JPH08181209A - 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および半導体製造装置Info
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- JPH08181209A JPH08181209A JP32294594A JP32294594A JPH08181209A JP H08181209 A JPH08181209 A JP H08181209A JP 32294594 A JP32294594 A JP 32294594A JP 32294594 A JP32294594 A JP 32294594A JP H08181209 A JPH08181209 A JP H08181209A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】リフロー絶縁膜形成技術を採用して半導体基板
上に得られるリフロー絶縁膜の表面の平坦性を向上さ
せ、クラック耐性を向上させ得る半導体装置の製造方法
を提供する。 【構成】半導体装置の製造時の多層配線工程に際して、
半導体基板２０上に下層配線２２を形成する工程と、減
圧ＣＶＤ装置の反応室１１内に下層配線形成後の半導体
基板を配置し、反応室内にＳｉＨ4 ガスを連続的に供給
すると共にＨ2 Ｏ2 を間欠的に供給して互いに反応さ
せ、半導体基板上にリフロー形状を有するリフローＳｉ
Ｏ2 膜２３を形成するリフロー膜形成工程とを具備する
ことを特徴とする。
上に得られるリフロー絶縁膜の表面の平坦性を向上さ
せ、クラック耐性を向上させ得る半導体装置の製造方法
を提供する。 【構成】半導体装置の製造時の多層配線工程に際して、
半導体基板２０上に下層配線２２を形成する工程と、減
圧ＣＶＤ装置の反応室１１内に下層配線形成後の半導体
基板を配置し、反応室内にＳｉＨ4 ガスを連続的に供給
すると共にＨ2 Ｏ2 を間欠的に供給して互いに反応さ
せ、半導体基板上にリフロー形状を有するリフローＳｉ
Ｏ2 膜２３を形成するリフロー膜形成工程とを具備する
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
および半導体製造装置に係り、特に多層配線構造を有す
る半導体装置の層間絶縁膜の形成方法および層間絶縁膜
形成装置に関する。
および半導体製造装置に係り、特に多層配線構造を有す
る半導体装置の層間絶縁膜の形成方法および層間絶縁膜
形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の集積度が増大するのにつれ
て、基板上に配線材料を多層にわたって形成する、いわ
ゆる多層配線化が進んでおり、このような多層配線構造
を有する半導体装置の製造工程が複雑化、長工程化して
きている。
て、基板上に配線材料を多層にわたって形成する、いわ
ゆる多層配線化が進んでおり、このような多層配線構造
を有する半導体装置の製造工程が複雑化、長工程化して
きている。
【０００３】特に、多層配線の形成工程が半導体装置の
製造価格に占める割合は大きく、半導体装置のコストダ
ウンを図る上で多層配線工程の低減化の要求が高まって
きている。
製造価格に占める割合は大きく、半導体装置のコストダ
ウンを図る上で多層配線工程の低減化の要求が高まって
きている。
【０００４】ここで、従来の多層配線の形成工程につい
て説明する。まず、半導体基板上の絶縁膜上に下層配線
用の第１の配線材料を堆積後、下層配線のパターニング
を行う。
て説明する。まず、半導体基板上の絶縁膜上に下層配線
用の第１の配線材料を堆積後、下層配線のパターニング
を行う。
【０００５】次に、上記下層配線上に第１の絶縁膜を形
成すると共に下層配線相互間に絶縁膜を埋め込む。この
