JPH0823072A

JPH0823072A - 半導体装置

Info

Publication number: JPH0823072A
Application number: JP15723394A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Yoshikawa; 芳徳吉川; Toshiharu Takaramoto; 敏治宝本; Kunihiko Goto; 邦彦後藤
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1994-07-08
Filing date: 1994-07-08
Publication date: 1996-01-23

Abstract

(57)【要約】【目的】少なくとも２個の抵抗が相互に接続された回
路を有する半導体装置に関し、各抵抗の端子の電位によ
って各抵抗の相対比が変化しないように構成されている
半導体装置を提供することを目的とする。【構成】少なくとも２個の抵抗が相互に接続されてい
る回路を有する半導体装置において、抵抗の非接続端の
端子は、抵抗を構成する拡散抵抗部２とこの拡散抵抗部
２を包囲する半導体部３との双方に接続されており、抵
抗の接続部の端子は、接続される双方の抵抗の拡散抵抗
部２に接続されており、接続される双方の抵抗の拡散抵
抗部２を包囲する半導体部３は相互に接続されている
が、抵抗の接続部の端子とは分離されているように構成
される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、少なくとも２個の抵抗
が相互に接続された回路を有する半導体装置に関する。

【０００２】近年、アナログ・デジタル混載ＬＳＩの応
用の拡大に伴い、アナログ回路の高精度化・低歪み特性
化が要求されている。そのため、複数の抵抗の相対比を
精度よく作成することが求められている。すなわち、抵
抗の端子の電圧の変化によって複数の抵抗の相対比が変
化しないものを作成することが求められている。

【０００３】

【従来の技術】図９と図１０とに、半導体装置上に形成
された２個の抵抗が相互に接続されている状態を示す。
図９（ａ）と図１０（ａ）は断面図を示し、図９（ｂ）
と図１０（ｂ）は平面図を示す。これらの図において、
２は拡散抵抗部であり、３は拡散抵抗部２を包囲する半
導体部である。拡散抵抗部２を包囲する半導体部３は、
図９においては、ウエル構造とすることによって分離さ
れており、また、図１０においては、底面に形成された
絶縁層６と側壁に形成された反対導電型の拡散層７とに
よって分離されている。

【０００４】２個の抵抗が相互に接続されていない非接
続端に設けられる端子Ａ・Ｃは、いずれの端子も拡散抵
抗部２のコンタクト４と拡散抵抗部２を包囲する半導体
部３のコンタクト５とに接続されており、また、２個の
抵抗が相互に接続される接続部に設けられる端子Ｂは、
２個の抵抗の拡散抵抗部２のコンタクト４と拡散抵抗部
２を包囲する半導体部３のコンタクト５とにそれぞれ接
続されている。

【０００５】これを回路図で示すと図１２のようにな
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図９において、例えば
端子Ａに０Ｖ、端子Ｃに５Ｖの電圧が印加されると、端
子Ａ・Ｂ間及び端子Ｂ・Ｃ間の拡散抵抗部２を包囲する
半導体部３に電位勾配が発生する。その結果、拡散抵抗
部２を包囲する半導体部３と半導体層１との間に電位差
が発生するが、この電位差は端子Ａ側では小さく、端子
Ｃ側では大きくなる。そのため、拡散抵抗部２を包囲す
る半導体部３の半導体層１との接合面に発生する空乏層
の幅は端子Ａ側で小さく、端子Ｃ側で大きくなる。この
結果、端子Ｂ・Ｃ間の拡散抵抗部２を包囲する半導体部
３の抵抗は端子Ａ・Ｂ間の拡散抵抗部２を包囲する半導
体部３の抵抗より大きくなる。図１２に示す回路図にお
いて、二つの拡散抵抗部２を包囲する半導体部３の抵抗
値が相違すると、たとえ二つの拡散抵抗部２の抵抗が等
しくても、端子Ａ・Ｂ間と端子Ｂ・Ｃ間の抵抗の相対比
は変化する。

【０００７】図１０においても同様であり、拡散抵抗部
２を包囲する半導体部３と分離用の反対導電型の拡散層
７との接合面の空乏層の幅が電位勾配に対応して不等に
変化し、端子Ａ・Ｂ間と端子Ｂ・Ｃ間の拡散抵抗部２を
包囲する半導体部３の抵抗が相違する。その結果、図９
の場合と同様に端子Ａ・Ｂ間と端子Ｂ・Ｃ間の抵抗の相
対比が変化する。

