JPH0815128B2 - 還元再酸化型半導体磁器コンデンサとその製造方法 - Google Patents
還元再酸化型半導体磁器コンデンサとその製造方法Info
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- JPH0815128B2 JPH0815128B2 JP62027859A JP2785987A JPH0815128B2 JP H0815128 B2 JPH0815128 B2 JP H0815128B2 JP 62027859 A JP62027859 A JP 62027859A JP 2785987 A JP2785987 A JP 2785987A JP H0815128 B2 JPH0815128 B2 JP H0815128B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、還元された半導体磁器を再酸化すること
により、その表面に形成される再酸化層を誘電体として
利用する磁器コンデンサと、その製造方法に関する。
により、その表面に形成される再酸化層を誘電体として
利用する磁器コンデンサと、その製造方法に関する。
［従来の技術］ 従来における還元再酸化型半導体磁器コンデンサは、
大別して二種あった。一つは、第４図で示すように、半
導体磁器１を熱処理することにより、該半導体磁器１の
表面に誘電体層２として再酸化誘電体層を形成した後、
該誘電体層２上に一対の電極３、４を対向させて配置し
たものである。もう一つは、半導体磁器を再酸処理せ
ず、電極材料としてガラスフリットを含む電極ペースト
を用い、これを焼き付ける際、該電極ペースト中に含ま
れるガラスフリット成分を半導体磁器の表面に気相拡散
させて、その表面に誘電体層としてのバリヤ層を形成さ
せるものである。
大別して二種あった。一つは、第４図で示すように、半
導体磁器１を熱処理することにより、該半導体磁器１の
表面に誘電体層２として再酸化誘電体層を形成した後、
該誘電体層２上に一対の電極３、４を対向させて配置し
たものである。もう一つは、半導体磁器を再酸処理せ
ず、電極材料としてガラスフリットを含む電極ペースト
を用い、これを焼き付ける際、該電極ペースト中に含ま
れるガラスフリット成分を半導体磁器の表面に気相拡散
させて、その表面に誘電体層としてのバリヤ層を形成さ
せるものである。
こうした還元再酸化型半導体磁器コンデンサは、極め
て薄い誘電体層２が得られるため、大静電容量を取得す
るためのコンデンサとして開発された。しかし、上記第
４図の構造では、半導体層１が両側の電極３、４との間
にあって、誘電体層２を挟むもう一つの電極として機能
するため、あたかも２つのコンデンサが直列接続された
状態となる。従って、得られる静電容量に自ずと限界が
あった。
て薄い誘電体層２が得られるため、大静電容量を取得す
るためのコンデンサとして開発された。しかし、上記第
４図の構造では、半導体層１が両側の電極３、４との間
にあって、誘電体層２を挟むもう一つの電極として機能
するため、あたかも２つのコンデンサが直列接続された
状態となる。従って、得られる静電容量に自ずと限界が
あった。
これに対し、さらに大きな静電容量を取得する目的か
ら、半導体磁器１に設けた一対の電極３、４のうち、何
れか一方の電極４に接する部分にのみ誘電体層２を有す
る形式のものが検討されるに至った。
ら、半導体磁器１に設けた一対の電極３、４のうち、何
れか一方の電極４に接する部分にのみ誘電体層２を有す
る形式のものが検討されるに至った。
具体的には、次の二つがあげられる。一つは、第５図
で示すように、半導体磁器１を予め熱処理して、その表
面に誘電体層２として再酸化層を形成した後、該誘電体
層２の一部を研磨により除去し、残された誘電体層２の
上と、上記研磨により露出した半導体磁器１の上とに、
それぞれ電極３、４を設けたものである。他の一つは、
一方の電極４を形成するに当たり、その焼き付けの際に
半導体磁器１の表面にバリア層が形成されるのを阻止す
る如く働く金属或は金属化合物を含む電極ペーストを用
い、これを他方の電極３と共に焼付け処理するものであ
る。
で示すように、半導体磁器１を予め熱処理して、その表
面に誘電体層２として再酸化層を形成した後、該誘電体
層２の一部を研磨により除去し、残された誘電体層２の
上と、上記研磨により露出した半導体磁器１の上とに、
