JPH08185797A - 透明導電膜形成用処理液およびその処理液を用いた透明導電膜の作製方法 - Google Patents

透明導電膜形成用処理液およびその処理液を用いた透明導電膜の作製方法

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JPH08185797A
JPH08185797A JP33808094A JP33808094A JPH08185797A JP H08185797 A JPH08185797 A JP H08185797A JP 33808094 A JP33808094 A JP 33808094A JP 33808094 A JP33808094 A JP 33808094A JP H08185797 A JPH08185797 A JP H08185797A
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transparent conductive
conductive film
treatment liquid
forming
silicate
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JP33808094A
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Hiromitsu Takeda
広充 武田
Hiroko Inage
裕子 稲毛
Kenji Adachi
健治 足立
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Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 低温焼成が可能で、陰極線管（ＣＲＴ）の電
界シールド用の高い導電性をもつ膜を形成できる透明導
電膜の提供。 【構成】 錫含有酸化インジウムとアンチモン含有酸化
錫のうちのいずれか一方もしくは両方の微粉末、七価の
レニウム化合物とその還元能を有する化合物、アルキル
シリケート部分加水分解重合物を主成分とするシリケー
ト系バインダー、および有機溶剤とから実質的に構成さ
れる透明導電膜形成用処理液を用い、１００℃以上４５
０℃以下の温度で焼成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＯＡ機器のディスプレ
イやテレビジョン（ＴＶ）ブラウン管等の陰極線管から
発生する電界をシールドするための透明導電膜の作製方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】テレビゲーム機やパーソナルコンピュー
ター、ワープロ等の陰極線管（ＣＲＴ）においては、表
示画面が見やすく、視覚疲労を感じさせないことのほか
に、ＣＲＴ表面の帯電によるホコリの付着や手が触れた
時の電撃ショック等がないことが要求される。さらにこ
れに加えて最近では、ＣＲＴから発生する低周波電磁波
の人体に対する悪影響が懸念されており、このような電
磁波が外部に漏洩しないＣＲＴが望まれている。
【０００３】電磁波は、偏向コイルやフライバックトラ
ンスから発生し、ＴＶの大型化に伴って益々大きな電磁
波が周囲に洩れる傾向にある。磁界の漏洩は、偏向コイ
ルの形状を変える等の工夫で大部分を防止することがで
きる。一方、電界の漏洩に対しては、ＣＲＴ前面ガラス
表面に導電性の透明被膜を形成することにより防止でき
る。この方法は、近年、帯電防止のためにとられてきた
対策と原理的には同一である。ただし、この場合の導電
性被膜の導電性は、帯電防止用に形成されていた導電性
被膜の導電性よりもはるかに高い値が求められ、帯電防
止には表面抵抗で１０８Ω／□程度で十分とされている
が、漏洩電界を防ぐためには少なくとも１０６Ω／□以
