JPH08203433A - ガラス破壊装置 - Google Patents
ガラス破壊装置Info
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- JPH08203433A JPH08203433A JP864195A JP864195A JPH08203433A JP H08203433 A JPH08203433 A JP H08203433A JP 864195 A JP864195 A JP 864195A JP 864195 A JP864195 A JP 864195A JP H08203433 A JPH08203433 A JP H08203433A
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Landscapes
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 外気に触れることなくエージングガス及び放
電ガスの交換可能なガラス破壊装置を提供する。 【構成】 密閉及び開封可能な処理室10と、この処理
室と連通していて真空排気系及びガス導入系装置46と
接続可能な配管部12と、処理室内にガス封入されてい
るガラス管を気密に保持しながら挿入するガラス管導入
部14と、処理室内に、この処理室を気密に保持しなが
らガラス管を破壊するガラス破壊手段16とを具えてい
る。
電ガスの交換可能なガラス破壊装置を提供する。 【構成】 密閉及び開封可能な処理室10と、この処理
室と連通していて真空排気系及びガス導入系装置46と
接続可能な配管部12と、処理室内にガス封入されてい
るガラス管を気密に保持しながら挿入するガラス管導入
部14と、処理室内に、この処理室を気密に保持しなが
らガラス管を破壊するガラス破壊手段16とを具えてい
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、真空又はガス雰囲気
中でガラス管を破壊するためのガラス破壊装置に関する
ものである。
中でガラス管を破壊するためのガラス破壊装置に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】従来、直流(DC)型プラズマディスプ
レイは、陰極と陽極とに挟まれた放電空間(表示セルと
もいう。)に放電ガスを封入してある。プラズマディス
プレイを表示させる場合は、それぞれの電極に選択的に
電圧を印加することにより所定のセル内でガス放電を起
こさせ、セルを表示させる。DC型プラズマディスプレ
イのガス充填方法としては、本願発明者等による特開平
3−257739号に開示した方法がある。この方法
は、ガス封入装置内で最初にエージング用ガスをパネル
に連通させて設けたガラス管を通してパネル内に導入
し、その後パネルに駆動回路を取りつけてエージングを
行う。その後、パネル内に封入されているエージングガ
スを一旦真空排気した後、パネル内に再度放電ガスを封
入してパネルに接続されているガラス管をチップオフす
るものであった。
レイは、陰極と陽極とに挟まれた放電空間(表示セルと
もいう。)に放電ガスを封入してある。プラズマディス
プレイを表示させる場合は、それぞれの電極に選択的に
電圧を印加することにより所定のセル内でガス放電を起
こさせ、セルを表示させる。DC型プラズマディスプレ
イのガス充填方法としては、本願発明者等による特開平
3−257739号に開示した方法がある。この方法
は、ガス封入装置内で最初にエージング用ガスをパネル
に連通させて設けたガラス管を通してパネル内に導入
し、その後パネルに駆動回路を取りつけてエージングを
行う。その後、パネル内に封入されているエージングガ
スを一旦真空排気した後、パネル内に再度放電ガスを封
入してパネルに接続されているガラス管をチップオフす
るものであった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ようにガス封入装置内でエージングガスと放電ガスとを
入れ替えたり、ガス封入装置内でエージングを行う方法
は、パネルが大型化、或いは量産化を図る上で実用的で
はない。すなわち、エージングを行う場合、エージング
駆動装置を製造現場にセットしてエージングを行ってい
るが、エージングを行っている間は次のロットのパネル
にエージングガスの封入ができないため、作業効率が悪
くなる。従って、パネルの大型化及び量産化に対応する
ためには、エージングの際にガス導入系統とパネルとを
一旦切り離してエージングを行う方がより効率的であ
る。このような場合、パネル内にエージングガスを封入
してあるガラス管を一旦チップオフした後、エージング
を行うことになる。また、エージングの終了したパネル
は、チップオフしたパネルのガラス管の部分を破壊して
新たに放電ガスをパネル内に封入することになる。この
とき、パネル内部が外気に触れてしまいエージング効果
が失われてしまうという問題があった。従来は、一旦ガ
ス導入系から切り離されたエージングガスが封入されて
いるパネル内が外気に触れることなく、パネル内の放電
ガスを入れ替える有効な手段がなかった。
ようにガス封入装置内でエージングガスと放電ガスとを
入れ替えたり、ガス封入装置内でエージングを行う方法
は、パネルが大型化、或いは量産化を図る上で実用的で
はない。すなわち、エージングを行う場合、エージング
駆動装置を製造現場にセットしてエージングを行ってい
るが、エージングを行っている間は次のロットのパネル
にエージングガスの封入ができないため、作業効率が悪
くなる。従って、パネルの大型化及び量産化に対応する
ためには、エージングの際にガス導入系統とパネルとを
一旦切り離してエージングを行う方がより効率的であ
る。このような場合、パネル内にエージングガスを封入
してあるガラス管を一旦チップオフした後、エージング
を行うことになる。また、エージングの終了したパネル
は、チップオフしたパネルのガラス管の部分を破壊して
新たに放電ガスをパネル内に封入することになる。この
とき、パネル内部が外気に触れてしまいエージング効果
が失われてしまうという問題があった。従来は、一旦ガ
ス導入系から切り離されたエージングガスが封入されて
いるパネル内が外気に触れることなく、パネル内の放電
ガスを入れ替える有効な手段がなかった。
【0004】そこで、エージングの終了したパネルのガ
ラス管部分を破壊して新たに放電ガスをパネル内に導入
するとき、外気に触れることなく放電ガスを導入できる