それぞれ電極３、４を設けたものである。他の一つは、
一方の電極４を形成するに当たり、その焼き付けの際に
半導体磁器１の表面にバリア層が形成されるのを阻止す
る如く働く金属或は金属化合物を含む電極ペーストを用
い、これを他方の電極３と共に焼付け処理するものであ
る。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら前者の場合、細かい半導体磁器１の研磨
に伴う製造工程の工数増大や、半導体磁器１の破損によ
るトラブルの増大等を招く等、高い生産性をあげるうえ
で大きな問題があった。また、後者の場合、電極３、４
の焼付温度のもとで、半導体磁器１の表面にバリア層を
形成することが可能ではあるが、実際には十分な厚みの
誘電体層２を得ることが困難である。このため、バリヤ
層の働きにより、電極３、４の間に印加された電圧の正
負の向きによって電流の流れる量が極端に異なるという
整流作用が現れてしまう。
に伴う製造工程の工数増大や、半導体磁器１の破損によ
るトラブルの増大等を招く等、高い生産性をあげるうえ
で大きな問題があった。また、後者の場合、電極３、４
の焼付温度のもとで、半導体磁器１の表面にバリア層を
形成することが可能ではあるが、実際には十分な厚みの
誘電体層２を得ることが困難である。このため、バリヤ
層の働きにより、電極３、４の間に印加された電圧の正
負の向きによって電流の流れる量が極端に異なるという
整流作用が現れてしまう。
この発明は、従来の還元再酸化型半導体磁器コンデン
サとその製造方法における上記従来の問題点を解決する
ことを目的とする。
サとその製造方法における上記従来の問題点を解決する
ことを目的とする。
［問題を解決するための手段］ 以下、第１図と第２図の符号を引用しながらこの発明
の構成について説明する。
の構成について説明する。
先ず、第一の発明による還元再酸化型半導体磁器コン
デンサは、半導体磁器11の表面に形成された再酸化誘電
体層12に、少なくとも一対の電極13、14を設けたものに
おいて、上記再酸化誘電体層12の上の一部に形成された
一方の電極14が、Zn、Al、Ni及びSnの中から選ばれる１
種以上の金属または金属化合物を含む導電体からなると
共に、再酸化誘電体層12の該電極14に接する部分の内部
に、上記金属の中から選ばれる１種以上の微量の金属が
拡散されているものである。
デンサは、半導体磁器11の表面に形成された再酸化誘電
体層12に、少なくとも一対の電極13、14を設けたものに
おいて、上記再酸化誘電体層12の上の一部に形成された
一方の電極14が、Zn、Al、Ni及びSnの中から選ばれる１
種以上の金属または金属化合物を含む導電体からなると
共に、再酸化誘電体層12の該電極14に接する部分の内部
に、上記金属の中から選ばれる１種以上の微量の金属が
拡散されているものである。
また、第二の発明による上記磁器コンデンサを製造す
る方法は、半導体磁器11を950〜1200℃の温度で熱処理
し、再酸化誘電体層12を形成した後、一方の電極14を形
成する部分にZn、Al、Ni及びSnの中から選ばれる１種以
上の金属または金属化合物を含む電極材料層を設け、こ
れを600〜850℃の温度で焼き付け、一方の電極14を形成
する方法である。
る方法は、半導体磁器11を950〜1200℃の温度で熱処理
し、再酸化誘電体層12を形成した後、一方の電極14を形
成する部分にZn、Al、Ni及びSnの中から選ばれる１種以
上の金属または金属化合物を含む電極材料層を設け、こ
れを600〜850℃の温度で焼き付け、一方の電極14を形成
する方法である。
［作用］ 第二の発明に於て、半導体磁器11を950〜1200℃とい
う高温で熱処理することにより、半導体磁器の全表面が
再酸化され、そこに約10μの厚みの再酸化誘電体層12が
形成される。
う高温で熱処理することにより、半導体磁器の全表面が
再酸化され、そこに約10μの厚みの再酸化誘電体層12が
形成される。
その後、上記再酸化半導体層12の上に電極材料層を形
成し、これを焼き付けて電極13、14形成するとき、一方
の電極14の電極材料に含まれるZn、Al、Ni及びSnの中か
ら選ばれた１種以上の金属または金属化合物の還元作用
により、再酸化誘電体層12の中に存在する酸素が引き出
される。また同時に、導体磁器11の内部にZn、Al、Ni及
びSnの中から選ばれた１種以上の微量の金属が拡散す
