JPH0971457A - 高周波用誘電体磁器組成物 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0971457A JPH0971457A JP7226623A JP22662395A JPH0971457A JP H0971457 A JPH0971457 A JP H0971457A JP 7226623 A JP7226623 A JP 7226623A JP 22662395 A JP22662395 A JP 22662395A JP H0971457 A JPH0971457 A JP H0971457A
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- Japan
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- high frequency
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- dielectric ceramic
- ceramic composition
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- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低損失で高周波特性に優れた高周波用誘電体
磁器組成物を提供する。 【解決手段】 本発明は、マイクロ波やミリ波などの高
周波領域で高いＱ値を有する高周波用誘電体磁器組成物
に関するものである。ここで、一般式は、（（ＭｇＯ）
1-X （ＴｉＯ2 ）X ）1-Y （ＭｎＯ）Y である。また、
Ｘの値は０．２≦Ｘ≦０．５５の範囲であり、かつ、Ｙ
の値は０．００２≦Ｙ≦０．０１の範囲である。得られ
た磁器組成物は、ＭｎＯを添加しない従来材料に比較し
て高いＱ値を有している。
磁器組成物を提供する。 【解決手段】 本発明は、マイクロ波やミリ波などの高
周波領域で高いＱ値を有する高周波用誘電体磁器組成物
に関するものである。ここで、一般式は、（（ＭｇＯ）
1-X （ＴｉＯ2 ）X ）1-Y （ＭｎＯ）Y である。また、
Ｘの値は０．２≦Ｘ≦０．５５の範囲であり、かつ、Ｙ
の値は０．００２≦Ｙ≦０．０１の範囲である。得られ
た磁器組成物は、ＭｎＯを添加しない従来材料に比較し
て高いＱ値を有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波（マイクロ
波）用誘電体磁器組成物に関し、特にマイクロ波やミリ
波などの高周波領域で高いＱ値を有する高周波用誘電体
磁器組成物に関する。
波）用誘電体磁器組成物に関し、特にマイクロ波やミリ
波などの高周波領域で高いＱ値を有する高周波用誘電体
磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
高周波（マイクロ波）用の誘電体アンテナ、誘電体共振
器などのごとき電子デバイスの高周波化、高性能化にと
もないマイクロ波域で低損失である誘電体磁器組成物が
必要とされている。
高周波（マイクロ波）用の誘電体アンテナ、誘電体共振
器などのごとき電子デバイスの高周波化、高性能化にと
もないマイクロ波域で低損失である誘電体磁器組成物が
必要とされている。
【０００３】従来、この種の誘電体磁器組成物として
は、ＭｇＯ−ＴｉＯ2 系の誘電体磁器組成物が知られて
いる（エレクトロニクス・セラミクス １９８８、Ｖｏ
ｌ．１９、９２号）。例えば、ＭｇＯ：ＴｉＯ2 ＝１：
１（化学式ＭｇＴｉＯ3 ）の誘電体磁器組成物では、周