ガラス破壊装置が望まれていた。
ラス管部分を破壊して新たに放電ガスをパネル内に導入
するとき、外気に触れることなく放電ガスを導入できる
ガラス破壊装置が望まれていた。
【0005】
【課題を解決するための手段】このため、この出願の発
明によれば、気密及び開封可能な処理室と、この処理室
と連通している真空排気系及びガス導入系と接続可能な
配管部と、処理室内にガス封入されているガラス管を処
理室に挿入した後、気密に保持できるガラス管導入部
と、この処理室内に当該処理室を気密保持しながらガラ
ス管を破壊するガラス破壊手段とを具えている。ガラス
管導入部には、ガラス管を挿入した後に処理室内の気密
性を保持するためにパッキンが設けられている。また、
ガラス破壊手段は平行移動できる機構を有するつき棒に
よりガラス管を物理的に破壊するものでもよいし、或い
はガラス管に選択的に熱を加えてガラス管を破壊するも
のでも良い。
明によれば、気密及び開封可能な処理室と、この処理室
と連通している真空排気系及びガス導入系と接続可能な
配管部と、処理室内にガス封入されているガラス管を処
理室に挿入した後、気密に保持できるガラス管導入部
と、この処理室内に当該処理室を気密保持しながらガラ
ス管を破壊するガラス破壊手段とを具えている。ガラス
管導入部には、ガラス管を挿入した後に処理室内の気密
性を保持するためにパッキンが設けられている。また、
ガラス破壊手段は平行移動できる機構を有するつき棒に
よりガラス管を物理的に破壊するものでもよいし、或い
はガラス管に選択的に熱を加えてガラス管を破壊するも
のでも良い。
【0006】この発明の実施にあたり、好ましくは配管
部の先端を処理室の一つの内壁近くまで突出させてある
のが良い。また、配管部内に破壊されたガラス片が吸引
されるのを防止する手段を具えるのが良い。更に、この
発明の実施に当たり、処理室にガラス管を破壊したとき
に生じるガラス破片を収納する収納部を具えるのが良
い。
部の先端を処理室の一つの内壁近くまで突出させてある
のが良い。また、配管部内に破壊されたガラス片が吸引
されるのを防止する手段を具えるのが良い。更に、この
発明の実施に当たり、処理室にガラス管を破壊したとき
に生じるガラス破片を収納する収納部を具えるのが良
い。
【0007】
【作用】この出願の発明のガラス破壊装置によれば、ガ
ラス管の破壊処理を行う、気密及び開封可能な処理室を
具えていて、この処理室には、その内部を真空排気系及
びガス導入系と接続するための配管部を設けてある。こ
のため、この配管部を真空排気系及びガス導入系装置と
を接続することにより、処理室内を真空又はガス雰囲気
の状態に気密保持することができる。また、この処理室
には、ガス封入されていてパネルを連通して設けられて
いるガラス管を、処理室に挿入した後に、気密性を保持
できるガラス管導入部を設けてあるので、ガラス管導入
部にガラス管を挿入することにより、ガラス管とガラス
管導入部とにより処理室内を外気と遮断し、処理室内を
気密に保持することができる。また、ガラス破壊装置
は、処理室内にガラス破壊手段を設けてあるので、処理
室の気密状態を保ったまま、すなわち、真空状態または
ガス雰囲気中でガス封入されているガラス管をガラス破
壊手段を用いて容易に破壊することができる。
ラス管の破壊処理を行う、気密及び開封可能な処理室を
具えていて、この処理室には、その内部を真空排気系及
びガス導入系と接続するための配管部を設けてある。こ
のため、この配管部を真空排気系及びガス導入系装置と
を接続することにより、処理室内を真空又はガス雰囲気
の状態に気密保持することができる。また、この処理室
には、ガス封入されていてパネルを連通して設けられて
いるガラス管を、処理室に挿入した後に、気密性を保持
できるガラス管導入部を設けてあるので、ガラス管導入
部にガラス管を挿入することにより、ガラス管とガラス
管導入部とにより処理室内を外気と遮断し、処理室内を
気密に保持することができる。また、ガラス破壊装置
は、処理室内にガラス破壊手段を設けてあるので、処理
室の気密状態を保ったまま、すなわち、真空状態または
ガス雰囲気中でガス封入されているガラス管をガラス破
壊手段を用いて容易に破壊することができる。
【0008】このように、この発明の装置を用いること
により、まず、ガラス管導入部に、ガス封入されている
ガラス管を挿入し、その後、処理室内を真空又は所定の
ガスの雰囲気の状態にしてガス封入されているガラス管
をガラス破壊手段により破壊する。その後、破壊された
ガラス管口からパネル内を一旦真空排気し、新たに放電
ガスをパネル内に導入した状態でパネル近傍のガラス管
をチップオフすることにより、エージングガスと放電ガ
スとの交換の際にまったくパネル内部を外気に触れさせ
ることなく、放電ガスをパネル中に封入することができ
る。
により、まず、ガラス管導入部に、ガス封入されている
ガラス管を挿入し、その後、処理室内を真空又は所定の
ガスの雰囲気の状態にしてガス封入されているガラス管
をガラス破壊手段により破壊する。その後、破壊された
ガラス管口からパネル内を一旦真空排気し、新たに放電
ガスをパネル内に導入した状態でパネル近傍のガラス管
をチップオフすることにより、エージングガスと放電ガ
スとの交換の際にまったくパネル内部を外気に触れさせ
ることなく、放電ガスをパネル中に封入することができ
る。
【0009】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明のガラス破壊
装置の実施例について説明する。なお、図1〜図4は、
この発明を理解出来る程度に各構成成分の形状、大きさ
及び配置関係を概略的に示してあるにすぎない。
装置の実施例について説明する。なお、図1〜図4は、
この発明を理解出来る程度に各構成成分の形状、大きさ
及び配置関係を概略的に示してあるにすぎない。
【0010】第1実施例 図1は、この発明の第1実施例のガラス破壊装置及び真
空排気系及びガス導入系装置の構成を説明するための要
部を断面で示した概略図である。
空排気系及びガス導入系装置の構成を説明するための要
部を断面で示した概略図である。
【0011】第1実施例のガラス破壊装置19は、密閉
及び開封可能な処理室10を具えている。そして、この
処理室10には、ガラス管(後述する)を挿入すること
により処理室10を密閉しかつガラス管を抜くことによ
り処理室10を開封するガラス管導入部14と、挿入さ
れたガラス管を破壊するガラス破壊手段16と、破壊さ
