JPH081892B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH081892B2 JPH081892B2 JP62139224A JP13922487A JPH081892B2 JP H081892 B2 JPH081892 B2 JP H081892B2 JP 62139224 A JP62139224 A JP 62139224A JP 13922487 A JP13922487 A JP 13922487A JP H081892 B2 JPH081892 B2 JP H081892B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- island
- silicon film
- film
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術 石英基板上に結晶性のよいSi膜を形成するSOI（Silic
on On Insulator）技術は、高速・高集積LSIあるいは、
ディスプレイの駆動LSI用の基板技術として活発に検討
されている。特にレーザビームによるものは低温ででき
る点、及び安定性という点で有利である。
on On Insulator）技術は、高速・高集積LSIあるいは、
ディスプレイの駆動LSI用の基板技術として活発に検討
されている。特にレーザビームによるものは低温ででき
る点、及び安定性という点で有利である。
以下第２図に従い、従来の技術について説明する。
第２図において、第２図ａは平面図、第２図ｂは第２
図ａのＡ−Ａ′部の断面図を表わしたものである。21が
シリコン島、21′が周辺シリコン膜、22が溝、23が石英
基板である。
図ａのＡ−Ａ′部の断面図を表わしたものである。21が
シリコン島、21′が周辺シリコン膜、22が溝、23が石英
基板である。
従来は、第２図に示すように、シリコン膜と石英基板
との間の熱膨張係数の差によるシリコン膜へのクラック
を防ぐために、島状に分離した構造が普通用いられてい
た。
との間の熱膨張係数の差によるシリコン膜へのクラック
を防ぐために、島状に分離した構造が普通用いられてい
た。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記の方法では、欠陥のない再結晶化膜
を形成できる島21の大きさは、たかだか50μｍ程度であ
り、約100〜数1000個のトランジスタを集積するには、
小さすぎるという問題があった。
を形成できる島21の大きさは、たかだか50μｍ程度であ
り、約100〜数1000個のトランジスタを集積するには、
小さすぎるという問題があった。
問題点を解決するための手段 本発明の半導体装置の製造方法は、上記問題を解決す
るために、第１に、上記島を連結し第２に、島における
周辺多結晶シリコン膜との距離よりも、連結部における
周辺多結晶シリコン膜との距離が大きくなるようにする
ものである。
るために、第１に、上記島を連結し第２に、島における
周辺多結晶シリコン膜との距離よりも、連結部における
周辺多結晶シリコン膜との距離が大きくなるようにする
ものである。
作用 上記の方法により島が連結されているので、大面積の
再結晶化シリコン膜を得ることができ、また多結晶シリ
コン膜との距離が連結部で大きいので周辺部の多結晶シ
リコン膜からの熱伝導が少ない分だけ常に、島の温度よ
りも連結部の温度を小さくすることができる。即ち、島
の内部での温度勾配を常に連結部の方へ向けることがで
き、温度勾配のゆらぎによる欠陥の発生をおさえること
が可能である。
再結晶化シリコン膜を得ることができ、また多結晶シリ
コン膜との距離が連結部で大きいので周辺部の多結晶シ
リコン膜からの熱伝導が少ない分だけ常に、島の温度よ
りも連結部の温度を小さくすることができる。即ち、島
の内部での温度勾配を常に連結部の方へ向けることがで
き、温度勾配のゆらぎによる欠陥の発生をおさえること
が可能である。
実施例 本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を第１図に
示す。断面構造は第１図ｂと同様であるので省略した。
11が連結されたシリコン島、12が連結部、13が溝であ
る。
示す。断面構造は第１図ｂと同様であるので省略した。
11が連結されたシリコン島、12が連結部、13が溝であ
る。
以下第１図に従い、本発明の半導体装置の製造方法を
説明する。レーザビームなどのエネルギービームを照射
して、シリコンを溶解した場合、シリコン膜はシリコン
島11に細かく分離されているので、石英基板との熱膨張
率の差によるクラックは起らない。しかもそれぞれのシ
リコン島11は、連結部12によってつながっているので、
大面積なものが形成される。さらに、本発明の半導体装
置の製造方法のもう一つの特徴は、シリコン島11は、周
辺シリコン膜11′に比較的小さい距離で囲まれているの
に対し、連結部12は、周辺シリコン膜11′からその大き
さがシリコン島11よりも小さい距離を隔てて形成されて
いる。従って、周辺シリコン膜11′も溶融させるよう
な、溶融幅をもったエネルギービームを照射した場合、
シリコン島11は、周辺シリコン膜11′からの影響で十分
溶融するのに対し、連結部12は、シリコン島11よりも常
に温度が低くなる。即ち、シリコン島11での温度勾配
は、常に連結部の方向へ向けることができ、シリコン島
11での温度勾配のゆらぎによる欠陥の発生を抑制するこ
とができる。
説明する。レーザビームなどのエネルギービームを照射
して、シリコンを溶解した場合、シリコン膜はシリコン
島11に細かく分離されているので、石英基板との熱膨張
率の差によるクラックは起らない。しかもそれぞれのシ
リコン島11は、連結部12によってつながっているので、
大面積なものが形成される。さらに、本発明の半導体装
置の製造方法のもう一つの特徴は、シリコン島11は、周
辺シリコン膜11′に比較的小さい距離で囲まれているの
に対し、連結部12は、周辺シリコン膜11′からその大き
さがシリコン島11よりも小さい距離を隔てて形成されて
いる。従って、周辺シリコン膜11′も溶融させるよう
な、溶融幅をもったエネルギービームを照射した場合、
シリコン島11は、周辺シリコン膜11′からの影響で十分
溶融するのに対し、連結部12は、シリコン島11よりも常
に温度が低くなる。即ち、シリコン島11での温度勾配
は、常に連結部の方向へ向けることができ、シリコン島
11での温度勾配のゆらぎによる欠陥の発生を抑制するこ
とができる。
発明の効果 本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁膜上に簡単に
良質の再結晶化膜を提供する構造であり、実用的にきわ
めて有効である。
良質の再結晶化膜を提供する構造であり、実用的にきわ
めて有効である。
第１図は、本発明の半導体装置の製造方法における半導
体装置の平面図、第２図ａは従来の半導体装置の製造方
法における平面図、第２図ｂは従来の半導体装置の断面
図である。 11,21……シリコン島、11′,21′……周辺シリコン膜、
12……連結部、13,22……溝。
体装置の平面図、第２図ａは従来の半導体装置の製造方
法における平面図、第２図ｂは従来の半導体装置の断面
図である。 11,21……シリコン島、11′,21′……周辺シリコン膜、
12……連結部、13,22……溝。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−47627（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−136306（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−67217（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−54462（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基体上に堆積した多結晶膜を、エネルギー
ビームの照射によって溶融・再結晶化するに際し前記多
結晶膜の一部を除去して複数個の第１の島が、第１の島
より小さい第２の島により連結した形状の多結晶膜を形
成し、前記第１の島と周辺多結晶膜との距離が前記第２
の島と周辺多結晶膜との距離よりも小さくなるようにす
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62139224A JPH081892B2 (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62139224A JPH081892B2 (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63304615A JPS63304615A (ja) | 1988-12-12 |
| JPH081892B2 true JPH081892B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=15240388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62139224A Expired - Fee Related JPH081892B2 (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081892B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI240950B (en) * | 2004-03-26 | 2005-10-01 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Thin film transistor, thin film transistor substrate, and methods for manufacturing the same |
-
1987
- 1987-06-03 JP JP62139224A patent/JPH081892B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63304615A (ja) | 1988-12-12 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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