JPH1091956A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 イオンガンを用いることなく、電磁変換特
性、及び耐久性に優れたＦｅ−Ｘ−Ｏ系磁性膜を有する
磁気記録媒体を提供することである。 【解決手段】 支持体上にＦｅ−Ｘ−Ｏ（Ｘは固体とし
て単体で存在し得る元素）系の磁性膜を有する磁気記録
媒体の製造方法であって、放電手段によりＸ粒子を飛散
させる工程と、Ｆｅを蒸発させる工程と、前記工程によ
る磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程とを具備
する磁気記録媒体の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｆｅ−Ｘ−Ｏ系磁
性膜を有する磁気記録媒体の製造方法に関する。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】磁性膜を蒸着やスパッ
タ等で構成した金属薄膜型の磁気記録媒体が知られてい
る。この磁性膜を構成する材料として、例えばＣｏ−Ｎ
ｉやＣｏ−Ｃｒ系の磁性合金が用いられている。しか
し、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ等は価格が高い。この為、Ｆｅが
注目された。

【０００３】しかし、Ｆｅは耐蝕性に劣る等の理由か
ら、磁性膜をＦｅ−Ｘ−Ｏ（Ｘ＝Ｓｉ，Ｐ，Ｂ，Ｃな
ど）とすることが提案（特開平６−１０４１１４号、特
開平６−１０４１１５号、特開平６−１０４１１６号、
特開平６−１０４１１７号）されている。これらの提案
の磁気記録媒体は、Ｆｅ粒子を蒸発させると共に、イオ
ンガンを用いてＸ（Ｘ＝Ｓｉ，Ｐ，Ｂ，Ｃなど）イオン
を蒸着Ｆｅ膜に照射し、又、蒸着Ｆｅ膜に酸素ガスを照
射することで製造される。

【０００４】しかし、Ｓｉイオンを蒸着Ｆｅ膜に照射す
る為には、イオンガンにはＳｉＨ₄等の危険なガスを供
給しなければならない。更には、イオンガンは高価であ
る。又、今後、展開されるであろう狭トラック化、短波
長記録化に対応する為には、一層の高出力が求められ
る。かつ、耐久性も要求される。つまり、上記提案で得
た特性を越えたものが求められ、その為の技術開発が待
たれた。

【０００５】従って、本発明が解決しようとする課題
は、より一層の電磁変換特性に優れたＦｅ−Ｘ−Ｏ系磁
性膜を有する磁気記録媒体を提供することである。又、
本発明が解決しようとするその他の課題は、耐久性に優
れたＦｅ−Ｘ−Ｏ系磁性膜を有する磁気記録媒体を提供
することである。又、本発明が解決しようとするその他
の課題は、イオンガンを用いることなく、電磁変換特
性、及び耐久性に優れたＦｅ−Ｘ−Ｏ系磁性膜を有する
磁気記録媒体を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記の課題は、支持体上
にＦｅ−Ｘ−Ｏ（Ｘは固体として単体で存在し得る元
素）系の磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であっ
て、放電手段によりＸ粒子を飛散させる工程と、Ｆｅを
蒸発させる工程と、前記工程による磁性膜の成膜時に酸
化性物質を供給する工程とを具備することを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法によって解決される。

【０００７】特に、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜
を有する磁気記録媒体の製造方法であって、アーク放電
により炭素粒子を飛散させる工程と、Ｆｅを蒸発させる
工程と、前記工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を
供給する工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法によって解決される。

【０００８】更には、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性
膜を有する磁気記録媒体の製造方法であって、アーク放
電により炭素塊から炭素粒子を飛散させ、前記支持体上
に付着させる付着工程と、Ｆｅを蒸発させ、Ｆｅ粒子を
前記支持体上に付着させる付着工程と、前記付着工程に
よる磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程とを具
備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法によっ
て解決される。

【０００９】又、支持体上にＦｅ−Ｓｉ−Ｏ系の磁性膜
を有する磁気記録媒体の製造方法であって、アーク放電
により珪素粒子を飛散させる工程と、Ｆｅを蒸発させる
工程と、前記工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を
供給する工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法によって解決される。

【００１０】更には、支持体上にＦｅ−Ｓｉ−Ｏ系の磁
性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であって、アーク
放電により珪素塊から珪素粒子を飛散させ、前記支持体
上に付着させる付着工程と、Ｆｅを蒸発させ、Ｆｅ粒子
を前記支持体上に付着させる付着工程と、前記付着工程
による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程とを
具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法によ
って解決される。

