JPH0817860A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、はんだバンプを有する電子部品
において、電子部品と回路配線板の熱膨張係数の差によ
るはんだバンプに加わる熱応力を減少させるために、は
んだバンプを多段に形成した電子部品を提供することを
目的とする。 【構成】 電子部品10は、パッケージ11、電極1
2、樹脂14、はんだバンプ13a及び13bから構成
されている。はんだバンプ13aは、電極12と接合さ
れており、さらに樹脂14により囲まれている。はんだ
バンプ13bは、はんだバンプ13aと接合されてい
る。
において、電子部品と回路配線板の熱膨張係数の差によ
るはんだバンプに加わる熱応力を減少させるために、は
んだバンプを多段に形成した電子部品を提供することを
目的とする。 【構成】 電子部品10は、パッケージ11、電極1
2、樹脂14、はんだバンプ13a及び13bから構成
されている。はんだバンプ13aは、電極12と接合さ
れており、さらに樹脂14により囲まれている。はんだ
バンプ13bは、はんだバンプ13aと接合されてい
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、はんだバンプを有す
る電子部品に関するものである。
る電子部品に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子部品と回路配線板の熱膨張係数の差
によるはんだバンプに加わる熱応力を減少させるため
に、はんだバンプを多段に形成する方法が試みられてい
る。従来のはんだバンプを多段に有する電子部品(以
下、単に電子部品と呼ぶ)として、特開昭62−180
49号公報に開示された電子部品がある。図6に、上記
公報に開示された従来の電子部品を示す。従来の電子部
品は、はんだバンプを多段に形成するために、電極10
8をもつフィルム107を有している。電子部品100
の電極102と回路配線板110の電極112は、はん
だバンプ103a、はんだバンプ103b及び電極10
8を有するフィルム107を介して接続されている。こ
のように、はんだバンプ103aとはんだバンプ103
bとの間に、はんだにより溶融しない電極108を挟む
ことにより、はんだバンプ同士の溶融接続を防いでい
る。
によるはんだバンプに加わる熱応力を減少させるため
に、はんだバンプを多段に形成する方法が試みられてい
る。従来のはんだバンプを多段に有する電子部品(以
下、単に電子部品と呼ぶ)として、特開昭62−180
49号公報に開示された電子部品がある。図6に、上記
公報に開示された従来の電子部品を示す。従来の電子部
品は、はんだバンプを多段に形成するために、電極10
8をもつフィルム107を有している。電子部品100
の電極102と回路配線板110の電極112は、はん
だバンプ103a、はんだバンプ103b及び電極10
8を有するフィルム107を介して接続されている。こ
のように、はんだバンプ103aとはんだバンプ103
bとの間に、はんだにより溶融しない電極108を挟む
ことにより、はんだバンプ同士の溶融接続を防いでい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の電子部品では、はんだバンプ同士の溶融接続を防ぐ
という目的で電極108を有するフィルム107を用い
ている。電極108は、電極102及び112に対応し
た位置に設ける必要があり、つまり、電極102の配置
パターンに応したフィルム107を用意しなければなら
ないことになる。したがって、各種電子部品ごとにフィ
ルム107の設計及び製造が必要になるという問題が生
じる。
来の電子部品では、はんだバンプ同士の溶融接続を防ぐ
という目的で電極108を有するフィルム107を用い
ている。電極108は、電極102及び112に対応し
た位置に設ける必要があり、つまり、電極102の配置
パターンに応したフィルム107を用意しなければなら
ないことになる。したがって、各種電子部品ごとにフィ
ルム107の設計及び製造が必要になるという問題が生
じる。
【0004】
【課題を解決するための手段】この発明は、電子回路及
び前記電子回路の入出力のための配線を有する基板を準
備し、前記配線上に第1のはんだバンプを溶融接合する
工程(a)と、前記第1のはんだバンプの上面を除いた
側面を覆うように、絶縁材を前記第1のはんだバンプに
付着させる工程(b)と、前記第1のはんだバンプの上
面に第2のはんだバンプを溶融接合する工程(c)とを
施すことを特徴とする電子部品の製造方法である。
び前記電子回路の入出力のための配線を有する基板を準
備し、前記配線上に第1のはんだバンプを溶融接合する
工程(a)と、前記第1のはんだバンプの上面を除いた
側面を覆うように、絶縁材を前記第1のはんだバンプに
付着させる工程(b)と、前記第1のはんだバンプの上
面に第2のはんだバンプを溶融接合する工程(c)とを
施すことを特徴とする電子部品の製造方法である。
【0005】
【作用】工程(a)は、電子回路及び前記電子回路の入
出力のための配線を有する基板を準備し、前記配線上に
第1のはんだバンプを溶融接合する工程である。工程
(b)は、前記第1のはんだバンプの上面を除いた側面
を覆うように、絶縁材を前記第1のはんだバンプに付着
させる工程である。工程(c)は、前記第1のはんだバ
ンプの上面に第2のはんだバンプを溶融接合する工程で
あり、前記絶縁材は溶融した前記第1のはんだバンプの
熱によりほとんど変形しないので、第1のはんだバンプ
の形状は、ほとんど変わらない。
出力のための配線を有する基板を準備し、前記配線上に
第1のはんだバンプを溶融接合する工程である。工程
(b)は、前記第1のはんだバンプの上面を除いた側面
を覆うように、絶縁材を前記第1のはんだバンプに付着
させる工程である。工程(c)は、前記第1のはんだバ
ンプの上面に第2のはんだバンプを溶融接合する工程で
あり、前記絶縁材は溶融した前記第1のはんだバンプの
熱によりほとんど変形しないので、第1のはんだバンプ
の形状は、ほとんど変わらない。
【0006】
【実施例】図1は、この発明の第1の実施例を説明する
ための電子部品及び回路配線板の断面図である。この実
施例は、電子部品の電極と、回路配線板の電極とを接続
するためのはんだバンプを有する電子部品の1例であ
る。まず、第1の実施例のはんだバンプを有する電子部
品の構成を説明する。図1中、第1の実施例である電子
部品10の他に、電子部品10と接続される電極22を
有する回路配線板20も図示されている。
ための電子部品及び回路配線板の断面図である。この実
施例は、電子部品の電極と、回路配線板の電極とを接続
するためのはんだバンプを有する電子部品の1例であ
る。まず、第1の実施例のはんだバンプを有する電子部
品の構成を説明する。図1中、第1の実施例である電子
部品10の他に、電子部品10と接続される電極22を
有する回路配線板20も図示されている。
【0007】電子部品10は、パッケージ11、電極1
2、はんだバンプ13a、13b及び樹脂14により構
成されている。パッケージ11には、電子部品10の回
路機能部となるベアチップ(図示せず)が収容されてい
る。電極12は、図示されない前記ベアチップの入出力
部とワイヤボンディングで接続されており、直径約0.
