JPH08148334A

JPH08148334A - 磁気デバイス

Info

Publication number: JPH08148334A
Application number: JP6283068A
Authority: JP
Inventors: Katsutaro Ichihara; 勝太郎市原; Michiko Okubo; 通子大久保
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1994-11-17
Filing date: 1994-11-17
Publication date: 1996-06-07
Anticipated expiration: 2019-09-22
Also published as: JP3569009B2

Abstract

(57)【要約】【目的】信頼性に優れているとともに、高精度な加工
が容易な磁性薄膜パターンを有する磁気デバイスを提供
する。【構成】Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選択される少なくとも
１種の元素を含有する磁性薄膜（３）のパターンと、磁
性薄膜（３）のパターンの側壁上に直接被着された第１
の被着膜（４）と、第１の被着膜（４）の外側に被着さ
れた、第１の被着膜（４）と材質または構造が異なる第
２の被着膜（５）とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッド、薄膜磁
気センサなどの磁気デバイスに関し、特に微細な磁性薄
膜パターンを具備した磁気デバイスに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、システムの小型化、軽量化の流れ
の中で、デバイスの軽薄短小化が進行しており、今後そ
の要求はますます高まるものと見られている。デバイス
の軽薄短小化は機能性材料の薄膜化によって革新的に進
展する。機能性材料の薄膜化は主に電子デバイスの領域
で盛んであるが、磁気デバイスの分野においても薄膜磁
気ヘッドを中心に進展しており、今後他の磁気デバイス
においても薄膜化への展開が予測されている。

【０００３】しかし、磁性材料は微細加工が困難である
ことが、磁気デバイスの薄膜化を阻害する要因の１つと
なっている。これは、磁性薄膜はスパッタ法などを利用
することにより比較的容易に形成できるが、磁性薄膜を
微細加工する場合には半導体デバイスプロセスで利用さ
れている反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などの技術
を、使用するガス種などの条件を変更せずにそのまま適
用することが困難なためである。このため、これまでは
磁気ディスク、光磁気ディスク、磁気ヘッドの一部（Ｍ
ＩＧヘッド、ラミネートヘッドなど）のように磁性薄膜
自体を微細加工する必要のない磁気デバイスのみが、薄
膜化の対象となっていた。

【０００４】例えば、ＨＤＤ用磁気ヘッドの磁性薄膜は
現状では湿式メッキ法により形成されており、その先端
部は数ミクロン程度の微細なものであるが、湿式メッキ
法ではさらなる微細化および高密度化を達成することは
困難である。

【０００５】また、ドライプロセスを利用して磁性薄膜
を微細加工する方法については、例えばＩＥＥＥＴｒ
ａｎｓ．Ｍａｇ．，２７（６）１９９１，ｐｐ．４８８
８〜４８９０に開示される試みがなされており、磁性薄
膜の微細パターンの形成に成功している。しかし、この
方法ではエッチング残渣除去とサイドエッチングの回避
とがトレードオフの関係にある。この場合、ジャストエ
ッチングしてサイドエッチングを避け、パターン精度を
向上させるようにしているため残渣が残り、これを除去
するために特殊な後処理を必要とするので実用的ではな
い。

【０００６】その他には磁性薄膜の微細加工についての
報告はほとんど見られない現状であり、将来の磁気デバ
イスの小型化、軽量化のネックとなっている。さらに磁
性薄膜の微細パターンが形成できても、磁性薄膜のパタ
ーンを磁気デバイスに組み込むことを考慮すると、一般
にＦｅなどの磁性材料は半導体材料に比べ耐食性に尾ト
ルコとから、磁性薄膜パターンとその周囲の絶縁膜など
との密着性が良好であることや、磁性薄膜パターン自体
の酸化などによる劣化が少ないことなどが実用上要求さ
れる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記課題を解
決するためになされたものであり、周囲の絶縁膜などと
の密着性に優れ、劣化に対する信頼性に優れているとと
もに、高い加工速度、マスクに対する高い選択比、少な
い残渣で良好な異方性形状への高精度な加工が容易な磁
性薄膜パターンを有する磁気デバイスを提供することを
目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段と作用】本発明の磁気デバ
イスは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選択される少なくとも１
種の元素を含有する磁性薄膜のパターンと、前記磁性薄
膜のパターンの側壁上に直接被着された第１の被着膜
と、前記第１の被着膜の外側に被着された第２の被着膜
とを具備したことを特徴とするものである。

