JPH08231269A - 高周波用誘電体磁器組成物 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH08231269A JPH08231269A JP7040727A JP4072795A JPH08231269A JP H08231269 A JPH08231269 A JP H08231269A JP 7040727 A JP7040727 A JP 7040727A JP 4072795 A JP4072795 A JP 4072795A JP H08231269 A JPH08231269 A JP H08231269A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- value
- range
- high frequency
- dielectric ceramic
- ceramic composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低損失で高周波特性に優れた高周波用誘電体
磁器組成物を提供する。 【構成】 本発明は、マイクロ波やミリ波などの高周波
領域で高いＱ値を有する高周波用誘電体磁器組成物に関
するものである。ここで、一般式は、（（ＭｇＯ）1-X
（ＴｉＯ2 ）X ）1-Y （ＳｎＯ2 ）Y である。また、Ｘ
の値は０．１≦Ｘ≦０．５５の範囲であり、かつ、Ｙの
値は０．００１≦Ｙ≦０．２の範囲である。得られた磁
器組成物は、ＳｎＯ2 を添加しない従来材料に比較して
高いＱ値を有している。
磁器組成物を提供する。 【構成】 本発明は、マイクロ波やミリ波などの高周波
領域で高いＱ値を有する高周波用誘電体磁器組成物に関
するものである。ここで、一般式は、（（ＭｇＯ）1-X
（ＴｉＯ2 ）X ）1-Y （ＳｎＯ2 ）Y である。また、Ｘ
の値は０．１≦Ｘ≦０．５５の範囲であり、かつ、Ｙの
値は０．００１≦Ｙ≦０．２の範囲である。得られた磁
器組成物は、ＳｎＯ2 を添加しない従来材料に比較して
高いＱ値を有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波（マイクロ波）
用誘電体磁器組成物に関し、特にマイクロ波やミリ波な
どの高周波領域で高いＱ値を有する高周波用誘電体磁器
組成物に関する。
用誘電体磁器組成物に関し、特にマイクロ波やミリ波な
どの高周波領域で高いＱ値を有する高周波用誘電体磁器
組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
高周波（マイクロ波）用の誘電体アンテナ、誘電体共振
器などのごとき電子デバイスの高周波化、高性能化にと
もないマイクロ波域で低損失である誘電体磁器組成物が
必要とされている。
高周波（マイクロ波）用の誘電体アンテナ、誘電体共振
器などのごとき電子デバイスの高周波化、高性能化にと
もないマイクロ波域で低損失である誘電体磁器組成物が
必要とされている。
【０００３】従来、この種の誘電体磁器組成物として
は、ＭｇＯ−ＴｉＯ2 系の誘電体磁器組成物が知られて
いる（エレクトロニクス・セラミクス １９８８、Ｖｏ
ｌ．１９、９２号）。例えば、ＭｇＯ：ＴｉＯ2 ＝１：
１（化学式ＭｇＴｉＯ3 ）の誘電 体磁器組成物では、
周波数ｆ＝５ＧＨｚにおいて、Ｑ＝２２０００の値が得
られ ている。
は、ＭｇＯ−ＴｉＯ2 系の誘電体磁器組成物が知られて
いる（エレクトロニクス・セラミクス １９８８、Ｖｏ
ｌ．１９、９２号）。例えば、ＭｇＯ：ＴｉＯ2 ＝１：
１（化学式ＭｇＴｉＯ3 ）の誘電 体磁器組成物では、
周波数ｆ＝５ＧＨｚにおいて、Ｑ＝２２０００の値が得
られ ている。
【０００４】しかし、最近では、マイクロ波域でさらに
高いＱを有する材料が要求されている。
高いＱを有する材料が要求されている。
【０００５】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであり、低損失で高周波特性に優れた高周波用誘電
体磁器組成物を提供することを目的とする。
ものであり、低損失で高周波特性に優れた高周波用誘電
体磁器組成物を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波用誘電体