63mmの円形の外観を有する。1段目のはんだバンプ
13aが、電極12に接合されている。はんだバンプ1
3aとして、この実施例では鉛−錫の共晶はんだを用い
ている。しかしながら、はんだバンプ13aの材料はこ
れに限定されず、種々の金属接合剤を用いても構わな
い。はんだバンプ13aは、直径約0.8mmのほぼ球
形である。絶縁材である樹脂14は、はんだバンプ13
aを囲むように形成されている。この実施例では、樹脂
14として、溶融したはんだバンプ13によって溶解せ
ず、形状を保つことができるエポキシ樹脂を用いてい
る。樹脂14にあたる材料としては、ここで用いるエポ
キシ樹脂に限らず、溶融したはんだバンプ13によって
溶解せず、形状を保つことができる絶縁材であればよ
い。例えば、上記条件を満たす絶縁材として、シリコン
や各種高分子材料が挙げられる。
2、はんだバンプ13a、13b及び樹脂14により構
成されている。パッケージ11には、電子部品10の回
路機能部となるベアチップ(図示せず)が収容されてい
る。電極12は、図示されない前記ベアチップの入出力
部とワイヤボンディングで接続されており、直径約0.
63mmの円形の外観を有する。1段目のはんだバンプ
13aが、電極12に接合されている。はんだバンプ1
3aとして、この実施例では鉛−錫の共晶はんだを用い
ている。しかしながら、はんだバンプ13aの材料はこ
れに限定されず、種々の金属接合剤を用いても構わな
い。はんだバンプ13aは、直径約0.8mmのほぼ球
形である。絶縁材である樹脂14は、はんだバンプ13
aを囲むように形成されている。この実施例では、樹脂
14として、溶融したはんだバンプ13によって溶解せ
ず、形状を保つことができるエポキシ樹脂を用いてい
る。樹脂14にあたる材料としては、ここで用いるエポ
キシ樹脂に限らず、溶融したはんだバンプ13によって
溶解せず、形状を保つことができる絶縁材であればよ
い。例えば、上記条件を満たす絶縁材として、シリコン
や各種高分子材料が挙げられる。
【0008】2段目のはんだバンプ13bは、はんだバ
ンプ13aと溶融接合されており、さらに回路配線板2
0の電極22とも接合している。図中に示すはんだバン
プ13aと13bの境界線は、両者が溶融接合している
ので実際には存在しないが、製造方法をわかりやすく説
明するために用いられている。はんだバンプ13bは、
はんだバンプ13aとほぼ同形の外観を有している。ま
た、はんだバンプ13bの材料として、鉛−錫の共晶は
んだを用いている。しかしながら、はんだバンプ13b
の材料は、必ずしもはんだバンプ13aと同じ材料にす
る必要はなく、はんだバンプ13aと接合する種々の金
属接合剤を用いても構わない。
ンプ13aと溶融接合されており、さらに回路配線板2
0の電極22とも接合している。図中に示すはんだバン
プ13aと13bの境界線は、両者が溶融接合している
ので実際には存在しないが、製造方法をわかりやすく説
明するために用いられている。はんだバンプ13bは、
はんだバンプ13aとほぼ同形の外観を有している。ま
た、はんだバンプ13bの材料として、鉛−錫の共晶は
んだを用いている。しかしながら、はんだバンプ13b
の材料は、必ずしもはんだバンプ13aと同じ材料にす
る必要はなく、はんだバンプ13aと接合する種々の金
属接合剤を用いても構わない。
【0009】つぎに、この発明の第1の実施例の電子部
品10の製造方法を、図2を用いて説明する。まず、図
2(a)に示すように、パッケージ11上の電極12の
上面に、融点摂氏183度の鉛−錫の共晶はんだを摂氏
230度で溶融して、はんだバンプ13aを形成する。
はんだバンプ13aは、直径が約0.8mmの球形にな
るように形成される。
品10の製造方法を、図2を用いて説明する。まず、図
2(a)に示すように、パッケージ11上の電極12の
上面に、融点摂氏183度の鉛−錫の共晶はんだを摂氏
230度で溶融して、はんだバンプ13aを形成する。
はんだバンプ13aは、直径が約0.8mmの球形にな
るように形成される。
【0010】つぎに、はんだバンプ13aが完全に浸さ
れるように、パッケージ11の一部を、常温の液状の樹
脂14に浸す。樹脂14は、2種類の材料、すなわち主
剤と硬化剤を混ぜて作った熱硬化性樹脂であり、常温に
おいては一定時間硬化しない。また、樹脂14の温度は
常温であるので、はんだバンプ13aを溶融することは
なく樹脂14を付着させることができる。一定時間後、
パッケージ11を樹脂14から引き上げる。ここで、樹
脂14がはんだバンプ3(a)に厚さ約50ミクロンで
付着するように、樹脂14の粘度や温度等を調整してお
く。パッケージ11の引き上げ後、パッケージ11を摂
氏150度の雰囲気に1時間ほどさらし、樹脂14を硬
化させる(図2(b)参照)。
れるように、パッケージ11の一部を、常温の液状の樹
脂14に浸す。樹脂14は、2種類の材料、すなわち主
剤と硬化剤を混ぜて作った熱硬化性樹脂であり、常温に
おいては一定時間硬化しない。また、樹脂14の温度は
常温であるので、はんだバンプ13aを溶融することは
なく樹脂14を付着させることができる。一定時間後、
パッケージ11を樹脂14から引き上げる。ここで、樹
脂14がはんだバンプ3(a)に厚さ約50ミクロンで
付着するように、樹脂14の粘度や温度等を調整してお
く。パッケージ11の引き上げ後、パッケージ11を摂
氏150度の雰囲気に1時間ほどさらし、樹脂14を硬
化させる(図2(b)参照)。
【0011】つぎに、図2(c)に示すように、機械加
工により、はんだバンプ13aの一部及び樹脂14の一
部を除去することにより、はんだバンプ13aの上面を
除いた側面を樹脂14で覆う。はんだバンプ13a及び
樹脂14の除去による露出面は、ほぼ平面をなしてお
り、はんだバンプ13aの露出面は、直径約0.63m
mの円形をなしている。ここで、電極12の上面面積
は、はんだバンプ13aを電極12の上面面積とほぼ同
じ面積の面が露出するように除去したときに、はんだバ
ンプ13aと13bとが十分な接合強度をもち、しかも
はんだバンプ13aができるだけ高くなるように設定さ
れている。したがって、はんだバンプ13aの露出面積
を電極12の上面面積とほぼ等しくすることにより、は
んだバンプ13aの高さをできるだけ高くしながら、は
んだバンプ13aと13bとの接合強度を大きくするこ
とができる。この製造方法においては、簡素化のため
に、はんだバンプ13aの一部及び樹脂14の一部を同
時に除去したが、樹脂14の一部のみ除去することによ
って、はんだバンプ13aの一部を露出すれば足りる。
工により、はんだバンプ13aの一部及び樹脂14の一
部を除去することにより、はんだバンプ13aの上面を
除いた側面を樹脂14で覆う。はんだバンプ13a及び
樹脂14の除去による露出面は、ほぼ平面をなしてお
り、はんだバンプ13aの露出面は、直径約0.63m
mの円形をなしている。ここで、電極12の上面面積
は、はんだバンプ13aを電極12の上面面積とほぼ同
じ面積の面が露出するように除去したときに、はんだバ
ンプ13aと13bとが十分な接合強度をもち、しかも
はんだバンプ13aができるだけ高くなるように設定さ
れている。したがって、はんだバンプ13aの露出面積
を電極12の上面面積とほぼ等しくすることにより、は
んだバンプ13aの高さをできるだけ高くしながら、は
んだバンプ13aと13bとの接合強度を大きくするこ
とができる。この製造方法においては、簡素化のため
に、はんだバンプ13aの一部及び樹脂14の一部を同
時に除去したが、樹脂14の一部のみ除去することによ
って、はんだバンプ13aの一部を露出すれば足りる。
【0012】つぎに、図2(d)に示すように、はんだ
バンプ13aの露出面に、はんだバンプ13bを摂氏2
30度で溶融接合する。このとき用いるはんだボール
は、はんだバンプ13aのとき用いたはんだボールと同
程度の大きさのものを用いる。はんだバンプ13aとは
んだバンプ13bとを溶融接合するときに、もし、はん
だバンプ13aが樹脂14により囲まれていなければ、
溶融接合されたはんだバンプ13は、表面張力により、
はんだバンプ13aの体積と、はんだバンプ13bの体
積とを合計した体積からなる球体となる。しかしなが
ら、樹脂14がはんだバンプ13aとはんだバンプ13
bとの溶融接合によって生じる変形を抑止する変形抑止
部として働くため、図2(c)に示されるはんだバンプ
13aの形状は保たれる。また、樹脂14の材料とし
て、溶融したはんだバンプ13により溶解せず、形状を
保つ熱硬化剤を用いているので、樹脂14の変形の程度
は問題が生じないほど小さい。また、樹脂14により囲
まれていないはんだバンプ13bは、ほぼ球形をなして
いる。以上の製造方法により、この発明の第1の実施例
の電子部品10が完成する。
バンプ13aの露出面に、はんだバンプ13bを摂氏2
30度で溶融接合する。このとき用いるはんだボール
は、はんだバンプ13aのとき用いたはんだボールと同
程度の大きさのものを用いる。はんだバンプ13aとは
んだバンプ13bとを溶融接合するときに、もし、はん
だバンプ13aが樹脂14により囲まれていなければ、
溶融接合されたはんだバンプ13は、表面張力により、
はんだバンプ13aの体積と、はんだバンプ13bの体
積とを合計した体積からなる球体となる。しかしなが
ら、樹脂14がはんだバンプ13aとはんだバンプ13
bとの溶融接合によって生じる変形を抑止する変形抑止
部として働くため、図2(c)に示されるはんだバンプ
13aの形状は保たれる。また、樹脂14の材料とし
て、溶融したはんだバンプ13により溶解せず、形状を
保つ熱硬化剤を用いているので、樹脂14の変形の程度
は問題が生じないほど小さい。また、樹脂14により囲
まれていないはんだバンプ13bは、ほぼ球形をなして
いる。以上の製造方法により、この発明の第1の実施例
の電子部品10が完成する。
【0013】さらに、回路配線板20への電子部品10
の取付け方法を、図2(e)を用いて説明する。電子部
品10のはんだバンプ13を、回路配線板20の所定の
電極22に、図のように接合する。接合するためのはん
だバンプ13の溶融温度は、摂氏約230度に設定され
ている。以上の方法により、電子部品10の電極12
と、回路配線板20の電極22とが、はんだバンプ13
a及び13bを介して電気的に接続されたことになる。
の取付け方法を、図2(e)を用いて説明する。電子部
品10のはんだバンプ13を、回路配線板20の所定の
電極22に、図のように接合する。接合するためのはん
だバンプ13の溶融温度は、摂氏約230度に設定され
ている。以上の方法により、電子部品10の電極12
と、回路配線板20の電極22とが、はんだバンプ13
a及び13bを介して電気的に接続されたことになる。
【0014】このように、この発明の第1の実施例で
は、はんだバンプ13aを樹脂14により囲むことによ
り、はんだバンプ13bをはんだバンプ13aに溶融す
るときに、表面張力による横方向の膨らみが押さえられ
る。したがって、細長いはんだバンプが製造できるた
め、熱応力に強いはんだバンプをもつ電子部品を提供で
きる。また、はんだバンプが樹脂14により囲まれてい
るので、隣接するはんだバンプへの接触が起こりにく