波数ｆ＝５ＧＨｚにおいて、Ｑ＝２２０００の値が得ら
れている。
は、ＭｇＯ−ＴｉＯ2 系の誘電体磁器組成物が知られて
いる（エレクトロニクス・セラミクス １９８８、Ｖｏ
ｌ．１９、９２号）。例えば、ＭｇＯ：ＴｉＯ2 ＝１：
１（化学式ＭｇＴｉＯ3 ）の誘電体磁器組成物では、周
波数ｆ＝５ＧＨｚにおいて、Ｑ＝２２０００の値が得ら
れている。
【０００４】しかし、最近では、マイクロ波域でさらに
高いＱを有する材料が要求されている。
高いＱを有する材料が要求されている。
【０００５】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであり、低損失で高周波特性に優れた高周波用誘電
体磁器組成物を提供することを目的とする。
ものであり、低損失で高周波特性に優れた高周波用誘電
体磁器組成物を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波用誘電体
磁器組成物は、一般式（（ＭｇＯ）1-X （Ｔｉ
Ｏ2 ） X ）1-Y （ＭｎＯ）Y について、Ｘの値が０．２
≦Ｘ≦０．５５の範囲であり、かつ、Ｙの値が０．００
２≦Ｙ≦０．０１の範囲であるものである。
磁器組成物は、一般式（（ＭｇＯ）1-X （Ｔｉ
Ｏ2 ） X ）1-Y （ＭｎＯ）Y について、Ｘの値が０．２
≦Ｘ≦０．５５の範囲であり、かつ、Ｙの値が０．００
２≦Ｙ≦０．０１の範囲であるものである。
【０００７】また、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
は、一般式（（ＭｇＯ）1-X （ＴｉＯ2 ）X ）1-Y （Ｍ
ｎＯ）Y について、Ｘの値が０．３≦Ｘ≦０．５５の範
囲であり、かつ、Ｙの値が０．００２≦Ｙ≦０．００７
の範囲であるものである。
は、一般式（（ＭｇＯ）1-X （ＴｉＯ2 ）X ）1-Y （Ｍ
ｎＯ）Y について、Ｘの値が０．３≦Ｘ≦０．５５の範
囲であり、かつ、Ｙの値が０．００２≦Ｙ≦０．００７
の範囲であるものである。
【０００８】本発明の高周波用誘電体磁器組成物によれ
ば、一般式（（ＭｇＯ）1-X （ＴｉＯ2 ）X ）1-Y （Ｍ
ｎＯ）Y について、Ｘの値を０．２≦Ｘ≦０．５５の範
囲とし、かつ、Ｙの値を０．００２≦Ｙ≦０．０１の範
囲としたので、ＭｎＯを添加しない従来材料に比較して
高いＱ値を得ることができる。
ば、一般式（（ＭｇＯ）1-X （ＴｉＯ2 ）X ）1-Y （Ｍ
ｎＯ）Y について、Ｘの値を０．２≦Ｘ≦０．５５の範
囲とし、かつ、Ｙの値を０．００２≦Ｙ≦０．０１の範
囲としたので、ＭｎＯを添加しない従来材料に比較して
高いＱ値を得ることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明高周波用誘電体磁器
組成物の一実施例について図１および図２を参照しなが
ら説明する。
組成物の一実施例について図１および図２を参照しなが
ら説明する。
【００１０】まず、本例の高周波用誘電体磁器組成物の
製造工程を、図２を参照しながら説明する。最初の秤量
工程１では、高純度のＴｉＯ2 、ＭｇＯ、ＭｎＯを所望
の組成からなる磁器組成物が得られるように秤量する。
次に、１次混合工程２では、上述で秤量した組成物をボ
ールミルに入れ、１５時間湿式混合する。次に、乾燥工
程３では、上述の湿式混合で得られたスラリーを乾燥機
に入れ、１００℃で、２０時間乾燥する。次に、粉砕工
程４では、上述の乾燥工程３で得られたスラリーの乾燥
物を粉砕する。次に、仮焼工程５では、上述の粉砕工程
４で得られたスラリー乾燥物の粉末を仮焼する。この仮
焼は、焼成炉で１０００℃、５時間、酸素雰囲気中で行
