JPH08193268A - 薄膜形成方法及びその装置 - Google Patents
薄膜形成方法及びその装置Info
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- JPH08193268A JPH08193268A JP497095A JP497095A JPH08193268A JP H08193268 A JPH08193268 A JP H08193268A JP 497095 A JP497095 A JP 497095A JP 497095 A JP497095 A JP 497095A JP H08193268 A JPH08193268 A JP H08193268A
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜厚にバラツキが少ない膜を効率良く形成す
る技術を提供することである。 【構成】 ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法により薄
膜を形成する方法であって、薄膜形成原料を反応管内に
供給する工程と、反応管内の薄膜形成原料にマイクロ波
を照射する工程とを具備し、前記照射されるマイクロ波
を断続的に制御する薄膜形成方法。
る技術を提供することである。 【構成】 ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法により薄
膜を形成する方法であって、薄膜形成原料を反応管内に
供給する工程と、反応管内の薄膜形成原料にマイクロ波
を照射する工程とを具備し、前記照射されるマイクロ波
を断続的に制御する薄膜形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば磁気記録媒体な
どの記録媒体上に設けられるダイヤモンドライクカーボ
ン膜などの保護薄膜を形成する為の技術に関する。
どの記録媒体上に設けられるダイヤモンドライクカーボ
ン膜などの保護薄膜を形成する為の技術に関する。
【０００２】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体には、高密
度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けられる磁性
膜として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手
段、蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーティン
グ等のフィジカルベーパーデポジション（ＰＶＤ）によ
る乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気記録媒体
が提案されている。そして、この種の磁気記録媒体は磁
性体の充填密度が高いことから、高密度記録に適したも
のである。
度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けられる磁性
膜として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手
段、蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーティン
グ等のフィジカルベーパーデポジション（ＰＶＤ）によ
る乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気記録媒体
が提案されている。そして、この種の磁気記録媒体は磁
性体の充填密度が高いことから、高密度記録に適したも
のである。
【０００３】ところで、この種の金属薄膜型の磁気記録
媒体における金属磁性膜は磁気ヘッドとの摺動による耐
久性に乏しいことから、表面酸化処理を行い、酸化膜に
よる保護膜を設けることが行われている。しかし、表面
酸化の手段では耐久性の向上効果が少なく、更なる研究
が行われている。
媒体における金属磁性膜は磁気ヘッドとの摺動による耐
久性に乏しいことから、表面酸化処理を行い、酸化膜に
よる保護膜を設けることが行われている。しかし、表面
酸化の手段では耐久性の向上効果が少なく、更なる研究
が行われている。
【０００４】このような観点から、表面酸化膜ではな
く、カーボン、特にダイヤモンドライクカーボン等の保
護膜を設けることが提案されている。例えば、ケミカル
ベーパーデポジション（ＣＶＤ）装置に炭素源としての
ＣＨ4 やＣ6 Ｈ6 ガスを供給し、これからのプラズマガ
スを金属磁性膜表面に堆積させることにより、表面にダ
イヤモンドライクカーボンからなる保護膜が設けられた
磁気記録媒体が提案（特開平６−４１７５８号公報）さ
れている。
く、カーボン、特にダイヤモンドライクカーボン等の保
護膜を設けることが提案されている。例えば、ケミカル
ベーパーデポジション（ＣＶＤ）装置に炭素源としての