い。さらに、さまざまな電極の配置パターンをもつ電子
部品に対しても、同じ製造過程ではんだバンプを形成す
ることができる。
は、はんだバンプ13aを樹脂14により囲むことによ
り、はんだバンプ13bをはんだバンプ13aに溶融す
るときに、表面張力による横方向の膨らみが押さえられ
る。したがって、細長いはんだバンプが製造できるた
め、熱応力に強いはんだバンプをもつ電子部品を提供で
きる。また、はんだバンプが樹脂14により囲まれてい
るので、隣接するはんだバンプへの接触が起こりにく
い。さらに、さまざまな電極の配置パターンをもつ電子
部品に対しても、同じ製造過程ではんだバンプを形成す
ることができる。
【0015】つぎに、この発明の第2の実施例を図3を
用いて説明する。第2の実施例は、はんだバンプを3段
に積み重ねたはんだバンプ構造を有する電子部品の1例
である。第2の実施例の電子部品30において、第1の
実施例の電子部品10と異なる点は、はんだバンプ13
bが樹脂34によって囲まれている点と、新しくはんだ
バンプ13cが、はんだバンプ13bに接合されている
点と、はんだバンプ13cが回路配線板の電極に接合さ
れている点である。
用いて説明する。第2の実施例は、はんだバンプを3段
に積み重ねたはんだバンプ構造を有する電子部品の1例
である。第2の実施例の電子部品30において、第1の
実施例の電子部品10と異なる点は、はんだバンプ13
bが樹脂34によって囲まれている点と、新しくはんだ
バンプ13cが、はんだバンプ13bに接合されている
点と、はんだバンプ13cが回路配線板の電極に接合さ
れている点である。
【0016】つぎに、第2の実施例の電子部品の製造方
法を、図2及び図4を用いて説明する。はんだバンプ1
3aとはんだバンプ13bを形成する方法は、第1の実
施例の電子部品10の製造方法と同様である。つまり、
図2(a)、(b)、(c)、(d)で示される製造方
法を経て、第1の実施例の電子部品10と同等の部品を
形成する。以上の製造方法により形成される部品を図4
(a)に示す。さらに、以下の方法により、形成された
部品に処理を加える。
法を、図2及び図4を用いて説明する。はんだバンプ1
3aとはんだバンプ13bを形成する方法は、第1の実
施例の電子部品10の製造方法と同様である。つまり、
図2(a)、(b)、(c)、(d)で示される製造方
法を経て、第1の実施例の電子部品10と同等の部品を
形成する。以上の製造方法により形成される部品を図4
(a)に示す。さらに、以下の方法により、形成された
部品に処理を加える。
【0017】まず、はんだバンプ13bを樹脂34に完
全に浸す。一定時間後、はんだバンプ13bを樹脂34
から引き上げる。ここで、樹脂34の温度並びに引き上
げまでの時間は、第1の実施例における方法と同様であ
る。はんだバンプ13bの引き上げ後、樹脂34を摂氏
150度の雰囲気に1時間ほどさらし、樹脂34を硬化
させる(図4(b)参照)。
全に浸す。一定時間後、はんだバンプ13bを樹脂34
から引き上げる。ここで、樹脂34の温度並びに引き上
げまでの時間は、第1の実施例における方法と同様であ
る。はんだバンプ13bの引き上げ後、樹脂34を摂氏
150度の雰囲気に1時間ほどさらし、樹脂34を硬化
させる(図4(b)参照)。
【0018】つぎに、図4(c)に示すように、機械加
工により、はんだバンプ13bの一部及び樹脂34の一
部を除去する。はんだバンプ13b及び樹脂34の除去
による露出面は、ほぼ平面をなしており、はんだバンプ
13bの露出面は、直径約0.63mmの円形をなして
いる。ここで、電極12の上面面積は、はんだバンプ1
3bを電極12の上面面積とほぼ同じ面積の面が露出す
るように除去したときに、はんだバンプ13bと13c
とが十分な接合強度をもち、しかもはんだバンプ13b
ができるだけ高くなるように設定されている。したがっ
て、、はんだバンプ13bの露出面積を電極12の上面
面積とほぼ等しくすることにより、はんだバンプ13b
の高さをできるだけ高くしながら、はんだバンプ13b
と13cとの接合強度を大きくすることができる。この
製造方法においては、簡素化のためにはんだバンプ13
bの一部及び樹脂34の一部を同時に除去したが、樹脂
34の一部のみ除去することで、はんだバンプ13aの
一部を露出すれば足りる。つぎに、図4(d)に示すよ
うに、はんだバンプ13bの露出面に、はんだバンプ1
3cを摂氏230度で溶融接合する。このとき用いるは
んだボールは、はんだバンプ13aのとき用いたはんだ
ボールと同程度の大きさのものを用いる。はんだバンプ
13bとはんだバンプ13cとを溶融接合するときに、
もし、はんだバンプ13bが樹脂34により囲まれてい
なければ、溶融接合されたはんだバンプ13は、表面張
力により、はんだバンプ13aの体積と、はんだバンプ
13bの体積と、はんだバンプ13cの体積とを合計し
た体積からなる球体となる。しかしながら、樹脂34が
はんだバンプ13bとはんだバンプ13cとの溶融接合
によって生じる変形を抑止する変形抑止部として働くた
め、図4(c)に示されるはんだバンプ13a及び13
bの形状は保たれる。また、樹脂34の材料として、溶
融したはんだバンプ13により溶解せず、形状を保つ高
分子体を用いているので、樹脂34の変形の程度は問題
が生じないほど小さい。また、樹脂34により囲まれて
いないはんだバンプ13cは、ほぼ球形をなしている。
以上の製造方法により、この発明の第2の実施例の電子
部品3が完成する。
工により、はんだバンプ13bの一部及び樹脂34の一
部を除去する。はんだバンプ13b及び樹脂34の除去
による露出面は、ほぼ平面をなしており、はんだバンプ
13bの露出面は、直径約0.63mmの円形をなして
いる。ここで、電極12の上面面積は、はんだバンプ1
3bを電極12の上面面積とほぼ同じ面積の面が露出す
るように除去したときに、はんだバンプ13bと13c
とが十分な接合強度をもち、しかもはんだバンプ13b
ができるだけ高くなるように設定されている。したがっ
て、、はんだバンプ13bの露出面積を電極12の上面
面積とほぼ等しくすることにより、はんだバンプ13b
の高さをできるだけ高くしながら、はんだバンプ13b
と13cとの接合強度を大きくすることができる。この
製造方法においては、簡素化のためにはんだバンプ13
bの一部及び樹脂34の一部を同時に除去したが、樹脂
34の一部のみ除去することで、はんだバンプ13aの
一部を露出すれば足りる。つぎに、図4(d)に示すよ
うに、はんだバンプ13bの露出面に、はんだバンプ1
3cを摂氏230度で溶融接合する。このとき用いるは
んだボールは、はんだバンプ13aのとき用いたはんだ
ボールと同程度の大きさのものを用いる。はんだバンプ
13bとはんだバンプ13cとを溶融接合するときに、
もし、はんだバンプ13bが樹脂34により囲まれてい
なければ、溶融接合されたはんだバンプ13は、表面張
力により、はんだバンプ13aの体積と、はんだバンプ
13bの体積と、はんだバンプ13cの体積とを合計し
た体積からなる球体となる。しかしながら、樹脂34が
はんだバンプ13bとはんだバンプ13cとの溶融接合
によって生じる変形を抑止する変形抑止部として働くた
め、図4(c)に示されるはんだバンプ13a及び13
bの形状は保たれる。また、樹脂34の材料として、溶
融したはんだバンプ13により溶解せず、形状を保つ高
分子体を用いているので、樹脂34の変形の程度は問題
が生じないほど小さい。また、樹脂34により囲まれて
いないはんだバンプ13cは、ほぼ球形をなしている。
以上の製造方法により、この発明の第2の実施例の電子
部品3が完成する。
【0019】このように、この発明の第2の実施例で
は、第1の実施例の効果に加えて、以下の効果を奏す
る。まず、3段のはんだバンプを有する電子部品である
ので、はんだバンプの長さが長くなり、はんだバンプに
加わる熱応力をさらに小さくすることができる。これに
より、はんだバンプの信頼性向上が可能となる。また、
製造方法においては、所定の製造方法を繰り返すことに
より、はんだバンプを任意の高さにすることができる。
したがって、この製造方法は、はんだバンプの段数に関
係なく用いることができ、自由度のある製造方法である
といえる。
は、第1の実施例の効果に加えて、以下の効果を奏す
る。まず、3段のはんだバンプを有する電子部品である
ので、はんだバンプの長さが長くなり、はんだバンプに
加わる熱応力をさらに小さくすることができる。これに
より、はんだバンプの信頼性向上が可能となる。また、
製造方法においては、所定の製造方法を繰り返すことに
より、はんだバンプを任意の高さにすることができる。
したがって、この製造方法は、はんだバンプの段数に関
係なく用いることができ、自由度のある製造方法である
といえる。
【0020】他の実施例として、上記詳細に説明した製
造方法を繰り返し用いることにより製造される4段以上
のはんだバンプを有する電子部品も挙げられる。
造方法を繰り返し用いることにより製造される4段以上
のはんだバンプを有する電子部品も挙げられる。
【0021】以上詳細に述べた第1の実施例及び第2の
実施例では、樹脂をはんだバンプに付着させる方法とし
て、はんだバンプを樹脂に浸す方法を用いた。しかしな
がら、この方法に限らず以下の方法でもよい。例えば、
樹脂を霧状にし、はんだバンプに吹き付ける方法、はん
だバンプに樹脂をはけ塗りする方法、はんだバンプ上に
樹脂を点滴する方法がある。このとき、樹脂をはんだバ
ンプの表面全体に付着させず、はんだバンプの上部が露
出するように付着させれば、第1の実施例及び第2の実
施例の製造方法の1プロセスである、はんだバンプの一
部及び樹脂の一部を除去するプロセスを省くことができ
る。また、樹脂の厚みは、適宜変えてもよく、図5に示
すようにパッケージ11から一定の厚みを持たせてもよ
い。
実施例では、樹脂をはんだバンプに付着させる方法とし
て、はんだバンプを樹脂に浸す方法を用いた。しかしな
がら、この方法に限らず以下の方法でもよい。例えば、
樹脂を霧状にし、はんだバンプに吹き付ける方法、はん
だバンプに樹脂をはけ塗りする方法、はんだバンプ上に
樹脂を点滴する方法がある。このとき、樹脂をはんだバ
ンプの表面全体に付着させず、はんだバンプの上部が露
出するように付着させれば、第1の実施例及び第2の実
施例の製造方法の1プロセスである、はんだバンプの一
部及び樹脂の一部を除去するプロセスを省くことができ
る。また、樹脂の厚みは、適宜変えてもよく、図5に示
すようにパッケージ11から一定の厚みを持たせてもよ
い。
【0022】また、この発明の要部であるはんだバンプ
は、第1及び第2の実施例のように、ベアチップの入出
力部とワイヤボンディングで接続されたパッケージ11
に取付けられた電極に適用できるだけでなく、フリップ
チップやベアチップの電極にも適用できる。
は、第1及び第2の実施例のように、ベアチップの入出
力部とワイヤボンディングで接続されたパッケージ11
に取付けられた電極に適用できるだけでなく、フリップ
チップやベアチップの電極にも適用できる。
【0023】
【発明の効果】このように、第1のはんだバンプの側面
を絶縁材により覆うことにより、第1のはんだバンプ
は、第2のはんだバンプと溶融接合されるときに、表面