れたガラス破片を収納する収納部18とを設けている。
また、ガラス破壊装置19には、処理室10と連通して
いて真空排気系及びガス導入系46と接続可能な配管部
12を気密となるように設けてある。
及び開封可能な処理室10を具えている。そして、この
処理室10には、ガラス管(後述する)を挿入すること
により処理室10を密閉しかつガラス管を抜くことによ
り処理室10を開封するガラス管導入部14と、挿入さ
れたガラス管を破壊するガラス破壊手段16と、破壊さ
れたガラス破片を収納する収納部18とを設けている。
また、ガラス破壊装置19には、処理室10と連通して
いて真空排気系及びガス導入系46と接続可能な配管部
12を気密となるように設けてある。
【0012】次に、ガラス破壊装置を構成している主要
構造について説明する。配管部12は、先端を処理室1
0の一つの内壁面11近くまで突出させてあり、更に、
この配管部12内には、破壊されたガラス片の吸引を防
止する手段13を設けてある。この防止手段13として
例えばガラスウール、網、或いは極微細な穴のあいた蓋
等を用いるのが良い。第1実施例では、容易に入手し
得、取扱が簡単であり、しかも安価であるという理由
で、吸引を防止する手段13としてガラスウールを用い
る。配管部12は、その先端を処理室10の内壁面11
の近くにまで突出させ、かつ先端部の配管内をガラスウ
ール13を詰め込んであるので、ガラス破片が配管部1
2内に吸引されることはなくなる。また、配管部12
は、処理室10の壁を貫通して設けられ、配管部12と
処理室10の壁とは溶接により気密に固定されている。
構造について説明する。配管部12は、先端を処理室1
0の一つの内壁面11近くまで突出させてあり、更に、
この配管部12内には、破壊されたガラス片の吸引を防
止する手段13を設けてある。この防止手段13として
例えばガラスウール、網、或いは極微細な穴のあいた蓋
等を用いるのが良い。第1実施例では、容易に入手し
得、取扱が簡単であり、しかも安価であるという理由
で、吸引を防止する手段13としてガラスウールを用い
る。配管部12は、その先端を処理室10の内壁面11
の近くにまで突出させ、かつ先端部の配管内をガラスウ
ール13を詰め込んであるので、ガラス破片が配管部1
2内に吸引されることはなくなる。また、配管部12
は、処理室10の壁を貫通して設けられ、配管部12と
処理室10の壁とは溶接により気密に固定されている。
【0013】また、この装置19には、ガス封入されて
いるガラス管(図示せず)を処理室10に挿入した後、
気密保持できるガラス管導入部14が設けてある。この
ガラス管導入部14には、ガラス管を挿入するための穴
(又は案内孔ともいう。)17aを設けてある。このた
め、挿入するガラス管の先端部分をこの穴17aを通し
て処理室10内にセッテングできる。このガラス管導入
部14は、処理室10の1つの壁に突設され、穴17a
を画成する例えば金属製の管体23と、処理室10を密
閉するため管体23の内側に設けられた段差部に位置さ
せたパッキン15aと、このパッキン15aを押えるた
めこの段差部に嵌込んだアダプタ20aと、アダプタ2
0aを押圧してガラス管との密着性を保持するため、管
体23の外側に螺合するキャップ22aとを具えてい
る。この穴17aは、管体23を取りつけた処理室10
の壁の穴17bを介して処理室10と連通している。こ
の処理室10の壁の穴17bと穴17aの内径を同一と
する。また、この穴17aは、キャップ22aの穴17
cと同径であって、このキャップ22aの穴17cを介
して外部と連通している。すなわち、穴17a,17b
及び17cで1つの穴17を構成し、この穴17を通じ
て処理室10の外部から処理室10内へ処理すべきガラ
ス管32を導入する。なお、この第1実施例では、パッ
キン15aとして例えばOリングを用いる。
いるガラス管(図示せず)を処理室10に挿入した後、
気密保持できるガラス管導入部14が設けてある。この
ガラス管導入部14には、ガラス管を挿入するための穴
(又は案内孔ともいう。)17aを設けてある。このた
め、挿入するガラス管の先端部分をこの穴17aを通し
て処理室10内にセッテングできる。このガラス管導入
部14は、処理室10の1つの壁に突設され、穴17a
を画成する例えば金属製の管体23と、処理室10を密
閉するため管体23の内側に設けられた段差部に位置さ
せたパッキン15aと、このパッキン15aを押えるた
めこの段差部に嵌込んだアダプタ20aと、アダプタ2
0aを押圧してガラス管との密着性を保持するため、管
体23の外側に螺合するキャップ22aとを具えてい
る。この穴17aは、管体23を取りつけた処理室10
の壁の穴17bを介して処理室10と連通している。こ
の処理室10の壁の穴17bと穴17aの内径を同一と
する。また、この穴17aは、キャップ22aの穴17
cと同径であって、このキャップ22aの穴17cを介
して外部と連通している。すなわち、穴17a,17b
及び17cで1つの穴17を構成し、この穴17を通じ
て処理室10の外部から処理室10内へ処理すべきガラ
ス管32を導入する。なお、この第1実施例では、パッ
キン15aとして例えばOリングを用いる。
【0014】また、処理室10内にこの処理室10を気
密に保持しながらガラス管(図2の32参照)を破壊す
るためのガラス破壊手段16を設けてある。このガラス
破壊手段16は、ハンドル付き回転軸16aと、図中矢
印Aで示す左右方向へ移動可能な移動部材16bと、回
転軸16aを支持し、処理室10を構成しかつ気密性を
保持するための支持台26と、処理室10と支持台26
との間を直接又は間接的に封止するため、処理室10と
対向する端部の凹部に設けられたパッキン15bとを具
えている。この実施例では、支持台26を間接的に封止
するため、このパッキン15bを押えるアダプタ20b
を処理室10の壁の段差部に嵌込んで設け、このアダプ
タ20bの外側から支持台26を覆うようにして設けて
ある。そのため、例えばガラス破壊手段16側の処理室
10の外周壁にはネジ(図示せず)を設けてあり、ま
た、支持台26の内壁にもネジ(図示せず)を設けてあ
るので、この支持台26のネジと処理室10の外周壁の
ネジとを螺合することによりアダプタ20bが押しつけ
られてパッキン15bが処理室の壁に押圧され、処理室
10内を気密保持するように構成されている。そして、
ハンドル付き回転軸16aの軸の一方の端部側と移動部
材16bの一方の端部側とは螺合して互いに結合すると
