JPS6014494A - セラミツク多層配線基板およびその製造方法 - Google Patents
セラミツク多層配線基板およびその製造方法Info
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- JPS6014494A JPS6014494A JP58120359A JP12035983A JPS6014494A JP S6014494 A JPS6014494 A JP S6014494A JP 58120359 A JP58120359 A JP 58120359A JP 12035983 A JP12035983 A JP 12035983A JP S6014494 A JPS6014494 A JP S6014494A
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はセラミック多層配線基板およびその製造方法に
関する。特に半導体部品を搭載したり、信号入出力のた
めのピンを取り付けて機能モジュールを構成するのに好
適なセラミック多層配線基板およびその製造方法に関す
る。
関する。特に半導体部品を搭載したり、信号入出力のた
めのピンを取り付けて機能モジュールを構成するのに好
適なセラミック多層配線基板およびその製造方法に関す
る。
近年、半導体部品を高密度に搭載するための基板として
、多層の配線を施こしたセラミック基板が使われつつあ
る。これらに使われているセラミック絶縁体は多くの場
合アルミ・す（Ａｔ２０．）を主成分とする焼結体であ
り、その−例が［）１Ｍｕ、ｌｔ ｉ −Ｊ、ａｙｅｒ
Ｃｅｒａｍｉｃ 、 Ａｆｌｂｌｔｉ −ｃｈｉｐ
Ｍｏｄａｌｅ ｊ（Ｊ ＥＥＥ 、 ３ ｏｔｈ 、
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ｃｏｎｊ
ｅｒｅｎｃｔ（１９８０）Ｐ ２８３〜２８５）に示さ
れている。アルミナを主成分とする焼結体を絶縁体に使
った基板の最大の欠点は、信号伝播速度が遅いことにあ
る。これは、信号伝播速度は信号線をとりまく絶縁体の
比誘電率の平方根に反比例するが、アルミナの比誘電率
は約１０と大きいので、アルミナを主成分とする焼結体
の比誘電率も大きく。
、多層の配線を施こしたセラミック基板が使われつつあ
る。これらに使われているセラミック絶縁体は多くの場
合アルミ・す（Ａｔ２０．）を主成分とする焼結体であ
り、その−例が［）１Ｍｕ、ｌｔ ｉ −Ｊ、ａｙｅｒ
Ｃｅｒａｍｉｃ 、 Ａｆｌｂｌｔｉ −ｃｈｉｐ
Ｍｏｄａｌｅ ｊ（Ｊ ＥＥＥ 、 ３ ｏｔｈ 、
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ｃｏｎｊ
ｅｒｅｎｃｔ（１９８０）Ｐ ２８３〜２８５）に示さ
れている。アルミナを主成分とする焼結体を絶縁体に使
った基板の最大の欠点は、信号伝播速度が遅いことにあ
る。これは、信号伝播速度は信号線をとりまく絶縁体の
比誘電率の平方根に反比例するが、アルミナの比誘電率
は約１０と大きいので、アルミナを主成分とする焼結体
の比誘電率も大きく。
通常９０〜１０．０の間の値となってしまうからである
。
。
この信号伝播速度が遅いという欠点を取り除くため、比
誘電率の小さい絶縁体を使った基板が研究開発されてい
る。その−例が特開昭５７−１１５８９５号公報「ムラ
イト焼結体およびその製造法」に開示されている。この
特許によれば。
誘電率の小さい絶縁体を使った基板が研究開発されてい
る。その−例が特開昭５７−１１５８９５号公報「ムラ
イト焼結体およびその製造法」に開示されている。この
特許によれば。
ムライ） （３Ａｉ、０３・２ｓｉＱ２）を主成分とす
る焼結・体を絶縁体に使えば、比誘電率が５．４〜５９
のセラミック基板が得られることがわかる。
る焼結・体を絶縁体に使えば、比誘電率が５．４〜５９
のセラミック基板が得られることがわかる。
このような利点があるにもかかわらず、セラミック多層
配線基板の分野で、あいかわらずアルミナ基板が主体と
なっている理由は、アルミナ基板はどの熱的２機械的な
強度がムライト基板等では得られず、基板へのビン等の
ろう何工程等で発生′１″る熱によるストレスで基板へ
のクラック、表面メタライズのはがれ等が発生し。
配線基板の分野で、あいかわらずアルミナ基板が主体と
なっている理由は、アルミナ基板はどの熱的２機械的な
強度がムライト基板等では得られず、基板へのビン等の
ろう何工程等で発生′１″る熱によるストレスで基板へ
のクラック、表面メタライズのはがれ等が発生し。
信頼度の高い製品が歩留り良くは得られないなめである
。
。
本発明の目的は、信号伝播速度が速くかつ高い表面強度
を有づ−るセラミック多層配線基板を提供することにあ
る。
を有づ−るセラミック多層配線基板を提供することにあ
る。
本発明の他の目的は、そのような基板を製造するに好適
な方法を提供することにある。
な方法を提供することにある。
本発明は、複数層の導体層およびこの導体層間に位置す
る絶縁層とからなるセラミック多層配線基板であって、
この絶縁層が、ムライトを主成分とする焼結体の層とア
ルミナを主成分とする焼結体の層との混成からなること
を特徴としている。
る絶縁層とからなるセラミック多層配線基板であって、
この絶縁層が、ムライトを主成分とする焼結体の層とア
ルミナを主成分とする焼結体の層との混成からなること
を特徴としている。
また本発明のムライトを主成分とする焼結体とアルミナ
を主成分とする焼結体との混成からなる異なった主材料
の絶縁層を持つセラミック基板の製造方法としてはグリ
ーンシート化してこれを加工するのが最適であり、従っ
て本発明の製造方法は、ムライトおよびアルミナを夫々
主成分とする第１および第２のグリーンシートを作成し
、この第１および第２のグリーンシートを積層し、焼結
することを特徴とする。
を主成分とする焼結体との混成からなる異なった主材料
の絶縁層を持つセラミック基板の製造方法としてはグリ
ーンシート化してこれを加工するのが最適であり、従っ
て本発明の製造方法は、ムライトおよびアルミナを夫々
主成分とする第１および第２のグリーンシートを作成し
、この第１および第２のグリーンシートを積層し、焼結
することを特徴とする。
まず具体的実施例を説明する前に１本発明およびその実
施例について総括的に説明する。
施例について総括的に説明する。
本発明は上述したごとく、複数層の導体層およびこの導
体層間に位置する絶縁層とからなるセラミック多層配線
基板であって、この絶縁層が、ムライトを主成分（ムラ
イトがほぼ半分以上）とする焼結体のＲ４とアルミナを
主成分（アルミナがほぼ半分以上）とする焼結体の層と
の混成からなることを特徴とする特許 の伝送を行なう内層の絶縁層としては比誘電率の小さい
ムライトを主成分とする焼結体を．またビン付は等の熱
ストレスを受ける表面層の絶縁層としては熱的・機械的