張力による横方向の膨らみが起こらない。したがって、
細長いはんだバンプが製造できるため、熱応力に強いは
んだバンプをもつ電子部品を提供できる。また、絶縁材
によりはんだバンプを囲っているので、隣接するはんだ
バンプへの接触が起こりにくい。さらに、さまざまな配
線パターンをもつ電子部品に対しても、同じ製造方法に
よって、はんだバンプを形成することができる。
を絶縁材により覆うことにより、第1のはんだバンプ
は、第2のはんだバンプと溶融接合されるときに、表面
張力による横方向の膨らみが起こらない。したがって、
細長いはんだバンプが製造できるため、熱応力に強いは
んだバンプをもつ電子部品を提供できる。また、絶縁材
によりはんだバンプを囲っているので、隣接するはんだ
バンプへの接触が起こりにくい。さらに、さまざまな配
線パターンをもつ電子部品に対しても、同じ製造方法に
よって、はんだバンプを形成することができる。
【図1】この発明の第1の実施例の電子部品を示す断面
図である。
図である。
【図2】この発明の第1の実施例の電子部品の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図3】この発明の第2の実施例の電子部品を示す断面
図である。
図である。
【図4】この発明の第2の実施例の電子部品の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図5】この発明の他の実施例の電子部品を示す断面図
である。
である。
【図6】従来の電子部品を示す断面図である。
10、30、、40、100 電子部品 11、101 パッケージ 12、22、102、108、112 電極 13a、13b、13c、103a、103b はんだ
バンプ 14、34、44 樹脂 20、110 回路配線板 107 フィルム
バンプ 14、34、44 樹脂 20、110 回路配線板 107 フィルム
Claims (3)
- 【請求項1】 (a)電子回路及び前記電子回路の入出
力のための配線を有する基板を準備し、前記配線上に第
1のはんだバンプを溶融接合する工程と、 (b)前記第1のはんだバンプの上面を除いた側面を覆
うように、絶縁材を前記第1のはんだバンプに付着させ
る工程と、 (c)前記第1のはんだバンプの上面に第2のはんだバ
ンプを溶融接合する工程とを施すことを特徴とする電子
部品の製造方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の電子部品の製造方法にお
いて、 前記工程(b)は、前記第1のはんだバンプの全面に前
記絶縁材を付着し、その後、前記第1のはんだバンプの
上面に付着した前記絶縁材を除去することにより、前記
第1のはんだバンプの上面を除いた側面を覆うように、
前記絶縁材を前記第1のはんだバンプに付着させること
を特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項3】 請求項1記載の電子部品の製造方法にお
いて、 前記絶縁材は、熱硬化樹脂であることを特徴とする電子
部品の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6149663A JPH0817860A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 電子部品の製造方法 |
| US08/458,673 US5641113A (en) | 1994-06-30 | 1995-06-02 | Method for fabricating an electronic device having solder joints |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6149663A JPH0817860A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817860A true JPH0817860A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15480134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6149663A Pending JPH0817860A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5641113A (ja) |
| JP (1) | JPH0817860A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09232373A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-05 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US6054171A (en) * | 1996-09-20 | 2000-04-25 | Nec Corporation | Method for forming protruding electrode |
| US6664637B2 (en) | 1999-05-10 | 2003-12-16 | International Business Machines Corporation | Flip chip C4 extension structure and process |
| US6697261B2 (en) | 1998-07-01 | 2004-02-24 | Fujitsu Limited | Multileveled printed circuit board unit including substrate interposed between stacked bumps |
| JP2011085591A (ja) * | 2010-11-10 | 2011-04-28 | Oki Semiconductor Co Ltd | 実装構造体 |
| US8556157B2 (en) | 2008-11-28 | 2013-10-15 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing electronic apparatus, electronic component-mounting board, and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (133)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4446471C2 (de) * | 1994-12-23 | 1997-05-22 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Montage eines Chips auf einem flexiblen Schaltungsträger |
| SG45122A1 (en) * | 1995-10-28 | 1998-01-16 | Inst Of Microelectronics | Low cost and highly reliable chip-sized package |
| US5889326A (en) * | 1996-02-27 | 1999-03-30 | Nec Corporation | Structure for bonding semiconductor device to substrate |
| JP3146345B2 (ja) * | 1996-03-11 | 2001-03-12 | アムコー テクノロジー コリア インコーポレーティド | バンプチップスケール半導体パッケージのバンプ形成方法 |
| US5956605A (en) | 1996-09-20 | 1999-09-21 | Micron Technology, Inc. | Use of nitrides for flip-chip encapsulation |
| US5902686A (en) * | 1996-11-21 | 1999-05-11 | Mcnc | Methods for forming an intermetallic region between a solder bump and an under bump metallurgy layer and related structures |
| TW480636B (en) * | 1996-12-04 | 2002-03-21 | Seiko Epson Corp | Electronic component and semiconductor device, method for manufacturing and mounting thereof, and circuit board and electronic equipment |
| TW448524B (en) * | 1997-01-17 | 2001-08-01 | Seiko Epson Corp | Electronic component, semiconductor device, manufacturing method therefor, circuit board and electronic equipment |
| JPH11145176A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-28 | Fujitsu Ltd | ハンダバンプの形成方法及び予備ハンダの形成方法 |
| US6063647A (en) * | 1997-12-08 | 2000-05-16 | 3M Innovative Properties Company | Method for making circuit elements for a z-axis interconnect |
| US6406939B1 (en) | 1998-05-02 | 2002-06-18 | Charles W. C. Lin | Flip chip assembly with via interconnection |
| SG75841A1 (en) | 1998-05-02 | 2000-10-24 | Eriston Invest Pte Ltd | Flip chip assembly with via interconnection |
| US6063646A (en) * | 1998-10-06 | 2000-05-16 | Japan Rec Co., Ltd. | Method for production of semiconductor package |
| JP3407275B2 (ja) * | 1998-10-28 | 2003-05-19 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | バンプ及びその形成方法 |
| TW396462B (en) | 1998-12-17 | 2000-07-01 | Eriston Technologies Pte Ltd | Bumpless flip chip assembly with solder via |
