JPH08139231A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH08139231A JPH08139231A JP29876794A JP29876794A JPH08139231A JP H08139231 A JPH08139231 A JP H08139231A JP 29876794 A JP29876794 A JP 29876794A JP 29876794 A JP29876794 A JP 29876794A JP H08139231 A JPH08139231 A JP H08139231A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- semiconductor element
- thin film
- polyimide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001646 UPILEX Polymers 0.000 description 1
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 熱履歴を受けた後の半導体装置の信頼性劣化
を防ぐＬＯＣ構造の樹脂封止型半導体装置を提供するこ
と。 【構成】 半導体素子３の裏面に絶縁性の薄膜であるポ
リイミド樹脂（ポリイミド薄膜１０）を形成した後、封
止樹脂６で封入する。 【効果】 半導体素子３の主表面とその裏面とが同種の
材料で被覆されるので、封止樹脂６との密着性が均一と
なり、熱履歴を受けた後においても半導体装置の信頼性
劣化を防止することができる。
を防ぐＬＯＣ構造の樹脂封止型半導体装置を提供するこ
と。 【構成】 半導体素子３の裏面に絶縁性の薄膜であるポ
リイミド樹脂（ポリイミド薄膜１０）を形成した後、封
止樹脂６で封入する。 【効果】 半導体素子３の主表面とその裏面とが同種の
材料で被覆されるので、封止樹脂６との密着性が均一と
なり、熱履歴を受けた後においても半導体装置の信頼性
劣化を防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関し、特にＬＯＣ(Lead on Chip)構造の樹脂封止型半
導体装置に関する。
に関し、特にＬＯＣ(Lead on Chip)構造の樹脂封止型半
導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、樹脂封止型とセラミック
封止型の２つに大別されるが、安価で量産性に適してい
ることから、前者の樹脂封止型が主流となっている。ま
た、近年の電子部品の薄型化、小型化の要求に伴い、高
集積で多機能を有する大型の半導体素子においても、薄
型で小型の半導体装置に搭載する必要があり、メモリ製
品では、図３［同(Ａ)：平面図、同(Ｂ)：断面図］に示
すＬＯＣ構造の樹脂封止型半導体装置が主流となりつつ
ある。
封止型の２つに大別されるが、安価で量産性に適してい
ることから、前者の樹脂封止型が主流となっている。ま
た、近年の電子部品の薄型化、小型化の要求に伴い、高
集積で多機能を有する大型の半導体素子においても、薄
型で小型の半導体装置に搭載する必要があり、メモリ製
品では、図３［同(Ａ)：平面図、同(Ｂ)：断面図］に示
すＬＯＣ構造の樹脂封止型半導体装置が主流となりつつ
ある。
【０００３】即ち、従来のＬＯＣ構造の樹脂封止型半導
体装置は、図３(Ａ)、(Ｂ)に示すように、半導体素子３
の主表面にリ−ドフレ−ム１の複数のリ−ド２を、絶縁
性接着剤４を介して固着し、金線等の金属細線５により
リ−ド２と半導体素子３とを電気的に接続した後、エポ
キシ樹脂等の封止樹脂６で封入した構造のものである。
なお、図中７はＡｌパッドであり、８はポリイミドコ−
トである。
体装置は、図３(Ａ)、(Ｂ)に示すように、半導体素子３
の主表面にリ−ドフレ−ム１の複数のリ−ド２を、絶縁
性接着剤４を介して固着し、金線等の金属細線５により
リ−ド２と半導体素子３とを電気的に接続した後、エポ
キシ樹脂等の封止樹脂６で封入した構造のものである。
なお、図中７はＡｌパッドであり、８はポリイミドコ−
トである。
【０００４】従来のＬＯＣ構造の樹脂封止型半導体装置
では、上記図３(Ａ)、(Ｂ)に示すような構造とすること
でリ−ドフレ−ム１のパタ−ンの一部を半導体素子３上
に配置することができるため、半導体装置をより小型化
できる利点を有する。
では、上記図３(Ａ)、(Ｂ)に示すような構造とすること
でリ−ドフレ−ム１のパタ−ンの一部を半導体素子３上
に配置することができるため、半導体装置をより小型化
できる利点を有する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の上記
樹脂封止型半導体装置では、半導体素子３の主表面と裏
面の封止樹脂６に対する密着性や熱膨張係数が異なるた
めに、半導体装置が熱履歴を受けると［例えばプリント
基板へ実装する際の赤外線リフロ−による熱履歴や冷熱
衝撃試験(温度サイクル試験)による熱履歴等を受ける
