JPH08212917A - Ａｃ型ガス放電パネルの保護膜の製造方法 - Google Patents
Ａｃ型ガス放電パネルの保護膜の製造方法Info
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- JPH08212917A JPH08212917A JP7019152A JP1915295A JPH08212917A JP H08212917 A JPH08212917 A JP H08212917A JP 7019152 A JP7019152 A JP 7019152A JP 1915295 A JP1915295 A JP 1915295A JP H08212917 A JPH08212917 A JP H08212917A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光効率が高く、しかも価格を低減できるＡ
Ｃ型ガス放電パネルの保護膜の製造方法を提供する。 【構成】 ＡＣ型ガス放電パネルの保護膜の製造方法に
おいて、電極が形成された基板１０３上に誘電体層を形
成する工程と、この誘電体層上にミスト成膜装置１０１
を用いてミスト成膜法によりＭｇＯ保護膜を形成する工
程とを施す。
Ｃ型ガス放電パネルの保護膜の製造方法を提供する。 【構成】 ＡＣ型ガス放電パネルの保護膜の製造方法に
おいて、電極が形成された基板１０３上に誘電体層を形
成する工程と、この誘電体層上にミスト成膜装置１０１
を用いてミスト成膜法によりＭｇＯ保護膜を形成する工
程とを施す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡＣ型ガス放電パネル
の保護膜に係り、特にそのＡＣ型ガス放電パネルの保護
膜の製造方法に関するものである。
の保護膜に係り、特にそのＡＣ型ガス放電パネルの保護
膜の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の装置としては、「テレビ
ジョン学会 技術報告 ＩＤＹ９４−１４，Ｐ．１〜
６」に開示されるものがあり、表示電極（サステイン電
極）間の電位差により、誘電体層上の電荷を放電空間を
介してやりとりすることにより、放電空間に生じたプラ
ズマ放電により生じる紫外線で蛍光体を励起して発光さ
せ、カラー表示を行うものである。応用面としては、今
後、大画面のＨＤＴＶ用の表示デバイスの最有力候補と
考えられる。
ジョン学会 技術報告 ＩＤＹ９４−１４，Ｐ．１〜
６」に開示されるものがあり、表示電極（サステイン電
極）間の電位差により、誘電体層上の電荷を放電空間を
介してやりとりすることにより、放電空間に生じたプラ
ズマ放電により生じる紫外線で蛍光体を励起して発光さ
せ、カラー表示を行うものである。応用面としては、今
後、大画面のＨＤＴＶ用の表示デバイスの最有力候補と
考えられる。
【０００３】その場合、表示電極（サステイン電極）上
には誘電体層が形成され、その誘電体層と放電空間の間
には保護膜が設けられるが、その保護膜は印刷法により
形成することが試みられている。
には誘電体層が形成され、その誘電体層と放電空間の間
には保護膜が設けられるが、その保護膜は印刷法により
形成することが試みられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の装置では、ＣＲＴに比して発光効率が低い。ま
た、ＣＲＴに比して価格が高いといった問題があった。
本発明では、上記問題点を除去し、従来のものより、発
光効率が高く、しかも価格を低減できるＡＣ型ガス放電
パネルの保護膜の製造方法を提供することを目的とす
る。
た従来の装置では、ＣＲＴに比して発光効率が低い。ま
た、ＣＲＴに比して価格が高いといった問題があった。
本発明では、上記問題点を除去し、従来のものより、発
光効率が高く、しかも価格を低減できるＡＣ型ガス放電
パネルの保護膜の製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、ＡＣ型ガス放電パネルの保護膜の製造方
