JPH0815192B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0815192B2 JPH0815192B2 JP61006236A JP623686A JPH0815192B2 JP H0815192 B2 JPH0815192 B2 JP H0815192B2 JP 61006236 A JP61006236 A JP 61006236A JP 623686 A JP623686 A JP 623686A JP H0815192 B2 JPH0815192 B2 JP H0815192B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- outer lead
- semiconductor device
- lead
- envelope
- bent portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
- H10W70/424—Cross-sectional shapes
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は例えばDIP型ICのように外囲器からアウタ
リードを突出し、これに曲げ加工部を有する半導体装置
に適用されるものである。
リードを突出し、これに曲げ加工部を有する半導体装置
に適用されるものである。
従来、一例の半導体装置でDIP型ICのように外囲器か
らアウタリードが突出し、これが中途に曲げ加工部を有
するものがある。このような構造のICは第２図に示され
るリードフレーム100によって以下に説明するように構
成される。すなわち、同図のリードフレーム100は両サ
イドのフレーム部101,101と、これらの間にリード状部1
02a,102aで架橋支持されたチップベッド102と、この外
側にこれとは離隔して放射状に延びるインナリード部10
3a,103a…およびこれらのインナリード部は外囲器の外
で二つ列に延びるアウタリード部103b,103b…からなる
リード部103,103…からなっている。そして、上記チッ
プベッド102に半導体チップがマウントされ、その電極
群が金属細線（半導体チップ，金属細線とも図示省略）
で対応するインナリード端に接続され、さらに、図中に
二点鎖線で示される域104に封止樹脂が施されて第３図
に示されるような外囲器105が形成される。また、第３
図に見られるように、外囲器105から突出したアウタリ
ード部103b,103b…はリードフレームから切離されると
ともに曲げ加工が施される。この曲げ加工はアウタリー
ドに大きな曲げ応力を加えるのみならず、アウタリード
を突出している外囲器の封止樹脂との界面の曲隙を増大
したり、封止樹脂へのダメージ例えばクラックや欠けを
発生させたりなどする。
らアウタリードが突出し、これが中途に曲げ加工部を有
するものがある。このような構造のICは第２図に示され
るリードフレーム100によって以下に説明するように構
成される。すなわち、同図のリードフレーム100は両サ
イドのフレーム部101,101と、これらの間にリード状部1
02a,102aで架橋支持されたチップベッド102と、この外
側にこれとは離隔して放射状に延びるインナリード部10
3a,103a…およびこれらのインナリード部は外囲器の外
で二つ列に延びるアウタリード部103b,103b…からなる
リード部103,103…からなっている。そして、上記チッ
プベッド102に半導体チップがマウントされ、その電極
群が金属細線（半導体チップ，金属細線とも図示省略）
で対応するインナリード端に接続され、さらに、図中に
二点鎖線で示される域104に封止樹脂が施されて第３図
に示されるような外囲器105が形成される。また、第３
図に見られるように、外囲器105から突出したアウタリ
ード部103b,103b…はリードフレームから切離されると
ともに曲げ加工が施される。この曲げ加工はアウタリー
ドに大きな曲げ応力を加えるのみならず、アウタリード
を突出している外囲器の封止樹脂との界面の曲隙を増大
したり、封止樹脂へのダメージ例えばクラックや欠けを
発生させたりなどする。
上記曲げ加工の応力を低減させるために従来、第３図
ａに示すように、アウタリード部103b,103b…に透孔113
b,113b…を設け、あるいは第３図ｂに示すように、アウ
タリード部103b,103b…の側面に切欠123b,123b…を設け
るなどの手段が講ぜられていた。また、第４図に示すよ
うに曲げ加工部の内側主面に化学的エッチング、あるい
はプレスでのパンチング等を施して該部の板厚ｔをリー
ド部の板厚Ｔよりも低減させるなどの手段が講ぜられて
いた。
ａに示すように、アウタリード部103b,103b…に透孔113
