JPH07296438A - 光磁気ピックアップ - Google Patents
光磁気ピックアップInfo
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- JPH07296438A JPH07296438A JP8962894A JP8962894A JPH07296438A JP H07296438 A JPH07296438 A JP H07296438A JP 8962894 A JP8962894 A JP 8962894A JP 8962894 A JP8962894 A JP 8962894A JP H07296438 A JPH07296438 A JP H07296438A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】良質の信号を得られる非常に小型な光磁気ピッ
クアップを提供する。 【構成】水晶プリズム3は、上面に偏光膜2が、下面に
偏光膜4が形成されている。水晶プリズム3は伝搬光の
偏光面を45度回転させる。偏光膜2は、S偏光を30
%透過し、P偏光を100%透過させる。偏光膜4は、
S偏光を100%反射し、P偏光を100%透過させ
る。ガラスプリズム5は、上面が偏光膜4に接してお
り、下面に金属反射膜6が設けられている。水晶プリズ
ム3とガラスプリズム5は共通の平面13を有してい
る。レーザーダイオード1から射出され偏光膜2で反射
された光の光路上に対物レンズ8が設けられている。水
晶プリズム3からの光を受けるフォトダイオード11
と、ガラスプリズム5からの光を受けるフォトダイオー
ド12は共に、基板10に設けられている。基板10
は、水晶プリズム3とガラスプリズム5に共通の平面1
3に平行に配置されている。
クアップを提供する。 【構成】水晶プリズム3は、上面に偏光膜2が、下面に
偏光膜4が形成されている。水晶プリズム3は伝搬光の
偏光面を45度回転させる。偏光膜2は、S偏光を30
%透過し、P偏光を100%透過させる。偏光膜4は、
S偏光を100%反射し、P偏光を100%透過させ
る。ガラスプリズム5は、上面が偏光膜4に接してお
り、下面に金属反射膜6が設けられている。水晶プリズ
ム3とガラスプリズム5は共通の平面13を有してい
る。レーザーダイオード1から射出され偏光膜2で反射
された光の光路上に対物レンズ8が設けられている。水
晶プリズム3からの光を受けるフォトダイオード11
と、ガラスプリズム5からの光を受けるフォトダイオー
ド12は共に、基板10に設けられている。基板10
は、水晶プリズム3とガラスプリズム5に共通の平面1
3に平行に配置されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、情報を記録再生する光
磁気ピックアップに関する。
磁気ピックアップに関する。
【0002】
【従来の技術】レーザー光源から射出された光を光情報
記録媒体に照射することにより情報の記録を行なうとと
もに、その記録媒体からの反射光を光検出器で検出する
ことにより情報の再生やフォーカスエラー信号およびト
ラッキングエラー信号の検出を行なう光磁気ピックアッ
プとしては種々のものが知られている。
記録媒体に照射することにより情報の記録を行なうとと
もに、その記録媒体からの反射光を光検出器で検出する
ことにより情報の再生やフォーカスエラー信号およびト
ラッキングエラー信号の検出を行なう光磁気ピックアッ
プとしては種々のものが知られている。
【0003】特開平4−132034は、このような光
磁気ピックアップのいくつかの例を開示している。その
第1図に示された光磁気ピックアップでは、1/2波長
板の一方の面に半導体レーザの射出した光を対物レンズ
に向けて反射するハーフミラーが設けてあり、その反対
側の面に光磁気ディスクからの反射光を分離する偏光膜
が設けてある。
磁気ピックアップのいくつかの例を開示している。その
第1図に示された光磁気ピックアップでは、1/2波長
板の一方の面に半導体レーザの射出した光を対物レンズ
に向けて反射するハーフミラーが設けてあり、その反対
側の面に光磁気ディスクからの反射光を分離する偏光膜
が設けてある。
【0004】半導体レーザから射出された光は、コリメ
ートレンズを通過して平行光束となりハーフミラーに入
射する。ハーフミラーは入射光の一部(約半分)を反射
する。ハーフミラーで反射された光は、対物レンズに入
射し、光磁気ディスクに集光される。光磁気ディスクか
らの反射光は、対物レンズを通過して平行光束となり、
ハーフミラーに入射し、その一部(約半分)がハーフミ
ラーを透過して1/2波長板に入射する。ハーフミラー
を透過した光は、1/2波長板を通過する間に偏光面が
45度回転され、偏光膜に入射する。偏光膜は、入射し
た光のうち、S偏光を反射して、P偏光を透過させる。
S偏光は集束レンズにより二つの受光部を持つ光量検出
素子に照射される。P偏光は反射ミラーで反射された
後、集束レンズとシリンドリカルレンズにより非点収差
を持つ集束光となり、四つの受光部を持つ光量検出素子
に照射される。
ートレンズを通過して平行光束となりハーフミラーに入
射する。ハーフミラーは入射光の一部(約半分)を反射
する。ハーフミラーで反射された光は、対物レンズに入
射し、光磁気ディスクに集光される。光磁気ディスクか
らの反射光は、対物レンズを通過して平行光束となり、
ハーフミラーに入射し、その一部(約半分)がハーフミ
ラーを透過して1/2波長板に入射する。ハーフミラー
を透過した光は、1/2波長板を通過する間に偏光面が
45度回転され、偏光膜に入射する。偏光膜は、入射し
た光のうち、S偏光を反射して、P偏光を透過させる。
S偏光は集束レンズにより二つの受光部を持つ光量検出
素子に照射される。P偏光は反射ミラーで反射された
後、集束レンズとシリンドリカルレンズにより非点収差
を持つ集束光となり、四つの受光部を持つ光量検出素子
に照射される。
【0005】この構成において、光磁気信号は、前述の
二つの光量検出素子の出力の差で得られる。トラックエ
ラー信号は、プッシュプル法により、S偏光を受ける光
量検出素子の二つの受光部の出力の差で得られる。フォ
ーカスエラー信号は、非点収差法により、P偏光を受け
る光量検出素子の対角位置にある二つの受光部の出力の
和と別の対角位置にある二つの受光部の出力の和との差
で得られる。
二つの光量検出素子の出力の差で得られる。トラックエ
ラー信号は、プッシュプル法により、S偏光を受ける光
量検出素子の二つの受光部の出力の差で得られる。フォ
ーカスエラー信号は、非点収差法により、P偏光を受け
る光量検出素子の対角位置にある二つの受光部の出力の
和と別の対角位置にある二つの受光部の出力の和との差
で得られる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の構成で
は、光磁気ディスクからの反射光の内、約半分はハーフ
ミラーで反射されてしまい、情報再生に利用されない。
このような事態は、質の高い信号を得る上で非常に好ま
しくない。
は、光磁気ディスクからの反射光の内、約半分はハーフ
ミラーで反射されてしまい、情報再生に利用されない。
このような事態は、質の高い信号を得る上で非常に好ま
しくない。
【0007】また、上述の構成によって比較的小型の光
磁気ピックアップが実現されているものの、更に部品点
数を減らすことによって、更に小型で軽量で安価な光磁
気ピックアップを達成することが望まれている。本発明
は、質の高い信号が得られる非常に小型で軽量な光磁気
ピックアップを提供することを目的とする。
磁気ピックアップが実現されているものの、更に部品点
数を減らすことによって、更に小型で軽量で安価な光磁
気ピックアップを達成することが望まれている。本発明
は、質の高い信号が得られる非常に小型で軽量な光磁気
ピックアップを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気ピックア