時点では、前記下層配線のパターンなどに依存して第１
の絶縁膜の表面に段差が存在し、このままでは、この後
の上層配線用の第２の配線材料の堆積時および上層配線
のパターニング時に悪影響を及ぼし、上層配線の段切れ
による断線、短絡などの重大な欠陥をもたらすおそれが
ある。
成すると共に下層配線相互間に絶縁膜を埋め込む。この
時点では、前記下層配線のパターンなどに依存して第１
の絶縁膜の表面に段差が存在し、このままでは、この後
の上層配線用の第２の配線材料の堆積時および上層配線
のパターニング時に悪影響を及ぼし、上層配線の段切れ
による断線、短絡などの重大な欠陥をもたらすおそれが
ある。
【０００６】そこで、通常は、前記第１の絶縁膜上に第
２の配線材料を堆積する前に、第２の配線材料の下地と
なる第１の絶縁膜の表面をレジストエッチバックにより
平坦化して段差を緩和した後、その上に第２の絶縁膜を
形成している。
２の配線材料を堆積する前に、第２の配線材料の下地と
なる第１の絶縁膜の表面をレジストエッチバックにより
平坦化して段差を緩和した後、その上に第２の絶縁膜を
形成している。
【０００７】上記したような第１の絶縁膜と第２の絶縁
膜とが積層された従来の層間絶縁膜の形成工程は、１回
目の成膜→平坦化→２回目の成膜と工程数が多く、前記
したような多層配線工程の低減化の要求に対する大きな
障害となっている。
膜とが積層された従来の層間絶縁膜の形成工程は、１回
目の成膜→平坦化→２回目の成膜と工程数が多く、前記
したような多層配線工程の低減化の要求に対する大きな
障害となっている。
【０００８】また、上記したような第１の絶縁膜の表面
を平坦化する方法の代わりに、第１の絶縁膜上に絶縁材
料であるスピン・オン・グラス（Spin on Glass ；ＳＯ
Ｇ）膜を形成することにより、上層配線材料の下地の段
差を緩和する方法も知られている。
を平坦化する方法の代わりに、第１の絶縁膜上に絶縁材
料であるスピン・オン・グラス（Spin on Glass ；ＳＯ
Ｇ）膜を形成することにより、上層配線材料の下地の段
差を緩和する方法も知られている。
【０００９】しかし、この方法は、ＳＯＧ膜の形成（焼
成）に際して多数回の熱処理工程が必要であり、上層配
線の信頼性を確保するためにＳＯＧ膜の不要部分をレジ
ストエッチバックにより除去する必要があり、結果的に
工程数が多く、やはり、前記したような多層配線工程の
低減化の要求に対して十分には応えることができない。
成）に際して多数回の熱処理工程が必要であり、上層配
線の信頼性を確保するためにＳＯＧ膜の不要部分をレジ
ストエッチバックにより除去する必要があり、結果的に
工程数が多く、やはり、前記したような多層配線工程の
低減化の要求に対して十分には応えることができない。
【００１０】ところで、最近、前記したような多層配線
工程の低減化の要求に応える技術の１つとして、層間絶
縁膜の形成に際して、図３に示すように、ＳｉＨ4 ガス
と酸化剤であるＨ2 Ｏ2 （過酸化水素水）とを低温（例
えば０℃程度）・真空中で反応させることにより、半導
体基板３０上の絶縁膜３１上の下層配線３２上に自己流
動型（リフロー）のＳｉＯ2 膜（以下、リフローＳｉＯ
2 膜という）３３を形成する方法が注目されている。
工程の低減化の要求に応える技術の１つとして、層間絶
縁膜の形成に際して、図３に示すように、ＳｉＨ4 ガス
と酸化剤であるＨ2 Ｏ2 （過酸化水素水）とを低温（例
えば０℃程度）・真空中で反応させることにより、半導
体基板３０上の絶縁膜３１上の下層配線３２上に自己流
動型（リフロー）のＳｉＯ2 膜（以下、リフローＳｉＯ
2 膜という）３３を形成する方法が注目されている。
【００１１】この方法は、下層配線３２の配線相互間の
絶縁膜の埋め込みと絶縁膜表面の平坦化を同時に達成で
