JPH0822647A - 光磁気ヘッド - Google Patents
光磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH0822647A JPH0822647A JP15225694A JP15225694A JPH0822647A JP H0822647 A JPH0822647 A JP H0822647A JP 15225694 A JP15225694 A JP 15225694A JP 15225694 A JP15225694 A JP 15225694A JP H0822647 A JPH0822647 A JP H0822647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- optical
- wollaston prism
- optical head
- beams
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 38
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 claims description 8
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光磁気ヘッドの信頼性を低下させることな
く、小型かつ安価な光磁気ヘッドを提供することにあ
る。 【構成】 ウォラストンプリズム10を形成する一軸性結
晶体の常光線屈折率ｎ0、異常光線屈折率ｎeとの差Δ
ｎ、およびウォラストンプリズム10から出射された偏光
状態に応じて強度変化する第１，第２のビームの分離角
度θが、ウォラストンプリズム10に入射する光磁気ディ
スクからの反射光の波長において、 Δｎ＝｜ｎ0−ｎe｜≧0.07 θ≧1.6° である。
く、小型かつ安価な光磁気ヘッドを提供することにあ
る。 【構成】 ウォラストンプリズム10を形成する一軸性結
晶体の常光線屈折率ｎ0、異常光線屈折率ｎeとの差Δ
ｎ、およびウォラストンプリズム10から出射された偏光
状態に応じて強度変化する第１，第２のビームの分離角
度θが、ウォラストンプリズム10に入射する光磁気ディ
スクからの反射光の波長において、 Δｎ＝｜ｎ0−ｎe｜≧0.07 θ≧1.6° である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学的に情報を記録再
生するための光ヘッドに関し、特に磁気光学的に記録さ
れた情報を検出する光磁気記録再生用ヘッドの実効長の
短縮に関する。
生するための光ヘッドに関し、特に磁気光学的に記録さ
れた情報を検出する光磁気記録再生用ヘッドの実効長の
短縮に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４及び図５は従来の光磁気ヘッドの光
学系概要構成を示す側面図であり、図６は一般的な光磁
気ヘッドに採用する光検出器を示す平面図であり、図７
は光磁気ヘッドで使用するウォラストンプリズム構成図
である。
学系概要構成を示す側面図であり、図６は一般的な光磁
気ヘッドに採用する光検出器を示す平面図であり、図７
は光磁気ヘッドで使用するウォラストンプリズム構成図
である。
【０００３】光磁気ディスクの記録再生は、周知のよう
に入射光の偏光状態の変化を検出して行われるが、この
ため光磁気ヘッドとして、一軸性結晶体からなる３ビー
ム分離のウォラストンプリズムを用いた光磁気ヘッドと
して、図４（特開昭63-187441号公報参照）又は図５
（特願平4-329599号）に示すような光磁気ヘッドが一般
的である。
に入射光の偏光状態の変化を検出して行われるが、この
ため光磁気ヘッドとして、一軸性結晶体からなる３ビー
ム分離のウォラストンプリズムを用いた光磁気ヘッドと
して、図４（特開昭63-187441号公報参照）又は図５
（特願平4-329599号）に示すような光磁気ヘッドが一般
的である。
