JPH08190856A - 電界放射冷陰極の製造方法 - Google Patents
電界放射冷陰極の製造方法Info
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- JPH08190856A JPH08190856A JP363795A JP363795A JPH08190856A JP H08190856 A JPH08190856 A JP H08190856A JP 363795 A JP363795 A JP 363795A JP 363795 A JP363795 A JP 363795A JP H08190856 A JPH08190856 A JP H08190856A
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Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電界放射冷陰極の製造方法を簡素化する。
【構成】 絶縁膜形成工程において、先端が突出したエ
ミッタチップ１１Ａが形成されたシリコンウェハ１１上
に絶縁膜１３を形成する。ゲート材料形成工程におい
て、絶縁膜１３上にゲート材料１４を形成する。レジス
ト形成工程において、エミッタチップ１１Ａが形成され
た領域を含むゲート材料１４上の所望の領域にレジスト
１５を形成する。次に、エッチング工程において、前記
レジスト形成工程で露出したゲート材料１４及びエミッ
タチップ１１Ａの先端部の領域に形成されたレジスト１
５をエッチングすると共にエミッタチップ１１Ａの先端
部に形成されたゲート材料１４をエッチングして絶縁膜
１３を露出する。その後、絶縁膜除去工程において、エ
ッチング工程で露出した絶縁膜１３を除去する。
ミッタチップ１１Ａが形成されたシリコンウェハ１１上
に絶縁膜１３を形成する。ゲート材料形成工程におい
て、絶縁膜１３上にゲート材料１４を形成する。レジス
ト形成工程において、エミッタチップ１１Ａが形成され
た領域を含むゲート材料１４上の所望の領域にレジスト
１５を形成する。次に、エッチング工程において、前記
レジスト形成工程で露出したゲート材料１４及びエミッ
タチップ１１Ａの先端部の領域に形成されたレジスト１
５をエッチングすると共にエミッタチップ１１Ａの先端
部に形成されたゲート材料１４をエッチングして絶縁膜
１３を露出する。その後、絶縁膜除去工程において、エ
ッチング工程で露出した絶縁膜１３を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば平面型ディスプ
レイ、磁気センサ、加速度センサ等に用いられる真空マ
イクロエレクトロニクスにおける電界放射冷陰極の製造
方法に関するものである。
レイ、磁気センサ、加速度センサ等に用いられる真空マ
イクロエレクトロニクスにおける電界放射冷陰極の製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、次のような文献に記載されるものがあった。 文献；IEDM90,(1990),M.Sokolich,E.A.Adler,R.T.Long
o,D.M.Goebel andR.T.Benton著“FIELD EMISSION FROM
SUBMICRON EMITTER ARRAYS”p.159-162 前記文献に記載された従来の電界放射冷陰極は、円錐又
は四角錐等の多角錐の形状のシリコンチップをエミッタ
とし、シリコン酸化膜等の絶縁膜を挟んでゲートメタル
を配置したコーン型又は縦型の電界放射冷陰極であっ
た。図２は、前記文献に記載された従来のコーン型電界
放射冷陰極の製造方法の一例を示す工程図である。以
下、その各工程（１）〜（５）を説明する。
例えば、次のような文献に記載されるものがあった。 文献；IEDM90,(1990),M.Sokolich,E.A.Adler,R.T.Long
o,D.M.Goebel andR.T.Benton著“FIELD EMISSION FROM
