JPH081710B2 - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH081710B2 JPH081710B2 JP61033604A JP3360486A JPH081710B2 JP H081710 B2 JPH081710 B2 JP H081710B2 JP 61033604 A JP61033604 A JP 61033604A JP 3360486 A JP3360486 A JP 3360486A JP H081710 B2 JPH081710 B2 JP H081710B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- recording medium
- magneto
- optical recording
- bismuth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Compounds Of Iron (AREA)
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は、光磁気ディスクの記録媒体として、ビスマ
ス置換磁性ガーネットの多結晶膜を作成する過程におい
て、光散乱が小さく媒体ノイズの少ない記録媒体を得る
ために、基板と接する薄層のみを予め形成し、その後に
上記薄層上に残りの層を形成することにより、表面の平
滑性を良くし、かつ結晶粒径を均一にしたものである。
ス置換磁性ガーネットの多結晶膜を作成する過程におい
て、光散乱が小さく媒体ノイズの少ない記録媒体を得る
ために、基板と接する薄層のみを予め形成し、その後に
上記薄層上に残りの層を形成することにより、表面の平
滑性を良くし、かつ結晶粒径を均一にしたものである。
本発明は、光磁気ディスクに用いられる光磁気記録媒
体、特にはビスマス置換磁性ガーネット膜の作成方法に
関する。
体、特にはビスマス置換磁性ガーネット膜の作成方法に
関する。
上記ビスマス置換磁性ガーネット膜は、ファラデー回
転が大きく、そのため光磁気による読み出しには大きな
信号が得られるという大きな利点を持っており、そのた
めに近来注目されている。しかし一方、スパッタ法およ
び熱処理を用いてガラス等の耐熱性基板上に作成された
上記膜は、多結晶であるため、結晶粒の界面や膜の表面
の凹凸により光散乱が生じ易く、媒体ノイズが大きくな
るという欠点がある。さらに、結晶粒径が不均一である
ため、記録ビットも不均一になりやすく、これも媒体ノ
イズの原因となる。
転が大きく、そのため光磁気による読み出しには大きな
信号が得られるという大きな利点を持っており、そのた
めに近来注目されている。しかし一方、スパッタ法およ
び熱処理を用いてガラス等の耐熱性基板上に作成された
上記膜は、多結晶であるため、結晶粒の界面や膜の表面
の凹凸により光散乱が生じ易く、媒体ノイズが大きくな
るという欠点がある。さらに、結晶粒径が不均一である
ため、記録ビットも不均一になりやすく、これも媒体ノ
イズの原因となる。
そこで現在、上記媒体ノイズを除去するために、膜表
面の平滑性および結晶粒径の一様性に優れた多結晶膜が
求められている。
面の平滑性および結晶粒径の一様性に優れた多結晶膜が
求められている。
従来、上述したビスマス置換磁性ガーネットの多結晶
膜は、耐熱性の高いガラス製の基板上に所定膜厚の非晶
質膜をスパッタ法で形成し、その後その非晶質膜に熱処
理を施して結晶化することによって作成していた。
膜は、耐熱性の高いガラス製の基板上に所定膜厚の非晶
質膜をスパッタ法で形成し、その後その非晶質膜に熱処
理を施して結晶化することによって作成していた。
上記従来の方法では、結晶化の過程において、結晶核
の形成の頻度が小さく、膜全体として一様に結晶粒の成
長が起こらない。また、結晶化する場合には、体積変化
を伴う。従って、膜全体が結晶化した場合には、結晶粒
径が不均一になるとともに、上記体積変化に伴い膜の表
面には結晶粒単位の凹凸が生じてしまう。これらは、光
散乱の原因となり、膜が厚いほど顕著である。
の形成の頻度が小さく、膜全体として一様に結晶粒の成
長が起こらない。また、結晶化する場合には、体積変化
を伴う。従って、膜全体が結晶化した場合には、結晶粒