【０００９】本発明において対象となる磁性薄膜は、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちから選択される少なくとも１種の
元素を主成分として含有する材料であれば特に限定され
ず、Ｆｅ、ＣｏまたはＮｉからなる単体金属、ＮｉＦ
ｅ、ＣｏＦｅなどに代表される合金、さらにＦｅＳｉＡ
ｌ、ＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＢ、ＦｅＣｏＳｉ
Ｂ、ＦｅＣｏＺｒなどの合金が挙げられる。また、磁性
薄膜のパターンの側壁上に直接被着される第１の被着膜
の材質は特に限定されないが、通常は絶縁性材料、代表
的には炭素、炭化水素、酸化シリコン、酸化アルミニウ
ム、窒化シリコン、窒化ホウ素からなる群より選択され
る少なくとも１種が用いられる。第１の被着膜の膜厚
は、１〜２００ｎｍが好ましく、さらに５０ｎｍ以下が
より好ましい。また、第１の被着膜の外側に、第１の被
着膜と材質または構造が異なる第２の被着膜が被着され
る。

【００１０】本発明において、磁性薄膜の形成方法は特
に限定されないが、蒸着またはスパッタが代表的であ
る。スパッタとしては通常の方式のほか、マグネトロン
スパッタ、イオンビームスパッタ、反応性スパッタなど
種々の方式を用いることができる。なお、蒸着またはス
パッタ以外にも、ＭＢＥ、ＩＣＢ、また極まれにはＭＯ
ＣＶＤなども利用できる。

【００１１】磁性薄膜のパターンを形成するには、磁性
薄膜上に所定のマスク材を形成してエッチングする。こ
の際、パターニング用のマスク材としては、エッチング
プロセスにおいて熱損傷が少なくかつ磁性薄膜との選択
比がある程度とれる材料が好ましく、エッチングガスや
エッチング温度を考慮して決定される。具体的には、通
常の磁性薄膜以外の薄膜の加工に使用されるレジストの
ほかに、酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物など、耐熱
性があり磁性薄膜との選択比がとりやすい材料、例えば
Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＳｉＯ₂ 、Ｓｉ₃ Ｎ₄ などが代表的には使
用できる。ただし、これらは化学量論組成を有する必要
はない。

【００１２】マスク材の形成方法としては、マスク材と
してレジストを使用する場合には、通常のＰＥＰを行え
ばよく、マスク材として酸化物、窒化物などを用いる場
合には、磁性薄膜およびマスク材の膜を順に形成して、
マスク材上にＰＥＰによりレジストをパターニングし、
マスク材をエッチングする工程を用いることができる。
この際、マスク材をウェットエッチングしてもよいが、
ウェットエッチングは等方的なのでこのときに磁性薄膜
自体がエッチングされるのは好ましくない。また、後工
程の磁性薄膜のエッチング時に磁性薄膜とマスクの選択
比がそれほどよくない場合は、磁性薄膜の異方性形状が
損なわれるので、マスク材のエッチングにもＣＤＥ、Ｒ
ＩＥなどのドライプロセスの適用、特にＲＩＥなどの異
方性エッチングプロセスを適用することが望ましい。よ
り具体的には、例えばＢＣｌ₃ 、ＣＦ₄ 、ＣＨＦ₃ など
を用いたＲＩＥによってマスク材を加工できる。このよ
うにマスク材の加工に異方性エッチングを適用する場
合、下地の磁性薄膜が多少エッチングされても差し支え
ない。なお、レジスト以外のマスク材を用いる場合に
は、マスク材上のレジストは除去しておくことが望まし
く、これは酸素プラズマアッシング、剥離液などを用い
た溶媒による除去、またはこれらの組み合わせで実施で
きる。以上の工程が磁性薄膜自身を加工する前段階であ
る。