| SG82590A1 (en) | 1998-12-17 | 2001-08-21 | Eriston Technologies Pte Ltd | Bumpless flip chip assembly with strips and via-fill |
| TW522536B (en) | 1998-12-17 | 2003-03-01 | Wen-Chiang Lin | Bumpless flip chip assembly with strips-in-via and plating |
| GB2389460A (en) * | 1998-12-22 | 2003-12-10 | Nec Corp | Mounting semiconductor packages on substrates |
| JP3019851B1 (ja) * | 1998-12-22 | 2000-03-13 | 日本電気株式会社 | 半導体装置実装構造 |
| JP3701807B2 (ja) * | 1999-01-20 | 2005-10-05 | ソニーケミカル株式会社 | 基板製造方法、及び基板 |
| US6930390B2 (en) | 1999-01-20 | 2005-08-16 | Sony Chemicals Corp. | Flexible printed wiring boards |
| US6047637A (en) * | 1999-06-17 | 2000-04-11 | Fujitsu Limited | Method of paste printing using stencil and masking layer |
| US6513701B2 (en) | 1999-06-24 | 2003-02-04 | International Business Machines Corporation | Method of making electrically conductive contacts on substrates |
| US6173887B1 (en) | 1999-06-24 | 2001-01-16 | International Business Machines Corporation | Method of making electrically conductive contacts on substrates |
| US6281466B1 (en) * | 1999-06-28 | 2001-08-28 | Newcor, Inc. | Projection welding of an aluminum sheet |
| EP1074844A3 (en) * | 1999-08-03 | 2003-08-06 | Lucent Technologies Inc. | Testing integrated circuits |
| US6428942B1 (en) * | 1999-10-28 | 2002-08-06 | Fujitsu Limited | Multilayer circuit structure build up method |
| US6501663B1 (en) * | 2000-02-28 | 2002-12-31 | Hewlett Packard Company | Three-dimensional interconnect system |
| TW569424B (en) * | 2000-03-17 | 2004-01-01 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Module with embedded electric elements and the manufacturing method thereof |
| US6333104B1 (en) * | 2000-05-30 | 2001-12-25 | International Business Machines Corporation | Conductive polymer interconnection configurations |
| US6569753B1 (en) * | 2000-06-08 | 2003-05-27 | Micron Technology, Inc. | Collar positionable about a periphery of a contact pad and around a conductive structure secured to the contact pads, semiconductor device components including same, and methods for fabricating same |
| US6436734B1 (en) | 2000-08-22 | 2002-08-20 | Charles W. C. Lin | Method of making a support circuit for a semiconductor chip assembly |
| US6562709B1 (en) | 2000-08-22 | 2003-05-13 | Charles W. C. Lin | Semiconductor chip assembly with simultaneously electroplated contact terminal and connection joint |
| US6402970B1 (en) | 2000-08-22 | 2002-06-11 | Charles W. C. Lin | Method of making a support circuit for a semiconductor chip assembly |
| US6350633B1 (en) | 2000-08-22 | 2002-02-26 | Charles W. C. Lin | Semiconductor chip assembly with simultaneously electroplated contact terminal and connection joint |
| US6562657B1 (en) | 2000-08-22 | 2003-05-13 | Charles W. C. Lin | Semiconductor chip assembly with simultaneously electrolessly plated contact terminal and connection joint |
| US6403460B1 (en) | 2000-08-22 | 2002-06-11 | Charles W. C. Lin | Method of making a semiconductor chip assembly |
| US6551861B1 (en) | 2000-08-22 | 2003-04-22 | Charles W. C. Lin | Method of making a semiconductor chip assembly by joining the chip to a support circuit with an adhesive |
| US6660626B1 (en) | 2000-08-22 | 2003-12-09 | Charles W. C. Lin | Semiconductor chip assembly with simultaneously electrolessly plated contact terminal and connection joint |
| US6638831B1 (en) | 2000-08-31 | 2003-10-28 | Micron Technology, Inc. | Use of a reference fiducial on a semiconductor package to monitor and control a singulation method |
| US6511865B1 (en) | 2000-09-20 | 2003-01-28 | Charles W. C. Lin | Method for forming a ball bond connection joint on a conductive trace and conductive pad in a semiconductor chip assembly |
| US6350632B1 (en) | 2000-09-20 | 2002-02-26 | Charles W. C. Lin | Semiconductor chip assembly with ball bond connection joint |
| US6350386B1 (en) | 2000-09-20 | 2002-02-26 | Charles W. C. Lin | Method of making a support circuit with a tapered through-hole for a semiconductor chip assembly |
| US6448108B1 (en) | 2000-10-02 | 2002-09-10 | Charles W. C. Lin | Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace subtractively formed before and after chip attachment |
| US6544813B1 (en) | 2000-10-02 | 2003-04-08 | Charles W. C. Lin | Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace subtractively formed before and after chip attachment |
| US7190080B1 (en) | 2000-10-13 | 2007-03-13 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with embedded metal pillar |
| US6740576B1 (en) | 2000-10-13 | 2004-05-25 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making a contact terminal with a plated metal peripheral sidewall portion for a semiconductor chip assembly |
| US6492252B1 (en) | 2000-10-13 | 2002-12-10 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of connecting a bumped conductive trace to a semiconductor chip |