下、好ましくは１０２〜１０３Ω／□台の低抵抗の透明
膜を形成する必要がある。
【０００４】このような透明膜の形成において、材料的
にはアンチモン含有酸化錫（ＡＴＯ）や錫含有酸化イン
ジウム（ＩＴＯ）が用いられており、また工程的には４
５０℃以下、好ましくは２００℃程度以下の温度での成
膜が求められる。これは温度条件としてはガラス軟化点
近傍の温度以下とする必要があり、かつコストや歩留を
考慮するとフェイスパネルを真空封着後のＣＲＴ完成球
に透明導電膜を形成することが好ましいという事情によ
る。
【０００５】上記の要求に対応するため、従来よりスパ
ッタ法や蒸着法によりＡＴＯやＩＴＯの被膜を形成する
ものなどいくつか知られているが、さらに低コストで低
い表面抵抗を実現できるものとして、アルキルシリケー
トの結合剤とＮーメチル・２ーピロリドンを主成分とす
る極性溶媒中に、錫を１〜１０重量％含有した平均粒径
５０ｎｍ以下のＩＴＯ粉末を１〜１５重量％分散させた
電界シールド用処理液が提案されている（特開平６−２
３４５５２号公報参照）。これによれば、前記の処理液
をＣＲＴ前面ガラスに塗布、乾燥後、２００℃以下の温
度で焼成することにより、１０３〜１０６Ω／□の表面
抵抗値が得られる。この処理液には、導電性微粉末とし
てＩＴＯを主成分として用いるが、ＡＴＯやアルミニウ
ム含有酸化亜鉛（ＡＺＯ）で一部を代替または置換する
こともできる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のインク塗布法
は、真空蒸着やスパッタ法等の透明導電膜形成方法に比
べてはるかに簡便であって製造コストも低く、ＣＲＴの
電界シールドへの対応としては極めて有利な方法であ
る。しかしながら、この方法はスパッタ法や蒸着法に比
べると、得られる表面抵抗値においてやや劣ることが欠
点として挙げられる。前記の処理液を用いた場合、膜厚
を厚くすれば１０３Ω／□台の低表面抵抗も可能である
が、膜厚を厚くすると膜に曇り（ヘイズ）が生じてくる
ので好ましくない。したがって、膜厚を増加せずに電界
シールド効果を高めるためには、可及的に比抵抗の小さ
い膜をインク法で形成することが望まれる。
【０００７】本発明は、従来のこのような実状に鑑みて
なされたもので、低温で焼成可能であり、ＣＲＴの電界
シールド用の高い導電性をもつ膜を形成できる透明導電
膜形成用処理液およびその処理液を用いた透明導電膜の
作製方法を提案しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る透明導電膜
形成用処理液は、（１）ＩＴＯとＡＴＯのうちのいずれ
か一方もしくは両方の微粉末、七価のレニウム化合物と
その還元能を有する化合物、および有機溶媒とから実質
的に構成されるもの、（２）ＩＴＯとＡＴＯのうちのい
ずれか一方もしくは両方の微粉末、七価のレニウム化合
物とその還元能を有する化合物、アルキルシリケート部
分加水分解重合物を主成分とするシリケート系バインダ
ー、および有機溶剤とから実質的に構成されるもの、
（３）前記七価のレニウム化合物の還元能を有する化合
物として、水、アルコール、アンモニアのうちの一種も
しくは二種以上を使用すること、（４）前記七価のレニ
ウム化合物は、七酸化二レニウム、過レニウム酸、過レ
ニウム酸アンモニウムのうちの一種以上であること、
（５）前記七価のレニウム化合物の含有量は、三酸化レ
ニウムに換算して、錫含有酸化インジウムまたは／およ
びアンチモン含有酸化錫微粉末の含有量に対して重量比
で０．１％以上２５％未満であることを特徴とする。さ
らに、本発明に係る前記透明導電形成用処理液を用いた
透明導電膜の作製方法は、（６）前記透明導電形成用処
理液を含む塗布液を基体に塗布後、１００℃以上４５０
℃以下の温度で焼成すること、（７）前記透明導電膜形
