JPH0821955B2 - 適応性のあるしきい値サンプリング制御器 - Google Patents
適応性のあるしきい値サンプリング制御器Info
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- JPH0821955B2 JPH0821955B2 JP62505513A JP50551387A JPH0821955B2 JP H0821955 B2 JPH0821955 B2 JP H0821955B2 JP 62505513 A JP62505513 A JP 62505513A JP 50551387 A JP50551387 A JP 50551387A JP H0821955 B2 JPH0821955 B2 JP H0821955B2
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- frame
- bits
- sampling
- signal
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04Q—SELECTING
- H04Q11/00—Selecting arrangements for multiplex systems
- H04Q11/04—Selecting arrangements for multiplex systems for time-division multiplexing
- H04Q11/0428—Integrated services digital network, i.e. systems for transmission of different types of digitised signals, e.g. speech, data, telecentral, television signals
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
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- H03K5/08—Shaping pulses by limiting; by thresholding; by slicing, i.e. combined limiting and thresholding
- H03K5/082—Shaping pulses by limiting; by thresholding; by slicing, i.e. combined limiting and thresholding with an adaptive threshold
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L25/00—Baseband systems
- H04L25/02—Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
- H04L25/12—Compensating for variations in line impedance
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L5/00—Arrangements affording multiple use of the transmission path
- H04L5/14—Two-way operation using the same type of signal, i.e. duplex
- H04L5/1469—Two-way operation using the same type of signal, i.e. duplex using time-sharing
- H04L5/1484—Two-way operation using the same type of signal, i.e. duplex using time-sharing operating bytewise
- H04L5/1492—Two-way operation using the same type of signal, i.e. duplex using time-sharing operating bytewise with time compression, e.g. operating according to the ping-pong technique
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- H04L25/00—Baseband systems
- H04L25/02—Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
- H04L25/0264—Arrangements for coupling to transmission lines
- H04L25/0272—Arrangements for coupling to multiple lines, e.g. for differential transmission
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- Communication Control (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 この発明はデータ伝送に関するものであり、特に伝送
ラインに接続されてそのライン上の信号強度を変えるた
めに修正をする機器の適応に関するものである。
ラインに接続されてそのライン上の信号強度を変えるた