共に、回転軸16aを回転させたとき、移動部材16b
を矢印A方向(左右方向)のいずれか一方の方向に移動
させることができる構成となっている。そのため、この
実施例では、移動部材16bの一端側に円筒状の凹部
(又は溝)29を設け、その内面にネジ切りし、このネ
ジ切りした部分と回転軸16aの外周にもネジ切りした
部分とが螺合する構成としてある。なお、移動部材16
bの形状は、円柱形、円筒形、角柱及び球体形などのい
ずれの形状であっても良い。ハンドル付き回転軸16a
として例えばニードルバルブを用いるのが良い。また、
支持台26には、回転軸16aを気密に挿入するための
穴が設けてある。このハンドル付き回転軸16aを支持
台26の穴に挿入してその回転軸16aの先端を移動部
材16bに螺合させておく。そして、回転軸16aのハ
ンドルを回転すると、回転軸16aは定位置で回転運動
を行うが、この回転に応じて移動部材16bは矢印Aで
示すいずれかの方向に進む。そのため、支持台26に
は、移動部材16bが移動した場合、この移動部材16
bと滑合するための溝(又は空所ともいう。)24を設
けてある。溝24の外径は、移動部材16bの外径より
も多少大きくしてある。
密に保持しながらガラス管(図2の32参照)を破壊す
るためのガラス破壊手段16を設けてある。このガラス
破壊手段16は、ハンドル付き回転軸16aと、図中矢
印Aで示す左右方向へ移動可能な移動部材16bと、回
転軸16aを支持し、処理室10を構成しかつ気密性を
保持するための支持台26と、処理室10と支持台26
との間を直接又は間接的に封止するため、処理室10と
対向する端部の凹部に設けられたパッキン15bとを具
えている。この実施例では、支持台26を間接的に封止
するため、このパッキン15bを押えるアダプタ20b
を処理室10の壁の段差部に嵌込んで設け、このアダプ
タ20bの外側から支持台26を覆うようにして設けて
ある。そのため、例えばガラス破壊手段16側の処理室
10の外周壁にはネジ(図示せず)を設けてあり、ま
た、支持台26の内壁にもネジ(図示せず)を設けてあ
るので、この支持台26のネジと処理室10の外周壁の
ネジとを螺合することによりアダプタ20bが押しつけ
られてパッキン15bが処理室の壁に押圧され、処理室
10内を気密保持するように構成されている。そして、
ハンドル付き回転軸16aの軸の一方の端部側と移動部
材16bの一方の端部側とは螺合して互いに結合すると
共に、回転軸16aを回転させたとき、移動部材16b
を矢印A方向(左右方向)のいずれか一方の方向に移動
させることができる構成となっている。そのため、この
実施例では、移動部材16bの一端側に円筒状の凹部
(又は溝)29を設け、その内面にネジ切りし、このネ
ジ切りした部分と回転軸16aの外周にもネジ切りした
部分とが螺合する構成としてある。なお、移動部材16
bの形状は、円柱形、円筒形、角柱及び球体形などのい
ずれの形状であっても良い。ハンドル付き回転軸16a
として例えばニードルバルブを用いるのが良い。また、
支持台26には、回転軸16aを気密に挿入するための
穴が設けてある。このハンドル付き回転軸16aを支持
台26の穴に挿入してその回転軸16aの先端を移動部
材16bに螺合させておく。そして、回転軸16aのハ
ンドルを回転すると、回転軸16aは定位置で回転運動
を行うが、この回転に応じて移動部材16bは矢印Aで
示すいずれかの方向に進む。そのため、支持台26に
は、移動部材16bが移動した場合、この移動部材16
bと滑合するための溝(又は空所ともいう。)24を設
けてある。溝24の外径は、移動部材16bの外径より
も多少大きくしてある。
【0015】また、移動部材16bの外周には移動部材
16bの左右方向の移動に伴って弾性部材、例えば伸縮
自在な板ばね25(図中、点線で表した部分)を設けて
ある。この板ばね25の一端と移動部材16bの一部と
は固定部25aで固定されており、板ばね25の他端と
アダプタ20bとは固定部25bで固定されている。
尚、この弾性手段は上述した板バネ以外のコイルバネ、
その他の伸縮自在ななんらかの手段であっても良い。更
に、溝29を設けた側とは反対側の移動部材16bの端
部側には、ガラス管32を挿入するためのガラス管挿入
穴16cが設けてある。この穴16cの径は、ガラス管
導入部14の穴17の径よりも小さくしてある。そし
て、このガラス管導入部14とガラス破壊手段16と
を、移動部材16bが移動したとき、ガラス管導入部の
穴17と、移動部材16bの穴16cとが一直線上に並
ぶような位置関係で設けてあれば良い。
16bの左右方向の移動に伴って弾性部材、例えば伸縮
自在な板ばね25(図中、点線で表した部分)を設けて
ある。この板ばね25の一端と移動部材16bの一部と
は固定部25aで固定されており、板ばね25の他端と
アダプタ20bとは固定部25bで固定されている。
尚、この弾性手段は上述した板バネ以外のコイルバネ、
その他の伸縮自在ななんらかの手段であっても良い。更
に、溝29を設けた側とは反対側の移動部材16bの端
部側には、ガラス管32を挿入するためのガラス管挿入
穴16cが設けてある。この穴16cの径は、ガラス管
導入部14の穴17の径よりも小さくしてある。そし
て、このガラス管導入部14とガラス破壊手段16と
を、移動部材16bが移動したとき、ガラス管導入部の
穴17と、移動部材16bの穴16cとが一直線上に並
ぶような位置関係で設けてあれば良い。
【0016】また、第1実施例の装置には、ガラス破壊
手段16によってガラス管を破壊したとき発生する破片
を収納するための収納部18を設けてある。この収納部
18には、パッキン15cとキャップ22bと処理室1
0の壁と一体構造をした金属製の管体21とを設けてあ
る。また、管体21の外壁にはネジが設けてあり、かつ
処理室10の壁と連通する穴が設けてある。また、キャ
ップ22bの内側にはネジが設けてある。このため、管
体21とキャップ22bとを螺合することにより、パッ
キン15cを押圧して処理室10を気密保持することが
できる。この収納部18は、ガラス破片が飛散して落下
したとき、これらガラス破片を収集できる位置に設けて
おけば良い。
手段16によってガラス管を破壊したとき発生する破片
を収納するための収納部18を設けてある。この収納部
18には、パッキン15cとキャップ22bと処理室1
0の壁と一体構造をした金属製の管体21とを設けてあ
る。また、管体21の外壁にはネジが設けてあり、かつ