【００１３】本発明において、磁性薄膜パターンを形成
するにあたっては、（１）磁性薄膜の加工時に磁性薄膜
のパターニングと同時に磁性薄膜パターンの側壁上に第
１の被着膜を形成させる方法を採用してもよいし、
（２）まず磁性薄膜を加工した後に磁性薄膜パターンの
側壁上に第１の被着膜を形成する方法を採用してもよ
い。これらのいずれの方法を用いても、第１の被着膜を
磁性薄膜パターンの側壁上に被着させることで、磁性薄
膜パターンの周囲との十分な密着性が得られ、加工工程
後の磁性薄膜パターンの信頼性を効果的に向上できる。
また、（１）の方法では、磁性薄膜の加工中でも側壁へ
のラジカルやイオンの入射を防止できるので、加工中の
信頼性も向上できるうえ、磁性薄膜パターンの加工形状
特に異方性形状の向上や第１の被着膜のテーパー角度の
制御の観点からも好ましい。

【００１４】より具体的な（１）の方法としては、
（ａ）レジスト以外の材料からなるマスク材を磁性薄膜
加工時に主に物理的に穏やかにエッチングし、エッチン
グ中の磁性薄膜パターン側壁上に再付着させる方法、
（ｂ）磁性薄膜のエッチングガスにＣＨ₄ などに代表さ
れる重合性ガスなどを適量添加して磁性薄膜の側壁にの
み重合性物質のような生成物を形成する方法、などを利
用できる。（ｂ）の方法では、エッチングされる膜面上
にはイオン衝撃効果があるので、側壁と膜面上とで重合
性物質などの形成状態を制御することができる。前述し
たように第１の被着膜の材料は特に限定されないが、
（ａ）の方法では酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物な
ど、代表的にはＳｉＯ₂ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 、Ｂ
Ｎが形成される。ただし、これらの物質が化学量論組成
を有する必要はない。また、（ｂ）の方法で用いられる
重合性物質としては、炭素または炭化水素を含有する有
機系物質が挙げられ、第１の被着膜としてこれらの重合
体が形成される。さらに、エッチングガスにＳｉＣｌ₄
とＯ₂ 、ＳｉＣｌ₄ とＮ₂ 、ＴｉＣｌ₄ とＯ₂ 、ＴｉＣ
ｌ₄とＮ₂ あるいはＢＣｌ₃ とＮ₂ を適量添加すれば、
それぞれ第１の被着膜としてＳｉ−Ｏ、Ｓｉ−Ｎ、Ｔｉ
−Ｏ、Ｔｉ−Ｎ、Ｂ−Ｎを形成させることも可能であ
る。

【００１５】一方、（２）のように磁性薄膜の加工後に
磁性薄膜パターンの側壁上に第１の被着膜を形成する方
法としては、例えば斜めスパッタなどを挙げることがで
きる。すなわち、加工後の磁性薄膜パターンをスパッタ
室に設置して磁性薄膜パターン側壁に効率よく第１の被
着膜が形成されるように、膜面をスパッタ入射方向に対
して傾けてスパッタを行う。この場合、磁性薄膜パター
ンの側壁上に一様に第１の被着膜を形成するためには、
膜面をスパッタ入射方向に対して傾けた状態で回転させ
る。またこの方法でも、第１の被着膜の材料は特に限定
されないが、（１）の方法と同様に代表的にはＳｉＯ
₂ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、Ｓｉ₃ Ｎ₄ などが用いられる。なお、
この場合もこれらの物質が化学量論組成を有する必要は
ない。特に（２）の方法は、第１の被着膜の成膜速度の
点で不利なので、第１の被着膜は十分な保護効果が得ら
れる程度に厚く、製造効率が悪くならない程度に薄いこ
とが好ましい。