【０００４】図４に示す光磁気ヘッドにおいては、半導
体レーザ１から発せられた発散光は、コリメータレンズ
２で平行光にされて偏光ビームスプリッタ３を通過した
後、対物レンズ４で光磁気ディスクＤの記録面上に集光
される。光磁気ディスクＤの記録情報に従って偏光状態
の変化を受けた反射光は、対物レンズ４を通過して偏光
ビームスプリッタ３で前述の入射光路から分岐され、集
光レンズ５、シリンドリカルレンズ６を通った後、３ビ
ーム分離のウォラストンプリズム７で偏光状態に応じ互
いに逆位相の変化をする両側に触れる第１、第２のビー
ムＢ１，Ｂ２と、偏光状態による強度変化の無い中心を
通る第３のビームＢ３とに分離されて、それぞれのビー
ムＢ１〜Ｂ３を受光する光検出素子81，82，83を備えた
光検出器８（図６参照）に入射される。図６に示す光検
出素子83の出力からフォーカシングエラー信号やトラッ
キングエラー信号を検出する。
体レーザ１から発せられた発散光は、コリメータレンズ
２で平行光にされて偏光ビームスプリッタ３を通過した
後、対物レンズ４で光磁気ディスクＤの記録面上に集光
される。光磁気ディスクＤの記録情報に従って偏光状態
の変化を受けた反射光は、対物レンズ４を通過して偏光
ビームスプリッタ３で前述の入射光路から分岐され、集
光レンズ５、シリンドリカルレンズ６を通った後、３ビ
ーム分離のウォラストンプリズム７で偏光状態に応じ互
いに逆位相の変化をする両側に触れる第１、第２のビー
ムＢ１，Ｂ２と、偏光状態による強度変化の無い中心を
通る第３のビームＢ３とに分離されて、それぞれのビー
ムＢ１〜Ｂ３を受光する光検出素子81，82，83を備えた
光検出器８（図６参照）に入射される。図６に示す光検
出素子83の出力からフォーカシングエラー信号やトラッ
キングエラー信号を検出する。
【０００５】図５に示す光磁気ヘッドは３ビーム分離の
ウォラストンプリズム７を偏光ビームスプリッタ３と集
光レンズ５の間に配した例で、図４に示した光磁気ヘッ
ドに比して光検出器８上での光束Ｂ１およびＢ２とＢ３
のスポット間隔が大きく取ることができるというメリッ
トがある。
ウォラストンプリズム７を偏光ビームスプリッタ３と集
光レンズ５の間に配した例で、図４に示した光磁気ヘッ
ドに比して光検出器８上での光束Ｂ１およびＢ２とＢ３
のスポット間隔が大きく取ることができるというメリッ
トがある。
【０００６】これら従来の光磁気ヘッドは、フォーカシ
ングエラー信号検出が集光レンズ５とシリンドリカルレ
ンズ６による非点収差法で行われ、トラッキングエラー
信号検出がプッシュプル法で行われるものである。
ングエラー信号検出が集光レンズ５とシリンドリカルレ
ンズ６による非点収差法で行われ、トラッキングエラー
信号検出がプッシュプル法で行われるものである。
【０００７】またこれらの光磁気ヘッドに使用する３ビ
ーム分離のウォラストンプリズム７は、偏光ビームスプ
リッタ３をはじめ他の光学部品においても広く用いられ
ているため入手しやすいという理由から、図７のような
他の２角を45°とする直角プリズムを接合したものを用
いている。当該プリズムは一般に水晶の結晶体を用い、
波長780nmで分離角θは約１°程度である。
ーム分離のウォラストンプリズム７は、偏光ビームスプ
リッタ３をはじめ他の光学部品においても広く用いられ
ているため入手しやすいという理由から、図７のような
他の２角を45°とする直角プリズムを接合したものを用
いている。当該プリズムは一般に水晶の結晶体を用い、
波長780nmで分離角θは約１°程度である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】スポット間隔ｄを大き
く取りやすい図５で示した従来例の場合、Ｂ１，Ｂ２，
Ｂ３のスポット径Ｐを決定すれば、スポット間隔ｄ（図
６を参照）は、集光レンズ５の焦点距離でほぼ決定さ
れ、焦点距離が大きいほどスポット間隔ｄを大きくでき
る。
く取りやすい図５で示した従来例の場合、Ｂ１，Ｂ２，
Ｂ３のスポット径Ｐを決定すれば、スポット間隔ｄ（図
