JPH0818372A - 圧電素子の周波数調整装置及び圧電周波数調整方法 - Google Patents
圧電素子の周波数調整装置及び圧電周波数調整方法Info
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- JPH0818372A JPH0818372A JP14358094A JP14358094A JPH0818372A JP H0818372 A JPH0818372 A JP H0818372A JP 14358094 A JP14358094 A JP 14358094A JP 14358094 A JP14358094 A JP 14358094A JP H0818372 A JPH0818372 A JP H0818372A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 78
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 74
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 36
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 32
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- -1 argon ions Chemical class 0.000 abstract description 70
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 35
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 アルゴンイオン源４から放出されたアルゴン
イオン３と電子線源９から放出された電子８は、エッチ
ング用金属マスク１０を通して圧電素子５に照射され、
圧電素子５に設けられた金属電極１６等をエッチングす
る。この時、電子線源９に流される電流は、エッチング
用金属マスク１０に接続された電流測定器１３の値が十
分小さくなるように設定する。また、圧電素子５の発振
周波数はエッチングしながら発振周波数測定器１２によ
って測定される。 【効果】 イオンと電子を圧電素子に照射しエッチング
しながら圧電素子の発振周波数を同時に測定し発振周波
数を調整が可能となる。これは、従来に比べて工程数を
減らすことができ、調整工程時間が短縮できて、かつリ
アルタイムに周波数が測定されるため高精度の周波数調
整が可能となった。
イオン３と電子線源９から放出された電子８は、エッチ
ング用金属マスク１０を通して圧電素子５に照射され、
圧電素子５に設けられた金属電極１６等をエッチングす
る。この時、電子線源９に流される電流は、エッチング
用金属マスク１０に接続された電流測定器１３の値が十
分小さくなるように設定する。また、圧電素子５の発振
周波数はエッチングしながら発振周波数測定器１２によ
って測定される。 【効果】 イオンと電子を圧電素子に照射しエッチング
しながら圧電素子の発振周波数を同時に測定し発振周波
数を調整が可能となる。これは、従来に比べて工程数を
減らすことができ、調整工程時間が短縮できて、かつリ
アルタイムに周波数が測定されるため高精度の周波数調
整が可能となった。
Description
【０００１】
【産業上の利用範囲】本発明は、圧電素子の周波数調整
法と、圧電素子の周波数調整装置に関する。
法と、圧電素子の周波数調整装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術の圧電素子の周波数調整方法と
しては、励振電極上にさらに金属を蒸着して質量を増や
して周波数を下げて調整する方法がとられている。ま
た、近年ではイオンを圧電素子の金属電極に照射し、エ
ッチングすることにより質量を減らして周波数を調整す
る方法がとられている。
しては、励振電極上にさらに金属を蒸着して質量を増や
して周波数を下げて調整する方法がとられている。ま
た、近年ではイオンを圧電素子の金属電極に照射し、エ
ッチングすることにより質量を減らして周波数を調整す
る方法がとられている。
