JPH08181443A - セラミック多層基板およびその製造方法 - Google Patents

セラミック多層基板およびその製造方法

Info

Publication number
JPH08181443A
JPH08181443A JP6318666A JP31866694A JPH08181443A JP H08181443 A JPH08181443 A JP H08181443A JP 6318666 A JP6318666 A JP 6318666A JP 31866694 A JP31866694 A JP 31866694A JP H08181443 A JPH08181443 A JP H08181443A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermal expansion
ceramic
substrate
glass
coefficient
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6318666A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuyoshi Nishide
充良 西出
Koji Tani
広次 谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP6318666A priority Critical patent/JPH08181443A/ja
Priority to US08/576,440 priority patent/US5827605A/en
Priority to KR1019950053709A priority patent/KR0174635B1/ko
Publication of JPH08181443A publication Critical patent/JPH08181443A/ja
Priority to US08/891,049 priority patent/US5896650A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/003—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts
    • C04B37/005—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts consisting of glass or ceramic material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4614—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards the electrical connections between the circuit boards being made during lamination
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/10—Glass interlayers, e.g. frit or flux
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/345—Refractory metal oxides
    • C04B2237/346—Titania or titanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/62—Forming laminates or joined articles comprising holes, channels or other types of openings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/64—Forming laminates or joined articles comprising grooves or cuts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/68—Forming laminates or joining articles wherein at least one substrate contains at least two different parts of macro-size, e.g. one ceramic substrate layer containing an embedded conductor or electrode
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/72—Forming laminates or joined articles comprising at least two interlayers directly next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0183—Dielectric layers
    • H05K2201/0195—Dielectric or adhesive layers comprising a plurality of layers, e.g. in a multilayer structure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/06—Thermal details
