板体加熱装置 |
| KR100558181B1 (ko) * | 1999-03-30 | 2006-03-10 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼의 국부온도 조절장치 |
| JP2014502037A (ja) * | 2010-10-22 | 2014-01-23 | ラム リサーチ コーポレーション | 多重加熱器アレイのための故障検出の方法 |
| US10236193B2 (en) | 2009-10-21 | 2019-03-19 | Lam Research Corporation | Substrate supports with multi-layer structure including independent operated heater zones |
-
1994
- 1994-10-31 JP JP6290583A patent/JPH08130184A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11354527A (ja) * | 1998-06-10 | 1999-12-24 | Sukegawa Electric Co Ltd | 板体加熱装置 |
| KR100558181B1 (ko) * | 1999-03-30 | 2006-03-10 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼의 국부온도 조절장치 |
| US10236193B2 (en) | 2009-10-21 | 2019-03-19 | Lam Research Corporation | Substrate supports with multi-layer structure including independent operated heater zones |
| US10720346B2 (en) | 2009-10-21 | 2020-07-21 | Lam Research Corporation | Substrate support with thermal zones for semiconductor processing |
| JP2014502037A (ja) * | 2010-10-22 | 2014-01-23 | ラム リサーチ コーポレーション | 多重加熱器アレイのための故障検出の方法 |
| KR20160025635A (ko) * | 2010-10-22 | 2016-03-08 | 램 리써치 코포레이션 | 멀티플렉싱된 히터 어레이에 대한 폴트 검출 방법 |
| US10568163B2 (en) | 2010-10-22 | 2020-02-18 | Lam Research Corporation | Methods of fault detection for multiplexed heater array |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1388891B1 (en) | System for heat treating semiconductor | |
| US5884009A (en) | Substrate treatment system | |
| JPH0583172B2 (ja) | ||
| JPH0845863A (ja) | 半導体基板の枚葉式熱処理装置 | |
| JPH08130184A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2781616B2 (ja) | 半導体ウエハの熱処理装置 | |
| JP2003031515A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2002222848A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2001156008A (ja) | 半導体ウェハの熱処理装置 | |
| JPH0626194B2 (ja) | ウエハ熱処理装置 | |
| JPS63278227A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2001237196A (ja) | ランプアニール装置 | |
| JPH06168904A (ja) | 縦型反応炉 | |
| JP3891765B2 (ja) | 被処理体の洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JPH08181082A (ja) | 縦型高速熱処理装置 | |
| JP2002357483A (ja) | 温度検出器の製造方法 | |
| JP2693465B2 (ja) | 半導体ウェハの処理装置 | |
| JP3081969B2 (ja) | 熱処理方法 | |
| JPH0997787A (ja) | 処理装置 | |
| JP2010199493A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH02128420A (ja) | 半導体基板の熱処理装置 | |
| JPH0927488A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPS5817614A (ja) | 気相成長膜形成装置 | |
| JPH02310371A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JPH0677153A (ja) | 熱処理装置 |