【００１６】上述したように、本発明における第１の被
着膜の膜厚は、生産性を低下させずに十分に信頼性を高
める観点から１〜２００ｎｍが好ましく、さらに５０ｎ
ｍ以下がより好ましい。

【００１７】さらに本発明では、磁性薄膜パターンが形
成される下地と第１の被着膜とのなすテーパー角度が８
０°以下に設定されることが磁性薄膜パターンに対する
周囲の絶縁膜などのステップカバレージを向上させるう
えで好ましい。ただし、テーパー角度が４５°未満の第
１の被着膜を形成することは製造上困難であるので、生
産性の観点から、より好ましいテーパー角度は４５〜８
０°である。

【００１８】本発明においては、第１の被着膜の形成後
に、後工程およびデバイス化のために、第１の被着膜の
外側に第２の被着膜が形成される。第２の被着膜を形成
するには、通常のスパッタ法が代表的に用いられ、高速
な成膜速度を得るために膜面をスパッタ入射方向に対し
て垂直に向けて形成する。第２の被着膜材料も一般には
絶縁性材料であるが特に限定されない。ただし、本発明
の磁性薄膜パターンでは、上記の第１の被着膜と第２の
被着膜とは異なる材料からなっているか、または同じ材
料でも膜の構造が異なっていることが重要である。膜の
構造とは、結晶状態、微視的形態、化学結合状態、最近
接原子配列などである。これらはＥＤ、断面ＳＥＭ、Ｔ
ＥＭ、ＸＰＳ、ＥＸＡＦＳなどの分析によって検出する
ことができる。以上のような本発明によれば、形状が良
好で素子特性上の信頼性が高い磁性薄膜パターンを有す
る磁気デバイスを提供でき、しかも生産性よく製造でき
る。

【００１９】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。実施例１図１は本発明に係る磁気デバイスを構成する磁性薄膜パ
ターンの一例を示す断面図である。図１において、基板
１上に、下地絶縁膜２、磁性薄膜３のパターンが形成さ
れている。この磁性薄膜３のパターンの側壁上には第１
の被着膜４が直接被着され、その外側には第２の被着膜
５が形成されている。さらに、これらの上面には上部絶
縁膜６が形成されている。

【００２０】ここでは、磁気記録ヘッドの記録磁極先端
部を模擬的に試作した。なお、本実施例は本発明の効果
を明らかにする目的で実施したものであり、基板１とし
てはシリコンを用いた。ただし、基板材料は目的とする
磁気デバイスに応じて適宜選択されることはいうまでも
なく、例えば実用的な磁気記録ヘッドでは基板材料とし
てフェライト、非磁性セラミックなどが用いられる。

【００２１】図２および図３は図１に示した磁性薄膜パ
ターンの形成方法の一例を示す断面図である。以下、こ
れらの図面を参照して詳細に説明する。まず、洗浄済み
のＳｉからなる基板１を、多元スパッタ装置の基板支持
台に固定し、基板支持台をターゲットに対して自公転さ
せながら、ＳｉＯ₂ ターゲットをスパッタして膜厚２０
０ｎｍのＳｉＯ₂ からなる下地絶縁膜２を形成した。そ
の後、連続的にＣｏＺｒＮｂターゲットをスパッタして
膜厚２μｍのＣｏＺｒＮｂからなる磁性薄膜３を形成し
た。さらに、連続的にＳｉＯ₂ ターゲットをスパッタし
て膜厚２００ｎｍのＳｉＯ₂ からなるマスク材１１を形
成した後、基板を取り出した（（ａ）図示）。