    • H05K2201/068—Thermal details wherein the coefficient of thermal expansion is important
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4688—Composite multilayer circuits, i.e. comprising insulating layers having different properties
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/901—Printed circuit
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49126—Assembling bases
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49165—Manufacturing circuit on or in base by forming conductive walled aperture in base
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/24983—Hardness

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】異なるセラミック基板の張り合わせ時やその後
のヒートショックによるクラックの発生が抑えられ、か
つ、耐湿性、絶縁特性に優れた信頼性の高いセラミック
多層基板およびその製造方法を提供する。 【構成】熱膨張係数の異なる２種類のセラミック基板
１，２が、これらセラミック基板間の熱膨張係数の差を
段階的に合わせるように、これら熱膨張係数の間にあっ
て異なる熱膨張係数を有する少なくとも２種類のガラス
層３ａ，３ｂで張り合わされている。そして、セラミッ
ク基板１とガラス層３ｂ、ガラス層３ｂとガラス層３
ａ、ガラス層３ａとセラミック基板２との熱膨張係数の
差は、それぞれ１×１０-6／℃以下が好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子機器、電子部品を構
成するセラミック多層基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器、電子部品を構成する回
路基板として、セラミック多層基板が多く用いられるよ
うになってきた。このセラミック多層基板には、電子機
器、電子部品の高密度化・高集積化などを実現させるた
めに、低誘電率基板と高誘電率基板などの異なる特性を
有するセラミック基板が張り合わされたものがある。
【０００３】具体的にセラミック多層基板は、例えば、
高誘電率セラミック基板内部に複数のコンデンサなどを
設け、これを配線によって表面に引き出すとともに表面
に厚膜回路を構成した第１のセラミック基板と、低誘電
率セラミック基板内部に複数のコンデンサやコイルなど
を設け、これらを配線によって表面に引き出すとともに
表面に厚膜回路を構成した第２のセラミック基板とを、
樹脂あるいはガラスなどによって張り合わせると同時に
対向する導体を接続し、さらに第１あるいは第２のセラ
ミック基板の表面に他の電子部品を装着した構成を備え
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
異種特性のセラミック基板をガラスまたは樹脂で張り合
わせて一体化したセラミック多層基板は、次のような問
題点を有していた。
【０００５】即ち、一体化するセラミック基板の熱膨張
係数が互いに大きく違う場合、ガラスを溶融させて張り
合わせた後の降温時やヒートショックなどで、張り合わ
せ部やセラミック基板に応力を生じ、クラックが発生し
た。このクラックを防止するためには、張り合わせるセ
ラミック基板の熱膨張係数を各温度範囲で一致させる必
要がある。そのため、セラミック基板に熱膨張をコント
ロールするための添加剤を入れる試みが行なわれている
が、この添加剤によって、逆にセラミック基板の特性が
劣化するという問題点を有していた。
【０００６】また接合部に発生する応力を緩和するた
め、ヤング率の小さい樹脂を使用することにより、クラ
ックの発生は抑えられるが、張り合わせ部の耐湿性が劣
化し、高信頼性の要求されるところでの使用は不可能で
あった。
【０００７】そこで本発明の目的は、異なるセラミック
基板の張り合わせ時やその後のヒートショックによるク
ラックの発生が抑えられ、かつ、耐湿性、絶縁特性に優
れた信頼性の高いセラミック多層基板およびその製造方
法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のセラミック多層基板は、熱膨張係数の異な
る２種類のセラミック基板が、該セラミック基板間の熱
膨張係数の差を段階的に合わせるように、該熱膨張係数
の間にあって異なる熱膨張係数を有する少なくとも２種
類のガラス層で張り合わされていることを特徴とする。
【０００９】また、内部に受動素子が形成され、該受動
素子が配線によって表面に引き出されているとともに、
表面に厚膜回路が形成されている第１のセラミック基板