【０００８】本発明の目的は、この欠点を解消すること
にあり、複数の抵抗を接続した回路を有する半導体装置
において、各抵抗の端子の電位によって各抵抗の相対比
が変化しないように構成されている半導体装置を提供す
ることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的は、少なくと
も２個の抵抗が相互に接続されている回路を有する半導
体装置において、前記の抵抗の非接続端の端子は、前記
の抵抗を構成する拡散抵抗部２とこの拡散抵抗部２を包
囲する半導体部３との双方に接続されており、前記の抵
抗の接続部の端子は、接続される双方の抵抗の拡散抵抗
部２に接続されており、前記の接続される双方の抵抗の
前記の拡散抵抗部２を包囲する半導体部３は相互に接続
されるが、前記の抵抗の接続部の端子とは分離されてい
る半導体装置によって達成される。なお、前記の拡散抵
抗部２を包囲する半導体部３は、電気的に任意の電位が
与えられるように他の半導体部から分離されていること
が好ましく、その方法としては、前記の拡散抵抗部２を
包囲する半導体部３を、前記の拡散抵抗部２の導電型と
反対の導電型を有するウエル構造にするか、または、底
面を絶縁層６により分離し、側面を前記の拡散抵抗部２
を包囲する半導体部３の導電型と反対の導電型を有する
拡散層７により分離するとよい。

【００１０】なお、前記の少なくとも２個の拡散抵抗部
が一つの半導体部に包囲されている構造でもよく、ま
た、前記の少なくとも２個の拡散抵抗部が一体に形成さ
れ、この一体に形成された拡散抵抗部から少なくとも３
個の端子が取り出されている構造でもよく、また、前記
の少なくとも２個の拡散抵抗部がこの拡散抵抗部を包囲
する半導体部に形成された二つのコンタクト間を結ぶ線
と交叉する方向に併設されている構造でもよく、さらに
また、前記の拡散抵抗部が、屈曲部よりなり、この拡散
抵抗部を包囲する半導体部に形成された二つのコンタク
ト間に発生する電位勾配と同じ方向に電位勾配が発生す
るように屈曲されている構造でもよい。

【００１１】

【作用】図１と図２とにおいて、端子Ａ・Ｃ間に電圧が
印加された場合、拡散抵抗部２と拡散抵抗部２を包囲す
る半導体部３とにほゞ同じような電位勾配が発生するの
で、拡散抵抗部２と拡散抵抗部２を包囲する半導体部３
との接合面においては全領域にわたって電位差が殆ど発
生しない。したがって、この接合面の空乏層幅も全領域
にわたって殆ど変化しないので、拡散抵抗部２の抵抗値
は電圧が印加されてもほゞ一定に保たれる。一方、拡散
抵抗部２を包囲する半導体部３の抵抗値は従来例で述べ
たように、端子Ａ・Ｃ間に印加される電圧によって変化
するが、拡散抵抗部２を包囲する半導体部３を相互に接
続する配線は図１１に示すように端子Ｂに接続されてい
ないので、拡散抵抗部２を包囲する半導体部３の抵抗値
がたとえ変化しても端子Ａ・Ｂ間と端子Ｂ・Ｃ間の抵抗
相対比に影響を与えることがなく、相対比は一定に保た
れる。

【００１２】

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の八つの実施
例に係る抵抗の形状について説明する。

【００１３】第１例図１参照図１（ａ）は断面図であり、図１（ｂ）は平面図であ
る。図において、１は例えばｐ型半導体層であり、２は
ｐ型拡散抵抗部であり、３は拡散抵抗部２を包囲する半
導体部であり、ｎ型ウエルよりなっている。４はｐ型拡
散抵抗部２に形成されたコンタクトであり、５はｎ型ウ
エル３に形成されたコンタクトであり、８は配線であ
る。

【００１４】両端部の端子Ａ・Ｃはそれぞれ配線８を介
してｐ型拡散抵抗部２のコンタクト４とｎ型ウエル３の
コンタクト５とに接続され、中央の接続部の端子Ｂは、
配線８を介して左右二つのｐ型拡散抵抗部２のコンタク
ト４に接続されている。中央の接続部において、拡散抵
抗部２を包囲する二つの半導体部３のコンタクト５は配
線８を介して相互に接続されているが、端子Ｂとは分離
されている。

【００１５】第２例図２参照図２（ａ）は断面図であり、図２（ｂ）は平面図であ
る。図において、２は拡散抵抗部であり、３は拡散抵抗
部２を包囲する半導体部であり、６は絶縁層であり、７
は拡散抵抗部２を包囲する半導体部３と反対の導電型を
有する分離用拡散層である。配線の接続は第１例と同一
である。

【００１６】第３例図３参照図３（ａ）は断面図であり、図３（ｂ）は平面図であ
る。第１例における２個のウエル３を合体させて１個の
ウエル３とし、その中に２個の拡散抵抗部２を形成した
ものである。

【００１７】第４例図４参照図４（ａ）は断面図であり、図４（ｂ）は平面図であ
る。第３例における２個の拡散抵抗部２を合体して１個
とし、１個の拡散抵抗部２に端子Ａ・Ｂ・Ｃにそれぞれ
接続する３個のコンタクト４を形成したものである。