ップは、互いに平行な第一の平面と第二の平面を持ち、
光路に沿って内部を横切る光の偏光面を45度回転させ
る第一のプリズムと、S偏光を所定の割合で反射し、P
偏光を100%の割合で透過させる、第一のプリズムの
第一の平面に形成された第一の偏光膜と、S偏光を10
0%の割合で反射し、P偏光を100%の割合で透過さ
せる、第一のプリズムの第二の平面に形成された第二の
偏光膜と、第二の偏光膜に接して設けられた第二のプリ
ズムと、第一の偏光膜に向けて発散性の光を射出するレ
ーザー光源と、第一の偏光膜で反射された光を光磁気デ
ィスクに集光する対物レンズと、第一のプリズムから射
出される第一の射出光を受光する第一の光検出器と、第
二のプリズムから射出される第二の射出光を受光する第
二の光検出器とを備えている。
ップは、互いに平行な第一の平面と第二の平面を持ち、
光路に沿って内部を横切る光の偏光面を45度回転させ
る第一のプリズムと、S偏光を所定の割合で反射し、P
偏光を100%の割合で透過させる、第一のプリズムの
第一の平面に形成された第一の偏光膜と、S偏光を10
0%の割合で反射し、P偏光を100%の割合で透過さ
せる、第一のプリズムの第二の平面に形成された第二の
偏光膜と、第二の偏光膜に接して設けられた第二のプリ
ズムと、第一の偏光膜に向けて発散性の光を射出するレ
ーザー光源と、第一の偏光膜で反射された光を光磁気デ
ィスクに集光する対物レンズと、第一のプリズムから射
出される第一の射出光を受光する第一の光検出器と、第
二のプリズムから射出される第二の射出光を受光する第
二の光検出器とを備えている。
【0009】
【作用】本発明の光磁気ピックアップは記録と再生の両
方に適用できるが、記録に用いた場合の作用は再生に用
いた場合の作用に包含されるので、以下では主に再生の
場合について説明する。
方に適用できるが、記録に用いた場合の作用は再生に用
いた場合の作用に包含されるので、以下では主に再生の
場合について説明する。
【0010】レーザー光源から射出された光は、一部を
除いて、第一の偏光膜で反射され、対物レンズに入射
し、光磁気ディスクに集光される。記録の場合、光は記
録する情報に応じたタイミングで光磁気ディスクに照射
される。光磁気ディスクは光が照射された領域だけ磁極
の向きが変わる。これにより情報が磁極の向きに対応し
た二値情報として記録される。
除いて、第一の偏光膜で反射され、対物レンズに入射
し、光磁気ディスクに集光される。記録の場合、光は記
録する情報に応じたタイミングで光磁気ディスクに照射
される。光磁気ディスクは光が照射された領域だけ磁極
の向きが変わる。これにより情報が磁極の向きに対応し
た二値情報として記録される。
【0011】再生の場合、光磁気ディスクには直線偏光
すなわち第一の偏光膜に対するS偏光が照射される。こ
の直線偏光は、光磁気ディスクに照射された際、その部
分の磁極の向き即ち記録されている二値情報に応じて、
所定の方向に偏光面がカー回転角だけ回転される。
すなわち第一の偏光膜に対するS偏光が照射される。こ
の直線偏光は、光磁気ディスクに照射された際、その部
分の磁極の向き即ち記録されている二値情報に応じて、
所定の方向に偏光面がカー回転角だけ回転される。
【0012】光磁気ディスクからの反射光は、このよう
に記録情報に応じた方向に偏光面が回転された直線偏光
すなわちP偏光の成分を含んだ直線偏光であり、これは
対物レンズを通って第一の偏光膜に入射する。第一の偏
光膜に入射した光は、P偏光はこれを透過し、S偏光は
所定の割合が反射される。これにより、第一の偏光膜を
通過した光はカー回転角が見かけの上で大きくなる。
に記録情報に応じた方向に偏光面が回転された直線偏光
すなわちP偏光の成分を含んだ直線偏光であり、これは
対物レンズを通って第一の偏光膜に入射する。第一の偏
光膜に入射した光は、P偏光はこれを透過し、S偏光は
所定の割合が反射される。これにより、第一の偏光膜を
通過した光はカー回転角が見かけの上で大きくなる。
【0013】第一の偏光膜を通過した光は、第一のプリ
ズムの光学的特性により、第二の偏光膜に達するまでに
偏光面が45度回転される。このような特性を持つプリ
ズムは、複屈折結晶や旋光性結晶を材料とし、その厚さ
を適当に選ぶことで得られる。このような材料として
は、たとえば水晶があげられる。
ズムの光学的特性により、第二の偏光膜に達するまでに
偏光面が45度回転される。このような特性を持つプリ
ズムは、複屈折結晶や旋光性結晶を材料とし、その厚さ
を適当に選ぶことで得られる。このような材料として
は、たとえば水晶があげられる。
【0014】第二の偏光膜に入射した光のうち、S偏光
は第二の偏光膜で反射され、第一のプリズムの内部を伝
搬した後、第一の射出光として第一のプリズムから射出
され、第一の光検出器に入射する。一方、P偏光は第二
の偏光膜を透過して第二のプリズムに入射し、第二のプ
リズムの内部を伝搬した後、第二の射出光として第二の
プリズムから射出され、第二の光検出器に入射する。
は第二の偏光膜で反射され、第一のプリズムの内部を伝
搬した後、第一の射出光として第一のプリズムから射出
され、第一の光検出器に入射する。一方、P偏光は第二
の偏光膜を透過して第二のプリズムに入射し、第二のプ
リズムの内部を伝搬した後、第二の射出光として第二の
プリズムから射出され、第二の光検出器に入射する。
【0015】再生信号はたとえば第一の光検出器の出力
と第二の光検出器の出力の差として得られる。トラック
エラー信号はたとえばプッシュプル法により得られる。
この場合、第一の光検出器または第二の光検出器をトラ
ック方向に平行な境界を持つ隣接した二つの受光部を有
する受光素子で構成する。トラックエラー信号は二つの
受光部の出力の差として得られる。
と第二の光検出器の出力の差として得られる。トラック
エラー信号はたとえばプッシュプル法により得られる。
この場合、第一の光検出器または第二の光検出器をトラ
ック方向に平行な境界を持つ隣接した二つの受光部を有
する受光素子で構成する。トラックエラー信号は二つの
受光部の出力の差として得られる。
【0016】フォーカスエラー信号はたとえばビームサ
イズ法により得られる。この場合、第一の射出光は第一
の光検出器の後方に焦点を持ち、第二の射出光は第二の
光検出器の手前に焦点を持つように、第一の射出光と第
二の射出光の光路長を撰ぶとともに、対物レンズと光磁
気ディスクが合焦の位置関係にあるときに第一の検出器
と第二の検出器の出力が等しくなるように設定する。フ
ォーカスエラー信号は第一の光検出器の出力と第二の光
検出器の差として得られる。
イズ法により得られる。この場合、第一の射出光は第一
の光検出器の後方に焦点を持ち、第二の射出光は第二の
光検出器の手前に焦点を持つように、第一の射出光と第
二の射出光の光路長を撰ぶとともに、対物レンズと光磁
気ディスクが合焦の位置関係にあるときに第一の検出器
と第二の検出器の出力が等しくなるように設定する。フ
ォーカスエラー信号は第一の光検出器の出力と第二の光
検出器の差として得られる。
【0017】
【実施例】次に図面を参照しながら本発明の実施例につ
いて説明する。第一実施例の光磁気ピックアップの構成
を図1と図3に示す。まず、図1と図3を参照しながら
本実施例の構成について説明する。
いて説明する。第一実施例の光磁気ピックアップの構成
を図1と図3に示す。まず、図1と図3を参照しながら
本実施例の構成について説明する。
【0018】水晶プリズム3は、互いに平行な二つの平
面を有し、一方の平面には偏光膜2が、他方の平面には
偏光膜4が形成されている。水晶プリズム3は、偏光膜
2を通過して入射した光が図に示した光路に沿って内部
を伝搬して偏光膜4に到達するまでの間に、伝搬光の偏
光面を45度回転させる厚さを有している。偏光膜2
は、S偏光を30%の割合で透過し、P偏光を100%
の割合で透過させる特性を有している。偏光膜4は、S
偏光を100%の割合で反射し、P偏光を100%の割