SUBMICRON EMITTER ARRAYS”p.159-162 前記文献に記載された従来の電界放射冷陰極は、円錐又
は四角錐等の多角錐の形状のシリコンチップをエミッタ
とし、シリコン酸化膜等の絶縁膜を挟んでゲートメタル
を配置したコーン型又は縦型の電界放射冷陰極であっ
た。図２は、前記文献に記載された従来のコーン型電界
放射冷陰極の製造方法の一例を示す工程図である。以
下、その各工程（１）〜（５）を説明する。
【０００３】（１） 図２（ａ）の工程 ［１００］シリコンのモールド１を用いたモールド法で
ポリシリコンのエミッタチップ２を形成する。 （２） 図２（ｂ）の工程 エミッタチップ２上に絶縁膜であるＳｉＯ2 膜３を形成
し、更に、ＳｉＯ2 ３膜上にゲート材料であるＭｏ膜４
を形成する。 （３） 図２（ｃ）の工程 Ｍｏ膜４上にレジスト５を薄く形成する。 （４） 図２（ｄ）の工程 エミッタチップ２の先端の領域ＴのみのＭｏ膜４が露出
するように酸素プラズマでエッチングを行う。 （５） 図２（ｅ）の工程 露出したＭｏ膜４に対してエッチングを施し、更にＭｏ
膜４とエミッタチップ２との間のＳｉＯ2 膜３をエミッ
タチップ２が露出するまでエッチングを行う。以上のよ
うな製造方法で製造された電界放射冷陰極は、エミッタ
チップ２と該エミッタチップ２の周囲に形成されたゲー
トであるＭｏ膜４との間に電界を掛けることにより、ト
ンネル効果によってエミッタチップ２から電子が放射さ
れるものである。
ポリシリコンのエミッタチップ２を形成する。 （２） 図２（ｂ）の工程 エミッタチップ２上に絶縁膜であるＳｉＯ2 膜３を形成
し、更に、ＳｉＯ2 ３膜上にゲート材料であるＭｏ膜４
を形成する。 （３） 図２（ｃ）の工程 Ｍｏ膜４上にレジスト５を薄く形成する。 （４） 図２（ｄ）の工程 エミッタチップ２の先端の領域ＴのみのＭｏ膜４が露出
するように酸素プラズマでエッチングを行う。 （５） 図２（ｅ）の工程 露出したＭｏ膜４に対してエッチングを施し、更にＭｏ
膜４とエミッタチップ２との間のＳｉＯ2 膜３をエミッ
タチップ２が露出するまでエッチングを行う。以上のよ
うな製造方法で製造された電界放射冷陰極は、エミッタ
チップ２と該エミッタチップ２の周囲に形成されたゲー
トであるＭｏ膜４との間に電界を掛けることにより、ト
ンネル効果によってエミッタチップ２から電子が放射さ
れるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
電界放射冷陰極では、次のような課題があった。即ち、
エミッタチップ２の先端の領域Ｔにおけるゲート開孔部
分を形成するために、前記図２（ｄ）の工程に示すよう
に、例えば酸素プラズマのようなドライエッチング法を
用いてレジスト５をエッチバックし、エミッタチップ２
の先端のゲート材料を露出させる工程が必要である。そ
のため、製造工程が複雑なものになっている。
電界放射冷陰極では、次のような課題があった。即ち、
エミッタチップ２の先端の領域Ｔにおけるゲート開孔部
分を形成するために、前記図２（ｄ）の工程に示すよう
に、例えば酸素プラズマのようなドライエッチング法を
用いてレジスト５をエッチバックし、エミッタチップ２
の先端のゲート材料を露出させる工程が必要である。そ
のため、製造工程が複雑なものになっている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために、エミッタチップと該エミッタチップの周
囲に形成されたゲートとの間に電界を掛けて該エミッタ
チップから電子を放射させる電界放射冷陰極の製造方法
において、次のような工程を施すようにしている。即
ち、先端が突出したエミッタチップが形成された基板上
に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上に
ゲート材料を形成するゲート材料形成工程と、前記エミ
ッタチップが形成された領域を含む前記ゲート材料上の
所望の領域にレジストを形成するレジスト形成工程とを
施す。次に、前記レジスト形成工程において露出した前