【０００３】図３は、従来例としてのアルゴンイオンを
用いたイオンビームエッチングを用いた場合の圧電素子
の周波数調整の構成説明図である。クライオポンプ、タ
ーボ分子ポンプや拡散ポンプなどの真空排気装置１を有
する真空チャンバー２の中にアルゴンイオン３を発生さ
せるアルゴンイオン源４と、アルゴンイオン源４に対向
して水晶振動子などの圧電素子５を支持するための支持
治具６が具備され、アルゴンイオン源４は圧電素子５に
対するアルゴンイオン３の入射角度が圧電素子５の表面
の法線方向に対して０〜±８０度になるように支持治具
６に固定されている。そして、支持治具６は圧電素子５
の本体を取り外し可能である構造であり、アルゴンイオ
ン源４と圧電素子５や支持治具６との間にアルゴンイオ
ン源４から発生したアルゴンイオン３が圧電素子５に照
射できる面積を有する開口部を持ったエッチング用マス
ク１０を具備している。また、真空チャンバーを介して
圧電素子５の端子７は支持治具６の接続端子１１に接続
され、接続端子１１は発振周波数測定器１２に、アルゴ
ンイオン源４はアルゴンイオン源電源１５に接続される
ような装置構成になっている。
用いたイオンビームエッチングを用いた場合の圧電素子
の周波数調整の構成説明図である。クライオポンプ、タ
ーボ分子ポンプや拡散ポンプなどの真空排気装置１を有
する真空チャンバー２の中にアルゴンイオン３を発生さ
せるアルゴンイオン源４と、アルゴンイオン源４に対向
して水晶振動子などの圧電素子５を支持するための支持
治具６が具備され、アルゴンイオン源４は圧電素子５に
対するアルゴンイオン３の入射角度が圧電素子５の表面
の法線方向に対して０〜±８０度になるように支持治具
６に固定されている。そして、支持治具６は圧電素子５
の本体を取り外し可能である構造であり、アルゴンイオ
ン源４と圧電素子５や支持治具６との間にアルゴンイオ
ン源４から発生したアルゴンイオン３が圧電素子５に照
射できる面積を有する開口部を持ったエッチング用マス
ク１０を具備している。また、真空チャンバーを介して
圧電素子５の端子７は支持治具６の接続端子１１に接続
され、接続端子１１は発振周波数測定器１２に、アルゴ
ンイオン源４はアルゴンイオン源電源１５に接続される
ような装置構成になっている。
【０００４】また、圧電素子５を支持治具６に取り付け
る工程と、真空排気装置１により真空チャンバー２内を
排気した後に、アルゴンガスを真空チャンバー２内に導
入して、アルゴンイオン源電源１５を制御してアルゴン
イオン源４にプラズマを発生させ、プラズマ内のアルゴ
ンイオン３をアルゴンイオン源１５から放出させる工程
と、アルゴンイオン３をエッチング用マスク１０の開口
部を通して圧電素子５に照射し圧電素子５上の表面に設
けられた金属電極１６をエッチングする工程と、またエ
ッチングを中断して圧電素子５の発振周波数を発振周波
数測定器１２により測定する工程と、エッチング工程と
発振周波数の測定の工程を交互に所定の発振周波数に調
整するまで行い、その後真空チャンバー２を大気圧にし
て発振周波数が調整された圧電素子５を取り外す工程か
らなっていた。
る工程と、真空排気装置１により真空チャンバー２内を
排気した後に、アルゴンガスを真空チャンバー２内に導
入して、アルゴンイオン源電源１５を制御してアルゴン
イオン源４にプラズマを発生させ、プラズマ内のアルゴ
ンイオン３をアルゴンイオン源１５から放出させる工程
と、アルゴンイオン３をエッチング用マスク１０の開口
部を通して圧電素子５に照射し圧電素子５上の表面に設
けられた金属電極１６をエッチングする工程と、またエ
ッチングを中断して圧電素子５の発振周波数を発振周波
数測定器１２により測定する工程と、エッチング工程と
発振周波数の測定の工程を交互に所定の発振周波数に調
整するまで行い、その後真空チャンバー２を大気圧にし
て発振周波数が調整された圧電素子５を取り外す工程か
らなっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、アルゴンイオ
ンを圧電素子に照射してエッチングすると、照射するア
ルゴンイオンの持つ正の電荷の大部分は圧電素子表面に
残されたり、アルゴンイオンに照射される圧電素子の表
面から放出される２次電子が結果として圧電素子表面に
正の電荷を残すことになる。これらの残留正電荷により