| US6984576B1 (en) | 2000-10-13 | 2006-01-10 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of connecting an additively and subtractively formed conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip |
| US7094676B1 (en) | 2000-10-13 | 2006-08-22 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with embedded metal pillar |
| US6949408B1 (en) | 2000-10-13 | 2005-09-27 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip using multiple etch steps |
| US6872591B1 (en) | 2000-10-13 | 2005-03-29 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace and a substrate |
| US6876072B1 (en) | 2000-10-13 | 2005-04-05 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with chip in substrate cavity |
| US7262082B1 (en) | 2000-10-13 | 2007-08-28 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making a three-dimensional stacked semiconductor package with a metal pillar and a conductive interconnect in an encapsulant aperture |
| US7132741B1 (en) | 2000-10-13 | 2006-11-07 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with carved bumped terminal |
| US7129575B1 (en) | 2000-10-13 | 2006-10-31 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with bumped metal pillar |
| US6673710B1 (en) | 2000-10-13 | 2004-01-06 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip |
| US7319265B1 (en) | 2000-10-13 | 2008-01-15 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with precision-formed metal pillar |
| US6908788B1 (en) | 2000-10-13 | 2005-06-21 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using a metal base |
| US6699780B1 (en) | 2000-10-13 | 2004-03-02 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using plasma undercut etching |
| US6576493B1 (en) | 2000-10-13 | 2003-06-10 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip using multiple etch steps |
| US6440835B1 (en) | 2000-10-13 | 2002-08-27 | Charles W. C. Lin | Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip |
| US7071089B1 (en) | 2000-10-13 | 2006-07-04 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making a semiconductor chip assembly with a carved bumped terminal |
| US6548393B1 (en) | 2000-10-13 | 2003-04-15 | Charles W. C. Lin | Semiconductor chip assembly with hardened connection joint |
| US7075186B1 (en) | 2000-10-13 | 2006-07-11 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with interlocked contact terminal |
| US6576539B1 (en) | 2000-10-13 | 2003-06-10 | Charles W.C. Lin | Semiconductor chip assembly with interlocked conductive trace |
| US7129113B1 (en) | 2000-10-13 | 2006-10-31 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making a three-dimensional stacked semiconductor package with a metal pillar in an encapsulant aperture |
| US7264991B1 (en) | 2000-10-13 | 2007-09-04 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using conductive adhesive |
| US7009297B1 (en) | 2000-10-13 | 2006-03-07 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with embedded metal particle |
| US7414319B2 (en) * | 2000-10-13 | 2008-08-19 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with metal containment wall and solder terminal |
| US6667229B1 (en) | 2000-10-13 | 2003-12-23 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of connecting a bumped compliant conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip |
| US6537851B1 (en) | 2000-10-13 | 2003-03-25 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of connecting a bumped compliant conductive trace to a semiconductor chip |
| US6444489B1 (en) | 2000-12-15 | 2002-09-03 | Charles W. C. Lin | Semiconductor chip assembly with bumped molded substrate |
| TW490823B (en) * | 2001-01-20 | 2002-06-11 | Advanced Semiconductor Eng | Bump manufacture process of chip scale package |
| US6653170B1 (en) | 2001-02-06 | 2003-11-25 | Charles W. C. Lin | Semiconductor chip assembly with elongated wire ball bonded to chip and electrolessly plated to support circuit |
| US6543674B2 (en) | 2001-02-06 | 2003-04-08 | Fujitsu Limited | Multilayer interconnection and method |
| US20030087477A1 (en) * | 2001-05-02 | 2003-05-08 | Tomohiro Kawashima | Repairable flip clip semiconductor device with excellent packaging reliability and method of manufacturing same |
| US6496355B1 (en) | 2001-10-04 | 2002-12-17 | Avx Corporation | Interdigitated capacitor with ball grid array (BGA) terminations |
| TWI245402B (en) * | 2002-01-07 | 2005-12-11 | Megic Corp | Rod soldering structure and manufacturing process thereof |
| US6897566B2 (en) * | 2002-06-24 | 2005-05-24 | Ultra Tera Corporation | Encapsulated semiconductor package free of chip carrier |
| US20050161814A1 (en) * | 2002-12-27 | 2005-07-28 | Fujitsu Limited | Method for forming bumps, semiconductor device and method for manufacturing same, substrate processing apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus |
| JP2004349495A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-12-09 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、電子デバイス、電子機器および半導体装置の製造方法 |