記ゲート材料及び前記エミッタチップの先端部の領域に
形成された前記レジストをエッチングすると共に前記エ
ミッタチップの先端部に形成された前記ゲート材料をエ
ッチングして前記絶縁膜を露出するエッチング工程を施
す。その後、前記エッチング工程において露出した前記
絶縁膜を除去する絶縁膜除去工程を施す。
決するために、エミッタチップと該エミッタチップの周
囲に形成されたゲートとの間に電界を掛けて該エミッタ
チップから電子を放射させる電界放射冷陰極の製造方法
において、次のような工程を施すようにしている。即
ち、先端が突出したエミッタチップが形成された基板上
に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上に
ゲート材料を形成するゲート材料形成工程と、前記エミ
ッタチップが形成された領域を含む前記ゲート材料上の
所望の領域にレジストを形成するレジスト形成工程とを
施す。次に、前記レジスト形成工程において露出した前
記ゲート材料及び前記エミッタチップの先端部の領域に
形成された前記レジストをエッチングすると共に前記エ
ミッタチップの先端部に形成された前記ゲート材料をエ
ッチングして前記絶縁膜を露出するエッチング工程を施
す。その後、前記エッチング工程において露出した前記
絶縁膜を除去する絶縁膜除去工程を施す。
【０００６】
【作用】本発明によれば、以上のように電界放射冷陰極
の製造方法を構成したので、絶縁膜形成工程において、
エミッタチップが形成された基板上に絶縁膜が形成され
る。ゲート材料形成工程において、前記絶縁膜上にゲー
ト材料が形成される。レジスト形成工程において、エミ
ッタチップが形成された領域を含むゲート材料上の所望
の領域にレジストが形成される。次に、エッチング工程
において、前記レジスト形成工程において露出したゲー
ト材料及びエミッタチップの先端部の領域に形成された
レジストがエッチングされ、更にエミッタチップの先端
部に形成されたゲート材料がエッチングされてゲートの
パターニングが行われ、前記絶縁膜が露出する。その
後、絶縁膜除去工程において、前記エッチング工程にお
いて露出した絶縁膜が除去される。そのため、従来のよ
うなドライエッチング法を用いてレジストをエッチバッ
クする工程が省略されるので、製造工程が簡素化され
る。従って、前記課題を解決できるのである。
の製造方法を構成したので、絶縁膜形成工程において、
エミッタチップが形成された基板上に絶縁膜が形成され
る。ゲート材料形成工程において、前記絶縁膜上にゲー
ト材料が形成される。レジスト形成工程において、エミ
ッタチップが形成された領域を含むゲート材料上の所望
の領域にレジストが形成される。次に、エッチング工程
において、前記レジスト形成工程において露出したゲー
ト材料及びエミッタチップの先端部の領域に形成された
レジストがエッチングされ、更にエミッタチップの先端
部に形成されたゲート材料がエッチングされてゲートの
パターニングが行われ、前記絶縁膜が露出する。その
後、絶縁膜除去工程において、前記エッチング工程にお
いて露出した絶縁膜が除去される。そのため、従来のよ
うなドライエッチング法を用いてレジストをエッチバッ
クする工程が省略されるので、製造工程が簡素化され
る。従って、前記課題を解決できるのである。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明の実施例を示す電界放射冷陰
極の製造方法の工程図である。以下、その各工程（１）
〜（８）を説明する。なお、図中では１つの冷陰極しか
示されていないが、通常、複数の冷陰極がシリコンウェ
ハ１１上に形成される。
極の製造方法の工程図である。以下、その各工程（１）
〜（８）を説明する。なお、図中では１つの冷陰極しか
示されていないが、通常、複数の冷陰極がシリコンウェ
ハ１１上に形成される。
【０００８】（１） 図１（ａ）の工程 シリコンウェハ１１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）１