と、該第１のセラミック基板と熱膨張係数が異なるもの
であって内部に受動素子が形成され、該受動素子が配線
によって表面に引き出されているとともに、表面に厚膜
回路が形成されている第２のセラミック基板とが、該セ
ラミック基板間の熱膨張係数の差を段階的に合わせるよ
うに、該熱膨張係数の間にあって異なる熱膨張係数を有
する少なくとも２種類のガラス層で張り合わされてお
り、かつ、該ガラスの層内に形成されたバイア導体によ
って対向する導体が接続され、さらに、第１または第２
のセラミック基板の表面に電子部品が装着されているこ
とを特徴とする。
【００１０】また、本発明の多層基板の製造方法は、熱
膨張係数の異なる第１のセラミック基板と第２のセラミ
ック基板との間に、該セラミック基板間の熱膨張係数の
差を段階的に合わせるように、該熱膨張係数の間にあっ
て異なる熱膨張係数を有する少なくとも２種類のガラス
層を形成し、その後、熱処理して前記第１のセラミック
基板と第２のセラミック基板とを該ガラス層にて張り合
わせることを特徴とする。
【００１１】そして、隣り合うセラミック基板とガラス
層、またはガラス層同士の熱膨張係数の差は、１×１０
-6／℃以下であることを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明のセラミック多層基板は、熱膨張係数の
異なるセラミック基板を、熱膨張係数の差を段階的に合
わせるようにした複数のガラス層によって張り合わせた
ものである。したがって、このガラス層によって、ガラ
スを溶融させて張り合わせた後の降温時あるいはその後
のヒートショック時に、セラミック基板の熱膨張係数の
違いによって発生する応力が小さくなる。
【００１３】そして、隣り合うセラミック基板とガラス
層、またはガラス層同士の熱膨張係数の差が１×１０-6
／℃以下となるようにガラスを選定することによって、
上記発生応力がさらに小さくなる。
【００１４】また、ガラスで張り合わすため、樹脂で張
り合わせた場合と比べて、耐湿性、絶縁特性に優れたも
のとなる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について、熱膨張係数
１０〜１２×１０-6／℃（２５〜５００℃）のＢａＴｉ
Ｏ3 系の高誘電率基板（ε＝１０００〜４０００）と、
熱膨張係数８〜９×１０-6／℃（２５−５００℃）のＢ
ａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系の低誘電率基板（ε＝１
０〜１００）とを張り合わせたセラミック多層基板を例
として説明する。
【００１６】図１は、セラミック多層基板の断面図であ
る。同図において、１は高誘電率基板、２は低誘電率基
板、３ａおよび３ｂは高誘電率基板１と低誘電率基板２
とを張り合わせるガラスである。そして、高誘電率基板
１には、その内部にコンデンサ４が形成され、そのコン
デンサ４の電極は配線により表面に引き出されている。
また、低誘電率基板２には、コイル５、グランド電極
６、内部配線７が形成され、それら配線は表面に引き出
されている。さらに、高誘電率基板１の表面には厚膜抵
抗体８が形成され、低誘電率基板２の表面には厚膜抵抗
体８が形成され、表面実装部品９が取り付けられてい
る。そして、高誘電率基板１の回路と低誘電率基板２の
回路とは、バイア導体１０によって電気的に接続され、
外部接続用の端面電極１１が形成されている。
【００１７】次に上記セラミック多層基板の製造方法を
説明する。まず、内部にコンデンサ４を有し、表面に厚
膜抵抗体８を有する高誘電率基板１を作製した。即ち、
ＢａＴｉＯ3 系セラミック原料に有機バインダ溶液を加
えてスラリー状とし、ドクターブレード法でセラミック
グリーンシート（以下、グリーンシートと称す）を作製
し、このグリーンシートにバイア配線用の穴をあけた。
その後、このグリーンシートに導体ペーストでコンデン
サ電極パターンとバイア導体を含む配線パターンを形成
し、所定枚数積み重ねて積層体を作製した。その後、こ
の積層体を１３００℃で焼成して、内部にコンデンサ４
を有し、このコンデンサ４がバイア導体（一部図示せ
ず）で表面に引き出された高誘電率基板１を得た。次
に、この高誘電率基板１の表面に、導体ペーストで回路
パターンを形成するとともに、厚膜抵抗体８と端面電極
１１を形成した。
【００１８】また、内部にコイル５、グランド電極６、
内部配線７を有し、表面に厚膜抵抗体８を有する低誘電
率基板２を作製した。即ちＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ
2 系セラミック原料に有機バインダ溶液を加えてスラリ
ー状とし、ドクターブレード法でグリーンシートを作製
し、このグリーンシートにバイア配線用の穴をあけた。
その後、このグリーンシートに導体ペーストでスパイラ
ル状のコイルパターンとグランド電極、バイア配線を含
む配線パターンを形成し、所定枚数積み重ねて積層体を
形成し、この積層体を１２５０℃で焼成して内部にコイ
ル５、グランド電極６、内部配線７を有し、これらがバ
イア導体（一部図示せず）で表面に引き出された低誘電
率基板２を得た。その後、この低誘電率基板２の表面
に、導体ペーストで回路パターンを形成するとともに、
厚膜抵抗体８を形成した。
【００１９】次に、ガラスペーストを作製した。即ち、
組成が０．３３ＺｎＯ−０．５０Ｂ2 Ｏ3 −０．０９Ｓ
ｉＯ2 −０．０４ＬｉＯ−０．０４ＣａＯ（但し、重量