圧電素子を帯電させることになる。そのために、エッチ
ングしながら圧電素子の発振周波数を測定すると発振回
路を破壊したり、正しく周波数を測定できないため、測
定とエッチングの工程を分けてこれを繰り返して行わな
ければならなかった。
ンを圧電素子に照射してエッチングすると、照射するア
ルゴンイオンの持つ正の電荷の大部分は圧電素子表面に
残されたり、アルゴンイオンに照射される圧電素子の表
面から放出される２次電子が結果として圧電素子表面に
正の電荷を残すことになる。これらの残留正電荷により
圧電素子を帯電させることになる。そのために、エッチ
ングしながら圧電素子の発振周波数を測定すると発振回
路を破壊したり、正しく周波数を測定できないため、測
定とエッチングの工程を分けてこれを繰り返して行わな
ければならなかった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では次の構成を採用した。圧電素子の周波数
調整装置において、イオンを発生させるイオン源と電子
を発生させる電子線源を配置することとした。
に、本発明では次の構成を採用した。圧電素子の周波数
調整装置において、イオンを発生させるイオン源と電子
を発生させる電子線源を配置することとした。
【０００７】また、圧電素子の周波数調整方法におい
て、圧電素子の電極面にイオンビーム及び電子を同時に
照射して、圧電素子の電極面をエッチングしながら、同
時に圧電素子の周波数を測定して調整を行うこととし
た。
て、圧電素子の電極面にイオンビーム及び電子を同時に
照射して、圧電素子の電極面をエッチングしながら、同
時に圧電素子の周波数を測定して調整を行うこととし
た。
【０００８】
【作用】本発明では、イオン及び電子を同時に照射する
ことにより、圧電素子にイオンが帯電することがなくな
り、エッチングしながら周波数の測定を行うことが可能
となった。
ことにより、圧電素子にイオンが帯電することがなくな
り、エッチングしながら周波数の測定を行うことが可能
となった。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説
明する。図１は、本発明のアルゴンイオン源を用いた場
合の第一の実施例の説明図である。
明する。図１は、本発明のアルゴンイオン源を用いた場
合の第一の実施例の説明図である。
【００１０】クライオポンプ、ターボ分子ポンプや拡散
ポンプなどの真空排気装置１を有する真空チャンバー２
の中にアルゴンイオン３を発生させるアルゴンイオン源
４と、アルゴンイオン源４に対向して水晶振動子などの
圧電素子５を支持するための支持治具６が具備され、ア
ルゴンイオン源４は圧電素子５に対するアルゴンイオン
３の入射角度が圧電素子５の表面の法線方向に対して０
〜±９０度になるように支持治具６に固定されている。
そして、支持治具６は圧電素子５の本体または圧電素子
５の端子７などを取り外し可能である構造であり、また
アルゴンイオン３と支持治具６の間の線上にに電子８を
発生させる熱フィラメントなどの電子線源９を具備し、
アルゴンイオン源４や電子線源９と圧電素子５や支持治
具６との間にアルゴンイオン源４や電子線源９から発生
したアルゴンイオン３や電子８が圧電素子５に照射でき
る面積を有する開口部を持った金属などの導電性の高い
材料からなるエッチング用マスク１０を具備している。
ポンプなどの真空排気装置１を有する真空チャンバー２
の中にアルゴンイオン３を発生させるアルゴンイオン源
４と、アルゴンイオン源４に対向して水晶振動子などの
圧電素子５を支持するための支持治具６が具備され、ア
ルゴンイオン源４は圧電素子５に対するアルゴンイオン
３の入射角度が圧電素子５の表面の法線方向に対して０
〜±９０度になるように支持治具６に固定されている。
そして、支持治具６は圧電素子５の本体または圧電素子
５の端子７などを取り外し可能である構造であり、また
アルゴンイオン３と支持治具６の間の線上にに電子８を
発生させる熱フィラメントなどの電子線源９を具備し、
アルゴンイオン源４や電子線源９と圧電素子５や支持治
具６との間にアルゴンイオン源４や電子線源９から発生
したアルゴンイオン３や電子８が圧電素子５に照射でき
る面積を有する開口部を持った金属などの導電性の高い