う。次に、粉砕工程６では、上述の仮焼工程５で得られ
た仮焼後の固体状態のセラミクスを粉砕する。次に、２
次混合工程７では、上述の粉砕工程６で得られた粉体
を、２次混合することにより粉末粒子径を調整する。次
に、乾燥工程８では、上述の２次混合工程７で得られた
粉末を乾燥する。次に、造粒工程９では、上述の乾燥工
程８で得られた仮焼後の粉末に成形用バインダーとして
ＰＶＡ１０％水溶液を１０％添加し、＃２８のふるいで
分級し、これを造粒粉とする。次に、成形工程１０で
は、上述の造粒工程９で得られた造粒粉を水分調整し
て、プレス圧８．２ＭＰａ、加圧時間２００秒で加圧成
形を行う。最後に、焼成工程１１では、上述の成形工程
１０で得られた成形体を焼成炉に入れ、１２００〜１３
００℃の範囲の温度で、５時間、酸素雰囲気中で焼成し
て磁器組成物（焼成セラミクス）を得る。
製造工程を、図２を参照しながら説明する。最初の秤量
工程１では、高純度のＴｉＯ2 、ＭｇＯ、ＭｎＯを所望
の組成からなる磁器組成物が得られるように秤量する。
次に、１次混合工程２では、上述で秤量した組成物をボ
ールミルに入れ、１５時間湿式混合する。次に、乾燥工
程３では、上述の湿式混合で得られたスラリーを乾燥機
に入れ、１００℃で、２０時間乾燥する。次に、粉砕工
程４では、上述の乾燥工程３で得られたスラリーの乾燥
物を粉砕する。次に、仮焼工程５では、上述の粉砕工程
４で得られたスラリー乾燥物の粉末を仮焼する。この仮
焼は、焼成炉で１０００℃、５時間、酸素雰囲気中で行
う。次に、粉砕工程６では、上述の仮焼工程５で得られ
た仮焼後の固体状態のセラミクスを粉砕する。次に、２
次混合工程７では、上述の粉砕工程６で得られた粉体
を、２次混合することにより粉末粒子径を調整する。次
に、乾燥工程８では、上述の２次混合工程７で得られた
粉末を乾燥する。次に、造粒工程９では、上述の乾燥工
程８で得られた仮焼後の粉末に成形用バインダーとして
ＰＶＡ１０％水溶液を１０％添加し、＃２８のふるいで
分級し、これを造粒粉とする。次に、成形工程１０で
は、上述の造粒工程９で得られた造粒粉を水分調整し
て、プレス圧８．２ＭＰａ、加圧時間２００秒で加圧成
形を行う。最後に、焼成工程１１では、上述の成形工程
１０で得られた成形体を焼成炉に入れ、１２００〜１３
００℃の範囲の温度で、５時間、酸素雰囲気中で焼成し
て磁器組成物（焼成セラミクス）を得る。
【００１１】次に、上述の製造工程により得られた磁器
組成物について、Ｑ値と比誘電率εを測定した。以下
に、測定方法とその結果について説明する。まず、磁器
組成物を円柱形状に加工し、両端短絡法によりＱ値と共
振周波数ｆを測定した。ここで、測定周波数は３．５〜
３．８ＧＨｚの範囲とした。
組成物について、Ｑ値と比誘電率εを測定した。以下
に、測定方法とその結果について説明する。まず、磁器
組成物を円柱形状に加工し、両端短絡法によりＱ値と共
振周波数ｆを測定した。ここで、測定周波数は３．５〜
３．８ＧＨｚの範囲とした。
【００１２】上述の方法で測定したＱ値の結果は、図１
および表１に示すとおりである。
および表１に示すとおりである。
【００１３】
【表１】
【００１４】図１および表１に見られるように、磁器組
成物の組成を（（ＭｇＯ）1-X （ＴｉＯ2 ）X ）
1-Y （ＭｎＯ）Y で表したとき、Ｘの範囲を０．１≦Ｘ
≦０．６とし、Ｙの範囲を０．０≦Ｙ≦０．０４として
Ｑ値を測定した。その結果、Ｘ＝０．２の場合、Ｙ＝
０．０のときはＱ値が２１０００であるのに対して、Ｙ
＝０．００２〜０．０１のときはＱ値が２１０００〜２
６０００と高い値が得られた。また、Ｘ＝０．３の場
合、Ｙ＝０．０のときはＱ値が２７０００であるのに対