めに修正をする機器の適応に関するものである。
発明の背景 国際電信電話諮問委員会（CCITT）はディジタル統合
サービス網（ISDN）の規格、すなわちいわゆるＩシリー
ズ勧告（Ｉ−Series Recommendations）を立案してい
る。これら勧告は特定された構造のパターン（「フレー
ム」）で伝送される２個のＢチャネルおよび１個のＤチ
ャネルの提供を含んでいる。その構造は各フレームに先
行するフレーミング「Ｆ」信号ビットを含む。
サービス網（ISDN）の規格、すなわちいわゆるＩシリー
ズ勧告（Ｉ−Series Recommendations）を立案してい
る。これら勧告は特定された構造のパターン（「フレー
ム」）で伝送される２個のＢチャネルおよび１個のＤチ
ャネルの提供を含んでいる。その構造は各フレームに先
行するフレーミング「Ｆ」信号ビットを含む。
ＢチャネルおよびＤチャネル上の信号は伝送ラインに
沿って接続されるいくつかの端末のうちの１つ（端末機
器すなわち「TE」）により回路網から４ワイヤインター
フェイスすなわちリファレンス点でフレームで受信され
る。信号強度はそのラインに沿って距離とともに低下す
るので、さらにCCITT規格は固定したしきい値信号強度
を特定して能動ラインを表わすので、TEは低下する信号
を補償するために「適応」を必要とする。ライン上での
信号の低下の他に、ライン上に多数の伝送端末が存在す
る結果、TEにより受信される信号の振幅に影響を及ぼし
得る電圧付加が起こる。
沿って接続されるいくつかの端末のうちの１つ（端末機
器すなわち「TE」）により回路網から４ワイヤインター
フェイスすなわちリファレンス点でフレームで受信され
る。信号強度はそのラインに沿って距離とともに低下す
るので、さらにCCITT規格は固定したしきい値信号強度
を特定して能動ラインを表わすので、TEは低下する信号
を補償するために「適応」を必要とする。ライン上での
信号の低下の他に、ライン上に多数の伝送端末が存在す
る結果、TEにより受信される信号の振幅に影響を及ぼし
得る電圧付加が起こる。
伝送ライン上に存在する信号に広いダイナミックレン
ジを許容するために、種々の「適応性のあるしきい値」
機構が先行技術で公知である。たとえば、Ｆビット信号
強度のサンプリングは広く使用されている。しかしなが
ら、緩和されたノイズマージンのせいで、Ｆビットの信
号強度は名目値の160％ほどにもなり得て、このように
Ｆビットは適応の基礎を置くべき信号強度の最良の指針
ではない。他の機構はＤチャネル信号強度を使用する
が、「衝突」が起こるまで多数の端末が同時にＤチャネ
ルデータを伝送し得るので、Ｄチャネル信号強度も同様
に適応の最良の基礎ではない。すなわち、Ｄチャネルに
対しては複数の端末が同時にアクセスすることができ、
「衝突」が検出されてチャネルのアービトレーションが
実行されるまで、このＤチャネル上には複数の端末から
のデータが伝送される。したがってＤチャネル上のデー
タを検出した場合、この検出されたＤチャネルデータは
複数の端末から伝送されたデータの組合わせとなる可能
性が存在する。この場合、受信フレームに対する適切な
しきい値調節用基準として利用することはできなくな
る。したがって、Ｄチャネルの信号強度もしきい値調節
の最良の基準とはいえない。
ジを許容するために、種々の「適応性のあるしきい値」
機構が先行技術で公知である。たとえば、Ｆビット信号
強度のサンプリングは広く使用されている。しかしなが
ら、緩和されたノイズマージンのせいで、Ｆビットの信
号強度は名目値の160％ほどにもなり得て、このように
Ｆビットは適応の基礎を置くべき信号強度の最良の指針
ではない。他の機構はＤチャネル信号強度を使用する
が、「衝突」が起こるまで多数の端末が同時にＤチャネ
ルデータを伝送し得るので、Ｄチャネル信号強度も同様
に適応の最良の基礎ではない。すなわち、Ｄチャネルに
対しては複数の端末が同時にアクセスすることができ、
「衝突」が検出されてチャネルのアービトレーションが
実行されるまで、このＤチャネル上には複数の端末から
のデータが伝送される。したがってＤチャネル上のデー
タを検出した場合、この検出されたＤチャネルデータは
複数の端末から伝送されたデータの組合わせとなる可能
性が存在する。この場合、受信フレームに対する適切な
しきい値調節用基準として利用することはできなくな
る。したがって、Ｄチャネルの信号強度もしきい値調節
の最良の基準とはいえない。
発明の概要 本件の発明に従った適応しきい値技術は適応スレッシ
ョルディングの基礎にＢチャネル信号強度を利用する。
Ｂチャネル上では一度に回路網上の１端末しか伝送しな
いのでＢチャネルで受取られる信号強度は適応に良好な
基礎を形成する。その端末によってＢチャネルデータが
受信されなくても、Ｄチャネルデータが受信されるなら
ば、本件の発明の適応しきい値技術はＤチャネル信号強
度をサンプリングしてしきい値を確立する。Ｂチャネル
またはＤチャネルのいずれでもデータが受信されないな
らば、その技術はしきい値適応にＦビットをサンプリン
グしている。この態様で、適応しきい値を更新するため
に、最小の電圧付加効果でフレームの「マーク」をサン
プリングすることが利用される。
ョルディングの基礎にＢチャネル信号強度を利用する。
Ｂチャネル上では一度に回路網上の１端末しか伝送しな
いのでＢチャネルで受取られる信号強度は適応に良好な
基礎を形成する。その端末によってＢチャネルデータが
受信されなくても、Ｄチャネルデータが受信されるなら
ば、本件の発明の適応しきい値技術はＤチャネル信号強
度をサンプリングしてしきい値を確立する。Ｂチャネル
またはＤチャネルのいずれでもデータが受信されないな
らば、その技術はしきい値適応にＦビットをサンプリン