と］、半導体素子３の主表面や裏面に隙間(剥離)が生
じ、半導体装置の信頼性が著しく劣化する欠点を有して
いる。即ち、半導体素子３の裏面であるシリコン(Ｓｉ
結晶)と封止樹脂６とは、一般に接着しにくく、上記の
ような熱履歴を受けると剥離が生じる。
樹脂封止型半導体装置では、半導体素子３の主表面と裏
面の封止樹脂６に対する密着性や熱膨張係数が異なるた
めに、半導体装置が熱履歴を受けると［例えばプリント
基板へ実装する際の赤外線リフロ−による熱履歴や冷熱
衝撃試験(温度サイクル試験)による熱履歴等を受ける
と］、半導体素子３の主表面や裏面に隙間(剥離)が生
じ、半導体装置の信頼性が著しく劣化する欠点を有して
いる。即ち、半導体素子３の裏面であるシリコン(Ｓｉ
結晶)と封止樹脂６とは、一般に接着しにくく、上記の
ような熱履歴を受けると剥離が生じる。
【０００６】上記問題を解決するため、従来、半導体素
子３の裏面に密着性を向上させる薄膜等を形成すること
が提案されており、例えば、ＳｉＯ2薄膜やＳｉＮ薄膜
などの形成又はシランカップリング剤の塗布等が従来よ
り試みられている。しかしながら、上記手段では、逆に
密着性が大幅に向上して応力のバランスが崩れ、その結
果半導体素子３の主表面が剥離してしまうという問題が
あった。
子３の裏面に密着性を向上させる薄膜等を形成すること
が提案されており、例えば、ＳｉＯ2薄膜やＳｉＮ薄膜
などの形成又はシランカップリング剤の塗布等が従来よ
り試みられている。しかしながら、上記手段では、逆に
密着性が大幅に向上して応力のバランスが崩れ、その結
果半導体素子３の主表面が剥離してしまうという問題が
あった。
【０００７】また、半導体素子３のシリコン(Ｓｉ結晶)
は、一般の金属と比べると脆弱であるため、ダイシング
工程や裏面研削工程で発生したシリコン屑が半導体素子
自体もしくは製造装置に残存し易く、該シリコン屑が残
存すると、これが原因となって半導体素子３にクラック
が発生するという問題があった。更に、半導体素子３の
裏面は、研削状態であるため、研削のむらや異物の付着
により製造時に密着性を低下させるという問題もあっ
た。
は、一般の金属と比べると脆弱であるため、ダイシング
工程や裏面研削工程で発生したシリコン屑が半導体素子
自体もしくは製造装置に残存し易く、該シリコン屑が残
存すると、これが原因となって半導体素子３にクラック
が発生するという問題があった。更に、半導体素子３の
裏面は、研削状態であるため、研削のむらや異物の付着
により製造時に密着性を低下させるという問題もあっ
た。
【０００８】一般に、メモリ製品の場合、α線によるビ
ット情報反転(ソフトエラ−)防止や応力緩和を目的とし
て、パッシベ−ション膜の上にポリイミド樹脂薄膜を形
成しているが［図３(Ｂ)のポリイミドコ−ト８参照］、
この樹脂膜の硬化収縮に伴い半導体素子３が反って応力
が生じるという欠点も有している。
ット情報反転(ソフトエラ−)防止や応力緩和を目的とし
て、パッシベ−ション膜の上にポリイミド樹脂薄膜を形
成しているが［図３(Ｂ)のポリイミドコ−ト８参照］、
この樹脂膜の硬化収縮に伴い半導体素子３が反って応力
が生じるという欠点も有している。
【０００９】本発明は、上記問題点及び欠点に鑑み成さ
れたものであって、その目的とするところは、(1) 半導
体装置が熱履歴を受けた後においても、前記した隙間
(剥離)が生ぜず、半導体装置の信頼性を充分確保するこ
とができ、(2) 半導体素子のクラック発生や密着性低下
等を防止でき、(3) 半導体素子の反りをなくし、残留応
力の発生を防止できる、樹脂封止型半導体装置を提供す
ることにある。
れたものであって、その目的とするところは、(1) 半導
体装置が熱履歴を受けた後においても、前記した隙間
(剥離)が生ぜず、半導体装置の信頼性を充分確保するこ
とができ、(2) 半導体素子のクラック発生や密着性低下
等を防止でき、(3) 半導体素子の反りをなくし、残留応
力の発生を防止できる、樹脂封止型半導体装置を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁性の接着
剤を介して複数のリ−ドを半導体素子上に固着する樹脂
封止型半導体装置において、該半導体素子の裏面に、・
絶縁性のポリイミド樹脂薄膜を形成して成ること(請求
項１)、又は、前記絶縁性の接着剤層を形成して成るこ
と(請求項２)、を特徴とし、これにより前記した問題点
及び欠点を解消し、前記目的を達成する樹脂封止型半導
体装置を提供するものである。
剤を介して複数のリ−ドを半導体素子上に固着する樹脂
封止型半導体装置において、該半導体素子の裏面に、・
絶縁性のポリイミド樹脂薄膜を形成して成ること(請求
項１)、又は、前記絶縁性の接着剤層を形成して成るこ
と(請求項２)、を特徴とし、これにより前記した問題点
及び欠点を解消し、前記目的を達成する樹脂封止型半導
体装置を提供するものである。
【００１１】
【作用】本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記したよ