強度の優れたアルミナを主成分とする焼結体を用いるこ
とにより。
体層間に位置する絶縁層とからなるセラミック多層配線
基板であって、この絶縁層が、ムライトを主成分（ムラ
イトがほぼ半分以上）とする焼結体のＲ４とアルミナを
主成分（アルミナがほぼ半分以上）とする焼結体の層と
の混成からなることを特徴とする特許 の伝送を行なう内層の絶縁層としては比誘電率の小さい
ムライトを主成分とする焼結体を．またビン付は等の熱
ストレスを受ける表面層の絶縁層としては熱的・機械的
強度の優れたアルミナを主成分とする焼結体を用いるこ
とにより。
より優れたセラミック基板が得られる。また。
アルミナを主成分とする焼結体およびムライトを主成分
とする焼結体それぞれをわずかにその特性を改善すれば
所望の基板が得られる場合圧＆ｌ７ルミナを主成分とす
る焼結体にはアルミナを主成分としながらわずかのムラ
イトを混合することができ，ムライトを主成分とする焼
結体にはムライートを主成分としながらわずかのアルミ
ナを混合することができる。
とする焼結体それぞれをわずかにその特性を改善すれば
所望の基板が得られる場合圧＆ｌ７ルミナを主成分とす
る焼結体にはアルミナを主成分としながらわずかのムラ
イトを混合することができ，ムライトを主成分とする焼
結体にはムライートを主成分としながらわずかのアルミ
ナを混合することができる。
ムライトを主成分とする焼結体とアルミナを主成分とす
る焼結体との熱膨張係数には比較的開きがあるため．両
者の界面においてクラ，りを生じることがある。このよ
うな場合には．両層との間にアルミナとムライトの熱膨
張率の差を緩衝するためのアルミナとムライトの混合物
を主成分とする焼結体の層を介挿するこどによりほほ完
全に解決される。特に混合焼結体の主成分のほぼ２／３
が接する層の主成分と同じであればより効果が高い。こ
のためにはアルミナとムライトの混合物を主成分とする
焼結体の層は互いに隣接する少なくとも２層から構成し
、ムライトを主成分とする焼結体の層に隣接する層はム
ライトの量をアルミナの創．より多くシ，アルεすを主
成分とする焼結体の層に隣接する層はアルミナの量をム
ライトの量より多くずろことができる。
る焼結体との熱膨張係数には比較的開きがあるため．両
者の界面においてクラ，りを生じることがある。このよ
うな場合には．両層との間にアルミナとムライトの熱膨
張率の差を緩衝するためのアルミナとムライトの混合物
を主成分とする焼結体の層を介挿するこどによりほほ完
全に解決される。特に混合焼結体の主成分のほぼ２／３
が接する層の主成分と同じであればより効果が高い。こ
のためにはアルミナとムライトの混合物を主成分とする
焼結体の層は互いに隣接する少なくとも２層から構成し
、ムライトを主成分とする焼結体の層に隣接する層はム
ライトの量をアルミナの創．より多くシ，アルεすを主
成分とする焼結体の層に隣接する層はアルミナの量をム
ライトの量より多くずろことができる。
本発明の製造方法によれば，各々グリーンシートとして
積層し，焼結を行なうものであるが。
積層し，焼結を行なうものであるが。
特に各々ほほ同一組成のガラス成分を焼結助剤として含
むグリーンシートを用いることにより・。
むグリーンシートを用いることにより・。
液相焼結温度が均一で歪の残らない製造方法とすること
ができる。通常、セラミック多層配線基板に用いるムラ
イトまたはアルミナ焼結体には、焼結助剤として２〜３
０％（重量）のガラスが含まれる。このため、ムライト
または、アルミナの粉末間に介在するこのガラス粉末が
ガラスの軟化点以上の温度に達すると、全体にわたって
ほぼ同時に軟化し、流動してムライトまたはアルミナ粉
をとり囲むために、気孔のない均質な焼結体となるとと
もに、いわゆる液相焼結が行なわれろため、１４００〜
１６ｏｏｂと比較的低温で短時間に焼結せしめることが
できろ。これかられかるように、焼結の進行を決めてい
る主要因はムライトまたはアルミナ等の主材料ではなく
、焼結助剤としてのガラスであり、その軟化点である。
ができる。通常、セラミック多層配線基板に用いるムラ
イトまたはアルミナ焼結体には、焼結助剤として２〜３
０％（重量）のガラスが含まれる。このため、ムライト
または、アルミナの粉末間に介在するこのガラス粉末が
ガラスの軟化点以上の温度に達すると、全体にわたって
ほぼ同時に軟化し、流動してムライトまたはアルミナ粉
をとり囲むために、気孔のない均質な焼結体となるとと
もに、いわゆる液相焼結が行なわれろため、１４００〜
１６ｏｏｂと比較的低温で短時間に焼結せしめることが
できろ。これかられかるように、焼結の進行を決めてい
る主要因はムライトまたはアルミナ等の主材料ではなく
、焼結助剤としてのガラスであり、その軟化点である。
逆に言えば１部分によりムライト及びアルミナ等の主材
料が混在していても同一組成のガラス成分を焼結助剤と
して用いるならば、同一の液相焼結が行なわれるため均
一な焼結が行なわれる〇 ムライト、アルミナと異なった主材料の絶縁層を組み合
わせる製造方法としては、絶縁材料を一度グリーンシー
ト化し、これに加工し、一体に積層し、焼結する方法が
最適である。このグリーンシート化に当っては、ムライ
トヤアルミナの主材料と上述のカラス成分の焼結助剤の
他、結合剤、可塑剤、および溶剤などが使われる。
料が混在していても同一組成のガラス成分を焼結助剤と
して用いるならば、同一の液相焼結が行なわれるため均
一な焼結が行なわれる〇 ムライト、アルミナと異なった主材料の絶縁層を組み合
わせる製造方法としては、絶縁材料を一度グリーンシー
ト化し、これに加工し、一体に積層し、焼結する方法が
最適である。このグリーンシート化に当っては、ムライ
トヤアルミナの主材料と上述のカラス成分の焼結助剤の
他、結合剤、可塑剤、および溶剤などが使われる。
例工ば結合剤としてはポリビニルアルコール、ポリビニ
ルブチラール、ポリメタクリル酸などの合゛成樹脂、可
塑剤としてはゾタル酸ジオクチル。
ルブチラール、ポリメタクリル酸などの合゛成樹脂、可
塑剤としてはゾタル酸ジオクチル。
溶剤としてはメタノール、トリクレン、トルエンなどで
ある。これらを秤量し、混合してスラリーとする。次に
このスラリーをポリエステルフィルムなどの支持体上に
塗布し、かつ、ドクターブレードなどにより任意の厚さ
に調整した後、乾燥してグリーンシートと成す。このグ
リーンシートには導体回路を接続するためのスルーホー
ルとしての貫通孔が設けられ、さらに導体回路としての
モリブデンあるいはタングステンペーストがこの貫通孔
内ならびに回路パターンにしたがって印刷される。この
ように加工されたムライト及びアルミナを主成分とする
複数枚のグリーンシートを必要な構成に一体に積層し、
中性ないし還元性雰囲気中で焼成する。還元性雰囲気を
必要とする理由は、導体回路に用いられろモリブデンま
たはタングステンが酸化され揮散するのを防ぐためであ
る。しかしグリーンシート中に含まれる結合剤あるいは
