JPH08213441A - ダイオードの順電圧を利用した温度検知方法 - Google Patents
ダイオードの順電圧を利用した温度検知方法Info
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- JPH08213441A JPH08213441A JP7034274A JP3427495A JPH08213441A JP H08213441 A JPH08213441 A JP H08213441A JP 7034274 A JP7034274 A JP 7034274A JP 3427495 A JP3427495 A JP 3427495A JP H08213441 A JPH08213441 A JP H08213441A
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- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子から成る被温度検知素子近傍に形
成した温度検知用ダイオードを熱的に結合させて、瞬時
的に大電力が印加されたときも精度良く被温度検知素子
の温度を検知できる温度検知方法を実現する。 【構成】 半導体素子から成る被温度検知素子（２）と
その近傍に形成した温度検知用ダイオード（Ｄ１）から
成り、周囲温度および被温度検知素子（２）自身から発
生した熱による被温度検知素子（２）の温度検知方法に
おいて、温度検知用ダイオード（Ｄ１）を被温度検知素
子（２）で周囲の半周以上を囲まれる位置でかつ被温度
検知素子（２）と同一ペレットに形成した温度検知方法
である。 【効果】 被温度検知素子に瞬時的に大電力が印加され
てもその温度変化を温度検知用ダイオードの順電圧を利
用して精度良く検知でき、不注意に大電力を印加し半導
体デバイスの寿命を短くする危険性のない温度検知方法
を実現できる。
成した温度検知用ダイオードを熱的に結合させて、瞬時
的に大電力が印加されたときも精度良く被温度検知素子
の温度を検知できる温度検知方法を実現する。 【構成】 半導体素子から成る被温度検知素子（２）と
その近傍に形成した温度検知用ダイオード（Ｄ１）から
成り、周囲温度および被温度検知素子（２）自身から発
生した熱による被温度検知素子（２）の温度検知方法に
おいて、温度検知用ダイオード（Ｄ１）を被温度検知素
子（２）で周囲の半周以上を囲まれる位置でかつ被温度
検知素子（２）と同一ペレットに形成した温度検知方法
である。 【効果】 被温度検知素子に瞬時的に大電力が印加され
てもその温度変化を温度検知用ダイオードの順電圧を利
用して精度良く検知でき、不注意に大電力を印加し半導
体デバイスの寿命を短くする危険性のない温度検知方法
を実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイオードの順電圧を
利用した温度検知方法に関し、特に半導体素子から成る
被温度検知素子と被温度検知素子近傍に形成した温度検
知用ダイオードを熱的に結合させて、被温度検知素子の
温度を温度検知用ダイオードにより検知する温度検知方
法に関する。
利用した温度検知方法に関し、特に半導体素子から成る
被温度検知素子と被温度検知素子近傍に形成した温度検
知用ダイオードを熱的に結合させて、被温度検知素子の
温度を温度検知用ダイオードにより検知する温度検知方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のダイオードを利用した温度検知に
ついて、図１２〜図１７で説明する。温度検知方法を含
む従来例として３端子構成の過熱保護機能を内蔵した半
導体デバイスのブロック図を図１２に示す。被温度検知
素子（２）は、バイポーラトランジスタまたは電解効果
トランジスタなどから成り発熱源でもある。被温度検知
素子（２）から発生する熱（６）は温度検知用ダイオー
ド（Ｄ１）に伝達され、位置ｐにある温度検知用ダイオ
ード（Ｄ１）では、図１３に示すダイオードの温度Ｔ
（ｐ）と順電圧ＶＦ（ｐ）の関係に従って温度を電圧に
変換される。
ついて、図１２〜図１７で説明する。温度検知方法を含
む従来例として３端子構成の過熱保護機能を内蔵した半
導体デバイスのブロック図を図１２に示す。被温度検知
素子（２）は、バイポーラトランジスタまたは電解効果
トランジスタなどから成り発熱源でもある。被温度検知
素子（２）から発生する熱（６）は温度検知用ダイオー
ド（Ｄ１）に伝達され、位置ｐにある温度検知用ダイオ
ード（Ｄ１）では、図１３に示すダイオードの温度Ｔ
（ｐ）と順電圧ＶＦ（ｐ）の関係に従って温度を電圧に
変換される。
【０００３】過熱保護回路（３）は、温度検知用ダイオ
ード（Ｄ１）から被温度検知素子（２）の温度を現わす
電圧ＶＦ（ｐ）を得て、被温度検知素子（２）の入力電
圧をスイッチ（ＳＷ１）で断続動作させ被温度検知素子
（２）の温度を制御する。図１２のブロック図を実現す
るペレット構成図を図１４（ａ）（ｂ）に示す。１つの
シリコン基板（１）上に、拡散処理によりバイポーラト
ランジスタまたは電解効果トランジスタなどから成る被
温度検知素子（２）と、温度検知用ダイオード（Ｄ１）
が隣接して形成され被温度検知素子（２）から比較的遠
い位置に過熱保護回路（３）が形成される。これらの各
素子間はアルミなどにより配線され過熱保護機能をもつ
半導体デバイスとなる。
ード（Ｄ１）から被温度検知素子（２）の温度を現わす
電圧ＶＦ（ｐ）を得て、被温度検知素子（２）の入力電
圧をスイッチ（ＳＷ１）で断続動作させ被温度検知素子
（２）の温度を制御する。図１２のブロック図を実現す
るペレット構成図を図１４（ａ）（ｂ）に示す。１つの
シリコン基板（１）上に、拡散処理によりバイポーラト
ランジスタまたは電解効果トランジスタなどから成る被
温度検知素子（２）と、温度検知用ダイオード（Ｄ１）