うに、半導体素子の裏面に“絶縁性のポリイミド樹脂薄
膜又は複数のリ−ドを固着するのに使用した絶縁性接着
剤と同じ接着剤層を形成して成る”ことを特徴とし、こ
れにより半導体素子の主表面及び裏面が同種の絶縁性の
樹脂薄膜で被覆されることとなり、その結果封止樹脂と
の密着性が均一に向上し、応力バランスも均等になる作
用が生じる。また、半導体素子の裏面が上記したように
カバ−されているため、製造時における半導体素子のク
ラック発生や密着性低下を防ぎ、半導体素子の反りも低
減する作用が生じる。
うに、半導体素子の裏面に“絶縁性のポリイミド樹脂薄
膜又は複数のリ−ドを固着するのに使用した絶縁性接着
剤と同じ接着剤層を形成して成る”ことを特徴とし、こ
れにより半導体素子の主表面及び裏面が同種の絶縁性の
樹脂薄膜で被覆されることとなり、その結果封止樹脂と
の密着性が均一に向上し、応力バランスも均等になる作
用が生じる。また、半導体素子の裏面が上記したように
カバ−されているため、製造時における半導体素子のク
ラック発生や密着性低下を防ぎ、半導体素子の反りも低
減する作用が生じる。
【００１２】
【実施例】次に、本発明について図１及び図２を参照し
ながら説明する。なお、図１は本発明の第１の実施例
(実施例１)を、図２は同第２の実施例(実施例２)を説明
する図である。
ながら説明する。なお、図１は本発明の第１の実施例
(実施例１)を、図２は同第２の実施例(実施例２)を説明
する図である。
【００１３】（実施例１）図１は、本発明の第１の実施
例(実施例１)である樹脂封止型半導体装置の断面図であ
る。本実施例１においては、絶縁性接着剤４として、ポ
リイミドフィルム［例えば宇部興産(株)のユ−ピレック
ス］をベ−スにし、両面に接着剤層［例えば巴川製紙
(株)のＲＸＦ］を形成した３層構造からなるものを使用
し、一方をリ−ドフレ−ム１に加熱貼付された形態で供
給され、反対側を加熱してリ−ド２を半導体素子３に固
着する。
例(実施例１)である樹脂封止型半導体装置の断面図であ
る。本実施例１においては、絶縁性接着剤４として、ポ
リイミドフィルム［例えば宇部興産(株)のユ−ピレック
ス］をベ−スにし、両面に接着剤層［例えば巴川製紙
(株)のＲＸＦ］を形成した３層構造からなるものを使用
し、一方をリ−ドフレ−ム１に加熱貼付された形態で供
給され、反対側を加熱してリ−ド２を半導体素子３に固
着する。
【００１４】半導体素子３の主表面には、α線ソフトエ
ラ−防止及び応力緩和を目的としてパッシベ−ション膜
上にポリイミドコ−ト８が予め形成されている。このポ
リイミドコ−ト８は、ウエハ−状態でスピンコ−トして
形成され、ボンディング用のＡｌパッド(図示せず)の部
分をパタ−ンエッチングにより開孔している。
ラ−防止及び応力緩和を目的としてパッシベ−ション膜
上にポリイミドコ−ト８が予め形成されている。このポ
リイミドコ−ト８は、ウエハ−状態でスピンコ−トして
形成され、ボンディング用のＡｌパッド(図示せず)の部
分をパタ−ンエッチングにより開孔している。
【００１５】そして、リ−ドフレ−ム１を半導体素子３
上に固着した後、金線等の金属細線５を用いて半導体素
子３とリ−ド２とを電気的に接続し、一方、半導体素子
３の裏面に主表面と同種のポリイミド薄膜１０を形成し
た後、エポキシ樹脂等の封止樹脂６で封入して樹脂封止
型半導体装置を製造する。
上に固着した後、金線等の金属細線５を用いて半導体素
子３とリ−ド２とを電気的に接続し、一方、半導体素子
３の裏面に主表面と同種のポリイミド薄膜１０を形成し
た後、エポキシ樹脂等の封止樹脂６で封入して樹脂封止
型半導体装置を製造する。
【００１６】本実施例１では、図１に示すように、特に
半導体素子３の裏面にも主表面と同種のポリイミド薄膜
１０を形成している。このポリイミド薄膜１０の厚さ
は、主表面と同一厚さが望ましく、5〜10μｍが最適で
ある。なお、ポリイミド樹脂としては、例えば東レ(株)
の“ＳＰ−７４０”等を使用することができる。
半導体素子３の裏面にも主表面と同種のポリイミド薄膜
１０を形成している。このポリイミド薄膜１０の厚さ
は、主表面と同一厚さが望ましく、5〜10μｍが最適で
ある。なお、ポリイミド樹脂としては、例えば東レ(株)
の“ＳＰ−７４０”等を使用することができる。
【００１７】本実施例１において、ポリイミド薄膜１０
の形成手段としては、ウエハ−状態で半導体素子３の主
表面にポリイミドコ−ト８を形成し、一方、半導体素子
３の裏面を研削して所望の厚さにした後、スピンコ−ト
して形成するのが好ましく、また、リ−ドフレ−ム１を
半導体素子３上に固着した後、スクリ−ン印刷方式又は
ポッティング方式で塗布することもできる。
の形成手段としては、ウエハ−状態で半導体素子３の主
表面にポリイミドコ−ト８を形成し、一方、半導体素子
３の裏面を研削して所望の厚さにした後、スピンコ−ト
して形成するのが好ましく、また、リ−ドフレ−ム１を
半導体素子３上に固着した後、スクリ−ン印刷方式又は
ポッティング方式で塗布することもできる。
【００１８】本実施例１の樹脂封止型半導体装置では、