き、１回の成膜で平坦化までの工程を終了するので、多
層配線工程の低減化を実現できる。
絶縁膜の埋め込みと絶縁膜表面の平坦化を同時に達成で
き、１回の成膜で平坦化までの工程を終了するので、多
層配線工程の低減化を実現できる。
【００１２】しかし、上記したようなリフローＳｉＯ2
膜３３の形成方法は、ＳｉＯ2 膜３３の堆積中はＳｉＨ
4 ガスと液体ソースであるＨ2 Ｏ2 を連続的に一定の流
量で供給している。これにより、ＳｉＯ2 膜３３の堆積
中は、ＳｉＨ4 ガスとＨ2 Ｏ2 との反応を用いた場合の
特徴であるリフローが十分に行わないうちにＳｉＯ2膜
３３が順次堆積されてしまうので、表面の平坦性の低い
ＳｉＯ2 膜３３が形成されてしまう。
膜３３の形成方法は、ＳｉＯ2 膜３３の堆積中はＳｉＨ
4 ガスと液体ソースであるＨ2 Ｏ2 を連続的に一定の流
量で供給している。これにより、ＳｉＯ2 膜３３の堆積
中は、ＳｉＨ4 ガスとＨ2 Ｏ2 との反応を用いた場合の
特徴であるリフローが十分に行わないうちにＳｉＯ2膜
３３が順次堆積されてしまうので、表面の平坦性の低い
ＳｉＯ2 膜３３が形成されてしまう。
【００１３】また、上記したようなリフローＳｉＯ2 膜
３３の形成方法は、その反応形態から明らかなように、
ＳｉＯ2 膜３３の成膜中に水分（Ｈ2 Ｏ）が発生し、Ｓ
ｉＯ2 膜３３中に多量の水分が含まれ、この膜中水分は
成膜後の高温熱処理工程においてＳｉＯ2 膜３３の割れ
（クラック）が発生する原因になるので、成膜後にアニ
ールやプリベークなどの処理が必要である。
３３の形成方法は、その反応形態から明らかなように、
ＳｉＯ2 膜３３の成膜中に水分（Ｈ2 Ｏ）が発生し、Ｓ
ｉＯ2 膜３３中に多量の水分が含まれ、この膜中水分は
成膜後の高温熱処理工程においてＳｉＯ2 膜３３の割れ
（クラック）が発生する原因になるので、成膜後にアニ
ールやプリベークなどの処理が必要である。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
多層配線工程中の層間絶縁膜形成工程にリフロー絶縁膜
形成技術を採用した場合に得られるリフローＳｉＯ2 膜
は、その表面の平坦性が低く、膜中水分に起因するクラ
ック発生を抑制するために成膜後にアニールやプリベー
クなどの処理が必要になるという問題があった。
多層配線工程中の層間絶縁膜形成工程にリフロー絶縁膜
形成技術を採用した場合に得られるリフローＳｉＯ2 膜
は、その表面の平坦性が低く、膜中水分に起因するクラ
ック発生を抑制するために成膜後にアニールやプリベー
クなどの処理が必要になるという問題があった。
【００１５】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、半導体装置の多層配線工程中の層間絶縁膜形
成工程にリフロー絶縁膜形成技術を採用した場合に得ら
れるリフローＳｉＯ2 膜の表面の平坦性を向上させ、ク
ラック耐性を向上させ得る半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。
たもので、半導体装置の多層配線工程中の層間絶縁膜形
成工程にリフロー絶縁膜形成技術を採用した場合に得ら
れるリフローＳｉＯ2 膜の表面の平坦性を向上させ、ク
ラック耐性を向上させ得る半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体基板上に下層配線を形成する工程と、
減圧気相成長装置の反応室内に下層配線形成後の半導体
基板を配置し、上記反応室内にＳｉＨ4 ガスを連続的に
供給すると共にＨ2 Ｏ2 を間欠的に供給して互いに反応
させ、前記半導体基板上にリフロー形状を有するリフロ
ーＳｉＯ2 膜を形成するリフロー膜形成工程とを具備す
ることを特徴とする。
造方法は、半導体基板上に下層配線を形成する工程と、