ＣＨ4 やＣ6 Ｈ6 ガスを供給し、これからのプラズマガ
スを金属磁性膜表面に堆積させることにより、表面にダ
イヤモンドライクカーボンからなる保護膜が設けられた
磁気記録媒体が提案（特開平６−４１７５８号公報）さ
れている。
【０００５】このようなＣＶＤ装置として、ＥＣＲマイ
クロ波プラズマＣＶＤ装置が有る。しかし、ＥＣＲマイ
クロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて形成された膜は、膜
厚にバラツキが認められた。
クロ波プラズマＣＶＤ装置が有る。しかし、ＥＣＲマイ
クロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて形成された膜は、膜
厚にバラツキが認められた。
【０００６】
【発明の開示】前記の問題点に対する検討を鋭意押し進
めて行った結果、膜厚のバラツキは、ＥＣＲマイクロ波
プラズマＣＶＤによる成膜時に電荷を持った分子や原子
などが生成し、これが電極や基板などにチャージし、放
電が起きたりすることによるのではないかとの啓示を得
るに至った。
めて行った結果、膜厚のバラツキは、ＥＣＲマイクロ波
プラズマＣＶＤによる成膜時に電荷を持った分子や原子
などが生成し、これが電極や基板などにチャージし、放
電が起きたりすることによるのではないかとの啓示を得
るに至った。
【０００７】そこで、電荷を持った分子や原子の生成を
抑制する為には如何にすれば良いかの検討を行った結
果、照射するマイクロ波を断続的なものにすれば良いと
の知見を得るに至った。つまり、マイクロ波を断続的な
ものにすれば、過度なエネネギ励起が抑制され、電荷を
持った分子や原子の生成が抑制されるであろうと考えた
のである。
抑制する為には如何にすれば良いかの検討を行った結
果、照射するマイクロ波を断続的なものにすれば良いと
の知見を得るに至った。つまり、マイクロ波を断続的な
ものにすれば、過度なエネネギ励起が抑制され、電荷を
持った分子や原子の生成が抑制されるであろうと考えた
のである。
【０００８】この知見を基にして本発明が達成されたも
のであり、本発明の目的は、膜厚にバラツキが少ない膜
を効率良く形成する技術を提供することである。この本
発明の目的は、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法によ
り薄膜を形成する方法であって、薄膜形成原料を反応管
内に供給する工程と、反応管内の薄膜形成原料にマイク
ロ波を照射する工程とを具備し、前記照射されるマイク
ロ波を断続的に制御することを特徴とする薄膜形成方法
によって達成される。
のであり、本発明の目的は、膜厚にバラツキが少ない膜
を効率良く形成する技術を提供することである。この本
発明の目的は、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法によ
り薄膜を形成する方法であって、薄膜形成原料を反応管
内に供給する工程と、反応管内の薄膜形成原料にマイク
ロ波を照射する工程とを具備し、前記照射されるマイク
ロ波を断続的に制御することを特徴とする薄膜形成方法
によって達成される。
【０００９】尚、マイクロ波の断続的な制御は、反応管
内に照射されたマイクロ波をマイクロ波吸収材で断続的
に吸収することによって行われる。特に、マイクロ波吸
収材を駆動し、これによってマイクロ波の断続的な制御
を行うようにすれば、同時に反応管内の攪拌操作が行わ
れ、均一化もなされるから、より均一な膜が形成される
ようになる。
内に照射されたマイクロ波をマイクロ波吸収材で断続的
に吸収することによって行われる。特に、マイクロ波吸
収材を駆動し、これによってマイクロ波の断続的な制御
を行うようにすれば、同時に反応管内の攪拌操作が行わ
れ、均一化もなされるから、より均一な膜が形成される
ようになる。
【００１０】又、前記本発明の目的は、ＥＣＲマイクロ
波プラズマＣＶＤ法により薄膜を形成する装置であっ
て、真空槽と、薄膜が形成される支持体と、この支持体
の供給手段および巻取手段と、前記供給手段と巻取手段
との間の真空槽内における支持体走行経路に対向して設
けられたプラズマ反応管と、このプラズマ反応管内に薄
膜形成原料を供給する供給手段と、前記プラズマ反応管
内の薄膜形成原料に向けてマイクロ波を照射するマイク
ロ波発振器と、前記プラズマ反応管内に設けられ、前記
マイクロ波発振器からのマイクロ波を吸収するマイクロ
波吸収材と、このマイクロ波吸収材を駆動し、照射され
るマイクロ波を断続的に制御する駆動手段とを具備する
ことを特徴とする薄膜形成装置によって達成される。
波プラズマＣＶＤ法により薄膜を形成する装置であっ
て、真空槽と、薄膜が形成される支持体と、この支持体
の供給手段および巻取手段と、前記供給手段と巻取手段
との間の真空槽内における支持体走行経路に対向して設
けられたプラズマ反応管と、このプラズマ反応管内に薄
膜形成原料を供給する供給手段と、前記プラズマ反応管