６を参照）は、集光レンズ５の焦点距離でほぼ決定さ
れ、焦点距離が大きいほどスポット間隔ｄを大きくでき
る。
【０００９】光磁気ヘッドにおいては、光検出器８上の
スポット径Ｐは光検出器位置調整精度の点から大きいほ
うが有利であり、さらに３つのスポットの各々が完全に
分離されるだけの間隔ｄ（ｄ≧２・Ｐ）が必要であるた
め、集光レンズ５の焦点距離が大きくなりがちである。
すなわち偏光ビームスプリッタ３を通過する出射ＬＤ光
束の中心から光検出器８までの実効長Ｌが大きくなりが
ちである。
スポット径Ｐは光検出器位置調整精度の点から大きいほ
うが有利であり、さらに３つのスポットの各々が完全に
分離されるだけの間隔ｄ（ｄ≧２・Ｐ）が必要であるた
め、集光レンズ５の焦点距離が大きくなりがちである。
すなわち偏光ビームスプリッタ３を通過する出射ＬＤ光
束の中心から光検出器８までの実効長Ｌが大きくなりが
ちである。
【００１０】図８は光学系の実効長を短縮した光磁気ヘ
ッドの光学系構成の概要を示す側面図である。
ッドの光学系構成の概要を示す側面図である。
【００１１】シリンドリカルレンズ６と光検出器８との
間に凹レンズ９を加えて、光学系の合成焦点距離を変え
ずに光学系から焦点位置までの実効長を短縮している
（特公平5-7769号公報参照）。
間に凹レンズ９を加えて、光学系の合成焦点距離を変え
ずに光学系から焦点位置までの実効長を短縮している
（特公平5-7769号公報参照）。
【００１２】しかしながら、図８の例では、部品点数が
多くなるため光磁気ヘッドが高価なものになり、さらに
レンズ位置の経時変化（光軸方向、偏芯方向）に対する
許容範囲が狭くなり、光磁気ヘッドの信頼性という点で
不利である。
多くなるため光磁気ヘッドが高価なものになり、さらに
レンズ位置の経時変化（光軸方向、偏芯方向）に対する
許容範囲が狭くなり、光磁気ヘッドの信頼性という点で
不利である。
【００１３】本発明の目的は、上記問題点に鑑み、３ビ
ーム分離のウォラストンプリズムを用いた光磁気ヘッド
の欠点を除去し、小型かつ安価な光磁気ヘッドを提供す
ることを目的とする。
ーム分離のウォラストンプリズムを用いた光磁気ヘッド
の欠点を除去し、小型かつ安価な光磁気ヘッドを提供す
ることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する手段
として、光磁気ディスク上に収束レーザ光を照射し、当
該光磁気ディスクからの反射光をその偏光状態に応じて
強度変化する第１、第２のビームと偏光による強度変化
のない第３のビームを分離するウォラストンプリズム
と、前記３つのビームを収束させる光学素子と、当該光
学素子からの収束光に非点収差を生じさせる非点収差素
子と、当該非点収差素子からの光束を受光する光検出器
とにより磁気光学的に記録された情報を検出する光磁気
ヘッドであって、前記ウォラストンプリズムを形成する
一軸性結晶体の常光線屈折率ｎ0、異常光線屈折率ｎeと
の差Δｎ、および前記ウォラストンプリズムから出射さ
れた偏光状態に応じて強度変化する第１，第２のビーム
の分離角度θが、前記ウォラストンプリズムに入射する
前記光磁気ディスクからの反射光の波長において、 Δｎ＝｜ｎ0−ｎe｜≧0.07 θ≧1.6° であることを特徴とすることにより、光学系の実効長Ｌ
を余分な光学素子を用いることなく短くでき、光磁気ヘ
ッドの低コスト化、小型化が達成できる。
として、光磁気ディスク上に収束レーザ光を照射し、当
該光磁気ディスクからの反射光をその偏光状態に応じて
強度変化する第１、第２のビームと偏光による強度変化
のない第３のビームを分離するウォラストンプリズム
と、前記３つのビームを収束させる光学素子と、当該光
学素子からの収束光に非点収差を生じさせる非点収差素
子と、当該非点収差素子からの光束を受光する光検出器
とにより磁気光学的に記録された情報を検出する光磁気
ヘッドであって、前記ウォラストンプリズムを形成する
一軸性結晶体の常光線屈折率ｎ0、異常光線屈折率ｎeと