合で透過させる特性を有している。このような偏光膜2
と偏光膜4は、真空蒸着法等により、たとえばTiO2
とSiO2 の薄膜を交互に複数積層することにより実現
される。所望の偏光特性は、積層する薄膜の膜厚と層数
を選ぶことで得られる。
面を有し、一方の平面には偏光膜2が、他方の平面には
偏光膜4が形成されている。水晶プリズム3は、偏光膜
2を通過して入射した光が図に示した光路に沿って内部
を伝搬して偏光膜4に到達するまでの間に、伝搬光の偏
光面を45度回転させる厚さを有している。偏光膜2
は、S偏光を30%の割合で透過し、P偏光を100%
の割合で透過させる特性を有している。偏光膜4は、S
偏光を100%の割合で反射し、P偏光を100%の割
合で透過させる特性を有している。このような偏光膜2
と偏光膜4は、真空蒸着法等により、たとえばTiO2
とSiO2 の薄膜を交互に複数積層することにより実現
される。所望の偏光特性は、積層する薄膜の膜厚と層数
を選ぶことで得られる。
【0019】ガラスプリズム5は、互いに平行な二つの
平面を有し、一方の平面は偏光膜4に接しており、他方
の平面には金属反射膜6が設けられている。水晶プリズ
ム3とガラスプリズム5はそれぞれ偏光膜4で反射され
た光と金属反射膜で反射された光を射出する共通の平面
13を有している。
平面を有し、一方の平面は偏光膜4に接しており、他方
の平面には金属反射膜6が設けられている。水晶プリズ
ム3とガラスプリズム5はそれぞれ偏光膜4で反射され
た光と金属反射膜で反射された光を射出する共通の平面
13を有している。
【0020】レーザーダイオード1は、その射出光が偏
光膜2に対して所定の角度で入射するように配置されて
いる。このレーザーダイオード1は基板10の端面に取
り付けられている。レーザーダイオード1は偏光膜2に
対してS偏光となる発散性の光を射出する。
光膜2に対して所定の角度で入射するように配置されて
いる。このレーザーダイオード1は基板10の端面に取
り付けられている。レーザーダイオード1は偏光膜2に
対してS偏光となる発散性の光を射出する。
【0021】レーザーダイオード1から射出され、偏光
膜2で反射された光の光路上に対物レンズ8が設けられ
ている。対物レンズ8は、偏光膜2からの光を光磁気デ
ィスク8に集光するとともに、光磁気ディスク8からの
発散性の反射光を偏光膜2に向かう集束性の光束に変え
る。
膜2で反射された光の光路上に対物レンズ8が設けられ
ている。対物レンズ8は、偏光膜2からの光を光磁気デ
ィスク8に集光するとともに、光磁気ディスク8からの
発散性の反射光を偏光膜2に向かう集束性の光束に変え
る。
【0022】水晶プリズム3から射出された光を受光す
るフォトダイオード11と、ガラスプリズム5から射出
された光を受光するフォトダイオード12は、基板10
の同じ面に設けられている。基板10は、フォトダイオ
ード11と12を設けた面を、水晶プリズム3とガラス
プリズム5に共通の平面13に平行に配置されている。
るフォトダイオード11と、ガラスプリズム5から射出
された光を受光するフォトダイオード12は、基板10
の同じ面に設けられている。基板10は、フォトダイオ
ード11と12を設けた面を、水晶プリズム3とガラス
プリズム5に共通の平面13に平行に配置されている。
【0023】図3に示すように、フォトダイオード11
は隣接して並ぶ三つの受光領域11a〜11cを有し、
フォトダイオード12は隣接して並ぶ三つの受光領域1
2a〜12cを有している。対物レンズ7が光磁気ディ
スク8に対して合焦の位置にあるとき、フォトダイオー
ド11に照射されるスポット20とフォトダイオード1
2に照射されるスポット21は同じ大きさになるように
調整されている。
は隣接して並ぶ三つの受光領域11a〜11cを有し、
フォトダイオード12は隣接して並ぶ三つの受光領域1
2a〜12cを有している。対物レンズ7が光磁気ディ
スク8に対して合焦の位置にあるとき、フォトダイオー
ド11に照射されるスポット20とフォトダイオード1
2に照射されるスポット21は同じ大きさになるように
調整されている。
【0024】続いて本実施例の作用について説明する。
本実施例の光磁気ピックアップは記録と再生の両方に使
用されるが、記録時の作用はレーザーダイオードの出力
が異なる以外は再生時と同じであるので、以下では再生
の場合について説明する。
本実施例の光磁気ピックアップは記録と再生の両方に使
用されるが、記録時の作用はレーザーダイオードの出力
が異なる以外は再生時と同じであるので、以下では再生
の場合について説明する。
【0025】レーザーダイオード1から射出された光
(S偏光)は、その70%が偏光膜2で反射され、対物
レンズ7に入射し、光磁気ディスク8に集光される。光
磁気ディスク8に照射された直線偏光は、その部分の磁
極の向き即ち記録されている二値情報に応じた方向に偏
光面がカー回転角だけ回転される。したがって、光磁気
ディスク8からの反射光は、図2にSH とSL で示され
るように、偏光面が記録情報の「H」と「L」に応じて
逆方向にカー回転角θk 回転した直線偏光となる。
(S偏光)は、その70%が偏光膜2で反射され、対物
レンズ7に入射し、光磁気ディスク8に集光される。光
磁気ディスク8に照射された直線偏光は、その部分の磁
極の向き即ち記録されている二値情報に応じた方向に偏
光面がカー回転角だけ回転される。したがって、光磁気
ディスク8からの反射光は、図2にSH とSL で示され
るように、偏光面が記録情報の「H」と「L」に応じて
逆方向にカー回転角θk 回転した直線偏光となる。
【0026】光磁気ディスク8からの反射光は対物レン
ズ7を通過し、集束性の光束となり偏光膜2に入射す
る。偏光膜2に入射した光は、P偏光は偏光膜2を10
0%透過するが、S偏光は70%が偏光膜2で反射さ
れ、30%が偏光膜2を透過する。したがって、水晶プ
リズム3には、図2において、SH とSL の各々に対応
して、SH'とSL'で示される光が入射する。記録情報は
P偏光に反映されているので、偏光膜2による信号の損
失はない。これは図2から分かるように、再生信号振幅
に相当するX成分が変化せず、SH sinθk =SH's
inθk'だからである。
ズ7を通過し、集束性の光束となり偏光膜2に入射す
る。偏光膜2に入射した光は、P偏光は偏光膜2を10
0%透過するが、S偏光は70%が偏光膜2で反射さ
れ、30%が偏光膜2を透過する。したがって、水晶プ
リズム3には、図2において、SH とSL の各々に対応
して、SH'とSL'で示される光が入射する。記録情報は
P偏光に反映されているので、偏光膜2による信号の損
失はない。これは図2から分かるように、再生信号振幅
に相当するX成分が変化せず、SH sinθk =SH's
inθk'だからである。
【0027】水晶プリズム3に入射した光は、水晶プリ
ズム3を伝搬して偏光膜4に達する間に、偏光面が45
度回転される。この結果、偏光面4に到達した時点で、
SH'に対応した光とSL'に対応した光とでは、P偏光と
S偏光の割合が反対になっている。勿論、P偏光とS偏
光の割合は等しくない。
ズム3を伝搬して偏光膜4に達する間に、偏光面が45
度回転される。この結果、偏光面4に到達した時点で、
SH'に対応した光とSL'に対応した光とでは、P偏光と
S偏光の割合が反対になっている。勿論、P偏光とS偏
光の割合は等しくない。
【0028】偏光膜4に入射した光のうち、S偏光は、
偏光膜4で反射され、水晶プリズム3の内部を伝搬し、
平面13から射出され、フォトダイオード11に入射す
る。P偏光は、偏光膜4を透過し、ガラスプリズム5の
内部を伝搬し、金属反射膜6で反射された後、平面13
から射出され、フォトダイオード12に入射する。偏光
膜4と金属反射膜6は平行関係にあるので、P偏光とS
偏光は平面13に垂直に平行に射出される。また、P偏
光とS偏光の光路長の違いから、S偏光はフォトダイオ
ード11の後方に焦点を有し、P偏光はフォトダイオー