２を成膜し、このシリコン酸化膜１２を例えば円形にパ
ターニングする。円の直径は、例えば５μｍとする。シ
リコンウェハ１１は、例えばｎ型、［１００］面、抵抗
率０．１〜０．２Ω・ｃｍ程度のものを用いる。シリコ
ン酸化膜１２は、シリコンウェハ１１を熱酸化すること
によって成膜する。このときの条件は、例えば乾燥酸素
中において１１００℃で３時間行い、膜厚約０．２４μ
ｍに成長させる。又、シリコン酸化膜１２のパターニン
グには、通常用いられるポジタイプのレジスト（例え
ば、東京応化OFPR8600 ）を用い、バッファード（緩
衝）フッ酸（例えば、ＯＫＩ−ＨＦ）を用いてウェット
エッチングを行う。 （２） 図１（ｂ）の工程 シリコンウェハ１１に例えば異方性エッチングを施して
コーン型のエミッタチップ１１Ａを形成する。このエッ
チングは、エッチャントとして、例えば水酸化カリウ
ム、イソプロピルアルコール、及び水を１０：２０：７
０（重量％）程度に混合したものを用い、マグネティッ
クスターラで攪拌しながら、約３０℃で行う。すると、
縦方向及び横方向共、約１．５μｍ／時間のレートでエ
ッチングされる。エッチングは、シリコン酸化膜１２が
落ちた時点で終了する。 （３） 図１（ｃ）の工程（絶縁膜形成工程） シリコンウェハ１１及びエミッタチップ１１Ａの表面を
熱酸化することにより、絶縁膜１３の形成とエミッタチ
ップ１１Ａの先端の先鋭化とを同時に行う。熱酸化は、
例えば乾燥酸素中において１１００℃で１０時間行い、
膜厚約０．５μｍ程度に成長させる。
２を成膜し、このシリコン酸化膜１２を例えば円形にパ
ターニングする。円の直径は、例えば５μｍとする。シ
リコンウェハ１１は、例えばｎ型、［１００］面、抵抗
率０．１〜０．２Ω・ｃｍ程度のものを用いる。シリコ
ン酸化膜１２は、シリコンウェハ１１を熱酸化すること
によって成膜する。このときの条件は、例えば乾燥酸素
中において１１００℃で３時間行い、膜厚約０．２４μ
ｍに成長させる。又、シリコン酸化膜１２のパターニン
グには、通常用いられるポジタイプのレジスト（例え
ば、東京応化OFPR8600 ）を用い、バッファード（緩
衝）フッ酸（例えば、ＯＫＩ−ＨＦ）を用いてウェット
エッチングを行う。 （２） 図１（ｂ）の工程 シリコンウェハ１１に例えば異方性エッチングを施して
コーン型のエミッタチップ１１Ａを形成する。このエッ
チングは、エッチャントとして、例えば水酸化カリウ
ム、イソプロピルアルコール、及び水を１０：２０：７
０（重量％）程度に混合したものを用い、マグネティッ
クスターラで攪拌しながら、約３０℃で行う。すると、
縦方向及び横方向共、約１．５μｍ／時間のレートでエ
ッチングされる。エッチングは、シリコン酸化膜１２が
落ちた時点で終了する。 （３） 図１（ｃ）の工程（絶縁膜形成工程） シリコンウェハ１１及びエミッタチップ１１Ａの表面を
熱酸化することにより、絶縁膜１３の形成とエミッタチ
ップ１１Ａの先端の先鋭化とを同時に行う。熱酸化は、
例えば乾燥酸素中において１１００℃で１０時間行い、
膜厚約０．５μｍ程度に成長させる。
【０００９】（４） 図１（ｄ）の工程（ゲート材料形
成工程） ゲートになる金属膜１４を蒸着する。ゲート材料は、例
えばモリブデン（Ｍｏ）のような高融点金属を用いる。 （５） 図１（ｅ）の工程（レジスト形成工程） ホトリソグラフィ技術を用い、ゲートを形成するための
パターニングを行う。レジスト１５は、一般的なポジタ
イプのホトレジスト（例えば、東京応化 OFPR86000-30
cp）を用いる。この場合のレジスト１５は、エミッタチ
ップ１１Ａの先端の近辺の領域では、特に薄く形成す
る。 （６） 図１（ｆ）の工程（エッチング工程） 金属膜１４に対してエッチングを施してゲートのパター
ニングを行う。レジスト１５は、エミッタチップ１１Ａ
の先端の近辺の領域では非常に薄くなっているので、ゲ
ートのパターニングを行っている途中でこの領域のレジ
ストが除去されてレジスト１５Ａとなり、更にエミッタ
チップ１１Ａの先端の金属膜１４もエッチングされて金