【００２２】次に、ＰＥＰによりマスク材１１の上にレ
ジスト１２のパターンを形成した後、ドライエッチング
装置内に設置してＣＨＦ₃ ガスを用いてマスク材１１を
エッチングすることにより、磁性薄膜３上にマスク材１
１のパターンを形成した（（ｂ）図示）。

【００２３】次に、レジスト１２を酸素プラズマアッシ
ングにより除去した。続いて、基板１上に、下地絶縁膜
２、磁性薄膜３およびマスク材１１のパターンが形成さ
れた試料をＲＩＥ装置内に設置し、塩素、一酸化炭素、
微量のメタンおよび微量の水素の混合ガスプラズマを用
いて磁性薄膜３のＲＩＥを行った。ここで用いた各反応
性ガスの作用は以下の通りである。塩素は磁性薄膜表面
に磁性体塩化物を形成する作用を有する。一酸化炭素は
表面に形成された磁性体塩化物と反応し、高蒸気圧の磁
性体カルボニル錯体を形成して蒸発させる作用を有す
る。メタンは磁性薄膜の側壁に第１の被着膜４を形成す
る作用を有する。水素は主に一酸化炭素のプラズマ分解
生成物、特に酸素系ラジカルが磁性薄膜表面と反応して
酸化物を形成するのを防止する作用を有する。プラズマ
は各ガスを解離または励起・電離させて反応性を付与す
る役割と、膜面に垂直にイオンを入射して異方性加工を
実現する役割を担っている。本実施例では赤外線ランプ
を試料に集光してエッチング時の加工温度を２００℃と
した。

【００２４】このエッチングプロセスにおいて、磁性薄
膜３のイオン衝撃を受ける面は反応と蒸発、並びに物理
的なスパッタエッチングが進行して除去されていく。こ
れと同時に、磁性薄膜３およびマスク材１１の側壁には
主にメタンの解離生成物がプラズマ重合して第１の被着
膜４が付着する。図２（ｃ）は磁性薄膜エッチングの途
中の段階を示す図である。

【００２５】この状態からさらにエッチングを進行さ
せ、予め測定しておいた磁性薄膜のジャストエッチング
時間の２倍の時間だけエッチングを継続（オーバーエッ
チング）して試料を取り出した（（ｄ）図示）。

【００２６】ここで、従来技術においては、磁性薄膜の
異方性形状を得るためにジャストエッチングで終了させ
ること、およびジャストエッチングで工程を完了すると
残渣が発生することが報告されている。一方、本発明で
は磁性薄膜パターンの側壁に第１の被着膜を形成させる
ので、オーバーエッチングしても良好な異方性形状を損
なうことがなく、プロセスマージンが大幅に広がる。こ
れは残渣が生じない磁性薄膜エッチングを実施した場合
においても極めて重要であり、エッチング時のプラズマ
の均一性が多少悪くとも、磁気デバイスとしてみた場合
の大面積にわたる均一性を著しく向上することができ
る。

【００２７】次いで、試料をスパッタリング装置に設置
しＳｉＯ₂ ターゲットをスパッタして全面に第２の被着
膜５を形成した（（ｅ）図示）。この際、磁性薄膜３の
パターン側壁に第１の被着膜４が形成されているため、
磁性薄膜パターン自身の異方性形状はパターン側壁と下
地とのなす角が８５°以上と急峻であるにもかかわら
ず、第１の被着膜４と下地との間で形成されるテーパー
角は７５°程度となだらかであるので、第２の被着膜５
のステップカバレージが改善されている。このことは、
膜間の密着性を向上して後工程の自由度を向上させると
ともに、デバイスの信頼性を向上させる効果をもたら
す。