の差Δｎ、および前記ウォラストンプリズムから出射さ
れた偏光状態に応じて強度変化する第１，第２のビーム
の分離角度θが、前記ウォラストンプリズムに入射する
前記光磁気ディスクからの反射光の波長において、 Δｎ＝｜ｎ0−ｎe｜≧0.07 θ≧1.6° であることを特徴とすることにより、光学系の実効長Ｌ
を余分な光学素子を用いることなく短くでき、光磁気ヘ
ッドの低コスト化、小型化が達成できる。
【００１５】
【実施例】図３は本発明の光磁気ヘッドを採用した3.5
インチ光磁気ディスク装置の概略構成を示す平面図であ
る。
インチ光磁気ディスク装置の概略構成を示す平面図であ
る。
【００１６】光磁気ヘッドは、半導体レーザ１から発せ
られた発散光をコリメータレンズ２で平行光束にし、当
該光束を偏光ビームスプリッタ３を通過した後、対物レ
ンズ４で光磁気ディスクＤの記録面上に集光する。一
方、光磁気ディスクＤの記録情報に従って偏光状態の変
化を受けた反射光は、従来例と同様偏光ビームスプリッ
タ３で入射光路から分岐され、以下の《条件１》を満足
する一軸性結晶体からなる３ビーム分離のウォラストン
プリズム10で偏光状態に応じ互いに逆位相の変化をする
両側に振れる第１，第２のビームＢ１，Ｂ２と、偏光状
態による強度変化の無い中心を通る第３のビームB3とに
分離されて、集光レンズ５、シリンドリカルレンズ６を
通過し、光検出素子81，82，83を備えた光検出器８に入
射する。これにより光検出素子81，82，83からフォーカ
シングエラー信号及びトラッキングエラー信号を検出す
る。
られた発散光をコリメータレンズ２で平行光束にし、当
該光束を偏光ビームスプリッタ３を通過した後、対物レ
ンズ４で光磁気ディスクＤの記録面上に集光する。一
方、光磁気ディスクＤの記録情報に従って偏光状態の変
化を受けた反射光は、従来例と同様偏光ビームスプリッ
タ３で入射光路から分岐され、以下の《条件１》を満足
する一軸性結晶体からなる３ビーム分離のウォラストン
プリズム10で偏光状態に応じ互いに逆位相の変化をする
両側に振れる第１，第２のビームＢ１，Ｂ２と、偏光状
態による強度変化の無い中心を通る第３のビームB3とに
分離されて、集光レンズ５、シリンドリカルレンズ６を
通過し、光検出素子81，82，83を備えた光検出器８に入
射する。これにより光検出素子81，82，83からフォーカ
シングエラー信号及びトラッキングエラー信号を検出す
る。
【００１７】以下に本実施例の光磁気ヘッドの構成する
の特徴的部材について図１及び図２を参照して説明す
る。
の特徴的部材について図１及び図２を参照して説明す
る。
【００１８】図１は本発明の光磁気ヘッドの一実施例を
示す光学系概要構成を示す側面図であり、図２は本実施
例のウォラストンプリズムの構成図である。
示す光学系概要構成を示す側面図であり、図２は本実施
例のウォラストンプリズムの構成図である。
【００１９】図２において、《条件１》常光線屈折率ｎ
0、異常光線屈折率ｎeの差Δｎが Δｎ＝｜ｎ0−ｎe｜≧0.07 ウォラストンプリズムから出射された偏光状態に応じて
強度変化する第１，第２のビームの分離角度θが θ≧1.6° である。
0、異常光線屈折率ｎeの差Δｎが Δｎ＝｜ｎ0−ｎe｜≧0.07 ウォラストンプリズムから出射された偏光状態に応じて
強度変化する第１，第２のビームの分離角度θが θ≧1.6° である。
【００２０】本実施例では《条件１》を満足する一軸性
結晶体として、長波長領域で光損傷がおきにくく結晶作
成が容易なニオブ酸リチウムの結晶体を用いた。
結晶体として、長波長領域で光損傷がおきにくく結晶作
成が容易なニオブ酸リチウムの結晶体を用いた。
【００２１】ここで半導体レーザ１の波長を780nmと
し、ウォラストンプリズム10は、分離角θ≧1.6°を得
るためにニオブ酸リチウムの結晶体を図２のように楔角
10°で結合したものを用いた。ただし結晶体の光学軸は
ウォラストンプリズム入射光に直行する面内にある。こ
の場合図２の分離角θ、楔角α、結晶体の常光線屈折率
