JPH08217470A - 光学素子成形用型 - Google Patents
光学素子成形用型Info
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- JPH08217470A JPH08217470A JP2661495A JP2661495A JPH08217470A JP H08217470 A JPH08217470 A JP H08217470A JP 2661495 A JP2661495 A JP 2661495A JP 2661495 A JP2661495 A JP 2661495A JP H08217470 A JPH08217470 A JP H08217470A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03B11/00—Pressing molten glass or performed glass reheated to equivalent low viscosity without blowing
- C03B11/06—Construction of plunger or mould
- C03B11/08—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses
- C03B11/084—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor
- C03B11/086—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor of coated dies
-
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- C03B2215/08—Coated press-mould dies
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-
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- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光学素子成形用型にて光学素子を押圧成形す
る際の離型性をよくし、型の外観不良を生じさせないと
ともに型の寿命を長くする。 【構成】 炭化クロムを主成分とする焼結体からなる光
学素子成形用型基材１の少なくとも成形面２に窒化クロ
ムを主成分とする薄膜４を被覆して、窒化クロム薄膜４
の面を成形面５とした。
る際の離型性をよくし、型の外観不良を生じさせないと
ともに型の寿命を長くする。 【構成】 炭化クロムを主成分とする焼結体からなる光
学素子成形用型基材１の少なくとも成形面２に窒化クロ
ムを主成分とする薄膜４を被覆して、窒化クロム薄膜４
の面を成形面５とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学素子成形用型に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、光学素子の成形用に用いられる型
として、特公平３−６１６１６号公報に開示された発明
が知られている。この発明はステンレス鋼等の金属から
なる型基材の少なくとも成形面に窒化クロムの薄膜を形
成することにより、成形面に充分な硬度を持たせるとと
もに離型性を向上させるものである。
として、特公平３−６１６１６号公報に開示された発明
が知られている。この発明はステンレス鋼等の金属から
なる型基材の少なくとも成形面に窒化クロムの薄膜を形
成することにより、成形面に充分な硬度を持たせるとと
もに離型性を向上させるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、加熱軟化した光
学ガラス素材を押圧する際の型の温度が金属材料の熱処
理温度を越えてしまう場合がある。このような場合に、
前記従来の光学素子成形型の構成では、型基材に金属材
料を使用しているので、金属材料の熱処理温度を越えた
温度が型基材の耐熱性を著しく低下させてしまう。また
このような高い温度では型基材の変質により窒化クロム
の薄膜と型基材との密着性が著しく低下することにより
膜剥離が生じ、型成形面が外観不良となる。従って、型
は使用不能となり、型の寿命が短くなるとなるという問
題がある。
学ガラス素材を押圧する際の型の温度が金属材料の熱処
理温度を越えてしまう場合がある。このような場合に、
前記従来の光学素子成形型の構成では、型基材に金属材
料を使用しているので、金属材料の熱処理温度を越えた