処理室10の壁と連通する穴が設けてある。また、キャ
ップ22bの内側にはネジが設けてある。このため、管
体21とキャップ22bとを螺合することにより、パッ
キン15cを押圧して処理室10を気密保持することが
できる。この収納部18は、ガラス破片が飛散して落下
したとき、これらガラス破片を収集できる位置に設けて
おけば良い。
【0017】ガラス破壊手段16によって破壊されたガ
ラス破片は、処理室10の壁の穴及び管体21を通過し
てキャップ22b内に集積されるため、キャップ22b
を開封することによりガラス破片を外部に取り出すこと
ができる。
ラス破片は、処理室10の壁の穴及び管体21を通過し
てキャップ22b内に集積されるため、キャップ22b
を開封することによりガラス破片を外部に取り出すこと
ができる。
【0018】次に、配管部12と連結されている真空排
気系及びガス導入系装置46について説明する。配管部
12には、真空排気系及びガス導入系装置46と配管1
2aにより連結されている。そして、配管12aには、
真空排気装置40とこの装置40を開閉するための電磁
バルブ41とが連結されている。また、配管12aと、
ガス源42、44と、これらガス源42、44を開閉す
るための電磁バルブ43、45とが連結されている。こ
こでは、ガス源42をエージング用ガス、例えばNe−
1%体積Xe系ガスとし、ガス源44を放電用ガス、例
えば例えばHe−5%体積Xe系ガスとするのが良い。
気系及びガス導入系装置46について説明する。配管部
12には、真空排気系及びガス導入系装置46と配管1
2aにより連結されている。そして、配管12aには、
真空排気装置40とこの装置40を開閉するための電磁
バルブ41とが連結されている。また、配管12aと、
ガス源42、44と、これらガス源42、44を開閉す
るための電磁バルブ43、45とが連結されている。こ
こでは、ガス源42をエージング用ガス、例えばNe−
1%体積Xe系ガスとし、ガス源44を放電用ガス、例
えば例えばHe−5%体積Xe系ガスとするのが良い。
【0019】第1実施例の動作方法 次に、図1及び図2を参照して第1実施例の装置の動作
方法について説明する。まず、回転軸16aを回転させ
て、移動部材16bを移動させて、移動部材16bのガ
ラス管挿入穴16cをガラス管導入部14の穴17と一
直線となる位置に設定してガラス管32の先端部分が穴
16cに挿入できるようにする。予めエージングガスを
封入済のパネル30(例えばプラズマディスプレイパネ
ル(PDP))のガラス管32を、処理室10外からガ
ラス管導入部14を介して処理室10内に挿入する。通
常、ガラス管32には、切込み部32aとチップオフ部
32bとを設けてある。尚、切込み部32aは、ガラス
切り用具などを用いてガラス管に切口をつけておくのが
良い。ガラス管32をガラス管導入部14の穴17にセ
ットするに際して、処理室10内を気密保持するため、
キャップ22aを管体23と螺合させて、管体23の段
差部に設けたパッキン15aをガラス管32に押圧して
ガラス管32を固定する。
方法について説明する。まず、回転軸16aを回転させ
て、移動部材16bを移動させて、移動部材16bのガ
ラス管挿入穴16cをガラス管導入部14の穴17と一
直線となる位置に設定してガラス管32の先端部分が穴
16cに挿入できるようにする。予めエージングガスを
封入済のパネル30(例えばプラズマディスプレイパネ
ル(PDP))のガラス管32を、処理室10外からガ
ラス管導入部14を介して処理室10内に挿入する。通
常、ガラス管32には、切込み部32aとチップオフ部
32bとを設けてある。尚、切込み部32aは、ガラス
切り用具などを用いてガラス管に切口をつけておくのが
良い。ガラス管32をガラス管導入部14の穴17にセ
ットするに際して、処理室10内を気密保持するため、
キャップ22aを管体23と螺合させて、管体23の段
差部に設けたパッキン15aをガラス管32に押圧して
ガラス管32を固定する。
【0020】次に、配管部12に連結されている真空排
気装置40の電磁バルブ41を開にして処理室10内を
真空排気する。このとき、ガス導入源42、44側の電
磁バルブ43及び45は閉にしておく。処理室10内を
高真空(例えば1×10-6Torr)に排気した後、電
磁バルブ41を閉にしてハンドル付き回転軸16aを回
転させる。このハンドルを回転させると移動部材16b
は、矢印Aの方向(左又は右方向)に移動するので、図
1に示すように、穴17と16cは、同一直線上から互
いにずれた位置関係となる。このため、ガラス管32の
切り込み部32aは、ガラス管挿入穴16cの内壁部と
接触して押圧されるので、ガラス管32の長手方向と直
交する方向に破壊される。破壊されたガラス破片は、処
理室10に設けられている収納部18にトラップされ
る。また、ガラス破片が配管部12に入り込まないよう
に配管部12の先端を処理室10の一つの内壁面11の
近くまで突出させ、かつ配管部12内に例えばガラスウ
ール13を詰めてあるので、ガラス破片が配管12a内
に吸引されのを防止できる。その後、電磁バルブ45を
開にして、放電用ガス源44から放電ガス(例えばHe
−Xe5%体積ガス)をパネル30内に導入する。更
に、電磁バルブ45を閉にした後、ガラス管32のチッ
プオフ部32bを例えばガスバーナなどを用いて封止し
てパネル内への放電ガスの封入が完了する。
気装置40の電磁バルブ41を開にして処理室10内を
真空排気する。このとき、ガス導入源42、44側の電
磁バルブ43及び45は閉にしておく。処理室10内を
高真空(例えば1×10-6Torr)に排気した後、電
磁バルブ41を閉にしてハンドル付き回転軸16aを回
転させる。このハンドルを回転させると移動部材16b
は、矢印Aの方向(左又は右方向)に移動するので、図
1に示すように、穴17と16cは、同一直線上から互
いにずれた位置関係となる。このため、ガラス管32の
切り込み部32aは、ガラス管挿入穴16cの内壁部と
接触して押圧されるので、ガラス管32の長手方向と直
交する方向に破壊される。破壊されたガラス破片は、処
理室10に設けられている収納部18にトラップされ
る。また、ガラス破片が配管部12に入り込まないよう
に配管部12の先端を処理室10の一つの内壁面11の
近くまで突出させ、かつ配管部12内に例えばガラスウ
ール13を詰めてあるので、ガラス破片が配管12a内
に吸引されのを防止できる。その後、電磁バルブ45を