属膜１４Ａとなる。つまり、この工程では、ゲートのパ
ッド部分のパターニングとエミッタチップ１１Ａのゲー
トの開孔部分のパターニングとが同時に行われる。尚、
この工程のエッチングに用いるエッチャントには、例え
ばリン酸、硝酸、及び水の５：３：２の混合液を使用す
る。 （７） 図１（ｇ）の工程（絶縁膜除去工程） 前記（６）のエッチング工程において露出した領域の絶
縁膜１３をバッファードフッ酸を用いて除去し、絶縁膜
１３Ａが残る。次に、レジスト１５Ａを除去する。レジ
スト１５Ａの除去方法は、例えばＲＡストリッパ（発煙
硝酸）に１〜５分程度浸して剥離し、更に純水で５〜３
０分程度洗浄する。 （８） 図１（ｈ）の工程 例えばＡｌを用いてゲートの電極パッド１６及びエミッ
タチップ１１Ａの電極パッド１７を形成する。
成工程） ゲートになる金属膜１４を蒸着する。ゲート材料は、例
えばモリブデン（Ｍｏ）のような高融点金属を用いる。 （５） 図１（ｅ）の工程（レジスト形成工程） ホトリソグラフィ技術を用い、ゲートを形成するための
パターニングを行う。レジスト１５は、一般的なポジタ
イプのホトレジスト（例えば、東京応化 OFPR86000-30
cp）を用いる。この場合のレジスト１５は、エミッタチ
ップ１１Ａの先端の近辺の領域では、特に薄く形成す
る。 （６） 図１（ｆ）の工程（エッチング工程） 金属膜１４に対してエッチングを施してゲートのパター
ニングを行う。レジスト１５は、エミッタチップ１１Ａ
の先端の近辺の領域では非常に薄くなっているので、ゲ
ートのパターニングを行っている途中でこの領域のレジ
ストが除去されてレジスト１５Ａとなり、更にエミッタ
チップ１１Ａの先端の金属膜１４もエッチングされて金
属膜１４Ａとなる。つまり、この工程では、ゲートのパ
ッド部分のパターニングとエミッタチップ１１Ａのゲー
トの開孔部分のパターニングとが同時に行われる。尚、
この工程のエッチングに用いるエッチャントには、例え
ばリン酸、硝酸、及び水の５：３：２の混合液を使用す
る。 （７） 図１（ｇ）の工程（絶縁膜除去工程） 前記（６）のエッチング工程において露出した領域の絶
縁膜１３をバッファードフッ酸を用いて除去し、絶縁膜
１３Ａが残る。次に、レジスト１５Ａを除去する。レジ
スト１５Ａの除去方法は、例えばＲＡストリッパ（発煙
硝酸）に１〜５分程度浸して剥離し、更に純水で５〜３
０分程度洗浄する。 （８） 図１（ｈ）の工程 例えばＡｌを用いてゲートの電極パッド１６及びエミッ
タチップ１１Ａの電極パッド１７を形成する。
【００１０】図３は、本実施例の電界放射冷陰極の製造
方法により製造された電界放射冷陰極の構成図である。
この図では、電極パッド１６は正電位の電源Ｅに接続さ
れ、電極パッド１７がグランドに接続されている。この
電界放射冷陰極を高真空中に設置し、電源Ｅの電位が或
る値以上になると、トンネル効果によりエミッタチップ
１１Ａの先端から電子ｅ−が放射される。以上のよう
に、本実施例では、図１（ｆ）の工程（エッチング工
程）においてゲートのパターニングを行っている途中で
エミッタチップ１１Ａの先端の近辺の領域のレジストが
無くなり、更にエミッタチップ１１Ａの先端の金属膜１
４もエッチングされる。つまり、ゲートのパッド部分の
パターニングとエミッタチップ１１Ａのゲートの開孔部
分のパターニングとが同時に行われる。そのため、従来
のようなエミッタチップ部のゲート開孔部分を形成する
ためのドライエッチング工程が省略できるので、製造工
程が簡素化される。尚、本発明は上記実施例に限定され
ず、種々の変形が可能である。その変形例としては、例
えば次のようなものがある。
方法により製造された電界放射冷陰極の構成図である。
この図では、電極パッド１６は正電位の電源Ｅに接続さ
れ、電極パッド１７がグランドに接続されている。この
電界放射冷陰極を高真空中に設置し、電源Ｅの電位が或
る値以上になると、トンネル効果によりエミッタチップ
１１Ａの先端から電子ｅ−が放射される。以上のよう
に、本実施例では、図１（ｆ）の工程（エッチング工
程）においてゲートのパターニングを行っている途中で