【００１１】尚、上記製造方法において、蒸発Ｆｅ粒子
が放電によるプラズマ雰囲気中を通過して支持体上に付
着するようにすることが好ましい。すなわち、蒸発Ｆｅ
粒子をプラズマ雰囲気中を通過させることにより、蒸発
Ｆｅ粒子のエネルギーが高まり、結着性が高まる。尚、
珪素塊は導電率が低い為、例えばＰなどの導電性向上物
質を含ませておくことにが好ましい。これにより、放電
を起こさせ易くなる。

【００１２】上記のようにすれば、高価なイオンガンを
用いずとも、Ｆｅ−Ｘ−Ｏ系磁性膜を成膜できる。しか
も、危険なガスを取り扱わなくて済む。この結果、コス
トも低廉になる。更には、イオンガンを用いてＦｅ−Ｘ
−Ｏ系磁性膜を成膜した場合よりも結晶性が良く、か
つ、緻密な膜が得られる。この結果、飽和磁束密度Ｂｓ
が向上し、高出力なものが得られる。又、耐久性も良
い。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明になる磁気記録媒体の製造
方法は、支持体上にＦｅ−Ｘ−Ｏ（Ｘは固体として単体
で存在し得る元素）系の磁性膜を有する磁気記録媒体の
製造方法であって、放電手段によりＸ粒子を飛散させる
工程と、Ｆｅを蒸発させる工程と、前記工程による磁性
膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程とを具備する。
特に、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を有する磁気
記録媒体の製造方法であって、アーク放電により炭素粒
子を飛散させる工程と、Ｆｅを蒸発させる工程と、前記
工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程
とを具備する。更には、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁
性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であって、アーク
放電により炭素塊から炭素粒子を飛散させ、前記支持体
上に付着させる付着工程と、Ｆｅを蒸発させ、Ｆｅ粒子
を前記支持体上に付着させる付着工程と、前記付着工程
による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程とを
具備する。又、支持体上にＦｅ−Ｓｉ−Ｏ系の磁性膜を
有する磁気記録媒体の製造方法であって、アーク放電に
より珪素粒子を飛散させる工程と、Ｆｅを蒸発させる工
程と、前記工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供
給する工程とを具備する。更には、支持体上にＦｅ−Ｓ
ｉ−Ｏ系の磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であ
って、アーク放電により珪素塊から珪素粒子を飛散さ
せ、前記支持体上に付着させる付着工程と、Ｆｅを蒸発
させ、Ｆｅ粒子を前記支持体上に付着させる付着工程
と、前記付着工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を
供給する工程とを具備する。蒸発Ｆｅ粒子は放電による
プラズマ雰囲気中を通過して支持体上に付着する。珪素
塊にはＰなどの導電性向上物質を含む。

【００１４】以下、更に詳しく説明する。図１は、本発
明の実施に用いる成膜装置（斜め蒸着装置）の概略図で
ある。同図中、１は冷却キャンロール、２ａは支持体３
の供給側ロール、２ｂは支持体３の巻取側ロールであ
る。支持体３は、供給側ロール２ａから冷却キャンロー
ル１を経て巻取側ロール２ｂに巻き取られて行く。支持
体３は、磁性あるいは非磁性いずれのものでも良い。一
般的には、非磁性である。支持体としては、ＰＥＴ等の
ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォ
ン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン
系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂等
の有機材料が用いられる。尚、支持体３の表面には、磁
性膜との密着性を向上させる為のアンダーコート層が必
要に応じて設けられる。又、必要に応じて、支持体３の
表面はイオンボンバード処理される。

【００１５】４はルツボ、５はルツボ４に充填されたＦ
ｅである。６は、冷却キャンロール１の下方位置に設け
られた遮蔽板である。尚、遮蔽板６は、支持体３に対し
て蒸着が行われた後段階の位置に対応する部分に設けら
れたものである。又、遮蔽板６は、ルツボ４からの蒸発
Ｆｅ粒子が支持体３に蒸着する時の最小入射角θ₁ が５
０°〜７０°となるよう設定されている。

【００１６】７は、遮蔽板６と冷却キャンロール１との
間の位置に配設された酸素ガス供給ノズルである。この
ノズル７より供給される酸素の供給方向は、図１中、左
から右であり、支持体３の走行方向は、図１中、右から
左であり、従って酸素ガスの供給方向と支持体１の走行
方向とは逆方向である。８は電子銃であり、電子銃８か
らの電子ビームはルツボ４内のＦｅ５目掛けて照射され
る。

