JPH0815193B2 - 半導体装置及びこれに用いるリードフレーム - Google Patents

半導体装置及びこれに用いるリードフレーム

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JPH0815193B2 JP61189262A JP18926286A JPH0815193B2 JP H0815193 B2 JPH0815193 B2 JP H0815193B2 JP 61189262 A JP61189262 A JP 61189262A JP 18926286 A JP18926286 A JP 18926286A JP H0815193 B2 JPH0815193 B2 JP H0815193B2
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Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体装置及びこれに用いるリードフレーム
に関し、より詳細には、リードフレームに搭載される半
導体素子から発生する熱を効率よく放散することができ
るリードフレームに関する。
（従来の技術およびその問題点） 近年半導体素子は、大型化、多機能化、高集積化の一
途をたどっており、その発熱量も増大している。したが
って、これを搭載するリードフレームは一層の多ピン化
が要請され、また半導体装置全体としても熱を一層効率
良く放散させる機能が求められている。
ところで、通例内部リードの各リード間の間隔は、リ
ードを抜き加工で形成する際のポンチの座屈等のため
に、リードフレームの板厚程度まで狭小にすることが限
度である。そのため、通常の方法でリードを加工形成す
る場合は、リードフレーム自体の大きさが限定されてい
るので、形成されるピン数には自ずから限度がある。
この場合、各リード間の間隔を形成し得る最も狭い間
隔にしてかつ、多ピン化を図るためには、各内部リード
が高密度に集積する内部リードの先端部を外部リード側
へ後退させ、内部リードが形成されるフレーム面を拡大
させればよい。しかしながら、このように内部リードを
後退させると、半導体素子を固定するステージ部と内部
リード先端との距離が増大し、半導体素子と内部リード
を電気的に接続するワイヤボンディング等の作業を困難
にするとともにワイヤボンディングの信頼性が低下する
という問題点が生ずる。
また、従来の半導体装置において、ステージ部、樹脂
封止部などは付帯的に熱放散機能を果たしているが、こ
れらステージ部等による熱放散機能のみでは、最近の集
積度の高い半導体素子から発生する熱を放散するには不
充分である。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、半導体素子の高集積化にとも
なう半導体装置の多ピン化を図るとともに、半導体素子
から発生する熱を効率的に放散させる熱放散機能をリー
ドフレーム自身に求めた半導体装置及びこれに用いるリ
ードフレームを提供するにある。
（問題点を解決するための手段） 本発明は上記問題点を解消するため次の構成を備え
る。
すなわち、半導体素子と、該半導体素子を固定したス
テージ部と、先端が前記ステージ部に略対向して配置さ
れ、前記半導体素子と電気的に接続された複数の内部リ
ードとを封止樹脂で封止してなる半導体装置において、
前記内部リードの先端が、前記ステージ部の周縁から封
止樹脂の外面近傍に後退し、前記半導体素子と前記内部
リードとが回路パターン形成フィルムにより電気的に接
続され、前記内部リードが後退して生じた内部リードの
先端と前記ステージ部の周縁との空間に、前記内部リー
ドが後退した部位の形状と類似する形状のヒートスプレ
ッダーが、前記ステージ部の周縁から延出して形成され
ていることを特徴とする。
また、半導体素子を固定するステージ部と、先端が前
記ステージ部に略対向して配置される複数の内部リード
とを有するリードフレームにおいて、前記内部リードの
先端が、前記ステージ部の周縁から複数の内部リード間
を連結するダムバーの近傍に後退し、前記内部リードが
後退して生じた内部リードの先端と前記ステージ部の周
縁との空間に、前記内部リードが後退した部位の形状と
類似する形状のヒートスプレッダーが、前記ステージ部
の周縁から延出して形成されていることを特徴とする。
（実施例） 以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳
細に説明する。
第１図は本発明に係るリードフレームを示す平面図で
ある。
10は半導体素子を固定するステージ部で、14は内部リ
ードである。内部リード14の先端とステージ部10の周縁
部とは、従来のリードフレームとくらべ、相当程度離れ
て配設され、その結果内部リード14は従来のものにくら
べ短く形成されている。
12は前記ステージ部10から前記内部リード14側に延出
されるヒートスプレッダーで、このヒートスプレッダー
12は、ステージ部10周縁と内部リード14の先端の間に形
成される空隙を埋めるように配設されて成る。
前記ヒートスプレッダー12は、ステージ部10に固定さ
れる半導体素子とともに樹脂封止されるので樹脂との密
着性を高めるために、透孔26あるいはスリット24が穿設
され、また樹脂封止後にクラックが生じないように樹脂
への応力集中を緩和すべく、ヒートスプレッダー12の先
端部は、内部リード14先端から長距離となるように滑ら
かな凹凸形状に形成される。
15はステージ部10とヒートスプレッダー12を支持する
ステージサポートバーで、このステージサポートバー15
および内部リード部14はダムバー16に連結する。
ステージサポートバー15はヒートスプレッダー12から
延出するようにしてもよい。
18はダムバー16に連絡する外部リードで、20はダムバ
ー、22はレールである。
本発明に係るリードフレームは、前述したように、ス
テージ部10から後退した位置に内部リード14を形成する
ので内部リード14の幅方向に、より多くのリードを形成