法において、 （１）電極が形成された基板上に誘電体層を形成する工
程と、この誘電体層上にミスト成膜法により、ＭｇＯ保
護膜を形成する工程とを施すようにしたものである。
成するために、ＡＣ型ガス放電パネルの保護膜の製造方
法において、 （１）電極が形成された基板上に誘電体層を形成する工
程と、この誘電体層上にミスト成膜法により、ＭｇＯ保
護膜を形成する工程とを施すようにしたものである。
【０００６】（２）電極が形成された基板上に誘電体層
を形成する工程と、この誘電体層上にＭｇＯ膜を形成す
る工程と、このＭｇＯ膜上にミスト成膜法により、Ｍｇ
Ｏ保護膜を形成する工程とを施すようにしたものであ
る。 （３）電極が形成された基板上に誘電体層を形成する工
程と、この誘電体層上にミスト成膜法により、アルカリ
土類複合酸化物や希土類複合酸化物からなる保護膜を形
成する工程とを施すようにしたものである。
を形成する工程と、この誘電体層上にＭｇＯ膜を形成す
る工程と、このＭｇＯ膜上にミスト成膜法により、Ｍｇ
Ｏ保護膜を形成する工程とを施すようにしたものであ
る。 （３）電極が形成された基板上に誘電体層を形成する工
程と、この誘電体層上にミスト成膜法により、アルカリ
土類複合酸化物や希土類複合酸化物からなる保護膜を形
成する工程とを施すようにしたものである。
【０００７】（４）電極が形成された基板上に誘電体層
を形成する工程と、この誘電体層上にＭｇＯ膜を形成す
る工程と、このＭｇＯ膜上にミスト成膜法により、アル
カリ土類複合酸化物や、希土類複合酸化物からなる保護
膜を形成する工程とを施すようにしたものである。
を形成する工程と、この誘電体層上にＭｇＯ膜を形成す
る工程と、このＭｇＯ膜上にミスト成膜法により、アル
カリ土類複合酸化物や、希土類複合酸化物からなる保護
膜を形成する工程とを施すようにしたものである。
【０００８】
（Ａ）請求項１又は２記載のＡＣ型ガス放電パネルの保
護膜の製造方法によれば、ミスト成膜法により、ＭｇＯ
膜を形成するようにしたので、高効率と低電圧が達成さ
れる。さらに、最上層にＭｇＯ膜が均一性良く形成され
るので、長寿命化も期待できる。
護膜の製造方法によれば、ミスト成膜法により、ＭｇＯ
膜を形成するようにしたので、高効率と低電圧が達成さ
れる。さらに、最上層にＭｇＯ膜が均一性良く形成され
るので、長寿命化も期待できる。
【０００９】（Ｂ）請求項３又は４記載のＡＣ型ガス放
電パネルの保護膜の製造方法によれば、ミスト成膜法に
より、保護膜として結晶性の高いアルカリ土類複合酸化
物や希土類複合酸化物を用いるようにしたので、低電
圧、低電流、高効率、長寿命が期待できる。
電パネルの保護膜の製造方法によれば、ミスト成膜法に
より、保護膜として結晶性の高いアルカリ土類複合酸化
物や希土類複合酸化物を用いるようにしたので、低電
圧、低電流、高効率、長寿命が期待できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すＡＣ
型ガス放電パネルの製造工程で用いるミスト成膜装置の
構成図、図２は本発明の実施例を示すＡＣ型ガス放電パ
ネルの部分斜視図、図３〜図５はそのパネルの製造工程
図、図６はそのミスト成膜工程図である。
がら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すＡＣ
型ガス放電パネルの製造工程で用いるミスト成膜装置の
構成図、図２は本発明の実施例を示すＡＣ型ガス放電パ
ネルの部分斜視図、図３〜図５はそのパネルの製造工程
図、図６はそのミスト成膜工程図である。
【００１１】図１において、１０１はミスト成膜装置で
あり、このミスト成膜装置１０１は、チャンバー１０２
内において処理を行う基板１０３の下にヒータ１０４を
備え、チャンバー１０２に内挿されるミスト導入管１０
５には、ミスト用溶液１０６をミスト化する超音波振動
子１０７、更に、第１のガス導入口１０８が設けられ
る。
あり、このミスト成膜装置１０１は、チャンバー１０２
内において処理を行う基板１０３の下にヒータ１０４を
備え、チャンバー１０２に内挿されるミスト導入管１０