内の薄膜形成原料に向けてマイクロ波を照射するマイク
ロ波発振器と、前記プラズマ反応管内に設けられ、前記
マイクロ波発振器からのマイクロ波を吸収するマイクロ
波吸収材と、このマイクロ波吸収材を駆動し、照射され
るマイクロ波を断続的に制御する駆動手段とを具備する
ことを特徴とする薄膜形成装置によって達成される。
【００１１】尚、マイクロ波吸収材を羽根型に構成さ
せ、これを回転させるようにしておれば、マイクロ波の
断続的な制御と共に反応管内の攪拌操作が行われ、均一
化が図れ、より均一な膜が形成されるようになる。本発
明で形成される薄膜としては、カーボン膜、ＳｉＯx 、
ＴｉＯx 、ＢＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 等が挙げられる。カーボン
膜（特にダイヤモンドライクカーボン膜）が形成される
場合には、薄膜形成原料（炭素化合物）として、例えば
メタンやｎ−ヘキサン等の鎖状炭化水素、ベンゼン、ト
ルエン、シクロヘキサン等の環状炭化水素、ピラジン、
ピラゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピペ
リジン、ピペラジン、イミダゾール、ピロール等の窒素
含有環状炭化水素などが用いられる。勿論、これ以外の
ものが用いられても良い。
せ、これを回転させるようにしておれば、マイクロ波の
断続的な制御と共に反応管内の攪拌操作が行われ、均一
化が図れ、より均一な膜が形成されるようになる。本発
明で形成される薄膜としては、カーボン膜、ＳｉＯx 、
ＴｉＯx 、ＢＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 等が挙げられる。カーボン
膜（特にダイヤモンドライクカーボン膜）が形成される
場合には、薄膜形成原料（炭素化合物）として、例えば
メタンやｎ−ヘキサン等の鎖状炭化水素、ベンゼン、ト
ルエン、シクロヘキサン等の環状炭化水素、ピラジン、
ピラゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピペ
リジン、ピペラジン、イミダゾール、ピロール等の窒素
含有環状炭化水素などが用いられる。勿論、これ以外の
ものが用いられても良い。
【００１２】ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤに際して
は、上記のような炭化水素と併用される反応ガスとし
て、水素や酸素などのエッチングガスが用いられる。そ
して、プラズマ反応管内に薄膜形成原料が供給された段
階でマイクロ波が照射され、プラズマ化が行われる。照
射マイクロ波を断続的なものとする為にマイクロ波吸収
材が用いられる。マイクロ波吸収材としてはフェライト
材がある。例えば、ＭＯＦｅ2 Ｏ3 （Ｍは金属）で表さ
れるフェライト材がある。具体的には、ＣｏＯＦｅ2 Ｏ
3 ，Ｆｅ4 Ｏ 3 や、ＭｎＺｎフェライト、ＣｕＺｎフェ
ライト、ＮｉＺｎフェライト、ＣｕＺｎＭｇフェライト
などが有る。このようなフェライト材料を用いて回転羽
根（羽根は１枚でも、２枚以上でも良い）、特に扇風機
の羽根のように送風機能を有する回転羽根を作製し、こ
の羽根に所定の回転機構を設けて、回転駆動できるよう
に構成しておけば、照射マイクロ波を断続的なものとす
ることが出来る。
は、上記のような炭化水素と併用される反応ガスとし
て、水素や酸素などのエッチングガスが用いられる。そ
して、プラズマ反応管内に薄膜形成原料が供給された段
階でマイクロ波が照射され、プラズマ化が行われる。照
射マイクロ波を断続的なものとする為にマイクロ波吸収
材が用いられる。マイクロ波吸収材としてはフェライト
材がある。例えば、ＭＯＦｅ2 Ｏ3 （Ｍは金属）で表さ
れるフェライト材がある。具体的には、ＣｏＯＦｅ2 Ｏ
3 ，Ｆｅ4 Ｏ 3 や、ＭｎＺｎフェライト、ＣｕＺｎフェ
ライト、ＮｉＺｎフェライト、ＣｕＺｎＭｇフェライト
などが有る。このようなフェライト材料を用いて回転羽
根（羽根は１枚でも、２枚以上でも良い）、特に扇風機
の羽根のように送風機能を有する回転羽根を作製し、こ
の羽根に所定の回転機構を設けて、回転駆動できるよう
に構成しておけば、照射マイクロ波を断続的なものとす
ることが出来る。
【００１３】そして、このように構成させていたなら
ば、電荷を持った分子や原子の生成が抑制され、かつ、
攪拌が行われることから、均一な膜が形成されるように
なる。更には、回転羽根によって生成プラズマが前方に
押し遣られることから、成膜速度も速くなる。本発明
は、特に金属薄膜型の磁気記録媒体に適用される。すな
わち、ＰＥＴ等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミ
ド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化
ビニル系の樹脂などの高分子材料、ガラスやセラミック