グしている。この態様で、適応しきい値を更新するため
に、最小の電圧付加効果でフレームの「マーク」をサン
プリングすることが利用される。
好ましい実施例においては、スイッチされるコンデン
サフィルタがサンプル中に観察されるピーク値の動作中
の測定を生じる。次にそのしきい値はサンプル中に観察
されるピーク値の55％に設定される。
サフィルタがサンプル中に観察されるピーク値の動作中
の測定を生じる。次にそのしきい値はサンプル中に観察
されるピーク値の55％に設定される。
図面の簡単な説明 第１図はCCITTのＩシリーズ勧告で特定されるフレー
ム構造の図である。
ム構造の図である。
第２図はこの発明に従った適応しきい値装置の状態図
である。
である。
第３図はこの発明に従った適応しきい値サンプル制御
（ATSC）装置のブロック図である。
（ATSC）装置のブロック図である。
第４図はこの発明に関連して使用されるラインインタ
ーフェイスアナログ適応しきい値回路の一部の図であ
る。
ーフェイスアナログ適応しきい値回路の一部の図であ
る。
第５図はこの発明に従った適応しきい値装置により採
用される４個の制御信号を示すタイミング図である。
用される４個の制御信号を示すタイミング図である。
第６図はこの発明の適応しきい値装置の動作を例示す
る３つの場合を示すタイミング図である。
る３つの場合を示すタイミング図である。
好ましい実施例の詳細な説明 第１図はCCITT規格を満足させる網終端装置（NT）と
端末機器（TE）により使用されるフレーム構造である。
第１図の上部部分はNTからTEへ伝送するときに使用され
る構造を例示し、下部部分はTEからNTへ伝送するときを
例示している。CCITT「Ｉシリーズ勧告」に精通するこ
とは、この発明の理解に重要である。これら勧告はここ
に引用により援用されている。第１図を参照すると、各
フレームは250マイクロ秒の時間間隔のうちに起こる48
ビット信号を含む。この発明説明に重要なのは、第１図
で「Ｆ」、「Ｌ」、「B1」および「B2」、および「Ｄ」
と示されるビットである。
端末機器（TE）により使用されるフレーム構造である。
第１図の上部部分はNTからTEへ伝送するときに使用され
る構造を例示し、下部部分はTEからNTへ伝送するときを
例示している。CCITT「Ｉシリーズ勧告」に精通するこ
とは、この発明の理解に重要である。これら勧告はここ
に引用により援用されている。第１図を参照すると、各
フレームは250マイクロ秒の時間間隔のうちに起こる48
ビット信号を含む。この発明説明に重要なのは、第１図
で「Ｆ」、「Ｌ」、「B1」および「B2」、および「Ｄ」
と示されるビットである。
この発明の適応しきい値技術はTEまたはNTにより受信
される信号のフレームをサンプリングする。その技術は
第２図のサンプル・コントロール・ステート・マシーン
（SCSM）の状態図を参照することにより最もうまく説明
される。その状態図において、各状態は１個の円により
表わされる。状態間の有向直線はその直線に隣接する信
号を受信すると起こる移行を示している。第２図に示さ
れる各状態の名称は状態の円の上部半分に示されてお
り、SCSMを実現する回路により発生される信号がその円
の下部半分に示されている。第２図の有向直線に隣接し
て示される種々の信号は下で第３図および第４図に関連
して説明されるであろうように、第１図に示されるフレ
ームを受取る回路により発生される。
される信号のフレームをサンプリングする。その技術は
第２図のサンプル・コントロール・ステート・マシーン
（SCSM）の状態図を参照することにより最もうまく説明
される。その状態図において、各状態は１個の円により
表わされる。状態間の有向直線はその直線に隣接する信
号を受信すると起こる移行を示している。第２図に示さ
れる各状態の名称は状態の円の上部半分に示されてお
り、SCSMを実現する回路により発生される信号がその円
の下部半分に示されている。第２図の有向直線に隣接し
て示される種々の信号は下で第３図および第４図に関連
して説明されるであろうように、第１図に示されるフレ
ームを受取る回路により発生される。
Ｆビットだけが受信されると、SCSMはSTART状態10に
あり、ENF信号（Ｆビットのイネーブル・サンプリング
（Enable sampling））、END信号（Ｄビットのイネーブ
ル・サンプリング）およびENB（Ｂビットのイネーブリ
ング・サンプリング（Enabling sampling））は活性状
態である。上位Ｄビットが受信されるとＤ状態12が入力
される。また上位Ｂビットが同じフレームで受信される
とＢ状態14が入力される。フレームの最後でLLWN（ラス
トＬビット・ウィンドウ（Last L−bit Window））信号
はアクティブになり、PB（先のフレーム（Previous fra
me）の上位Ｂビット）状態16が入力され、その際ENB信
号のみが活性化される。（上位Ｄビットが次のフレーム
で検出されるとしてもそれはしきい値を更新するために
は使用されない。）DPB（先のフレームの上位Ｄビッ
ト、上位Ｂビット）状態18は上位Ｄビットを受信すると
入力され、ENB信号はやはり活性状態である。しかしな
がら、上位Ｂビットが後で同じフレームで検出される
と、それはしきい値を更新するために使用されてＢ状態
14が再び入力される。どの上位Ｂビットも検出されなけ
れば、PD（先のフレームの上位Ｄビット）状態20が入力
されて、ENDおよびENB信号が活性化される。
あり、ENF信号（Ｆビットのイネーブル・サンプリング
（Enable sampling））、END信号（Ｄビットのイネーブ
ル・サンプリング）およびENB（Ｂビットのイネーブリ
ング・サンプリング（Enabling sampling））は活性状
