JPH08155676A - フラックス組成物 - Google Patents

フラックス組成物

Info

Publication number
JPH08155676A
JPH08155676A JP30230694A JP30230694A JPH08155676A JP H08155676 A JPH08155676 A JP H08155676A JP 30230694 A JP30230694 A JP 30230694A JP 30230694 A JP30230694 A JP 30230694A JP H08155676 A JPH08155676 A JP H08155676A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flux composition
halogen compound
activator
thermal decomposition
organic halogen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30230694A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyotaka Maekawa
清隆 前川
Shigeki Saito
茂樹 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP30230694A priority Critical patent/JPH08155676A/ja
Publication of JPH08155676A publication Critical patent/JPH08155676A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 無洗浄化が可能であるとともに、はんだ付け
性が良好であり、かつ、絶縁性が良好で電気的信頼性の
高いフラックス組成物を提供する。 【構成】 活性剤と、ベース樹脂と、有機溶剤とを含む
フラックス組成物であって、前記活性剤は、少なくとも
有機ハロゲン化合物を含み、前記有機ハロゲン化合物
は、熱分解開始温度が200℃以上350℃以下である
ことを特徴とするフラックス組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はフラックス組成物、詳
しくは電子部品のはんだ付け用のフラックス組成物に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、電子部品をはんだ付けする際
には、はんだ熱によって電極等が酸化するのを防ぐため
に、あらかじめ電極等にフラックス組成物を塗布してか
らはんだ付けを行う。
【0003】このフラックス組成物は、アミンハロゲン
塩等の活性剤と、ロジン等のベース樹脂と、アルコー
ル、ケトン等の有機溶剤とから構成されている。
【0004】そして、このアミンハロゲン塩等の活性剤
によるフラックス組成物の活性化により、はんだ付け性
は良好となる反面、はんだ付け後は残留したフラックス
組成物によるイオン化、および腐食を防止するために、
電子部品を洗浄剤によって洗浄し、フラックス組成物を
除去しなければならない。
【0005】最近になって、ODC、COS規制等によ
り有機溶剤による洗浄を不要とする無洗浄フラックス組
成物が使用されつつある。
【0006】この無洗浄フラックス組成物は、活性剤に
有機酸を用いている。この有機酸はアミンハロゲン塩等
に比べるとイオン性が低いので、洗浄によって除去しな
くても電気的信頼性は高いため、無洗浄が可能である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の無洗
浄フラックス組成物では、有機酸による活性剤の活性力
が弱いためはんだ付け性の面では不充分であるという問
題点があった。
【0008】また、はんだ付け性を向上させるために有
機酸の添加量を増やすと、有機酸のイオン化、および有
機酸による腐食等によって絶縁性が悪くなり、逆に電気
的信頼性が悪化するという問題点があった。
【0009】本発明は、無洗浄化が可能であるととも
に、はんだ付け性が良好であり、かつ、絶縁性が良好で
電気的信頼性の高いフラックス組成物を提供することを
目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は、上
記のような問題点を解決するべくフラックス組成物を完
成するに至った。本発明のフラックス組成物は、活性剤
と、ベース樹脂と、有機溶剤とを含むフラックス組成物
であって、前記活性剤は、少なくとも有機ハロゲン化合
物を含み、前記有機ハロゲン化合物は、熱分解開始温度
が200℃以上350℃以下であることに特徴がある。
【0011】すなわち、本発明のフラックス組成物にお
いて、有機ハロゲン化合物がフラックス活性剤として有
効である理由は、有機ハロゲン化合物が熱分解される時
に生じるハロゲン化水素がフラックス活性剤として有効
であるからである。
【0012】従って、活性剤として有機酸のみを使用す
る場合とは異なり、強い活性力による良好なはんだ広が