等の無機系材料などの支持体上に、例えばＦｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎ
ｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいは
これらにＡｌ等の金属を含有させた金属磁性粒子を、蒸
着やスパッタなどの乾式メッキ手段によって堆積させた
磁気記録媒体に適用される。つまり、金属磁性膜上に保
護膜を形成する時、本発明が用いられる。例えば、２０
〜５００Å厚さのダイヤモンドライクカーボン膜を金属
磁性膜上に形成する時、本発明が用いられる。
ば、電荷を持った分子や原子の生成が抑制され、かつ、
攪拌が行われることから、均一な膜が形成されるように
なる。更には、回転羽根によって生成プラズマが前方に
押し遣られることから、成膜速度も速くなる。本発明
は、特に金属薄膜型の磁気記録媒体に適用される。すな
わち、ＰＥＴ等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミ
ド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化
ビニル系の樹脂などの高分子材料、ガラスやセラミック
等の無機系材料などの支持体上に、例えばＦｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎ
ｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいは
これらにＡｌ等の金属を含有させた金属磁性粒子を、蒸
着やスパッタなどの乾式メッキ手段によって堆積させた
磁気記録媒体に適用される。つまり、金属磁性膜上に保
護膜を形成する時、本発明が用いられる。例えば、２０
〜５００Å厚さのダイヤモンドライクカーボン膜を金属
磁性膜上に形成する時、本発明が用いられる。
【００１４】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説
明する。
明する。
【００１５】
【実施例】図１は本発明になる磁気記録媒体の製造装置
（ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置）の概略図、図
２は要部（回転羽根）の概略図である。各図中、１は、
金属磁性膜が設けられたＰＥＴフィルム等の支持体であ
る。この金属磁性膜（厚さ２０００ÅのＣｏ−Ｎｉ（８
０％−２０％）合金磁性膜）は、厚さ２〜５０μｍ、例
えば６μｍで、中心線平均粗さＲａ１ｎｍのＰＥＴフィ
ルム等の非磁性の支持体の一面上に斜め蒸着装置を用い
て設けられたものである。磁性膜は、面内保磁力１６０
０Ｏｅ、面内飽和磁化６０００Ｇａｕｓｓ、角型比０．
９であった。
（ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置）の概略図、図
２は要部（回転羽根）の概略図である。各図中、１は、
金属磁性膜が設けられたＰＥＴフィルム等の支持体であ
る。この金属磁性膜（厚さ２０００ÅのＣｏ−Ｎｉ（８
０％−２０％）合金磁性膜）は、厚さ２〜５０μｍ、例
えば６μｍで、中心線平均粗さＲａ１ｎｍのＰＥＴフィ
ルム等の非磁性の支持体の一面上に斜め蒸着装置を用い
て設けられたものである。磁性膜は、面内保磁力１６０
０Ｏｅ、面内飽和磁化６０００Ｇａｕｓｓ、角型比０．
９であった。
【００１６】この支持体１が、真空槽２内に配設された
供給側ロール３ａから冷却キャンロール４を経て巻取側
ロール３ｂに走行させられるよう配設されている。５は
ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置である。６はプラ
ズマ反応管、７は２．４５ＧＨｚで６００Ｗのマイクロ
波発振器、８はアイソレータ、９はパワーモニタ、１０
はスリースタブチューナ、１１はコイル、１２はメタン
等の炭化水素の充填容器、１３はマスフローコントロー
ラ（ＭＦＣ）である。
供給側ロール３ａから冷却キャンロール４を経て巻取側
ロール３ｂに走行させられるよう配設されている。５は
ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置である。６はプラ
ズマ反応管、７は２．４５ＧＨｚで６００Ｗのマイクロ
波発振器、８はアイソレータ、９はパワーモニタ、１０
はスリースタブチューナ、１１はコイル、１２はメタン
等の炭化水素の充填容器、１３はマスフローコントロー
ラ（ＭＦＣ）である。
【００１７】１４はプラズマ反応管６内のマイクロ波入
口側に配設された外周にギアを有する回転リング、１５
は回転リング１４の外周ギアに噛合する駆動ギア、１６
は回転リング１４に取り付けられた羽根である。そし
て、図示しない駆動モータの力で回転する駆動ギア１５
によって回転リング１４が回転させられ、これによって
回転する羽根１６の力によりプラズマ反応管６内の気体