磁器組成物は、一般式（（ＭｇＯ）1-X （Ｔｉ
Ｏ2 ） X ）1-Y （ＳｎＯ2 ）Y について、Ｘの値が０．
１≦Ｘ≦０．５５の範囲であり、かつ、Ｙの値が０．０
０１≦Ｙ≦０．２の範囲であるものである。
磁器組成物は、一般式（（ＭｇＯ）1-X （Ｔｉ
Ｏ2 ） X ）1-Y （ＳｎＯ2 ）Y について、Ｘの値が０．
１≦Ｘ≦０．５５の範囲であり、かつ、Ｙの値が０．０
０１≦Ｙ≦０．２の範囲であるものである。
【０００７】また、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
は、一般式（（ＭｇＯ）1-X （ＴｉＯ2 ）X ）1-Y （Ｓ
ｉＯ2 ）Y について、Ｘの値が０．１≦Ｘ≦０．５５の
範囲であり、かつ、Ｙの値が０．００１≦Ｙ≦０．２の
範囲であるものである。
は、一般式（（ＭｇＯ）1-X （ＴｉＯ2 ）X ）1-Y （Ｓ
ｉＯ2 ）Y について、Ｘの値が０．１≦Ｘ≦０．５５の
範囲であり、かつ、Ｙの値が０．００１≦Ｙ≦０．２の
範囲であるものである。
【０００８】
【作用】本発明の高周波用誘電体磁器組成物によれば、
一般式（（ＭｇＯ）1-X （ＴｉＯ2 ）X ）1-Y （ＳｎＯ
2 ）Y について、Ｘの値を０．１≦Ｘ≦０．５５の範囲
とし、かつ、Ｙの値を０．００１≦Ｙ≦０．２の範囲と
したので、ＳｎＯ2 を添加しない従来材料に比較して高
いＱ値を得ることができる。
一般式（（ＭｇＯ）1-X （ＴｉＯ2 ）X ）1-Y （ＳｎＯ
2 ）Y について、Ｘの値を０．１≦Ｘ≦０．５５の範囲
とし、かつ、Ｙの値を０．００１≦Ｙ≦０．２の範囲と
したので、ＳｎＯ2 を添加しない従来材料に比較して高
いＱ値を得ることができる。
【０００９】また、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
は、一般式（（ＭｇＯ）1-X （ＴｉＯ2 ）X ）1-Y （Ｓ
ｉＯ2 ）Y について、Ｘの値を０．１≦Ｘ≦０．５５の
範囲とし、かつ、Ｙの値を０．００１≦Ｙ≦０．２の範
囲としたので、上述の場合と同様に、ＳｉＯ2 を添加し
ない従来材料に比較して高いＱ値を得ることができる。
は、一般式（（ＭｇＯ）1-X （ＴｉＯ2 ）X ）1-Y （Ｓ
ｉＯ2 ）Y について、Ｘの値を０．１≦Ｘ≦０．５５の
範囲とし、かつ、Ｙの値を０．００１≦Ｙ≦０．２の範
囲としたので、上述の場合と同様に、ＳｉＯ2 を添加し
ない従来材料に比較して高いＱ値を得ることができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明高周波用誘電体磁器組成物の一
実施例について図１および図２を参照しながら説明す
る。
実施例について図１および図２を参照しながら説明す
る。
【００１１】まず、本例の高周波用誘電体磁器組成物の
製造工程を、図２を参照しながら説明する。最初の秤量
工程１では、高純度のＴｉＯ2 、ＭｇＯ、ＳｎＯ2 を所
望の組成からなる磁器組成物が得られるように秤量す
る。次に、１次混合工程２では、上述で秤量した組成物
をボールミルに入れ、１５時間湿式混合する。次に、乾
燥工程３では、上述の湿式混合で得られたスラリーを乾
燥機に入れ、１００℃で、２０時間乾燥する。次に、粉
砕工程４では、上述の乾燥工程３で得られたスラリーの
乾燥物を粉砕する。次に、仮焼工程５では、上述の粉砕
工程４で得られたスラリー乾燥物の粉末を仮焼する。こ
の仮焼は、焼成炉で１０００℃、５時間、酸素雰囲気中
で行う。次に、粉砕工程６では、上述の仮焼工程５で得
られた仮焼後の固体状態のセラミクスを粉砕する。次
に、２次混合工程７では、上述の粉砕工程６で得られた
粉体を、２次混合することにより粉末粒子径を調整す
る。次に、乾燥工程８では、上述の２次混合工程７で得
られた粉末を乾燥する。次に、造粒工程９では、上述の
乾燥工程８で得られた仮焼後の粉末に成形用バインダー
としてＰＶＡ１０％水溶液を１０％添加し、＃２８のふ
るいで分級し、これを造粒粉とする。次に、成形工程１
０では、上述の造粒工程９で得られた造粒粉を水分調整
して、プレス圧８．２ＭＰａ、加圧時間２００秒で加圧
成形を行う。最後に、焼成工程１１では、上述の成形工
程１０で得られた成形体を焼成炉に入れ、１２００〜１
３００℃の範囲の温度で、５時間、酸素雰囲気中で焼成