り率を得ることができる。
【0013】また、本発明において用いる有機ハロゲン
化合物は、熱分解開始温度が200℃以上350℃以下
である。有機ハロゲン化合物の熱分解開始温度が200
℃未満の場合には、残留したときに熱分解しやすく、そ
のため、腐食、電気的信頼性の低下が生じてしまう。ま
して、100℃未満ではプリヒータに使用する温度範囲
内で熱分解されてしまうので、はんだ付けを行う前に有
機ハロゲン化合物が揮発してしまうため、はんだ付けに
は適さない。一方、350℃を越える場合には、高温は
んだ付けを行うときの加熱温度である260℃〜350
℃の範囲内で有機ハロゲン化合物が熱分解されず、高温
はんだ付けを行うときに活性を示さない。
【0014】また、本発明において、活性剤に含まれる
有機ハロゲン化合物は非イオン性であるので、活性剤に
有機酸のみを使用した場合と比較して、有機酸のイオン
化、有機酸による腐食等による絶縁性の悪化を防止でき
るので、高い絶縁性を得ることができる。
【0015】また、本発明のフラックス組成物は、前記
有機ハロゲン化合物は、熱分解開始温度が260℃以上
350℃以下であることが好ましい。
【0016】なぜなら、有機ハロゲン化合物が高温はん
だ付けを行う温度範囲内で熱分解が開始され、かつ、2
60℃未満の場合には、有機ハロゲン化合物は熱分解せ
ず安定しているのでより適切であるからである。
【0017】また、本発明のフラックス組成物は、前記
有機ハロゲン化合物は、高温はんだ付けを行うまでによ
り一層安定させるためにも熱分解開始温度が264℃以
上350℃以下であることがより好ましい。
【0018】また、本発明のフラックス組成物は、前記
有機ハロゲン化合物は、高温はんだ付けを行うまでによ
り一層安定させ、かつ、より一層確実に熱分解させるた
めにも熱分解開始温度が264℃以上311℃以下であ
ることがさらに好ましい。
【0019】また、本発明のフラックス組成物は、前記
有機ハロゲン化合物は、前記フラックス組成物100重
量%に対して0.01〜10重量%含むことが好まし
い。
【0020】すなわち、有機ハロゲン化合物がフラック
ス組成物100重量%に対して0.01未満の場合に
は、はんだ付け性が弱すぎる。一方、10重量%を越え
る場合には、残渣が多く残留してしまう。
【0021】また、本発明のフラックス組成物は、前記
有機ハロゲン化合物は、トリス(2,3−ジブロモプロ
ピル)イソシアニュレート、2,2ビス(4−ヒドロキ
シ−3,5−ジブロモフェニル)プロパン、2,2ビス
(4−ヒドロキシエトキシ−3,5−ジブロモフェニ
ル)プロパンのうち少なくとも1つからなることが好ま
しい。
【0022】なぜなら、これら有機ハロゲン化合物は、
いずれも熱分解開始温度が264℃以上311℃以下で
あるからである。
【0023】
【実施例】以下、本発明のフラックス組成物の実施例に
ついて説明する。本実施例のフラックス組成物は、いず
れも活性剤と、ベース樹脂と、有機溶剤とからなるフラ
ックス組成物である。
【0024】活性剤としては、有機ハロゲン化合物であ
るトリス(2,3−ジブロモプロピル)イソシアニュレ
ート(TAIC−6B、商品名AFR−1002(旭硝
子(株)))または2,2ビス(4−ヒドロキシ−3,
5−ジブロモフェニル)プロパン(TBA、商品名AF
R−1010(旭硝子(株)))を用いている。ここ
で、本発明の活性剤として用いられた有機ハロゲン化合
物は、常温では安定かつ水に不溶な化合物である。
【0025】また、ベース樹脂としては、ロジンを用い
ている。
【0026】さらに、有機溶剤としては、イソプロピル
アルコール(IPA)を用いている。
【0027】表1に、本発明のフラックス組成物である
実施例1ないし実施例4の組成を示す。
【0028】
【表1】
【0029】なお、参考のために、活性剤としてアミン
ハロゲン塩であるトリエタトルアミン塩酸塩を用いた参
考例1と、活性剤として有機酸であるアジピン酸を用い
た参考例2とを表1に併せて示す。
【0030】ここで、実施例2および実施例3では、活
性剤として有機ハロゲン化合物であるトリス(2,3−
ジブロモプロピル)イソシアニュレート(TAIC−6
B、商品名AFR−1002(旭硝子(株)))だけで
なく、有機酸であるステアリン酸およびセバシン酸を用
いているが、このように有機ハロゲン化合物と有機酸ま
たは有機酸アミン塩との併用も可能である。
【0031】また、表2に、本実施例の活性剤として用
いられた有機ハロゲン化合物の融点および熱分解開始温
度を示す。
【0032】
【表2】
【0033】なお、熱分解開始温度は、有機ハロゲン化
合物100重量%のうち5重量%の重量が減少したとき
の温度を熱分解開始温度としている。
【0034】ところで、通常行われるはんだ付けは、は
んだ付け温度が100℃〜250℃の範囲内で行われる
が、この場合、本発明のフラックス組成物では、はんだ
付け温度範囲内で熱分解されない可能性があり、従っ
て、通常のはんだ付けには適さない。
【0035】本発明のフラックス組成物は、高温はんだ
付けと呼ばれるはんだ付けに適応したものであり、それ
は、はんだ付け温度が260℃〜350℃の範囲内のも