比であり、軟化点５８０℃）からなるガラス（以下、Ｇ
１ガラスと称す）粉末に、アクリル樹脂やエチルセルロ
ース樹脂をテレピネオールなどの有機溶剤に溶解した有
機ビヒクルを添加し、混合・分散させてＧ１ガラスペー
ストを得た。また、組成が０．８５ＰｂＯ−０．１１Ｂ
2 Ｏ3 −０．０２ＳｉＯ2 −０．０２Ａｌ2 Ｏ3 （但
し、重量比であり、軟化点４００℃）からなるガラス
（以下、Ｇ２ガラスと称す）粉末に、アクリル樹脂やエ
チルセルロース樹脂をテレピネオールなどの有機溶剤に
溶解した有機ビヒクルを添加し、混合・分散させてＧ２
ガラスペーストを得た。また、Ａｇ系の導体粉末に、同
様に、アクリル樹脂やエチルセルロース樹脂をテレピネ
オールなどの有機溶剤に溶解した有機ビヒクルを添加
し、混合・分散させてバイア導体用ペーストを得た。
【００２０】次に、高誘電率基板１と低誘電率基板２
を、バイア導体１０で電気的に接続しながら、Ｇ１ガラ
スおよびＧ２ガラスで張り合わせた。即ち、高誘電率基
板１と接合させる低誘電率基板２の面に、Ｇ１ガラスペ
ーストをスクリーン印刷法で塗布し、乾燥させた。な
お、基板表面に露出している導体接合用のバイアランド
の部分には、Ｇ１ガラスペーストを塗布せず、バイア導
体用ペーストを塗布し乾燥させた。その後、これらＧ１
ガラスペースト層と、バイア導体用ペースト層とを、低
誘電率基板２に６１０℃で焼き付けてガラス３ａの層と
バイア導体１０を形成した。さらに、その上に、Ｇ２ガ
ラスペーストをスクリーン印刷法で塗布し、乾燥させ
た。なお、バイア導体１０の上には、Ｇ２ガラスペース
トを塗布せず、バイア導体用ペーストを塗布して乾燥さ
せた。その後、低誘電率基板２のＧ２ガラスペースト層
上に、高誘電率基板１の接合すべき面を重ね、４３０℃
で熱処理してガラス３ｂの層を形成し溶融させて張り合
わせた。
【００２１】その後、はんだあるいは導電ペーストなど
で、その表面に表面実装部品９を取り付けた。
【００２２】以上得られたセラミック多層基板は、セラ
ミック基板１，２間のガラス３ａ，３ｂによって、張り
合わせ後の降温時にクラックが発生することなく、その
後の耐ヒートショック性も良好であった。また、ガラス
３ａ，３ｂで張り合わせたもののため、耐湿性、絶縁特
性に優れていた。
【００２３】なお、上記実施例におけるＢａＴｉＯ3 系
の高誘電率基板としては、ＢａＴｉＯ3 を主成分として
副成分としてＮｂ2 Ｏ5 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，Ｃｏ2 Ｏ3 およ
びＳｉＯ2 を添加したもの、ＢａＴｉＯ3 を主成分とし
て副成分としてＢｉ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 −Ｓ
ｎＯ2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 −ＺｒＯ2 などのビスマス化合物と
希土類元素の酸化物を添加したものなどがある。また、
低誘電率基板としては、上述のＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉＯ2 系以外に、ＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3系、Ｃａ
ＴｉＯ3 −Ｌａ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 −ＭｇＴｉＯ3 系な
どがある。そして、これら種々の異なる基板の張り合わ
せにおいて、本発明の目的とする効果が得られる。
【００２４】また、上記実施例においては、ガラスとし
て０．３３ＺｎＯ−０．５０Ｂ2 Ｏ3 −０．０９ＳｉＯ
2 −０．０４ＬｉＯ−０．０４ＣａＯ（但し、重量比）
からなるものと、０．８５ＰｂＯ−０．１１Ｂ2 Ｏ3 −
０．０２ＳｉＯ2 −０．０２Ａｌ2 Ｏ3 （但し、重量
比）からなるものとの組み合わせを用いているが、本発
明はこれのみに限定されるものではない。即ち、硼珪酸
鉛系、硼珪酸ビスマス系、硼珪酸亜鉛系など種々のガラ
スの内から、絶縁特性に優れ、かつ、熱膨張係数が張り
合わせる２種のセラミック基板の熱膨張係数の間にある
ものを複数選定し、それらガラスを熱膨張係数の差が段
階的になるように層状に配置させることにより、熱膨張
係数差によるクラックの発生を防止できる。
【００２５】また、隣り合うセラミック基板とガラス
層、またはガラス層同士の熱膨張係数の差が０．２〜
１．０×１０-6／℃となるように、ガラスの種類を選定
し層数を決定することによって、発生応力をさらに小さ
くすることができる。
【００２６】また、張り合わせに用いるガラス層の厚み
は、厚いほうが応力緩和の効果が高いが、通常５μｍ以
上あれば十分である。
【００２７】さらに、熱処理してガラスを溶融させて張
り合わせるとき、ガラスペースト層内の有機成分除去を
確実に行なうために、前もって加熱してペースト層の有
機成分を分解除去しておくか、熱処理して溶融させる時
に有機成分除去に十分な時間をとるのが好ましい。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
セラミック多層基板は、熱膨張係数の異なるセラミック
基板を、熱膨張係数の差を段階的に合わせるようにした
複数のガラス層によって張り合わせたものである。した
がって、このガラス層によって、ガラスを溶融させて張
り合わせた後の降温時、あるいはその後のヒートショッ