ド12の手前に焦点を有している。
偏光膜4で反射され、水晶プリズム3の内部を伝搬し、
平面13から射出され、フォトダイオード11に入射す
る。P偏光は、偏光膜4を透過し、ガラスプリズム5の
内部を伝搬し、金属反射膜6で反射された後、平面13
から射出され、フォトダイオード12に入射する。偏光
膜4と金属反射膜6は平行関係にあるので、P偏光とS
偏光は平面13に垂直に平行に射出される。また、P偏
光とS偏光の光路長の違いから、S偏光はフォトダイオ
ード11の後方に焦点を有し、P偏光はフォトダイオー
ド12の手前に焦点を有している。
【0029】この構成において、再生信号は、フォトダ
イオード11の出力とフォトダイオード12の出力の差
で得られる。トラックエラー信号は、プッシュプル法に
より、たとえばフォトダイオード11の二つの受光領域
11aと11cの出力の差で得られる。あるいは、フォ
トダイオード12の二つの受光領域12aと12cの出
力の差で得られる。高い信頼性の信号を得るため、その
両方を考慮することが望ましい。
イオード11の出力とフォトダイオード12の出力の差
で得られる。トラックエラー信号は、プッシュプル法に
より、たとえばフォトダイオード11の二つの受光領域
11aと11cの出力の差で得られる。あるいは、フォ
トダイオード12の二つの受光領域12aと12cの出
力の差で得られる。高い信頼性の信号を得るため、その
両方を考慮することが望ましい。
【0030】フォーカスエラー信号はビームサイズ法に
より得られる。対物レンズ7が光磁気ディスク8に対し
て合焦の位置にあるとき、図3に示すように、フォトダ
イオード11に照射されるS偏光のスポット20とフォ
トダイオード12に照射されるP偏光のスポット21は
同じ大きさになるように調整されている。したがって、
光磁気ディスク8が対物レンズ7から遠ざかると、スポ
ット20は小さくなり、スポット21は逆に大きくな
る。これとは反対に、光磁気ディスク8が対物レンズ7
に近づくと、スポット20は大きくなり、スポット21
は小さくなる。したがって、フォトダイオード11と1
2の各受光領域の出力をその受光領域を示す符号を用い
て表記すれば、フォーカスエラー信号は(11a+11
c+12b)−(12a+12c+11b)で得られ
る。
より得られる。対物レンズ7が光磁気ディスク8に対し
て合焦の位置にあるとき、図3に示すように、フォトダ
イオード11に照射されるS偏光のスポット20とフォ
トダイオード12に照射されるP偏光のスポット21は
同じ大きさになるように調整されている。したがって、
光磁気ディスク8が対物レンズ7から遠ざかると、スポ
ット20は小さくなり、スポット21は逆に大きくな
る。これとは反対に、光磁気ディスク8が対物レンズ7
に近づくと、スポット20は大きくなり、スポット21
は小さくなる。したがって、フォトダイオード11と1
2の各受光領域の出力をその受光領域を示す符号を用い
て表記すれば、フォーカスエラー信号は(11a+11
c+12b)−(12a+12c+11b)で得られ
る。
【0031】このように、本実施例によれば、情報を反
映した光の損失がなく、使用するレンズは対物レンズの
一枚だけなので、信号の質が高く、小型で安価な光磁気
ピックアップが得られる。
映した光の損失がなく、使用するレンズは対物レンズの
一枚だけなので、信号の質が高く、小型で安価な光磁気
ピックアップが得られる。
【0032】なお、水晶プリズム3は、それを構成して
いる水晶は複屈折性と旋光性を持つ結晶であり、上述の
実施例では、複屈折性を利用した1/2波長板の機能に
より偏光面を45度回転させているが、旋光性を利用し
て偏光面を回転させてもよい。また、プリズム3の材料
は水晶に限らず、複屈折結晶または旋光性結晶であれ
ば、他の材料を用いてもよい。一例として旋光性結晶で
あるTeO2 をあげておく。
いる水晶は複屈折性と旋光性を持つ結晶であり、上述の
実施例では、複屈折性を利用した1/2波長板の機能に
より偏光面を45度回転させているが、旋光性を利用し
て偏光面を回転させてもよい。また、プリズム3の材料
は水晶に限らず、複屈折結晶または旋光性結晶であれ
ば、他の材料を用いてもよい。一例として旋光性結晶で
あるTeO2 をあげておく。
【0033】次に、第二実施例の光磁気ピックアップの
構成を図4に示す。図中、第一実施例と同等の部材は同
一の符号で示してある。また、光に関しては、主光線の
光路のみを示し、光束の広がりは省略してある。
構成を図4に示す。図中、第一実施例と同等の部材は同
一の符号で示してある。また、光に関しては、主光線の
光路のみを示し、光束の広がりは省略してある。
【0034】本実施例は、図4に示すように、水晶プリ
ズム3とガラスプリズム5の形状が共に平行平板になっ
ている。レーザーダイオード1は支持部材9に固定され
ており、支持部材9に基板10が取り付けられている。
それ以外の構成は第一実施例と同じである。
ズム3とガラスプリズム5の形状が共に平行平板になっ
ている。レーザーダイオード1は支持部材9に固定され
ており、支持部材9に基板10が取り付けられている。
それ以外の構成は第一実施例と同じである。
【0035】本実施例の作用について説明すると、光磁
気ディスク8からの光が偏光膜4で分離されるまでは第
一実施例と同じである。偏光膜4で反射されたS偏光
は、水晶プリズム3の上面から射出され、偏光膜2を通
って、フォトダイオード11に入射する。偏光膜4を透
過したP偏光は、ガラスプリズム5に入射し、下面に設
けられた金属反射膜6で反射され、ガラスプリズム5の
上面から射出され、フォトダイオード12に入射する。
各種の信号は第一実施例と同様にして得られる。ただ
し、フォトダイオード11に入射する光は、偏光膜2を
通過する際に弱められるので、その分を補正した演算を
行なう必要がある。
気ディスク8からの光が偏光膜4で分離されるまでは第
一実施例と同じである。偏光膜4で反射されたS偏光
は、水晶プリズム3の上面から射出され、偏光膜2を通
って、フォトダイオード11に入射する。偏光膜4を透
過したP偏光は、ガラスプリズム5に入射し、下面に設
けられた金属反射膜6で反射され、ガラスプリズム5の
上面から射出され、フォトダイオード12に入射する。
各種の信号は第一実施例と同様にして得られる。ただ
し、フォトダイオード11に入射する光は、偏光膜2を
通過する際に弱められるので、その分を補正した演算を
行なう必要がある。
【0036】本実施例で使用している水晶プリズム3と
ガラスプリズム5からなる構造体は、第一実施例(図
1)における平面13を研磨等により形成する前のもの
である。したがって、第一実施例と同等の光磁気ピック
アップが更に安価に得られる。
ガラスプリズム5からなる構造体は、第一実施例(図
1)における平面13を研磨等により形成する前のもの
である。したがって、第一実施例と同等の光磁気ピック
アップが更に安価に得られる。
【0037】以下、第二実施例に関して、いくつかの変
形例について説明する。第一の変形例の光磁気ピックア
ップを図5に示す。この変形例では、偏光膜2は、水晶
プリズム3の上面の全面ではなく、一部の領域に形成さ
れている。水晶プリズム3の残りの領域にはP偏光とS
偏光を共に100%透過させる反射防止膜13が形成さ
れている。偏光膜2と反射防止膜13の境界の位置は、
レーザーダイオード1から射出された光は偏光膜2に入
射し、偏光膜4で反射された光は反射防止膜13を通っ
て射出されるように選ばれる。本変形例によれば、偏光
膜4で反射された光は反射防止膜13を通りフォトダイ
オード11に入射する。これにより、フォトダイオード
11には損失のない強い光が照射される。したがって、
フォトダイオード11の出力は良好で補正する必要のな
いものとなり、最終的に得られる各種の信号は質の高い
ものとなる。
形例について説明する。第一の変形例の光磁気ピックア
ップを図5に示す。この変形例では、偏光膜2は、水晶
プリズム3の上面の全面ではなく、一部の領域に形成さ