して磁器組成物（焼成セラミクス）を得る。
製造工程を、図２を参照しながら説明する。最初の秤量
工程１では、高純度のＴｉＯ2 、ＭｇＯ、ＳｎＯ2 を所
望の組成からなる磁器組成物が得られるように秤量す
る。次に、１次混合工程２では、上述で秤量した組成物
をボールミルに入れ、１５時間湿式混合する。次に、乾
燥工程３では、上述の湿式混合で得られたスラリーを乾
燥機に入れ、１００℃で、２０時間乾燥する。次に、粉
砕工程４では、上述の乾燥工程３で得られたスラリーの
乾燥物を粉砕する。次に、仮焼工程５では、上述の粉砕
工程４で得られたスラリー乾燥物の粉末を仮焼する。こ
の仮焼は、焼成炉で１０００℃、５時間、酸素雰囲気中
で行う。次に、粉砕工程６では、上述の仮焼工程５で得
られた仮焼後の固体状態のセラミクスを粉砕する。次
に、２次混合工程７では、上述の粉砕工程６で得られた
粉体を、２次混合することにより粉末粒子径を調整す
る。次に、乾燥工程８では、上述の２次混合工程７で得
られた粉末を乾燥する。次に、造粒工程９では、上述の
乾燥工程８で得られた仮焼後の粉末に成形用バインダー
としてＰＶＡ１０％水溶液を１０％添加し、＃２８のふ
るいで分級し、これを造粒粉とする。次に、成形工程１
０では、上述の造粒工程９で得られた造粒粉を水分調整
して、プレス圧８．２ＭＰａ、加圧時間２００秒で加圧
成形を行う。最後に、焼成工程１１では、上述の成形工
程１０で得られた成形体を焼成炉に入れ、１２００〜１
３００℃の範囲の温度で、５時間、酸素雰囲気中で焼成
して磁器組成物（焼成セラミクス）を得る。
【００１２】次に、上述の製造工程により得られた磁器
組成物について、Ｑ値と比誘電率εを測定した。以下
に、測定方法とその結果について説明する。まず、磁器
組成物を円柱形状に加工し、両端短絡法によりＱ値と共
振周波数ｆを測定した。ここで、測定周波数は３．５〜
３．８ＧＨｚの範囲とした。
組成物について、Ｑ値と比誘電率εを測定した。以下
に、測定方法とその結果について説明する。まず、磁器
組成物を円柱形状に加工し、両端短絡法によりＱ値と共
振周波数ｆを測定した。ここで、測定周波数は３．５〜
３．８ＧＨｚの範囲とした。
【００１３】上述の方法で測定したＱ値の結果は、図１
および表１に示すとおりである。
および表１に示すとおりである。
【００１４】
【表１】
【００１５】図１および表１に見られるように、磁器組
成物の組成を（（ＭｇＯ）1-X （ＴｉＯ2 ）X ）
1-Y （ＳｎＯ2 ）Y で表したとき、Ｘの範囲を０．１≦
Ｘ≦０．６とし、Ｙの範囲を０．０≦Ｙ≦０．３として
Ｑ値を測定した。その結果、Ｘ＝０．１の場合、Ｙ＝
０．０のときはＱ値が１７０００であるのに対して、Ｙ
＝０．００１〜０．２のときはＱ値が２１０００〜４０
０００と非常に高い値が得られた。また、Ｘ＝０．２の
場合、Ｙ＝０．０のときはＱ値が２１０００であるのに
対して、Ｙ＝０．００１〜０．２のときはＱ値が３４０
００〜４５０００と非常に高い値が得られた。また、Ｘ
＝０．３の場合、Ｙ＝０．０のときはＱ値が２７０００
であるのに対して、Ｙ＝０．００１〜０．２のときはＱ
値が２８０００〜５００００と非常に高い値が得られ
た。同様の結果は、Ｘ＝０．４〜０．５５の範囲におい
ても確認された。さらに、Ｘが０．２≦Ｘ≦０．５５の
範囲で、かつ、Ｙが０．０２≦Ｙ≦０．１の範囲のとき
は、Ｑ値は３９０００〜５８０００と特に高い値が得ら
れた。
成物の組成を（（ＭｇＯ）1-X （ＴｉＯ2 ）X ）
1-Y （ＳｎＯ2 ）Y で表したとき、Ｘの範囲を０．１≦
Ｘ≦０．６とし、Ｙの範囲を０．０≦Ｙ≦０．３として
Ｑ値を測定した。その結果、Ｘ＝０．１の場合、Ｙ＝
０．０のときはＱ値が１７０００であるのに対して、Ｙ
＝０．００１〜０．２のときはＱ値が２１０００〜４０
０００と非常に高い値が得られた。また、Ｘ＝０．２の
場合、Ｙ＝０．０のときはＱ値が２１０００であるのに
対して、Ｙ＝０．００１〜０．２のときはＱ値が３４０
００〜４５０００と非常に高い値が得られた。また、Ｘ
＝０．３の場合、Ｙ＝０．０のときはＱ値が２７０００
であるのに対して、Ｙ＝０．００１〜０．２のときはＱ
値が２８０００〜５００００と非常に高い値が得られ
た。同様の結果は、Ｘ＝０．４〜０．５５の範囲におい
ても確認された。さらに、Ｘが０．２≦Ｘ≦０．５５の