ｎ0、異常光線屈折率ｎeとの間には近似的に θ［rad］＝２・Δｎ・tanα＝２・｜ｎ0−ｎe｜・tan
α が成り立つ。ニオブ酸リチウムの結晶体は波長780nmの
ときには、 ｎ0＝2.178 ｎe＝2.258 であるから θ＝0.0282rad＝1.62° となる。
し、ウォラストンプリズム10は、分離角θ≧1.6°を得
るためにニオブ酸リチウムの結晶体を図２のように楔角
10°で結合したものを用いた。ただし結晶体の光学軸は
ウォラストンプリズム入射光に直行する面内にある。こ
の場合図２の分離角θ、楔角α、結晶体の常光線屈折率
ｎ0、異常光線屈折率ｎeとの間には近似的に θ［rad］＝２・Δｎ・tanα＝２・｜ｎ0−ｎe｜・tan
α が成り立つ。ニオブ酸リチウムの結晶体は波長780nmの
ときには、 ｎ0＝2.178 ｎe＝2.258 であるから θ＝0.0282rad＝1.62° となる。
【００２２】図１において、曲率半径Ｒ１〜Ｒ６、軸上
面間隔Ｄ１〜Ｄ９、波長780nmにおける屈折率ｎ１〜ｎ
３は以下の通りである。
面間隔Ｄ１〜Ｄ９、波長780nmにおける屈折率ｎ１〜ｎ
３は以下の通りである。
【００２３】Ｒ１＝17.01、Ｒ２＝∞、Ｒ３＝33［CY
L］、Ｒ４＝∞、Ｒ５＝∞、Ｒ６＝∞であり、Ｄ１＝2.5
［mm］、Ｄ２＝3.7［mm］、Ｄ３＝1.2［mm］、Ｄ４＝1.
4［mm］、Ｄ５＝1.2［mm］、Ｄ６＝14.8［mm］、Ｄ７＝
1.0［mm］、Ｄ８＝14.4［mm］、Ｄ９＝0.7［mm］であ
り、ｎ１＝1.5107、ｎ２＝1.5107、ｎ３＝1.5107であ
る。
L］、Ｒ４＝∞、Ｒ５＝∞、Ｒ６＝∞であり、Ｄ１＝2.5
［mm］、Ｄ２＝3.7［mm］、Ｄ３＝1.2［mm］、Ｄ４＝1.
4［mm］、Ｄ５＝1.2［mm］、Ｄ６＝14.8［mm］、Ｄ７＝
1.0［mm］、Ｄ８＝14.4［mm］、Ｄ９＝0.7［mm］であ
り、ｎ１＝1.5107、ｎ２＝1.5107、ｎ３＝1.5107であ
る。
【００２４】本実施例では光検出器８上のスポット径は
Ｐ≒200μm、第１及び第２ビームと第３ビームとのスポ
ット間隔はｄ≒410μmとした。一般にプッシュプル法に
よるトラッキングエラー検出の場合、光検出器８上での
スポットの理想位置からのずれはスポット径Ｐの1/50以
下に抑える必要がある（参考：光ピックアップ実装技術
の課題、電気情報通信学会技術報告ＥＭＣ91−36，ＣＰ
Ｍ91−53，ＯＱＥ91−72）。光検出器８上で理想位置か
らスポット位置がずれる要因としては、光検出器の位置
調整誤差、調整後の経時的な位置ずれがあるが、位置調
整誤差として２μm、調整後の経時的な位置ずれとして
２μmの余裕が必要と考えればスポット径は200μm以上
が望ましい。スポット間隔ｄはあまり接近し過ぎると、
光検出器８上で完全に分離できず、ｄ≧２・Ｐ（参考：
特公平5-7769号公報）が望ましい。これはスポット間隔
ｄを小さくすると、光磁気ヘッドの対物レンズ４とディ
スクＤの焦点ズレが大きい場合、光検出器８上のＢ１，
Ｂ２の非点収差スポットが光検出素子83に回り込み、フ
ォーカスエラー信号のＳ字カーブの形状に歪みが生じ、
フォーカス引き込みの安定性を損なうからである。
Ｐ≒200μm、第１及び第２ビームと第３ビームとのスポ
ット間隔はｄ≒410μmとした。一般にプッシュプル法に
よるトラッキングエラー検出の場合、光検出器８上での
スポットの理想位置からのずれはスポット径Ｐの1/50以
下に抑える必要がある（参考：光ピックアップ実装技術
の課題、電気情報通信学会技術報告ＥＭＣ91−36，ＣＰ
Ｍ91−53，ＯＱＥ91−72）。光検出器８上で理想位置か
らスポット位置がずれる要因としては、光検出器の位置
調整誤差、調整後の経時的な位置ずれがあるが、位置調
整誤差として２μm、調整後の経時的な位置ずれとして
２μmの余裕が必要と考えればスポット径は200μm以上
が望ましい。スポット間隔ｄはあまり接近し過ぎると、
光検出器８上で完全に分離できず、ｄ≧２・Ｐ（参考：
特公平5-7769号公報）が望ましい。これはスポット間隔