可塑剤を酸化１分散させるため焼成の一時期、この２γ
囲気中に酸化源として水分を含ませることが望ましい。
ある。これらを秤量し、混合してスラリーとする。次に
このスラリーをポリエステルフィルムなどの支持体上に
塗布し、かつ、ドクターブレードなどにより任意の厚さ
に調整した後、乾燥してグリーンシートと成す。このグ
リーンシートには導体回路を接続するためのスルーホー
ルとしての貫通孔が設けられ、さらに導体回路としての
モリブデンあるいはタングステンペーストがこの貫通孔
内ならびに回路パターンにしたがって印刷される。この
ように加工されたムライト及びアルミナを主成分とする
複数枚のグリーンシートを必要な構成に一体に積層し、
中性ないし還元性雰囲気中で焼成する。還元性雰囲気を
必要とする理由は、導体回路に用いられろモリブデンま
たはタングステンが酸化され揮散するのを防ぐためであ
る。しかしグリーンシート中に含まれる結合剤あるいは
可塑剤を酸化１分散させるため焼成の一時期、この２γ
囲気中に酸化源として水分を含ませることが望ましい。
還元雰囲気中で焼成する場合、酸化鉛や酸化チタンなど
の還元されやすい酸化物を含むガラス粉を用いると、焼
結体すなわち基板の絶縁性が低下するおそれがある。従
ってガラス粉としてはそのような化合物を実質的に含ま
ないものがよい。このようにして焼成されたセラミック
多局配線基板は、ニッケル等のメッキが施こされた後、
銀ロウ等のろう材でコバール等のピンがろう接される。
の還元されやすい酸化物を含むガラス粉を用いると、焼
結体すなわち基板の絶縁性が低下するおそれがある。従
ってガラス粉としてはそのような化合物を実質的に含ま
ないものがよい。このようにして焼成されたセラミック
多局配線基板は、ニッケル等のメッキが施こされた後、
銀ロウ等のろう材でコバール等のピンがろう接される。
そして半導体部品が搭載されて一つの機能モジュールと
なる。
なる。
次に本発明の実施例について詳細に説明する。
なお、以下の各例中に部とあるのは重量部を。
係とあるのは重量部を意味する。
実施例１
６２５メッシＨ通過のムライト粉（ろｊｊＬ２０．・２
ＳｉＱ２）９０部、 ５ｉｎ２＋ Ａｔ２０３ＩＭｙＯ
＝ ５１゜３１３４．９１１３．８ （重量比）の組成
をもつガラス粉拐料１０部をボールミルに入れ６時間乾
式混合する。さらにポリビニルブチラール５．９部、フ
タル酸ジオクチル２４部。
ＳｉＱ２）９０部、 ５ｉｎ２＋ Ａｔ２０３ＩＭｙＯ
＝ ５１゜３１３４．９１１３．８ （重量比）の組成
をもつガラス粉拐料１０部をボールミルに入れ６時間乾
式混合する。さらにポリビニルブチラール５．９部、フ
タル酸ジオクチル２４部。
トリクロールエチレン２３部、バークロルエチレン９部
およびブチルアルコール６部を加え、３時間混合してス
ラリーを作る。真空脱気処理によりスラリーから気泡を
除去する。次いでスラリーをドクターブレードを用いて
ポリエチルフィルム支持体上に０．５ｍｍ厚さに塗布し
、炉を通して乾燥し、ムライトを主成分とするムライト
グリーンシートを作成する。
およびブチルアルコール６部を加え、３時間混合してス
ラリーを作る。真空脱気処理によりスラリーから気泡を
除去する。次いでスラリーをドクターブレードを用いて
ポリエチルフィルム支持体上に０．５ｍｍ厚さに塗布し
、炉を通して乾燥し、ムライトを主成分とするムライト
グリーンシートを作成する。
また３２５メツシタ通過のアルミナ粉（ｍ、ｏ５）９０
部を上述のムライト粉９０部に置きかえて上述のムライ
トグリーンシートと全く同様にしてアルミナを主成分と
するアルミナグリーンシートを作成する。これらのシー
トを２００ Ｘ ２００ ｔｔｒｍの大きさに切断した
後、パンチ法により所定位置にスルーホールを明ける。
部を上述のムライト粉９０部に置きかえて上述のムライ
トグリーンシートと全く同様にしてアルミナを主成分と
するアルミナグリーンシートを作成する。これらのシー
トを２００ Ｘ ２００ ｔｔｒｍの大きさに切断した
後、パンチ法により所定位置にスルーホールを明ける。
さらにモリブデン粉ｔニトロセルローズ；エチルセルロ
ーズ；ホリビニルプチラール；トリクレン＝１００＋
３＋ １１２：２３（重量比）の導体ペーストをスクリ
ーン印刷法により所定回路パターンにしたがって印刷す
る。導体ペーストは層間の接続のためスルーホール内に
も充填する。ここで第１図に本実施例によるセラミック
多層配線基板１の構成を示す。このセラミック多層配線
基板１は、５層の絶縁層２および３と６層の導体層４・
７および１０〜１６からなる。この内、絶縁層２に相当
するグリーンシートにはアルミナグリーンシートを、そ
の他の絶縁層３に相当するグリーンシートにはムライト
グリーンシートを使用している。
ーズ；ホリビニルプチラール；トリクレン＝１００＋
３＋ １１２：２３（重量比）の導体ペーストをスクリ
ーン印刷法により所定回路パターンにしたがって印刷す
る。導体ペーストは層間の接続のためスルーホール内に
も充填する。ここで第１図に本実施例によるセラミック
多層配線基板１の構成を示す。このセラミック多層配線
基板１は、５層の絶縁層２および３と６層の導体層４・
７および１０〜１６からなる。この内、絶縁層２に相当
するグリーンシートにはアルミナグリーンシートを、そ
の他の絶縁層３に相当するグリーンシートにはムライト
グリーンシートを使用している。
これらのグリーンシートを、ガイド穴の位置を合わせて
５枚積層し、温度９０ｔ’で加圧−し積層する。次に積
層されたグリーンシートを焼成炉内に入れ、水素３〜７
容量係を含み、かつ微量の水蒸気を含む窒素雰囲気中で
、最高温度１６００℃で１時間保持して焼成する。
５枚積層し、温度９０ｔ’で加圧−し積層する。次に積
層されたグリーンシートを焼成炉内に入れ、水素３〜７
容量係を含み、かつ微量の水蒸気を含む窒素雰囲気中で
、最高温度１６００℃で１時間保持して焼成する。
このようにして表面に出ている２つの絶縁層２がアルミ
ナを主成分とする焼結体で、その他の絶縁層３がムライ
トを主成分とする焼結体で出きた絶縁層数５層、導体層
数６層のセラミック多層配線基板１を作成した。この基
板の各層間の接合状態はほぼ良好であり、無電解ニッケ
ルメッキを施こした後、カーボン治具を用いた通常の方
法で裏面導体層４にコバールリード５を銀ロウ６にて接
続した。また表面導体Ｊｆ４７にはアルミナを主成分と
するセラミックで出来たチップキャリア８を半田９にて
接続した。リードの引張り強度は１即／ビン以上あった
。この値は全層がムライトを主成分とする焼結体で出き
ている基板の４倍以上であり、また全層がアルミナを主
成分とする焼結体で出来ている基板とほぼ同等の値であ
り、十分実使用に耐え得る強度である。
ナを主成分とする焼結体で、その他の絶縁層３がムライ
トを主成分とする焼結体で出きた絶縁層数５層、導体層
数６層のセラミック多層配線基板１を作成した。この基
板の各層間の接合状態はほぼ良好であり、無電解ニッケ