態である。上位Ｄビットが受信されるとＤ状態12が入力
される。また上位Ｂビットが同じフレームで受信される
とＢ状態14が入力される。フレームの最後でLLWN（ラス
トＬビット・ウィンドウ（Last L−bit Window））信号
はアクティブになり、PB（先のフレーム（Previous fra
me）の上位Ｂビット）状態16が入力され、その際ENB信
号のみが活性化される。（上位Ｄビットが次のフレーム
で検出されるとしてもそれはしきい値を更新するために
は使用されない。）DPB（先のフレームの上位Ｄビッ
ト、上位Ｂビット）状態18は上位Ｄビットを受信すると
入力され、ENB信号はやはり活性状態である。しかしな
がら、上位Ｂビットが後で同じフレームで検出される
と、それはしきい値を更新するために使用されてＢ状態
14が再び入力される。どの上位Ｂビットも検出されなけ
れば、PD（先のフレームの上位Ｄビット）状態20が入力
されて、ENDおよびENB信号が活性化される。
DPB状態18の上位Ｂビット信号の受信はSCSMにＢ状態1
4を再び入力させる。Ｂ状態14のLLWN信号の受信はSCSM
にPB状態16を入力させる。DBP状態18またはＤ状態12のL
LWN信号の受信はSCSMにPD状態20を入力させる。PD20状
態またはSTART10状態のLLWN信号および上位Ｄビット信
号の受信はSCSMにPD状態20を入力させ、一方でDPB18状
態またはPD20状態のいずれかのLLWN信号および下位Ｄビ
ット信号の受信はSCSMにSTART状態10を入力させる。PB1
6状態のLLWNおよび下位Ｄビット信号の受信はSCSMにB14
状態を入力させる。
4を再び入力させる。Ｂ状態14のLLWN信号の受信はSCSM
にPB状態16を入力させる。DBP状態18またはＤ状態12のL
LWN信号の受信はSCSMにPD状態20を入力させる。PD20状
態またはSTART10状態のLLWN信号および上位Ｄビット信
号の受信はSCSMにPD状態20を入力させ、一方でDPB18状
態またはPD20状態のいずれかのLLWN信号および下位Ｄビ
ット信号の受信はSCSMにSTART状態10を入力させる。PB1
6状態のLLWNおよび下位Ｄビット信号の受信はSCSMにB14
状態を入力させる。
第３図を参照すると、上で説明されたSCSMを組入れて
いる適用しきい値サンプリング制御（ATSC）装置100の
ブロック図である。SCSMの組合わせの部分は好ましく
は、当業者により認められるであろうように、プログラ
ム可能論理アレイ（PLA）102、およびSCSM状態移行を実
現する１組のレジスタ104として実現される。SCSMPLA10
2に与えられる１組の３個の入力信号10、11および12は
入力されるように次の状態を特定しかつレジスタ104に
より発生され、さらに電流状態を特定するSCSMPLA102に
より発生される１組の３個の出力信号00、01および02は
１組のクロックされたラッチ104に与えられる。Ｂビッ
ト、ＤビットおよびLLWN信号はまたはSCSMPLA102に与え
られ、さらにSCSMPLA102により発生されるENB、ENDおよ
びENF信号はラッチ104に与えられる。ラッチ104にスト
アされたENB、ENDおよびENF信号はそれぞれNANDゲート1
06、108および110の第１の入力端子に与えられる。ゲー
ト106、108および110の第２の入力端子はそれぞれのAND
ゲート112、114および116により発生される信号を受信
し、それらは順にラッチ104により発生されるHIMS信号
（ハイ・マーク・サンプル）を第１の入力端子で受信す
る。（SHIM信号−サンプル・ハイ・マークはラッチ104
に与えられる）。Ｂビットウィンドウ（BWN）信号、Ｄ
ビットウィンドウ（DWN）信号および第１のＬビットウ
ィンドウ（FLWN）信号はそれぞれゲート112、114および
116の第２の入力端子に与えられる。
いる適用しきい値サンプリング制御（ATSC）装置100の
ブロック図である。SCSMの組合わせの部分は好ましく
は、当業者により認められるであろうように、プログラ
ム可能論理アレイ（PLA）102、およびSCSM状態移行を実
現する１組のレジスタ104として実現される。SCSMPLA10
2に与えられる１組の３個の入力信号10、11および12は
入力されるように次の状態を特定しかつレジスタ104に
より発生され、さらに電流状態を特定するSCSMPLA102に
より発生される１組の３個の出力信号00、01および02は
１組のクロックされたラッチ104に与えられる。Ｂビッ
ト、ＤビットおよびLLWN信号はまたはSCSMPLA102に与え
られ、さらにSCSMPLA102により発生されるENB、ENDおよ
びENF信号はラッチ104に与えられる。ラッチ104にスト
アされたENB、ENDおよびENF信号はそれぞれNANDゲート1
06、108および110の第１の入力端子に与えられる。ゲー
ト106、108および110の第２の入力端子はそれぞれのAND
ゲート112、114および116により発生される信号を受信
し、それらは順にラッチ104により発生されるHIMS信号
（ハイ・マーク・サンプル）を第１の入力端子で受信す
る。（SHIM信号−サンプル・ハイ・マークはラッチ104
に与えられる）。Ｂビットウィンドウ（BWN）信号、Ｄ
ビットウィンドウ（DWN）信号および第１のＬビットウ
ィンドウ（FLWN）信号はそれぞれゲート112、114および
116の第２の入力端子に与えられる。
BWNおよびDWN信号はそれぞれANDゲート118および120
の第１の入力端子に与えられ、SHIM信号はゲート118お
よび120の第１の入力端子に与えられる。ゲート118およ