５には、ミスト用溶液１０６をミスト化する超音波振動
子１０７、更に、第１のガス導入口１０８が設けられ
る。
【００１２】また、チャンバー１０２に供給されるＮ2
ガスを導入する第２のガス導入口１０９、チャンバー１
０２のガスを真空引きするロータリーポンプ１１０を有
する排気口１１１、チャンバー１０２のＮ2 の通気を行
う排出口１１２を備えている。なお、Ｖ１、Ｖ２、Ｖ
３、ＧＶ１、ＣＶ２はそれぞれバルブを示している。ま
た、図２に示すように、１０は面放電型のＡＣ−ＰＤＰ
（交流型プラズマディスプレイパネル：交流型ガス放電
パネル）、１２は背面板、１４は前面板、１６は放電空
間、１８は蛍光体層、２０（２０ａ，２０ｂ）は電極、
２２は誘電体層、２４は保護膜である。
ガスを導入する第２のガス導入口１０９、チャンバー１
０２のガスを真空引きするロータリーポンプ１１０を有
する排気口１１１、チャンバー１０２のＮ2 の通気を行
う排出口１１２を備えている。なお、Ｖ１、Ｖ２、Ｖ
３、ＧＶ１、ＣＶ２はそれぞれバルブを示している。ま
た、図２に示すように、１０は面放電型のＡＣ−ＰＤＰ
（交流型プラズマディスプレイパネル：交流型ガス放電
パネル）、１２は背面板、１４は前面板、１６は放電空
間、１８は蛍光体層、２０（２０ａ，２０ｂ）は電極、
２２は誘電体層、２４は保護膜である。
【００１３】このように、面放電型のＡＣ−ＰＤＰ１０
は、前面板１４の内側に緑色の蛍光体層（Ｚｎ2 ＳｉＯ
4 ：Ｍｎ，Ｐ１−Ｇ１，化成オプトニクス社製）１８を
形成している。パネル内には、Ｈｅ−５％Ｘｅガスを５
００Ｔｏｒｒ封入し、駆動は２０ｋＨｚで行った。詳細
には後述するが、前面板１４には蛍光体層１８と隔壁を
形成し、背面板１２には、表示電極、誘電体層２２、保
護膜２４を形成している。また、本発明の保護膜の最上
層はミスト成膜法によりＭｇＯ膜を形成している。
は、前面板１４の内側に緑色の蛍光体層（Ｚｎ2 ＳｉＯ
4 ：Ｍｎ，Ｐ１−Ｇ１，化成オプトニクス社製）１８を
形成している。パネル内には、Ｈｅ−５％Ｘｅガスを５
００Ｔｏｒｒ封入し、駆動は２０ｋＨｚで行った。詳細
には後述するが、前面板１４には蛍光体層１８と隔壁を
形成し、背面板１２には、表示電極、誘電体層２２、保
護膜２４を形成している。また、本発明の保護膜の最上
層はミスト成膜法によりＭｇＯ膜を形成している。
【００１４】以下、本発明のＡＣ型ガス放電パネルの製
造工程を図３〜図５を参照しながら説明する。 〔１〕前面板の製造工程 まず、図３に示すように、隔壁の一層目の印刷を行う。
つまり、蛍光体層が形成される箇所をマスクして、隔壁
が形成される箇所に、例えば、黒色ガラスペースト；デ
ュポン（ＤｕＰｏｎｔ）９７４１を印刷し（ステップＳ
１）、次に、乾燥（１５０℃、１５分間）を行い（ステ
ップＳ２）、次に、焼成（５８０℃、１２．５分間）を
行う（ステップＳ３）。
造工程を図３〜図５を参照しながら説明する。 〔１〕前面板の製造工程 まず、図３に示すように、隔壁の一層目の印刷を行う。
つまり、蛍光体層が形成される箇所をマスクして、隔壁
が形成される箇所に、例えば、黒色ガラスペースト；デ
ュポン（ＤｕＰｏｎｔ）９７４１を印刷し（ステップＳ
１）、次に、乾燥（１５０℃、１５分間）を行い（ステ
ップＳ２）、次に、焼成（５８０℃、１２．５分間）を
行う（ステップＳ３）。
【００１５】次いで、蛍光体層の印刷を行う。すなわ
ち、隔壁の間の蛍光体層の形成位置に、蛍光体層の印刷
を行う。例えば、緑色の蛍光体層；Ｐ１−Ｇ１（化成オ
プトニクス社製）を印刷し（ステップＳ４）、次に、乾
燥（１５０℃、１５分間）を行う（ステップＳ５）。次
に、隔壁の積層印刷を行う。つまり、前記した隔壁の一
層目の印刷上に、例えば、デュポン（ＤｕＰｏｎｔ）９
７４１を印刷し、次に、乾燥を行い、順次、印刷−乾燥
−印刷−乾燥……を繰り返す（ステップＳ６）。
ち、隔壁の間の蛍光体層の形成位置に、蛍光体層の印刷
を行う。例えば、緑色の蛍光体層；Ｐ１−Ｇ１（化成オ
プトニクス社製）を印刷し（ステップＳ４）、次に、乾
燥（１５０℃、１５分間）を行う（ステップＳ５）。次