減圧気相成長装置の反応室内に下層配線形成後の半導体
基板を配置し、上記反応室内にＳｉＨ4 ガスを連続的に
供給すると共にＨ2 Ｏ2 を間欠的に供給して互いに反応
させ、前記半導体基板上にリフロー形状を有するリフロ
ーＳｉＯ2 膜を形成するリフロー膜形成工程とを具備す
ることを特徴とする。
【００１７】
【作用】多層配線工程中の層間絶縁膜形成工程にリフロ
ー絶縁膜形成技術を採用し、リフローＳｉＯ2 膜の形成
に際して、減圧気相成長装置の反応室内に下層配線形成
後の半導体基板を配置し、上記反応室内にＳｉＨ4 ガス
を連続的に供給すると共にＨ2 Ｏ2 を間欠的に供給し、
６５０Ｐａ以下の真空中、−１０℃以上＋１０℃以下の
温度範囲で互いに反応させ、半導体基板上にリフロー形
状を有するリフローＳｉＯ2 膜を形成する。
ー絶縁膜形成技術を採用し、リフローＳｉＯ2 膜の形成
に際して、減圧気相成長装置の反応室内に下層配線形成
後の半導体基板を配置し、上記反応室内にＳｉＨ4 ガス
を連続的に供給すると共にＨ2 Ｏ2 を間欠的に供給し、
６５０Ｐａ以下の真空中、−１０℃以上＋１０℃以下の
温度範囲で互いに反応させ、半導体基板上にリフロー形
状を有するリフローＳｉＯ2 膜を形成する。
【００１８】これにより、ＳｉＨ4 ガスとＨ2 Ｏ2 との
反応を用いた絶縁膜の堆積時の特徴であるリフローを十
分に行うと共に膜中水分を放出することが可能になるの
で、表面の平坦性が良く、膜質の良い層間絶縁膜を形成
することが可能になる。
反応を用いた絶縁膜の堆積時の特徴であるリフローを十
分に行うと共に膜中水分を放出することが可能になるの
で、表面の平坦性が良く、膜質の良い層間絶縁膜を形成
することが可能になる。
【００１９】従って、この後の上層配線材料の堆積時お
よび上層配線のパターニング時に悪影響を及ぼすことな
く、上層配線の段切れによる断線、短絡などの重大な欠
陥をもたらすおそれを防止でき、また、成膜後にアニー
ルやプリベークなどの処理が不要になる。
よび上層配線のパターニング時に悪影響を及ぼすことな
く、上層配線の段切れによる断線、短絡などの重大な欠
陥をもたらすおそれを防止でき、また、成膜後にアニー
ルやプリベークなどの処理が不要になる。
【００２０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は、本発明の半導体装置の製造方法で
使用される減圧ＣＶＤ装置の構成の一例を概略的に示し
ている。
に説明する。図１は、本発明の半導体装置の製造方法で
使用される減圧ＣＶＤ装置の構成の一例を概略的に示し
ている。
【００２１】図１に示す減圧ＣＶＤ（気相成長）装置
は、半導体基板を収容する減圧ＣＶＤ用の反応室１１
と、ＳｉＨ4 ガス供給源１２と、Ｈ2 Ｏ2 供給源１３
と、上記ＳｉＨ4 ガス源１２からのＳｉＨ4 ガスを前記
反応室１１内に連続的に供給すると共に上記Ｈ2 Ｏ2 供
給源１３からのＨ2 Ｏ2 を前記反応室１１内に間欠的に
供給する供給制御装置１４と、真空ポンプ１５と、上記
真空ポンプ１５を用いて前記反応室１１内を所定の真空
状態に保つ真空制御装置１６とを具備している。
は、半導体基板を収容する減圧ＣＶＤ用の反応室１１
と、ＳｉＨ4 ガス供給源１２と、Ｈ2 Ｏ2 供給源１３
と、上記ＳｉＨ4 ガス源１２からのＳｉＨ4 ガスを前記
反応室１１内に連続的に供給すると共に上記Ｈ2 Ｏ2 供
給源１３からのＨ2 Ｏ2 を前記反応室１１内に間欠的に
供給する供給制御装置１４と、真空ポンプ１５と、上記
真空ポンプ１５を用いて前記反応室１１内を所定の真空
状態に保つ真空制御装置１６とを具備している。
【００２２】図２は、本発明の半導体装置の製造方法に
係る多層配線工程中の層間絶縁膜形成工程にリフロー絶
縁膜形成技術を採用した場合にリフローＳｉＯ2 膜の堆