材料からなるエッチング用マスク１０を具備している。
【００１１】また、真空チャンバーを介して圧電素子５
の端子７は支持治具６の接続端子１１に接続され、接続
端子１１は発振周波数測定器１２に、エッチング用マス
ク１０は電流測定器１３に、電子線源９は電子線源電源
１４に、アルゴンイオン源４はアルゴンイオン源電源１
５に接続されるような装置構成になっている。
の端子７は支持治具６の接続端子１１に接続され、接続
端子１１は発振周波数測定器１２に、エッチング用マス
ク１０は電流測定器１３に、電子線源９は電子線源電源
１４に、アルゴンイオン源４はアルゴンイオン源電源１
５に接続されるような装置構成になっている。
【００１２】また、圧電素子５を支持治具６に取り付け
る工程と、真空排気装置１により真空チャンバー２内を
例えば１０-6Ｔｏｒｒ程度まで排気した後に、アルゴン
ガスを真空チャンバー２内に導入して１０-4Ｔｏｒｒ台
に維持し、アルゴンイオン源電源１５を制御してアルゴ
ンイオン源４にプラズマを発生させ、プラズマ内のアル
ゴンイオン３をアルゴンイオン源１５から放出させる工
程と、電子線源電源１４を制御して電子線源９から電子
８を発生させる工程と、アルゴンイオン３と電子８を同
時にエッチング用マスク１０の開口部を通して圧電素子
５に照射し圧電素子５上の表面に設けられた金属電極１
６、または金属電極１６と金属電極１６以外の圧電素子
５の部分をエッチングする工程と、エッチングしている
際のエッチング用マスク１０に流れる電流を電流測定器
１３で測定し、電子線源電源１４や、または電子線源電
源１４とアルゴンイオン源電源１５を制御することによ
り、電流測定器１３の測定による電流値をできる限り０
Ａ付近にするようにしたり、前もってその調整を行なっ
ておく工程と、またエッチングしながら圧電素子５の発
振周波数を発振周波数測定器１２により測定して、所定
の発振周波数に調整した段階でアルゴンイオン３や電子
８の照射を止め、真空チャンバー２を大気圧にして発振
周波数が調整された圧電素子５を取り外す工程からなっ
ている圧電素子の周波数調整方法である。
る工程と、真空排気装置１により真空チャンバー２内を
例えば１０-6Ｔｏｒｒ程度まで排気した後に、アルゴン
ガスを真空チャンバー２内に導入して１０-4Ｔｏｒｒ台
に維持し、アルゴンイオン源電源１５を制御してアルゴ
ンイオン源４にプラズマを発生させ、プラズマ内のアル
ゴンイオン３をアルゴンイオン源１５から放出させる工
程と、電子線源電源１４を制御して電子線源９から電子
８を発生させる工程と、アルゴンイオン３と電子８を同
時にエッチング用マスク１０の開口部を通して圧電素子
５に照射し圧電素子５上の表面に設けられた金属電極１
６、または金属電極１６と金属電極１６以外の圧電素子
５の部分をエッチングする工程と、エッチングしている
際のエッチング用マスク１０に流れる電流を電流測定器
１３で測定し、電子線源電源１４や、または電子線源電
源１４とアルゴンイオン源電源１５を制御することによ
り、電流測定器１３の測定による電流値をできる限り０
Ａ付近にするようにしたり、前もってその調整を行なっ
ておく工程と、またエッチングしながら圧電素子５の発
振周波数を発振周波数測定器１２により測定して、所定
の発振周波数に調整した段階でアルゴンイオン３や電子
８の照射を止め、真空チャンバー２を大気圧にして発振
周波数が調整された圧電素子５を取り外す工程からなっ
ている圧電素子の周波数調整方法である。
【００１３】電流測定器１３の電流値をできる限り０Ａ
付近にするということは、エッチング用マスク１０の表
面に正の電荷をもつアルゴンイオン３と負の電荷をもつ
電子８の相反する電荷量が対等になり帯電量が小さいと
いうことである。同様な理由で圧電素子５の表面の電荷
量も小さくなっているために、アルゴンイオン３と電子
８を同時に照射しながらのエッチング中に圧電素子５の
発振周波数が測定できるようになる。つまり、電流測定
器１３の電流値は圧電素子５の発振周波数が測定できる
程度に小さくするということである。
付近にするということは、エッチング用マスク１０の表
面に正の電荷をもつアルゴンイオン３と負の電荷をもつ
電子８の相反する電荷量が対等になり帯電量が小さいと
いうことである。同様な理由で圧電素子５の表面の電荷