【００２８】さらに、第２の被着膜５が形成された試料
を磁性薄膜３が露出するまでポリッシングし、上面を平
坦化した（（ｆ）図示）。最後に、膜厚１００ｎｍのＳ
ｉＯ₂ からなる上部絶縁膜６をスパッタ形成して図１に
示すような磁気記録ヘッドの磁極先端部の模擬的パター
ンを得た。図１に示した部分は面内磁気記録ヘッドの片
側磁極パターンに相当し、この上にさらに図１と同様の
磁性薄膜パターンを形成することにより、面内記録対応
の磁気記録ヘッドとして用いることができる。この場
合、上部絶縁膜６が、記録の面で重要な役割を担う磁気
ギャップに相当するが、以上の説明から明らかなよう
に、本実施例によれば磁気ギャップを精度よく形成でき
る。

【００２９】実施例２本実施例では、第１の被着膜および第２の被着膜とし
て、ともにＳｉＯ₂ を用いた場合について説明する。な
お、以下においては実施例１と異なる部分を中心に述べ
る。磁性薄膜のＲＩＥ工程の前工程に関しては、マスク
材１１の膜厚を４００ｎｍとした以外は実施例１と同一
である。磁性薄膜のＲＩＥ工程においては、塩素、一酸
化炭素、三塩化ホウ素およびアルゴンの混合ガスを使用
した。塩素および一酸化炭素の役割は前述した通りであ
る。三塩化ホウ素は、一酸化炭素分解生成物の捕獲機
能、マスク材の物理的エッチングに伴い生成する主に酸
素系分解生成物の捕獲機能、およびＲＩＥ室内に残存す
る水系不純物の捕獲機能を有する。アルゴンはマスク材
を物理的にエッチングして磁性薄膜パターン側壁上に第
１の被着膜４を形成する役割を担っている。

【００３０】本実施例においては、磁性薄膜３のＲＩＥ
と並行して、マスク材１１の物理的エッチングと磁性薄
膜パターン側壁への再付着とを同時に進行させて、第１
の被着膜４としてＳｉＯ₂ を形成した。このとき、磁性
薄膜パターン側壁の下地とのなす角は８５°以上、第１
の被着膜４と下地との間で形成されるテーパー角は７５
°程度であった。

【００３１】本実施例では、第１の被着膜と第２の被着
膜とはいずれもＳｉＯ₂ からなる。ただし、それぞれ第
１および第２の被着膜を形成後に試料を抜き取ってこれ
らの被着膜のマイクロオージェ分析を行い、両者の分析
結果を比較したところ、第１の被着膜は、第２の被着膜
よりもＳｉに比べたＯの含有比が少なく、また微量では
あるが磁性体塩化物とホウ素が検出され、両者は明らか
に膜質が異なっていた。

【００３２】実施例３本実施例では磁性薄膜の加工中に第１の被着膜を形成せ
ずに、磁性薄膜の加工後に第１の被着膜を形成した場合
について説明する。磁性薄膜のＲＩＥ工程の前工程に関
しては実施例１と同一である。磁性薄膜のＲＩＥ工程に
おいては塩素、一酸化炭素および水素の混合ガスを用い
て、ＲＩＥ中に磁性薄膜の側壁上に第１の被着膜が形成
されないようにした。すなわち、磁性薄膜をＲＩＥした
後のパターンは、図面の（ｄ）において第１の被着膜４
がない状態となる。

【００３３】次に、ＳｉＯ₂ ターゲットからのスパッタ
入射方向に対して試料を傾斜させ、さらに回転運動させ
て斜めスパッタすることにより、磁性薄膜３の側壁に第
１の被着膜４を形成した。斜めスパッタの長所は、急峻
な異方性形状を有する磁性薄膜３のパターンに対しても
良好なステップカバレージで第１の被着膜４を形成でき
ることである。一方、短所は形成速度が著しく遅いこと
である。したがって、実用的観点からは、第１の被着膜
４は、下地とのなす角度が磁性薄膜３のパターン側壁
（８５°以上）よりは緩やか（６５〜７５°程度）とな
り、磁性薄膜３のパターンを十分保護できる程度でなる
べく薄く形成して終了する。