び120の出力端子で発生される信号はそれぞれ、SCSMの
状態図第２図と関連して上で説明されたＢビットおよび
Ｄビット信号であり、LLWN信号であるとしてSCSMPLA102
に与えられる。クロックされたラッチ資格（LQUAL）回
路122はラッチ104の組にクロックを供給する。
の第１の入力端子に与えられ、SHIM信号はゲート118お
よび120の第１の入力端子に与えられる。ゲート118およ
び120の出力端子で発生される信号はそれぞれ、SCSMの
状態図第２図と関連して上で説明されたＢビットおよび
Ｄビット信号であり、LLWN信号であるとしてSCSMPLA102
に与えられる。クロックされたラッチ資格（LQUAL）回
路122はラッチ104の組にクロックを供給する。
NANDゲート106、108および110により発生され信号は
３入力NANDゲート124の入力端子に与えられ、それらは
順にそこから、NANDゲート126の第１の入力端子に与え
られる信号を発生する。ゲート126は第２の入力端子でP
30信号（各ビット時間が細分された32相のうちの13番目
の位相を表わす）を受信しかつその出力端子でサンプリ
ングクロック信号（LUTHR1）を発生する。
３入力NANDゲート124の入力端子に与えられ、それらは
順にそこから、NANDゲート126の第１の入力端子に与え
られる信号を発生する。ゲート126は第２の入力端子でP
30信号（各ビット時間が細分された32相のうちの13番目
の位相を表わす）を受信しかつその出力端子でサンプリ
ングクロック信号（LUTHR1）を発生する。
本件の発明に従ったしきい値サンプリング装置は好ま
しくは、その一部が第４図に示されている、「ラインイ
ンターフェイス」アナログ適応しきい値回路と関連して
使用される。伝送ラインからのフィルタにかけられた信
号は端子200をわたって与えられ、その一方の端子は接
地され、他方の端子はMOS伝送ゲート202の入力端子に接
続されて、高速スイッチ（S1）として作動する。スイッ
チ202は192kbsサンプリングクロック（SMCL1）信号のP2
8（位相28）を受取る。スイッチ202の出力端子はサンプ
リングコンデンサ（C1）204の第１の端子に接続され、
その第２の端子は接地される。スイッチ202の出力端子
にまた接続されるのが第２のMOS伝送ゲート206の入力端
子であり、高速スイッチ（S2）として作動する。スイッ
チ206はATSC100（第３図）により発生されるLUTHR1サン
プリングクロックを受取る。
しくは、その一部が第４図に示されている、「ラインイ
ンターフェイス」アナログ適応しきい値回路と関連して
使用される。伝送ラインからのフィルタにかけられた信
号は端子200をわたって与えられ、その一方の端子は接
地され、他方の端子はMOS伝送ゲート202の入力端子に接
続されて、高速スイッチ（S1）として作動する。スイッ
チ202は192kbsサンプリングクロック（SMCL1）信号のP2
8（位相28）を受取る。スイッチ202の出力端子はサンプ
リングコンデンサ（C1）204の第１の端子に接続され、
その第２の端子は接地される。スイッチ202の出力端子
にまた接続されるのが第２のMOS伝送ゲート206の入力端
子であり、高速スイッチ（S2）として作動する。スイッ
チ206はATSC100（第３図）により発生されるLUTHR1サン
プリングクロックを受取る。
スイッチ206の出力端子は記憶コンデンサ（C2）208の
第１の端子に接続され、それの第２の端子は接地され
る。スイッチ206の出力端子にまた接続されるのが
「１」利得演算増幅器210であり、それはバッファとし
て作動する。増幅器210の出力端子は非反転演算増幅器2
12および反転演算増幅器214に接続され、それらは0.55
の利得を有する。増幅器212および214は比較器（示され
ていない）に与えられるしきい値電圧を発生し、これら
しきい値電圧は当業者により認められるであろうよう
に、ハイマーク、ローマークおよび間隔を検出するため
に使用される。
第１の端子に接続され、それの第２の端子は接地され
る。スイッチ206の出力端子にまた接続されるのが
「１」利得演算増幅器210であり、それはバッファとし
て作動する。増幅器210の出力端子は非反転演算増幅器2
12および反転演算増幅器214に接続され、それらは0.55
の利得を有する。増幅器212および214は比較器（示され
ていない）に与えられるしきい値電圧を発生し、これら
しきい値電圧は当業者により認められるであろうよう
に、ハイマーク、ローマークおよび間隔を検出するため
に使用される。
第４図が参照すると、素子202、204、206および208が
スイッチされるコンデンサフィルタを形成している。サ
ンプル時間tnでの端子200にかかる電圧をVLINEと表わす
と、サンプル時間tnでのサンプリングコンデンサ（C2）
にかかる電圧V2は次の方程式により与えられる。
スイッチされるコンデンサフィルタを形成している。サ
ンプル時間tnでの端子200にかかる電圧をVLINEと表わす
と、サンプル時間tnでのサンプリングコンデンサ（C2）
にかかる電圧V2は次の方程式により与えられる。
ライン上のピーク値を表わすのに値V2（tn）が採用さ
れる。好ましい実施例において、C2＝20＊C1であり、値
V2（tn）はラインでサンプリングされるピーク電圧値に
漸近的に近づく。したがって、増幅器212および214はそ
れぞれ正および負のしきい値電圧を発生し、それらはこ
れらの値の55％を表わす。
れる。好ましい実施例において、C2＝20＊C1であり、値
V2（tn）はラインでサンプリングされるピーク電圧値に
漸近的に近づく。したがって、増幅器212および214はそ
れぞれ正および負のしきい値電圧を発生し、それらはこ