| US7993983B1 (en) | 2003-11-17 | 2011-08-09 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making a semiconductor chip assembly with chip and encapsulant grinding |
| US7538415B1 (en) | 2003-11-20 | 2009-05-26 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with bumped terminal, filler and insulative base |
| US7425759B1 (en) | 2003-11-20 | 2008-09-16 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with bumped terminal and filler |
| US7345361B2 (en) * | 2003-12-04 | 2008-03-18 | Intel Corporation | Stackable integrated circuit packaging |
| TWI240399B (en) * | 2004-04-06 | 2005-09-21 | Advanced Semiconductor Eng | Chip package structure and process for fabricating the same |
| US7253089B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-08-07 | Micron Technology, Inc. | Microfeature devices and methods for manufacturing microfeature devices |
| US7205177B2 (en) * | 2004-07-01 | 2007-04-17 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Methods of bonding two semiconductor devices |
| US7378297B2 (en) * | 2004-07-01 | 2008-05-27 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Methods of bonding two semiconductor devices |
| US6977213B1 (en) * | 2004-08-27 | 2005-12-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | IC chip solder bump structure and method of manufacturing same |
| US7268421B1 (en) | 2004-11-10 | 2007-09-11 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with welded metal pillar that includes enlarged ball bond |
| US7446419B1 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-04 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with welded metal pillar of stacked metal balls |
| US7750483B1 (en) | 2004-11-10 | 2010-07-06 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with welded metal pillar and enlarged plated contact terminal |
| DE102005030946B4 (de) * | 2005-06-30 | 2007-09-27 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil mit Verdrahtungssubstrat und Lotkugeln als Verbindungselement sowie Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils |
| DE102005051414B3 (de) * | 2005-10-25 | 2007-04-12 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil mit Verdrahtungssubstrat und Lotkugeln sowie Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils |
| DE102005055487B3 (de) * | 2005-11-18 | 2007-05-16 | Infineon Technologies Ag | Elektronische Struktur mit über lötbare Verbindungselemente verbundenen Komponenten sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
| TW200810647A (en) * | 2005-12-20 | 2008-02-16 | Ibiden Co Ltd | Method for manufacturing printed wiring board |
| US7648085B2 (en) | 2006-02-22 | 2010-01-19 | Rain Bird Corporation | Drip emitter |
| US20070202680A1 (en) * | 2006-02-28 | 2007-08-30 | Aminuddin Ismail | Semiconductor packaging method |
| US7811863B1 (en) | 2006-10-26 | 2010-10-12 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making a semiconductor chip assembly with metal pillar and encapsulant grinding and heat sink attachment |
| US7494843B1 (en) | 2006-12-26 | 2009-02-24 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making a semiconductor chip assembly with thermal conductor and encapsulant grinding |
| US20090127718A1 (en) * | 2007-11-15 | 2009-05-21 | Chen Singjang | Flip chip wafer, flip chip die and manufacturing processes thereof |
| US7988076B2 (en) * | 2008-10-20 | 2011-08-02 | D.R.T.S. Enterprises Ltd. | Non-clogging non-pressure compensated drip emitter |
| US8372326B2 (en) | 2008-10-20 | 2013-02-12 | D.R.T.S. Enterprises Ltd. | Pressure compensated non-clogging drip emitter |
| KR20100095268A (ko) * | 2009-02-20 | 2010-08-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
| US8264089B2 (en) * | 2010-03-17 | 2012-09-11 | Maxim Integrated Products, Inc. | Enhanced WLP for superior temp cycling, drop test and high current applications |
| DE102011002538A1 (de) * | 2011-01-11 | 2012-07-12 | Innovent E.V. | Schaltungsträger für elektronische Bauelemente und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US8697457B1 (en) | 2011-06-22 | 2014-04-15 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Devices and methods for stacking individually tested devices to form multi-chip electronic modules |
| US9877440B2 (en) | 2012-03-26 | 2018-01-30 | Rain Bird Corporation | Elastomeric emitter and methods relating to same |
| US20130248622A1 (en) | 2012-03-26 | 2013-09-26 | Jae Yung Kim | Drip line and emitter and methods relating to same |
| US9485923B2 (en) | 2012-03-26 | 2016-11-08 | Rain Bird Corporation | Elastomeric emitter and methods relating to same |
| US10440903B2 (en) | 2012-03-26 | 2019-10-15 | Rain Bird Corporation | Drip line emitter and methods relating to same |
| US9202714B2 (en) * | 2012-04-24 | 2015-12-01 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming semiconductor device packages |
| US9960105B2 (en) * | 2012-09-29 | 2018-05-01 | Intel Corporation | Controlled solder height packages and assembly processes |