ルメッキを施こした後、カーボン治具を用いた通常の方
法で裏面導体層４にコバールリード５を銀ロウ６にて接
続した。また表面導体Ｊｆ４７にはアルミナを主成分と
するセラミックで出来たチップキャリア８を半田９にて
接続した。リードの引張り強度は１即／ビン以上あった
。この値は全層がムライトを主成分とする焼結体で出き
ている基板の４倍以上であり、また全層がアルミナを主
成分とする焼結体で出来ている基板とほぼ同等の値であ
り、十分実使用に耐え得る強度である。
またチップキャリア３８と表面の絶縁層２が同じアルミ
ナを主成分として熱膨張係数が近似しているため、チッ
プキャリア８０半田接続部９は、−６５℃〜＋１５０で
の温度サイクルで３０００ザイクル以上断線が生じなか
った。この値は全層がムライトを主成分とする焼結体で
出来ている基板の２倍以上であり、また全層がアルミナ
を主成分とする焼結体で出来ている基板とほぼ同等の値
であり、過酷な使用条件下においても充分な接続寿命を
保証できる強度である。
ナを主成分として熱膨張係数が近似しているため、チッ
プキャリア８０半田接続部９は、−６５℃〜＋１５０で
の温度サイクルで３０００ザイクル以上断線が生じなか
った。この値は全層がムライトを主成分とする焼結体で
出来ている基板の２倍以上であり、また全層がアルミナ
を主成分とする焼結体で出来ている基板とほぼ同等の値
であり、過酷な使用条件下においても充分な接続寿命を
保証できる強度である。
一方、導体層である電源層１０とグランド層１３という
交流的なグランドにはさまれたＸ配線層１１とＸ配線層
１２の信号伝播遅延時間は７．７”／。
交流的なグランドにはさまれたＸ配線層１１とＸ配線層
１２の信号伝播遅延時間は７．７”／。
であり、この値は絶縁層３の比誘電率が５５であったこ
とと対応している。全層がアルミナを主成分とする焼結
体でできている基板では比誘電率が約９５であり、信号
伝播遅延時間は１０．２ ”／、。
とと対応している。全層がアルミナを主成分とする焼結
体でできている基板では比誘電率が約９５であり、信号
伝播遅延時間は１０．２ ”／、。
であるから１本実施例では信号伝播遅延時間が７５％に
低減することとなった。
低減することとなった。
実施例２
ムライト粉ニア０部、
ガラス粉ｌ５ＬＯ２５５係、 Ａｔ、０３３０％。
Ｍ１０９％、 Ｃａ０６％＝３０部。
導体ペースト；タングステン粉Ｉ Ｄｏ 部。
ニトロセルローズ３部。
エチルセルローズ１部。
ポリビニルブチラール２部。
トリクロルエチレン２５部。
グリーンシートの厚さ：０２５岨
で実施例１と同じ要領でムライトを主成分とするムライ
］・グリーンシートを作成し、手記導体ペーストを印刷
する。また、 アルミナ粉＋７０部。
］・グリーンシートを作成し、手記導体ペーストを印刷
する。また、 アルミナ粉＋７０部。
ガラス粉、導体ペースト、グリーンシートの厚さは上記
ムライトグリーンシートと同一にしてアルミナを主成分
とするアルミナグリーンシートを作成し、導体ペースト
を印刷する。
ムライトグリーンシートと同一にしてアルミナを主成分
とするアルミナグリーンシートを作成し、導体ペースト
を印刷する。
セラミック多層配線基板２０の構成を第２図に示すが、
裏面２層の絶縁層２１のみがアルミナグリーンシート、
他の絶縁層２２は全てムライトグリーンシートで計１１
層とした。上記の通りに変更した以外は前記実施例１と
同じ要領にてセラミック多層配線回路板２０を製造した
。この基板の各層間の接合状態はほぼ良好であり、電解
二・ソケルメ・ツキを施こした後、カーボン治具を用い
た通常の方法で裏面導体層２３にコバールビン２４を銀
ロウ２５にて接続した。また表面導体層２６にはシリコ
ン半導体素子２７をフェースタウンにて直接半田２８で
基板と接続して搭載した。ビンの引張り強度は全層がア
ルミナを主成分とする焼結体で出来ている基板とほぼ同
等値である４Ｖビン以上あり、十分実使用に耐ええる強
度であった。また、シリコン半導体素子２７０半田接続
部２８は一６５′ｃ〜＋１５０ｔ：の温度サイクルで２
０００サイクル以上断線が生じなかった。
裏面２層の絶縁層２１のみがアルミナグリーンシート、
他の絶縁層２２は全てムライトグリーンシートで計１１
層とした。上記の通りに変更した以外は前記実施例１と
同じ要領にてセラミック多層配線回路板２０を製造した
。この基板の各層間の接合状態はほぼ良好であり、電解
二・ソケルメ・ツキを施こした後、カーボン治具を用い
た通常の方法で裏面導体層２３にコバールビン２４を銀
ロウ２５にて接続した。また表面導体層２６にはシリコ
ン半導体素子２７をフェースタウンにて直接半田２８で
基板と接続して搭載した。ビンの引張り強度は全層がア
ルミナを主成分とする焼結体で出来ている基板とほぼ同
等値である４Ｖビン以上あり、十分実使用に耐ええる強
度であった。また、シリコン半導体素子２７０半田接続
部２８は一６５′ｃ〜＋１５０ｔ：の温度サイクルで２
０００サイクル以上断線が生じなかった。
この値は全層がアルミナを主成分とする焼結体でできて
いる基板の約２倍の値で、ムライトのそれとほぼ同程度
であり、過酷な使用条件下においても充分な接続寿命を
保証できる強度である。この理由はムライトを主成分と
する焼結体の熱膨張係数が３８〜４５ｘ１０’／ｂとシ
リコン半導体と近いため、加熱された場合の基板とシリ
コン半導体の伸び量が等しくなり、半田接続部２８にス
トレスが加わらないためである。アルミナ基板の場合は
熱膨張係数が６５〜７５ Ｘ １０＝／で とシリコン
半導体のそれと大きく異なり、このため加熱された場合
半田接続部にストレスが加わって早期に断線されてしま
う。一方、電源層またはグランド層２９という交流的な
グランドにはさまれた配線層６０の信号伝播遅延時間は
８．Ｑｎｓ／ｍであり。
いる基板の約２倍の値で、ムライトのそれとほぼ同程度
であり、過酷な使用条件下においても充分な接続寿命を
保証できる強度である。この理由はムライトを主成分と
する焼結体の熱膨張係数が３８〜４５ｘ１０’／ｂとシ
リコン半導体と近いため、加熱された場合の基板とシリ
コン半導体の伸び量が等しくなり、半田接続部２８にス
トレスが加わらないためである。アルミナ基板の場合は
熱膨張係数が６５〜７５ Ｘ １０＝／で とシリコン
半導体のそれと大きく異なり、このため加熱された場合
半田接続部にストレスが加わって早期に断線されてしま
う。一方、電源層またはグランド層２９という交流的な
グランドにはさまれた配線層６０の信号伝播遅延時間は
８．Ｑｎｓ／ｍであり。
この値は絶縁層２２の比誘電率が５．９であったことと
対応している。全層がアルミナを主成分とする焼結体で
できている基板では比誘電率が約９５であり、信号伝播
遅延時間は１０．２ ｎ０７ｍであるから１本実施例で
は信号伝播遅延時間が７８％に低減することとなった。
対応している。全層がアルミナを主成分とする焼結体で
できている基板では比誘電率が約９５であり、信号伝播
