JPH02304964A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH02304964A JPH02304964A JP12575789A JP12575789A JPH02304964A JP H02304964 A JPH02304964 A JP H02304964A JP 12575789 A JP12575789 A JP 12575789A JP 12575789 A JP12575789 A JP 12575789A JP H02304964 A JPH02304964 A JP H02304964A
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- diffused
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- resistance
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は拡散抵抗を用いた半導体集積回路装置に関し、
特に拡散抵抗を直列に接続して電圧を分圧する半導体集
積回路装置に関する。
特に拡散抵抗を直列に接続して電圧を分圧する半導体集
積回路装置に関する。
従来、同一の半導体基板に複数個の拡散抵抗を構成する
構造を第４図に示す。図において、１はＮ型半導体基板
、２はこのＮ型半導体基板１に形成したＰウェルであり
、このＰウェル２内にＮ型不純物を拡散させた２つの拡
散抵抗３，４を形成している。この構成では、基板電位
Ｖ ｓ ｕ ｂが変動しても、Ｐウェル２の電位が固定
なため、拡散抵抗３．４の空乏層の広がりは一定となり
、拡散抵抗３．４の抵抗値は一定に保持される。
構造を第４図に示す。図において、１はＮ型半導体基板
、２はこのＮ型半導体基板１に形成したＰウェルであり
、このＰウェル２内にＮ型不純物を拡散させた２つの拡
散抵抗３，４を形成している。この構成では、基板電位
Ｖ ｓ ｕ ｂが変動しても、Ｐウェル２の電位が固定
なため、拡散抵抗３．４の空乏層の広がりは一定となり
、拡散抵抗３．４の抵抗値は一定に保持される。
［発明が解決しようとする課題］
上述した従来の拡散抵抗を利用して電圧を分圧する場合
、例えば第３図に示すように、拡散抵抗３．４を用いて
電圧■。を１／２ＶＤＤに分圧する際には、第４図に併
せて示すように、拡散抵抗３゜４を直列に接続し、その
一端に電圧■。を、他端を接地し、拡散抵抗３，４の接
続点ａから分圧を取り出している。
、例えば第３図に示すように、拡散抵抗３．４を用いて
電圧■。を１／２ＶＤＤに分圧する際には、第４図に併
せて示すように、拡散抵抗３゜４を直列に接続し、その
一端に電圧■。を、他端を接地し、拡散抵抗３，４の接
続点ａから分圧を取り出している。
しかしながら、従来の構成では、１つのＰウェル２内に
拡散抵抗３，４をそれぞれ形成しているため、上述した
配線接続では、拡散抵抗３．４にそれぞれ加えられる電
圧とＰウェル２との間の電位差に差が生じ、拡散抵抗３
，４の各空乏層３ｄ１゜４ｄＬの広がりが相違されるこ
とになる。このため、抵抗値Ｒ，，Ｒ，が相違され、ａ
点の分圧を正しく１／２・■。にすることができなくな
る。
拡散抵抗３，４をそれぞれ形成しているため、上述した
配線接続では、拡散抵抗３．４にそれぞれ加えられる電
圧とＰウェル２との間の電位差に差が生じ、拡散抵抗３
，４の各空乏層３ｄ１゜４ｄＬの広がりが相違されるこ
とになる。このため、抵抗値Ｒ，，Ｒ，が相違され、ａ
点の分圧を正しく１／２・■。にすることができなくな
る。
これら拡散抵抗３．４の抵抗値Ｒ，，Ｒ，を等しくする
ためには各拡散抵抗３．４の長さを調整する必要がある
。しかしながら、この調整を行ってもＶＤＤが変動する
と、空乏層３ ｄＬ＋ ４ｄｌが変動し、抵抗値Ｒ，
，Ｒ，が相違してしまい、必ずしもを効ではない。
ためには各拡散抵抗３．４の長さを調整する必要がある
。しかしながら、この調整を行ってもＶＤＤが変動する
と、空乏層３ ｄＬ＋ ４ｄｌが変動し、抵抗値Ｒ，
，Ｒ，が相違してしまい、必ずしもを効ではない。
本発明は複数個の拡散抵抗の抵抗値を等しくして、所要
の分圧を得ることを可能にした半導体装置集積回路装置
を提供することを目的とする。
の分圧を得ることを可能にした半導体装置集積回路装置
を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