範囲で、かつ、Ｙが０．０２≦Ｙ≦０．１の範囲のとき
は、Ｑ値は３９０００〜５８０００と特に高い値が得ら
れた。
【００１６】以上の結果から、ＸおよびＹの範囲につい
ては、次のことがいえる。まず、Ｘの値は、０．１≦Ｘ
≦０．５５の範囲であることが望ましく、またさらに、
０．２≦Ｘ≦０．５５の範囲であることがさらに望まし
い。ここで、Ｘの値をＸ＜０．１としなかったのは、こ
の範囲では焼結温度が高くなり好ましくないからであ
る。また、Ｘの値を０．５５＜Ｘとしなかったのは、こ
の範囲ではＱ値が低くなりすぎ実用に耐えないからであ
る。一方、Ｙの値は、０．００１≦Ｙ≦０．２の範囲の
であることが望ましく、またさらに、０．０２≦Ｙ≦
０．１の範囲であることがさらに望ましい。ここで、Ｙ
の値を Ｙ＜０．００１としなかったのは、この範囲で
はＳｎＯ２添加の効果が小さいためである。また、Ｙの
値を０．２＜Ｙとしなかったのは、こ の範囲ではＱ値
が下がり好ましくないからである。
ては、次のことがいえる。まず、Ｘの値は、０．１≦Ｘ
≦０．５５の範囲であることが望ましく、またさらに、
０．２≦Ｘ≦０．５５の範囲であることがさらに望まし
い。ここで、Ｘの値をＸ＜０．１としなかったのは、こ
の範囲では焼結温度が高くなり好ましくないからであ
る。また、Ｘの値を０．５５＜Ｘとしなかったのは、こ
の範囲ではＱ値が低くなりすぎ実用に耐えないからであ
る。一方、Ｙの値は、０．００１≦Ｙ≦０．２の範囲の
であることが望ましく、またさらに、０．０２≦Ｙ≦
０．１の範囲であることがさらに望ましい。ここで、Ｙ
の値を Ｙ＜０．００１としなかったのは、この範囲で
はＳｎＯ２添加の効果が小さいためである。また、Ｙの
値を０．２＜Ｙとしなかったのは、こ の範囲ではＱ値
が下がり好ましくないからである。
【００１７】表２は、磁器組成物の比誘電率εを測定し
た結果を示したものである。
た結果を示したものである。
【００１８】
【表２】
【００１９】表２からわかるように、比誘電率εの値は
１０〜１８の範囲にあるので、この磁器組成物を電子デ
バイスとして用いた場合も、電子デバイスの小型を図る
のに十分である。
１０〜１８の範囲にあるので、この磁器組成物を電子デ
バイスとして用いた場合も、電子デバイスの小型を図る
のに十分である。
【００２０】以上のことから、本例による磁器組成物
は、ＳｎＯ2 を添加しない従来材料に比較して高いＱ値
を有している。すなわち、本例の磁器組成物は、マイク
ロ波域で 高いＱ値を得ることができ、この磁器組成物
を用いれば、低損失で高周波特性に 優れた誘電体素子
を得ることができる。
は、ＳｎＯ2 を添加しない従来材料に比較して高いＱ値
を有している。すなわち、本例の磁器組成物は、マイク
ロ波域で 高いＱ値を得ることができ、この磁器組成物
を用いれば、低損失で高周波特性に 優れた誘電体素子
を得ることができる。
【００２１】次に、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
の他の実施例について図３を参照しながら説明する。
の他の実施例について図３を参照しながら説明する。
【００２２】まず、本例の高周波用誘電体磁器組成物の
製造工程を図２を参照しながら説明する。最初の秤量工
程１では、高純度のＴｉＯ2 、ＭｇＯ、ＳｉＯ2 を所望
の組成からなる磁器組成物が得られるように秤量する。
これ以降の工程、すなわち１次混合工程２〜焼成工程１
１は、上述の実施例で述べた１次工程２〜焼成工程１１
と同様である。
製造工程を図２を参照しながら説明する。最初の秤量工
程１では、高純度のＴｉＯ2 、ＭｇＯ、ＳｉＯ2 を所望
の組成からなる磁器組成物が得られるように秤量する。
これ以降の工程、すなわち１次混合工程２〜焼成工程１
１は、上述の実施例で述べた１次工程２〜焼成工程１１
と同様である。
【００２３】次に、上述で得られた磁器組成物につい
て、Ｑ値と比誘電率εを測定した。測定方法は、上述の
実施例で述べた測定方法と同様である。
て、Ｑ値と比誘電率εを測定した。測定方法は、上述の
実施例で述べた測定方法と同様である。
【００２４】測定したＱ値の結果は、図３および表３に
示すとおりである。
示すとおりである。
【００２５】
【表３】
【００２６】図３および表３に見られるように、磁器組
成物の組成を（（ＭｇＯ）1-X （ＴｉＯ2 ）X ）