温度が型基材の耐熱性を著しく低下させてしまう。また
このような高い温度では型基材の変質により窒化クロム
の薄膜と型基材との密着性が著しく低下することにより
膜剥離が生じ、型成形面が外観不良となる。従って、型
は使用不能となり、型の寿命が短くなるとなるという問
題がある。
【０００４】よって本発明は前記問題点に鑑みてなされ
たものであり、光学素子成形型にて光学素子を押圧成形
する際の離型性をよくするとともに、型成形面の外観不
良を生じさせない長寿命の型の提供を目的とする。
たものであり、光学素子成形型にて光学素子を押圧成形
する際の離型性をよくするとともに、型成形面の外観不
良を生じさせない長寿命の型の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は光学素子成形用型の基材を炭化クロムを主
成分とする焼結体にて形成し、その型基材の少なくとも
成形面に窒化クロムを主成分とする薄膜を被覆した。
め、本発明は光学素子成形用型の基材を炭化クロムを主
成分とする焼結体にて形成し、その型基材の少なくとも
成形面に窒化クロムを主成分とする薄膜を被覆した。
【０００６】
【作用】本発明によれば、窒化クロムを主成分とする薄
膜を型の成形面に被膜させることにより、窒化クロムは
その結晶構造が立方晶であるとともに標準生成自由エネ
ルギーが大きく表面状態が安定しているので加熱軟化し
たガラスが接触しても融着することがない。仮に窒化ク
ロムの表面の窒素が酸素に置換されて酸化クロムになっ
たとしても、酸化クロムは窒化クロムよりも標準生成自
由エネルギーが大きく、さらに表面状態が安定している
ので、加熱軟化したガラスが接触しても融着することが
ない。
膜を型の成形面に被膜させることにより、窒化クロムは
その結晶構造が立方晶であるとともに標準生成自由エネ
ルギーが大きく表面状態が安定しているので加熱軟化し
たガラスが接触しても融着することがない。仮に窒化ク
ロムの表面の窒素が酸素に置換されて酸化クロムになっ
たとしても、酸化クロムは窒化クロムよりも標準生成自
由エネルギーが大きく、さらに表面状態が安定している
ので、加熱軟化したガラスが接触しても融着することが
ない。
【０００７】また、炭化クロムを主成分とした焼結体に
て形成した型基材をそのまま成形型として用いた場合に
は光学素子を成形する際に焼結体の表面の結晶粒が脱落
するという問題があるが、この焼結体の表面に窒化クロ
ムを主成分とする薄膜を被膜した場合は焼結体表面の結
晶粒の脱落を防止することができるので型成形面の外観
を損なうことがない。さらに炭化クロムを主成分とした
焼結体と窒化クロムとは結合しやすいので付着力が非常
に大きく、薄膜剥離が生じない。
て形成した型基材をそのまま成形型として用いた場合に
は光学素子を成形する際に焼結体の表面の結晶粒が脱落
するという問題があるが、この焼結体の表面に窒化クロ
ムを主成分とする薄膜を被膜した場合は焼結体表面の結
晶粒の脱落を防止することができるので型成形面の外観
を損なうことがない。さらに炭化クロムを主成分とした
焼結体と窒化クロムとは結合しやすいので付着力が非常
に大きく、薄膜剥離が生じない。
【０００８】
【実施例１】以下、本発明の実施例を図面とともに具体
的に説明する。図１は本発明の実施例１を示す光学素子
成形用型の断面図である。本実施例における光学素子成
形用型Ａの型基材１は，ＨＩＰ焼結法にて形成した炭化
クロムの焼結体であり、Ｃｒ3Ｃ2の中にＣｒ7Ｃ3を第２
層として含む結晶組成のセラミックスである。
的に説明する。図１は本発明の実施例１を示す光学素子
成形用型の断面図である。本実施例における光学素子成
形用型Ａの型基材１は，ＨＩＰ焼結法にて形成した炭化
クロムの焼結体であり、Ｃｒ3Ｃ2の中にＣｒ7Ｃ3を第２
層として含む結晶組成のセラミックスである。
【０００９】この焼結体を放電加工することにより図１
に示すような概略形状の型基材１を形成し、さらにダイ
ヤモンド砥石にて精密加工を施して光学素子の形状を反
転した形状の成形加工面２を形成した。そしてこの成形
加工面２の最外周にはテーパー面３を設け、成形加工面
２とテーパー面３との間をＲ面でつないだ。
に示すような概略形状の型基材１を形成し、さらにダイ
ヤモンド砥石にて精密加工を施して光学素子の形状を反
転した形状の成形加工面２を形成した。そしてこの成形
加工面２の最外周にはテーパー面３を設け、成形加工面
２とテーパー面３との間をＲ面でつないだ。
【００１０】このようにして形成した基材１を界面活性
剤や純水等を用いて超音波洗浄した後、図示しない真空
装置の真空槽内に投入し、真空装置内にてイオンビーム
スパッタ法によりＣｒ−Ｎ薄膜４を形成させる。この成