れている。水晶プリズム3の残りの領域にはP偏光とS
偏光を共に100%透過させる反射防止膜13が形成さ
れている。偏光膜2と反射防止膜13の境界の位置は、
レーザーダイオード1から射出された光は偏光膜2に入
射し、偏光膜4で反射された光は反射防止膜13を通っ
て射出されるように選ばれる。本変形例によれば、偏光
膜4で反射された光は反射防止膜13を通りフォトダイ
オード11に入射する。これにより、フォトダイオード
11には損失のない強い光が照射される。したがって、
フォトダイオード11の出力は良好で補正する必要のな
いものとなり、最終的に得られる各種の信号は質の高い
ものとなる。
【0038】第二の変形例の光磁気ピックアップを図6
に示す。この変形例では、水晶プリズム3とガラスプリ
ズム5に、両者を斜めに横切る平面30が形成されてい
る。レーザーダイオード1から射出された光の中で偏光
膜2を透過した光を受光するフォトダイオード31が平
面30の下方に配置されている。光磁気ピックアップで
は、情報の記録再生を行なう際にレーザーダイオード1
の出力が細かく調整される。このため、レーザーダイオ
ード1の出力をモニターする必要がある。本変形例で
は、レーザーダイオード1から射出された光の中で偏光
膜2を透過した記録再生に利用されない光は、平面30
から射出され、フォトダイオード31に入射し、モニタ
ーされる。これにより上述の目的が達せられると同時
に、記録再生に利用されなり光がプリズム内を伝搬する
迷光となって信号の品質を悪化させることも防止され
る。
に示す。この変形例では、水晶プリズム3とガラスプリ
ズム5に、両者を斜めに横切る平面30が形成されてい
る。レーザーダイオード1から射出された光の中で偏光
膜2を透過した光を受光するフォトダイオード31が平
面30の下方に配置されている。光磁気ピックアップで
は、情報の記録再生を行なう際にレーザーダイオード1
の出力が細かく調整される。このため、レーザーダイオ
ード1の出力をモニターする必要がある。本変形例で
は、レーザーダイオード1から射出された光の中で偏光
膜2を透過した記録再生に利用されない光は、平面30
から射出され、フォトダイオード31に入射し、モニタ
ーされる。これにより上述の目的が達せられると同時
に、記録再生に利用されなり光がプリズム内を伝搬する
迷光となって信号の品質を悪化させることも防止され
る。
【0039】第三の変形例の光磁気ピックアップを図7
に示す。この変形例は、基板10の端面の位置とプリズ
ムの端の位置を適当に選ぶことにより迷光対策を施した
例である。レーザーダイオード1は点光源に近く、その
射出光はかなり大きな広がり角を有している。その広が
り角は情報の記録再生に実際に使用される光を考慮する
と、対物レンズの特性や光学素子の配置などによって異
なるが、約30度程度である。例えば対物レンズの径が
大きくなれば偏光膜で反射される光をすべて入射するの
で迷光の問題は生じないが、光磁気ピックアップの構成
上、対物レンズは小さい方が望ましい。よってレーザー
ダイオードからの出射光のうち、外側のビームつまり3
0度から外れたビームは対物レンズに入射されなくな
る。さらに偏光膜の特性上、レーザーダイオードからの
出射光のうち30%は水晶プリズムに透過されることに
なっているので、対物レンズに入射しない外側のビーム
も同様に水晶プリズムに透過してしまう。この透過光は
当然光磁気ディスクからの情報が含まれていないので、
フォトダイオード11、12に入射されるとノイズとし
て検出されてしまう。
に示す。この変形例は、基板10の端面の位置とプリズ
ムの端の位置を適当に選ぶことにより迷光対策を施した
例である。レーザーダイオード1は点光源に近く、その
射出光はかなり大きな広がり角を有している。その広が
り角は情報の記録再生に実際に使用される光を考慮する
と、対物レンズの特性や光学素子の配置などによって異
なるが、約30度程度である。例えば対物レンズの径が
大きくなれば偏光膜で反射される光をすべて入射するの
で迷光の問題は生じないが、光磁気ピックアップの構成
上、対物レンズは小さい方が望ましい。よってレーザー
ダイオードからの出射光のうち、外側のビームつまり3
0度から外れたビームは対物レンズに入射されなくな
る。さらに偏光膜の特性上、レーザーダイオードからの
出射光のうち30%は水晶プリズムに透過されることに
なっているので、対物レンズに入射しない外側のビーム
も同様に水晶プリズムに透過してしまう。この透過光は
当然光磁気ディスクからの情報が含まれていないので、
フォトダイオード11、12に入射されるとノイズとし
て検出されてしまう。
【0040】図において、光線41は実際に使用される
光束の主光線を示しており、光線42と43は実際に使
用される光の最も外側の光線を示している。つまりこの
光線42と43より外側の光線は迷光となってしまうの
で、プリズムに入射させないことが望ましい。光線44
と45は光線42と43よりも更に外側の光であって迷
光となってしまう光である。よって光線44を水晶プリ
ズム3に入射させないように基板10の端面で反射する
ように基板10の端面の位置が調整され、光線45を水
晶プリズム3およびガラスプリズム5に入射させないよ
うにその端面の位置が調整されている。これにより、不
必要な光がプリズムに入射して迷光となることによって
生じる信号の悪化を防ぐことができる。
光束の主光線を示しており、光線42と43は実際に使
用される光の最も外側の光線を示している。つまりこの
光線42と43より外側の光線は迷光となってしまうの
で、プリズムに入射させないことが望ましい。光線44
と45は光線42と43よりも更に外側の光であって迷
光となってしまう光である。よって光線44を水晶プリ
ズム3に入射させないように基板10の端面で反射する
ように基板10の端面の位置が調整され、光線45を水
晶プリズム3およびガラスプリズム5に入射させないよ
うにその端面の位置が調整されている。これにより、不
必要な光がプリズムに入射して迷光となることによって
生じる信号の悪化を防ぐことができる。
【0041】続いて、第三実施例の光磁気ピックアップ
の構成を図8に示す。図中、前述の実施例と同等の部材
は同一の符号で示してある。また、光に関しては、主光
線の光路のみを示し、光束の広がりは省略してある。
の構成を図8に示す。図中、前述の実施例と同等の部材
は同一の符号で示してある。また、光に関しては、主光
線の光路のみを示し、光束の広がりは省略してある。
【0042】本実施例は、基本的な構成は第二実施例と
ほぼ同じであり、以下では相違箇所について述べる。本
実施例では、偏光膜2の上にガラス製の三角プリズム1
4が設けられている。また、偏光膜4で反射された光は
水晶プリズム3の端面から射出され、金属反射膜6で反
射された光はガラスプリズム5の端面から射出されるよ
うに設計されている。
ほぼ同じであり、以下では相違箇所について述べる。本
実施例では、偏光膜2の上にガラス製の三角プリズム1
4が設けられている。また、偏光膜4で反射された光は
水晶プリズム3の端面から射出され、金属反射膜6で反
射された光はガラスプリズム5の端面から射出されるよ
うに設計されている。
【0043】本実施例では、光が三角プリズム14を介
して偏光膜2に入射する点と、フォトダイオード11と
フォトダイオード12に入射する光はそれぞれ水晶プリ
ズム3とガラスプリズム5の端面から射出される点とを
除けば、作用は第二実施例と同じである。
して偏光膜2に入射する点と、フォトダイオード11と
フォトダイオード12に入射する光はそれぞれ水晶プリ
ズム3とガラスプリズム5の端面から射出される点とを
除けば、作用は第二実施例と同じである。
【0044】本実施例の構成では、偏光膜2の上に三角
プリズム14が設けられているので、偏光膜2の両側の
媒体(水晶とガラス)の屈折率の差が前述の実施例に比
べて小さいので、所望の特性の偏光膜2を形成するに必
要な薄膜の層数が少なくて済む。したがって、偏光膜2