れらの値の55％を表わす。
SCSMの動作、したがってこの発明の適応しきい値サン
プル制御（ATSC）100の動作は第５図および第６図を参
照することにより最もよく理解される。第５図はATSCに
より使用される４個のタイミング信号を識別する。フレ
ームのＦビットおよび第１のＬビットの間は第１のＬビ
ットウィンドウ（FLWN）タイミング信号が活性状態（30
0）である。第１のＢビットスロットの間はＢビットウ
ィンドウ（BWN）タイミング信号は活性状態（302）であ
り、フレームのいずれかのB1またはB2部分の後に続くＬ
ビットスロットの後では非活性状態（304）である。い
ずれかのＤビットスロットおよびＤビットスロットの後
に続くＬビットスロットの間、Ｄビットウィンドウ（DW
N）タイミング信号は活性状態（306）である。フレーム
の最後のＬビットスロットの間、最後のＬビットウィン
ドウ（LLWN）タイミング信号は活性状態（308）であ
る。
プル制御（ATSC）100の動作は第５図および第６図を参
照することにより最もよく理解される。第５図はATSCに
より使用される４個のタイミング信号を識別する。フレ
ームのＦビットおよび第１のＬビットの間は第１のＬビ
ットウィンドウ（FLWN）タイミング信号が活性状態（30
0）である。第１のＢビットスロットの間はＢビットウ
ィンドウ（BWN）タイミング信号は活性状態（302）であ
り、フレームのいずれかのB1またはB2部分の後に続くＬ
ビットスロットの後では非活性状態（304）である。い
ずれかのＤビットスロットおよびＤビットスロットの後
に続くＬビットスロットの間、Ｄビットウィンドウ（DW
N）タイミング信号は活性状態（306）である。フレーム
の最後のＬビットスロットの間、最後のＬビットウィン
ドウ（LLWN）タイミング信号は活性状態（308）であ
る。
第６図を参照すると、この発明のATSC100の動作を示
すタイミング図が呈示されている。第６図の上部部分に
は、32相ビット内時間のP24およびP28信号、および第５
図に関連して説明されるFLWN、BWN、DWNおよびLLWNとと
もにラインデータが示されている。ATSCで採用される概
念を伝える３個の事例がここに説明される。事例１にお
いて先のフレーム全体ではどのマークもサンプリングさ
れず、さらにLLWN（ラストＬビットウィンドウ）の間ど
のマークもサンプリングされないのでENF（イネーブル
Ｆビットサンプリング）信号は活性化される（310）。
これでこれまでLUTHR1と示されたサンプルクロック２
（SMCL2）が１期間活性化される（312）ことになり、そ
のためSMCL1（P28）でＦビットでハイのマークで採用さ
れたサンプルは、アナログ適応しきい値回路の記憶コン
デンサ（208）（第４図）に伝送される。
すタイミング図が呈示されている。第６図の上部部分に
は、32相ビット内時間のP24およびP28信号、および第５
図に関連して説明されるFLWN、BWN、DWNおよびLLWNとと
もにラインデータが示されている。ATSCで採用される概
念を伝える３個の事例がここに説明される。事例１にお
いて先のフレーム全体ではどのマークもサンプリングさ
れず、さらにLLWN（ラストＬビットウィンドウ）の間ど
のマークもサンプリングされないのでENF（イネーブル
Ｆビットサンプリング）信号は活性化される（310）。
これでこれまでLUTHR1と示されたサンプルクロック２
（SMCL2）が１期間活性化される（312）ことになり、そ
のためSMCL1（P28）でＦビットでハイのマークで採用さ
れたサンプルは、アナログ適応しきい値回路の記憶コン
デンサ（208）（第４図）に伝送される。
事例２においてＢチャネルの最後のビット（Ｌビッ
ト）はハイのマークであり、ENB（イネーブルＢビット
サンプリング）信号は活性化される（314）。次のフレ
ームの初めの次のハイのＢマークでサンプルがとられて
記憶コンデンサ（208）に伝送されると、ENB信号は非活
性化され（316）、そのためそのフレームでは更新をす
るためにそれ以上のマークは使用されない。（フレーム
の最初のＢビットは常にはハイではないが、これはタイ
ミング図を簡略にするためにここで仮定されてきた。） 事例３において受信された信号の極性は逆にされると
仮定され、そのため最後に受信されたＤビットはハイの
マークになると仮定され、さらにＦビットに続くＬビッ
トもまたハイのマークになると仮定される。ここでは最
後のＤビットが到来するとEND（イネーブルＤビットサ
ンプリング）信号は活性状態であり、それゆえSMCL2信
号は活性化され（318）、そうするとEND信号は非活性化
される（320）。ここではどのＢビットも先のフレーム
では活性状態でなかったこと、それゆえEND信号は次の
フレームでも活性化されることが推測される。
ト）はハイのマークであり、ENB（イネーブルＢビット
サンプリング）信号は活性化される（314）。次のフレ
ームの初めの次のハイのＢマークでサンプルがとられて
記憶コンデンサ（208）に伝送されると、ENB信号は非活
性化され（316）、そのためそのフレームでは更新をす
るためにそれ以上のマークは使用されない。（フレーム
の最初のＢビットは常にはハイではないが、これはタイ
ミング図を簡略にするためにここで仮定されてきた。） 事例３において受信された信号の極性は逆にされると
仮定され、そのため最後に受信されたＤビットはハイの
マークになると仮定され、さらにＦビットに続くＬビッ
トもまたハイのマークになると仮定される。ここでは最
後のＤビットが到来するとEND（イネーブルＤビットサ
ンプリング）信号は活性状態であり、それゆえSMCL2信
号は活性化され（318）、そうするとEND信号は非活性化