膜方法は、真空槽内を１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空度にし
て型基材１を４００〜６００°Ｃに加熱する（本実施例
では５５０°Ｃとした）。
剤や純水等を用いて超音波洗浄した後、図示しない真空
装置の真空槽内に投入し、真空装置内にてイオンビーム
スパッタ法によりＣｒ−Ｎ薄膜４を形成させる。この成
膜方法は、真空槽内を１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空度にし
て型基材１を４００〜６００°Ｃに加熱する（本実施例
では５５０°Ｃとした）。
【００１１】この状態でイオン銃側に０．５×１０-4〜
２×１０-4Ｔｏｒｒの真空度（本実施例では１×１０-4
Ｔｏｒｒとした）になるようにＡｒガスを導入し、型基
材１の近傍に１．０×１０-4〜１．５×１０-3Ｔｏｒｒ
（本実施例では７×１０-4Ｔｒｒとした）になるように
Ｎ2ガスを導入し、このときの真空槽内の真空度が８×
１０-4Ｔｏｒｒになるようにした。
２×１０-4Ｔｏｒｒの真空度（本実施例では１×１０-4
Ｔｏｒｒとした）になるようにＡｒガスを導入し、型基
材１の近傍に１．０×１０-4〜１．５×１０-3Ｔｏｒｒ
（本実施例では７×１０-4Ｔｒｒとした）になるように
Ｎ2ガスを導入し、このときの真空槽内の真空度が８×
１０-4Ｔｏｒｒになるようにした。
【００１２】イオン銃のアノード電流が０．３Ａになる
ようにした後、５００Ｖ〜１ｋＶの電圧（本実施例では
９００Ｖ）で加速し、Ｃｒ2Ｎの純度９９．９％以上の
焼結体からなるターゲットに照射してスパッタし、スパ
ッタ粒子を型基材１の成形加工面２及びテーパ面３に堆
積させＣｒ−Ｎ薄膜４を形成した。この時のスパッタリ
ングの時間は１００分で膜厚は０．７５μｍであった。
ようにした後、５００Ｖ〜１ｋＶの電圧（本実施例では
９００Ｖ）で加速し、Ｃｒ2Ｎの純度９９．９％以上の
焼結体からなるターゲットに照射してスパッタし、スパ
ッタ粒子を型基材１の成形加工面２及びテーパ面３に堆
積させＣｒ−Ｎ薄膜４を形成した。この時のスパッタリ
ングの時間は１００分で膜厚は０．７５μｍであった。
【００１３】前記にようにして被膜された型基材１を真
空槽内から取り出し、大気中で６００°Ｃにて２時間加
熱した。このようにして、酸化されたＣｒ−Ｎ薄膜４か
らなる成形面５を形成した。この場合、Ｃｒ−Ｎ薄膜４
はＣｒＮの多結晶体で表面から０．０１〜０．１μｍの
厚さが酸化されＣｒ2Ｏ3が形成されている。
空槽内から取り出し、大気中で６００°Ｃにて２時間加
熱した。このようにして、酸化されたＣｒ−Ｎ薄膜４か
らなる成形面５を形成した。この場合、Ｃｒ−Ｎ薄膜４
はＣｒＮの多結晶体で表面から０．０１〜０．１μｍの
厚さが酸化されＣｒ2Ｏ3が形成されている。
【００１４】この構成の光学素子成形用型は、型基材１
を炭化クロムの焼結体で形成しているので加熱軟化した
ガラスを成形するような高温でも充分に耐熱性を有して
おり、また上記の薄膜が形成されていない炭化クロムの
表面にも酸化クロムを形成して表面の酸化がそれ以上進
行しなくなる。
を炭化クロムの焼結体で形成しているので加熱軟化した
ガラスを成形するような高温でも充分に耐熱性を有して
おり、また上記の薄膜が形成されていない炭化クロムの
表面にも酸化クロムを形成して表面の酸化がそれ以上進
行しなくなる。
【００１５】このような炭化クロム焼結体は結晶粒の集
まりであるので成形加工面２をそのまま成形面として使
用すると粒子が脱落して型成形面の外観劣化が起こる
が、本実施例では成形加工面に窒化クロムの薄膜を形成
しているので、薄膜の付着力と薄膜自身の結合力により
粒子の脱落を防止することができる。
まりであるので成形加工面２をそのまま成形面として使
用すると粒子が脱落して型成形面の外観劣化が起こる
が、本実施例では成形加工面に窒化クロムの薄膜を形成
しているので、薄膜の付着力と薄膜自身の結合力により
粒子の脱落を防止することができる。
【００１６】また、炭化クロムと窒化クロムはどちらも
クロム化合物であるので、窒化クロムの薄膜はクロム同
士あるいは窒素及び炭素を介して結合し、型基材１に薄
膜が強固に密着している。これにより膜剥離が起こりに
くい。さらに窒化クロムの表面には酸化クロムの薄い層
が形成されており窒化クロムでも充分にガラスとの離型
性が確保されるが、酸化クロムの方がより安定している
ので、より離型性がよくなる。
クロム化合物であるので、窒化クロムの薄膜はクロム同
士あるいは窒素及び炭素を介して結合し、型基材１に薄
膜が強固に密着している。これにより膜剥離が起こりに