の作製工数が減り、前述の実施例と同等な光磁気ピック
アップをより安価に得られる。
プリズム14が設けられているので、偏光膜2の両側の
媒体(水晶とガラス)の屈折率の差が前述の実施例に比
べて小さいので、所望の特性の偏光膜2を形成するに必
要な薄膜の層数が少なくて済む。したがって、偏光膜2
の作製工数が減り、前述の実施例と同等な光磁気ピック
アップをより安価に得られる。
【0045】第四実施例の光磁気ピックアップの構成を
図9に示す。図中、前述の実施例と同等の部材は同一の
符号で示してある。また、光に関しては、主光線の光路
のみを示し、光束の広がりは省略してある。なお、対物
レンズと光磁気ディスクは省略してある。
図9に示す。図中、前述の実施例と同等の部材は同一の
符号で示してある。また、光に関しては、主光線の光路
のみを示し、光束の広がりは省略してある。なお、対物
レンズと光磁気ディスクは省略してある。
【0046】本実施例の構成は、水晶プリズム3とガラ
スプリズム5の形状は異なっているが、基本的には第三
実施例と同じである。あるいは、第一実施例(図1参
照)において偏光膜2の上に三角プリズム14を設けた
構成と言ってもよい。
スプリズム5の形状は異なっているが、基本的には第三
実施例と同じである。あるいは、第一実施例(図1参
照)において偏光膜2の上に三角プリズム14を設けた
構成と言ってもよい。
【0047】図9に示すように、偏光膜2の上にはガラ
ス製の三角プリズム14が設けられている。レーザーダ
イオード1から射出された光が入射する三角プリズム1
4の端面16と、偏光膜4で反射された光が通る水晶プ
リズム3の端面17と、金属反射膜6で反射された光が
通るガラスプリズム5の端面18とは、同一平面を構成
している。レーザーダイオード1は取付部材15を介し
て支持部材9に取り付けられている。
ス製の三角プリズム14が設けられている。レーザーダ
イオード1から射出された光が入射する三角プリズム1
4の端面16と、偏光膜4で反射された光が通る水晶プ
リズム3の端面17と、金属反射膜6で反射された光が
通るガラスプリズム5の端面18とは、同一平面を構成
している。レーザーダイオード1は取付部材15を介し
て支持部材9に取り付けられている。
【0048】本実施例では、第三実施例と同様に、偏光
膜2の上に三角プリズム14が設けられているので、偏
光膜2の両側の媒体(水晶とガラス)の屈折率の差が前
述の実施例に比べて小さいので、所望の特性の偏光膜2
を形成するに必要な薄膜の層数が少なくて済む。
膜2の上に三角プリズム14が設けられているので、偏
光膜2の両側の媒体(水晶とガラス)の屈折率の差が前
述の実施例に比べて小さいので、所望の特性の偏光膜2
を形成するに必要な薄膜の層数が少なくて済む。
【0049】また、三角プリズム14の端面16と水晶
プリズム3の端面17とガラスプリズム5の端面18と
が同一平面になっている。これによりプリズム内を通る
光の光軸の向きを正確に設定することができる。三つの
端面16と17と18は、三角プリズム14と水晶プリ
ズム3とガラスプリズム5を貼り合わせた後で研磨する
ことによって容易に同一平面に作ることができる。これ
は、第一実施例では平面13を偏光膜2に対して所定の
角度で形成しなければならないことを考えると、その利
点が理解できよう。
プリズム3の端面17とガラスプリズム5の端面18と
が同一平面になっている。これによりプリズム内を通る
光の光軸の向きを正確に設定することができる。三つの
端面16と17と18は、三角プリズム14と水晶プリ
ズム3とガラスプリズム5を貼り合わせた後で研磨する
ことによって容易に同一平面に作ることができる。これ
は、第一実施例では平面13を偏光膜2に対して所定の
角度で形成しなければならないことを考えると、その利
点が理解できよう。
【0050】本実施例では、組立と加工が高い精度で容
易に行なえるので、前述の実施例と同等の光磁気ピック
アップがより安価に得られる。第四実施例の変形例を図
10に示す。この変形例では、図10に示すように、レ
ーザーダイオード1から射出された光の中で偏光膜2を
透過した光を受光するフォトダイオード31が設けられ
ている。第二実施例の第二の変形例の説明の箇所でも触
れたように、光磁気ピックアップでは、情報の記録再生
を行なう際にレーザーダイオード1の出力を細かく調整
する必要があり、このためレーザーダイオード1の出力
をモニターする必要がある。図10の構成によれば、フ
ォトダイオード31の出力に基づいてレーザーダイオー
ド1の出力が分かり、その出力を調整することができ
る。
易に行なえるので、前述の実施例と同等の光磁気ピック
アップがより安価に得られる。第四実施例の変形例を図
10に示す。この変形例では、図10に示すように、レ
ーザーダイオード1から射出された光の中で偏光膜2を
透過した光を受光するフォトダイオード31が設けられ
ている。第二実施例の第二の変形例の説明の箇所でも触
れたように、光磁気ピックアップでは、情報の記録再生
を行なう際にレーザーダイオード1の出力を細かく調整
する必要があり、このためレーザーダイオード1の出力
をモニターする必要がある。図10の構成によれば、フ
ォトダイオード31の出力に基づいてレーザーダイオー
ド1の出力が分かり、その出力を調整することができ
る。
【0051】以上、実施例に基づいて本発明について説
明したが、本発明は上述した実施例に限るものではな
く、発明の要旨を逸脱しない範囲において種々多くの変
形が可能である。
明したが、本発明は上述した実施例に限るものではな
く、発明の要旨を逸脱しない範囲において種々多くの変
形が可能である。
【0052】本発明の要旨をまとめると以下のように表
現できる。 (1) (図1と図4〜図10の構成が相当する) レーザー光源から射出された光を対物レンズを通して光
情報記録媒体に照射することにより情報の記録を行なう
とともに、その記録媒体からの反射光を光検出器により
検出することにより情報の再生やフォーカスエラー信号
およびトラッキングエラー信号の検出を行なう光磁気ピ
ックアップであり、互いに平行な第一の平面と第二の平
面を持ち、光路に沿って内部を横切る光の偏光面を45
度回転させる第一のプリズムと、S偏光を所定の割合で
反射し、P偏光を100%の割合で透過させる、第一の
プリズムの第一の平面に形成された第一の偏光膜と、S
偏光を100%の割合で反射し、P偏光を100%の割
合で透過させる、第一のプリズムの第二の平面に形成さ
れた第二の偏光膜と、第二の偏光膜に接して設けられた
第二のプリズムと、第一の偏光膜に向けて発散性の光を
射出するレーザー光源と、第一の偏光膜で反射された光
を光磁気ディスクに集光する対物レンズと、第一のプリ
ズムから射出される第一の射出光を受光する第一の光検
出器と、第二のプリズムから射出される第二の射出光を
受光する第二の光検出器とを備えている光磁気ピックア
ップ。
現できる。 (1) (図1と図4〜図10の構成が相当する) レーザー光源から射出された光を対物レンズを通して光
情報記録媒体に照射することにより情報の記録を行なう
とともに、その記録媒体からの反射光を光検出器により
検出することにより情報の再生やフォーカスエラー信号
およびトラッキングエラー信号の検出を行なう光磁気ピ
ックアップであり、互いに平行な第一の平面と第二の平
面を持ち、光路に沿って内部を横切る光の偏光面を45
度回転させる第一のプリズムと、S偏光を所定の割合で
反射し、P偏光を100%の割合で透過させる、第一の
プリズムの第一の平面に形成された第一の偏光膜と、S
偏光を100%の割合で反射し、P偏光を100%の割
合で透過させる、第一のプリズムの第二の平面に形成さ
れた第二の偏光膜と、第二の偏光膜に接して設けられた
第二のプリズムと、第一の偏光膜に向けて発散性の光を
射出するレーザー光源と、第一の偏光膜で反射された光
を光磁気ディスクに集光する対物レンズと、第一のプリ
ズムから射出される第一の射出光を受光する第一の光検