される（320）。ここではどのＢビットも先のフレーム
では活性状態でなかったこと、それゆえEND信号は次の
フレームでも活性化されることが推測される。
これら３個の具体例は、余すところがないわけではな
いが、ATSC100の動作の一般的な考え方を説明してい
る。先のフレームでＢビットがハイであったならば、現
在のフレームのハイのＢビットでの第１のサンプルは適
応しきい値を更新するために使用される。先のフレーム
でＤビットはハイでそのＢビットもハイでなかったなら
ば、現在のフレームのハイのＤビットの第１のサンプル
が使用される。
いが、ATSC100の動作の一般的な考え方を説明してい
る。先のフレームでＢビットがハイであったならば、現
在のフレームのハイのＢビットでの第１のサンプルは適
応しきい値を更新するために使用される。先のフレーム
でＤビットはハイでそのＢビットもハイでなかったなら
ば、現在のフレームのハイのＤビットの第１のサンプル
が使用される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エリクソン，アンデルス スウェーデン王国、124 33 バンハーゲ ン スケボクヴァルンスヴァーゲン、43 (56)参考文献 特開 昭60−229543（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】Ｂマーク、ＤマークおよびＦマークを含む
フレームのマークをサンプリングして、前記フレームの
ハイのマークのピーク振幅の適応的連続調整を与えるた
めの方法であって、 （ａ）前記フレームにＢビットマークが存在するなら
ば、フレーム内の１個のＢビットマークをサンプリング
するステップと、 （ｂ）前記フレームにＢビットマークが存在しないがＤ
ビットマークが存在するならば、フレーム内の１個のＤ
ビットマークをサンプリングするステップと、 （ｃ）前記フレームにＢビットマークまたはＤビットマ
ークが存在しないならば、フレーム内の１個のＦビット
マークをサンプリングするステップとを含む、適応的し
きい値連続調整方法。 - 【請求項２】前記フレームは、Ｌマークをさらに含み、
かつ前記ステップ（ｂ）でサンプリングされたＤビット
マークはローのＤビットマークの後のハイのＬビットで
ある、請求の範囲第１項記載の適応的しきい値サンプリ
ング方法。 - 【請求項３】前記ピーク振幅の調整は、前記ステップ
（ａ）、（ｂ）または（ｃ）でとられたサンプル値のお
よそ55％である、請求の範囲第１項記載の適応的しきい
値サンプリング方法。 - 【請求項４】Ｂマーク、Ｄマーク、ＦマークおよびＬマ
ークを含むフレーム内のマークをサンプリングし、前記
フレームのハイのマークのピーク振幅の適応的連続調整
を与える方法であって、 （ｄ）Ｄビット、ＦビットおよびＢビットのサンプリン
グを可能化して前記フレームのビットをサンプリング
し、前記ビットがＢビットならばステップ（ｆ）に進む
ステップと、 （ｅ）前記サンプリングされたビットがＤビットなら
ば、前記フレームの次のビットをサンプリングし、前記
次のビットがＬビット、およびＢビットならば、それぞ
れステップ（ｉ）およびステップ（ｆ）へ進むステップ
と、 （ｆ）前記フレームの次のビットをサンプリングし、該
次のビットがＬビットならば、ステップ（ｇ）に進むス
テップと、 （ｇ）Ｂビットサンプリングを可能化して前記フレーム
の次のビットをサンプリングし、該次のビットがＢビッ
トまたはＬビットでありかつＤがローのビットならばス
テップ（ｆ）に進むステップと、 （ｈ）Ｂビットサンプリングを可能化して、次のビット
がＤビットならば、前記フレームの次のビットをサンプ
リングし、前記次のビットがＬビットでありかつＤがロ
ーのビット、前記次のビットがＢビット、および前記次
のビットがＬビットならばそれぞれステップ（ｄ）、ス
テップ（ｆ）、およびステップ（ｈ）に進むステップ
と、 （ｉ）ＤビットおよびＢビットのサンプリングを可能化
して、前記フレームの次のビットをサンプリングし、該
次のビットがＬビットでありかつＤがハイのビット、該
次のビットがＬでありさらにＤがローのビット、該次の
ビットがＢビット、該次のビットがＤビットであるなら
ば、それぞれステップ（ｈ）、ステップ（ｄ）、ステッ
プ（ｆ）、およびステップ（ｅ）に進むステップとを含
む、適応的しきい値サンプリング方法。 - 【請求項５】ピーク振幅の前記調整が、前記ステップ
（ｄ）ないし（ｉ）でとられるサンプル値のおよそ55％
である、請求の範囲第４項の適応的しきい値サンプリン
グ方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/904,540 US4879727A (en) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | Adaptive threshold sampling controller |
| US904,540 | 1986-09-05 | ||
| PCT/US1987/002249 WO1988001809A1 (en) | 1986-09-05 | 1987-09-04 | Adaptive threshold sampling controller |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01500870A JPH01500870A (ja) | 1989-03-23 |