のである。この温度範囲内ではんだ付けを行う場合に
は、本発明のフラックス組成物は確実に熱分解されるの
で、高温はんだ付け用のフラックス組成物として有効で
ある。
【0036】また、熱分解開始温度が200℃以下の有
機ハロゲン化合物を用いると、例えば、フラックス組成
物の高温負荷試験等で約125℃で放置しなければなら
ない場合に、試験中に熱分解が開始されてしまう場合が
あり、熱分解によって腐食が起こって電気的特性が低下
してしまう。
【0037】従って、本発明のフラックス組成物は、高
温はんだ付けに適しているだけでなく、信頼性の上でも
有効である。
【0038】次に、表1に示した実施例1ないし実施例
4並びに参考例1および参考例2のフラックス組成物を
用いて測定したはんだ広がり率および絶縁抵抗試験の測
定結果について説明する。なお、この2つの測定方法は
JISZ3197のはんだ付用樹脂系フラックス試験方
法に準拠している。
【0039】はんだ広がり率については、まず、150
℃、60分で熱処理したCu板に、はんだリングをのせ
て、さらにフラックス組成物をスポイドで塗布して試片
を作製した。次に、この試片を250℃のはんだ槽に3
0秒間浮かべた。そして、はんだ高さを測定し、次式に
従ってはんだ広がり率を求めた。
【0040】広がり率=100×(D−H)/D D=1.24V1/3 (ただし、H:はんだ高さ、D:はんだを球としたとき
の直径、V:はんだの体積) 実施例1〜実施例4および参考例1は、はんだ広がり率
が、91(%)、93(%)、95(%)、92(%)
といずれもはんだ広がり率が90(%)以上であり、は
んだ広がり率が良好であった。
【0041】参考例2は、はんだ広がり率が83(%)
と90(%)以下であり、はんだ広がり率が不良であっ
た。これは、活性剤として従来より用いられているアジ
ピン酸を用いたが、このアジピン酸は本発明の活性剤に
比べて活性力が劣るので、はんだ広がり率が小さくなっ
たためである。
【0042】絶縁抵抗については、まず、JIS2形櫛
形電極にフラックス組成物を塗布、乾燥させた試験片を
作製した。次に、40℃、95%RH(相対湿度)の槽
に放置後、取り出して100V×1分印加後の絶縁抵抗
を測定した。
【0043】実施例1〜実施例4および参考例2は、絶
縁抵抗が、11.9(logIR)、12.1(log
Ω)、11.6(logΩ)、11.8(logΩ)と
いずれも絶縁抵抗が11(logΩ)以上の高い抵抗値
を示し、高い絶縁性を示した。
【0044】参考例1は、絶縁抵抗が8.2(log
Ω)と抵抗値が低く不良であった。これは、活性剤とし
てトリエタトルアミン塩酸塩を用いたが、このトリエタ
トルアミン塩酸塩は腐食性が高いので、絶縁抵抗が劣化
したためである。
【0045】従って、実施例1〜実施例4は、いずれも
はんだ広がり率および絶縁抵抗で良好な結果を示し、参
考例1および参考例2は、はんだ広がり率および絶縁抵
抗のいずれかで不良となった。
【0046】ところで、本発明は、上記実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲にお
ける変更が可能である。
【0047】例えば、上記実施例では、有機ハロゲン化
合物として臭素化合物であるトリス(2,3−ジブロモ
プロピル)イソシアニュレート(TAIC−6B)、ま
たは2,2ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブロモフ
ェニル)プロパン(TBA)を用いているが、2,2ビ
ス(4−ヒドロキシエトキシ−3,5−ジブロモフェニ
ル)プロパン(TBA−EO、商品名AFR−1011
(旭硝子(株)))を使用してもよい。これは融点が1
15℃〜118℃で熱分解開始温度が311℃である。
【0048】また、商品名ピロガードFR−160(第
一工業(株))を使用してもよい。これは融点が常温以
下(常温で液体)で熱分解開始温度が200℃である。
【0049】さらに、ハロゲンとしては、Brだけでな
く、Cl、F、I等いずれでも使用できる。
【0050】また、例えば、上記実施例では、有機酸と
してステアリン酸、セバシン酸、アジピン酸を用いてい
るが、安息香酸等の他の有機酸も使用可能である。
【0051】また、例えば、上記実施例では、ベース樹
脂としてロジンを用いたが、グリセリンや他の合成樹脂
も使用可能である。
【0052】また、例えば、上記実施例では、有機溶剤
としてイソプロピルアルコール(IPA)を用いたが、
沸点が50℃〜300℃程度の範囲のものならどの有機
溶剤でも使用可能である。
【0053】
【発明の効果】本発明のフラックス組成物では、活性剤
に熱分解開始温度が200℃以上350℃以下である有
機ハロゲン化合物を含んでいる。よって、高温はんだ付
けを行う場合の加熱温度である260℃〜350℃の範
囲内で有機ハロゲン化合物は熱分解され、フラックス活
性剤として有効なハロゲン化水素が発生する。従って、
活性剤として有機酸のみを使用する場合とは異なり、強
い活性力による良好なはんだ広がり率を得ることができ
るので、はんだ付け性の良好なフラックス組成物を作製
することが可能である。