積とリフローが交互に繰り返される様子を示している。
係る多層配線工程中の層間絶縁膜形成工程にリフロー絶
縁膜形成技術を採用した場合にリフローＳｉＯ2 膜の堆
積とリフローが交互に繰り返される様子を示している。
【００２３】以下、図１および図２を参照しながら、本
発明の半導体装置の製造方法に係る層間絶縁膜形成工程
にリフロー絶縁膜形成技術を採用した多層配線工程の一
例を説明する。
発明の半導体装置の製造方法に係る層間絶縁膜形成工程
にリフロー絶縁膜形成技術を採用した多層配線工程の一
例を説明する。
【００２４】まず、半導体基板（通常、シリコンウエハ
ー）２０上の絶縁膜２１上に下層配線用の第１の配線材
料（例えばアルミニウム）を例えばスパッタ法により堆
積後、フォトリソグラフィ技術および反応性イオンエッ
チング（ＲＩＥ）技術を用いて第１の配線材料のパター
ニングを行って下層配線２２を形成する。
ー）２０上の絶縁膜２１上に下層配線用の第１の配線材
料（例えばアルミニウム）を例えばスパッタ法により堆
積後、フォトリソグラフィ技術および反応性イオンエッ
チング（ＲＩＥ）技術を用いて第１の配線材料のパター
ニングを行って下層配線２２を形成する。
【００２５】次に、上記下層配線２２の配線間に絶縁膜
を埋め込むと共に下層配線上に絶縁膜を堆積することに
より層間絶縁膜を形成する。上記層間絶縁膜の形成工程
においては、減圧ＣＶＤ装置の反応室１１内の石英ボー
ト（図示せず）上に下層配線形成後の半導体基板２０を
配置し、上記反応室内にＳｉＨ4 ガスを連続的に供給す
ると共にＨ2 Ｏ2 を間欠的に供給し、６５０Ｐａ以下の
真空中、−１０℃以上＋１０℃以下の温度範囲内（例え
ば０℃）で互いに反応させることにより、半導体基板２
０上にリフロー形状を有するリフローＳｉＯ2 膜２３を
得る。
を埋め込むと共に下層配線上に絶縁膜を堆積することに
より層間絶縁膜を形成する。上記層間絶縁膜の形成工程
においては、減圧ＣＶＤ装置の反応室１１内の石英ボー
ト（図示せず）上に下層配線形成後の半導体基板２０を
配置し、上記反応室内にＳｉＨ4 ガスを連続的に供給す
ると共にＨ2 Ｏ2 を間欠的に供給し、６５０Ｐａ以下の
真空中、−１０℃以上＋１０℃以下の温度範囲内（例え
ば０℃）で互いに反応させることにより、半導体基板２
０上にリフロー形状を有するリフローＳｉＯ2 膜２３を
得る。
【００２６】この場合、前記Ｈ2 Ｏ2 の供給／非供給を
リフローＳｉＯ2 膜２３の成膜中に少なくとも３回（本
例では３回）繰り返すことが望ましい。また、前記Ｈ2
Ｏ2 の供給期間をリフローＳｉＯ2 膜２０の成膜期間中
の１０〜９０％とすることが望ましい。
リフローＳｉＯ2 膜２３の成膜中に少なくとも３回（本
例では３回）繰り返すことが望ましい。また、前記Ｈ2
Ｏ2 の供給期間をリフローＳｉＯ2 膜２０の成膜期間中
の１０〜９０％とすることが望ましい。
【００２７】次に、上記リフローＳｉＯ2 膜に直接に、
あるいは、別の層間絶縁膜を堆積した後に、スルーホー
ルあるいはビアホールのための開口を形成し、上層配線
用の第２の配線材料を堆積後、パターニングを行って上
層配線（図示せず）を形成する。
あるいは、別の層間絶縁膜を堆積した後に、スルーホー
ルあるいはビアホールのための開口を形成し、上層配線
用の第２の配線材料を堆積後、パターニングを行って上
層配線（図示せず）を形成する。
【００２８】上記実施例によれば、多層配線工程中の層
間絶縁膜形成工程にリフロー絶縁膜形成技術を採用し、
リフローＳｉＯ2 膜２３の形成に際してＳｉＨ4 ガスを
連続的に供給すると共にＨ2 Ｏ2 を間欠的に供給する。
間絶縁膜形成工程にリフロー絶縁膜形成技術を採用し、
リフローＳｉＯ2 膜２３の形成に際してＳｉＨ4 ガスを
連続的に供給すると共にＨ2 Ｏ2 を間欠的に供給する。