などが前方（支持体１の側）に押し遣られる。又、羽根
１６はフェライト（ＣｏＯＦｅ2 Ｏ3 ）等のマイクロ波
吸収材で形成されている為、マイクロ波発振器７からの
マイクロ波が羽根１６に当たると、吸収される。従っ
て、このマイクロ波はそこで断たれるから、その前方に
照射されるマイクロ波は断続的なものとなる。
口側に配設された外周にギアを有する回転リング、１５
は回転リング１４の外周ギアに噛合する駆動ギア、１６
は回転リング１４に取り付けられた羽根である。そし
て、図示しない駆動モータの力で回転する駆動ギア１５
によって回転リング１４が回転させられ、これによって
回転する羽根１６の力によりプラズマ反応管６内の気体
などが前方（支持体１の側）に押し遣られる。又、羽根
１６はフェライト（ＣｏＯＦｅ2 Ｏ3 ）等のマイクロ波
吸収材で形成されている為、マイクロ波発振器７からの
マイクロ波が羽根１６に当たると、吸収される。従っ
て、このマイクロ波はそこで断たれるから、その前方に
照射されるマイクロ波は断続的なものとなる。
【００１８】上記の装置を用いて磁気記録媒体原反の金
属磁性膜上に保護膜を形成した。すなわち、図１に示し
たＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて幅１５
０ｍｍの支持体上の金属磁性膜の上にダイヤモンドライ
クカーボン膜を１００Å厚さとなるよう堆積させた。こ
のＣＶＤ時に導入した反応ガス（ＣＨ4 とＨ2 ）は各々
１００ｓｃｃｍであり、羽根１６の後方位置からプラズ
マ反応管６内に導入した。又、供給側ロール３ａから−
１０℃に冷却されている冷却キャンロール４を経て巻取
側ロール３ｂに走行させた磁気記録媒体原反の走行速度
は２ｍ／ｍｉｎであり、真空槽２内の真空度は４×１０
-3Ｔｏｒｒである。又、羽根１６の回転速度は１０００
ｒｐｍである。
属磁性膜上に保護膜を形成した。すなわち、図１に示し
たＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて幅１５
０ｍｍの支持体上の金属磁性膜の上にダイヤモンドライ
クカーボン膜を１００Å厚さとなるよう堆積させた。こ
のＣＶＤ時に導入した反応ガス（ＣＨ4 とＨ2 ）は各々
１００ｓｃｃｍであり、羽根１６の後方位置からプラズ
マ反応管６内に導入した。又、供給側ロール３ａから−
１０℃に冷却されている冷却キャンロール４を経て巻取
側ロール３ｂに走行させた磁気記録媒体原反の走行速度
は２ｍ／ｍｉｎであり、真空槽２内の真空度は４×１０
-3Ｔｏｒｒである。又、羽根１６の回転速度は１０００
ｒｐｍである。
【００１９】上記のようにして得られたダイヤモンドラ
イクカーボン膜をオージェスペクトルにより調べたの
で、その結果を図３（ダイヤモンドライクカーボン膜を
形成後、５００ｍの位置での幅方向における厚さのバラ
ツキ）及び表−１（幅方向において真中位置での長手方
向における厚さのバラツキ）に示す。又、図１の装置か
ら羽根１６付き回転リングを取り外した装置によりダイ
ヤモンドライクカーボン膜を形成し、これをオージェス
ペクトルにより調べたので、その結果を図３及び表−１
に示す。
イクカーボン膜をオージェスペクトルにより調べたの
で、その結果を図３（ダイヤモンドライクカーボン膜を
形成後、５００ｍの位置での幅方向における厚さのバラ
ツキ）及び表−１（幅方向において真中位置での長手方
向における厚さのバラツキ）に示す。又、図１の装置か
ら羽根１６付き回転リングを取り外した装置によりダイ
ヤモンドライクカーボン膜を形成し、これをオージェス
ペクトルにより調べたので、その結果を図３及び表−１
に示す。
【００２０】 表−１ ０ｍ １００ｍ ３００ｍ ６００ｍ ８００ｍ ９００ｍ 実施例 −２Å −４Å −８Å ＋２Å ＋２Å ＋４Å 比較例 ＋２Å ＋１５Å ＋１３Å ＋５Å −３Å −６Å ＊設定厚さ（１００Å）からの変化 これによれば、本発明の装置を用いて作製したダイヤモ
ンドライクカーボン膜は厚さの均一性に優れていること
が判る。すなわち、長手方向においては、ダイヤモンド
ライクカーボン膜の最大厚さと最小厚さとの差が、本実
施例の場合には１２Åしかないのに対して、回転羽根に
よる照射マイクロ波の断続的制御が行われなかった比較
例の場合には２１Åも有る。又、幅方向にあっても、ダ
イヤモンドライクカーボン膜の最大厚さと最小厚さとの
差が、本実施例の場合には６Åしかないのに対して、回
転羽根による照射マイクロ波の断続的制御が行われなか
った比較例の場合には１８Åも有る。つまり、本発明に
よれば均一な厚さの薄膜を形成できる。
ンドライクカーボン膜は厚さの均一性に優れていること
が判る。すなわち、長手方向においては、ダイヤモンド
ライクカーボン膜の最大厚さと最小厚さとの差が、本実
施例の場合には１２Åしかないのに対して、回転羽根に
よる照射マイクロ波の断続的制御が行われなかった比較
例の場合には２１Åも有る。又、幅方向にあっても、ダ