に、隔壁の積層印刷を行う。つまり、前記した隔壁の一
層目の印刷上に、例えば、デュポン（ＤｕＰｏｎｔ）９
７４１を印刷し、次に、乾燥を行い、順次、印刷−乾燥
−印刷−乾燥……を繰り返す（ステップＳ６）。
【００１６】次に、焼成（５８０℃、１２．５分間）を
行う（ステップＳ７）。 〔２〕背面板の製造工程 まず、図４に示すように、背面板上に電極（Ａｇ）端子
の印刷を行う。例えば、銀ペースト；ＥＳＬ−５９０
（ＥＳＬ社製）を印刷し（ステップＳ１１）、次に、乾
燥（１５０℃、１５分間）を行う（ステップＳ１２）。
行う（ステップＳ７）。 〔２〕背面板の製造工程 まず、図４に示すように、背面板上に電極（Ａｇ）端子
の印刷を行う。例えば、銀ペースト；ＥＳＬ−５９０
（ＥＳＬ社製）を印刷し（ステップＳ１１）、次に、乾
燥（１５０℃、１５分間）を行う（ステップＳ１２）。
【００１７】次に、電極（Ａｕ）の印刷を行う。例え
ば、金ペースト；Ａ−４６１４（エヌ・イー ケムキャ
ット社製）を印刷し（ステップＳ１３）、乾燥（１５０
℃、１５分間）を行う（ステップＳ１４）。次いで、焼
成（５８０℃、１２．５分間）を行う（ステップＳ１
５）。次に、誘電体層の印刷を行う。例えば、透明ガラ
スペースト；Ｇ３−０４９６（奥野製薬工業社製）を印
刷し（ステップＳ１６）、次いで、乾燥（１５０℃、１
５分間）を行う（ステップＳ１７）。次に、焼成（５８
０℃、１２．５分間）を行う（ステップＳ１８）。
ば、金ペースト；Ａ−４６１４（エヌ・イー ケムキャ
ット社製）を印刷し（ステップＳ１３）、乾燥（１５０
℃、１５分間）を行う（ステップＳ１４）。次いで、焼
成（５８０℃、１２．５分間）を行う（ステップＳ１
５）。次に、誘電体層の印刷を行う。例えば、透明ガラ
スペースト；Ｇ３−０４９６（奥野製薬工業社製）を印
刷し（ステップＳ１６）、次いで、乾燥（１５０℃、１
５分間）を行う（ステップＳ１７）。次に、焼成（５８
０℃、１２．５分間）を行う（ステップＳ１８）。
【００１８】次に、オーバーコート；デュポン（Ｄｕｐ
ｏｎｔ）９７４１の印刷を行う（ステップＳ１９）。次
に、乾燥（１５０℃、１５分間）を行う（ステップＳ２
０）。次に、焼成（５８０℃、１２．５分間）を行う
（ステップＳ２１）。次いで、ＭｇＯ保護膜をミスト成
膜法（詳細は後述）で形成する。つまり、ＭｇＯ単層又
は印刷ＭｇＯ膜上にミスト成膜法ＭｇＯ膜を形成する
（ステップＳ２２）、次に、乾燥（１５０℃、１５分
間）を行う（ステップＳ２３）。次に、焼成（５８０
℃、１２．５分間）を行う（ステップＳ２４）。
ｏｎｔ）９７４１の印刷を行う（ステップＳ１９）。次
に、乾燥（１５０℃、１５分間）を行う（ステップＳ２
０）。次に、焼成（５８０℃、１２．５分間）を行う
（ステップＳ２１）。次いで、ＭｇＯ保護膜をミスト成
膜法（詳細は後述）で形成する。つまり、ＭｇＯ単層又
は印刷ＭｇＯ膜上にミスト成膜法ＭｇＯ膜を形成する
（ステップＳ２２）、次に、乾燥（１５０℃、１５分
間）を行う（ステップＳ２３）。次に、焼成（５８０
℃、１２．５分間）を行う（ステップＳ２４）。
【００１９】〔３〕組み立て工程 まず、図５に示すように、前面板と背面板との位置合わ
せを行い（ステップＳ３１）、次に、接着部への塗りを
行い（ステップＳ３２）、シールを行い（ステップＳ３
３）、ガス封入（Ｈｅ−５％Ｘｅ，５００Ｔｏｒｒ）を
行い（ステップＳ３４）、チップオフ、つまり、ガス封
入された管を封じる（ステップＳ３５）を順次行う。
せを行い（ステップＳ３１）、次に、接着部への塗りを
行い（ステップＳ３２）、シールを行い（ステップＳ３
３）、ガス封入（Ｈｅ−５％Ｘｅ，５００Ｔｏｒｒ）を
行い（ステップＳ３４）、チップオフ、つまり、ガス封
入された管を封じる（ステップＳ３５）を順次行う。
【００２０】ここで、本発明の実施例に用いたＡＣ型ガ
ス放電パネルの製造工程で用いるミスト成膜方法につい
て説明する。このミスト成膜方法は、図１に示すような
ミスト成膜装置１０１を用いて、酸化膜を形成する方法
である。原理的には超音波振動子１０７で溶液をミスト