【００２９】この場合、Ｈ2 Ｏ2 が供給されている期間
はＳｉＯ2 膜２３が堆積され、Ｈ2Ｏ2 の供給が停止さ
れている期間は堆積膜（ＳｉＯ2 膜）２３のリフローが
行われるので、リフローＳｉＯ2 膜２３の表面の平坦性
が良くなる。
はＳｉＯ2 膜２３が堆積され、Ｈ2Ｏ2 の供給が停止さ
れている期間は堆積膜（ＳｉＯ2 膜）２３のリフローが
行われるので、リフローＳｉＯ2 膜２３の表面の平坦性
が良くなる。
【００３０】しかも、前記Ｈ2 Ｏ2 の供給／非供給をリ
フローＳｉＯ2 膜２３の成膜中に少なくとも３回繰り返
すので、表面の平坦性が良いリフローＳｉＯ2 膜２３が
得られる。
フローＳｉＯ2 膜２３の成膜中に少なくとも３回繰り返
すので、表面の平坦性が良いリフローＳｉＯ2 膜２３が
得られる。
【００３１】従って、リフローＳｉＯ2 膜２３の形成後
の上層配線材料の堆積時および上層配線のパターニング
時に悪影響を及ぼすことなく、上層配線の段切れによる
断線、短絡などの重大な欠陥をもたらすおそれを防止す
ることが可能になる。
の上層配線材料の堆積時および上層配線のパターニング
時に悪影響を及ぼすことなく、上層配線の段切れによる
断線、短絡などの重大な欠陥をもたらすおそれを防止す
ることが可能になる。
【００３２】また、Ｈ2 Ｏ2 の供給が停止されている期
間は、堆積膜（ＳｉＯ2 膜）２３中の膜中水分が放出さ
れるので、リフローＳｉＯ2 膜形成工程において絶縁膜
の成膜中に水分が発生して絶縁膜中に水分が含まれたと
しても、リフローＳｉＯ2 膜形成工程終了後のリフロー
ＳｉＯ2 膜２３の膜中水分が低減し、膜質の良い層間絶
縁膜が得られる。
間は、堆積膜（ＳｉＯ2 膜）２３中の膜中水分が放出さ
れるので、リフローＳｉＯ2 膜形成工程において絶縁膜
の成膜中に水分が発生して絶縁膜中に水分が含まれたと
しても、リフローＳｉＯ2 膜形成工程終了後のリフロー
ＳｉＯ2 膜２３の膜中水分が低減し、膜質の良い層間絶
縁膜が得られる。
【００３３】従って、リフローＳｉＯ2 膜の成膜後にア
ニールやプリベークなどの処理が不要になり、リフロー
ＳｉＯ2 膜の膜中水分に起因するクラックの発生が少な
くなり、リフローＳｉＯ2 膜のクラック耐性が向上す
る。
ニールやプリベークなどの処理が不要になり、リフロー
ＳｉＯ2 膜の膜中水分に起因するクラックの発生が少な
くなり、リフローＳｉＯ2 膜のクラック耐性が向上す
る。
【００３４】
【発明の効果】上述したように本発明の半導体装置の製
造方法によれば、多層配線工程中の層間絶縁膜形成工程
にリフロー絶縁膜形成技術を採用した場合に得られるリ
フローＳｉＯ2 膜の表面の平坦性を向上させ、クラック
耐性を向上させることができる。従って、リフローＳｉ
Ｏ2 膜表面の平坦性を向上させ、その上に形成される上
層配線を一層微細化することができる。
造方法によれば、多層配線工程中の層間絶縁膜形成工程
にリフロー絶縁膜形成技術を採用した場合に得られるリ
フローＳｉＯ2 膜の表面の平坦性を向上させ、クラック
耐性を向上させることができる。従って、リフローＳｉ
Ｏ2 膜表面の平坦性を向上させ、その上に形成される上
層配線を一層微細化することができる。
【図１】本発明の半導体装置の製造方法で使用される減
圧ＣＶＤ装置の一例を概略的に示す構成説明図。
圧ＣＶＤ装置の一例を概略的に示す構成説明図。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法に係る多層配線
工程中の層間絶縁膜形成工程にリフロー絶縁膜形成技術
を採用した場合にリフローＳｉＯ2 膜の堆積とリフロー
が交互に繰り返される様子を示す断面図。
工程中の層間絶縁膜形成工程にリフロー絶縁膜形成技術
を採用した場合にリフローＳｉＯ2 膜の堆積とリフロー
が交互に繰り返される様子を示す断面図。