が隣接して形成され被温度検知素子（２）から比較的遠
い位置に過熱保護回路（３）が形成される。これらの各
素子間はアルミなどにより配線され過熱保護機能をもつ
半導体デバイスとなる。
【０００４】このように被温度検知素子（２）と温度検
知用ダイオード（Ｄ１）を隣接させて同一チップに形成
し、両者を熱的に結合させ被温度検知素子（２）の温度
を温度検知用ダイオード（Ｄ１）にて検知する例として
は、例えば特開平０１−１９６８５８がある。被温度検
知素子（２）と温度検知用ダイオード（Ｄ１）の要部構
造図を図１５に示す。エンハンスメント形Ｎチャネル電
解効果トランジスタの例であり、端子Ｇ、Ｄ、Ｓを構成
する部分が被温度検知素子（２）である電解効果トラン
ジスタであり、端子Ａ、Ｋを構成する部分が温度検知用
ダイオード（Ｄ１）である。このように従来の温度検知
用ダイオード（Ｄ１）は、被温度検知素子（２）に隣接
した過熱保護回路（３）などのブロックに含まれて形成
されている。
知用ダイオード（Ｄ１）を隣接させて同一チップに形成
し、両者を熱的に結合させ被温度検知素子（２）の温度
を温度検知用ダイオード（Ｄ１）にて検知する例として
は、例えば特開平０１−１９６８５８がある。被温度検
知素子（２）と温度検知用ダイオード（Ｄ１）の要部構
造図を図１５に示す。エンハンスメント形Ｎチャネル電
解効果トランジスタの例であり、端子Ｇ、Ｄ、Ｓを構成
する部分が被温度検知素子（２）である電解効果トラン
ジスタであり、端子Ａ、Ｋを構成する部分が温度検知用
ダイオード（Ｄ１）である。このように従来の温度検知
用ダイオード（Ｄ１）は、被温度検知素子（２）に隣接
した過熱保護回路（３）などのブロックに含まれて形成
されている。
【０００５】図１６に、温度検知用ダイオード（Ｄ１）
を用いた具体的な温度検知回路を示す。温度検知用ダイ
オード（Ｄ１）は、順方向に接続され高々数ｍＡの検出
電流が流れている。温度検知用ダイオード（Ｄ１）の両
端の電圧ＶＦ（ｐ）を、あらかじめ抵抗（Ｒ７）および
（Ｒ８）で設定されている基準電圧（Ｖｒｅｆ）とコン
パレータ（Ｃｍｐ１）で比較し電圧（Ｖｏ）を出力す
る。この温度検知回路の例としては特開昭５６−１２０
１５３があり、図１２の過熱保護回路（３）も同様な構
成になっている。
を用いた具体的な温度検知回路を示す。温度検知用ダイ
オード（Ｄ１）は、順方向に接続され高々数ｍＡの検出
電流が流れている。温度検知用ダイオード（Ｄ１）の両
端の電圧ＶＦ（ｐ）を、あらかじめ抵抗（Ｒ７）および
（Ｒ８）で設定されている基準電圧（Ｖｒｅｆ）とコン
パレータ（Ｃｍｐ１）で比較し電圧（Ｖｏ）を出力す
る。この温度検知回路の例としては特開昭５６−１２０
１５３があり、図１２の過熱保護回路（３）も同様な構
成になっている。
【０００６】この半導体デバイスに瞬時的に大電力を印
加した直後の、図１４のペレット構成図の温度検知用ダ
イオード（Ｄ１）を含むＺ−Ｚ’断面の温度分布を模式
的に表すと図１７のようになる。Ｚ−Ｚ’断面の温度分
布は、一般に被温度検知素子（２）の部分で最も高温Ｔ
ｍａｘになり、被温度検知素子（２）から距離ｐ離れた
温度検知用ダイオード（Ｄ１）の温度は、被温度検知素
子（２）の温度Ｔｍａｘよりも低いＴ（ｐ）となる。
加した直後の、図１４のペレット構成図の温度検知用ダ
イオード（Ｄ１）を含むＺ−Ｚ’断面の温度分布を模式
的に表すと図１７のようになる。Ｚ−Ｚ’断面の温度分
布は、一般に被温度検知素子（２）の部分で最も高温Ｔ
ｍａｘになり、被温度検知素子（２）から距離ｐ離れた
温度検知用ダイオード（Ｄ１）の温度は、被温度検知素
子（２）の温度Ｔｍａｘよりも低いＴ（ｐ）となる。
【０００７】印加電力をＰ、被温度検知素子（２）の最
高温度をＴｍａｘとし、位置ｐの温度検知用ダイオード
（Ｄ１）と被温度検知素子（２）の間の熱抵抗をＲｔｈ
（ｐ）とすると、この従来例の温度検知用ダイオード
（Ｄ１）の位置ｐの温度Ｔ（ｐ）は式１となる。 Ｔ（ｐ）＝Ｔｍａｘ−Ｐ＊Ｒｔｈ（ｐ） 式１ また、半導体デバイスに電力を印加し充分時間が経った
後は被温度検知素子（２）も温度検知用ダイオード（Ｄ
１）もほぼ均一な温度に近づく。
高温度をＴｍａｘとし、位置ｐの温度検知用ダイオード
（Ｄ１）と被温度検知素子（２）の間の熱抵抗をＲｔｈ
（ｐ）とすると、この従来例の温度検知用ダイオード
（Ｄ１）の位置ｐの温度Ｔ（ｐ）は式１となる。 Ｔ（ｐ）＝Ｔｍａｘ−Ｐ＊Ｒｔｈ（ｐ） 式１ また、半導体デバイスに電力を印加し充分時間が経った
後は被温度検知素子（２）も温度検知用ダイオード（Ｄ
１）もほぼ均一な温度に近づく。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した従
来技術において、図１４に示すように発熱源でもある被
温度検知素子（２）と温度検知用ダイオード（Ｄ１）の
間には熱伝導度や距離などに起因する熱抵抗が存在し、
特に瞬時的に大電力を印加した場合などに図１７のよう
に被温度検知素子（２）の温度Ｔｍａｘと温度検知用ダ
イオード（Ｄ１）の温度Ｔ（ｐ）の間に差が生じるた
め、過熱保護回路に応用した場合などには図１６の温度
検知回路の抵抗（Ｒ７）と（Ｒ８）であらかじめ設定さ
れた過熱保護温度よりも被温度検知素子（２）の温度が
高くなる問題があった。この問題は半導体デバイスへの
入力電力が小さいときは顕著ではないが、特に瞬時的に
大電力を入力したときに顕著になるため、単に過熱保護
等の機能を有する半導体デバイスの実現が難しいばかり
でなく、不注意に大電力を印加し半導体デバイスの寿命
を短くする危険性もあった。
来技術において、図１４に示すように発熱源でもある被
温度検知素子（２）と温度検知用ダイオード（Ｄ１）の
間には熱伝導度や距離などに起因する熱抵抗が存在し、
特に瞬時的に大電力を印加した場合などに図１７のよう
に被温度検知素子（２）の温度Ｔｍａｘと温度検知用ダ