【００１８】第５例図５参照図５（ａ）は断面図であり、図５（ｂ）は平面図であ
る。第２例における２個の拡散抵抗部２を合体して１個
に形成し、１個の拡散抵抗部２に端子Ａ・Ｂ・Ｃにそれ
ぞれ接続する３個のコンタクト４を形成したものであ
る。

【００１９】第６例図６参照１個のウエル３内に複数（この図では５個）の拡散抵抗
部２が形成され、これらの拡散抵抗部２はウエル３に設
けられた２個のコンタクト５を結ぶ線と交わる方向、こ
の例においては直交する方向に併設されている。

【００２０】第７例図７参照１個のウエル３内に拡散抵抗部２が屈曲して形成されて
いる。この屈曲部に発生する電位の勾配がウエル３に形
成された２個のコンタクト５間に発生する電位の勾配と
反対方向になるような部位が発生しないように屈曲部が
形成されている。

【００２１】第８例図８参照本発明に係る抵抗を反転アンプに応用した場合の回路図
を図８に示す。図において、２は拡散抵抗部の抵抗であ
り、３は拡散抵抗部２を包囲する半導体部の抵抗であ
り、分圧点Ｐの分圧比は常に一定に保たれる。

【００２２】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る半導
体装置においては、二つの抵抗を相互に接続する接続部
においては、拡散抵抗部同士と拡散抵抗部を包囲する半
導体部同士とをそれぞれ別々に接続し、拡散抵抗部の接
続配線のみから端子を取り出しているので、各端子の電
位が変化しても各抵抗の抵抗比が変化することがなくな
って、精度の高い抵抗比を得ることができ、半導体装置
におけるアナログ回路の高精度化、低歪み化に寄与する
ところが大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る抵抗の構成図であ
る。

【図２】本発明の第２実施例に係る抵抗の構成図であ
る。

【図３】本発明の第３実施例に係る抵抗の構成図であ
る。

【図４】本発明の第４実施例に係る抵抗の構成図であ
る。

【図５】本発明の第５実施例に係る抵抗の構成図であ
る。

【図６】本発明の第６実施例に係る抵抗の構成図であ
る。

【図７】本発明の第７実施例に係る抵抗の構成図であ
る。

【図８】本発明に係る抵抗を反転アンプに応用した場合
の回路図である。

【図９】従来技術に係る抵抗の構成図である。

【図１０】従来技術に係る抵抗の構成図である。

【図１１】本発明に係る抵抗の回路図である。

【図１２】従来技術に係る抵抗の回路図である。

【符号の説明】

１半導体層２拡散抵抗部３拡散抵抗部を包囲する半導体部４拡散抵抗部に形成されたコンタクト５拡散抵抗部を包囲する半導体部に形成されたコン
タクト６絶縁層７分離用拡散層８配線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも２個の抵抗が相互に接続され
てなる回路を有する半導体装置において、前記抵抗の非接続端の端子は、前記抵抗を構成する拡散
抵抗部と該拡散抵抗部を包囲する半導体部との双方に接
続されてなり、前記抵抗の接続部の端子は、接続される双方の抵抗の拡
散抵抗部に接続されてなり、前記接続される双方の抵抗の前記拡散抵抗部を包囲する
半導体部は相互に接続され、前記抵抗の接続部の端子と
は分離されてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】前記拡散抵抗部を包囲する半導体部は、
電気的に任意の電位が与えられるように他の半導体部か
ら分離されてなることを特徴とする請求項１記載の半導
体装置。
【請求項３】前記拡散抵抗部を包囲する半導体部は、
前記拡散抵抗部の導電型と反対の導電型を有するウエル
よりなることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】前記拡散抵抗部を包囲する半導体部は、
底面が絶縁層により分離され、側面が前記拡散抵抗部を
包囲する半導体部の導電型と反対の導電型を有する拡散
層により分離されてなることを特徴とする請求項２記載
の半導体装置。
【請求項５】前記少なくとも２個の拡散抵抗部が一つ
の半導体部に包囲されてなることを特徴とする請求項
１、２、３、または、４記載の半導体装置。
【請求項６】前記少なくとも２個の拡散抵抗部が一体
に形成され、該一体に形成された拡散抵抗部から少なく
とも３個の端子が取り出されてなることを特徴とする請
求項１、２、３、または、４記載の半導体装置。
【請求項７】前記少なくとも２個の拡散抵抗部が該拡
散抵抗部を包囲する半導体部に形成された二つのコンタ
クト間を結ぶ線と交叉する方向に併設されてなることを
特徴とする請求項１、２、３、４、または、５記載の半
導体装置。
【請求項８】前記拡散抵抗部が、屈曲部よりなり、該
拡散抵抗部を包囲する半導体部に形成された二つのコン
タクト間に発生する電位勾配と同じ方向に電位勾配が発
生するように屈曲されてなることを特徴とする請求項
１、２、３、４、または、６記載の半導体装置。