遅延時間は１０．２ ｎ０７ｍであるから１本実施例で
は信号伝播遅延時間が７８％に低減することとなった。
導電層３１は表面の半田接続部２８．ピン２４のピッチ
を内部の配線格子ピッチに合わせるための変換層（拡大
層ともいう）である。
を内部の配線格子ピッチに合わせるための変換層（拡大
層ともいう）である。
実施例１および２から理解されるように、ビン付は等が
行なわれ、熱的１機械的ストレスを受ける表面層（裏面
層）にはアルミナを主成分とする焼結体を配することに
より、高い表面強度を有する基板が得られる。また同じ
表面層でも、電子部品が搭載される方は、電子部品の熱
膨張係数に近似したアルミナあるいはムライトを主成分
とする焼結体を配するのが、電子部品との接続部へのス
トレスを軽減することができる。さらに、配線層と該配
線のリターン電流が流れる交流的グランド層の間に位置
する？線層には比誘電率の小さいムライトを主成分とす
る焼結体を配することにより、信号伝播遅延時間を小さ
くすることができる。
行なわれ、熱的１機械的ストレスを受ける表面層（裏面
層）にはアルミナを主成分とする焼結体を配することに
より、高い表面強度を有する基板が得られる。また同じ
表面層でも、電子部品が搭載される方は、電子部品の熱
膨張係数に近似したアルミナあるいはムライトを主成分
とする焼結体を配するのが、電子部品との接続部へのス
トレスを軽減することができる。さらに、配線層と該配
線のリターン電流が流れる交流的グランド層の間に位置
する？線層には比誘電率の小さいムライトを主成分とす
る焼結体を配することにより、信号伝播遅延時間を小さ
くすることができる。
実施例３
ガラスの組成およびムライトもしくはアルミナとガラス
の混合割合を種々変え、前記実施例と同じ要領でセラミ
ック多層配縁基板を作成した。各焼結体の熱膨張係数と
訪電率の測距結果を表１および表２に示す。表１はムラ
イト、表２はアルミナのそれをそれぞれ示す。多層基板
として両者を組合わせる場合、ムライトとアルミナの重
量部、およびガラス鵜の重量部はほぼ±１０部程鹿の差
が生じてもその特性はほぼ同様であるが、ガラス組成自
身はほぼ同一のものを選択する。またグリーンシート作
成時の結合剤。
の混合割合を種々変え、前記実施例と同じ要領でセラミ
ック多層配縁基板を作成した。各焼結体の熱膨張係数と
訪電率の測距結果を表１および表２に示す。表１はムラ
イト、表２はアルミナのそれをそれぞれ示す。多層基板
として両者を組合わせる場合、ムライトとアルミナの重
量部、およびガラス鵜の重量部はほぼ±１０部程鹿の差
が生じてもその特性はほぼ同様であるが、ガラス組成自
身はほぼ同一のものを選択する。またグリーンシート作
成時の結合剤。
可塑剤、溶剤もほぼ同一組成、同−隈であることが望ま
しい。
しい。
以上述へたごとく、ムライトを主成分とする焼結体とア
ルミナを主成分とする焼結体の混成によるセラミック多
層配線基板によると、ホホ満足すべき信号伝播速度およ
び表面強度のものが得られる。しかし前述したごとく１
両焼結体の熱膨張係数には比較的開きがあるため１両者
の界面においてクランクを生じることがある。
ルミナを主成分とする焼結体の混成によるセラミック多
層配線基板によると、ホホ満足すべき信号伝播速度およ
び表面強度のものが得られる。しかし前述したごとく１
両焼結体の熱膨張係数には比較的開きがあるため１両者
の界面においてクランクを生じることがある。
特に層数の少ない側の界面、第１図の例では絶縁層２の
絶縁層３と接する界面、第２図の例では絶縁層２１の絶
縁層２２と接する界面に生じやすい。これを改善する例
を以下に述べる。
絶縁層３と接する界面、第２図の例では絶縁層２１の絶
縁層２２と接する界面に生じやすい。これを改善する例
を以下に述べる。
実施例４
ムライト粉（３Ａｔ２０３・２５ｔ０２ ） ’ ９０
部。
部。
ガラス粉：５ｉｎ２５ｔ３％、 ７ｆＺ２０．５４．９
％。
％。
Ｍグ０１３８％１０部。
グリーンシート厚さ＋０６論
で実施例１と同様にムライトを生成方トスルムライトグ
リーンシートを作成する。導体ペーストは、モリブデン
粉：ニトロセルローズ；エチルセルローズ：ポリビニル
ブチラール：トリクレン＝ ｉｏｏ；１１１ ＋ ２
＋２３としてスクリーン印刷する。
リーンシートを作成する。導体ペーストは、モリブデン
粉：ニトロセルローズ；エチルセルローズ：ポリビニル
ブチラール：トリクレン＝ ｉｏｏ；１１１ ＋ ２
＋２３としてスクリーン印刷する。
アルミナ粉（Ａｔ２０． ） ＝ ９０部とし、他は上
記ムライトグリーンシートと同様にしてアルミナを主成
分とするアルミナグリーンシートを作製し、導体ペース
トを印刷する。
記ムライトグリーンシートと同様にしてアルミナを主成
分とするアルミナグリーンシートを作製し、導体ペース
トを印刷する。
さらに。
ムライト粉８４５部
アルミナ粉：４５部
ガラス粉ｌ５ｉｎ、 ５１．３％、 Ａｔ２０．３４．
９％Ｍｆ０１５．８ ｑｂ１０部 グリーンシート厚さ１０．５畑 として、３２５メツシュ通過のムライト粉およびアルミ
ナ粉とガラス粉材料を混合し、実施例１のムライトグリ
ーンシートおよびアルミナグリーンシートと同様に、ム
ライトとアルミナの混合グリーンシートを作成する。導
体ペーストは上記と同様、％リプデン粉：ニトロセルロ
ーズ鷺エチルセルローズ＋ホｌＪビニルフｆ’ ５−
ルＩトリクレン＝１００＋３：１１２＋２３としてスク
リーン印刷する。
９％Ｍｆ０１５．８ ｑｂ１０部 グリーンシート厚さ１０．５畑 として、３２５メツシュ通過のムライト粉およびアルミ
ナ粉とガラス粉材料を混合し、実施例１のムライトグリ
ーンシートおよびアルミナグリーンシートと同様に、ム
ライトとアルミナの混合グリーンシートを作成する。導
体ペーストは上記と同様、％リプデン粉：ニトロセルロ
ーズ鷺エチルセルローズ＋ホｌＪビニルフｆ’ ５−
ルＩトリクレン＝１００＋３：１１２＋２３としてスク
リーン印刷する。
第６図は本実施例によるセラミック多層配線基板４０を
示す。第１図と同一の物品には同一番号を付している。
示す。第１図と同一の物品には同一番号を付している。
絶縁層２に相当するグリーンシートにはアルミナグリー
ンシートを、絶縁層乙に相当するグリーンシートにはム
ライトグリーンシートを使用すると共に、アルミナグリ
ーンシートとムライトグリーンシート間の絶縁層４１に
相当するグリーンシートにはそれぞれ混合グリーンシー
トを介挿する。これらのグリーンシートを７枚積層し、
温度９０℃で加圧し積層する。そして実施例１で示した
と同じ条件で焼成する。
ンシートを、絶縁層乙に相当するグリーンシートにはム
ライトグリーンシートを使用すると共に、アルミナグリ
ーンシートとムライトグリーンシート間の絶縁層４１に
相当するグリーンシートにはそれぞれ混合グリーンシー
トを介挿する。これらのグリーンシートを７枚積層し、
温度９０℃で加圧し積層する。そして実施例１で示した
と同じ条件で焼成する。