出器と、第二のプリズムから射出される第二の射出光を
受光する第二の光検出器とを備えている光磁気ピックア
ップ。
【0053】光磁気ディスクからの光は、第一の偏光膜
を通過する際に、記録情報を反映しているP偏光は10
0%透過するので信号光の損失がない。また、第一の偏
光膜を通過する際、記録情報に関係の無いS偏光は減少
するので、見かけ上のカー回転角が大きくなる。これに
より、質の高い信号を得ることのできる光磁気ピックア
ップが得られる。
を通過する際に、記録情報を反映しているP偏光は10
0%透過するので信号光の損失がない。また、第一の偏
光膜を通過する際、記録情報に関係の無いS偏光は減少
するので、見かけ上のカー回転角が大きくなる。これに
より、質の高い信号を得ることのできる光磁気ピックア
ップが得られる。
【0054】(2) (図1と図4〜図10の構成が相
当する) 前項(1)において、第二のプリズムは互いに平行な第
一の平面と第二の平面を有し、第二のプリズムの第一の
平面が第二の偏光膜に接しており、光磁気ピックアップ
は第二のプリズムの第二の平面に設けられた反射ミラー
を更に備えており、これにより第一の射出光と第二の射
出光は平行に射出される光磁気ピックアップ。
当する) 前項(1)において、第二のプリズムは互いに平行な第
一の平面と第二の平面を有し、第二のプリズムの第一の
平面が第二の偏光膜に接しており、光磁気ピックアップ
は第二のプリズムの第二の平面に設けられた反射ミラー
を更に備えており、これにより第一の射出光と第二の射
出光は平行に射出される光磁気ピックアップ。
【0055】(3) (図1と図4〜図10の構成が相
当する) 前項(2)において、第一の光検出器と第二の光検出器
は同一平面上に配置されており、これにより、第一の射
出光は第一の光検出器の後方に焦点を持ち、第二の射出
光は第二の光検出器の手前に焦点を持つ光磁気ピックア
ップ。
当する) 前項(2)において、第一の光検出器と第二の光検出器
は同一平面上に配置されており、これにより、第一の射
出光は第一の光検出器の後方に焦点を持ち、第二の射出
光は第二の光検出器の手前に焦点を持つ光磁気ピックア
ップ。
【0056】この構成により、フォーカスエラー信号を
ビームサイズ法により得られる。 (4) (図1、図9、図10の構成が相当する) 前項(3)において、第一のプリズムは第一の平面と第
二の平面を横切る第三の平面を有しており、第二のプリ
ズムは第一の平面を横切る第三の平面を有しており、第
一のプリズムの第三の平面と第二のプリズムの第三の平
面は、第一の光検出器と第二の光検出器が位置する平面
に平行な位置関係にある、同一平面を構成していて、第
一の射出光は第一のプリズムの第三の平面から垂直に射
出され、第二の射出光は第二のプリズムの第三の平面か
ら垂直に射出される光磁気ピックアップ。
ビームサイズ法により得られる。 (4) (図1、図9、図10の構成が相当する) 前項(3)において、第一のプリズムは第一の平面と第
二の平面を横切る第三の平面を有しており、第二のプリ
ズムは第一の平面を横切る第三の平面を有しており、第
一のプリズムの第三の平面と第二のプリズムの第三の平
面は、第一の光検出器と第二の光検出器が位置する平面
に平行な位置関係にある、同一平面を構成していて、第
一の射出光は第一のプリズムの第三の平面から垂直に射
出され、第二の射出光は第二のプリズムの第三の平面か
ら垂直に射出される光磁気ピックアップ。
【0057】(5) (図9と図10の構成が相当す
る) 前項(4)において、第一の偏光膜に接して設けられた
三角プリズムを更に備えている光磁気ピックアップ。
る) 前項(4)において、第一の偏光膜に接して設けられた
三角プリズムを更に備えている光磁気ピックアップ。
【0058】この構成により、第一の偏光膜の両側の媒
体の屈折率の差が小さくなるので、第一の偏光膜を構成
する薄膜の層数が少なくて済み、製造コストを低く抑え
ることができる。
体の屈折率の差が小さくなるので、第一の偏光膜を構成
する薄膜の層数が少なくて済み、製造コストを低く抑え
ることができる。
【0059】(6) (図9と図10の構成が相当す
る) 前項(5)において、レーザー光源から射出された光は
三角プリズムの入射面に垂直に入射し、三角プリズムの
入射面は、第一のプリズムの第三の平面と第二のプリズ
ムの第三の平面が作る平面上に位置している光磁気ピッ
クアップ。
る) 前項(5)において、レーザー光源から射出された光は
三角プリズムの入射面に垂直に入射し、三角プリズムの
入射面は、第一のプリズムの第三の平面と第二のプリズ
ムの第三の平面が作る平面上に位置している光磁気ピッ
クアップ。
【0060】第一のプリズムの第三の平面と第二のプリ
ズムの第三の平面と三角プリズムの入射面は同一平面に
あるので光学系の設計がしやすい。また、複数のプリズ
ムの端面を同一平面に形成することは、所定の角度に形
成するよりも容易に行なえ、製造コストも低くつく。
ズムの第三の平面と三角プリズムの入射面は同一平面に
あるので光学系の設計がしやすい。また、複数のプリズ
ムの端面を同一平面に形成することは、所定の角度に形
成するよりも容易に行なえ、製造コストも低くつく。
【0061】(7) (図10の構成が相当する) 前項(6)において、レーザー光源から射出され光のう
ち、第一の偏光膜を透過した光を受光する第三の光検出
器を更に備えている光磁気ピックアップ。
ち、第一の偏光膜を透過した光を受光する第三の光検出
器を更に備えている光磁気ピックアップ。
【0062】第三の光検出器の出力をモニターすること
により、レーザー光源の出力を知ることができ、その出
力を細かく調整することができる。 (8) (図4〜図8の構成が相当する) 前項(3)において、第二のプリズムの第一の平面は、
その一部が第二の偏光膜に接している光磁気ピックアッ
プ。
により、レーザー光源の出力を知ることができ、その出
力を細かく調整することができる。 (8) (図4〜図8の構成が相当する) 前項(3)において、第二のプリズムの第一の平面は、
その一部が第二の偏光膜に接している光磁気ピックアッ
プ。
【0063】(9) (図4〜図7の構成が相当する) 前項(8)において、第一の射出光は第一のプリズムの
第一の平面から射出され、第二の射出光は、第二の偏光
膜が接していない部分の第二のプリズムの第一の平面か
ら射出される光磁気ピックアップ。
第一の平面から射出され、第二の射出光は、第二の偏光
膜が接していない部分の第二のプリズムの第一の平面か
ら射出される光磁気ピックアップ。
【0064】第一の射出光と第二の射出光が出る射出面
をそれぞれ第一のプリズムと第二のプリズムに新たに加
工する必要がないので、製造コストを低く抑えることが
できる。
をそれぞれ第一のプリズムと第二のプリズムに新たに加
工する必要がないので、製造コストを低く抑えることが
できる。
【0065】(10) (図5の構成が相当する) 前項(9)において、第一の偏光膜は第一のプリズムの
第一の平面の一部に設けられており、第一の射出光は、
第一の偏光膜が設けられていない部分の第一のプリズム
の第一の平面から射出される光磁気ピックアップ。
第一の平面の一部に設けられており、第一の射出光は、
第一の偏光膜が設けられていない部分の第一のプリズム
の第一の平面から射出される光磁気ピックアップ。
【0066】第一の射出光は、第一の偏光膜を通らない
ので、第一の光検出器に入射する光の損失が少なくな
る。 (11) (図5の構成が相当する) 前項(10)において、第一の偏光膜が設けられていな
い部分の第一のプリズムの第一の平面に接して設けられ
た反射防止膜を更に備えている光磁気ピックアップ。
ので、第一の光検出器に入射する光の損失が少なくな
る。 (11) (図5の構成が相当する) 前項(10)において、第一の偏光膜が設けられていな
い部分の第一のプリズムの第一の平面に接して設けられ
た反射防止膜を更に備えている光磁気ピックアップ。
【0067】第一の射出光は、反射防止膜によって第一