上記したように、半導体素子３の裏面にも主表面と同種
のポリイミド薄膜１０を形成する構造としたものであ
り、これにより、半導体素子３の主表面と裏面の密着性
を均一に向上させることができ、半導体装置の信頼性を
向上させることができ、また、半導体素子３の反りを低
減させることができる。更に、半導体素子３の裏面がポ
リイミド薄膜１０で保護しているため、製造時における
半導体素子のクラック発生や密着性低下を防止すること
ができる。
上記したように、半導体素子３の裏面にも主表面と同種
のポリイミド薄膜１０を形成する構造としたものであ
り、これにより、半導体素子３の主表面と裏面の密着性
を均一に向上させることができ、半導体装置の信頼性を
向上させることができ、また、半導体素子３の反りを低
減させることができる。更に、半導体素子３の裏面がポ
リイミド薄膜１０で保護しているため、製造時における
半導体素子のクラック発生や密着性低下を防止すること
ができる。
【００１９】上記効果を具体的な数値デ−タを用いて説
明するため、本実施例１の樹脂封止型半導体装置につい
て、“界面剥離発生数”“チップ反り”“チップクラッ
ク発生数”を測定した。その測定結果を表１に示す。
明するため、本実施例１の樹脂封止型半導体装置につい
て、“界面剥離発生数”“チップ反り”“チップクラッ
ク発生数”を測定した。その測定結果を表１に示す。
【００２０】（実施例２）図２は、本発明の第２の実施
例(実施例２)である樹脂封止型半導体装置の断面図であ
る。図２中の符号は前記図１と同一であるので、その説
明を省略する。本実施例２において、前記実施例１との
相違点は、図２に示すように、半導体素子３の裏面に絶
縁性接着剤４と同一の接着剤層２０を形成している点で
ある。なお、この絶縁性接着剤層２０としては、例えば
巴川製紙(株)の“ＲＸＦ”等を使用することができる。
例(実施例２)である樹脂封止型半導体装置の断面図であ
る。図２中の符号は前記図１と同一であるので、その説
明を省略する。本実施例２において、前記実施例１との
相違点は、図２に示すように、半導体素子３の裏面に絶
縁性接着剤４と同一の接着剤層２０を形成している点で
ある。なお、この絶縁性接着剤層２０としては、例えば
巴川製紙(株)の“ＲＸＦ”等を使用することができる。
【００２１】前記実施例１では、半導体素子３の裏面に
ポリイミド薄膜１０を形成させたものであるが(図１参
照)、一般にポリイミド樹脂は、吸水率が大きく、吸水
と共に密着性は劣化しやすくなる。これに対して本実施
例２では、ポリイミド樹脂にかえて「吸水率がより小さ
い接着剤層２０」を選定したものであり、このため、実
施例１よりも更に密着性が向上し、特に吸水後の信頼性
劣化が防止できる利点を有する。
ポリイミド薄膜１０を形成させたものであるが(図１参
照)、一般にポリイミド樹脂は、吸水率が大きく、吸水
と共に密着性は劣化しやすくなる。これに対して本実施
例２では、ポリイミド樹脂にかえて「吸水率がより小さ
い接着剤層２０」を選定したものであり、このため、実
施例１よりも更に密着性が向上し、特に吸水後の信頼性
劣化が防止できる利点を有する。
【００２２】上記効果を具体的な数値デ−タを用いて説
明するため、本実施例２の樹脂封止型半導体装置につい
ても前記実施例１と同様、“界面剥離発生数”“チップ
反り”“チップクラック発生数”を測定した。その測定
結果を表１に示す。
明するため、本実施例２の樹脂封止型半導体装置につい
ても前記実施例１と同様、“界面剥離発生数”“チップ
反り”“チップクラック発生数”を測定した。その測定
結果を表１に示す。
【００２３】（比較例）なお、比較のため、従来例の樹
脂封止型半導体装置［半導体素子３の裏面に薄膜などを
形成せず、直接封止樹脂６で封止したもの：前記図３
(Ｂ)参照］を作製した。この従来例について、前記実施
例１と同様、“界面剥離発生数”“チップ反り”“チッ
プクラック発生数”を測定した。その測定結果を表１に
付記した。
脂封止型半導体装置［半導体素子３の裏面に薄膜などを
形成せず、直接封止樹脂６で封止したもの：前記図３
(Ｂ)参照］を作製した。この従来例について、前記実施
例１と同様、“界面剥離発生数”“チップ反り”“チッ
プクラック発生数”を測定した。その測定結果を表１に
付記した。
【００２４】
【表１】
【００２５】上記表１から明らかなように、実施例１で
は、半導体装置に赤外線リフロ−処理を施し熱履歴を加
えても、従来例と異なり界面剥離が発生することなく信
頼性を向上でき、また、半導体素子の反り量を従来例の
1／4に低減することができ、封入工程直後に検出される
半導体素子のクラック発生を防止できることが認められ
る。更に、実施例２では、実施例１よりも「赤外線リフ
ロ−＋ＰＣＴ」処理後の界面剥離発生数を低減でき、半
導体装置の信頼性を著しく改善できることが認められ
る。
は、半導体装置に赤外線リフロ−処理を施し熱履歴を加
えても、従来例と異なり界面剥離が発生することなく信
頼性を向上でき、また、半導体素子の反り量を従来例の
1／4に低減することができ、封入工程直後に検出される
半導体素子のクラック発生を防止できることが認められ