【0054】また、活性剤に含まれる有機ハロゲン化合
物は、非イオン性である。よって、活性剤に有機酸のみ
を使用した場合と比較して、有機酸のイオン化、有機酸
による腐食等による絶縁性の悪化を防止することが可能
である。従って、高い絶縁性を得ることができるので、
電気的信頼性を向上させることが可能である。
【0055】さらに、高温負荷試験等で200℃以下に
放置しても試験中に有機ハロゲン化合物が熱分解しない
ので、熱分解による腐食、またそれによる信頼性の低下
をより一層防止することが可能である。
【0056】また、本発明のフラックス組成物は、前記
有機ハロゲン化合物は、熱分解開始温度が260℃以上
350℃以下であることが好ましい。
【0057】これにより、より高温はんだ付けに適して
おり、より電気的信頼性を向上させることが可能であ
る。
【0058】また、本発明のフラックス組成物は、前記
有機ハロゲン化合物は、高温はんだ付けを行うまでによ
り一層安定させるためにも熱分解開始温度が264℃以
上350℃以下であることがより好ましい。
【0059】これにより、より一層高温はんだ付けに適
しており、より一層電気的信頼性を向上させることが可
能である。
【0060】また、本発明のフラックス組成物は、前記
有機ハロゲン化合物は、高温はんだ付けを行うまでによ
り一層安定させ、かつ、より一層確実に熱分解させるた
めにも熱分解開始温度が264℃以上311℃以下であ
ることがさらに好ましい。
【0061】これにより、さらに高温はんだ付けに適し
ており、さらに電気的信頼性を向上させることが可能で
ある。
【0062】また、本発明のフラックス組成物は、前記
有機ハロゲン化合物は、前記フラックス組成物100重
量%に対して0.01〜10重量%含むことが好まし
い。
【0063】これにより、はんだ付け性がより良好で、
かつ、電気的信頼性をより一層向上させることが可能で
ある。
【0064】また、本発明のフラックス組成物は、前記
有機ハロゲン化合物は、トリス(2,3−ジブロモプロ
ピル)イソシアニュレート、2,2ビス(4−ヒドロキ
シ−3,5−ジブロモフェニル)プロパン、2,2ビス
(4−ヒドロキシエトキシ−3,5−ジブロモフェニ
ル)プロパンのうち少なくとも1つからなることが好ま
しい。
【0065】これらはいずれも本発明の有機ハロゲン化
合物として適切であり、本発明の効果が十分に得られ
る。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 活性剤と、ベース樹脂と、有機溶剤とを
    含むフラックス組成物であって、前記活性剤は、少なく
    とも有機ハロゲン化合物を含み、前記有機ハロゲン化合
    物は、熱分解開始温度が200℃以上350℃以下であ
    ることを特徴とするフラックス組成物。
  2. 【請求項2】 前記有機ハロゲン化合物は、熱分解開始
    温度が260℃以上350℃以下であることを特徴とす
    る請求項1記載のフラックス組成物。
  3. 【請求項3】 前記有機ハロゲン化合物は、熱分解開始
    温度が264℃以上350℃以下であることを特徴とす
    る請求項1または請求項2に記載のフラックス組成物。
  4. 【請求項4】 前記有機ハロゲン化合物は、熱分解開始
    温度が264℃以上311℃以下であることを特徴とす
    る請求項1から請求項3のいずれかに記載のフラックス
    組成物。
  5. 【請求項5】 前記有機ハロゲン化合物は、前記フラッ
    クス組成物100重量%に対して0.01〜10重量%
    含むことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか
    に記載のフラックス組成物。
  6. 【請求項6】 前記有機ハロゲン化合物は、トリス
    (2,3−ジブロモプロピル)イソシアニュレート、
    2,2ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブロモフェニ
    ル)プロパン、2,2ビス(4−ヒドロキシエトキシ−
    3,5−ジブロモフェニル)プロパンのうち少なくとも
    1つからなることを特徴とする請求項1から請求項5の
    いずれかに記載のフラックス組成物。
JP30230694A 1994-12-06 1994-12-06 フラックス組成物 Pending JPH08155676A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30230694A JPH08155676A (ja) 1994-12-06 1994-12-06 フラックス組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30230694A JPH08155676A (ja) 1994-12-06 1994-12-06 フラックス組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08155676A true JPH08155676A (ja) 1996-06-18