る。これによって、第一の発明による還元再酸化型磁器
コンデンサが取得できる。
成し、これを焼き付けて電極13、14形成するとき、一方
の電極14の電極材料に含まれるZn、Al、Ni及びSnの中か
ら選ばれた１種以上の金属または金属化合物の還元作用
により、再酸化誘電体層12の中に存在する酸素が引き出
される。また同時に、導体磁器11の内部にZn、Al、Ni及
びSnの中から選ばれた１種以上の微量の金属が拡散す
る。これによって、第一の発明による還元再酸化型磁器
コンデンサが取得できる。
この還元再酸化型磁器コンデンサは、半導体磁器11と
上記電極14とが再酸化誘電体層12を介さずに導電接続さ
れている。従って、電極13と14は、実質的に１層の再酸
化誘電体層12を挟んで対向する形となり、大きな静電容
量が取得できる。
上記電極14とが再酸化誘電体層12を介さずに導電接続さ
れている。従って、電極13と14は、実質的に１層の再酸
化誘電体層12を挟んで対向する形となり、大きな静電容
量が取得できる。
なお、第二の発明に於て、半導体磁器11を再酸化処理
するときの熱処理温度を950〜1200℃の範囲に限定した
のは、次の理由による。即ち、熱処理温度がこの範囲よ
り低いと、半導体磁器11の表面が十分再酸化されず、満
足のいく絶縁特性が得られ難い。逆に、熱処理温度がこ
の範囲より高いと、半導体磁器11の再酸化の進行が極端
に速くなり、その表面の再酸化誘電体層12の厚みが増大
し過ぎて、大きな静電容量が得られ難い。
するときの熱処理温度を950〜1200℃の範囲に限定した
のは、次の理由による。即ち、熱処理温度がこの範囲よ
り低いと、半導体磁器11の表面が十分再酸化されず、満
足のいく絶縁特性が得られ難い。逆に、熱処理温度がこ
の範囲より高いと、半導体磁器11の再酸化の進行が極端
に速くなり、その表面の再酸化誘電体層12の厚みが増大
し過ぎて、大きな静電容量が得られ難い。
また、電極13、14を焼き付けるときの熱処理温度を、
600〜850℃に限定したのは、次の理由による。即ち、熱
処理温度がこの範囲より低いと、電極14側での還元と金
属成分の再酸化半導体層12への拡散が行われ難く、大き
な静電容量が得られ難い。逆に、熱処理温度がこの範囲
より高いと、電極14が酸化されて、その電気抵抗が増大
し、電極としての機能が得られなくなる虞がある。
600〜850℃に限定したのは、次の理由による。即ち、熱
処理温度がこの範囲より低いと、電極14側での還元と金
属成分の再酸化半導体層12への拡散が行われ難く、大き
な静電容量が得られ難い。逆に、熱処理温度がこの範囲
より高いと、電極14が酸化されて、その電気抵抗が増大
し、電極としての機能が得られなくなる虞がある。
［実施例］ 次に、この発明の具体的な実施例について説明する。
（実施例１〜６） 実施例１〜６として、それぞれ第１表の試料No.1〜６
に示す条件に従い、次の手順で各々100個ずつの還元再
酸化型半導体磁器コンデンサを製造した。
に示す条件に従い、次の手順で各々100個ずつの還元再
酸化型半導体磁器コンデンサを製造した。
まず、BaTiO3が100molに対し、Nd2O3が3mol、TiO2が6
mol,MnOが0.5molとなるように材料粉末を計量し、これ
らをボールミルで15時間湿式混合した。この材料粉末を
1150℃で２時間仮焼し、再びボールミルで15時間湿式混
合した。
mol,MnOが0.5molとなるように材料粉末を計量し、これ
らをボールミルで15時間湿式混合した。この材料粉末を
1150℃で２時間仮焼し、再びボールミルで15時間湿式混
合した。
次いで、こうして処理した材料粉末にポリビニルアル
コールを加えて造粒し、直径8.4mm、厚さ0.5mmの円板形
に成形した。この成形体を大気中に於て1350℃の温度で
３時間熱処理し、さらにN2−H2ガスの還元雰囲気中で、
1150℃の温度で２時間熱処理し、半導体磁器11を得た。
コールを加えて造粒し、直径8.4mm、厚さ0.5mmの円板形
に成形した。この成形体を大気中に於て1350℃の温度で
３時間熱処理し、さらにN2−H2ガスの還元雰囲気中で、
1150℃の温度で２時間熱処理し、半導体磁器11を得た。
次に、上記半導体磁器11を第１表の実施例１〜６の欄
に示す950〜1200℃の温度で大気中に於てそれぞれ２時
間熱処理し、該半導体磁器の表面を再酸化し、再酸化誘