ク時のクラックの発生を抑えたセラミック多層基板が得
られる。
【００２９】また、隣り合うセラミック基板とガラス
層、またはガラス層同士の熱膨張係数の差が１×１０-6
／℃以下となるようにガラスを選定することによって、
応力の発生がさらに抑えられ、セラミック多層基板の耐
クラック性がより一層向上する。
【００３０】そして、セラミック基板の熱膨張係数の差
による発生応力が緩和されるため、今まで不可能であっ
た大型サイズの基板の接合が可能になり、大集積基板や
多数個取りの親基板が得られる。
【００３１】また、本発明の張り合わせは、樹脂接着剤
で熱膨張差を緩和させるものではなく、耐湿性、絶縁特
性のよいガラスで張り合わせて一体化させるため、信頼
性高いセラミック多層基板が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示すセラミック多層基板で
ある。
【符号の説明】
１ 高誘電率基板 ２ 低誘電率基板 ３ａ，３ｂ ガラス ４ コンデンサ ５ コイル ６ グランド電極 ７ 内部配線 ８ 抵抗体 ９ 表面実装部品 １０ バイア導体 １１ 端面電極

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 熱膨張係数の異なる２種類のセラミック
    基板が、該セラミック基板間の熱膨張係数の差を段階的
    に合わせるように、該熱膨張係数の間にあって異なる熱
    膨張係数を有する少なくとも２種類のガラス層で張り合
    わされていることを特徴とするセラミック多層基板。
  2. 【請求項２】 内部に受動素子が形成され、該受動素子
    が配線によって表面に引き出されているとともに、表面
    に厚膜回路が形成されている第１のセラミック基板と、
    該第１のセラミック基板と熱膨張係数が異なるものであ
    って内部に受動素子が形成され、該受動素子が配線によ
    って表面に引き出されているとともに、表面に厚膜回路
    が形成されている第２のセラミック基板とが、該セラミ
    ック基板間の熱膨張係数の差を段階的に合わせるよう
    に、該熱膨張係数の間にあって異なる熱膨張係数を有す
    る少なくとも２種類のガラス層で張り合わされており、
    かつ、該ガラスの層内に形成されたバイア導体によって
    対向する導体が接続され、さらに、第１または第２のセ
    ラミック基板の表面に電子部品が装着されていることを
    特徴とするセラミック多層基板。
  3. 【請求項３】 隣り合うセラミック基板とガラス層、ま
    たはガラス層同士の熱膨張係数の差は、１×１０-6／℃
    以下であることを特徴とする請求項１または請求項２記
    載のセラミック多層基板。
  4. 【請求項４】 熱膨張係数の異なる第１のセラミック基
    板と第２のセラミック基板との間に、該セラミック基板
    間の熱膨張係数の差を段階的に合わせるように、該熱膨
    張係数の間にあって異なる熱膨張係数を有する少なくと
    も２種類のガラス層を形成し、その後、熱処理して前記
    第１のセラミック基板と第２のセラミック基板とを該ガ
    ラス層にて張り合わせることを特徴とするセラミック多
    層基板の製造方法。
  5. 【請求項５】 隣り合うセラミック基板とガラス層、ま
    たはガラス層同士の熱膨張係数の差は、１×１０-6／℃
    以下であることを特徴とする請求項４記載のセラミック
    多層基板の製造方法。
JP6318666A 1994-12-21 1994-12-21 セラミック多層基板およびその製造方法 Pending JPH08181443A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6318666A JPH08181443A (ja) 1994-12-21 1994-12-21 セラミック多層基板およびその製造方法
US08/576,440 US5827605A (en) 1994-12-21 1995-12-21 Ceramic multilayer substrate and method of producing the same
KR1019950053709A KR0174635B1 (ko) 1994-12-21 1995-12-21 세라믹 다층 기판과 이것의 제조방법
US08/891,049 US5896650A (en) 1994-12-21 1997-07-10 Method of making ceramic multilayer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6318666A JPH08181443A (ja) 1994-12-21 1994-12-21 セラミック多層基板およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08181443A true JPH08181443A (ja) 1996-07-12

Family

ID=18101685

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6318666A Pending JPH08181443A (ja) 1994-12-21 1994-12-21 セラミック多層基板およびその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5827605A (ja)