化し、第１のガス導入口１０８より、導入される不活性
ガス（Ｎ2 など）により基板１０３上に運び成膜する方
法である。
ス放電パネルの製造工程で用いるミスト成膜方法につい
て説明する。このミスト成膜方法は、図１に示すような
ミスト成膜装置１０１を用いて、酸化膜を形成する方法
である。原理的には超音波振動子１０７で溶液をミスト
化し、第１のガス導入口１０８より、導入される不活性
ガス（Ｎ2 など）により基板１０３上に運び成膜する方
法である。
【００２１】すなわち、図６に示すように、まず、ミス
ト用溶液の充填を行う（ステップＳ４１）。次いで、そ
のミスト用溶液１０６を超音波振動子１０７を用いて超
音波でミスト化する（ステップＳ４２）。そのミストを
Ｎ2 ガスで運び（ステップＳ４３）、基板１０３上にミ
スト膜を堆積し（ステップＳ４４）、ヒータ１０４によ
り、堆積されたミスト膜の熱処理を行う（ステップＳ４
５）。
ト用溶液の充填を行う（ステップＳ４１）。次いで、そ
のミスト用溶液１０６を超音波振動子１０７を用いて超
音波でミスト化する（ステップＳ４２）。そのミストを
Ｎ2 ガスで運び（ステップＳ４３）、基板１０３上にミ
スト膜を堆積し（ステップＳ４４）、ヒータ１０４によ
り、堆積されたミスト膜の熱処理を行う（ステップＳ４
５）。
【００２２】なお、ここで、ミスト用溶液は加熱される
ことなく、超音波振動により極めて小さい微粉化、つま
り、ミスト化される。本実施例で用いた溶液は、マグネ
シウムエトキシエトキサイド；Ｍｇ（ＯＣ2Ｈ4 −ＯＣ
2 Ｈ5 ）2 の０．５ｍｏｌ／ｌの溶液で、溶媒としては
トルエン５０％、エタノール２５％、ブタノール２５％
の混合溶液を用いた。
ことなく、超音波振動により極めて小さい微粉化、つま
り、ミスト化される。本実施例で用いた溶液は、マグネ
シウムエトキシエトキサイド；Ｍｇ（ＯＣ2Ｈ4 −ＯＣ
2 Ｈ5 ）2 の０．５ｍｏｌ／ｌの溶液で、溶媒としては
トルエン５０％、エタノール２５％、ブタノール２５％
の混合溶液を用いた。
【００２３】参考のために保護膜を形成していない場合
（パネルＮｏ．６４３）と、気相法により作製したＭｇ
Ｏ粉末（宇部興産製、１０００Å径）を、２７ｗｔ％、
エチルセルロースを５ｗｔ％、溶媒としてブチルカルビ
トールを６８ｗｔ％含むペーストを用いた場合（パネル
Ｎｏ．７５３）についても示した。これらを図４及び図
６に示す工程でパネル化し、評価した結果を表１に示
す。
（パネルＮｏ．６４３）と、気相法により作製したＭｇ
Ｏ粉末（宇部興産製、１０００Å径）を、２７ｗｔ％、
エチルセルロースを５ｗｔ％、溶媒としてブチルカルビ
トールを６８ｗｔ％含むペーストを用いた場合（パネル
Ｎｏ．７５３）についても示した。これらを図４及び図
６に示す工程でパネル化し、評価した結果を表１に示
す。
【００２４】
【表１】
【００２５】この表１において、保護膜については、Ｍ
ｇＯなし（パネルＮｏ．６４３）、１層形成ＭｇＯ（高
純度超微粉末マグネシア膜）（１０００Å径、宇部興産
製）粉末（パネルＮｏ．７５３）、１層形成ミストＭｇ
Ｏ（パネルＮｏ．４１００）、前記パネルＮｏ．７５３
上にミストＭｇＯを形成したもの（パネルＮｏ．４１０
５）が挙げられている。放電特性の評価項目としては、
放電開始電圧Ｖｆ（単位Ｖ）、放電維持電圧Ｖｓ（単位
Ｖ）、輝度（ｃｄ・ｍ -2 ）、１セル当たりの放電電流
（μＡ・セル -1 ）及び発光効率（ｌｍ・Ｗ -1 ）を求
めた。
ｇＯなし（パネルＮｏ．６４３）、１層形成ＭｇＯ（高
純度超微粉末マグネシア膜）（１０００Å径、宇部興産
製）粉末（パネルＮｏ．７５３）、１層形成ミストＭｇ
Ｏ（パネルＮｏ．４１００）、前記パネルＮｏ．７５３
上にミストＭｇＯを形成したもの（パネルＮｏ．４１０
５）が挙げられている。放電特性の評価項目としては、
放電開始電圧Ｖｆ（単位Ｖ）、放電維持電圧Ｖｓ（単位
Ｖ）、輝度（ｃｄ・ｍ -2 ）、１セル当たりの放電電流
（μＡ・セル -1 ）及び発光効率（ｌｍ・Ｗ -1 ）を求
めた。
【００２６】パネルＮｏ．４１００は、パネルＮｏ．７
５３に比し、放電開始電圧Ｖｆ、放電開始電圧Ｖｓとも