電体層12を形成した。
に示す950〜1200℃の温度で大気中に於てそれぞれ２時
間熱処理し、該半導体磁器の表面を再酸化し、再酸化誘
電体層12を形成した。
そして、この再酸化誘電体層12の上から、半導体磁器
11の対向する主面上に、ペースト状の電極材料を塗布
し、半導体磁器11を、800℃の温度で30分間熱処理し、
上記電極材料を焼き付け、電極13、14を形成した。ここ
で、電極13側には、電極材料として、Ag粉末100重量部
に対してPbO−B2O3−SiO2系ガラス粉末10重量部、有機
バインダー20重量部からなる導電ペーストを用い、ま
た、電極14側には、Zn粉末100重量部に対して、PbO−B2
O3−SiO2系ガラス粉末10重量部、有機バインダー20重量
部からなる導電ペーストを用いた。
11の対向する主面上に、ペースト状の電極材料を塗布
し、半導体磁器11を、800℃の温度で30分間熱処理し、
上記電極材料を焼き付け、電極13、14を形成した。ここ
で、電極13側には、電極材料として、Ag粉末100重量部
に対してPbO−B2O3−SiO2系ガラス粉末10重量部、有機
バインダー20重量部からなる導電ペーストを用い、ま
た、電極14側には、Zn粉末100重量部に対して、PbO−B2
O3−SiO2系ガラス粉末10重量部、有機バインダー20重量
部からなる導電ペーストを用いた。
以上により、第１図、第２図で示すような構造を有す
る第一の発明による還元再酸化型半導体磁器コンデンサ
を各々100個ずつ製造した。なお、第１図に於て、12aの
符号は、再酸化誘電体層12の一部に、金属が拡散した層
を示すもので、第２図は、同層12aの粒界中に金属成分
が拡散した状態を示す概念図である。
る第一の発明による還元再酸化型半導体磁器コンデンサ
を各々100個ずつ製造した。なお、第１図に於て、12aの
符号は、再酸化誘電体層12の一部に、金属が拡散した層
を示すもので、第２図は、同層12aの粒界中に金属成分
が拡散した状態を示す概念図である。
なお、上記電極13、14の形成に用いた電極材料の組
成、及び上記コンデンサの各製造工程における熱処理温
度を、第１表の試料No.1〜６の欄にまとめて示す。
成、及び上記コンデンサの各製造工程における熱処理温
度を、第１表の試料No.1〜６の欄にまとめて示す。
このコンデンサ各々100個ずつを、室温にて３時間放
置した後、25℃の温度下に於て、電極13、14に1KHz、1V
の交流電圧を印加し、静電容量Ｃと誘電損失tanδを測
定し、電極13の単位面積当りの取得容量C/A［nf/cm2］
を求めた。さらに、上記コンデンサ100個を無作意に２
組に分け、電極13側を負電位（方向Ａ）または正電位
（方向Ｂ）として、50個ずつのコンデンサにそれぞれの
方向から50Vの直流電圧を20秒印加し、その後の絶縁抵
抗IR［ＭΩ］を測定した。
置した後、25℃の温度下に於て、電極13、14に1KHz、1V
の交流電圧を印加し、静電容量Ｃと誘電損失tanδを測
定し、電極13の単位面積当りの取得容量C/A［nf/cm2］
を求めた。さらに、上記コンデンサ100個を無作意に２
組に分け、電極13側を負電位（方向Ａ）または正電位
（方向Ｂ）として、50個ずつのコンデンサにそれぞれの
方向から50Vの直流電圧を20秒印加し、その後の絶縁抵
抗IR［ＭΩ］を測定した。
次に、上記コンデンサを、150℃の恒温層内で30分間
熱処理した後、125℃の温度下に於て、上記と同様にそ
れぞれ50個ずつ、方向Ａと方向Ｂとから直流電圧を印加
し、その後の絶縁抵抗IRを測定した。さらに、コンデン
サ50個ずつに方向Ａと方向Ｂとから直流電圧を印加し、
破壊電圧VBD（試料に10mA流れたときの電圧値）を測定
した。
熱処理した後、125℃の温度下に於て、上記と同様にそ
れぞれ50個ずつ、方向Ａと方向Ｂとから直流電圧を印加
し、その後の絶縁抵抗IRを測定した。さらに、コンデン
サ50個ずつに方向Ａと方向Ｂとから直流電圧を印加し、
破壊電圧VBD（試料に10mA流れたときの電圧値）を測定
した。
これらの試験によって得られた測定結果の平均値を、
第２表の試料No.1〜６の欄にそれぞれ示した。
第２表の試料No.1〜６の欄にそれぞれ示した。
（実施例７〜11） 第一表の試料No.7〜11に示す通り、実施例７〜11とし
て、半導体磁器11を再酸化するときの熱処理温度を何れ
も1050℃とし、電極の焼付温度を、それぞれ600〜850℃