エミッタチップ１１Ａの先端の近辺の領域のレジストが
無くなり、更にエミッタチップ１１Ａの先端の金属膜１
４もエッチングされる。つまり、ゲートのパッド部分の
パターニングとエミッタチップ１１Ａのゲートの開孔部
分のパターニングとが同時に行われる。そのため、従来
のようなエミッタチップ部のゲート開孔部分を形成する
ためのドライエッチング工程が省略できるので、製造工
程が簡素化される。尚、本発明は上記実施例に限定され
ず、種々の変形が可能である。その変形例としては、例
えば次のようなものがある。
【００１１】(i) 図１（ａ）の工程において、シリコ
ン酸化膜１２を円形にパターニングしているが、この形
状はｎ角形（ｎ≧３）でもよい。 (ii) 図１（ｂ）の工程において、シリコンウェハ１１
に対して異方性エッチングを施しているが、等方性エッ
チングでもよい。 (iii) 図１（ｄ）の工程（ゲート材料形成工程）にお
いて、金属膜１４を蒸着しているが、スパッタリング法
を用いて成膜してもよい。 (iv) 金属膜１４は、実施例ではモリブデン金属（Ｍ
ｏ）を使用したが、同等の性能を有するものであればよ
く、これに限定されるものではない。例えば、Ｍｏの他
にＷ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｎｂ等を用いてもよい。 (v） 図１（ｆ）の工程（エッチング工程）において、
ゲートのパターニングにはウェットエッチングを行って
いるが、ドライエッチングでもよい。この場合、例えば
ＣＦ4 ガスとＯ2 ガスとを用いた反応性イオンエッチン
グによりエッチングを行う。又、Ｍｏをエッチングでき
るガスとして、他にＣＦ3 Ｂｒ、ＣＣｌ2 Ｆ2 、ＣＣｌ
4 ＋Ｏ2 、ＳＦ6 等がある。
ン酸化膜１２を円形にパターニングしているが、この形
状はｎ角形（ｎ≧３）でもよい。 (ii) 図１（ｂ）の工程において、シリコンウェハ１１
に対して異方性エッチングを施しているが、等方性エッ
チングでもよい。 (iii) 図１（ｄ）の工程（ゲート材料形成工程）にお
いて、金属膜１４を蒸着しているが、スパッタリング法
を用いて成膜してもよい。 (iv) 金属膜１４は、実施例ではモリブデン金属（Ｍ
ｏ）を使用したが、同等の性能を有するものであればよ
く、これに限定されるものではない。例えば、Ｍｏの他
にＷ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｎｂ等を用いてもよい。 (v） 図１（ｆ）の工程（エッチング工程）において、
ゲートのパターニングにはウェットエッチングを行って
いるが、ドライエッチングでもよい。この場合、例えば
ＣＦ4 ガスとＯ2 ガスとを用いた反応性イオンエッチン
グによりエッチングを行う。又、Ｍｏをエッチングでき
るガスとして、他にＣＦ3 Ｂｒ、ＣＣｌ2 Ｆ2 、ＣＣｌ
4 ＋Ｏ2 、ＳＦ6 等がある。
【００１２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、エッチング工程において、レジスト工程で露出し
たゲート材料及びエミッタチップの先端部の領域に形成
されたレジストをエッチングすると共にエミッタチップ
の先端部に形成されたゲート材料をエッチングして絶縁
膜を露出するようにしたので、従来よりも製造工程を簡
素化できる。
れば、エッチング工程において、レジスト工程で露出し
たゲート材料及びエミッタチップの先端部の領域に形成
されたレジストをエッチングすると共にエミッタチップ
の先端部に形成されたゲート材料をエッチングして絶縁
膜を露出するようにしたので、従来よりも製造工程を簡
素化できる。
【図１】本発明の実施例を示すコーン型電界放射冷陰極
の製造方法の工程図である。
の製造方法の工程図である。
【図２】従来のコーン型電界放射冷陰極の製造方法の工
程図である。
程図である。
【図３】本発明の実施例のコーン型電界放射冷陰極の動
作説明図である。
作説明図である。
１１ シリコンウェ
ハ １１Ａ エミッタチッ