に低く、高輝度であり、高効率を示している。また、パ
ネルＮｏ．４１０５は、パネルＮｏ．７５３に比し、同
程度の放電開始電圧Ｖｆ、放電開始電圧Ｖｓで、低電流
で高輝度が得られるので、２倍以上の高い効率を示して
いる。
５３に比し、放電開始電圧Ｖｆ、放電開始電圧Ｖｓとも
に低く、高輝度であり、高効率を示している。また、パ
ネルＮｏ．４１０５は、パネルＮｏ．７５３に比し、同
程度の放電開始電圧Ｖｆ、放電開始電圧Ｖｓで、低電流
で高輝度が得られるので、２倍以上の高い効率を示して
いる。
【００２７】ミスト成膜法でＭｇＯ膜を形成すると、電
流が制限されるので、発光効率が高くなる。さらに、Ｍ
ｇＯ膜の方が、誘電体よりも仕事関数が低いので、低電
圧化もできる。次に、本発明の他の実施例について説明
する。上記した実施例の保護膜としてＭｇＯでなく、ア
ルカリ土類複合酸化物や希土類複合酸化物を用いる。一
例として、ＡＢ2 Ｏ4 型酸化物、 Ａ；アルカリ土類；Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇなど Ｂ；希土類；Ｌａ，Ｙ，Ｄｙ，Ｇｄ，Ｙｂなど この複合酸化物は結晶化温度が低いので、結晶性の高い
膜が容易に得られる。
流が制限されるので、発光効率が高くなる。さらに、Ｍ
ｇＯ膜の方が、誘電体よりも仕事関数が低いので、低電
圧化もできる。次に、本発明の他の実施例について説明
する。上記した実施例の保護膜としてＭｇＯでなく、ア
ルカリ土類複合酸化物や希土類複合酸化物を用いる。一
例として、ＡＢ2 Ｏ4 型酸化物、 Ａ；アルカリ土類；Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇなど Ｂ；希土類；Ｌａ，Ｙ，Ｄｙ，Ｇｄ，Ｙｂなど この複合酸化物は結晶化温度が低いので、結晶性の高い
膜が容易に得られる。
【００２８】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２９】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１又は２記載の発明によれば、ミスト成膜
法により、ＭｇＯ膜を形成するようにしたので、高効率
と低電圧が達成される。さらに、最上層にＭｇＯ膜が均
一性良く形成されるので、長寿命化も期待できる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１又は２記載の発明によれば、ミスト成膜
法により、ＭｇＯ膜を形成するようにしたので、高効率
と低電圧が達成される。さらに、最上層にＭｇＯ膜が均
一性良く形成されるので、長寿命化も期待できる。
【００３０】（２）請求項３又は４記載の発明によれ
ば、ミスト成膜法により、保護膜として結晶性の高いア
ルカリ土類複合酸化物や希土類複合酸化物を用いるよう
にしたので、低電圧、低電流、高効率、長寿命化を図る
ことができる。
ば、ミスト成膜法により、保護膜として結晶性の高いア
ルカリ土類複合酸化物や希土類複合酸化物を用いるよう
にしたので、低電圧、低電流、高効率、長寿命化を図る
ことができる。
【図１】本発明の実施例を示すＡＣ型ガス放電パネルの
製造工程で用いるミスト成膜装置の構成図である。
製造工程で用いるミスト成膜装置の構成図である。
【図２】本発明の実施例を示すＡＣ型ガス放電パネルの
部分斜視図である。
部分斜視図である。
【図３】本発明の実施例に用いたＡＣ型ガス放電パネル
の前面板の製造工程図である。
の前面板の製造工程図である。
【図４】本発明の実施例に用いたＡＣ型ガス放電パネル
の背面板の製造工程図である。
の背面板の製造工程図である。
【図５】本発明の実施例に用いたＡＣ型ガス放電パネル
の組み立て工程図である。
の組み立て工程図である。
【図６】本発明の実施例を示すＡＣ型ガス放電パネルの
製造工程におけるミスト成膜工程図である。
製造工程におけるミスト成膜工程図である。