径が不均一になるとともに、上記体積変化に伴い膜の表
面には結晶粒単位の凹凸が生じてしまう。これらは、光
散乱の原因となり、膜が厚いほど顕著である。
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、結晶粒径が一様
で、かつ表面平滑性が良く、従って光散乱の小さい光磁
気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
で、かつ表面平滑性が良く、従って光散乱の小さい光磁
気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するために、上記多結晶膜
を一度に形成するのではなく、まず基板と接する薄層の
みをスパッタ法および熱処理によって予め形成する。そ
の後、上記薄層の多結晶膜上に残りの層をスパッタ法お
よび熱処理によって形成するようにしたものである。
を一度に形成するのではなく、まず基板と接する薄層の
みをスパッタ法および熱処理によって予め形成する。そ
の後、上記薄層の多結晶膜上に残りの層をスパッタ法お
よび熱処理によって形成するようにしたものである。
上記スパッタ法によって形成されたビスマス置換磁性
ガーネットの薄い非晶質膜を熱処理して結晶化させる
と、体積変化に伴う表面の凹凸の非常に小さな多結晶膜
が形成される。その後、この多結晶膜の薄層を下地層と
して、その上に残りの厚さの非晶質膜を形成し、これを
同様にして結晶化していくと、凹凸の非常に小さな上記
薄層との界面から一様に結晶核が形成されていき、その
ため、成長する結晶粒の大きさ（粒径）も一様になる。
従って、このようにして形成された多結晶膜は、表面の
平滑性が良く、かつ全体的に結晶粒径の一様なものにな
る。
ガーネットの薄い非晶質膜を熱処理して結晶化させる
と、体積変化に伴う表面の凹凸の非常に小さな多結晶膜
が形成される。その後、この多結晶膜の薄層を下地層と
して、その上に残りの厚さの非晶質膜を形成し、これを
同様にして結晶化していくと、凹凸の非常に小さな上記
薄層との界面から一様に結晶核が形成されていき、その
ため、成長する結晶粒の大きさ（粒径）も一様になる。
従って、このようにして形成された多結晶膜は、表面の
平滑性が良く、かつ全体的に結晶粒径の一様なものにな
る。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例を段階的
に示す概略断面図である。
に示す概略断面図である。
本実施例では、まず例えば高周波２極マグネトロンス
パッタ装置（不図示）等を用い、ビスマス置換磁性ガー
ネット（例えばBi2YGaFe4O12）をターゲットとして、ス
パッタ法により同図（ａ）に示すように、高耐熱性のガ
ラス製の基板１上に上記ガーネットの薄い非晶質膜2aを
形成する。この非晶質膜2aの厚さは、最終的に例えば膜
厚5000Åの多結晶膜を作成する場合、その膜厚の10％程
度の薄さである約500Åにする。なお、スパッタ条件と
しては、例えば基板温度を450℃，スパッタガス（Ar−O
2（10％））圧を1.5Pa、堆積速度を150Å/minとする。
パッタ装置（不図示）等を用い、ビスマス置換磁性ガー
ネット（例えばBi2YGaFe4O12）をターゲットとして、ス
パッタ法により同図（ａ）に示すように、高耐熱性のガ
ラス製の基板１上に上記ガーネットの薄い非晶質膜2aを
形成する。この非晶質膜2aの厚さは、最終的に例えば膜
厚5000Åの多結晶膜を作成する場合、その膜厚の10％程
度の薄さである約500Åにする。なお、スパッタ条件と
しては、例えば基板温度を450℃，スパッタガス（Ar−O
2（10％））圧を1.5Pa、堆積速度を150Å/minとする。
次に、同図（ｂ）に示すように、上記非晶質膜2aを大
気中において例えば630℃で熱処理して結晶化させ、多
結晶膜2a′を形成する。このとき、多結晶膜2a′の膜厚
は上述したように約500Åと薄いので、上記結晶化の過
程における体積変化に伴って生じる表面の凹凸は、非常
に小さくなる。
気中において例えば630℃で熱処理して結晶化させ、多
結晶膜2a′を形成する。このとき、多結晶膜2a′の膜厚
は上述したように約500Åと薄いので、上記結晶化の過
程における体積変化に伴って生じる表面の凹凸は、非常
に小さくなる。