量も小さくなっているために、アルゴンイオン３と電子
８を同時に照射しながらのエッチング中に圧電素子５の
発振周波数が測定できるようになる。つまり、電流測定
器１３の電流値は圧電素子５の発振周波数が測定できる
程度に小さくするということである。
【００１４】すなわち、電子線源９から放出される電子
量を圧電素子５の発振周波数を測定できる程度に調整し
て、発振周波数を測定しながら圧電素子５にイオンと電
子を照射して周波数を調整することができる。また、圧
電素子５の金属電極１６などがアルゴンイオン３などの
衝突によりエッチングされることにより、圧電素子５の
質量が減少して発振周波数が上昇する。つまり、調整前
の圧電素子５は所定の発振周波数よりも低い値のもの使
用する。
量を圧電素子５の発振周波数を測定できる程度に調整し
て、発振周波数を測定しながら圧電素子５にイオンと電
子を照射して周波数を調整することができる。また、圧
電素子５の金属電極１６などがアルゴンイオン３などの
衝突によりエッチングされることにより、圧電素子５の
質量が減少して発振周波数が上昇する。つまり、調整前
の圧電素子５は所定の発振周波数よりも低い値のもの使
用する。
【００１５】図２は、本発明のアルゴンイオンを用いた
場合の第２の実施例の説明図である。クライオポンプ、
ターボ分子ポンプや拡散ポンプなどの真空排気装置１を
有する真空チャンバー２の中にアルゴンイオン３を発生
させるアルゴンイオン源４と、アルゴンイオン源４に対
向して水晶振動子などの圧電素子５を支持するための支
持治具６が具備され、アルゴンイオン源４は圧電素子５
に対するアルゴンイオン３の入射角度が圧電素子５の表
面の法線方向に対して０〜±９０度になるように支持治
具６に固定されている。そして、支持治具６は圧電素子
５の本体または圧電素子５の端子７などを取り外し可能
である構造であり、またアルゴンイオン源４と支持治具
６の間の線上でないが電子８を発生させ、圧電素子５に
照射できる位置に設置したプラズマ電子線源などの電子
線源９を具備し、アルゴンイオン源４や電子線源９と圧
電素子５や支持治具６との間にアルゴンイオン源４や電
子線源９から発生したアルゴンイオン３や電子８が圧電
素子５に照射できる面積を有する開口部を持ったエッチ
ング用マスク１０を具備し、圧電素子５に隣接し、圧電
素子５へのアルゴンイオン３や電子８の照射を妨げない
位置で、かつ圧電素子５と同様にアルゴンイオン３や電
子８が照射される位置に金属などの高電導性の材料から
なる測定用電極１７を具備している。例えば、測定用電
極１７は導体板で形成されている。
場合の第２の実施例の説明図である。クライオポンプ、
ターボ分子ポンプや拡散ポンプなどの真空排気装置１を
有する真空チャンバー２の中にアルゴンイオン３を発生
させるアルゴンイオン源４と、アルゴンイオン源４に対
向して水晶振動子などの圧電素子５を支持するための支
持治具６が具備され、アルゴンイオン源４は圧電素子５
に対するアルゴンイオン３の入射角度が圧電素子５の表
面の法線方向に対して０〜±９０度になるように支持治
具６に固定されている。そして、支持治具６は圧電素子
５の本体または圧電素子５の端子７などを取り外し可能
である構造であり、またアルゴンイオン源４と支持治具
６の間の線上でないが電子８を発生させ、圧電素子５に
照射できる位置に設置したプラズマ電子線源などの電子
線源９を具備し、アルゴンイオン源４や電子線源９と圧
電素子５や支持治具６との間にアルゴンイオン源４や電
子線源９から発生したアルゴンイオン３や電子８が圧電
素子５に照射できる面積を有する開口部を持ったエッチ
ング用マスク１０を具備し、圧電素子５に隣接し、圧電
素子５へのアルゴンイオン３や電子８の照射を妨げない
位置で、かつ圧電素子５と同様にアルゴンイオン３や電
子８が照射される位置に金属などの高電導性の材料から
なる測定用電極１７を具備している。例えば、測定用電
極１７は導体板で形成されている。
【００１６】また、真空チャンバーを介して圧電素子５
の端子７は支持治具６の接続端子１１に接続され、接続
端子１１は発振周波数測定器１２に、測定用電極１７は
電流測定器１３に、電子線源９は電子線源電源１４に、
アルゴンイオン源４はアルゴンイオン源電源１５に接続
され、電流測定器１３は電子線電源１４やアルゴンイオ