成用処理液を含む塗布液を基体に塗布後、アルキルシリ
ケート部分加水分解重合物を主成分とするシリケート系
オーバーコート液を塗布し、１００℃以上４５０℃以下
の温度で焼成することを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明の処理液において、透明導電性を与える
微粒子の主体として用いられるＩＴＯ粉末としては、錫
を１〜１０重量％含有した平均粒径１００ｎｍ以下のも
のを使用することができ、またＡＴＯ粉末としては、ア
ンチモンを１〜２０重量％含有した平均粒径７０ｎｍ以
下のものを使用することができるが、膜にしたときに十
分低いヘイズ値や反射率を得るには、平均粒径は両者と
も５０ｎｍ以下のものがより好ましい。
【００１０】ＩＴＯやＡＴＯの酸素の一部をフッ素で置
換すると導電性向上のために効果のあることが知られて
いるが、本発明においてもＩＴＯやＡＴＯの代わりにフ
ッ素添加酸化インジウム（ＦＩＯ）、フッ素添加酸化錫
（ＦＴＯ）、フッ素添加酸化亜鉛（ＦＺＯ）等で一部を
代替してもよい。また、ＩＴＯやＡＴＯの代わりにＡＺ
Ｏ（アルミニウム含有酸化亜鉛）で一部を代替してもよ
い。
【００１１】本発明において、上記の透明導電性微粒子
に加えて、七価のレニウム化合物とその還元能を有する
化合物を用いるのは、これらを含む溶液をコートした膜
を焼成すると、膜中に三酸化レニウム（ＲｅＯ３）が析
出するからである。ＲｅＯ３は比抵抗においてＩＴＯや
ＡＴＯよりも２〜４桁小さいため、ＩＴＯやＡＴＯに加
えてＲｅＯ３が膜の中に混合されて導電層を形成するこ
とにより膜の導電性が顕著に増加する。
【００１２】ＲｅＯ３を析出させる機構の詳細は不明で
あるが、七価のレニウム化合物により溶媒中に供給され
る過レニウム酸イオンＲｅＯ４ ＋が焼成中に還元されて
ＲｅＯ３を生成する過程や、七価のレニウムイオンＲｅ
７＋が六価のレニウムイオンＲｅ６＋に還元された後こ
れがＲｅＯ３となる過程等が考えられる。
【００１３】還元能を有する化合物としては、七価のレ
ニウムイオンＲｅ７＋や過レニウム酸イオンＲｅＯ４ ＋
を焼成中に還元してＲｅＯ３を生成し、しかも適当な揮
発性を有する化合物が使用され、その好ましい例として
は水、アルコール、アンモニア等を挙げることができ
る。還元作用は水とアルコールがアンモニアよりも強
く、また焼成温度が高いほど強まるが、溶媒の還元作用
が強すぎると、ＲｅＯ３やＲｅ２Ｏ３を生成して導電性
が低下する。導電性に重要なＲｅＯ３の生成量や生成状
態は、処理液に含有されるＲｅ７＋イオン、ＲｅＯ４ ＋
イオン、ＩＴＯ／ＡＴＯ微粒子の量や、焼成温度に大き
な影響を受けるので、これらの条件に応じて溶媒中の
水、アルコール、アンモニアの添加量の選択が必要であ
るが、一般的にはメタノール、エタノール等の低級アル
コールを還元溶媒とした時に好ましい結果が得られてい
る。
【００１４】七価のレニウム化合物としては、溶液中に
七価のレニウムを含むイオンＲｅ７＋やＲｅＯ４を供給
できるものであれば何でもよく、例えば七酸化二レニウ
ム（Ｒｅ２Ｏ７）、過レニウム酸（ＨＲｅＯ４）レニウ
ムオキシ酸塩（ＭＲｅＯ４：Ｍ＝Ｎａ、Ｋ、Ａｇ、Ｃ
ｓ、Ｐｂ、Ｔｌ、Ｒｂ、およびＮ（ＲｅＯ４）２：Ｎ＝
Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｂ、Ｐｂ）、過レニ
ウム酸アンモニウム（ＮＨ４ＲｅＯ４）、七硫化二レニ
ウム（Ｒｅ２Ｓ７）、塩化レニウム酸（ＲｅＯ３Ｃｌ）
等を使用可能なものとして挙げることができるが、水や
アルコール等の溶媒への溶解性が高いことや溶液中に不
純物を導入させないことからＲｅ２Ｏ７、ＨＲｅＯ４、
ＮＨ４ＲｅＯ４が最も好ましい。特にＲｅ２Ｏ７は水や
アルコール等の溶媒に極めて容易に溶解し、Ｒｅ２Ｏ７
の水溶液であるＨＲｅＯ４と並んで好ましい効果が得ら