開にして、放電用ガス源44から放電ガス(例えばHe
−Xe5%体積ガス)をパネル30内に導入する。更
に、電磁バルブ45を閉にした後、ガラス管32のチッ
プオフ部32bを例えばガスバーナなどを用いて封止し
てパネル内への放電ガスの封入が完了する。
【0021】第2実施例 図3は、この発明の第2実施例の装置の構造と真空排気
系及びガス導入系装置の構成について説明するための図
である。この第2実施例の装置は、ガラス破壊手段27
としてヒータ27aを用いる点が第1実施例と異なって
いる。ヒータ27aとしては、一般に市販されている白
金線、ニクロム線或いはセラミックヒータなどを用いる
のが良い。尚、ここで述べたヒータ材料は一例にすぎ
ず、ガスの発生しない材料であれば何らこの材料に制限
されるものではない。ヒータ保持部27bは、処理室1
0の壁に取り付けてあり、かつヒータ保持部27bは外
気が処理室10内に入り込まないように、気密保持され
ている。なお、ヒータ27aの位置は、ガラス管導入部
14の穴17の垂直方向であって、ほぼ穴17径の中心
にヒータ27a径の中心が合うようにセットしてある。
ここでは、ヒータ27aとヒータ保持部27bとを総称
してガラス破壊手段27と称する。
系及びガス導入系装置の構成について説明するための図
である。この第2実施例の装置は、ガラス破壊手段27
としてヒータ27aを用いる点が第1実施例と異なって
いる。ヒータ27aとしては、一般に市販されている白
金線、ニクロム線或いはセラミックヒータなどを用いる
のが良い。尚、ここで述べたヒータ材料は一例にすぎ
ず、ガスの発生しない材料であれば何らこの材料に制限
されるものではない。ヒータ保持部27bは、処理室1
0の壁に取り付けてあり、かつヒータ保持部27bは外
気が処理室10内に入り込まないように、気密保持され
ている。なお、ヒータ27aの位置は、ガラス管導入部
14の穴17の垂直方向であって、ほぼ穴17径の中心
にヒータ27a径の中心が合うようにセットしてある。
ここでは、ヒータ27aとヒータ保持部27bとを総称
してガラス破壊手段27と称する。
【0022】また、第2実施例の装置28は、配管部1
2内にガラス破片の吸引を防止するためのガラスウール
13を設ける必要はない。その理由は、加熱によってガ
ラス管の破壊を行った場合には、急激な部分加熱を行う
ことにより、ガラス管にクラックが発生し、そのクラッ
ク部分からガラス管が破壊するので、第1実施例のよう
にガラス破片が処理室10内に飛散する心配がないため
である。その他の処理室10内の配管部12、ガラス管
導入部14及び収納部18の構造は第1実施例と同様で
ある。したがって、詳細な説明を省略する。また、配管
部12と接続されている真空排気系及びガス導入系装置
46も第1実施例と同様である。従って、ここでは真空
排気系及びガス導入系装置46の詳細な説明は省略す
る。
2内にガラス破片の吸引を防止するためのガラスウール
13を設ける必要はない。その理由は、加熱によってガ
ラス管の破壊を行った場合には、急激な部分加熱を行う
ことにより、ガラス管にクラックが発生し、そのクラッ
ク部分からガラス管が破壊するので、第1実施例のよう
にガラス破片が処理室10内に飛散する心配がないため
である。その他の処理室10内の配管部12、ガラス管
導入部14及び収納部18の構造は第1実施例と同様で
ある。したがって、詳細な説明を省略する。また、配管
部12と接続されている真空排気系及びガス導入系装置
46も第1実施例と同様である。従って、ここでは真空
排気系及びガス導入系装置46の詳細な説明は省略す
る。
【0023】第2実施例の装置の動作方法の説明 次に、図3及び図4を参照して、第2実施例のガラス破
壊装置の動作方法について説明する。なお、図4は、パ
ネル30に付随するガラス管32とガラス破壊装置28
とのセッティングの方法を説明するために供する図であ
る。
壊装置の動作方法について説明する。なお、図4は、パ
ネル30に付随するガラス管32とガラス破壊装置28
とのセッティングの方法を説明するために供する図であ
る。
【0024】第1実施例において既に説明した方法と同
様にして、まず、パネル30に取りつけられているガラ
ス管32をガラス管導入部14の穴17に挿入する。こ
のとき、キャップ22aと管体23を螺合してガラス管
32をガラス管導入部14に挿入し、処理室10を気密
保持する。このとき、ガラス管32の先端部であって、
ガラス管32の切込み部32aをヒータ27aに接触す
るようにセッテイングするのが良い。続いて、真空排気
装置40の電磁バルブ41を開にし、処理室10内を真
空排気する。このときの真空度は、第1実施例の値と同
一にする。続いて、電磁バルブ41を閉じ、ヒータの両
端子に電圧を印加する。このとき、ヒータ27aの温度
が瞬時に800℃程度の温度になるように電圧印加装置
(図示せず)の電圧を調整しておくのが良い。このよう
な方法により、ガラス管32の切込み部32aを選択的
に容易に破壊できる。破壊されたガラス片は、収納部1
8にトラップされる。
様にして、まず、パネル30に取りつけられているガラ
ス管32をガラス管導入部14の穴17に挿入する。こ
のとき、キャップ22aと管体23を螺合してガラス管
32をガラス管導入部14に挿入し、処理室10を気密
保持する。このとき、ガラス管32の先端部であって、
ガラス管32の切込み部32aをヒータ27aに接触す
るようにセッテイングするのが良い。続いて、真空排気
装置40の電磁バルブ41を開にし、処理室10内を真
空排気する。このときの真空度は、第1実施例の値と同
一にする。続いて、電磁バルブ41を閉じ、ヒータの両
端子に電圧を印加する。このとき、ヒータ27aの温度
が瞬時に800℃程度の温度になるように電圧印加装置
(図示せず)の電圧を調整しておくのが良い。このよう
な方法により、ガラス管32の切込み部32aを選択的
に容易に破壊できる。破壊されたガラス片は、収納部1
8にトラップされる。
【0025】次に、電磁バルブ41を閉じた状態で、電
磁バルブ45を開にして放電用ガス源44からパネル内
に放電ガスを導入する。放電ガスを導入した後、パネル
のガラス管32のチップオフ部32bを例えばガスバー
ナを用いて封止する。このような一連の動作を行ってパ
ネル30内に放電ガスを外気に触れずに封入することが
できる。
磁バルブ45を開にして放電用ガス源44からパネル内
に放電ガスを導入する。放電ガスを導入した後、パネル
のガラス管32のチップオフ部32bを例えばガスバー