ン源電源１５に接続される装置構成になっている。
の端子７は支持治具６の接続端子１１に接続され、接続
端子１１は発振周波数測定器１２に、測定用電極１７は
電流測定器１３に、電子線源９は電子線源電源１４に、
アルゴンイオン源４はアルゴンイオン源電源１５に接続
され、電流測定器１３は電子線電源１４やアルゴンイオ
ン源電源１５に接続される装置構成になっている。
【００１７】また、圧電素子５を支持治具６に取り付け
る工程と、真空排気装置１により真空チャンバー２内を
例えば１０-6Ｔｏｒｒ程度まで排気した後に、アルゴン
ガスを真空チャンバー２内に導入して１０-4Ｔｏｒｒ台
に維持し、アルゴンイオン源電源１５を制御してアルゴ
ンイオン源４にプラズマを発生させ、プラズマ内のアル
ゴンイオン３をアルゴンイオン源４から放出させる工程
と、電子線源電源１４を制御して電子線源９にプラズマ
を起こし、電子線源９から電子８を放出させる工程と、
アルゴンイオン３と電子８を同時に測定用電極１７と、
エッチング用マスク１０の開口部を通して圧電素子５に
照射し圧電素子５上の表面に設けられた金属電極１６、
または金属電極１６と金属電極１６以外の圧電素子５の
部分をエッチングする工程と、エッチングしている際の
測定用電極１７に流れる電流を電流測定器１３で測定
し、電流測定器１３の測定による電流値をできる限り０
Ａ付近にするように電子線源電源１４や、または電子線
源電源１４やアルゴンイオン源電源１５にフィードバッ
クをかけて電子線源電源１４やアルゴンイオン源電源１
５の設定を自動的に調整する工程と、またエッチングし
ながら圧電素子５の発振周波数を発振周波数測定器１２
により測定して、所定の発振周波数に調整した段階でア
ルゴンイオン３や電子８の照射を止め、真空チャンバー
２を大気圧にして発振周波数が調整された圧電素子５を
取り外す工程からなる圧電素子の周波数調整方法であ
る。
る工程と、真空排気装置１により真空チャンバー２内を
例えば１０-6Ｔｏｒｒ程度まで排気した後に、アルゴン
ガスを真空チャンバー２内に導入して１０-4Ｔｏｒｒ台
に維持し、アルゴンイオン源電源１５を制御してアルゴ
ンイオン源４にプラズマを発生させ、プラズマ内のアル
ゴンイオン３をアルゴンイオン源４から放出させる工程
と、電子線源電源１４を制御して電子線源９にプラズマ
を起こし、電子線源９から電子８を放出させる工程と、
アルゴンイオン３と電子８を同時に測定用電極１７と、
エッチング用マスク１０の開口部を通して圧電素子５に
照射し圧電素子５上の表面に設けられた金属電極１６、
または金属電極１６と金属電極１６以外の圧電素子５の
部分をエッチングする工程と、エッチングしている際の
測定用電極１７に流れる電流を電流測定器１３で測定
し、電流測定器１３の測定による電流値をできる限り０
Ａ付近にするように電子線源電源１４や、または電子線
源電源１４やアルゴンイオン源電源１５にフィードバッ
クをかけて電子線源電源１４やアルゴンイオン源電源１
５の設定を自動的に調整する工程と、またエッチングし
ながら圧電素子５の発振周波数を発振周波数測定器１２
により測定して、所定の発振周波数に調整した段階でア
ルゴンイオン３や電子８の照射を止め、真空チャンバー
２を大気圧にして発振周波数が調整された圧電素子５を
取り外す工程からなる圧電素子の周波数調整方法であ
る。
【００１８】第１の実施例のエッチング用マスク１０と
第２の実施例の測定用電極の材料と圧電素子５の金属電
極１６の材料が異なり、金属電極１６の方が帯電率が高
い場合には、エッチング用マスク１０と測定用電極１７
で０Ｖ付近、つまりは帯電しないように調整したとして
も、圧電素子５の金属電極１６が帯電していることが起
きる時があり、そのために、イオンと電子を照射しなが
ら圧電素子５の発振周波数を測定できないという問題が
生じる。そこで、エッチング用マスク１０と測定用電極
１７の材料と圧電素子５の材料を同じにすることにより
上記の問題も解決できる。
第２の実施例の測定用電極の材料と圧電素子５の金属電
極１６の材料が異なり、金属電極１６の方が帯電率が高
い場合には、エッチング用マスク１０と測定用電極１７
で０Ｖ付近、つまりは帯電しないように調整したとして
も、圧電素子５の金属電極１６が帯電していることが起
きる時があり、そのために、イオンと電子を照射しなが