【図３】従来の半導体装置の多層配線工程中の層間絶縁
膜形成工程にリフロー絶縁膜形成技術を採用した場合に
リフローＳｉＯ2 膜が連続的に堆積される様子を示す断
面図。
膜形成工程にリフロー絶縁膜形成技術を採用した場合に
リフローＳｉＯ2 膜が連続的に堆積される様子を示す断
面図。
１１…減圧ＣＶＤ用の反応室、１２…ＳｉＨ4 ガス供給
源、１３…Ｈ2 Ｏ2 供給源、１４…供給制御装置、１５
…真空ポンプ、１６…真空制御装置、２０…半導体基
板、２２…下層配線、２３…リフローＳｉＯ2 膜。
源、１３…Ｈ2 Ｏ2 供給源、１４…供給制御装置、１５
…真空ポンプ、１６…真空制御装置、２０…半導体基
板、２２…下層配線、２３…リフローＳｉＯ2 膜。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板上に下層配線を形成する工程
と、減圧気相成長装置の反応室内に下層配線形成後の半
導体基板を配置し、上記反応室内にＳｉＨ4ガスを連続
的に供給すると共にＨ2 Ｏ2 を間欠的に供給して互いに
反応させ、前記半導体基板上にリフロー形状を有するリ
フローＳｉＯ2 膜を形成するリフロー膜形成工程とを具
備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記Ｈ2 Ｏ2 の供給／非供給を前記リフローＳ
ｉＯ2 膜の成膜中に少なくとも３回繰り返すことを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置の製
造方法において、前記Ｈ2 Ｏ2 の供給期間を前記リフロ
ーＳｉＯ2 膜の成膜期間中の１０〜９０％とすることを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 半導体基板を収容する減圧気相成長用の
反応室と、上記反応室内にＳｉＨ4 ガスを連続的に供給
すると共にＨ2 Ｏ2 を間欠的に供給する供給制御装置
と、上記反応室内を所定の真空状態に保つ真空制御装置
とを具備することを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32294594A JPH08181209A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32294594A JPH08181209A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181209A true JPH08181209A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18149396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32294594A Pending JPH08181209A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08181209A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014022456A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
-
1994
- 1994-12-26 JP JP32294594A patent/JPH08181209A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014022456A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
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