れる。
【００１５】七価のレニウム化合物の含有量が増すと、
析出するＲｅＯ３の量は多くなるが、不均一に析出する
傾向があり、ＲｅＯ３換算で約２５重量％以上になると
大きく凝集したＲｅＯ３粒子やデンドライト状のＲｅＯ
３組織になったりするため、導電バスの形成が阻害さ
れ、導電性は無添加の場合よりも悪くなる傾向があり、
また膜のヘイズ値は高くなる傾向がある。逆に七価のレ
ニウム化合物の含有量が０．１％未満ではＲｅＯ３生成
量が不十分で導電性向上の効果が十分に得られない。本
発明における七価のレニウム化合物の含有量を、ＩＴＯ
または／およびＡＴＯの含有量に対してＲｅＯ３換算の
重量比で０．１％以上２５％未満と限定したのはかかる
理由による。
【００１６】アルキルシリケート部分加水分解重合物と
しては、オルトアルキルシリケートに水や酸触媒を加え
て加水分解と脱水縮重合をある程度進行させた形のも
の、またはすでに４〜５量体まで加水分解縮重合を進ま
せた市販のアルキルシリケート溶液をさらに加水分解脱
水縮重合を進行させた形のもの等を用いることができ
る。この場合のアルキル基としてはメチル、エチル等の
低級アルキル基が好ましい。縮重合が進むと溶液粘度が
上昇し最終的には固化するので、アルキルシリケートの
縮重合の度合いは溶液が基板に塗布できる粘度の範囲内
で用いる。
【００１７】このようなアルキルシリケート部分加水分
解重合物は、処理液塗布後の焼成加熱時に縮重合反応が
ほぼ完結して硬いシリケートになる。アルキルシリケー
ト部分加水分解重合物を含むバインダー溶液には、耐水
性向上のためにフルオロアルキルシランが添加されても
問題はない。また、屈折率調整や強度補強のために、ポ
リシロキサン中のＳｉの一部をＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ等で置
換することも可能である。
【００１８】なお、透明導電膜形成用処理液には、アル
キルシリケート部分加水分解重合物を含むシリケート系
バインダーは含まれなくても使用できるが、この場合膜
強度が格段に落ちるので、後述するオーバーコートを施
した２層膜として使用するのが好ましい。また、基板ガ
ラスとのなじみが悪くなって塗りむら等を生ずることが
あるので、塗布液成分等に工夫を要する。
【００１９】処理液の塗布方法としては、スピンコート
法が一般的であるが、スプレーコート法やディップコー
ト法等、処理液を平坦にかつ薄く均一に塗布できる方法
であればいかなる方法でもよい。
【００２０】本発明において、処理液塗布後の焼成温度
を１００℃以上４５０℃以下の温度に限定したのは、以
下に示す理由による。本発明の処理液は２００℃以下の
低温でも十分に低抵抗の膜を形成できるが、焼成温度は
なるべく高い方が膜が緻密になり抵抗値も下がる傾向が
ある。しかし、焼成温度が４５０℃を超えると、いった
ん還元されて生成したＲｅＯ３が再び酸化が進んでＲｅ
２Ｏ７へ分解傾向を示すために抵抗が増加し、またＩＴ
Ｏ中の欠損酸素が補充されてＩＴＯ自身の抵抗値も上が
るので、膜の抵抗が増加するとともにヘイズも大きくな
る。逆に、焼成温度が１００℃未満ではシリケートの縮
重合反応が未完結で残る場合が多く、また粒子に吸着し
て残留した有機溶媒の影響で極めて脆弱な膜になってし
まう。かかる理由により、本発明では処理液塗布後の焼
成温度を１００℃以上４５０℃以下に限定したのであ
る。ただし、ＣＲＴ完成後の加熱では通常２００℃を超
えることは好ましくない。
【００２１】本発明の処理液による透明導電膜は、膜強
度の補強と低反射効果付与のために、この透明導電膜の
上にシリケート系のオーバーコートガラスを被せた２層
構造で使用することも可能である。この２層膜は、処理
液を塗布、乾燥後、前記のアルキルシリケート部分加水
分解重合物を主成分とするシリケート溶液を塗布し、そ