1-Y （ＳｉＯ2 ）Y で表したとき、Ｘの範囲を０．１≦
Ｘ≦０．６とし、Ｙの範囲を０．０≦Ｙ≦０．４として
Ｑ値を測定した。その結果、Ｘ＝０．１の場合、Ｙ＝
０．０のときはＱ値が１７０００であるのに対して、Ｙ
＝０．００１〜０．２のときはＱ値が２００００〜２３
０００と非常に高い値が得られた。また、Ｘ＝０．２の
場合、Ｙ＝０．０のときはＱ値が２１０００であるのに
対して、Ｙ＝０．００１〜０．２のときはＱ値が２２０
００〜３２０００と非常に高い値が得られた。また、Ｘ
＝０．３の場合、Ｙ＝０．０のときはＱ値が２７０００
であるのに対して、Ｙ＝０．００１〜０．２のときはＱ
値が３１０００〜４２０００と非常に高い値が得られ
た。同様の結果は、Ｘ＝０．４〜０．５５の範囲におい
ても確認された。さらに、Ｘが０．２≦Ｘ≦０．５５の
範囲で、かつ、Ｙが０．０２≦Ｙ≦０．２の範囲のとき
は、Ｑ値は２７０００〜５７０００と特に高い値が得ら
れた。
成物の組成を（（ＭｇＯ）1-X （ＴｉＯ2 ）X ）
1-Y （ＳｉＯ2 ）Y で表したとき、Ｘの範囲を０．１≦
Ｘ≦０．６とし、Ｙの範囲を０．０≦Ｙ≦０．４として
Ｑ値を測定した。その結果、Ｘ＝０．１の場合、Ｙ＝
０．０のときはＱ値が１７０００であるのに対して、Ｙ
＝０．００１〜０．２のときはＱ値が２００００〜２３
０００と非常に高い値が得られた。また、Ｘ＝０．２の
場合、Ｙ＝０．０のときはＱ値が２１０００であるのに
対して、Ｙ＝０．００１〜０．２のときはＱ値が２２０
００〜３２０００と非常に高い値が得られた。また、Ｘ
＝０．３の場合、Ｙ＝０．０のときはＱ値が２７０００
であるのに対して、Ｙ＝０．００１〜０．２のときはＱ
値が３１０００〜４２０００と非常に高い値が得られ
た。同様の結果は、Ｘ＝０．４〜０．５５の範囲におい
ても確認された。さらに、Ｘが０．２≦Ｘ≦０．５５の
範囲で、かつ、Ｙが０．０２≦Ｙ≦０．２の範囲のとき
は、Ｑ値は２７０００〜５７０００と特に高い値が得ら
れた。
【００２７】以上の結果から、ＸおよびＹの範囲につい
ては、次のことがいえる。まず、Ｘの値は、０．１≦Ｘ
≦０．５５の範囲であることが望ましく、またさらに、
０．２≦Ｘ≦０．５５の範囲であることがさらに望まし
い。ここで、Ｘの値をＸ＜０．１としなかったのは、こ
の範囲では焼結温度が高くなり好ましくないからであ
る。また、Ｘの値を０．５５＜Ｘとしなかったのは、こ
の範囲ではＱ値が低くなりすぎ実用に耐えないからであ
る。一方、Ｙの値は、０．００１≦Ｙ≦０．２の範囲の
であることが望ましく、またさらに０．０２≦Ｙ≦０．
２の範囲であることがさらに望ましい。ここで、Ｙの値
を Ｙ＜０．００１としなかったのは、この範囲ではＳ
ｉＯ2添加の効果が小さいためである。また、Ｙの値を
０．２＜Ｙとしなかったのは、こ の範囲ではＱ値が下
がり好ましくないからである。
ては、次のことがいえる。まず、Ｘの値は、０．１≦Ｘ
≦０．５５の範囲であることが望ましく、またさらに、
０．２≦Ｘ≦０．５５の範囲であることがさらに望まし
い。ここで、Ｘの値をＸ＜０．１としなかったのは、こ
の範囲では焼結温度が高くなり好ましくないからであ
る。また、Ｘの値を０．５５＜Ｘとしなかったのは、こ
の範囲ではＱ値が低くなりすぎ実用に耐えないからであ
る。一方、Ｙの値は、０．００１≦Ｙ≦０．２の範囲の
であることが望ましく、またさらに０．０２≦Ｙ≦０．
２の範囲であることがさらに望ましい。ここで、Ｙの値
を Ｙ＜０．００１としなかったのは、この範囲ではＳ
ｉＯ2添加の効果が小さいためである。また、Ｙの値を
０．２＜Ｙとしなかったのは、こ の範囲ではＱ値が下
がり好ましくないからである。
【００２８】表４は、磁器組成物の比誘電率εを測定し
た結果を示したものである。
た結果を示したものである。
【００２９】
【表４】
【００３０】表４からわかるように、比誘電率εの値は
９〜１７の範囲にあるので、この磁器組成物を電子デバ
イスとして用いた場合も、電子デバイスの小型化を図る
のに十分な値である。
９〜１７の範囲にあるので、この磁器組成物を電子デバ
イスとして用いた場合も、電子デバイスの小型化を図る
のに十分な値である。
【００３１】以上のことから、本例による磁器組成物
は、上述の実施例と同様に、ＳｉＯ2を添加しない従来
材料に比較して高いＱ値を有している。すなわち、本例