JP (1) JPH08181443A (ja)
KR (1) KR0174635B1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000151114A (ja) * 1998-11-11 2000-05-30 Sony Corp 多層基板及びその製造方法
JP2013516775A (ja) * 2010-01-05 2013-05-13 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 成形体、加熱装置、及び成形体の製造方法
CN112321163A (zh) * 2020-10-28 2021-02-05 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高强度ltcc基板材料及其制备方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6080468A (en) * 1997-02-28 2000-06-27 Taiyo Yuden Co., Ltd. Laminated composite electronic device and a manufacturing method thereof
JP3601679B2 (ja) * 1999-07-27 2004-12-15 株式会社村田製作所 複合積層体の製造方法
JP2001047423A (ja) * 1999-08-09 2001-02-20 Murata Mfg Co Ltd 複合積層体およびその製造方法
JP3666321B2 (ja) * 1999-10-21 2005-06-29 株式会社村田製作所 多層セラミック基板およびその製造方法
DE19961842B4 (de) * 1999-12-21 2008-01-31 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mehrschichtleiterplatte
JP2001244376A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Hitachi Ltd 半導体装置
TW526693B (en) * 2000-06-15 2003-04-01 Murata Manufacturing Co Multilayer circuit component and method for manufacturing the same
JP3680713B2 (ja) * 2000-07-21 2005-08-10 株式会社村田製作所 絶縁体磁器、セラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品
JP3669255B2 (ja) * 2000-09-19 2005-07-06 株式会社村田製作所 セラミック多層基板の製造方法および未焼成セラミック積層体
US6676784B2 (en) 2001-07-17 2004-01-13 International Business Machines Corporation Process for the manufacture of multilayer ceramic substrates
JP2003332749A (ja) * 2002-01-11 2003-11-21 Denso Corp 受動素子内蔵基板、その製造方法及び受動素子内蔵基板形成用素板
US20060113639A1 (en) * 2002-10-15 2006-06-01 Sehat Sutardja Integrated circuit including silicon wafer with annealed glass paste
US7760039B2 (en) * 2002-10-15 2010-07-20 Marvell World Trade Ltd. Crystal oscillator emulator
US7791424B2 (en) * 2002-10-15 2010-09-07 Marvell World Trade Ltd. Crystal oscillator emulator
US7768360B2 (en) * 2002-10-15 2010-08-03 Marvell World Trade Ltd. Crystal oscillator emulator
US20060267194A1 (en) * 2002-10-15 2006-11-30 Sehat Sutardja Integrated circuit package with air gap
TW573444B (en) * 2003-04-22 2004-01-21 Ind Tech Res Inst Substrate having organic and inorganic functional package
KR100546832B1 (ko) * 2003-08-21 2006-01-26 삼성전자주식회사 임베디드 ｐｃｂ 기판을 사용한 듀플렉서 및 그 제조 방법
JP4572759B2 (ja) * 2005-07-06 2010-11-04 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及び電子機器