の後焼成することにより形成することができる。シリケ
ートをオーバーコートとして用いる理由は、強度、耐候
性に優れ、透明度が高くヘイズが低いこと、およびＣＲ
Ｔに適した低温で焼成できることである。また、低反射
効果は、１層目の反射波と２層目の反射波の間に破壊的
干渉が起こることによる。本処理液とシリケート溶液を
用いたこのような２層透明導電膜は、電界シールド効果
に加えて見やすい画面の低反射効果を備えた低コスト高
付加価値のＣＲＴを供給することができる。
【００２２】さらに、このような透明導電膜は、ＣＲＴ
前面ガラスのみでなく、計測器類を覆う窓や、電子顕微
鏡の観察窓、外部電磁場を遮蔽したいＩＣやＬＳＩの透
明容器等を基体として形成することも可能である。
【００２３】なお、本発明の透明導電膜形成用処理液や
オーバーコート液に含まれる有機溶媒としては、焼成温
度以下での適度の揮発性をもち、導電性粒子またはシリ
カ微粒子を効率よく分散し得るものとして、例えばエタ
ノール、イソプロピルアルコール、ｎープタノール、ジ
メチルフォルムアミド、ジメチルアセトアミド、メチル
セロソルブ、Ｎーメチルー２ーピロリドン（ＮＭＰ）、
４ーヒドロキシー４ーメチルー２ーペンタノン（ＤＡ
Ａ）、アセトン、テトラヒドロキシフラン（ＴＨＦ）等
を好ましい例として挙げることができる。処理液中の溶
媒としては、基板ガラス上への塗布方法に応じて、適切
な粘度や表面張力を与えるように、上記以外の溶剤も適
宜用いられる。
【００２４】
【実施例】
実施例１ ＩＴＯ超微粉（錫成分５重量％、平均粒径２０ｎｍ、住
友金属鉱山株式会社製）１５ｇ、ＮＭＰ２０ｇ、ＤＡＡ
５０ｇを混合し、直径５ｍｍのジルコニアボールを用い
て７２時間ボールミル混合してＩＴＯ分散液８５ｇを作
製した。一方、平均重合度で４〜５量体であるエチルシ
リケート４０（多摩化学工業株式会社製）を４ｇ、蒸留
水５ｇ、エタノール２０ｇの混合溶液中にエタノール１
５ｇと５％塩酸水溶液８ｇの混合溶液を滴下して、部分
的に加水分解と重合反応の進行したエチルシリケート溶
液５２ｇを調製した。次に、これらのＩＴＯ分散液とエ
チルシリケート溶液に、Ｒｅ２Ｏ７粉末４ｇをエタノー
ル２３４ｇに溶解したレニウム溶液２３８ｇを加えて混
合し、Ｒｅ２Ｏ７の重量混合比率がＲｅＯ３換算でＩＴ
Ｏ：ＲｅＯ３＝８０：２０である透明導電膜形成用処理
液３７５ｇを得た。この処理液１５ｇを１５０ｒｐｍで
回転する２００×２００×３ｍｍのソーダライム系板ガ
ラス基板上にビーカから滴下し、そのまま３分振切った
後回転を止めた。これを２００℃の電気炉に入れて３０
分焼成して焼成膜を得た。この焼成膜を薄膜ゴニオメー
タ付きＸ線回折装置で分析したところ、ＩＴＯとＲｅＯ
３からの回折パターンのみが固定された。
【００２５】さらに、形成された膜の表面抵抗は三菱油
化株式会社製の表面抵抗計ＭＣＰーＴ２００を用いて、
ヘイズ値は村上色彩技術研究所製ヘイズメーターＨＲー
２００を用いてそれぞれ測定した。測定結果を表１に示
す。ここでは、ＩＴＯやＡＴＯ等の透明導電性微粒子成
分に対するレニウム酸化物の成分比は、添加したレニウ
ムがすべてＲｅＯ３に変化したと仮定した時の比を重量
％で表示した。本実施例においては、ＩＴＯ：ＲｅＯ３
＝８０：２０である。また、表１には以下に示す実施例
２〜１１および比較例１〜３で得られた膜の特性につい
ても併せて示した。
【００２６】実施例２ Ｒｅ２Ｏ７の混合比率を、ＲｅＯ３換算でＩＴＯ：Ｒｅ
Ｏ３＝９５：５とした以外は、実施例１と同様の条件で
焼成膜を得た。
【００２７】実施例３ Ｒｅ２Ｏ７の混合比率を、ＲｅＯ３換算でＩＴＯ：Ｒｅ
Ｏ３＝９０：１０とした以外は、実施例１と同様の条件
で焼成膜を得た。
【００２８】実施例４ レニウム溶液としてＲｅ成分を５０．８ｗｔ％含有する
過レニウム酸液１．３ｇとエタノール２３６ｇの混合溶