ｄを小さくすると、光磁気ヘッドの対物レンズ４とディ
スクＤの焦点ズレが大きい場合、光検出器８上のＢ１，
Ｂ２の非点収差スポットが光検出素子83に回り込み、フ
ォーカスエラー信号のＳ字カーブの形状に歪みが生じ、
フォーカス引き込みの安定性を損なうからである。
【００２５】本実施例のウォラストンプリズム10は、光
軸方向の厚み１mm程度で製造可能であり、出射ＬＤ光束
の中心から光検出素子９までの実効長はＬ＝40.9mmとな
る。つまり実効長Ｌが3.5インチ光ディスク（ＩＳＯ規
格品）の半径43mmより小さくなるため、光磁気ディスク
装置全体の小型化が可能である（図３）。
軸方向の厚み１mm程度で製造可能であり、出射ＬＤ光束
の中心から光検出素子９までの実効長はＬ＝40.9mmとな
る。つまり実効長Ｌが3.5インチ光ディスク（ＩＳＯ規
格品）の半径43mmより小さくなるため、光磁気ディスク
装置全体の小型化が可能である（図３）。
【００２６】なお、ウォラストンプリズム10の分離角θ
が1.5°程度でも前述の所望のスポット径、スポット間
隔ｄを実効長Ｌ≦43mmの条件で何とか実現できるが、光
学素子の保持部材の設計自由度（サイズ余裕等）を考慮
すると、θ≧1.6°が望ましい。
が1.5°程度でも前述の所望のスポット径、スポット間
隔ｄを実効長Ｌ≦43mmの条件で何とか実現できるが、光
学素子の保持部材の設計自由度（サイズ余裕等）を考慮
すると、θ≧1.6°が望ましい。
【００２７】実施例では光束Ｂ１，Ｂ３，Ｂ２の強度比
はＢ１：Ｂ３：Ｂ２＝２：１：２としている。これは光
磁気ディスクＤの反射光の偏光状態の変化は（具体的に
は直線偏光方向の微小な回転）は僅かであり、信頼性の
高い記録情報の検出のためにはＢ１，Ｂ２の強度がＢ３
より大きく、さらにＢ１：Ｂ２＝１：１であることが望
ましいからである。これらの強度比は、ウォラストンプ
リズム10を形成するニオブ酸リチウムの結晶体の光学軸
とディスクからの反射光の偏波面とのなす角により決定
される（これは特開昭63-187441号公報や特開昭63-1135
03号公報で公知である）。
はＢ１：Ｂ３：Ｂ２＝２：１：２としている。これは光
磁気ディスクＤの反射光の偏光状態の変化は（具体的に
は直線偏光方向の微小な回転）は僅かであり、信頼性の
高い記録情報の検出のためにはＢ１，Ｂ２の強度がＢ３
より大きく、さらにＢ１：Ｂ２＝１：１であることが望
ましいからである。これらの強度比は、ウォラストンプ
リズム10を形成するニオブ酸リチウムの結晶体の光学軸
とディスクからの反射光の偏波面とのなす角により決定
される（これは特開昭63-187441号公報や特開昭63-1135
03号公報で公知である）。
【００２８】従って、本実施例に採用するウォラストン
プリズムを採用した光磁気ヘッドは、例えば水晶の結晶
を楔角45°で結合したウォラストンプリズムで、波長78
0nmとすれば、分離角はθ＝1.0°程度しかなく、光軸方
向の厚みも大きいため光検出器８上のスポットを所望の
ものとするために実効長Ｌ≧43mmとなってしまうので、
3.5インチ光磁気ディスク装置内に装填するために凹レ
ンズを配置するか、反射ミラーにより光路を折り曲げる
必要があるので、部品点数が多くなっていたし、また、
各部品の位置精度が厳しくなるので、例えばレンズ等の
部品位置の経時変化（光軸方向、偏芯方向）に対する許
容範囲が狭くなり、信頼性の点で不利であった課題を解
消することができた。
プリズムを採用した光磁気ヘッドは、例えば水晶の結晶
を楔角45°で結合したウォラストンプリズムで、波長78
0nmとすれば、分離角はθ＝1.0°程度しかなく、光軸方
向の厚みも大きいため光検出器８上のスポットを所望の
ものとするために実効長Ｌ≧43mmとなってしまうので、
3.5インチ光磁気ディスク装置内に装填するために凹レ
ンズを配置するか、反射ミラーにより光路を折り曲げる
必要があるので、部品点数が多くなっていたし、また、
各部品の位置精度が厳しくなるので、例えばレンズ等の