ナを用いて封止する。このような一連の動作を行ってパ
ネル30内に放電ガスを外気に触れずに封入することが
できる。
【0026】第2実施例では、ガラス破壊手段27とし
て、リング状のヒータ27aを用いた例について説明し
たが、例えば熱電対のように抵抗線同士を結合させた抵
抗体を用いて、抵抗線の結合部をガラス管32の切込み
部32aに直接接触させても良い。ガラス管32は、抵
抗線の点接触加熱により容易に破壊する。これは、丁度
冷却したコップ内に急激に熱湯を注いだ場合、簡単にガ
ラスコップが破壊する原理と同じである。
て、リング状のヒータ27aを用いた例について説明し
たが、例えば熱電対のように抵抗線同士を結合させた抵
抗体を用いて、抵抗線の結合部をガラス管32の切込み
部32aに直接接触させても良い。ガラス管32は、抵
抗線の点接触加熱により容易に破壊する。これは、丁度
冷却したコップ内に急激に熱湯を注いだ場合、簡単にガ
ラスコップが破壊する原理と同じである。
【0027】上述した第1及び第2実施例では、真空中
でガラス管を破壊させた例について説明したが、何ら真
空中に限定されるものではなく、例えばキャリアガス中
でガラス管を破壊させても良い。この場合は、真空排気
系及びガス導入系装置には、キャリアガス源を付加すれ
ば良い。また、第1及び第2実施例では処理室を真空あ
るいはガス雰囲気にしてガラス管を破壊し、パネル内の
ガスの入れ替えを行う方法を述べたが、従来のPDPの
製造プロセスで行われる例が多い水銀拡散をより短時間
に均一に行うプロセスにも応用できる。この場合は、予
めエージング処理を行ったパネルをこの発明のガラス破
壊装置を用いて外気に触れずに、パネル内部を真空排気
してその状態でチップオフを行う。このとき、パネル側
のガラス管はもう一度ガス入れ替えの行える状態にして
おく(所定の長さのガラス管をパネル側に残してお
く)。このパネル内部が真空の状態で例えば水銀ゲッタ
を加熱することによりパネル内に水銀を導入した後、例
えば、250℃程度にパネル全体を昇温させることによ
りパネル全域に水銀を拡散させる。このとき、パネル内
部は水銀蒸気だけであるので、容易に短時間で均一に水
銀をパネル全体に拡散することができる。その後、一旦
パネルを室温まで戻し、更に、このガラス破壊装置を用
いてパネル内に放電用ガスを導入する。室温では、水銀
の飽和蒸気圧(約10-3Torr)が低いため、一旦拡
散された水銀がこのプロセスで移動することはない。
でガラス管を破壊させた例について説明したが、何ら真
空中に限定されるものではなく、例えばキャリアガス中
でガラス管を破壊させても良い。この場合は、真空排気
系及びガス導入系装置には、キャリアガス源を付加すれ
ば良い。また、第1及び第2実施例では処理室を真空あ
るいはガス雰囲気にしてガラス管を破壊し、パネル内の
ガスの入れ替えを行う方法を述べたが、従来のPDPの
製造プロセスで行われる例が多い水銀拡散をより短時間
に均一に行うプロセスにも応用できる。この場合は、予
めエージング処理を行ったパネルをこの発明のガラス破
壊装置を用いて外気に触れずに、パネル内部を真空排気
してその状態でチップオフを行う。このとき、パネル側
のガラス管はもう一度ガス入れ替えの行える状態にして
おく(所定の長さのガラス管をパネル側に残してお
く)。このパネル内部が真空の状態で例えば水銀ゲッタ
を加熱することによりパネル内に水銀を導入した後、例
えば、250℃程度にパネル全体を昇温させることによ
りパネル全域に水銀を拡散させる。このとき、パネル内
部は水銀蒸気だけであるので、容易に短時間で均一に水
銀をパネル全体に拡散することができる。その後、一旦
パネルを室温まで戻し、更に、このガラス破壊装置を用
いてパネル内に放電用ガスを導入する。室温では、水銀
の飽和蒸気圧(約10-3Torr)が低いため、一旦拡
散された水銀がこのプロセスで移動することはない。
【0028】また、第1及び第2実施例の装置は、エー
ジングガスをパネル内に導入する装置としても利用でき
る。この場合は、ガラス破壊手段を用いずに、一端処理
室内を真空排気した後、外部に設けたガス導入系のエー
ジング用ガス源からエージングガスをパネル内に導入し
てガラス管のチップオフ部を封止すれば良い。
ジングガスをパネル内に導入する装置としても利用でき
る。この場合は、ガラス破壊手段を用いずに、一端処理
室内を真空排気した後、外部に設けたガス導入系のエー
ジング用ガス源からエージングガスをパネル内に導入し
てガラス管のチップオフ部を封止すれば良い。
【0029】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明のガラス破壊装置によれば、密閉及び開封可能な
処理室を設け、この処理室内に、この処理室と連通した
配管部と、ガラス管導入部と、ガラス破壊手段とを具え
ている。このため、予めエージングガスをパネル中に封
入した後、このパネルを単独にエージングした試料を用
意しておく。その後、エージングを終えた試料をガラス
破壊装置のガラス管導入部にセットして処理室内を真空
状態又はガス雰囲気とする。その後、ガラス管の切込み
部を破壊してガス導入系装置から放電ガスをパネル内に
導入してガラス管のチップオフ部を封止する。このよう
な一連の動作によりパネル内への放電ガスの入れ替えの
際に、パネル内をまったく外気に触れさせずにエージン
グ用ガスと放電ガスとのガス交換ができる。このため、
パネルのエージング効果を持続させた状態で放電ガスを
パネル内へ封入できる。このように、パネル内へのエー
ジングガスの封入工程、エージング処理工程、及びエー
ジングガスと放電ガスとの入れ替え工程が個別にできる
ので、パネルの量産化或いは大型化に対処できる。ま
た、処理室内にガラス破片を収納する収納部を設けてあ
るので、放電ガス封入が終了した後、破壊されたガラス
破片を容易に処理室から外部へ取り出すことが出来る。
また、配管部の先端を処理室の一つの内壁面の近くまで
突出させてあるので、破壊されたガラス管の破片が配管
部内に入り込むのを低減できる。また、配管部内に破壊
されたガラス片の吸引を防止する手段を設けてあるの
で、真空排気またはガス導入の際の吸引によりガラス破
片が配管部に入り込むのを防止できる。
の発明のガラス破壊装置によれば、密閉及び開封可能な
処理室を設け、この処理室内に、この処理室と連通した
配管部と、ガラス管導入部と、ガラス破壊手段とを具え
ている。このため、予めエージングガスをパネル中に封