イヤモンドライクカーボン膜の最大厚さと最小厚さとの
差が、本実施例の場合には６Åしかないのに対して、回
転羽根による照射マイクロ波の断続的制御が行われなか
った比較例の場合には１８Åも有る。つまり、本発明に
よれば均一な厚さの薄膜を形成できる。
【００２１】
【効果】本発明によれば、均一な膜を成膜できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明になる磁気記録媒体の製造装置概略図
【図２】本発明の要部の斜視図
【図３】ダイヤモンドライクカーボン膜厚の幅方向にお
けるバラツキを示すグラフ
けるバラツキを示すグラフ
１ 金属磁性膜が設けられた支持体 ２ 真空槽 ４ 冷却キャンロール ５ ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置 ６ プラズマ反応管 ７ マイクロ波発振器 １１ コイル １４ 回転リング １５ 駆動ギア １６ 羽根
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 准子 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法によ
り薄膜を形成する方法であって、 薄膜形成原料を反応管内に供給する工程と、反応管内の
薄膜形成原料にマイクロ波を照射する工程とを具備し、 前記照射されるマイクロ波を断続的に制御することを特
徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項２】 マイクロ波の断続的な制御が、反応管内
に照射されたマイクロ波をマイクロ波吸収材で断続的に
吸収することによることを特徴とする請求項１の薄膜形
成方法。 - 【請求項３】 マイクロ波吸収材が駆動させられ、これ
によってマイクロ波の断続的な制御が行われると共に、
反応管内の攪拌操作が行われることを特徴とする請求項
２の薄膜形成方法。 - 【請求項４】 ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法によ
り薄膜を形成する装置であって、真空槽と、薄膜が形成
される支持体と、この支持体の供給手段および巻取手段
と、前記供給手段と巻取手段との間の真空槽内における
支持体走行経路に対向して設けられたプラズマ反応管
と、このプラズマ反応管内に薄膜形成原料を供給する供
給手段と、前記プラズマ反応管内の薄膜形成原料に向け
てマイクロ波を照射するマイクロ波発振器と、前記プラ
ズマ反応管内に設けられ、前記マイクロ波発振器からの
マイクロ波を吸収するマイクロ波吸収材と、このマイク
ロ波吸収材を駆動し、照射されるマイクロ波を断続的に
制御する駆動手段とを具備することを特徴とする薄膜形
成装置。 - 【請求項５】 マイクロ波吸収材がマイクロ波を吸収す
る回転羽根であり、駆動手段が回転手段であることを特
徴とする請求項４の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP497095A JPH08193268A (ja) | 1995-01-17 | 1995-01-17 | 薄膜形成方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP497095A JPH08193268A (ja) | 1995-01-17 | 1995-01-17 | 薄膜形成方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08193268A true JPH08193268A (ja) | 1996-07-30 |
Family
ID=11598459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP497095A Pending JPH08193268A (ja) | 1995-01-17 | 1995-01-17 | 薄膜形成方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08193268A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210012770A (ko) * | 2019-07-26 | 2021-02-03 | 주식회사 엠디케이 | 기판 처리 장치 |
-
1995
- 1995-01-17 JP JP497095A patent/JPH08193268A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210012770A (ko) * | 2019-07-26 | 2021-02-03 | 주식회사 엠디케이 | 기판 처리 장치 |
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