る。更に、実施例２では、実施例１よりも「赤外線リフ
ロ−＋ＰＣＴ」処理後の界面剥離発生数を低減でき、半
導体装置の信頼性を著しく改善できることが認められ
る。
【００２６】
【発明の効果】本発明に係る樹脂封止型半導体装置は、
以上詳記したように、半導体素子の裏面に絶縁性のポリ
イミド樹脂薄膜あるいはＬＯＣテ−プ用接着剤を形成す
ることを特徴とし、これにより以下に示す効果が得られ
る。 半導体素子の主表面及び裏面と封止樹脂の密着性が均
一に向上し、半導体装置が熱履歴を受けた後の信頼性劣
化を防止できる。 ＬＯＣ構造の半導体装置を製造する際に発生する半導
体素子のクラック発生や密着性低下を、半導体素子の裏
面がカバ−されているために防止できる。 半導体素子の反りをなくし、残留応力の発生を防止で
きる。
以上詳記したように、半導体素子の裏面に絶縁性のポリ
イミド樹脂薄膜あるいはＬＯＣテ−プ用接着剤を形成す
ることを特徴とし、これにより以下に示す効果が得られ
る。 半導体素子の主表面及び裏面と封止樹脂の密着性が均
一に向上し、半導体装置が熱履歴を受けた後の信頼性劣
化を防止できる。 ＬＯＣ構造の半導体装置を製造する際に発生する半導
体素子のクラック発生や密着性低下を、半導体素子の裏
面がカバ−されているために防止できる。 半導体素子の反りをなくし、残留応力の発生を防止で
きる。
【図１】本発明の第１の実施例(実施例１)である樹脂封
止型半導体装置の断面図。
止型半導体装置の断面図。
【図２】本発明の第２の実施例(実施例２)である樹脂封
止型半導体装置の断面図。
止型半導体装置の断面図。
【図３】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図であつ
て、(Ａ)はその平面図、(Ｂ)は同断面図。
て、(Ａ)はその平面図、(Ｂ)は同断面図。
１ リ−ドフレ−ム ２ リ−ド ３ 半導体素子 ４ 絶縁性接着剤 ５ 金属細線 ６ 封止樹脂 ７ Ａｌパッド ８ ポリイミドコ−ト １０ ポリイミド薄膜 ２０ 接着剤層
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁性の接着剤を介して複数のリ−ドを
半導体素子上に固着する樹脂封止型半導体装置におい
て、半導体素子の裏面に絶縁性のポリイミド樹脂薄膜を
形成して成ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 絶縁性の接着剤を介して複数のリ−ドを
半導体素子上に固着する樹脂封止型半導体装置におい
て、半導体素子の裏面に、前記絶縁性の接着剤と同一の
接着剤層を形成して成ることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6298767A JP2785722B2 (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6298767A JP2785722B2 (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08139231A true JPH08139231A (ja) | 1996-05-31 |
| JP2785722B2 JP2785722B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=17863962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6298767A Expired - Lifetime JP2785722B2 (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2785722B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009188392A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-08-20 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2010016211A (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Denso Corp | 電子装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04164353A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-10 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH06216282A (ja) * | 1993-01-19 | 1994-08-05 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1994