くい。さらに窒化クロムの表面には酸化クロムの薄い層
が形成されており窒化クロムでも充分にガラスとの離型
性が確保されるが、酸化クロムの方がより安定している
ので、より離型性がよくなる。
【００１７】本実施例の光学素子成形用型によれば、加
熱軟化したガラスを押圧するような高温と圧力下でも充
分な耐熱性と強度を有し、かつ成形面の粒子が脱落する
等による型成形面５の外観の劣化も起こらない。また押
圧して離型する場合でもガラスが融着したり、離型力が
作用するようなことはない。これにより型成形面５の外
観の劣化が起こらない長寿命の光学素子成形用型を得る
ことができる。
熱軟化したガラスを押圧するような高温と圧力下でも充
分な耐熱性と強度を有し、かつ成形面の粒子が脱落する
等による型成形面５の外観の劣化も起こらない。また押
圧して離型する場合でもガラスが融着したり、離型力が
作用するようなことはない。これにより型成形面５の外
観の劣化が起こらない長寿命の光学素子成形用型を得る
ことができる。
【００１８】なお、本実施例における型基材１の焼結体
は、これにＴｉＣ及びＮｉを添加することによりサーメ
ットにして高温強度と靱性を向上させることができる。
また焼結体はＨＩＰ法以外に常圧焼結法やＨＰ焼結法で
も同様な焼結体が得られる。また、窒化クロムの薄膜は
ＣｒＮ以外にＣｒＮ−Ｃｒ2Ｎ系化合物でもよく、また
前記窒化クロム薄膜はＹ2Ｏ3やＹを含有した膜であれば
より耐熱性が向上する。また、窒化クロムを主成分とし
た薄膜の表面は酸化していることが好ましいが、酸化さ
せなくてもほぼ同様な作用効果が得られる。また、本実
施例ではＣｒ−Ｎ薄膜４を成形加工面に形成したが、そ
れ以外の面の全部あるいは一部に形成しても同様な作用
効果が得られる。
は、これにＴｉＣ及びＮｉを添加することによりサーメ
ットにして高温強度と靱性を向上させることができる。
また焼結体はＨＩＰ法以外に常圧焼結法やＨＰ焼結法で
も同様な焼結体が得られる。また、窒化クロムの薄膜は
ＣｒＮ以外にＣｒＮ−Ｃｒ2Ｎ系化合物でもよく、また
前記窒化クロム薄膜はＹ2Ｏ3やＹを含有した膜であれば
より耐熱性が向上する。また、窒化クロムを主成分とし
た薄膜の表面は酸化していることが好ましいが、酸化さ
せなくてもほぼ同様な作用効果が得られる。また、本実
施例ではＣｒ−Ｎ薄膜４を成形加工面に形成したが、そ
れ以外の面の全部あるいは一部に形成しても同様な作用
効果が得られる。
【００１９】
【実施例２】図２は本発明の実施例２を示す光学素子成
形用型の断面図である。本実施例における光学素子成形
用型Ｂの型基材１は前記実施例１の光学素子成形用型Ａ
における型基材１とＣｒ−Ｎ薄膜４との間にＣｒ−Ｃ薄
膜６を中間層として形成したものであり、その他の構成
については前記実施例１と同様であるのでその説明を省
略する。
形用型の断面図である。本実施例における光学素子成形
用型Ｂの型基材１は前記実施例１の光学素子成形用型Ａ
における型基材１とＣｒ−Ｎ薄膜４との間にＣｒ−Ｃ薄
膜６を中間層として形成したものであり、その他の構成
については前記実施例１と同様であるのでその説明を省
略する。
【００２０】Ｃｒ−Ｃ薄膜６は実施例１と同様にイオン
ビームスパッタ法で成膜される。まず実施例１と同様に
真空槽内を１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空度にして型基材１
を４００〜６００°Ｃに加熱する（本実施例では５５０
°Ｃとした）。
ビームスパッタ法で成膜される。まず実施例１と同様に
真空槽内を１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空度にして型基材１
を４００〜６００°Ｃに加熱する（本実施例では５５０
°Ｃとした）。
【００２１】この状態でイオン銃側に０．５×１０-4〜
４×１０-4Ｔｒｒの真空度（本実施例では２×１０-4Ｔ
ｒｒとした）になるようにＡｒガスを導入し、イオン銃
のアノード電流が０．３Ａになるようにした後、５００
Ｖ〜１ｋＶの電圧（本実施例では９００Ｖ）で加速し、
Ｃｒ3Ｃ2の純度９９．９％以上の焼結体からなるターゲ
ットに照射してスパッタし、スパッタ粒子を型基材１の
成形加工面２及びテーパ面３に堆積させ、Ｃｒ−Ｃ薄膜
６を形成した。この時のスパッタリングの時間は５０分
で、膜厚は０．４μｍとなるようにした。形成したＣｒ
−Ｃ薄膜６の結晶構造はＣｒ3Ｃ2の多結晶であった。
４×１０-4Ｔｒｒの真空度（本実施例では２×１０-4Ｔ
ｒｒとした）になるようにＡｒガスを導入し、イオン銃
のアノード電流が０．３Ａになるようにした後、５００
Ｖ〜１ｋＶの電圧（本実施例では９００Ｖ）で加速し、