１０ 面放電型のＡＣ−ＰＤＰ １２ 背面板 １４ 前面板 １６ 放電空間 １８ 蛍光体層 ２０（２０ａ，２０ｂ） 電極 ２２ 誘電体層 ２４ 保護膜 １０１ ミスト成膜装置 １０２ チャンバー １０３ 基板 １０４ ヒータ １０５ ミスト導入管 １０６ ミスト用溶液 １０７ 超音波振動子 １０８ 第１のガス導入口 １０９ 第２のガス導入口 １１０ ロータリーポンプ １１１ 排気口 １１２ 排出口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山中 綾 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 ＡＣ型ガス放電パネルの保護膜の製造方
法において、（ａ）電極が形成された基板上に誘電体層
を形成する工程と、（ｂ）該誘電体層上にミスト成膜法
によりＭｇＯ保護膜を形成する工程とを施すことを特徴
とするＡＣ型ガス放電パネルの保護膜の製造方法。 - 【請求項２】 ＡＣ型ガス放電パネルの保護膜の製造方
法において、（ａ）電極が形成された基板上に誘電体層
を形成する工程と、（ｂ）該誘電体層上にＭｇＯ膜を形
成する工程と、（ｃ）該ＭｇＯ膜上にミスト成膜法によ
りＭｇＯ保護膜を形成する工程とを施すことを特徴とす
るＡＣ型ガス放電パネルの保護膜の製造方法。 - 【請求項３】 ＡＣ型ガス放電パネルの保護膜の製造方
法において、（ａ）電極が形成された基板上に誘電体層
を形成する工程と、（ｂ）該誘電体層上にミスト成膜法
によりアルカリ土類複合酸化物や希土類複合酸化物から
なる保護膜を形成する工程とを施すことを特徴とするＡ
Ｃ型ガス放電パネルの保護膜の製造方法。 - 【請求項４】 ＡＣ型ガス放電パネルの保護膜の製造方
法において、（ａ）電極が形成された基板上に誘電体層
を形成する工程と、（ｂ）該誘電体層上にＭｇＯ膜を形
成する工程と、（ｃ）該ＭｇＯ膜上にミスト成膜法によ
りアルカリ土類複合酸化物や希土類複合酸化物からなる
保護膜を形成する工程とを施すことを特徴とするＡＣ型
ガス放電パネルの保護膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7019152A JPH08212917A (ja) | 1995-02-07 | 1995-02-07 | Ａｃ型ガス放電パネルの保護膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7019152A JPH08212917A (ja) | 1995-02-07 | 1995-02-07 | Ａｃ型ガス放電パネルの保護膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08212917A true JPH08212917A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=11991461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7019152A Withdrawn JPH08212917A (ja) | 1995-02-07 | 1995-02-07 | Ａｃ型ガス放電パネルの保護膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08212917A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010005104A (ko) * | 1999-06-30 | 2001-01-15 | 김영환 | 산화마그네슘막 증착 장치 및 그 방법 |
-
1995
- 1995-02-07 JP JP7019152A patent/JPH08212917A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010005104A (ko) * | 1999-06-30 | 2001-01-15 | 김영환 | 산화마그네슘막 증착 장치 및 그 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020507 |