イオード（Ｄ１）の温度Ｔ（ｐ）の間に差が生じるた
め、過熱保護回路に応用した場合などには図１６の温度
検知回路の抵抗（Ｒ７）と（Ｒ８）であらかじめ設定さ
れた過熱保護温度よりも被温度検知素子（２）の温度が
高くなる問題があった。この問題は半導体デバイスへの
入力電力が小さいときは顕著ではないが、特に瞬時的に
大電力を入力したときに顕著になるため、単に過熱保護
等の機能を有する半導体デバイスの実現が難しいばかり
でなく、不注意に大電力を印加し半導体デバイスの寿命
を短くする危険性もあった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上述した課題の
解決を目的に提案されたもので、半導体素子から成る被
温度検知素子と被温度検知素子近傍に形成した温度検知
用ダイオードから成り、周囲温度および被温度検知素子
自身から発生した熱による被温度検知素子の温度を温度
検知用ダイオードにより検知する温度検知方法におい
て、被温度検知素子と温度検知用ダイオードの間の熱抵
抗を低減する手段を付加したことを特徴とするダイオー
ドの順電圧を利用した温度検知方法である。また、本発
明は、熱抵抗の低減手段が、温度検知用ダイオードの形
成位置を被温度検知素子で周囲の半周以上を囲まれる位
置で、かつ被温度検知素子と同一ペレットに形成したこ
とを特徴とするダイオードの順電圧を利用した温度検知
方法である。
解決を目的に提案されたもので、半導体素子から成る被
温度検知素子と被温度検知素子近傍に形成した温度検知
用ダイオードから成り、周囲温度および被温度検知素子
自身から発生した熱による被温度検知素子の温度を温度
検知用ダイオードにより検知する温度検知方法におい
て、被温度検知素子と温度検知用ダイオードの間の熱抵
抗を低減する手段を付加したことを特徴とするダイオー
ドの順電圧を利用した温度検知方法である。また、本発
明は、熱抵抗の低減手段が、温度検知用ダイオードの形
成位置を被温度検知素子で周囲の半周以上を囲まれる位
置で、かつ被温度検知素子と同一ペレットに形成したこ
とを特徴とするダイオードの順電圧を利用した温度検知
方法である。
【００１０】また、本発明は、熱抵抗の低減手段が、温
度検知用ダイオードと被温度検知素子を同一ペレット上
に形成し、少なくとも両者の一部と両者を結ぶ領域のペ
レット表面に熱誘導部材を形成したことを特徴とするダ
イオードの順電圧を利用した温度検知方法である。ま
た、本発明は、上記の温度検知方法において２個の温度
検知用ダイオードを被温度検知素子と温度検知用ダイオ
ードの間の熱抵抗が異なるように構成し、２個の温度検
知用ダイオードの順電圧から演算により被温度検知素子
の温度を求めることを特徴とするダイオードの順電圧を
利用した温度検知方法である。
度検知用ダイオードと被温度検知素子を同一ペレット上
に形成し、少なくとも両者の一部と両者を結ぶ領域のペ
レット表面に熱誘導部材を形成したことを特徴とするダ
イオードの順電圧を利用した温度検知方法である。ま
た、本発明は、上記の温度検知方法において２個の温度
検知用ダイオードを被温度検知素子と温度検知用ダイオ
ードの間の熱抵抗が異なるように構成し、２個の温度検
知用ダイオードの順電圧から演算により被温度検知素子
の温度を求めることを特徴とするダイオードの順電圧を
利用した温度検知方法である。
【００１１】また、本発明は、異なる熱抵抗の構成手段
として少なくとも被温度検知素子と温度検知用ダイオー
ドの距離を含み、演算方法が被温度検知素子から２個の
温度検知用ダイオードまでのそれぞれの距離をもとに線
形近似により被温度検知素子の温度を求めるダイオード
の順電圧を利用した温度検知方法である。また、本発明
は、異なる熱抵抗の構成手段として少なくとも被温度検
知素子と温度検知用ダイオードの距離を含み、演算方法
が被温度検知素子から２個の温度検知用ダイオードまで
のそれぞれの距離をもとに被温度検知素子での温度の微
係数がゼロと仮定して２次近似により被温度検知素子の
温度を求めるダイオードの順電圧を利用した温度検知方
法である。
として少なくとも被温度検知素子と温度検知用ダイオー
ドの距離を含み、演算方法が被温度検知素子から２個の
温度検知用ダイオードまでのそれぞれの距離をもとに線
形近似により被温度検知素子の温度を求めるダイオード
の順電圧を利用した温度検知方法である。また、本発明
は、異なる熱抵抗の構成手段として少なくとも被温度検
知素子と温度検知用ダイオードの距離を含み、演算方法
が被温度検知素子から２個の温度検知用ダイオードまで
のそれぞれの距離をもとに被温度検知素子での温度の微
係数がゼロと仮定して２次近似により被温度検知素子の
温度を求めるダイオードの順電圧を利用した温度検知方
法である。
【００１２】
【作用】本発明によれば、発熱源である被温度検知素子
と温度検知用ダイオードの間の熱抵抗が低減できるため
瞬時的に大電力が印加された場合も被温度検知素子と温
度検知用ダイオードの間に生じる温度差が低減できる。
また、２個の温度検知用ダイオードから演算により被温
度検知素子の温度を求めることにより被温度検知素子と
温度検知用ダイオードの間に温度差が生じても温度差を
補正して被温度検知素子の温度を得ることができる。
と温度検知用ダイオードの間の熱抵抗が低減できるため
瞬時的に大電力が印加された場合も被温度検知素子と温
度検知用ダイオードの間に生じる温度差が低減できる。
また、２個の温度検知用ダイオードから演算により被温
度検知素子の温度を求めることにより被温度検知素子と
温度検知用ダイオードの間に温度差が生じても温度差を
補正して被温度検知素子の温度を得ることができる。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。 ［実施例１］本発明の第１の実施例を図１、図２で説明