Family

ID=17907381

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30230694A Pending JPH08155676A (ja) 1994-12-06 1994-12-06 フラックス組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08155676A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10175092A (ja) * 1996-12-16 1998-06-30 Senju Metal Ind Co Ltd ソルダペースト
WO2002043916A1 (en) * 2000-11-29 2002-06-06 Senju Metal Industry Co., Ltd. Solder pastes
US7357291B2 (en) 2002-01-30 2008-04-15 Showa Denko K.K. Solder metal, soldering flux and solder paste
CN101204762B (zh) 2007-12-25 2011-02-16 昆山成利焊锡制造有限公司 铝及铝合金用软钎焊金属置换型无铅焊助焊剂
US10158032B2 (en) 2012-10-12 2018-12-18 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Solar cells produced from high Ohmic wafers and halogen containing paste
JP2019147190A (ja) * 2019-04-23 2019-09-05 株式会社タムラ製作所 フラックス組成物、ソルダペースト及び電子回路基板

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10175092A (ja) * 1996-12-16 1998-06-30 Senju Metal Ind Co Ltd ソルダペースト
WO2002043916A1 (en) * 2000-11-29 2002-06-06 Senju Metal Industry Co., Ltd. Solder pastes
JPWO2002043916A1 (ja) * 2000-11-29 2004-04-02 千住金属工業株式会社 ソルダペースト
US6926849B2 (en) 2000-11-29 2005-08-09 Senju Metal Industry Co., Ltd. Solder paste
US7357291B2 (en) 2002-01-30 2008-04-15 Showa Denko K.K. Solder metal, soldering flux and solder paste
CN101204762B (zh) 2007-12-25 2011-02-16 昆山成利焊锡制造有限公司 铝及铝合金用软钎焊金属置换型无铅焊助焊剂
US10158032B2 (en) 2012-10-12 2018-12-18 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Solar cells produced from high Ohmic wafers and halogen containing paste
JP2019147190A (ja) * 2019-04-23 2019-09-05 株式会社タムラ製作所 フラックス組成物、ソルダペースト及び電子回路基板

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6075080A (en) Flux composition
CN104858571A (zh) 一种锡铋系无铅锡膏用无卤素助焊剂及其制备方法
CN104070308A (zh) 无卤素免清洗光亮型焊锡丝用松香基助焊剂及其制备方法
BRPI0017633B1 (pt) processo para tratamento de painel de circuito impresso, bem como painel de circuito impresso
EP0201150A2 (en) Soldering fluxes, activators therefor, and their use in soldering
US5281281A (en) No-clean, low-residue, volatile organic compound free soldering flux and method of use
US5064481A (en) Use or organic acids in low residue solder pastes
JPH08155676A (ja) フラックス組成物
US4278479A (en) Organic acid activated liquid solder flux
US4701224A (en) Water soluble condensation soldering flux
JPH04143094A (ja) はんだ付け用フラックス
JPH07178590A (ja) はんだ付け用フラックス、クリームはんだおよびはんだ付け方法
JPH0890283A (ja) はんだ付け用フラックス
CN110328466B (zh) 一种无卤免清洗助焊剂
US4180419A (en) Solder flux
US5122200A (en) Method of cleaning printed circuit boards using formic acid
JPH06268356A (ja) プリフラックスの使用方法およびプリント配線板の製造方法
JP3066999B2 (ja) はんだ付け用フラックス
JPH0573518B2 (ja)
JP3480634B2 (ja) はんだ付け用フラックス
JP2001279491A (ja) 封孔処理剤
KR100328256B1 (ko) 납땜 플럭스 조성물용 용제시스템, 이를 포함한 플럭스조성물 및 그 제조방법
JPH05200585A (ja) 半田付用水溶性フラックス
JPH04262893A (ja) フラックス組成物
JPH06246481A (ja) フラックス組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Effective date: 20040615

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20050802

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Effective date: 20060124

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02