のプリズムの第一の平面での反射が防止されるので、第
一の光検出器に入射する光の損失が更に少なくなる。 (12) (図6の構成が相当する) 前項(9)において、レーザー光源から射出された光の
うち、第一の偏光膜を透過した光を受光する第三の光検
出器を更に備えている光磁気ピックアップ。
のプリズムの第一の平面での反射が防止されるので、第
一の光検出器に入射する光の損失が更に少なくなる。 (12) (図6の構成が相当する) 前項(9)において、レーザー光源から射出された光の
うち、第一の偏光膜を透過した光を受光する第三の光検
出器を更に備えている光磁気ピックアップ。
【0068】第三の光検出器の出力をモニターすること
により、レーザー光源の出力を知ることができ、その出
力を細かく調整することができる。 (13) (図7の構成が相当する) 前項(9)において、対物レンズに入射されない光を予
め第一のプリズムに入射させないように、レーザー光源
から射出された光の広がり制限する手段が設けられると
ともにレーザー光源に対する第一のプリズムの端の位置
が選ばれている光磁気ピックアップ。
により、レーザー光源の出力を知ることができ、その出
力を細かく調整することができる。 (13) (図7の構成が相当する) 前項(9)において、対物レンズに入射されない光を予
め第一のプリズムに入射させないように、レーザー光源
から射出された光の広がり制限する手段が設けられると
ともにレーザー光源に対する第一のプリズムの端の位置
が選ばれている光磁気ピックアップ。
【0069】この構成により、プリズム内の迷光が少な
くなるので、更に質の高い信号が得られるようになる。 (14) (図8の構成が相当する) 前項(9)において、第一の偏光膜に接して設けられた
三角プリズムを更に備えている光磁気ピックアップ。
くなるので、更に質の高い信号が得られるようになる。 (14) (図8の構成が相当する) 前項(9)において、第一の偏光膜に接して設けられた
三角プリズムを更に備えている光磁気ピックアップ。
【0070】この構成により、第一の偏光膜の両側の媒
体の屈折率の差が小さくなるので、第一の偏光膜を構成
する薄膜の層数が少なくて済み、製造コストを低く抑え
ることができる。
体の屈折率の差が小さくなるので、第一の偏光膜を構成
する薄膜の層数が少なくて済み、製造コストを低く抑え
ることができる。
【0071】(15) (図8の構成が相当する) 前項(14)において、第一のプリズムは第一の平面と
第二の平面を横切る第三の平面を有し、第一の射出光は
第一のプリズムの第三の平面から射出され、第二のプリ
ズムは第一の平面と第二の平面を横切る第三の平面を有
し、第二の射出光は第二のプリズムの第三の平面から射
出される光磁気ピックアップ。第一の射出光は、第一の
偏光膜を通らないので、第一の光検出器に入射する光の
損失が少ない。
第二の平面を横切る第三の平面を有し、第一の射出光は
第一のプリズムの第三の平面から射出され、第二のプリ
ズムは第一の平面と第二の平面を横切る第三の平面を有
し、第二の射出光は第二のプリズムの第三の平面から射
出される光磁気ピックアップ。第一の射出光は、第一の
偏光膜を通らないので、第一の光検出器に入射する光の
損失が少ない。
【0072】
【発明の効果】本発明によれば、高品質の信号が得られ
る非常に小型で軽量な光磁気ピックアップが提供され
る。
る非常に小型で軽量な光磁気ピックアップが提供され
る。
【図1】本発明の第一実施例の光磁気ピックアップの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図2】図1の水晶プリズムの上面に形成された偏光膜
の作用を説明するための図である。
の作用を説明するための図である。
【図3】図1に示したフォトダイオードの構成を示す図
である。
である。
【図4】本発明の第二実施例の光磁気ピックアップの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図5】本発明の第二実施例の光磁気ピックアップの第
一の変形例を示す図である。
一の変形例を示す図である。
【図6】本発明の第二実施例の光磁気ピックアップの第
二の変形例を示す図である。
二の変形例を示す図である。
【図7】本発明の第二実施例の光磁気ピックアップの第
三の変形例を示す図である。
三の変形例を示す図である。
【図8】本発明の第三実施例の光磁気ピックアップの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図9】本発明の第四実施例の光磁気ピックアップの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図10】本発明の第四実施例の光磁気ピックアップの
変形例を示す図である。
変形例を示す図である。
1…レーザーダイオード、2…偏光膜、3…水晶プリズ
ム、4…偏光膜、5…ガラスプリズム、7…対物レン
ズ、11と12…フォトダイオード。
ム、4…偏光膜、5…ガラスプリズム、7…対物レン
ズ、11と12…フォトダイオード。
Claims (1)
- 【請求項1】 レーザー光源から射出された光を対物レ
ンズを通して光情報記録媒体に照射することにより情報
の記録を行なうとともに、その記録媒体からの反射光を
光検出器により検出することにより情報の再生やフォー
カスエラー信号およびトラッキングエラー信号の検出を
行なう光磁気ピックアップであり、 互いに平行な第一の平面と第二の平面を持ち、光路に沿
って内部を横切る光の偏光面を45度回転させる第一の
プリズムと、 S偏光を所定の割合で反射し、P偏光を100%の割合
で透過させる、第一のプリズムの第一の平面に形成され
た第一の偏光膜と、 S偏光を100%の割合で反射し、P偏光を100%の
割合で透過させる、第一のプリズムの第二の平面に形成
された第二の偏光膜と、 第二の偏光膜に接して設けられた第二のプリズムと、 第一の偏光膜に向けて発散性の光を射出するレーザー光
源と、 第一の偏光膜で反射された光を光磁気ディスクに集光す
る対物レンズと、 第一のプリズムから射出される第一の射出光を受光する
第一の光検出器と、 第二のプリズムから射出される第二の射出光を受光する
第二の光検出器とを備えている光磁気ピックアップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8962894A JPH07296438A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 光磁気ピックアップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8962894A JPH07296438A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 光磁気ピックアップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07296438A true JPH07296438A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13976031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8962894A Withdrawn JPH07296438A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 光磁気ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07296438A (ja) |
-
1994
- 1994-04-27 JP JP8962894A patent/JPH07296438A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010703 |