部品位置の経時変化（光軸方向、偏芯方向）に対する許
容範囲が狭くなり、信頼性の点で不利であった課題を解
消することができた。
【００２９】以上説明したように本実施例の光磁気ヘッ
ドによれば、《条件１》を満足する一軸性結晶からなる
３ビーム分離のウォラストンプリズムを用いることによ
り、光学系の実効長Ｌを余分な光学素子を用いることな
く短くでき、光磁気ヘッドの低コスト化、小型化が達成
できる。
ドによれば、《条件１》を満足する一軸性結晶からなる
３ビーム分離のウォラストンプリズムを用いることによ
り、光学系の実効長Ｌを余分な光学素子を用いることな
く短くでき、光磁気ヘッドの低コスト化、小型化が達成
できる。
【００３０】なお、本実施例は《条件１》を満足する一
軸性結晶体として、ニオブ酸リチウムを用いているが、
他の一軸性結晶の光学部材を使用することもできる。た
だし、光磁気ヘッドの半導体レーザ光源波長領域におい
て透過率に問題ないこと、光損傷（とりわけ部分的な屈
折率の変化等）の生じないこと等に注意する必要があ
る。
軸性結晶体として、ニオブ酸リチウムを用いているが、
他の一軸性結晶の光学部材を使用することもできる。た
だし、光磁気ヘッドの半導体レーザ光源波長領域におい
て透過率に問題ないこと、光損傷（とりわけ部分的な屈
折率の変化等）の生じないこと等に注意する必要があ
る。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、上記構成により、光磁
気ヘッドの信頼性を低下させることなく、小型かつ安価
な光磁気ヘッドを提供することができた。
気ヘッドの信頼性を低下させることなく、小型かつ安価
な光磁気ヘッドを提供することができた。
【図１】本発明の光磁気ヘッドの一実施例を示す光学系
概要構成を示す側面図である。
概要構成を示す側面図である。
【図２】本実施例のウォラストンプリズムの構成図であ
る。
る。
【図３】3.5インチ光磁気ディスク装置概略構成を示す
平面図である。
平面図である。
【図４】従来の光磁気ヘッドの光学系概要構成を示す側
面図である。
面図である。
【図５】従来の光磁気ヘッドの光学系概要構成を示す側
面図である。
面図である。
【図６】一般的な光磁気ヘッドに採用する光検出器を示
す平面図である。
す平面図である。
【図７】従来の光磁気ヘッドで使用するウォラストンプ
リズム構成図である。
リズム構成図である。
【図８】光学系から焦点位置までの実効長を短縮した光
磁気ヘッドの光学系構成の概要を示す側面図である。
磁気ヘッドの光学系構成の概要を示す側面図である。
１ 半導体レーザ ２ コリメータレンズ ３ 偏光ビームスプリッタ ４ 対物レンズ ５ 集光レンズ ６ シリンドリカルレンズ ７ 従来のウォラストンプリズム ８ 光検出器 ９ 凹レンズ 10 本実施例のウォラストンプリズム 11 反射ミラー Ｄ 光磁気ディスク
Claims (2)
- 【請求項１】 光磁気ディスク上に収束レーザ光を照射
し、当該光磁気ディスクからの反射光をその偏光状態に
応じて強度変化する第１，第２のビームと偏光による強
度変化のない第３のビームを分離するウォラストンプリ
ズムと、前記３つのビームを収束させる光学素子と、当
該光学素子からの収束光に非点収差を生じさせる非点収
差素子と、当該非点収差素子からの光束を受光する光検
出器とにより磁気光学的に記録された情報を検出する光
磁気ヘッドにおいて、前記ウォラストンプリズムを形成
する一軸性結晶体の常光線屈折率ｎ0、異常光線屈折率
ｎeとの差Δｎ、および前記ウォラストンプリズムから
出射された偏光状態に応じて強度変化する第１，第２の
ビームの分離角度θが、前記ウォラストンプリズムに入
射する前記光磁気ディスクからの反射光の波長におい
て、 Δｎ＝｜ｎ0−ｎe｜≧0.07 θ≧1.6° とすることを特徴とする光磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記ウォラストンプリズムは少なくとも
２個のニオブ酸リチウムの結晶体を接合したウォラスト