そこで次に、同図（ｃ）に示すように、上記多結晶膜
2a′を下地層として、その上に上記と同様なスパッタ条
件で、厚さ約4500Åの非晶質膜2bを形成する。
2a′を下地層として、その上に上記と同様なスパッタ条
件で、厚さ約4500Åの非晶質膜2bを形成する。
最後に、上記非晶質膜2bを上記と同様な熱処理条件で
結晶化させ、同図（ｄ）に示すように多結晶膜2b′を形
成することにより、最終的に5000Åの膜厚を持つ上記ガ
ーネットの多結晶膜２が作成される。ここで、非晶質膜
2bの上記結晶化においては、上述したような凹凸の非常
に小さな多結晶膜2a′との界面から一様に結晶核の形成
が起こっていくため、成長する結晶粒のサイズも一様に
なる。従って、最終的に形成された多結晶膜２は、表面
の平滑性に優れているとともに結晶粒径の一様なものが
得られる。
結晶化させ、同図（ｄ）に示すように多結晶膜2b′を形
成することにより、最終的に5000Åの膜厚を持つ上記ガ
ーネットの多結晶膜２が作成される。ここで、非晶質膜
2bの上記結晶化においては、上述したような凹凸の非常
に小さな多結晶膜2a′との界面から一様に結晶核の形成
が起こっていくため、成長する結晶粒のサイズも一様に
なる。従って、最終的に形成された多結晶膜２は、表面
の平滑性に優れているとともに結晶粒径の一様なものが
得られる。
上記多結晶膜２を記録媒体とする光磁気ディスクは、
多結晶膜２上にさらにCrやAl等の反射膜を設け、基板１
を介して多結晶膜２にレーザ光を照射し、その熱で所定
部分の磁化状態を変化させてビットを形成することによ
り、記録が行われる。このとき、多結晶膜２の結晶粒径
は上述したように非常に均一なので、上記ビットの形状
にも乱れがなく、均一なものになる。さらに、多結晶膜
２の表面は上述したように平滑性が良いので、その表面
で生じる上記レーザ光の散乱は非常に小さい。従って、
従来から媒体ノイズの原因とされていた諸問題が除去さ
れたことになり、記録・再生感度（C/N比）が非常に高
くなる。
多結晶膜２上にさらにCrやAl等の反射膜を設け、基板１
を介して多結晶膜２にレーザ光を照射し、その熱で所定
部分の磁化状態を変化させてビットを形成することによ
り、記録が行われる。このとき、多結晶膜２の結晶粒径
は上述したように非常に均一なので、上記ビットの形状
にも乱れがなく、均一なものになる。さらに、多結晶膜
２の表面は上述したように平滑性が良いので、その表面
で生じる上記レーザ光の散乱は非常に小さい。従って、
従来から媒体ノイズの原因とされていた諸問題が除去さ
れたことになり、記録・再生感度（C/N比）が非常に高
くなる。
なお、本発明で使用されるビスマス置換磁性ガーネッ
トは、上述したBi2YGaFe4O12に限らず、一般式BixR3-xA
yFe5-yO12（０＜ｘ＜3,0＜ｙ＜２）を有するものであれ
ば、どのようなものでもよい。なお、上記一般式中のＲ
は希土類金属イオンやイットリウム（Ｙ）イオンを表わ
し、Ａはガリウム（Ga）やアルミニウム（Al）等の非磁
性イオンを表わしている。
トは、上述したBi2YGaFe4O12に限らず、一般式BixR3-xA
yFe5-yO12（０＜ｘ＜3,0＜ｙ＜２）を有するものであれ
ば、どのようなものでもよい。なお、上記一般式中のＲ
は希土類金属イオンやイットリウム（Ｙ）イオンを表わ
し、Ａはガリウム（Ga）やアルミニウム（Al）等の非磁
性イオンを表わしている。
また、基板上に予め形成される薄層の多結晶膜（第１
図中の多結晶膜2a′）の膜厚は、結晶化の時に体積変化
に伴う表面の凹凸が小さくなる範囲内であれば、前述し
た膜厚に限られることはない。
図中の多結晶膜2a′）の膜厚は、結晶化の時に体積変化
に伴う表面の凹凸が小さくなる範囲内であれば、前述し
た膜厚に限られることはない。
さらに、多結晶膜を作るのに、上記実施例では基板上
の薄層およびその残りの層の２層に分けて順に成膜した
が、上記薄層を含むもっと多くの層に分けてそれぞれ順
次成膜してもよい。
の薄層およびその残りの層の２層に分けて順に成膜した
が、上記薄層を含むもっと多くの層に分けてそれぞれ順
次成膜してもよい。
以上説明したように本発明によれば、表面平滑性が良
く、かつ結晶粒径の均一なビスマス置換磁性ガーネット
の多結晶膜が得られる。従って、本発明によって作成さ