【００１７】９はアーク放電装置、９ａはアーク放電装
置９に装填された炭素塊（炭素棒）あるいは珪素塊（珪
素棒）である。尚、炭素棒（珪素棒）９ａをアーク放電
させることによって飛散した炭素粒子（珪素粒子）が前
記蒸発Ｆｅ粒子の飛行領域を飛行するよう、かつ、アー
ク放電によるプラズマ雰囲気中を前記蒸発Ｆｅ粒子が飛
行するように炭素棒（珪素棒）９ａは設置されている。

【００１８】１０は真空槽である。上記装置において、
先ず、真空槽１０内を１０^-4〜１０^-6Ｔｏｒｒの真空度
に排気する。そして、電子銃８からの電子ビームをＦｅ
５に照射し、蒸発させる。尚、電子ビーム照射の代わり
に、抵抗加熱や高周波加熱などの手段を採用することも
出来る。かつ、アーク放電装置９のスイッチをオンにし
て、アーク放電を開始する。これによって、例えば炭素
粒子が飛散する。そして、蒸発したＦｅ粒子は、アーク
放電装置９によるプラズマ雰囲気中を通過し、そして最
小入射角θ₁が５０°〜７０°でもって、走行する支持
体３上に斜め蒸着する。かつ、Ｆｅ粒子と共に炭素粒子
が支持体３上に斜め蒸着する。この斜め蒸着に際して、
ノズル７から酸素ガスが１０〜１００ｓｃｃｍ供給さ
れ、磁性膜の表面酸化が行われる。そして、厚さが８０
０〜５０００Å（特に、１０００〜２５００Å）のＦｅ
−Ｃ−Ｏ系磁性膜が設けられる。炭素棒の代わりに珪素
棒を用いてアーク放電させた場合には、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｏ
系磁性膜が設けられる。

【００１９】Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は、Ｆｅが５０〜９
０原子％（特に、６０〜８５原子％）、Ｃが３〜３５原
子％（特に、５〜３０原子％）、Ｏが５〜２５原子％
（特に、７〜２０原子％）の組成割合からなるものが好
ましい。このような組成のものとすることによって、保
磁力Ｈｃが１１００Ｏｅ以上も有り、かつ、飽和磁束密
度Ｂｓが４０００Ｇ以上も有り、しかも耐蝕性にも優
れ、硬度は高く、更には緻密な膜である。

【００２０】Ｆｅ−Ｓｉ−Ｏ系磁性膜は、Ｆｅが５０〜
９０原子％（特に、６０〜８５原子％）、Ｓｉが３〜３
５原子％（特に、５〜３０原子％）、Ｏが５〜２５原子
％（特に、７〜２０原子％）の組成割合からなるものが
好ましい。このような組成のものとすることによって、
保磁力Ｈｃが１１００Ｏｅ以上も有り、かつ、飽和磁束
密度Ｂｓが４０００Ｇ以上も有り、しかも耐蝕性にも優
れ、硬度は高く、更には緻密な膜である。

【００２１】Ｆｅ−Ｘ−Ｏ系磁性膜の表面には厚さが１
０〜５００Åの保護膜が設けられる。保護膜を構成する
材料として、Ａｌ等の金属の酸化物、窒化物、あるいは
炭化物などがある。特に、ダイヤモンドライクカーボン
は好ましいものである。ダイヤモンドライクカーボンよ
りなる保護膜はケミカルベーパーデポジション（ＣＶ
Ｄ）法により成膜される。特に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置により成膜される。すなわち、真空槽内に配設され
た支持体上の磁性膜に対してＥＣＲプラズマＣＶＤ装置
を作動させ、磁性膜に炭化水素系ガスのプラズマを吹き
付ける。これにより、磁性膜表面に保護膜（ダイヤモン
ドライクカーボン膜）が成膜される。

【００２２】支持体３の他面（裏面）には、バックコー
ト膜が設けられる。例えば、蒸着法、直流スパッタ法、
交流スパッタ法、高周波スパッタ法、直流マグネトロン
スパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ法、イオンビ
ームスパッタ法などのメッキ手段によりバックコート膜
が設けられる。又、カーボンブラック及びバインダを含
有する塗料を塗布することによってもバックコート膜は
設けられる。