の温度に変え、その他は上記実施例１〜６と同様にし
て、各々100個ずつの還元再酸化型半導体磁器コンデン
サを製造した。
て、半導体磁器11を再酸化するときの熱処理温度を何れ
も1050℃とし、電極の焼付温度を、それぞれ600〜850℃
の温度に変え、その他は上記実施例１〜６と同様にし
て、各々100個ずつの還元再酸化型半導体磁器コンデン
サを製造した。
さらに、このコンデンサについて、上記実施例１と同
様にして試験を行い、その結果得られた測定値の平均値
を第２表の試料No.7〜11の欄に示した。
様にして試験を行い、その結果得られた測定値の平均値
を第２表の試料No.7〜11の欄に示した。
（実施例12〜15） 第一表の試料No.12〜15に示す通り、実施例12〜15と
して、何れも再酸化処理温度を1050℃、電極の焼付温度
を800℃とし、電極14を形成するための電極材料の組成
を各々変え、その他は上記実施例１〜６と同様にして、
各々100個ずつ還元再酸化型半導体磁器コンデンサを製
造した。
して、何れも再酸化処理温度を1050℃、電極の焼付温度
を800℃とし、電極14を形成するための電極材料の組成
を各々変え、その他は上記実施例１〜６と同様にして、
各々100個ずつ還元再酸化型半導体磁器コンデンサを製
造した。
さらに、このコンデンサについて、上記実施例１と同
様にして試験を行い、その結果得られた測定値の平均値
を第２表の試料No.12〜15の欄に示した。
様にして試験を行い、その結果得られた測定値の平均値
を第２表の試料No.12〜15の欄に示した。
（実施例16） 第一表の試料No.16に示す通り、実施例16として、再
酸化処理温度を1050℃、電極の焼付温度を800℃とし、
電極13を形成するための電極材料としてIn−Gaを含有す
る公知のオーミックAg電極ペーストを用い、その他は上
記実施例１〜６と同様にして、100個の還元再酸化型半
導体磁器コンデンサを製造した。
酸化処理温度を1050℃、電極の焼付温度を800℃とし、
電極13を形成するための電極材料としてIn−Gaを含有す
る公知のオーミックAg電極ペーストを用い、その他は上
記実施例１〜６と同様にして、100個の還元再酸化型半
導体磁器コンデンサを製造した。
さらに、このコンデンサについて、上記実施例１と同
様にして試験を行い、その結果得られた測定値の平均値
を第２表の試料No.16の欄に示した。
様にして試験を行い、その結果得られた測定値の平均値
を第２表の試料No.16の欄に示した。
（比較例１） 第一表の試料No.17に示す通り、比較例１として、半
導体磁器11の再酸化処理を行わず、その他は上記実施例
１〜６と同様にして、100個の還元再酸化型半導体磁器
コンデンサを製造した。
導体磁器11の再酸化処理を行わず、その他は上記実施例
１〜６と同様にして、100個の還元再酸化型半導体磁器
コンデンサを製造した。
さらに、このコンデンサについて、上記実施例１と同
様にして試験を行い、その結果得られた測定値の平均値
を第２表の試料No.17の欄に示した。
様にして試験を行い、その結果得られた測定値の平均値
を第２表の試料No.17の欄に示した。
（比較例２） 第一表の試料No.18に示す通り、比較例２として半導
体磁器11の再酸化処理温度を900℃とし、その他は上記
実施例１〜６と同様にして、100個の還元再酸化型半導
体磁器コンデンサを製造した。
体磁器11の再酸化処理温度を900℃とし、その他は上記
実施例１〜６と同様にして、100個の還元再酸化型半導
体磁器コンデンサを製造した。
さらに、このコンデンサについて、上記実施例１と同
様にして試験を行い、その結果得られた測定値の平均値
を第２表の試料No.18の欄に示した。
様にして試験を行い、その結果得られた測定値の平均値
を第２表の試料No.18の欄に示した。
（比較例３） 第一表の試料No.19に示す通り、比較例３として、半
導体磁器11の電極の焼付温度を900℃とし、その他は上
記実施例１〜６と同様にして、100個の還元再酸化型半
導体磁器コンデンサを製造した。
導体磁器11の電極の焼付温度を900℃とし、その他は上
記実施例１〜６と同様にして、100個の還元再酸化型半
導体磁器コンデンサを製造した。
さらに、このコンデンサについて、上記実施例１と同
様にして試験を行い、その結果得られた測定値の平均値
を第２表の試料No.19の欄に示した。