- 1994-11-08 JP JP6298767A patent/JP2785722B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04164353A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-10 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH06216282A (ja) * | 1993-01-19 | 1994-08-05 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009188392A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-08-20 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2010016211A (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Denso Corp | 電子装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2785722B2 (ja) | 1998-08-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5936304A (en) | C4 package die backside coating | |
| US6946328B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor devices | |
| EP1043772A2 (en) | Method for packaging and mounting semiconductor device and device obtained thereby | |
| US4172907A (en) | Method of protecting bumped semiconductor chips | |
| JP2000228465A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US6707167B2 (en) | Semiconductor package with crack-preventing member | |
| JP2004031913A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2785722B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP4724988B2 (ja) | マルチチップモジュール作製用の疑似ウエハを作製する方法 | |
| JP4107896B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| EP0260360A1 (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| JPH0345542B2 (ja) | ||
| JPS6360533B2 (ja) | ||
| JPH03296250A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR100333383B1 (ko) | 반도체 패키지의 솔더 볼 접합 강도 강화 방법 | |
| JP3577451B2 (ja) | 半導体ウエハおよび半導体装置 | |
| JPS6163042A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JPH08222585A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0582679A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR0138301B1 (ko) | 리드 온 칩(loc) 구조의 패키지 | |
| JPH11176861A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20050058723A (ko) | 박형 반도체 웨이퍼 및 그 제조방법 | |
| JPS61292943A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用充てん材 | |
| JP2001015647A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR19980027489A (ko) | 멀티 칩 패키지용 리드 프레임 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970304 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980428 |