Ｃｒ3Ｃ2の純度９９．９％以上の焼結体からなるターゲ
ットに照射してスパッタし、スパッタ粒子を型基材１の
成形加工面２及びテーパ面３に堆積させ、Ｃｒ−Ｃ薄膜
６を形成した。この時のスパッタリングの時間は５０分
で、膜厚は０．４μｍとなるようにした。形成したＣｒ
−Ｃ薄膜６の結晶構造はＣｒ3Ｃ2の多結晶であった。
【００２２】続いて実施例１と同一条件でＣｒ−Ｎ薄膜
４をスパッタ時間６０分で形成し、総膜厚を０．８５μ
ｍとした。ここでもＣｒ−Ｎ薄膜４はＣｒＮの多結晶体
であった。前記のようにして薄膜を被覆した型基材１を
実施例１と同様にして酸化層を形成し、表面がＣｒ−Ｎ
薄膜４からなる成形面５を得た。
４をスパッタ時間６０分で形成し、総膜厚を０．８５μ
ｍとした。ここでもＣｒ−Ｎ薄膜４はＣｒＮの多結晶体
であった。前記のようにして薄膜を被覆した型基材１を
実施例１と同様にして酸化層を形成し、表面がＣｒ−Ｎ
薄膜４からなる成形面５を得た。
【００２３】本実施例によれば、実施例１の作用効果に
加えて炭化クロムの焼結体からなる基材１と同様な結晶
構造の薄膜を形成していることにより、型基材１の表面
とＣｒ−Ｃ薄膜６との界面では共有結合に近い状態にな
り非常に付着性がよくなる。また、Ｃｒ−Ｃ薄膜６とＣ
ｒ−Ｎ薄膜４とは同じクロム化合物であることと真空中
で続けて成膜されることにより、酸素やコンタミの吸着
層が形成されないので、これも非常に強い密着性を持つ
ことになり膜の剥離が非常に発生しにくくなる。これに
より従来のような基材１の面から膜が剥離することによ
る型成形面の外観不良を起こさないとともに寿命の長い
光学素子成膜用型を得ることができる。
加えて炭化クロムの焼結体からなる基材１と同様な結晶
構造の薄膜を形成していることにより、型基材１の表面
とＣｒ−Ｃ薄膜６との界面では共有結合に近い状態にな
り非常に付着性がよくなる。また、Ｃｒ−Ｃ薄膜６とＣ
ｒ−Ｎ薄膜４とは同じクロム化合物であることと真空中
で続けて成膜されることにより、酸素やコンタミの吸着
層が形成されないので、これも非常に強い密着性を持つ
ことになり膜の剥離が非常に発生しにくくなる。これに
より従来のような基材１の面から膜が剥離することによ
る型成形面の外観不良を起こさないとともに寿命の長い
光学素子成膜用型を得ることができる。
【００２４】なお、本実施例においても、型基材１の焼
結体にＴｉＣ及びＮｉを添加してサーメットにすること
により高温強度と靱性を向上させることができる。ま
た、焼結体はＨＩＰ法以外に常圧焼結法やＨＰ焼結法で
も同様に焼結体を得ることができる。また、Ｃｒ−Ｎ薄
膜４はＣｒＮ以外にＣｒＮ−Ｃｒ2Ｎ系化合物でもよ
く、またＣｒ−Ｎ薄膜４はＹ2Ｏ3やＹを含有した膜であ
ればより耐熱性が向上する。また、Ｃｒ−Ｎ薄膜４の表
面は酸化していることが好ましいが、酸化させなくても
ほぼ同様な作用効果が得られる。また、Ｃｒ−Ｃ薄膜６
も同様にＣｒ3Ｃ2以外にＣｒ7Ｃ3の結晶構造が存在して
もよい。また本実施例ではＣｒ−Ｎ薄膜４及びＣｒ−Ｃ
薄膜６を成形加工面２に形成したが、それ以外の面の全
部あるいは一部に形成しても同様な作用効果が得られ
る。
結体にＴｉＣ及びＮｉを添加してサーメットにすること
により高温強度と靱性を向上させることができる。ま
た、焼結体はＨＩＰ法以外に常圧焼結法やＨＰ焼結法で
も同様に焼結体を得ることができる。また、Ｃｒ−Ｎ薄
膜４はＣｒＮ以外にＣｒＮ−Ｃｒ2Ｎ系化合物でもよ
く、またＣｒ−Ｎ薄膜４はＹ2Ｏ3やＹを含有した膜であ
ればより耐熱性が向上する。また、Ｃｒ−Ｎ薄膜４の表
面は酸化していることが好ましいが、酸化させなくても
ほぼ同様な作用効果が得られる。また、Ｃｒ−Ｃ薄膜６
も同様にＣｒ3Ｃ2以外にＣｒ7Ｃ3の結晶構造が存在して
もよい。また本実施例ではＣｒ−Ｎ薄膜４及びＣｒ−Ｃ
薄膜６を成形加工面２に形成したが、それ以外の面の全
部あるいは一部に形成しても同様な作用効果が得られ
る。
【００２５】
【発明の効果】本発明の光学素子成形用型によれば、加
熱軟化したガラスを押圧成形するような高温と圧力下で
も充分な耐熱性と強度を有し、成形面の粒子脱落等によ
る型成形面の外観の劣化、あるいはガラスが融着した
り、そのために離型力作用したりするようなことが起こ
らないとともに長寿命の光学素子成形用型を得ることが
できる。
熱軟化したガラスを押圧成形するような高温と圧力下で
も充分な耐熱性と強度を有し、成形面の粒子脱落等によ
る型成形面の外観の劣化、あるいはガラスが融着した
り、そのために離型力作用したりするようなことが起こ
らないとともに長寿命の光学素子成形用型を得ることが
できる。
【図１】本発明の実施例１を示す光学素子成形用型の断
面図。
面図。