ら圧電素子５の発振周波数を測定できないという問題が
生じる。そこで、エッチング用マスク１０と測定用電極
１７の材料と圧電素子５の材料を同じにすることにより
上記の問題も解決できる。
【００１９】すなわち、第１の実施例のエッチング用マ
スク１０や第２の実施例の測定用電極１７が圧電素子５
の金属電極１６と同じ材料を用いることにより、測定用
電極１７が圧電素子５の金属電極１６の両方の帯電率が
同じであるために、圧電素子５に入射する電流を正確に
測定できる。
スク１０や第２の実施例の測定用電極１７が圧電素子５
の金属電極１６と同じ材料を用いることにより、測定用
電極１７が圧電素子５の金属電極１６の両方の帯電率が
同じであるために、圧電素子５に入射する電流を正確に
測定できる。
【００２０】また、前述の２つの実施例において、電子
線源として熱フィラメントとプラズマ電子線源を用いた
が、他の熱陰極電子線源や冷陰極型などの電界放出電子
線源、またはホローカソード等の電子線源を用いてもよ
く、電子やアルゴンイオンが圧電素子自体に照射しない
ように遮蔽するためのシャッターを圧電素子とイオン源
や電子線源の間に設けたりすることもあり、アルゴンイ
オン単体ではなく他のイオンを含有したり、他のイオン
単体で行っても良い。
線源として熱フィラメントとプラズマ電子線源を用いた
が、他の熱陰極電子線源や冷陰極型などの電界放出電子
線源、またはホローカソード等の電子線源を用いてもよ
く、電子やアルゴンイオンが圧電素子自体に照射しない
ように遮蔽するためのシャッターを圧電素子とイオン源
や電子線源の間に設けたりすることもあり、アルゴンイ
オン単体ではなく他のイオンを含有したり、他のイオン
単体で行っても良い。
【００２１】
【発明の効果】本発明は、以上説明したようにイオンと
電子を同時に圧電素子に照射しエッチングしながら圧電
素子の発振周波数を同時に測定し発振周波数を調整が可
能となる。これは、従来に比べて工程数を減らすことが
でき、調整工程時間が短縮できて、かつリアルタイムに
周波数が測定されるため高精度の周波数調整が可能とな
った。
電子を同時に圧電素子に照射しエッチングしながら圧電
素子の発振周波数を同時に測定し発振周波数を調整が可
能となる。これは、従来に比べて工程数を減らすことが
でき、調整工程時間が短縮できて、かつリアルタイムに
周波数が測定されるため高精度の周波数調整が可能とな
った。
【図１】本発明の圧電素子の周波数調整装置の第１の実
施例の説明図である。
施例の説明図である。
【図２】本発明の圧電素子の周波数調整装置の第２の実
施例の説明図である。
施例の説明図である。
【図３】従来の圧電素子の周波数調整装置の説明図であ
る。
る。
１ 真空排気装置 ２ 真空チャンバー ３ アルゴンイオン ４ アルゴンイオン源 ５ 圧電素子 ６ 支持治具 ７ 端子 ８ 電子 ９ 電子線源 １０ エッチング用マスク １１ 接続端子 １２ 発振周波数測定器 １３ 電流測定器 １４ 電子線源電源 １５ アルゴンイオン源電源 １６ 金属電極 １７ 測定用電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 弘幸 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 真空チャンバー内の一端部に設けられた
圧電素子を取り付ける支持台と、前記支持台に対向して
前記真空チャンバー内の他端部に設けられたイオン源
と、前記イオン源の付近に離れて設けられた電子線源
と、前記圧電素子に隣接して設けられた導電性電極と、
前記圧電素子の発振周波数を測定するための測定器とか
ら成り、前記圧電素子に前記イオン源からのイオンと前
記電子線源からの電子とを前記圧電素子に照射しながら
前記圧電素子の発振周波数を調整することを特徴とする
圧電素子の周波数調整装置。 - 【請求項２】 圧電素子を支持具に取り付けて真空チャ
ンバーを排気後アルゴンガスを導入する工程と、イオン
源からイオンを放出させる工程と、電子線源から電子を
発生させる工程と、前記イオンと前記電子とを同時に前
記圧電素子に照射しながら圧電素子の発振周波数を調整