【００３４】次に、高速形成が可能な通常のスパッタに
より第２の被着膜５を形成した。本実施例でも、前記実
施例と同様に、総合的にステップカバレージが良好とな
り、後工程のプロセスマージンの向上とデバイスとして
の信頼性向上という効果が得られる。

【００３５】また、比較のために、第１の被着膜を斜め
スパッタ形成することなく、側壁と下地とのなす角が８
５°以上の磁性薄膜パターンを形成した試料に通常のス
パッタ法で第２の被着膜を直接形成した。

【００３６】得られた試料を断面ＳＥＭ観察した結果を
図４に模式的に示す。図示されるように、磁性薄膜３の
パターン側壁に６０〜７５°程度のテーパー角を付与し
て第１の被着膜４を形成した試料（図４（ａ））では磁
性薄膜３のパターン、第１の被着膜４及び第２の被着膜
５の密着性が良好であった。これに対し、第１の被着膜
を形成しなかった試料（図４（ｂ））においては磁性薄
膜３のパターンと第２の被着膜５の間に空隙の発生が認
められた。然るに、このように磁性薄膜パターンと周囲
の間に空隙が存在すると、空隙への水分の侵入などに起
因して一般的に腐食に対する耐性がさほど高くない磁性
材料からなる磁性薄膜パターンの劣化が進行しやすく、
デバイス化した際の信頼性が低下することが予想され
る。

【００３７】なお、本実施例においても、第１の被着膜
と第２の被着膜とはいずれもＳｉＯ₂ からなるが、斜め
スパッタと通常スパッタという形成工程の違いによって
膜質は異なり、膜質の違いを分析によって明らかにでき
る。本実施例では、第１の被着膜の方が第２の被着膜よ
りも酸素を多く含み、かつ表面形態的にラフネスが大き
かった。

【００３８】一方、上記実施例で用いたＳｉＯ₂ のよう
に結晶化しにくい材料ではなく、例えばＡｌＮのように
室温スパッタでも結晶性が認められる膜材料を用いた場
合には、結晶学的な手法によっても第１の被着膜と第２
の被着膜との相違を明らかにできる。

【００３９】また、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で第
１の被着膜および第２の被着膜ともに材料、形成工程な
どを変更でき、それらは全て本発明に包含されることは
自明である。

【００４０】さらに、上記実施例では本発明を磁性薄膜
パターンを有する磁気記録ヘッドに適用する場合につい
て説明したが、本発明は所定パターンの磁性薄膜が要求
される磁気センサなど他の磁気デバイスにも適用できる
ことは勿論である。

【００４１】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、磁
性薄膜パターンとその周囲の絶縁膜などとの密着性が良
好であり、磁性薄膜の微細パターンを有する磁気デバイ
スの劣化などに対する信頼性が向上するとともに、製造
性が著しく向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る磁気デバイスを構成する磁性薄膜
パターンの一例を示す断面図。

【図２】図１の磁性薄膜パターンの形成方法の一例を示
す断面図。

【図３】図１の磁性薄膜パターンの形成方法の一例を示
す断面図。

【図４】本発明の実施例３及びその比較例において作製
された磁性薄膜パターンの側壁部の断面を示す模式図。

【符号の説明】

１…基板、２…下地絶縁膜、３…磁性薄膜、４…第１の
被着膜、５…第２の被着膜、６…上部絶縁膜、１１…マ
スク材、１２…レジスト。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選択される少なく
とも１種の元素を含有する磁性薄膜のパターンと、前記
磁性薄膜のパターンの側壁上に直接被着された第１の被
着膜と、前記第１の被着膜の外側に被着された第２の被
着膜とを具備したことを特徴とする磁気デバイス。