する。図１（ａ）は本発明の実施例を示す温度検知方法
のペレット構成図で（ｂ）は（ａ）のＷ−Ｗ´の断面図
である。図２はその要部構造図である。
する。 ［実施例１］本発明の第１の実施例を図１、図２で説明
する。図１（ａ）は本発明の実施例を示す温度検知方法
のペレット構成図で（ｂ）は（ａ）のＷ−Ｗ´の断面図
である。図２はその要部構造図である。
【００１４】図１（ａ）（ｂ）において、１つのシリコ
ン基板（１）上に拡散処理によりバイポーラトランジス
タまたは電解効果トランジスタなどから成る被温度検知
素子（２）と温度検知用ダイオード（Ｄ１）が隣接して
形成され、また過熱保護回路（３）が形成される。これ
らの各素子間はアルミなどにより配線され過熱保護機能
をもつ半導体デバイスとなる。なお、図１において上述
した図１４と同一符号は同一物を示す。本実施例におい
て、その特徴は、図１の温度検知用ダイオード（Ｄ１）
を発熱源である被温度検知素子（２）で囲まれた位置
で、かつ同一ペレットに形成し、被温度検知素子（２）
の一部を、温度検知用ダイオード（Ｄ１）と過熱保護回
路（３）の間の配線に用いる領域に変更したことであ
る。
ン基板（１）上に拡散処理によりバイポーラトランジス
タまたは電解効果トランジスタなどから成る被温度検知
素子（２）と温度検知用ダイオード（Ｄ１）が隣接して
形成され、また過熱保護回路（３）が形成される。これ
らの各素子間はアルミなどにより配線され過熱保護機能
をもつ半導体デバイスとなる。なお、図１において上述
した図１４と同一符号は同一物を示す。本実施例におい
て、その特徴は、図１の温度検知用ダイオード（Ｄ１）
を発熱源である被温度検知素子（２）で囲まれた位置
で、かつ同一ペレットに形成し、被温度検知素子（２）
の一部を、温度検知用ダイオード（Ｄ１）と過熱保護回
路（３）の間の配線に用いる領域に変更したことであ
る。
【００１５】本実施例の要部構造図を図２に示す。エン
ハンスメント形Ｎチャネル電解効果トランジスタの例で
あり、被温度検知素子（２）の中のソース端子Ｓ側に分
離されたブロック中に端子Ａ、Ｋからなる温度検知用ダ
イオード（Ｄ１）を形成し、ペレット表面にてアルミ配
線などで過熱保護回路（３）などの制御回路に接続され
ている。なお、被温度検知素子（２）に囲まれた位置で
かつ被温度検知素子（２）と分離されたブロック中に温
度検知用ダイオード（Ｄ１）を形成することもできる。
ハンスメント形Ｎチャネル電解効果トランジスタの例で
あり、被温度検知素子（２）の中のソース端子Ｓ側に分
離されたブロック中に端子Ａ、Ｋからなる温度検知用ダ
イオード（Ｄ１）を形成し、ペレット表面にてアルミ配
線などで過熱保護回路（３）などの制御回路に接続され
ている。なお、被温度検知素子（２）に囲まれた位置で
かつ被温度検知素子（２）と分離されたブロック中に温
度検知用ダイオード（Ｄ１）を形成することもできる。
【００１６】本実施例では、温度検地用ダイオード（Ｄ
１）を被温度検知素子（２）のブロック中に形成できる
ため両者の距離を低減できる。また、被温度検知素子
（２）と温度検知用ダイオード（Ｄ１）の間の接する周
囲長さも従来は約半周未満で接していたのに対し、本実
施例では半周以上で接するため、被温度検知素子（２）
と温度検知用ダイオード（Ｄ１）の間の熱抵抗は従来よ
り２倍以上大きくなり両者の間の熱抵抗は２分の１以下
に減少し被温度検知素子（２）と温度検知用ダイオード
（Ｄ１）との間に生じる温度差も２分の１以下に減少す
る。
１）を被温度検知素子（２）のブロック中に形成できる
ため両者の距離を低減できる。また、被温度検知素子
（２）と温度検知用ダイオード（Ｄ１）の間の接する周
囲長さも従来は約半周未満で接していたのに対し、本実
施例では半周以上で接するため、被温度検知素子（２）
と温度検知用ダイオード（Ｄ１）の間の熱抵抗は従来よ
り２倍以上大きくなり両者の間の熱抵抗は２分の１以下
に減少し被温度検知素子（２）と温度検知用ダイオード
（Ｄ１）との間に生じる温度差も２分の１以下に減少す
る。
【００１７】［実施例２］本発明の第２の実施例を図
３、図４で説明する。図３は第２の実施例の要部構造図
を示すものである。上記実施例１で示した図２の要部構
造図と異なる点は、温度検知用ダイオード（Ｄ１）が被
温度検知素子（２）に囲まれた位置のペレット表面に二
酸化硅素などで絶縁をとり形成した点である。この方法
ではプロセス数の増加にはなるが温度検知用ダイオード
（Ｄ１）の形成位置の自由度が大きくなる利点がある。
３、図４で説明する。図３は第２の実施例の要部構造図
を示すものである。上記実施例１で示した図２の要部構
造図と異なる点は、温度検知用ダイオード（Ｄ１）が被
温度検知素子（２）に囲まれた位置のペレット表面に二
酸化硅素などで絶縁をとり形成した点である。この方法
ではプロセス数の増加にはなるが温度検知用ダイオード
（Ｄ１）の形成位置の自由度が大きくなる利点がある。
【００１８】この半導体デバイスに瞬時的に大電力を印
加した直後の、上述した図１のペレット構成図の温度検
知用ダイオード（Ｄ１）を含むＷ−Ｗ’断面の温度分布
を模式的に表すと図４のようになる。印加電力をＰ、被
温度検知素子（２）の最高温度をＴｍａｘとし、位置ｒ
の温度検知用ダイオード（Ｄ１）と被温度検知素子
（２）の間の熱抵抗をＲｔｈ（ｒ）とすると、この実施
例の温度検知用ダイオード（Ｄ１）の位置ｒの温度Ｔ
（ｒ）は式２となる。 Ｔ（ｒ）＝Ｔｍａｘ−Ｐ＊Ｒｔｈ（ｒ） 式２
加した直後の、上述した図１のペレット構成図の温度検
知用ダイオード（Ｄ１）を含むＷ−Ｗ’断面の温度分布
を模式的に表すと図４のようになる。印加電力をＰ、被
温度検知素子（２）の最高温度をＴｍａｘとし、位置ｒ
の温度検知用ダイオード（Ｄ１）と被温度検知素子
（２）の間の熱抵抗をＲｔｈ（ｒ）とすると、この実施
例の温度検知用ダイオード（Ｄ１）の位置ｒの温度Ｔ