このようにして表面に出ている２つの絶縁層２がアルミ
ナを主成分とする焼結体で、内層の３つの絶縁層３がム
ライトを主成分とする焼結体で、それらの間にある２つ
の絶縁層４１がアルミナとムライトの混合物を主成分と
する焼結体でできた絶縁層７層、導体層８層のセラミ・
ツク多層配線基板４０を作成した。この基板の各層間の
接合状態はほぼ良好であり、実施例１と同様にコバール
リード５およびセラミックでできたチップキャリア８を
接続した。これらの、リードの引張り強度、および半田
接続部９の断線等は実施例１と同様であり、満足１べき
飴であった。信号伝播遅延時間についても実施例１と同
様であった。
ナを主成分とする焼結体で、内層の３つの絶縁層３がム
ライトを主成分とする焼結体で、それらの間にある２つ
の絶縁層４１がアルミナとムライトの混合物を主成分と
する焼結体でできた絶縁層７層、導体層８層のセラミ・
ツク多層配線基板４０を作成した。この基板の各層間の
接合状態はほぼ良好であり、実施例１と同様にコバール
リード５およびセラミックでできたチップキャリア８を
接続した。これらの、リードの引張り強度、および半田
接続部９の断線等は実施例１と同様であり、満足１べき
飴であった。信号伝播遅延時間についても実施例１と同
様であった。
特に実施例１で生じていたアルミナとムライトの焼結体
の界面でのクラックは生じなかった。
の界面でのクラックは生じなかった。
これは５本実施例におけるムライトを主成分とする焼結
体の熱膨張係数は４０ Ｘ １０−’／で、アルミナの
それは７０ Ｘ １０＝／υであるのに対し、混合物の
それは５５ Ｘ １０−’／υで両者の中間値を示し。
体の熱膨張係数は４０ Ｘ １０−’／で、アルミナの
それは７０ Ｘ １０＝／υであるのに対し、混合物の
それは５５ Ｘ １０−’／υで両者の中間値を示し。
この中間値を示す混合物を主成分とする焼結体を介挿す
ることにより、アルミナとムライトの熱膨張率の差を緩
衝することによる。
ることにより、アルミナとムライトの熱膨張率の差を緩
衝することによる。
実施例５
実施例２と同条件のムライトを主成分とするグリーンシ
ートおよびアルミナを主成分とするグリーンシートをそ
れぞれ作成し、導体ペーストを印刷する。また。
ートおよびアルミナを主成分とするグリーンシートをそ
れぞれ作成し、導体ペーストを印刷する。また。
ムライト粉：アルミナ粉＝、７０：３０を７０部。
ガラス粉ン導体ペーストおよびグリーンシートの厚さは
上記ムライトおよびアルミナを主成分とするものに同じ
。
上記ムライトおよびアルミナを主成分とするものに同じ
。
でムライトとアルミナの混合物を主成分とするグリーン
シートを作成し、上記導体ペーストを印刷する。さらに
。
シートを作成し、上記導体ペーストを印刷する。さらに
。
ムライト粉：アルミナ粉＝３０ ＋ ７０を７０部。
ガラス粉、導体ペーストおよびグリーンシートの厚さは
同じ。
同じ。
でムライトとアルミナの混合物を主成分とするグリーン
シートを作成し、上記導体ペーストを印刷する。
シートを作成し、上記導体ペーストを印刷する。
セラミック多層配線基板５０の構成を第４図に示す。第
２図と同一物品には同一番号を付してイル。第４図で、
絶縁層２１に相当するアルミナグリーンシートと絶縁層
２２に相当するムライトグリーンシートの間に絶縁層５
１および５２に相当するグリーンシートとして、ムライ
トとアルミナの混合物を主成分とするグリーンシートを
使用する。アルミナグリーンシートになる絶縁層２１に
隣接する絶縁層５１にはアルミナの爪の多い上記混合物
を主成分とするグリーンシートを。
２図と同一物品には同一番号を付してイル。第４図で、
絶縁層２１に相当するアルミナグリーンシートと絶縁層
２２に相当するムライトグリーンシートの間に絶縁層５
１および５２に相当するグリーンシートとして、ムライ
トとアルミナの混合物を主成分とするグリーンシートを
使用する。アルミナグリーンシートになる絶縁層２１に
隣接する絶縁層５１にはアルミナの爪の多い上記混合物
を主成分とするグリーンシートを。
ムライトグリーンシートになる絶縁層２２に隣接する絶
縁層５２にはムライトの量の多い上記混合物を主成分と
するグリーンシートを使用する。
縁層５２にはムライトの量の多い上記混合物を主成分と
するグリーンシートを使用する。
これらのグリーンシートを１２枚積層し、実施例２と同
じ要領でセラミック多層配線基板５０を作成し、コバー
ルビ／２４．シリコン半導体素子２７を接続した。
じ要領でセラミック多層配線基板５０を作成し、コバー
ルビ／２４．シリコン半導体素子２７を接続した。
この実施例圧よる基板は実施例２で説明ｌ〜だ基板と同
じ特性を示した。また、絶縁層２１．５１゜５２および
２２の熱膨張係数が段階的になっているため、界面にお
けるクラックは生じなかった。
じ特性を示した。また、絶縁層２１．５１゜５２および
２２の熱膨張係数が段階的になっているため、界面にお
けるクラックは生じなかった。
各絶縁層の熱膨張係数は次のとおりである。
絶縁層２１・・・６８ Ｘ １０”−’／を絶縁層５１
・・・（ＳＩ Ｘ １０−’／わ絶縁層５２・・・５０
Ｘ １０−ンυ絶縁層２２・・・４５ｘ１０’／υ さらに絶縁層５１と５−？の間に、ムライト粉とアルミ
ナ粉を同量を７０部、ガラス粉は上記と同様にしたグリ
ーンシートによる焼結体からなる絶縁層を介挿すれば、
その熱膨張係数は５６ Ｘ １０＝／Ｖであるので、よ
りなめらかな差とすることができ、クランク防止の効果
が一層向上する。
・・・（ＳＩ Ｘ １０−’／わ絶縁層５２・・・５０
Ｘ １０−ンυ絶縁層２２・・・４５ｘ１０’／υ さらに絶縁層５１と５−？の間に、ムライト粉とアルミ
ナ粉を同量を７０部、ガラス粉は上記と同様にしたグリ
ーンシートによる焼結体からなる絶縁層を介挿すれば、
その熱膨張係数は５６ Ｘ １０＝／Ｖであるので、よ
りなめらかな差とすることができ、クランク防止の効果
が一層向上する。
実施例６
ガラスの組成、ムライトとガラスの混合割合、アルミナ
とガラスの混合割合、およびムライトとアルミナの混合
割合とガラスの混合割合を種々変え、前記実施例４およ
び５と同じ要領で３種ないしそれ以上のグリーンシート
を積層してセラミック多層配線基板を作成した。ムライ
トを主成分とする焼結体、およびアルミナを主成分とす
る焼結体の熱膨張係数と誘電率の測定結果は前記の表１
および表２に示したものであり。
とガラスの混合割合、およびムライトとアルミナの混合
割合とガラスの混合割合を種々変え、前記実施例４およ
び５と同じ要領で３種ないしそれ以上のグリーンシート
を積層してセラミック多層配線基板を作成した。ムライ
トを主成分とする焼結体、およびアルミナを主成分とす
る焼結体の熱膨張係数と誘電率の測定結果は前記の表１
および表２に示したものであり。
表３にムライトとアルミナの混合物を主成分とする焼結
体のそれを示す。
体のそれを示す。
多層基板として３種ないしそれ以上のグ＋７ ＋＋ンシ