液を用いた以外は、実施例２と同様の条件で焼成膜を得
た。
【００２９】実施例５ レニウム溶液としてＲｅ成分を６９．１ｗｔ％含有する
過レニウム酸アンモニウム０．９ｇと蒸留水３７ｇとエ
タノール２００ｇの混合溶液２３８ｇを用いた以外は、
実施例２と同様の条件で焼成膜を得た。
【００３０】実施例６ ＩＴＯ超微粉１５ｇの代りにＡＴＯ超微粉（平均粒径１
４ｎｍ、住友金属鉱山株式会社製）１５ｇを用いた以外
は、実施例１と同様の条件で焼成膜を得た。
【００３１】実施例７ ＩＴＯ超微粉１５ｇの代りにＩＴＯ超微粉７．５ｇとＡ
ＴＯ超微粉７．５ｇの混合粉１５ｇを用いた以外は、実
施例１と同様の条件で焼成膜を得た。
【００３２】実施例８ 焼成温度を４３０℃とした以外は、実施例３と同様の条
件で焼成膜を得た。
【００３３】実施例９ 焼成温度を１２０℃とした以外は、実施例３と同様の条
件で焼成膜を得た。
【００３４】実施例１０ ＩＴＯ超微粉（平均粒径２０ｎｍ、住友金属鉱山株式会
社製）１５ｇ、ＮＭＰを２０ｇ、ＤＡＡ５０ｇを混合
し、直径５ｍｍのジルコニアボールを用いて１７２時間
ボールミル混合してＩＴＯ分散液８５ｇを作製した。こ
の分散液を、Ｒｅ２Ｏ７粉末４ｇをエタノール２８６ｇ
に溶解したレニウム溶液２９０ｇと共に混合して、シリ
ケート系バインダーを含まない透明導電膜形成用処理液
３７５ｇを得た。一方、平均重合度で４〜５量体である
エチルシリケート４０（多摩化学工業株式会社製）を４
ｇ、蒸留水５ｇ、エタノール２０ｇの混合溶液中にエタ
ノール１５ｇと５％塩酸水溶液８ｇの混合溶液を滴下し
て、部分的に加水分解と重合反応の進行したエチルシリ
ケート溶液５２ｇを調製した。次に、シリケート系バイ
ンダーを含まない透明導電膜形成用処理液１５ｇを１５
０ｒｐｍで回転する板ガラス上に滴下して３分間振切っ
た。続いて、エチルシリケート溶液１５ｇを滴下し、１
分振切った後回転を止めた。これを２００℃の電気炉に
入れて３０分焼成して透明導電膜とオーバーコート膜の
２層からなる焼成膜を得た。
【００３５】実施例１１ まず実施例１と同様の手順でシリケート系バインダーを
含む透明導電膜形成用処理液、およびエチルシリケート
溶液を調製した。次に、シリケート系バインダーを含む
透明導電膜形成用処理液１５ｇを１５０ｒｐｍで回転す
る板ガラス上に滴下して３分間振切った。続いて、エチ
ルシリケート溶液１５ｇを滴下し、１分振切った後回転
を止めた。これを２００℃の電気炉に入れて３０分焼成
して透明導電膜とオーバーコート膜の２層からなる焼成
膜を得た。
【００３６】比較例１ ＩＴＯ超微粉（平均粒径２０ｎｍ、住友金属鉱山株式会
社製）１５ｇ、ＮＭＰ２０ｇ、ＤＡＡ５０ｇを混合し、
直径５ｍｍのジルコニアボールを用いて１７２時間ボー
ルミル混合してＩＴＯ分散液８５ｇを作製した。一方、
平均重合度で４〜５量体であるエチルシリケート４０
（多摩化学工業株式会社製）を４ｇ、蒸留水５ｇ、エタ
ノール２０ｇの混合溶液中にエタノール１５ｇと５％塩
酸水溶液８ｇの混合溶液を滴下して、部分的に加水分解
と重合反応の進行したエチルシリケート溶液５２ｇを調
製した。次に、これらのＩＴＯ分散液とエチルシリケー
ト溶液を混合し、透明導電膜形成用処理液１３７ｇを得
た。この処理液１５ｇを、１５０ｒｐｍで回転する２０
０×２００×３ｍｍのソーダライム系板ガラス基板上に
ビーカから滴下し、そのまま３分振切った後回転を止め
た。これを２００℃の電気炉に入れて３０分焼成してＲ
ｅＯ３の存在しない焼成膜を得た。
【００３７】比較例２ Ｒｅ２Ｏ７の混合比率を、ＲｅＯ３換算でＩＴＯ：Ｒｅ
Ｏ３＝７０：３０とした以外は、実施例２と同様の条件
で焼成膜を得た。
【００３８】比較例３ 焼成温度を５００℃とした以外は、実施例４と同様の条
件で焼成膜を得た。
【００３９】以上の実施例１〜１１及び比較例１〜３か
らわかるように、透明導電性粒子に加えて七価のレニウ