b,113b…を設け、あるいは第３図ｂに示すように、アウ
タリード部103b,103b…の側面に切欠123b,123b…を設け
るなどの手段が講ぜられていた。また、第４図に示すよ
うに曲げ加工部の内側主面に化学的エッチング、あるい
はプレスでのパンチング等を施して該部の板厚ｔをリー
ド部の板厚Ｔよりも低減させるなどの手段が講ぜられて
いた。
上記従来の技術によると、アウタリードの曲げ加工時
の封止樹脂、封止樹脂とアウタリード曲界面における悪
影響は緩和されるが、加工後のアウタリードの強度に問
題がある。すなわち、製品の工程間の搬送、取扱工程、
検査工程等、さらには製品の使用者における使用後にリ
ードの変形を生じやすく、製品価値を著しく低下させる
重大な問題がある。
の封止樹脂、封止樹脂とアウタリード曲界面における悪
影響は緩和されるが、加工後のアウタリードの強度に問
題がある。すなわち、製品の工程間の搬送、取扱工程、
検査工程等、さらには製品の使用者における使用後にリ
ードの変形を生じやすく、製品価値を著しく低下させる
重大な問題がある。
この発明は上記従来の問題点に鑑みアウタリードの曲
げ加工部の構造に改良を施した半導体装置を提供する。
げ加工部の構造に改良を施した半導体装置を提供する。
この発明の半導体装置は外囲器からアウタリードを突
出させこれに曲げ加工を施した半導体装置におけるアウ
ターリードの曲げ加工部の主面に、該アウターリードの
曲げ加工を容易ならしめるためにアウターリードに対し
その長手方向の複数溝を曲げ加工部主面に限り設けたこ
とを特徴とするものである。これにより、アウターリー
ドの曲げ加工時の曲げ応力を低減し、外囲器のリード封
着に係る問題を対策するとともにアウタリードの変形を
防止できる。
出させこれに曲げ加工を施した半導体装置におけるアウ
ターリードの曲げ加工部の主面に、該アウターリードの
曲げ加工を容易ならしめるためにアウターリードに対し
その長手方向の複数溝を曲げ加工部主面に限り設けたこ
とを特徴とするものである。これにより、アウターリー
ドの曲げ加工時の曲げ応力を低減し、外囲器のリード封
着に係る問題を対策するとともにアウタリードの変形を
防止できる。
以下、この発明の実施例につき第１図を参照して説明
する。なお、説明において従来と変わらない部分につい
ては図面に従来と同じ符号を付けて示し説明を省略す
る。
する。なお、説明において従来と変わらない部分につい
ては図面に従来と同じ符号を付けて示し説明を省略す
る。
第１図ａはDIP型ICのアウタリードの曲げ加工部の側
面図で、樹脂封止外囲器105の側面から突出したアウタ
ーリード11は一例としてその曲げ加工部の内側主面にこ
のアウタリードの長手方向に設けられた溝12を備える。
上記溝12はリードフレーム製造時に化学エッチング、あ
るいはプレス工程でパンチングを施して簡易に達成でき
る。そして溝の形状は第１図ａのAA線に沿う断面で例示
する第１図ｃ〜ｅの如く、三角溝12a,半だ円溝（半円
溝）12b,角溝12c等（いずれも複数溝）でよく、溝の深
さは半導体装置の品種，リードフレームの材質，設計等
に基づいて、また、溝の形状によって個々に設定してよ
いが約10〜40％の範囲で効果があり、かつ障害も伴わな
い。なお、上記溝は第１図ａは曲げ加工部の内側主面に
設けた例であるが、外側主面に設けた第１図ｂの溝22の
如くしてもよく、また、この溝22の形状も上記第１図ｃ
〜ｅに示されたものと同じでよい。
面図で、樹脂封止外囲器105の側面から突出したアウタ
ーリード11は一例としてその曲げ加工部の内側主面にこ
のアウタリードの長手方向に設けられた溝12を備える。
上記溝12はリードフレーム製造時に化学エッチング、あ
るいはプレス工程でパンチングを施して簡易に達成でき
る。そして溝の形状は第１図ａのAA線に沿う断面で例示
する第１図ｃ〜ｅの如く、三角溝12a,半だ円溝（半円
溝）12b,角溝12c等（いずれも複数溝）でよく、溝の深
さは半導体装置の品種，リードフレームの材質，設計等
に基づいて、また、溝の形状によって個々に設定してよ
いが約10〜40％の範囲で効果があり、かつ障害も伴わな
い。なお、上記溝は第１図ａは曲げ加工部の内側主面に
設けた例であるが、外側主面に設けた第１図ｂの溝22の
如くしてもよく、また、この溝22の形状も上記第１図ｃ
〜ｅに示されたものと同じでよい。
この発明はアウターリードに対しその長手方向の複数
溝を曲げ加工部主面に限り設けるもので、これにより曲
げ加工時におけるアウタリードに加わる曲げ応力が緩和
され、外囲器の封止樹脂、およびアウタリードと封止樹
脂との界面に対するダメージ、すなわち、封止樹脂の欠
け、クラックや封止樹脂との間隙発生などが防止でき、
また、アウタリードのフォーミング不良やリードの強度
不良、変形等が低減した。叙上により、半導体装置の品