ートを１ｍＮ″′ｆる場合、ムライト、アルミナおよび
ムライトとアルミナの混合物の重量部。
ートを１ｍＮ″′ｆる場合、ムライト、アルミナおよび
ムライトとアルミナの混合物の重量部。
およびガラス粉のｉｔ部はほぼ±１０部程鹿の差が生じ
てもその特性はほぼ同様であるが、ガラス組成自身はほ
ぼ同一のものを選択する。
てもその特性はほぼ同様であるが、ガラス組成自身はほ
ぼ同一のものを選択する。
実施例７
実施例１〜乙においては、ムライトを生成分とする焼結
体、アルミナを主成分とする焼結体およびムライトとア
ルミナの混合物を主成分とする焼結体が積層されるもの
について述べてきたが、アルミナを主成分とする焼結体
およびムライトを主成分とする焼結体それぞれをわずか
にその特性を改善すればよい場合には、アルミナを主成
分とする焼結体にはアルミナを主成分としながられずか
のムライトを混合することができ、ムライトを主成分と
する焼結体にはムライトラ主成分としながられずかのア
ルミナを混合することができる。表４に、アルミナを主
成分とするものにわずかのムライトを混合したもの、ム
ライトを主成分とするものにわずかのアルミナを混合し
たものを示す。
体、アルミナを主成分とする焼結体およびムライトとア
ルミナの混合物を主成分とする焼結体が積層されるもの
について述べてきたが、アルミナを主成分とする焼結体
およびムライトを主成分とする焼結体それぞれをわずか
にその特性を改善すればよい場合には、アルミナを主成
分とする焼結体にはアルミナを主成分としながられずか
のムライトを混合することができ、ムライトを主成分と
する焼結体にはムライトラ主成分としながられずかのア
ルミナを混合することができる。表４に、アルミナを主
成分とするものにわずかのムライトを混合したもの、ム
ライトを主成分とするものにわずかのアルミナを混合し
たものを示す。
実施例１における絶縁層２を表４の高３に代え、他は実
施例１と同様の条件で作成した。このセラミック基板に
よると、表面層のアルミナを主成分とした絶縁層と内層
のムライトを主成分とした絶縁層間の熱膨張率が近づき
、クラック発生防止に効果がある。強度に関しては実施
例１の場合より低下するもののほとんど違いはみられな
い。
施例１と同様の条件で作成した。このセラミック基板に
よると、表面層のアルミナを主成分とした絶縁層と内層
のムライトを主成分とした絶縁層間の熱膨張率が近づき
、クラック発生防止に効果がある。強度に関しては実施
例１の場合より低下するもののほとんど違いはみられな
い。
また実施例１における絶縁層５を表４０虎４に代え、他
は実施例１と同様の条件で作成した。
は実施例１と同様の条件で作成した。
また実施例１の絶縁層２を表４の高３に、絶縁層６を表
４０Ａ４ Ｋ代えたセラミック基板とすることもできる
。
４０Ａ４ Ｋ代えたセラミック基板とすることもできる
。
さらに実施例２〜６に述べたセラミック基板のアルミナ
を主成分とした絶縁層およびムライトを主成分とした絶
縁層を上述したと同様の手法で表４に示すものを使うこ
とができる。いずれの場合も、ガラス組成として同一組
成のものを使うのがよい。これらは電色的１機械的に特
性に許容度がある場合、適宜選択して採用１−ることが
できる。
を主成分とした絶縁層およびムライトを主成分とした絶
縁層を上述したと同様の手法で表４に示すものを使うこ
とができる。いずれの場合も、ガラス組成として同一組
成のものを使うのがよい。これらは電色的１機械的に特
性に許容度がある場合、適宜選択して採用１−ることが
できる。
以上述べたごとく、ムライトを主成分とする焼結体、ア
ルミナを主成分とする焼結体、およびムライトとアルミ
ナの混合物を主成分とする焼結体の混成によるセラミ・
ツク多層配線基板によると、実施例１〜乙によるものに
加え、焼結体の界面に生じるクラ・ンクを防止すること
ができる。
ルミナを主成分とする焼結体、およびムライトとアルミ
ナの混合物を主成分とする焼結体の混成によるセラミ・
ツク多層配線基板によると、実施例１〜乙によるものに
加え、焼結体の界面に生じるクラ・ンクを防止すること
ができる。
本発明によれば、アルミナを主成分とするセラミック多
層配線基板のもつ熱的１機械臼り弓蛍度を保ちながら、
ム９イトを主成分とするセラミック多層配線基板のもつ
高速な信号伝播性とシリコン半導体素子との熱膨張係数
のマ・ノチングの良さを取り入れた基板が得られると共
に、従来と同様のグリーンシートプロセスで実現できる
。
層配線基板のもつ熱的１機械臼り弓蛍度を保ちながら、
ム９イトを主成分とするセラミック多層配線基板のもつ
高速な信号伝播性とシリコン半導体素子との熱膨張係数
のマ・ノチングの良さを取り入れた基板が得られると共
に、従来と同様のグリーンシートプロセスで実現できる
。
第１図は本発明の一実施例ケ示す図、第２図。
第３図および第４図は本発明の他の実施例を示す図であ
る。 １．２０．４０および５０・・・セラミック多層画己線
基板、２および２１・・・アルミナを主成分とする焼結
体の絶Ｒ層、５および２２・・・ムライトを主成分とす
る焼結体の絶縁層、 ４１ 、５１および５２・・・ム
ライトとアルミナの混合物を主成分とする焼結イ本の絶
縁層、４ 、７、．１０〜１３ 、２３ 、２６：ｒ、
３よび２９〜ろ１・・・導体層。
る。 １．２０．４０および５０・・・セラミック多層画己線
基板、２および２１・・・アルミナを主成分とする焼結
体の絶Ｒ層、５および２２・・・ムライトを主成分とす
る焼結体の絶縁層、 ４１ 、５１および５２・・・ム
ライトとアルミナの混合物を主成分とする焼結イ本の絶
縁層、４ 、７、．１０〜１３ 、２３ 、２６：ｒ、
３よび２９〜ろ１・・・導体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 複数層の導体層およびこの導体層間に位置する絶
縁層とからなるセラミック多層配線基板において、上記
絶縁層が、ムライトを主成分とする焼結体の層と、アル
ミナを主成分とする焼結体のＲ８との混成からなること
を特徴とするセラミック多層配線基板。 ２、 上記ムライトを主成分とする焼結体の層は該ムラ
イトを主成分としてアルミナを含むことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のセラミック多層配線基板。 ３ 上記アルミナを主成分とする焼結体の層は該アルミ
ナを主成分としてムライトを含むことを特徴とする特許
請求の範囲第１項もしくは第２項記載のセラミ’７り多
層配線基板。 ４、 少なくとも一方の表面に位置する上記絶縁層もし
くは該表面に位置する上記絶縁層と該絶縁層に隣接する
１ないしそれ以上の層の絶縁層を上記アルミナを主成分
とする焼結体の層とすることを特徴とする特許請求の範
囲第１項、第２項、第６虫のいずれかの項記載のセラミ
ック多層配線基板。 ５、 上記導体層の配線と、該配線のリターン電流が流
れる交流的グランド導体層との間に位置する絶縁層を上