| US10285342B2 (en) | 2013-08-12 | 2019-05-14 | Rain Bird Corporation | Elastomeric emitter and methods relating to same |
| USD811179S1 (en) | 2013-08-12 | 2018-02-27 | Rain Bird Corporation | Emitter part |
| US10631473B2 (en) | 2013-08-12 | 2020-04-28 | Rain Bird Corporation | Elastomeric emitter and methods relating to same |
| US9883640B2 (en) | 2013-10-22 | 2018-02-06 | Rain Bird Corporation | Methods and apparatus for transporting elastomeric emitters and/or manufacturing drip lines |
| US10330559B2 (en) | 2014-09-11 | 2019-06-25 | Rain Bird Corporation | Methods and apparatus for checking emitter bonds in an irrigation drip line |
| KR102458034B1 (ko) | 2015-10-16 | 2022-10-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지, 반도체 패키지의 제조방법, 및 반도체 모듈 |
| US10375904B2 (en) | 2016-07-18 | 2019-08-13 | Rain Bird Corporation | Emitter locating system and related methods |
| US11051466B2 (en) | 2017-01-27 | 2021-07-06 | Rain Bird Corporation | Pressure compensation members, emitters, drip line and methods relating to same |
| US10626998B2 (en) | 2017-05-15 | 2020-04-21 | Rain Bird Corporation | Drip emitter with check valve |
| US10276481B2 (en) * | 2017-06-26 | 2019-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Package structure having a plurality of conductive balls having narrow width for the ball waist |
| USD883048S1 (en) | 2017-12-12 | 2020-05-05 | Rain Bird Corporation | Emitter part |
| US20190366460A1 (en) * | 2018-06-01 | 2019-12-05 | Progress Y&Y Corp. | Soldering apparatus and solder nozzle module thereof |
| US11985924B2 (en) | 2018-06-11 | 2024-05-21 | Rain Bird Corporation | Emitter outlet, emitter, drip line and methods relating to same |
| US12388004B2 (en) * | 2019-09-12 | 2025-08-12 | Ormet Circuits, Inc. | Lithographically defined electrical interconnects from conductive pastes |
| KR102877412B1 (ko) * | 2019-12-13 | 2025-10-29 | 커넥텍 아메리카, 인크. | 전자 부품의 제조 방법 |
| US12207599B2 (en) | 2021-10-12 | 2025-01-28 | Rain Bird Corporation | Emitter coupler and irrigation system |
| US20230369266A1 (en) * | 2022-05-10 | 2023-11-16 | Micron Technology, Inc. | Wafer-level chip scale packaging with copper core ball embedded into mold |
| CN118732383A (zh) * | 2023-03-29 | 2024-10-01 | 星科金朋私人有限公司 | 选择性模板掩模和模板印刷方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4376505A (en) * | 1981-01-05 | 1983-03-15 | Western Electric Co., Inc. | Methods for applying solder to an article |
| JPH0644583B2 (ja) * | 1985-07-16 | 1994-06-08 | 日本電信電話株式会社 | 基板間接続端子及びその製造法 |
| JPH01218034A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Fujitsu Ltd | バンプ接合構造 |
| US5001829A (en) * | 1990-01-02 | 1991-03-26 | General Electric Company | Method for connecting a leadless chip carrier to a substrate |
| JP2570468B2 (ja) * | 1990-06-01 | 1997-01-08 | 日本電気株式会社 | Lsiモジュールの製造方法 |
| US5251806A (en) * | 1990-06-19 | 1993-10-12 | International Business Machines Corporation | Method of forming dual height solder interconnections |
-
1994
- 1994-06-30 JP JP6149663A patent/JPH0817860A/ja active Pending
-
1995
- 1995-06-02 US US08/458,673 patent/US5641113A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09232373A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-05 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US6054171A (en) * | 1996-09-20 | 2000-04-25 | Nec Corporation | Method for forming protruding electrode |
| US6697261B2 (en) | 1998-07-01 | 2004-02-24 | Fujitsu Limited | Multileveled printed circuit board unit including substrate interposed between stacked bumps |
| US7489518B2 (en) | 1998-07-01 | 2009-02-10 | Fujitsu Limited | Multileveled printed circuit board unit including substrate interposed between stacked bumps |
| US8089775B2 (en) | 1998-07-01 | 2012-01-03 | Fujitsu Limited | Multileveled printed circuit board unit including substrate interposed between stacked bumps |
| US6664637B2 (en) | 1999-05-10 | 2003-12-16 | International Business Machines Corporation | Flip chip C4 extension structure and process |
| US6756680B2 (en) | 1999-05-10 | 2004-06-29 | International Business Machines Corporation | Flip chip C4 extension structure and process |
| US6955982B2 (en) | 1999-05-10 | 2005-10-18 | International Business Machines Corporation | Flip chip C4 extension structure and process |
| US8556157B2 (en) | 2008-11-28 | 2013-10-15 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing electronic apparatus, electronic component-mounting board, and method of manufacturing the same |
| US8740047B2 (en) | 2008-11-28 | 2014-06-03 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing electronic apparatus, electronic component-mounting board, and method of manufacturing the same |
| JP2011085591A (ja) * | 2010-11-10 | 2011-04-28 | Oki Semiconductor Co Ltd | 実装構造体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5641113A (en) | 1997-06-24 |
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