の磁器組 成物は、マイクロ波域で高いＱ値を得ること
ができ、この磁器組成物を用いれば 、低損失で高周波
特性に優れた誘電体素子を得ることができる。
は、上述の実施例と同様に、ＳｉＯ2を添加しない従来
材料に比較して高いＱ値を有している。すなわち、本例
の磁器組 成物は、マイクロ波域で高いＱ値を得ること
ができ、この磁器組成物を用いれば 、低損失で高周波
特性に優れた誘電体素子を得ることができる。
【００３２】なお、本発明は上述の実施例に限らず本発
明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成を採り得
ることはもちろんである。
明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成を採り得
ることはもちろんである。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＳｎＯ2 またはＳｉＯ2 を添加しない従来材料に比較し
て、高いＱ値を有する磁器組成物を得ることができる。
すなわち、本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、マイ
クロ波域で高いＱ値を得ることができ、この磁器組成物
を用いれば、低損失で高周波特性に優れた誘電体素子を
得ることができる。
ＳｎＯ2 またはＳｉＯ2 を添加しない従来材料に比較し
て、高いＱ値を有する磁器組成物を得ることができる。
すなわち、本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、マイ
クロ波域で高いＱ値を得ることができ、この磁器組成物
を用いれば、低損失で高周波特性に優れた誘電体素子を
得ることができる。
【図１】Ｑ値に対するＳｎＯ2 の添加の効果を示したグ
ラフである。
ラフである。
【図２】磁器組成物の製造についての工程図である。
【図３】Ｑ値に対するＳｉＯ2 の添加の効果を示したグ
ラフである。
ラフである。
Claims (4)
- 【請求項１】 一般式（（ＭｇＯ）1-X （Ｔｉ
Ｏ2 ）X ）1-Y （ＳｎＯ2 ）Y について、 Ｘの値が、０．１≦Ｘ≦０．５５の範囲であり、 かつ、Ｙの値が、０．００１≦Ｙ≦０．２の範囲である
ことを特徴とする高周波用誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 Ｘの値が、０．２≦Ｘ≦０．５５の範囲
であり、 かつ、Ｙの値が、０．００２≦Ｙ≦０．１の範囲である
ことを特徴とする請求項１記載の高周波用誘電体磁器組
成物。 - 【請求項３】 一般式（（ＭｇＯ）1-X （Ｔｉ
Ｏ2 ）X ）1-Y （ＳｉＯ2 ）Y について、 Ｘの値が、０．１≦Ｘ≦０．５５の範囲であり、 かつ、Ｙの値が、０．００１≦Ｙ≦０．２の範囲である
ことを特徴とする高周波用誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 Ｘの値が、０．２≦Ｘ≦０．５５の範囲
であり、 かつ、Ｙの値が、０．００２≦Ｙ≦０．２の範囲である
ことを特徴とする請求項３記載の高周波用誘電体磁器組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7040727A JPH08231269A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7040727A JPH08231269A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08231269A true JPH08231269A (ja) | 1996-09-10 |
Family
ID=12588661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7040727A Pending JPH08231269A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08231269A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6069104A (en) * | 1998-06-12 | 2000-05-30 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Microwave dielectric porcelain composition |