（ｒ）は式２となる。 Ｔ（ｒ）＝Ｔｍａｘ−Ｐ＊Ｒｔｈ（ｒ） 式２
【００１９】この実施例２の温度検知用ダイオード（Ｄ
１）と被温度検知素子（２）の温度Ｔｍａｘの間の温度
差は、Ｐ＊Ｒｔｈ（ｒ）となり、従来例の温度分布を示
す図１７の温度検知用ダイオード（Ｄ１）の位置ｐの温
度Ｔ（ｐ）と被温度検知素子（２）の温度Ｔｍａｘの間
の温度差Ｐ＊Ｒｔｈ（ｐ）より熱抵抗が小さくできるの
で検知温度の精度が向上する。なお、この実施例２で
は、温度検知用ダイオード（Ｄ１）と被温度検知素子
（２）が重なる部分が無いので従来の拡散プロセスと同
じ工程で作成できる長所がある。また、温度検知用ダイ
オード（Ｄ１）の全周囲に被温度検知素子（２）を配置
し、温度検知用ダイオード（Ｄ１）と過熱保護回路
（３）の間の配線を被温度検知素子（２）の上に配置す
る方法も可能である。
１）と被温度検知素子（２）の温度Ｔｍａｘの間の温度
差は、Ｐ＊Ｒｔｈ（ｒ）となり、従来例の温度分布を示
す図１７の温度検知用ダイオード（Ｄ１）の位置ｐの温
度Ｔ（ｐ）と被温度検知素子（２）の温度Ｔｍａｘの間
の温度差Ｐ＊Ｒｔｈ（ｐ）より熱抵抗が小さくできるの
で検知温度の精度が向上する。なお、この実施例２で
は、温度検知用ダイオード（Ｄ１）と被温度検知素子
（２）が重なる部分が無いので従来の拡散プロセスと同
じ工程で作成できる長所がある。また、温度検知用ダイ
オード（Ｄ１）の全周囲に被温度検知素子（２）を配置
し、温度検知用ダイオード（Ｄ１）と過熱保護回路
（３）の間の配線を被温度検知素子（２）の上に配置す
る方法も可能である。
【００２０】［実施例３］本発明の第３の実施例を図
５、図６および図７で説明する。図５（ａ）は実施例３
を示す温度検知方法のペレット構成図で（ｂ）は（ａ）
のＸ−Ｘ´の断面図である。図６はその要部構造図であ
る。図５（ａ）（ｂ）において、シリコン基板（１）上
に拡散処理によりバイポーラトランジスタまたは電解効
果トランジスタなどから成る被温度検知素子（２）と過
熱保護回路（３）が形成され、また温度検知用ダイオー
ド（Ｄ１）が形成されている。なお、図５において上述
した図１４と同一符号は同一物を示す。
５、図６および図７で説明する。図５（ａ）は実施例３
を示す温度検知方法のペレット構成図で（ｂ）は（ａ）
のＸ−Ｘ´の断面図である。図６はその要部構造図であ
る。図５（ａ）（ｂ）において、シリコン基板（１）上
に拡散処理によりバイポーラトランジスタまたは電解効
果トランジスタなどから成る被温度検知素子（２）と過
熱保護回路（３）が形成され、また温度検知用ダイオー
ド（Ｄ１）が形成されている。なお、図５において上述
した図１４と同一符号は同一物を示す。
【００２１】この実施例３において、その特徴は、図５
の温度検知用ダイオード（Ｄ１）と被温度検知素子
（２）の一部に渡るペレット表面に二酸化硅素またはア
ルミナなどの絶縁部材（４）を介して、アルミまたは銅
などの金属材料で熱誘導部材（５）を形成したことであ
る。熱誘導部材（５）は従来通りペレットを形成した後
スパッタリングまたは蒸着により例えば厚さ０．２μｍ
の絶縁材料の上に厚さ１μｍの金属材料を成膜し、金属
材料のみイオンエッチングなどによりパターニングして
作成した。
の温度検知用ダイオード（Ｄ１）と被温度検知素子
（２）の一部に渡るペレット表面に二酸化硅素またはア
ルミナなどの絶縁部材（４）を介して、アルミまたは銅
などの金属材料で熱誘導部材（５）を形成したことであ
る。熱誘導部材（５）は従来通りペレットを形成した後
スパッタリングまたは蒸着により例えば厚さ０．２μｍ
の絶縁材料の上に厚さ１μｍの金属材料を成膜し、金属
材料のみイオンエッチングなどによりパターニングして
作成した。
【００２２】この実施例３の要部構造図を図６に示す。
上述した図１５の従来例の要部構造図と異なる点は、温
度検知用ダイオード（Ｄ１）と被温度検知素子（２）の
両者にまたがるペレット表面に二酸化硅素などの絶縁部
材（４）で絶縁をとりアルミなどの熱誘導部材（５）を
形成した点である。この実施例３の被温度検知素子
（２）と温度検知用ダイオード（Ｄ１）に渡って設ける
熱誘導部材（５）に用いる銅の熱伝導率は、基板材料の
硅素の熱伝導率より２倍以上大きく封止用樹脂の熱伝導
率よりも大きいことから被温度検知素子（２）と温度検
知用ダイオード（Ｄ１）の間の熱抵抗を低減することが
できる。
上述した図１５の従来例の要部構造図と異なる点は、温
度検知用ダイオード（Ｄ１）と被温度検知素子（２）の
両者にまたがるペレット表面に二酸化硅素などの絶縁部
材（４）で絶縁をとりアルミなどの熱誘導部材（５）を
形成した点である。この実施例３の被温度検知素子
（２）と温度検知用ダイオード（Ｄ１）に渡って設ける
熱誘導部材（５）に用いる銅の熱伝導率は、基板材料の
硅素の熱伝導率より２倍以上大きく封止用樹脂の熱伝導
率よりも大きいことから被温度検知素子（２）と温度検
知用ダイオード（Ｄ１）の間の熱抵抗を低減することが
できる。
【００２３】この半導体デバイスに瞬時的に大電力を印
加した直後の、図５のペレット構造図の温度検知用ダイ
オード（Ｄ１）を含むＸ−Ｘ’断面の温度分布を模式的
に表すと図７のようになる。図７において一点鎖線で示
した線は、上述した従来例の熱誘導部材（５）が無い場
合の図１７の温度分布を再掲したものであり、実線で示
した線は本実施例の温度分布を示したものである。
加した直後の、図５のペレット構造図の温度検知用ダイ
オード（Ｄ１）を含むＸ−Ｘ’断面の温度分布を模式的
に表すと図７のようになる。図７において一点鎖線で示
した線は、上述した従来例の熱誘導部材（５）が無い場
合の図１７の温度分布を再掲したものであり、実線で示
した線は本実施例の温度分布を示したものである。
【００２４】印加電力をＰ、被温度検知素子（２）の最
高温度をＴｍａｘとし、本実施例の位置ｐの温度検知用