ム化合物を添加した場合には、無添加の場合に比べて表
面抵抗が最大１／７程度に低下しており、電界シールド
に必要な高い導電性を得る上で七価のレニウム化合物を
添加する効果は明らかである。また、焼成温度はＣＲＴ
完成球に成膜するのに適した２００℃以下で十分である
が、４００℃を超えるような場合には、抵抗値が急増し
て発明の効果は得られない。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【発明の効果】以上説明したごとく、本発明によれば、
従来の電界シールド用処理液による透明導電膜より低い
表面抵抗値が得られるとともに、低温度での焼成が可能
であるから、ＣＲＴの電界シールド用の高い導電性を有
する膜を低コストで作製することができるという優れた
効果を奏する。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 錫含有酸化インジウムとアンチモン含有
    酸化錫のうちのいずれか一方もしくは両方の微粉末、七
    価のレニウム化合物とその還元能を有する化合物、およ
    び有機溶媒とから実質的に構成される透明導電膜形成用
    処理液。
  2. 【請求項２】 錫含有酸化インジウムとアンチモン含有
    酸化錫のうちのいずれか一方もしくは両方の微粉末、七
    価のレニウム化合物とその還元能を有する化合物、アル
    キルシリケート部分加水分解重合物を主成分とするシリ
    ケート系バインダー、および有機溶剤とから実質的に構
    成される透明導電膜形成用処理液。
  3. 【請求項３】 七価のレニウム化合物の還元能を有する
    化合物として、水、アルコール、アンモニアのうちの一
    種もしくは二種以上を使用することを特徴とする請求項
    １または２に記載の透明導電膜形成用処理液。
  4. 【請求項４】 七価のレニウム化合物は、七酸化ニレニ
    ウム、過レニウム酸、過レニウム酸アンモニウムのうち
    の一種以上であることを特徴とする請求項１または２に
    記載の透明導電膜形成用処理液。
  5. 【請求項５】 七価のレニウム化合物の含有量は、三酸
    化レニウムに換算して、錫含有酸化インジウムまたは／
    およびアンチモン含有酸化錫微粉末の含有量に対して重
    量比で０．１％以上２５％未満であることを特徴とする
    請求項１、２または４に記載の透明導電膜形成用処理
    液。
  6. 【請求項６】 請求項１、２、３、４または５に記載の
    透明導電膜形成用処理液を含む塗布液を基体に塗布後、
    １００℃以上４５０℃以下の温度で焼成することを特徴
    とする透明導電膜の作製方法。
  7. 【請求項７】 請求項１、２、３、４または５に記載の
    透明導電膜形成用処理液を含む塗布液を基体に塗布後、
    アルキルシリケート部分加水分解重合物を主成分とする
    シリケート系オーバーコート液を塗布し、１００℃以上
    ４５０℃以下の温度で焼成することを特徴とする透明導
    電膜の作製方法。
  8. 【請求項８】 請求項１、２、３、４または５に記載の
    透明導電膜形成用処理液を含む塗布液を基体に塗布後、
    １００℃以上４５０℃以下の温度で焼成することにより
    得られた透明導電膜。
  9. 【請求項９】 請求項１、２、３、４または５に記載の
    透明導電膜形成用処理液を含む塗布液を基体に塗布後、
    アルキルシリケート部分加水分解重合物を主成分とする
    シリケート系オーバーコート液を塗布し、１００℃以上
    ４５０℃以下の温度で焼成することにより得られた透明
    導電膜。
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