様にして試験を行い、その結果得られた測定値の平均値
を第２表の試料No.19の欄に示した。
第２表から明らかなように、この発明に従い得られた
実施例１〜16の還元再酸化型半導体磁器コンデンサで
は、電極13、14に電圧を印加する方向によって流れる電
流値が極端に異なるような整流作用が見られなかった。
これに対し、半導体磁器11を再酸化処理せずに、電極1
3、14と半導体磁器11との界面にバリア層を形成した比
較例１のコンデンサでは、絶縁特性、特に高温における
絶縁抵抗及び耐電圧に関し、電圧を印加する方向によっ
て流れる電流値が大きく異なる整流作用が見られる。
実施例１〜16の還元再酸化型半導体磁器コンデンサで
は、電極13、14に電圧を印加する方向によって流れる電
流値が極端に異なるような整流作用が見られなかった。
これに対し、半導体磁器11を再酸化処理せずに、電極1
3、14と半導体磁器11との界面にバリア層を形成した比
較例１のコンデンサでは、絶縁特性、特に高温における
絶縁抵抗及び耐電圧に関し、電圧を印加する方向によっ
て流れる電流値が大きく異なる整流作用が見られる。
また、実施例１〜16では、破壊電圧VBDが何れの方向
でも300V以上であったが、再酸化の際の熱処理温度が95
0℃よりも低い比較例２では、半導体磁器11の表面の再
酸化が十分に行われないため、特に方向Ｂでは破壊電圧
VBDが極端に低く、測定が不可能であった。
でも300V以上であったが、再酸化の際の熱処理温度が95
0℃よりも低い比較例２では、半導体磁器11の表面の再
酸化が十分に行われないため、特に方向Ｂでは破壊電圧
VBDが極端に低く、測定が不可能であった。
さらに、電極焼き付け時の熱処理温度を900℃とした
比較例３の場合、還元作用を有する電極層14が酸化され
て高抵抗化し、電極としての機能が得られなかった。
比較例３の場合、還元作用を有する電極層14が酸化され
て高抵抗化し、電極としての機能が得られなかった。
なお、上記実施例では、何れも電極13の形成手段とし
て、半導体磁器11にペースト状の電極材料を塗布し、こ
れを焼き付ける手段を用いたが、これ以外の方法、例え
ば無電解メッキ法、蒸着法、真空含浸法等で電極13を形
成しても同様の作用、効果が得られる。
て、半導体磁器11にペースト状の電極材料を塗布し、こ
れを焼き付ける手段を用いたが、これ以外の方法、例え
ば無電解メッキ法、蒸着法、真空含浸法等で電極13を形
成しても同様の作用、効果が得られる。
また、半導体磁器11の形状として第１図で示すような
円板形の他、例えば第３図で示すような円筒形のものを
用い、この内外周面に電極13、14を設けることも出来
る。
円板形の他、例えば第３図で示すような円筒形のものを
用い、この内外周面に電極13、14を設けることも出来
る。
［発明の効果］ 以上説明した通り、第一の発明及び第二の発明によれ
ば、半導体磁器11を研磨をせずに、大きな静電容量を取
得することが可能となり、大容量コンデンサを容易に得
ることが可能となる。
ば、半導体磁器11を研磨をせずに、大きな静電容量を取
得することが可能となり、大容量コンデンサを容易に得
ることが可能となる。
また、第二の発明によれば、第一の発明による還元半
導体再酸化型磁器コンデンサを製造するに当たり、半導
体磁器11の表面に十分な厚みの再酸化誘導体層12を形成
することができるため、電極13、14の間に印加された電
圧の正負の向きによって電流値が極端に異なるという整
流作用がなくなり、信頼性の向上を図ることが出来る。
導体再酸化型磁器コンデンサを製造するに当たり、半導
体磁器11の表面に十分な厚みの再酸化誘導体層12を形成
することができるため、電極13、14の間に印加された電
圧の正負の向きによって電流値が極端に異なるという整
流作用がなくなり、信頼性の向上を図ることが出来る。
第１図は、第一の発明の実施例を示す厚み方向を拡大し
た還元再酸化型半導体磁器コンデンサの縦断面図、第２
図は、第１図のＡ部拡大図、第３図は、第一の発明の他
の実施例を示す還元再酸化型半導体磁器コンデンサの縦
断面図、第４図と第５図は、再酸化型半導体磁器コンデ
ンサの従来例を示す縦断面図である。 11……半導体磁器、12……再酸化誘電体層 13、14……電極
た還元再酸化型半導体磁器コンデンサの縦断面図、第２
図は、第１図のＡ部拡大図、第３図は、第一の発明の他
の実施例を示す還元再酸化型半導体磁器コンデンサの縦