ダイオード（Ｄ１）と被温度検知素子（２）の間の熱抵
抗をＲｔｈ（ｐ’）とすると、この実施例の温度検知用
ダイオード（Ｄ１）の位置ｐの温度Ｔ（ｐ’）は式３と
なる。 Ｔ（ｐ’）＝Ｔｍａｘ−Ｐ＊Ｒｔｈ（ｐ’） 式３
高温度をＴｍａｘとし、本実施例の位置ｐの温度検知用
ダイオード（Ｄ１）と被温度検知素子（２）の間の熱抵
抗をＲｔｈ（ｐ’）とすると、この実施例の温度検知用
ダイオード（Ｄ１）の位置ｐの温度Ｔ（ｐ’）は式３と
なる。 Ｔ（ｐ’）＝Ｔｍａｘ−Ｐ＊Ｒｔｈ（ｐ’） 式３
【００２５】この実施例３の温度検知用ダイオード（Ｄ
１）と被温度検知素子（２）の温度Ｔｍａｘの間の温度
差は、Ｐ＊Ｒｔｈ（ｐ’）となり、従来例の温度分布を
示す図１７の温度検知用ダイオード（Ｄ１）の位置ｐの
温度Ｔ（ｐ）と被温度検知素子（２）の温度Ｔｍａｘの
間の温度差Ｐ＊Ｒｔｈ（ｐ）より熱抵抗が小さくできる
ので検知温度の精度が向上する。なお、温度検知用ダイ
オード（Ｄ１）と被温度検知素子（２）に渡る熱誘導部
材（５）を不連続に形成することも可能である。また、
拡散プロセス後の各素子間の配線工程と同時に形成する
ことも可能である。
１）と被温度検知素子（２）の温度Ｔｍａｘの間の温度
差は、Ｐ＊Ｒｔｈ（ｐ’）となり、従来例の温度分布を
示す図１７の温度検知用ダイオード（Ｄ１）の位置ｐの
温度Ｔ（ｐ）と被温度検知素子（２）の温度Ｔｍａｘの
間の温度差Ｐ＊Ｒｔｈ（ｐ）より熱抵抗が小さくできる
ので検知温度の精度が向上する。なお、温度検知用ダイ
オード（Ｄ１）と被温度検知素子（２）に渡る熱誘導部
材（５）を不連続に形成することも可能である。また、
拡散プロセス後の各素子間の配線工程と同時に形成する
ことも可能である。
【００２６】［実施例４］本発明の第４の実施例を図
８、図９、図１０および図１１で説明する。図８（ａ）
は、実施例４を示す温度検知方法のペレット構成図で、
（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ´の断面図である。図８（ａ）
（ｂ）において、シリコン基板（１）上に被温度検知素
子（２）と過熱保護回路（３）が形成され、また温度検
知用ダイオード（Ｄ１）（Ｄ２）が形成されている。な
お、図８において上述した図１４と同一符号は同一物を
示す。
８、図９、図１０および図１１で説明する。図８（ａ）
は、実施例４を示す温度検知方法のペレット構成図で、
（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ´の断面図である。図８（ａ）
（ｂ）において、シリコン基板（１）上に被温度検知素
子（２）と過熱保護回路（３）が形成され、また温度検
知用ダイオード（Ｄ１）（Ｄ２）が形成されている。な
お、図８において上述した図１４と同一符号は同一物を
示す。
【００２７】この実施例４の特徴は、図８の同じ仕様の
温度検知用ダイオード（Ｄ１）および（Ｄ２）を位置ｏ
を基準として、位置ｐおよびｑに配置した点と過熱保護
回路（３）の温度検知回路が２個の温度検知用ダイオー
ド（Ｄ１）および（Ｄ２）から演算により被温度検知素
子（２）の温度を求める点である。この実施例４の温度
検知回路は、位置ｏを基準として位置ｐおよびｑに配置
した２個の温度検知用ダイオード（Ｄ１）および（Ｄ
２）の順電圧ＶＦ（ｐ）およびＶＦ（ｑ）からそれぞれ
の位置と順電圧が線形関係にあると仮定して被温度検知
素子（２）の温度を１次近似計算により求める。
温度検知用ダイオード（Ｄ１）および（Ｄ２）を位置ｏ
を基準として、位置ｐおよびｑに配置した点と過熱保護
回路（３）の温度検知回路が２個の温度検知用ダイオー
ド（Ｄ１）および（Ｄ２）から演算により被温度検知素
子（２）の温度を求める点である。この実施例４の温度
検知回路は、位置ｏを基準として位置ｐおよびｑに配置
した２個の温度検知用ダイオード（Ｄ１）および（Ｄ
２）の順電圧ＶＦ（ｐ）およびＶＦ（ｑ）からそれぞれ
の位置と順電圧が線形関係にあると仮定して被温度検知
素子（２）の温度を１次近似計算により求める。
【００２８】即ち、位置ｏを基準とした位置ｐおよびｑ
の温度を、Ｔ（ｐ）およびＴ（ｑ）とすると被温度検知
素子（２）の基準位置ｏの温度Ｔ（ｏ）は式４より求め
られる。 Ｔ（ｏ）＝｛ｑ ＊ Ｔ（ｐ） −ｐ ＊ Ｔ（ｑ）｝／（ｑ −ｐ） ＝Ｔ（ｐ） ＋｛Ｔ（ｐ） −Ｔ（ｑ）｝＊ｐ ／（ｑ −ｐ） 式４ ここで、基準位置ｏは被温度検知素子（２）付近の位置
をあらかじめ設定しておく。
の温度を、Ｔ（ｐ）およびＴ（ｑ）とすると被温度検知
素子（２）の基準位置ｏの温度Ｔ（ｏ）は式４より求め
られる。 Ｔ（ｏ）＝｛ｑ ＊ Ｔ（ｐ） −ｐ ＊ Ｔ（ｑ）｝／（ｑ −ｐ） ＝Ｔ（ｐ） ＋｛Ｔ（ｐ） −Ｔ（ｑ）｝＊ｐ ／（ｑ −ｐ） 式４ ここで、基準位置ｏは被温度検知素子（２）付近の位置
をあらかじめ設定しておく。
【００２９】式４に示す演算をハードウェアーで温度検
知回路として構成した例を図１１に示す。２個の温度検
知用ダイオード（Ｄ１）および（Ｄ２）は順方向に高々
数ｍＡの検出電流が流れている。一方の温度検知用ダイ
オード（Ｄ１）の両端の電圧はＶＦ（ｐ）であり、抵抗
（Ｒ１）および（Ｒ２）により電圧（Ｖ４）＝ｑ＊ＶＦ
（ｐ）に変換し、他方の温度検知用ダイオード（Ｄ２）
の両端の電圧はＶＦ（ｑ）であり、抵抗（Ｒ３）および
（Ｒ４）により電圧（Ｖ５）＝ｐ＊ＶＦ（ｑ）に変換さ
れる。
知回路として構成した例を図１１に示す。２個の温度検
知用ダイオード（Ｄ１）および（Ｄ２）は順方向に高々
数ｍＡの検出電流が流れている。一方の温度検知用ダイ
オード（Ｄ１）の両端の電圧はＶＦ（ｐ）であり、抵抗
（Ｒ１）および（Ｒ２）により電圧（Ｖ４）＝ｑ＊ＶＦ
（ｐ）に変換し、他方の温度検知用ダイオード（Ｄ２）
の両端の電圧はＶＦ（ｑ）であり、抵抗（Ｒ３）および
（Ｒ４）により電圧（Ｖ５）＝ｐ＊ＶＦ（ｑ）に変換さ
れる。