れた多結晶膜を記録媒体として用いれば、媒体ノイズが
極めて小さく、記録・再生感度の非常に高い光磁気デイ
スクが得られる。
く、かつ結晶粒径の均一なビスマス置換磁性ガーネット
の多結晶膜が得られる。従って、本発明によって作成さ
れた多結晶膜を記録媒体として用いれば、媒体ノイズが
極めて小さく、記録・再生感度の非常に高い光磁気デイ
スクが得られる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を段階的に示
す概略断面図である。 １……基板、 2a,2b……ビスマス置換磁性ガーネットの非晶質膜、 2,2a′,2b′……ビスマス置換磁性ガーネットの多結晶
膜．
す概略断面図である。 １……基板、 2a,2b……ビスマス置換磁性ガーネットの非晶質膜、 2,2a′,2b′……ビスマス置換磁性ガーネットの多結晶
膜．
Claims (2)
- 【請求項１】耐熱性を有する基板上に、Ｒを希土類金属
又はイットリウム、Ａをガリウム又はアルミニウムとし
て一般式BixR3-xAyFe5-yO12（０＜ｘ＜3,0＜ｙ＜２）を
有するビスマス置換磁性ガーネットの非晶質膜をスパッ
タ法によって形成し、その後前記非晶質膜に熱処理を施
して結晶化させることにより、前記基板上に光磁気記録
媒体を作成する光磁気記録媒体の製造法において、 前記基板上に下地層として前記非晶質膜を前記スパッタ
法および前記熱処理によって予め形成し、その後前記下
地層上に前記非晶質膜を前記スパッタ法および前記熱処
理によって形成することを特徴とする光磁気記録媒体の
製造方法。 - 【請求項２】前記ビスマス置換磁性ガーネットはBi2YGa
Fe4O12であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61033604A JPH081710B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61033604A JPH081710B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62192047A JPS62192047A (ja) | 1987-08-22 |
| JPH081710B2 true JPH081710B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=12391079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61033604A Expired - Lifetime JPH081710B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081710B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69127604T2 (de) * | 1990-11-14 | 1998-04-09 | Japan Broadcasting Corp | Dünne Schicht aus einem polykristallinen Granat für magneto-optisches Aufzeichnungsmedium |
| DE60324300D1 (de) * | 2003-03-05 | 2008-12-04 | Fujitsu Ltd | Magnetisches Aufzeichnungsmedium und Verfahren zu seiner Herstellung |
| AU2003248264A1 (en) * | 2003-07-10 | 2005-01-28 | Fujitsu Limited | Multilayer structure film and method for manufacture thereof |
-
1986
- 1986-02-17 JP JP61033604A patent/JPH081710B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62192047A (ja) | 1987-08-22 |
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