-
1995
- 1995-02-28 JP JP7040727A patent/JPH08231269A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6069104A (en) * | 1998-06-12 | 2000-05-30 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Microwave dielectric porcelain composition |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0971457A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JPH08231269A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JPH11130528A (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体共振器 | |
| JP4131996B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体共振器 | |
| JP4303369B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体共振器 | |
| WO1996008019A1 (en) | Dielectric procelain composition and its manufacture | |
| JP4548876B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物およびこれを用いた誘電体共振器 | |
| JP2002187771A (ja) | 誘電体磁器およびこれを用いた誘電体共振器 | |
| JPH11130544A (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP3493316B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器 | |
| JPS6051201B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0873266A (ja) | 誘電体セラミクスの製造方法 | |
| JPH09100160A (ja) | 誘電体セラミックス | |
| JPH0729415A (ja) | 誘電体磁器及びアンテナ共用器 | |
| JP2687287B2 (ja) | マイクロ波用誘電体磁器組成物とその製造方法 | |
| JP3330024B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP4614485B2 (ja) | 誘電体共振器 | |
| JPH0873265A (ja) | 誘電体セラミクスの製造方法 | |
| JPS6054269B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH09169567A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP3322739B2 (ja) | マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP3347613B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH02239150A (ja) | マイクロ波用誘電体セラミックス | |
| JP2001151568A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物およびこれを用いた誘電体共振器 | |
| JPH09194255A (ja) | 誘電体セラミックスおよびその製造方法 |