【００３０】トランジスタ（Ｔｒ３）および（Ｔｒ４）
から成る差動回路により電圧（Ｖ４）および（Ｖ５）の
両者の差を求めると同時に抵抗（Ｒ５）および（Ｒ６）
で全体を１／（ｑ−ｐ）倍した電圧を（Ｖ６）に出力す
る。得られた電圧（Ｖ６）があらかじめ抵抗（Ｒ７）お
よび（Ｒ８）で設定されている基準電圧Ｖｒｅｆより大
きいか否かをコンパレータ（Ｃｍｐ１）で比較し電圧Ｖ
ｏを出力する。このように演算回路も比較的簡単な回路
構成で実現できる。
から成る差動回路により電圧（Ｖ４）および（Ｖ５）の
両者の差を求めると同時に抵抗（Ｒ５）および（Ｒ６）
で全体を１／（ｑ−ｐ）倍した電圧を（Ｖ６）に出力す
る。得られた電圧（Ｖ６）があらかじめ抵抗（Ｒ７）お
よび（Ｒ８）で設定されている基準電圧Ｖｒｅｆより大
きいか否かをコンパレータ（Ｃｍｐ１）で比較し電圧Ｖ
ｏを出力する。このように演算回路も比較的簡単な回路
構成で実現できる。
【００３１】この半導体デバイスに瞬時的に大電力を印
加した直後の、図８のペレット配置図の温度検知用ダイ
オード（Ｄ１）および（Ｄ２）を含むＹ−Ｙ’断面の温
度分布を模式的に表すと図９のようになる。図９におい
て、実測値は位置ｐおよびｑの温度Ｔ（ｐ）およびＴ
（ｑ）であり、基準位置ｏの温度Ｔ（ｏ）は計算値であ
る。この実施例４では演算により温度補正を行うため、
この実施例から得られる被温度検知素子（２）の温度Ｔ
（ｏ）と被温度検知素子（２）の実際の温度Ｔｍａｘの
間の温度差は、従来例の温度分布を示す図１７の温度検
知用ダイオード（Ｄ１）の位置ｐの温度Ｔ（ｐ）と被温
度検知素子（２）の温度Ｔｍａｘの間の温度差より小さ
く検知温度の精度が向上する。
加した直後の、図８のペレット配置図の温度検知用ダイ
オード（Ｄ１）および（Ｄ２）を含むＹ−Ｙ’断面の温
度分布を模式的に表すと図９のようになる。図９におい
て、実測値は位置ｐおよびｑの温度Ｔ（ｐ）およびＴ
（ｑ）であり、基準位置ｏの温度Ｔ（ｏ）は計算値であ
る。この実施例４では演算により温度補正を行うため、
この実施例から得られる被温度検知素子（２）の温度Ｔ
（ｏ）と被温度検知素子（２）の実際の温度Ｔｍａｘの
間の温度差は、従来例の温度分布を示す図１７の温度検
知用ダイオード（Ｄ１）の位置ｐの温度Ｔ（ｐ）と被温
度検知素子（２）の温度Ｔｍａｘの間の温度差より小さ
く検知温度の精度が向上する。
【００３２】他の演算方法として、位置ｏを基準として
位置ｐおよびｑにある温度検知用ダイオード（Ｄ１）お
よび（Ｄ２）の順電圧から被温度検知素子（２）の基準
位置ｏの温度の微係数をゼロと仮定し、それぞれの位置
と順電圧が２次曲線の関係にあると仮定して被温度検知
素子（２）の温度を２次近似計算により求めることもで
きる。
位置ｐおよびｑにある温度検知用ダイオード（Ｄ１）お
よび（Ｄ２）の順電圧から被温度検知素子（２）の基準
位置ｏの温度の微係数をゼロと仮定し、それぞれの位置
と順電圧が２次曲線の関係にあると仮定して被温度検知
素子（２）の温度を２次近似計算により求めることもで
きる。
【００３３】即ち、被温度検知素子（２）の位置ｏを基
準とした位置ｐおよびｑの温度をＴ（ｐ）およびＴ
（ｑ）とすると被温度検知素子（２）の温度Ｔ（ｏ）は
式５より求められる。 Ｔ（ｏ）＝｛ｑ２＊ Ｔ（ｐ） −ｐ２＊ Ｔ（ｑ）｝／（ｑ２−ｐ２） ＝Ｔ（ｐ） ＋｛Ｔ（ｐ） −Ｔ（ｑ）｝＊ｐ２／（ｑ２−ｐ２） 式５
準とした位置ｐおよびｑの温度をＴ（ｐ）およびＴ
（ｑ）とすると被温度検知素子（２）の温度Ｔ（ｏ）は
式５より求められる。 Ｔ（ｏ）＝｛ｑ２＊ Ｔ（ｐ） −ｐ２＊ Ｔ（ｑ）｝／（ｑ２−ｐ２） ＝Ｔ（ｐ） ＋｛Ｔ（ｐ） −Ｔ（ｑ）｝＊ｐ２／（ｑ２−ｐ２） 式５
【００３４】この半導体デバイスに瞬時的に大電力を印
加した直後の、図８のペレット構造図の温度検知用ダイ
オード（Ｄ１）および（Ｄ２）を含むＹ−Ｙ’断面の温
度分布を模式的に表すと図１０のようになり、図９で説
明した線形近似の場合の作用と同様に検知温度の精度が
向上する。また式５の上の式と、下の式は、係数のみが
異なり同じ形式で表現できることから、実際の回路構成
も図１１に示す線形近似の温度検知回路の回路定数をｐ
からｐの２剰に、またｑからｑの２剰に変更するだけで
同様に適用できる。
加した直後の、図８のペレット構造図の温度検知用ダイ
オード（Ｄ１）および（Ｄ２）を含むＹ−Ｙ’断面の温
度分布を模式的に表すと図１０のようになり、図９で説
明した線形近似の場合の作用と同様に検知温度の精度が
向上する。また式５の上の式と、下の式は、係数のみが
異なり同じ形式で表現できることから、実際の回路構成
も図１１に示す線形近似の温度検知回路の回路定数をｐ
からｐの２剰に、またｑからｑの２剰に変更するだけで
同様に適用できる。
【００３５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、被温度
検知素子に瞬時的に大電力が印加されてもその温度変化
を温度検知用ダイオードの順電圧を利用して精度良く検
知でき、温度検知機能を応用した半導体デバイスが容易
に実現できるばかりでなく、不注意に大電力を印加し半
導体デバイスの寿命を短くする危険性も低減できるとい
う効果を奏するものである。
検知素子に瞬時的に大電力が印加されてもその温度変化
を温度検知用ダイオードの順電圧を利用して精度良く検
知でき、温度検知機能を応用した半導体デバイスが容易
に実現できるばかりでなく、不注意に大電力を印加し半
導体デバイスの寿命を短くする危険性も低減できるとい
う効果を奏するものである。
【図１】 本発明の第１の実施例を示す温度検知方法の
ペレット構成図
ペレット構成図
【図２】 図１の実施例の要部構造図
【図３】 本発明の第２の実施例を示す要部構造図
【図４】 本発明の第２の実施例の温度検知方法による
ペレット内の温度分布図
ペレット内の温度分布図