することができ、その結果多ピンのリードフレームを容
易に形成することができる。
そして、ステージ部10とステージ部10から後退した内
部リード14との空間部位にヒートスプレッダー12を配設
することができ、熱放散の機能として前記空間部位を有
効に利用することができる。
第２図は、本発明に係るリードフレームを樹脂封止し
て成る半導体装置の断面図である。
第２図において、28は前記ステージ部10に固定される
半導体素子で、30はこの半導体素子28と内部リード14と
を接続する回路パターン形成フィルムである。32は、こ
れら半導体素子28、ヒートスプレッダー12、ステージ部
10等を封止する樹脂である。
第２図に示すように、前記ヒートスプレッダー12は、
樹脂32の外面により近接するようにステージ部10との境
界近傍で段差を設けて折り曲げられる。このように、樹
脂32表面に近接してヒートスプレッダー12を封止するこ
とにより、熱を外部へ放散する効果を向上させることが
できる。
ヒートスプレッダー12の先端部を凹凸形状とした場合
にはこの凹凸部を交互に上下に折曲して樹脂との密着性
を図るとよい。
30は半導体素子28と内部リード14とを接続する導体回
路を有する回路パターン形成フィルムであるが、前述し
たように、ステージ部10と内部リード14との距離が大き
くなるために、従来のワイヤボンディング方法では導線
が長くなり、半導体素子28と内部リード14とを導線でワ
イヤボンディングする際、あるいは樹脂封止する際に、
導線30がたがいに短絡する虞が出てくる。
このため、通常のワイヤボンディングの作業を困難に
するが、この問題点を解決するには以下に述べるフィル
ムキャリア方式によるボンディングが有効である。
すなわち、フィルムキャリア方式によるボンディング
は、銅箔などを積層した絶縁フィルム上の銅箔などをエ
ッチング加工して、フィルム面にあらかじめ内部リード
パターンと半導体素子の端子パターンに合致する回路パ
ターンを形成しておき、この回路パターン形成フィルム
の各回路パターンを前記内部リード14と半導体素子28に
熱圧着し、対応する回路パターンを一度にボンディング
するものである。このフィルムキャリア方式のボンディ
ングでは、各導線のかわりに回路パターンがフィルム面
に形成されているために、誤って配線同志が短絡すると
いう虞がなく、また、エッチング加工により微細な回路
パターンが形成できるので、多ピンのものに対して特に
有効に利用することができる。なお、回路パターン形成
フィルムは、封止樹脂との密着性を考慮した形状とし、
穿孔などを形成すると好適である。そして、配線時に
は、従来のワイヤボンディングのように対応する端子間
を１つずつ接続するのではなく、多数の端子間を一度に
接続できるので、ワイヤボンディング時間を大幅に短縮
することができる。
（発明の効果） 本発明に係る半導体装置およびこれに用いるリードフ
レームによれば、上述したように、最近の高集積化され
ている半導体素子に対応して多ピンの半導体装置を容易
に形成し得るとともに、従来の半導体素子にくらべてよ
り発熱量が増大している半導体素子から発生する熱を効
率的に放散させる機能をも合わせて有することができる
という著効を奏する。
その結果、半導体装置の動作性に関して、一層信頼性
を高めることができる。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明した
が、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発
明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るの
はもちろんのことである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るリードフレームの実施例を示す部
分平面図、第２図は本発明のリードフレームを用いた樹
脂封止型半導体装置の一例を示す断面図である。 10……ステージ部、12……ヒートスプレッダー、14……
内部リード、15……ステージサポートバー、16……ダム
バー、18……外部リード、20……タイバー、22……レー
ル、24……スリット、26……透光、28……半導体素子、
30……回路パターン形成フィルム、32……樹脂。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体素子と、該半導体素子を固定したス
    テージ部と、先端が前記ステージ部に略対向して配置さ
    れ、前記半導体素子と電気的に接続された複数の内部リ
    ードとを封止樹脂で封止してなる半導体装置において、 前記内部リードの先端が、前記ステージ部の周縁から封
    止樹脂の外面近傍に後退し、 前記半導体素子と前記内部リードとが回路パターン形成
    フィルムにより電気的に接続され、 前記内部リードが後退して生じた内部リードの先端と前
    記ステージ部の周縁との空間に、前記内部リードが後退
    した部位の形状と類似する形状のヒートスプレッダー
    が、前記ステージ部の周縁から延出して形成されている
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】半導体素子を固定するステージ部と、先端
    が前記ステージ部に略対向して配置される複数の内部リ
    ードとを有するリードフレームにおいて、前記内部リー
    ドの先端が、前記ステージ部の周縁から複数の内部リー
    ド間を連結するダムバーの近傍に後退し、 前記内部リードが後退して生じた内部リードの先端と前
    記ステージ部の周縁との空間に、前記内部リードが後退
    した部位の形状と類似する形状のヒートスプレッダー
    が、前記ステージ部の周縁から延出して形成されている
    ことを特徴とするリードフレーム。
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