記ムライトを主成分とする焼結体の層とすることを特徴
とする特許請求の範囲第１項、第２項、第３項、第４項
のいずれかの項記載のセラミック多層配線基板。 ６、 上記ムライトを主成分とする焼結体の層と上記ア
ルミナを主成分とする焼結体の層との間に、ムライトと
アルミナの混合物を主成分とする焼結体の層を介挿する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項、第３
項、第４項。 第５項のいずれかの項記載のセラミック多層配線基板。 Ｚ 上記ムライトとアルミナの混合物を主成分とする焼
結体の層は、上記ムライトとアルミナが等量であること
を特徴とする特許請求の範囲第６項記載のセラミック多
層配線基板。 ８、 上記ムライトとアルミナの混合物を主成分とする
焼結体の層は互いに隣接する少なくとも２層からなり、
上記ムライトを主成分とする焼結体の層に隣接する層は
ムライトの量をアルミナの量より多くシ、上記アルミナ
を主成分とする焼結体の層に隣接する層はアルミナの量
をムライトの量より多くしたことを特徴とする特許請求
の範囲第６項記載のセラミック多層配線基板。 ９ 上記ムライトを主成分とする焼結体の層はムライト
を主成分としてアルミナを含み、多層間の熱膨張率が段
階的に異なるように積層されていることを特徴とする特
許請求の範囲第６項。 第７項、第８項のいずれかの頓記載のセラミック多層配
線基板。 １０、上記アルミナを主成分とする焼結体の層はアルミ
ナを主成分としてムライトを含み、各層間の熱膨張率が
段階的に異なるように積層されていることを特徴とする
特許請求の範囲第６項。 第７項、第８項 第９項のいずれかの項記載のセラミツ
多多層配線基板。 １１ ムライトを主成分とし、導体層が形成された第１
のグリーンシートと、アルミナを主成分とし、導体層が
形成された第２のグリーンシートを作成する工程と、上
記第１および第２のグリーンシートを積層し、焼結する
工程とからなるセラミック多層配線基板の製造方法。 １２、ムライトとアルミナの混合物を主成分とし。 導体層が形成された第６のグリーンシートを作成し、上
記第１．第２および第６のグリーンシートを積層し、焼
結することを特徴とする特許請求の範囲第１１項記載の
セラミ’７り多層配線基板の製造方法。 １３、上記各グリーンシートはほぼ同一組成のガラス成
分を焼結助剤として含むことを特徴とする特許請求の範
囲第１１項もしくは第１２項記載のセラミック多層配線
基板の製造方法。 １４、上記ガラス成分の量は上記各グリーンシートにお
いてほぼ等量であることを特徴とする特許請求の範囲第
１６項記載のセラミック多層配線基板の製造方法。 １５ 上記第１のグリーンシートは、ムライトを主成分
としてアルミナを含むことを特徴とする特許請求の範囲
第１１項、第１２項、第１３項、第１４項のいずれかの
項記載のセラミック多層配線基板の製造方法。 １６ 上記第２のグリーンシートは、アルミナを主成分
としてムライトを含むことを特徴とする特許請求の範囲
第１１項、第１２項、第１３項、第１４項、第１５項の
いずれかの項記載のセラミック多層配線基板の製造方法
。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58120359A JPS6014494A (ja) | 1983-07-04 | 1983-07-04 | セラミツク多層配線基板およびその製造方法 |
| DE8484107705T DE3485930T2 (de) | 1983-07-04 | 1984-07-03 | Mehrschichtiges keramisches substrat und verfahren zum herstellen desselben. |
| EP84107705A EP0131242B1 (en) | 1983-07-04 | 1984-07-03 | Multi-layer ceramic substrate and method for the production thereof |
| US06/627,889 US4624896A (en) | 1983-07-04 | 1984-07-05 | Multi-layer ceramic substrate and method for the production thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58120359A JPS6014494A (ja) | 1983-07-04 | 1983-07-04 | セラミツク多層配線基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6014494A true JPS6014494A (ja) | 1985-01-25 |
Family
ID=14784248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58120359A Pending JPS6014494A (ja) | 1983-07-04 | 1983-07-04 | セラミツク多層配線基板およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4624896A (ja) |
| EP (1) | EP0131242B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6014494A (ja) |
| DE (1) | DE3485930T2 (ja) |
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1983
- 1983-07-04 JP JP58120359A patent/JPS6014494A/ja active Pending
-
1984
- 1984-07-03 DE DE8484107705T patent/DE3485930T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1984-07-03 EP EP84107705A patent/EP0131242B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-07-05 US US06/627,889 patent/US4624896A/en not_active Expired - Fee Related
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| EP0131242A2 (en) | 1985-01-16 |
| EP0131242B1 (en) | 1992-09-23 |
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