TW200746306A (en) * 2005-09-06 2007-12-16 Marvell World Trade Ltd Integrated circuit including silicon wafer with annealed glass paste
JP2009170753A (ja) * 2008-01-18 2009-07-30 Panasonic Corp 多層プリント配線板とこれを用いた実装体
TWI571979B (zh) * 2014-11-25 2017-02-21 彭賢斌 整合式被動模組、半導體裝置及其製作方法
JP6493560B2 (ja) * 2015-11-30 2019-04-03 株式会社村田製作所 多層セラミック基板及び電子部品
WO2017199710A1 (ja) * 2016-05-17 2017-11-23 株式会社村田製作所 多層セラミック基板及び電子装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6014494A (ja) * 1983-07-04 1985-01-25 株式会社日立製作所 セラミツク多層配線基板およびその製造方法
JPS62265796A (ja) * 1986-05-14 1987-11-18 株式会社住友金属セラミックス セラミツク多層配線基板およびその製造法
JP2551224B2 (ja) * 1990-10-17 1996-11-06 日本電気株式会社 多層配線基板および多層配線基板の製造方法
JP2924177B2 (ja) * 1990-11-30 1999-07-26 株式会社村田製作所 傾斜機能型回路用基板
EP0565033B1 (en) * 1992-04-06 1995-09-20 Nec Corporation Method for fabricating a ceramic multi-layer substrate

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000151114A (ja) * 1998-11-11 2000-05-30 Sony Corp 多層基板及びその製造方法
JP2013516775A (ja) * 2010-01-05 2013-05-13 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 成形体、加熱装置、及び成形体の製造方法
CN112321163A (zh) * 2020-10-28 2021-02-05 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高强度ltcc基板材料及其制备方法
CN112321163B (zh) * 2020-10-28 2021-06-15 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高强度ltcc基板材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5827605A (en) 1998-10-27
KR960026071A (ko) 1996-07-20
KR0174635B1 (ko) 1999-04-01
US5896650A (en) 1999-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5896650A (en) Method of making ceramic multilayer
US5840382A (en) Electronic part with laminated substrates having different dielectric constants
KR100307078B1 (ko) 기판을지지하는세라믹회로보드용글라스결합층
JP4793447B2 (ja) 多層セラミック基板およびその製造方法ならびに電子部品
JP2004134806A (ja) 同時焼成セラミックコンデンサ、およびプリント配線基板で使用するためのセラミックコンデンサを形成する方法
KR100713731B1 (ko) 낮은 인덕턴스의 내장 커패시터를 구비한 인쇄 배선 기판및 그 제조 방법
JPH10135073A (ja) 複合セラミック電子部品およびその製造方法
JPH025019B2 (ja)
JPS5917232A (ja) 複合積層セラミツク部品およびその製造方法
JPH08172274A (ja) セラミック多層基板
JP2002043757A (ja) 多層基板及びその製造方法
JPH08181442A (ja) セラミック多層基板
JPH0346978B2 (ja)
JP3554957B2 (ja) 積層セラミック電子部品及びその製造方法
JPH0754778B2 (ja) コンデンサ内蔵型セラミツク基板
JP2885477B2 (ja) 多層配線基板及びその製造方法
JPS5917227A (ja) 複合積層セラミツク部品の製造方法
JP2001244367A (ja) 電気素子内蔵配線基板
JP2001308667A (ja) Ｌｃフィルタ
JPH0544838B2 (ja)
JPS6092697A (ja) 複合積層セラミツク部品
JPH05243745A (ja) 多層セラミック基板
JP3193592B2 (ja) セラミック多層基板及びその製造方法
JPH033299A (ja) コンデンサ内蔵セラミックス回路基板
JP2001284489A (ja) 積層回路基板