| JPH0821955B2 true JPH0821955B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=25419330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62505513A Expired - Lifetime JPH0821955B2 (ja) | 1986-09-05 | 1987-09-04 | 適応性のあるしきい値サンプリング制御器 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4879727A (ja) |
| EP (1) | EP0289526B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0821955B2 (ja) |
| AT (1) | ATE83593T1 (ja) |
| DE (1) | DE3783131T2 (ja) |
| WO (1) | WO1988001809A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0828750B2 (ja) * | 1989-11-10 | 1996-03-21 | 富士通株式会社 | レシーバ回路における自動閾値制御方式 |
| US6002059A (en) * | 1998-10-28 | 1999-12-14 | Mobil Oil Corporation | Process for upgrading natural gas |
| US6466626B1 (en) | 1999-02-23 | 2002-10-15 | International Business Machines Corporation | Driver with in-situ variable compensation for cable attenuation |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3953674A (en) * | 1975-04-04 | 1976-04-27 | Nasa | Telemetry Synchronizer |
| US4124778A (en) * | 1977-11-02 | 1978-11-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Digital frame synchronizing circuit |
| GB2113051A (en) * | 1981-12-04 | 1983-07-27 | Philips Electronic Associated | Data pulse waveform shaper |
| US4509180A (en) * | 1982-03-15 | 1985-04-02 | Lgz Landis & Gyr Zug Ag | Method and an apparatus for correcting distortion of binary received signals |
| EP0112426B1 (fr) * | 1982-12-28 | 1987-03-11 | International Business Machines Corporation | Système de synchronisation pour réseau de communication multiplex en boucle fermée |
| JPS60229543A (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光受信器 |
| US4719624A (en) * | 1986-05-16 | 1988-01-12 | Bell Communications Research, Inc. | Multilevel multiplexing |
-
1986
- 1986-09-05 US US06/904,540 patent/US4879727A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-09-04 EP EP87906009A patent/EP0289526B1/en not_active Expired
- 1987-09-04 AT AT87906009T patent/ATE83593T1/de active
- 1987-09-04 WO PCT/US1987/002249 patent/WO1988001809A1/en not_active Ceased
- 1987-09-04 DE DE8787906009T patent/DE3783131T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-04 JP JP62505513A patent/JPH0821955B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0289526B1 (en) | 1992-12-16 |
| DE3783131T2 (de) | 1993-06-03 |
| EP0289526A1 (en) | 1988-11-09 |
| ATE83593T1 (de) | 1993-01-15 |
| US4879727A (en) | 1989-11-07 |
| WO1988001809A1 (en) | 1988-03-10 |
| JPH01500870A (ja) | 1989-03-23 |
| EP0289526A4 (en) | 1989-10-17 |
| DE3783131D1 (de) | 1993-01-28 |
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