本発明の半導体集積回路装置は、半導体基板にはそれぞ
れ独立した複数個のウェルを形成し、これらウェル内に
それぞれ拡散抵抗を形成している。
れ独立した複数個のウェルを形成し、これらウェル内に
それぞれ拡散抵抗を形成している。
（作用〕
上述した構成では、各拡散抵抗においては、拡散層とウ
ェルとの間の電位差を等しくし、それぞれにおける空乏
層の広がりを等しくして抵抗値を等しくすることが可能
となる。
ェルとの間の電位差を等しくし、それぞれにおける空乏
層の広がりを等しくして抵抗値を等しくすることが可能
となる。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１実施例の断面図である。
図において、１はＮ型半導体基板であり、このＮ型半導
体基板ｌにはそれぞれ独立した複数個のＰウェル２Ａ、
２Ｂを形成している。そして、各Ｐウェル２Ａ、２Ｂに
はそれぞれＮ型不純物を拡散させた拡散層からなる拡散
抵抗３，４を形成している。
体基板ｌにはそれぞれ独立した複数個のＰウェル２Ａ、
２Ｂを形成している。そして、各Ｐウェル２Ａ、２Ｂに
はそれぞれＮ型不純物を拡散させた拡散層からなる拡散
抵抗３，４を形成している。
そして、この拡散抵抗３，４を用いて、第３図に示した
ようにｖｏの分圧を行うために、拡散抵抗３，４を直列
に接続し、一端を■。。に接続し、他端を接地し、拡散
抵抗３，４の接続点ａから１／２・■、。を取り出して
いる。但し、この配線に際しては、各拡散抵抗３．４の
低電位側をそれぞれＰウェル２Ａ、２Ｂに接続している
。
ようにｖｏの分圧を行うために、拡散抵抗３，４を直列
に接続し、一端を■。。に接続し、他端を接地し、拡散
抵抗３，４の接続点ａから１／２・■、。を取り出して
いる。但し、この配線に際しては、各拡散抵抗３．４の
低電位側をそれぞれＰウェル２Ａ、２Ｂに接続している
。
この構成によれば、各拡散抵抗３．４においては、いず
れも拡散抵抗３．４を構成する拡散層とＰウェル２Ａ、
２Ｂとの電位差が等しくなり、したがってそれぞれにお
ける空乏層３．い ４ｄｔの広がりが等しくなる。した
がって、各拡散抵抗３゜４の抵抗値Ｒｓ、Ｒａは等しく
なり、接続点８点の電位を正しく１／２・ＶＤＤとする
ことができる。
れも拡散抵抗３．４を構成する拡散層とＰウェル２Ａ、
２Ｂとの電位差が等しくなり、したがってそれぞれにお
ける空乏層３．い ４ｄｔの広がりが等しくなる。した
がって、各拡散抵抗３゜４の抵抗値Ｒｓ、Ｒａは等しく
なり、接続点８点の電位を正しく１／２・ＶＤＤとする
ことができる。
なお、この構成では■、。が変化されても各拡散抵抗３
．４の空乏層３４１４ ｄｌをそれぞれ等しくでき、抵
抗値Ｒ３，Ｒ４を等しく保持することができる。
．４の空乏層３４１４ ｄｌをそれぞれ等しくでき、抵
抗値Ｒ３，Ｒ４を等しく保持することができる。
第２図は本発明の第２実施例の断面図である。
この例では、電圧■、。を３つの拡散抵抗３．４゜５で
分圧する例を示しており、各拡散抵抗３，４゜５をそれ
ぞれ独立したＰウェル２Ａ、２Ｂ、２Ｃに形成している
。そして、拡散抵抗３，４．５を■Ｄｌ）と接地との間
に直列に接続し、ａ点又はｂ点 。
分圧する例を示しており、各拡散抵抗３，４゜５をそれ
ぞれ独立したＰウェル２Ａ、２Ｂ、２Ｃに形成している
。そして、拡散抵抗３，４．５を■Ｄｌ）と接地との間
に直列に接続し、ａ点又はｂ点 。
からそれぞれ分圧を得ている。
この場合にも、各拡散抵抗３，４．５の低電位側をそれ
ぞれＰウェル２Ａ、２Ｂ、２Ｃに接続することで、各拡
散抵抗における空乏層３ ａｔ、 ４ ｄｌ＋５□の
広がりを等しくし、各抵抗値Ｒ３、Ｒ−。
ぞれＰウェル２Ａ、２Ｂ、２Ｃに接続することで、各拡
散抵抗における空乏層３ ａｔ、 ４ ｄｌ＋５□の
広がりを等しくし、各抵抗値Ｒ３、Ｒ−。
Ｒ６を等しくすることが可能となる。
なお、前記各実施例ではＮ型半導体基板にＰウェルを形
成してＮ型拡散抵抗を形成した例を示したが、逆の導電
型で構成しても良いことは言うまでもない。但し、この
場合には■。の接続が逆になることは勿論である。
成してＮ型拡散抵抗を形成した例を示したが、逆の導電
型で構成しても良いことは言うまでもない。但し、この
場合には■。の接続が逆になることは勿論である。
以上説明したように本発明は、半導体基板に独立して設
けた複数個のウェルにそれぞれ拡散抵抗を形成している
ので、各拡散抵抗における拡散層とウェルとの間の電位
差を等しくしてその空乏層の広がりを等しくし、各拡散