【００２３】そして、表面には、潤滑剤、特にパーフル
オロポリエーテル等のフッ素系の潤滑剤の塗料が塗布さ
れ、厚さが１０〜２００Åの潤滑剤の膜が設けられる。
尚、潤滑剤としては、例えば-(C(R)F-CF₂-O)_p - （但
し、ＲはＦ，ＣＦ₃ ，ＣＨ₃ などの基）、特にHOOC-CF₂
(O-C₂F₄)_p (OCF₂) _q -OCF₂-COOH ，F-(CF₂CF₂CF₂O)_n -C
F₂CF₂COOH 等のカルボキシル基変性パーフロオロポリエ
ーテル、HOCH₂-CF₂(O-C₂F₄) _p (OCF₂) _q -OCF₂-CH₂OH，
HO-(C₂H₄-O) _m -CH₂-(O-C₂F₄) _p (OCF₂) _q -OCH₂-(OCH₂
CH₂)_n -OH ，F-(CF₂CF₂CF₂O)_n -CF₂CF₂CH₂OH等のアルコ
ール変性パーフロオロポリエーテルが挙げられる。分子
量は５００〜５００００のものが好ましい。具体的に
は、モンテカチーニ社のＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＩＡＣ
やＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ、ダイキン工業社のデム
ナムＳＡ等がある。

【００２４】

【実施例１】図１に示す装置を用いた。支持体３は６．
３μｍ厚のＰＥＴフィルムである。そして、２０〜３０
ｎｍφのカーボンブラック及びバインダ樹脂を含むバッ
クコート塗料をＰＥＴフィルムの裏面に塗布し、乾燥厚
さが０．５μｍのバックコート膜を設けた。支持体３を
装置に装填した時、バックコート膜が冷却キャンロール
１に接している。

【００２５】そして、下記の条件で１８３０Å厚のＦｅ
−Ｃ−Ｏ（Ｆｅ：Ｃ：Ｏ＝８５：９：６（原子比））系
磁性膜を成膜した。冷却キャンロール１の温度は−２０
℃に制御されている。支持体３の走行速度は２ｍ／分で
ある。ノズル７からの酸素供給量は３３ｓｃｃｍであ
る。ルツボ４には、純度が９９．９％のＦｅが充填され
た。

【００２６】電子銃８により電子ビームをルツボ４内の
Ｆｅ５目掛けて照射し、溶融ＦｅからＦｅ粒子を蒸発さ
せた。支持体３に斜め蒸着する時の最小入射角は５５°
である。アーク放電装置９には交流電圧５００ｖを印加
し、１０Ａの電流を流して炭素棒９ａにアーク放電を起
こさせた。

【００２７】次に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置にベンゼ
ンを供給し、８５Å厚のダイヤモンドライクカーボン膜
を磁性膜の上に設けた。又、表面に潤滑剤（デムナムＳ
Ａ）の膜を２０Å厚設け、この後通常の工程を経てＨｉ
８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。

【００２８】

【実施例２】実施例１において、Ｆｅ粒子の蒸発量及び
アーク放電の条件を変更して１８５０Å厚のＦｅ−Ｃ−
Ｏ（Ｆｅ：Ｃ：Ｏ＝８３：１０：７（原子比））系磁性
膜を成膜した以外は実施例１に準じて行った。

【００２９】

【実施例３】実施例１において、Ｆｅ粒子の蒸発量及び
アーク放電の条件を変更して１８２０Å厚のＦｅ−Ｃ−
Ｏ（Ｆｅ：Ｃ：Ｏ＝８０：１２：８（原子比））系磁性
膜を成膜した以外は実施例１に準じて行った。

【００３０】

【実施例４】実施例１において、炭素棒の代わりに１３
０ｐｐｍのＰをドープした珪素棒をアーク放電装置に装
填し、１８６０Å厚のＦｅ−Ｓｉ−Ｏ（Ｆｅ：Ｓｉ：Ｏ
＝８５：６：９（原子比））系磁性膜を成膜した以外は
実施例１に準じて行った。

【００３１】

【実施例５】実施例４において、Ｆｅ粒子の蒸発量及び
アーク放電の条件を変更して１８４０Å厚のＦｅ−Ｓｉ
−Ｏ（Ｆｅ：Ｓｉ：Ｏ＝８３：９：８（原子比））系磁
性膜を成膜した以外は実施例４に準じて行った。

【００３２】

【実施例６】実施例４において、Ｆｅ粒子の蒸発量及び
アーク放電の条件を変更して１８１０Å厚のＦｅ−Ｓｉ
−Ｏ（Ｆｅ：Ｓｉ：Ｏ＝７９：１１：１０（原子比））
系磁性膜を成膜した以外は実施例４に準じて行った。