プ １２ シリコン酸化
膜 １３，１３Ａ 絶縁膜 １４，１４Ａ 金属膜 １５，１５Ａ レジスト
ハ １１Ａ エミッタチッ
プ １２ シリコン酸化
膜 １３，１３Ａ 絶縁膜 １４，１４Ａ 金属膜 １５，１５Ａ レジスト
Claims (1)
- 【請求項１】 エミッタチップと該エミッタチップの周
囲に形成されたゲートとの間に電界を掛けて該エミッタ
チップから電子を放射させる電界放射冷陰極の製造方法
において、 先端が突出した前記エミッタチップが形成された基板上
に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、 前記絶縁膜上にゲート材料を形成するゲート材料形成工
程と、 前記エミッタチップが形成された領域を含む前記ゲート
材料上の所望の領域にレジストを形成するレジスト形成
工程と、 前記レジスト形成工程において露出した前記ゲート材料
及び前記エミッタチップの先端部の領域に形成された前
記レジストをエッチングすると共に前記エミッタチップ
の先端部に形成された前記ゲート材料をエッチングして
前記絶縁膜を露出するエッチング工程と、 前記エッチング工程において露出した前記絶縁膜を除去
する絶縁膜除去工程とを、 施すことを特徴とする電界放射冷陰極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP363795A JPH08190856A (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | 電界放射冷陰極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP363795A JPH08190856A (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | 電界放射冷陰極の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08190856A true JPH08190856A (ja) | 1996-07-23 |
Family
ID=11563006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP363795A Withdrawn JPH08190856A (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | 電界放射冷陰極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08190856A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6042442A (en) * | 1996-02-28 | 2000-03-28 | Nec Corporation | Enhancement in bonding strength in field emission electron source |
| KR100290140B1 (ko) * | 1998-09-10 | 2001-06-01 | 구자홍 | 전계자방출소자와그제조방법 |
-
1995
- 1995-01-13 JP JP363795A patent/JPH08190856A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6042442A (en) * | 1996-02-28 | 2000-03-28 | Nec Corporation | Enhancement in bonding strength in field emission electron source |
| KR100290140B1 (ko) * | 1998-09-10 | 2001-06-01 | 구자홍 | 전계자방출소자와그제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020402 |