【図５】 本発明の第３の実施例を示す温度検知方法の
ペレット構成図
ペレット構成図
【図６】 図５の実施例の要部構造図
【図７】 図５の実施例の温度検知方法によるペレット
内の温度分布図
内の温度分布図
【図８】 本発明の第４の実施例を示す温度検知方法の
ペレット構成図
ペレット構成図
【図９】 図８の実施例の温度検知方法によるペレット
内の温度分布図
内の温度分布図
【図１０】 図８の実施例を拡張した温度検知方法によ
るペレット内の温度分布図
るペレット内の温度分布図
【図１１】 図８の実施例の温度検知回路図
【図１２】 従来例を示す過熱保護機能を持つ半導体デ
バイスのブロック図
バイスのブロック図
【図１３】 ダイオードの順電圧と温度の関係図
【図１４】 従来例を示す温度検知方法のペレット構成
図
図
【図１５】 図１４の従来例の要部構造図
【図１６】 図１４の従来例の温度検知回路図
【図１７】 図１４の従来例の温度検知方法によるペレ
ット内の温度分布図
ット内の温度分布図
１ シリコン基板 ２ 被温度検知素子 ３ 過熱保護回路 Ｄ１、Ｄ２ 温度検知用ダイオード ４ 絶縁部材 ５ 熱誘導部材 ６ 熱
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体素子から成る被温度検知素子と被
温度検知素子近傍に形成した温度検知用ダイオードから
成り、周囲温度および被温度検知素子自身から発生した
熱による被温度検知素子の温度を温度検知用ダイオード
により検知する温度検知方法において、被温度検知素子
と温度検知用ダイオードの間の熱抵抗を低減する手段を
付加したことを特徴とするダイオードの順電圧を利用し
た温度検知方法。 - 【請求項２】 熱抵抗の低減手段が、温度検知用ダイオ
ードの形成位置を被温度検知素子で周囲の半周以上を囲
まれる位置で、かつ被温度検知素子と同一ペレットに形
成したことを特徴とする請求項１に記載のダイオードの
順電圧を利用した温度検知方法。 - 【請求項３】 熱抵抗の低減手段が、温度検知用ダイオ
ードと被温度検知素子を同一ペレット上に形成し、少な
くとも両者の一部と両者を結ぶ領域のペレット表面に熱
誘導部材を形成したことを特徴とする請求項１に記載の
ダイオードの順電圧を利用した温度検知方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載の温度検知方法におい
て、２個の温度検知用ダイオードを被温度検知素子と温
度検知用ダイオードの間の熱抵抗が異なるように構成
し、２個の温度検知用ダイオードの順電圧から演算によ
り被温度検知素子の温度を求めることを特徴とするダイ
オードの順電圧を利用した温度検知方法。 - 【請求項５】 異なる熱抵抗の構成手段として少なくと
も被温度検知素子と温度検知用ダイオードの距離を含
み、演算方法が被温度検知素子から２個の温度検知用ダ
イオードまでのそれぞれの距離をもとに線形近似により
被温度検知素子の温度を求める請求項４に記載のダイオ
ードの順電圧を利用した温度検知方法。 - 【請求項６】 異なる熱抵抗の構成手段として少なくと
も被温度検知素子と温度検知用ダイオードの距離を含
み、演算方法が被温度検知素子から２個の温度検知用ダ
イオードまでのそれぞれの距離をもとに被温度検知素子
での温度の微係数がゼロと仮定して２次近似により被温
度検知素子の温度を求める請求項４に記載のダイオード
の順電圧を利用した温度検知方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7034274A JP3062029B2 (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | ダイオードの順電圧を利用した温度検知方法 |
| US08/594,499 US5869878A (en) | 1995-01-31 | 1996-01-31 | Semiconductor device with temperature detecting diode, method of forming the device and temperature detecting method using the device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7034274A JP3062029B2 (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | ダイオードの順電圧を利用した温度検知方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213441A true JPH08213441A (ja) | 1996-08-20 |
| JP3062029B2 JP3062029B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=12409593
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7034274A Expired - Fee Related JP3062029B2 (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | ダイオードの順電圧を利用した温度検知方法 |
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|---|---|
| US (1) | US5869878A (ja) |
| JP (1) | JP3062029B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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