する工程とから成る圧電素子の周波数の調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14358094A JPH0818372A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 圧電素子の周波数調整装置及び圧電周波数調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14358094A JPH0818372A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 圧電素子の周波数調整装置及び圧電周波数調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0818372A true JPH0818372A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15342048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14358094A Pending JPH0818372A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 圧電素子の周波数調整装置及び圧電周波数調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818372A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10126186A (ja) * | 1996-10-16 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 水晶振動子の周波数調整装置 |
| US6456173B1 (en) * | 2001-02-15 | 2002-09-24 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Method and system for wafer-level tuning of bulk acoustic wave resonators and filters |
| JP2007205806A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Kyocera Kinseki Corp | 微少質量測定用センサ素子の製造方法、及びその素子 |
| JP2017123615A (ja) * | 2016-01-08 | 2017-07-13 | エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 | 圧電振動片の製造方法 |
-
1994
- 1994-06-24 JP JP14358094A patent/JPH0818372A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10126186A (ja) * | 1996-10-16 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 水晶振動子の周波数調整装置 |
| US6456173B1 (en) * | 2001-02-15 | 2002-09-24 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Method and system for wafer-level tuning of bulk acoustic wave resonators and filters |
| JP2007205806A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Kyocera Kinseki Corp | 微少質量測定用センサ素子の製造方法、及びその素子 |
| JP2017123615A (ja) * | 2016-01-08 | 2017-07-13 | エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 | 圧電振動片の製造方法 |
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