抵抗の抵抗値を■。０の変動等に関わらず等しく保持す
ることができ、所要の分圧を得ることができる効果があ
る。
けた複数個のウェルにそれぞれ拡散抵抗を形成している
ので、各拡散抵抗における拡散層とウェルとの間の電位
差を等しくしてその空乏層の広がりを等しくし、各拡散
抵抗の抵抗値を■。０の変動等に関わらず等しく保持す
ることができ、所要の分圧を得ることができる効果があ
る。
第１図は本発明の第１実施例の断１面図、第２図は本発
明の第２実施例の断面図、第３図は分圧回路の回路図、
第４図は従来の拡散抵抗の断面図である。 １・・・Ｎ型半導体基板、２．２Ａ、、２Ｂ、２Ｃ・・
・Ｐウェル、３，４．５・・・拡散抵抗。
明の第２実施例の断面図、第３図は分圧回路の回路図、
第４図は従来の拡散抵抗の断面図である。 １・・・Ｎ型半導体基板、２．２Ａ、、２Ｂ、２Ｃ・・
・Ｐウェル、３，４．５・・・拡散抵抗。
Claims (1)
- １、同一半導体基板に複数個の拡散抵抗を形成した半導
体集積回路装置において、前記半導体基板にはそれぞれ
独立した複数個のウェルを形成し、これらウェル内にそ
れぞれ拡散抵抗を形成したことを特徴とする半導体集積
回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12575789A JPH02304964A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12575789A JPH02304964A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304964A true JPH02304964A (ja) | 1990-12-18 |
Family
ID=14918064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12575789A Pending JPH02304964A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02304964A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5416357A (en) * | 1991-12-17 | 1995-05-16 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
| JPH08204209A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Hitachi Ltd | 半導体複合センサ |
| JP2006284979A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| US8723294B2 (en) | 2010-10-20 | 2014-05-13 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Resistance element and inverting buffer circuit |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP12575789A patent/JPH02304964A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5416357A (en) * | 1991-12-17 | 1995-05-16 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
| JPH08204209A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Hitachi Ltd | 半導体複合センサ |
| JP2006284979A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| US8723294B2 (en) | 2010-10-20 | 2014-05-13 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Resistance element and inverting buffer circuit |
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