ンプリズムであることを特徴とする請求項１の光磁気ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15225694A JPH0822647A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | 光磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15225694A JPH0822647A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | 光磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0822647A true JPH0822647A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=15536512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15225694A Pending JPH0822647A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | 光磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0822647A (ja) |
-
1994
- 1994-07-04 JP JP15225694A patent/JPH0822647A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100483129B1 (ko) | 광헤드및광디스크장치 | |
| KR100477275B1 (ko) | 광학픽업장치및디스크플레이어장치 | |
| JP3083834B2 (ja) | 光学ピックアップ装置 | |
| JPH03104033A (ja) | 光学式読み取り装置 | |
| KR100286865B1 (ko) | 광헤드장치 | |
| JPH0822647A (ja) | 光磁気ヘッド | |
| JPH03192305A (ja) | 光学素子 | |
| JPH10124923A (ja) | 光学ピックアップ装置及びディスクプレーヤ装置 | |
| JPH07272337A (ja) | 光ヘッド | |
| JP3558963B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JP3607741B2 (ja) | 光学ヘッド装置 | |
| JP2637739B2 (ja) | 磁気光学ヘッド | |
| JP3740777B2 (ja) | 受発光素子、光学ピックアップ装置及び光ディスク装置 | |
| JP4123217B2 (ja) | 光学ピックアップ装置、光ディスク装置及びフォーカスエラー信号検出方法 | |
| JP3490527B2 (ja) | 光ヘッド | |
| JPS63222356A (ja) | 光磁気ヘツド装置 | |
| JPH0278027A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JPH1166600A (ja) | 受発光素子と光学ピックアップ装置 | |
| JPH10124922A (ja) | 光学ピックアップ装置及びディスクプレーヤ装置 | |
| JPH03192303A (ja) | 光学素子 | |
| JPH10134396A (ja) | 光ヘッド | |
| JPH0278025A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JPH07244879A (ja) | 光ヘッド | |
| JPH08129773A (ja) | 光学ピックアップ装置 | |
| JPH07296438A (ja) | 光磁気ピックアップ |