断面図、第４図と第５図は、再酸化型半導体磁器コンデ
ンサの従来例を示す縦断面図である。 11……半導体磁器、12……再酸化誘電体層 13、14……電極
Claims (2)
- 【請求項１】半導体磁器11の表面に形成された再酸化誘
電体層12に、少なくとも一対の電極13、14を設けた還元
再酸化型半導体磁器コンデンサに於て、一方の電極14が
Zn、Al、Ni及びSnの中から選ばれた１種以上の金属また
は金属化合物を含む導電体で形成されると共に、再酸化
誘電体層12の該電極14が接する部分の内部に、上記金属
の中から選ばれた１種以上の微量の金属が拡散されてい
ることを特徴とする還元再酸化型半導体磁器コンデン
サ。 - 【請求項２】半導体磁器11の表面に再酸化誘電体層12を
形成し、該再酸化誘電体層12の表面に電極13、14を形成
する還元再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法に於
て、半導体磁器を950〜1200℃の温度で熱処理し、再酸
化誘電体層12を形成した後、一方の電極14を形成する部
分にZn、Al、Ni、及びSnの中から選ばれる１種以上の金
属または金属化合物を含む電極材料層を設け、これを60
0〜850℃の温度で焼き付けて、一方の電極14を形成する
ことを特徴とする還元再酸化型半導体磁器コンデンサの
製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4251886 | 1986-02-27 | ||
| JP61-42518 | 1986-02-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6399515A JPS6399515A (ja) | 1988-04-30 |
| JPH0815128B2 true JPH0815128B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=12638296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62027859A Expired - Lifetime JPH0815128B2 (ja) | 1986-02-27 | 1987-02-09 | 還元再酸化型半導体磁器コンデンサとその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4747014A (ja) |
| EP (1) | EP0235734B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0815128B2 (ja) |
| KR (1) | KR900002515B1 (ja) |
| DE (1) | DE3781910T2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62292682A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-19 | ティーディーケイ株式会社 | 磁器表面電極形成法 |
| US5347423A (en) * | 1992-08-24 | 1994-09-13 | Murata Erie North America, Inc. | Trimmable composite multilayer capacitor and method |
| US5345361A (en) * | 1992-08-24 | 1994-09-06 | Murata Erie North America, Inc. | Shorted trimmable composite multilayer capacitor and method |
| JPH0745468A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-02-14 | Murata Mfg Co Ltd | セラミックコンデンサおよびセラミックコンデンサを取り付けた半導体装置 |