質の向上と安定に著効を奏する。
溝を曲げ加工部主面に限り設けるもので、これにより曲
げ加工時におけるアウタリードに加わる曲げ応力が緩和
され、外囲器の封止樹脂、およびアウタリードと封止樹
脂との界面に対するダメージ、すなわち、封止樹脂の欠
け、クラックや封止樹脂との間隙発生などが防止でき、
また、アウタリードのフォーミング不良やリードの強度
不良、変形等が低減した。叙上により、半導体装置の品
質の向上と安定に著効を奏する。
第１図はこの発明の半導体装置の実施例にかかり、第１
図ａと第１図ｂは曲げ加工部の側面図、第１図ｃ〜ｅは
いずれも溝の形状を示す断面図、第２図はリードフレー
ムの正面図、第３図a,bはいずれも従来の半導体装置の
斜視図、第４図は従来の半導体装置の曲げ加工部の側面
図である。 11……アウタリード 12,22……アウタリードの溝 12a,12b,12c……溝の形状
図ａと第１図ｂは曲げ加工部の側面図、第１図ｃ〜ｅは
いずれも溝の形状を示す断面図、第２図はリードフレー
ムの正面図、第３図a,bはいずれも従来の半導体装置の
斜視図、第４図は従来の半導体装置の曲げ加工部の側面
図である。 11……アウタリード 12,22……アウタリードの溝 12a,12b,12c……溝の形状
Claims (1)
- 【請求項１】外囲器から突出したアウターリードに曲げ
加工の施された半導体装置において、アウターリードの
曲げ加工時の曲げ応力を低減させるためにアウターリー
ドに対しその長手方向の複数溝を曲げ加工部主面に限り
設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61006236A JPH0815192B2 (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61006236A JPH0815192B2 (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62165348A JPS62165348A (ja) | 1987-07-21 |
| JPH0815192B2 true JPH0815192B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=11632879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61006236A Expired - Lifetime JPH0815192B2 (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0815192B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6436058A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Kyushu Nippon Electric | Lead frame of semiconductor device |
| EP0464232B1 (de) * | 1990-06-30 | 1994-03-16 | Dr. Johannes Heidenhain GmbH | Lötverbinder und Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Schaltung mit diesem Lötverbinder |
| TW459357B (en) | 1999-08-20 | 2001-10-11 | Rohm Co Ltd | Electronic part and method of fabricating thereof |
| JP2002033433A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製法 |
| JP7504008B2 (ja) | 2020-11-27 | 2024-06-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6032350A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-02-19 | Nec Corp | 段重ねパッケ−ジ型半導体装置 |
-
1986
- 1986-01-17 JP JP61006236A patent/JPH0815192B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62165348A (ja) | 1987-07-21 |
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