【００３３】

【比較例１】実施例１において、アーク放電装置を動作
させず、代わりにイオンガンにＣＨ ₄ を供給してＣイオ
ンを照射し、厚さ１８３０ÅのＦｅ−Ｃ−Ｏ（Ｆｅ：
Ｃ：Ｏ＝８３：７：１０（原子比））系磁性膜を成膜し
た以外は実施例１に準じて行った。

【００３４】

【比較例２】実施例４において、アーク放電装置を動作
させず、代わりにイオンガンにＳｉＨ₄ を供給してＳｉ
イオンを照射し、厚さ１８５０ÅのＦｅ−Ｓｉ−Ｏ（Ｆ
ｅ：Ｓｉ：Ｏ＝８２：８：１０（原子比））系磁性膜を
成膜した以外は実施例４に準じて行った。

【００３５】

【特性】上記各例で得たＨｉ８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ
について、磁気特性（飽和磁束密度Ｂｓ、保磁力Ｈｃ）
及び電磁変換特性（出力）を調べたので、その結果を表
−１に示す。 表−１ 飽和磁束密度Ｂｓ（Ｇ） 保磁力Ｈｃ（Ｏｅ） 出力（ｄＢ） 実施例１ ５６００ １５６０ ＋０．８ 実施例２ ５４００ １５８０ ＋１．２ 実施例３ ５２００ １６００ ＋１．８ 比較例１ ５３００ １５５０ ０ 実施例４ ５７００ １５８０ ＋０．３ 実施例５ ５５００ １６１０ ＋０．９ 実施例６ ５２００ １６３０ ＋１．２ 比較例２ ５３００ １６００ ０ ＊磁気特性はＶＳＭ（理学電機製の振動試料型磁力計）により求めた。

【００３６】＊出力は、ＤＶＣカムコーダーを改造し、
２１ＭＨｚの正弦波を記録し、１００時間スチルモード
で再生し続けた後の再生出力を測定。実施例１〜３は比
較例１を基準（０ｄＢ）。実施例４〜６は比較例２を基
準（０ｄＢ）。これによれば、本発明の方法により得ら
れる磁性膜は磁気特性に優れ、かつ、出力が高く、更に
は耐久性に優れたものであることが判る。

【００３７】

【発明の効果】磁気特性、及び電磁変換特性、更には耐
久性に優れた磁気記録媒体が低廉なコストで得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気記録媒体の製造装置の概略図

【符号の説明】

１ 冷却キャンロール ３ 支持体 ４ ルツボ ５ Ｆｅ ７ ノズル ８ 電子銃 ９ アーク放電装置 ９ａ 炭素棒（珪素棒）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 宮村 猛史 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持体上にＦｅ−Ｘ−Ｏ（Ｘは固体とし
   て単体で存在し得る元素）系の磁性膜を有する磁気記録
   媒体の製造方法であって、 放電手段によりＸ粒子を飛散させる工程と、 Ｆｅを蒸発させる工程と、 前記工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する
   工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造
   方法。
2. 【請求項２】 支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を有
   する磁気記録媒体の製造方法であって、 アーク放電により炭素粒子を飛散させる工程と、 Ｆｅを蒸発させる工程と、 前記工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する
   工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造
   方法。
3. 【請求項３】 支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を有
   する磁気記録媒体の製造方法であって、 アーク放電により炭素塊から炭素粒子を飛散させ、前記
   支持体上に付着させる付着工程と、 Ｆｅを蒸発させ、Ｆｅ粒子を前記支持体上に付着させる
   付着工程と、 前記付着工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給
   する工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の
   製造方法。
4. 【請求項４】 支持体上にＦｅ−Ｓｉ−Ｏ系の磁性膜を
   有する磁気記録媒体の製造方法であって、 アーク放電により珪素粒子を飛散させる工程と、 Ｆｅを蒸発させる工程と、 前記工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する
   工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造
   方法。
5. 【請求項５】 支持体上にＦｅ−Ｓｉ−Ｏ系の磁性膜を
   有する磁気記録媒体の製造方法であって、 アーク放電により珪素塊から珪素粒子を飛散させ、前記
   支持体上に付着させる付着工程と、 Ｆｅを蒸発させ、Ｆｅ粒子を前記支持体上に付着させる
   付着工程と、 前記付着工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給
   する工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の
   製造方法。
6. 【請求項６】 蒸発Ｆｅ粒子が放電によるプラズマ雰囲
   気中を通過して支持体上に付着するようにすることを特
   徴とする請求項１〜請求項５いずれかの磁気記録媒体の
   製造方法。
7. 【請求項７】 珪素塊には導電性向上物質が含まれてい
   ることを特徴とする請求項５の磁気記録媒体の製造方
   法。