| US5720859A (en) * | 1996-06-03 | 1998-02-24 | Raychem Corporation | Method of forming an electrode on a substrate |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3243315A (en) * | 1955-01-04 | 1966-03-29 | Sprague Electric Co | Method of making a ceramic capacitor |
| US3124478A (en) * | 1959-07-21 | 1964-03-10 | Ceramic | |
| NL260839A (ja) * | 1960-04-29 | |||
| NL283248A (ja) * | 1962-09-18 | |||
| NL128146C (ja) * | 1963-03-05 | |||
| US3274467A (en) * | 1963-05-17 | 1966-09-20 | Nat Lead Co | Ceramic capacitor |
| DE1288686B (de) * | 1964-01-31 | 1969-02-06 | Int Standard Electric Corp | Verfahren zur Erstellung eines keramischen Kondensators |
| US3264537A (en) * | 1965-06-21 | 1966-08-02 | Ibm | Decoupling capacitor |
| US4097911A (en) * | 1975-10-06 | 1978-06-27 | Erie Technological Products, Inc. | Base metal electrode capacitor and method of making the same |
| US4486813A (en) * | 1981-07-06 | 1984-12-04 | Sprague Electric Company | Ceramic capacitor with nickel terminations |
| US4490318A (en) * | 1981-11-26 | 1984-12-25 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Semiconductive ceramic materials with a voltage-dependent nonlinear resistance, and process for preparation |
-
1987
- 1987-02-09 JP JP62027859A patent/JPH0815128B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-02-23 KR KR1019870001524A patent/KR900002515B1/ko not_active Expired
- 1987-02-25 US US07/018,893 patent/US4747014A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-02-25 EP EP87102649A patent/EP0235734B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-02-25 DE DE8787102649T patent/DE3781910T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0235734A2 (en) | 1987-09-09 |
| KR900002515B1 (ko) | 1990-04-16 |
| EP0235734B1 (en) | 1992-09-30 |
| US4747014A (en) | 1988-05-24 |
| DE3781910D1 (de) | 1992-11-05 |
| EP0235734A3 (en) | 1989-04-19 |
| JPS6399515A (ja) | 1988-04-30 |
| KR870008350A (ko) | 1987-09-26 |
| DE3781910T2 (de) | 1993-02-25 |
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