【図２】本発明の実施例２を示す光学素子成形用型の断
面図。
面図。
１ 光学素子成形用型基材 ２ 成形加工面 ３ テーパー面 ４ Ｃｒ−Ｎ薄膜 ５ 成形面 ６ Ｃｒ−Ｃ薄膜
Claims (1)
- 【請求項１】 炭化クロムを主成分とする焼結体からな
る光学素子成形用型基材の少なくとも成形面に窒化クロ
ムを主成分とする薄膜を被覆したことを特徴とする光学
素子成形用型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2661495A JPH08217470A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 光学素子成形用型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2661495A JPH08217470A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 光学素子成形用型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08217470A true JPH08217470A (ja) | 1996-08-27 |
Family
ID=12198372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2661495A Withdrawn JPH08217470A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 光学素子成形用型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08217470A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009016993A1 (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-05 | Konica Minolta Opto, Inc. | 下型の製造方法、ガラスゴブの製造方法及びガラス成形体の製造方法 |
| WO2009122948A1 (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-08 | コニカミノルタオプト株式会社 | 下型、下型の製造方法、ガラスゴブの製造方法、及びガラス成形体の製造方法 |
-
1995
- 1995-02-15 JP JP2661495A patent/JPH08217470A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009016993A1 (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-05 | Konica Minolta Opto, Inc. | 下型の製造方法、ガラスゴブの製造方法及びガラス成形体の製造方法 |
| US8505338B2 (en) | 2007-08-01 | 2013-08-13 | Konica Minolta Opto, Inc. | Method for manufacturing lower mold, method for manufacturing glass gob, and method for manufacturing molded glass article |
| JP5347962B2 (ja) * | 2007-08-01 | 2013-11-20 | コニカミノルタ株式会社 | 下型の製造方法、ガラスゴブの製造方法及びガラス成形体の製造方法 |
| WO2009122948A1 (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-08 | コニカミノルタオプト株式会社 | 下型、下型の製造方法、ガラスゴブの製造方法、及びガラス成形体の製造方法 |
| CN101980979A (zh) * | 2008-04-03 | 2011-02-23 | 柯尼卡美能达精密光学株式会社 | 下模及其制造方法、玻璃凝块的制造方法及玻璃成型体的制造方法 |
| JP5472095B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2014-04-16 | コニカミノルタ株式会社 | 下型、下型の製造方法、ガラスゴブの製造方法、及びガラス成形体の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020507 |