入した後、このパネルを単独にエージングした試料を用
意しておく。その後、エージングを終えた試料をガラス
破壊装置のガラス管導入部にセットして処理室内を真空
状態又はガス雰囲気とする。その後、ガラス管の切込み
部を破壊してガス導入系装置から放電ガスをパネル内に
導入してガラス管のチップオフ部を封止する。このよう
な一連の動作によりパネル内への放電ガスの入れ替えの
際に、パネル内をまったく外気に触れさせずにエージン
グ用ガスと放電ガスとのガス交換ができる。このため、
パネルのエージング効果を持続させた状態で放電ガスを
パネル内へ封入できる。このように、パネル内へのエー
ジングガスの封入工程、エージング処理工程、及びエー
ジングガスと放電ガスとの入れ替え工程が個別にできる
ので、パネルの量産化或いは大型化に対処できる。ま
た、処理室内にガラス破片を収納する収納部を設けてあ
るので、放電ガス封入が終了した後、破壊されたガラス
破片を容易に処理室から外部へ取り出すことが出来る。
また、配管部の先端を処理室の一つの内壁面の近くまで
突出させてあるので、破壊されたガラス管の破片が配管
部内に入り込むのを低減できる。また、配管部内に破壊
されたガラス片の吸引を防止する手段を設けてあるの
で、真空排気またはガス導入の際の吸引によりガラス破
片が配管部に入り込むのを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1実施例のガラス破壊装置の構造
と真空排気系及びガス導入系装置の構成とを説明するた
めの説明図である。
と真空排気系及びガス導入系装置の構成とを説明するた
めの説明図である。
【図2】第1実施例のガラス破壊装置を用いてガラス管
を破壊する方法を説明するための断面図である。
を破壊する方法を説明するための断面図である。
【図3】この発明の第2実施例のガラス破壊装置の構造
と真空排気系及びガス導入系装置の構成とを説明するた
めの説明図である。
と真空排気系及びガス導入系装置の構成とを説明するた
めの説明図である。
【図4】第2実施例のガラス破壊装置を用いてガラス管
のセッテング方法及びガラス管の破壊方法を説明するた
めの図である。
のセッテング方法及びガラス管の破壊方法を説明するた
めの図である。
10:処理室 11:内壁面 12:配管部 12a:配管 13:ガラスウール 14:ガラス管導入部 15a,15b,15c:パッキン 16:ガラス破壊手段 16a:ハンドル付き回転軸 16b:移動部材 16c:ガラス管挿入穴 17、17a,17b,17c:穴 18:収納部 19、28:ガラス破壊装置 20a,20b:アダプタ 21:管体 22a,22b:キャップ 23:管体 24:溝 25:板バネ 25a,25b:固定部 26:支持台 27:ガラス破壊手段 27a:ヒータ 27b:ヒータ保持部 29:溝 30:パネル 32:ガラス管 32a:切込み部 32b:チップオフ部 40:真空排気装置 41、43、45:開閉バルブ(電磁バルブ) 42:エージング用ガス源 44:放電用ガス源 46:真空排気系及びガス導入系装置
Claims (4)
- 【請求項1】 気密及び開封可能な処理室と、該処理室
と連通している真空排気系及びガス導入系と接続可能な
配管部と、前記処理室内にガス封入されているガラス管
を前記処理室に挿入した後、気密に保持できるガラス管
導入部と、前記処理室内に該処理室を気密保持しながら
前記ガラス管を破壊するガラス破壊手段とを具えてなる
ことを特徴とするガラス破壊装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載のガラス破壊装置におい
て、 前記処理室に前記ガラス管を破壊したときに生じるガラ
ス破片を収納する収納部を具えていることを特徴とする
ガラス破壊装置。 - 【請求項3】 請求項1に記載のガラス破壊装置におい
て、 前記配管部の先端を前記処理室の一つの内壁面近くまで
突出させてあることを特徴とするガラス破壊装置。 - 【請求項4】 請求項1に記載のガラス破壊装置におい
て、 前記配管部内に破壊されたガラス破片の吸引を防止する
手段を具えたことを特徴とするガラス破壊装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP864195A JPH08203433A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | ガラス破壊装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP864195A JPH08203433A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | ガラス破壊装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203433A true JPH08203433A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11698588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP864195A Pending JPH08203433A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | ガラス破壊装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08203433A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001349870A (ja) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Pdpパネル封入ガス分析方法およびpdpパネル封入ガス分析装置 |
-
1995
- 1995-01-24 JP JP864195A patent/JPH08203433A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001349870A (ja) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Pdpパネル封入ガス分析方法およびpdpパネル封入ガス分析装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030513 |