して、Ｙ＝０．００２〜０．０１のときはＱ値が２６０
００〜３１０００と高い値が得られた。また、Ｘ＝０．
４の場合、Ｙ＝０．０のときはＱ値が２９０００である
のに対して、Ｙ＝０．００２〜０．０１のときはＱ値が
２９０００〜４３０００と非常に高い値が得られた。同
様の結果は、Ｘ＝０．５〜０．５５の範囲においても確
認された。さらに、Ｘが０．３≦Ｘ≦０．５５の範囲
で、かつ、Ｙが０．００２≦Ｙ≦０．００７の範囲のと
きは、Ｑ値は２８０００〜５２０００と特に高い値が得
られた。またさらに、Ｘ＝０．５であり、かつ、Ｙ＝
０．００５の時はＱ値は５２０００と優れた特性を得る
ことができた。
成物の組成を（（ＭｇＯ）1-X （ＴｉＯ2 ）X ）
1-Y （ＭｎＯ）Y で表したとき、Ｘの範囲を０．１≦Ｘ
≦０．６とし、Ｙの範囲を０．０≦Ｙ≦０．０４として
Ｑ値を測定した。その結果、Ｘ＝０．２の場合、Ｙ＝
０．０のときはＱ値が２１０００であるのに対して、Ｙ
＝０．００２〜０．０１のときはＱ値が２１０００〜２
６０００と高い値が得られた。また、Ｘ＝０．３の場
合、Ｙ＝０．０のときはＱ値が２７０００であるのに対
して、Ｙ＝０．００２〜０．０１のときはＱ値が２６０
００〜３１０００と高い値が得られた。また、Ｘ＝０．
４の場合、Ｙ＝０．０のときはＱ値が２９０００である
のに対して、Ｙ＝０．００２〜０．０１のときはＱ値が
２９０００〜４３０００と非常に高い値が得られた。同
様の結果は、Ｘ＝０．５〜０．５５の範囲においても確
認された。さらに、Ｘが０．３≦Ｘ≦０．５５の範囲
で、かつ、Ｙが０．００２≦Ｙ≦０．００７の範囲のと
きは、Ｑ値は２８０００〜５２０００と特に高い値が得
られた。またさらに、Ｘ＝０．５であり、かつ、Ｙ＝
０．００５の時はＱ値は５２０００と優れた特性を得る
ことができた。
【００１５】以上の結果から、ＸおよびＹの範囲につい
ては、次のことがいえる。まず、Ｘの値は、０．２≦Ｘ
≦０．５５の範囲であることが望ましく、またさらに、
０．３≦Ｘ≦０．５５の範囲であることがさらに望まし
い。ここで、Ｘの値をＸ＜０．２としなかったのは、こ
の範囲ではＱ値が低くなりすぎ実用に耐えないからであ
る。また、Ｘの値を０．５５＜Ｘとしなかったのは、上
述の理由と同様、この範囲ではＱ値が低くなりすぎ実用
に耐えないからである。一方、Ｙの値は、０．００２≦
Ｙ≦０．０１の範囲であることが望ましく、またさら
に、０．００２≦Ｙ≦０．００７の範囲であることがさ
らに望ましい。ここで、Ｙの値を Ｙ＜０．００２とし
なかったのは、この範囲ではＭｎＯ添加の効果が小さい
ためである。また、Ｙの値を０．０１＜Ｙとしなかった
のは、この範囲ではＱ値が下がり好ましくないからであ
る。
ては、次のことがいえる。まず、Ｘの値は、０．２≦Ｘ
≦０．５５の範囲であることが望ましく、またさらに、
０．３≦Ｘ≦０．５５の範囲であることがさらに望まし
い。ここで、Ｘの値をＸ＜０．２としなかったのは、こ
の範囲ではＱ値が低くなりすぎ実用に耐えないからであ
る。また、Ｘの値を０．５５＜Ｘとしなかったのは、上
述の理由と同様、この範囲ではＱ値が低くなりすぎ実用
に耐えないからである。一方、Ｙの値は、０．００２≦
Ｙ≦０．０１の範囲であることが望ましく、またさら
に、０．００２≦Ｙ≦０．００７の範囲であることがさ
らに望ましい。ここで、Ｙの値を Ｙ＜０．００２とし
なかったのは、この範囲ではＭｎＯ添加の効果が小さい
ためである。また、Ｙの値を０．０１＜Ｙとしなかった
のは、この範囲ではＱ値が下がり好ましくないからであ
る。
【００１６】表２は、磁器組成物の比誘電率εを測定し
た結果を示したものである。
た結果を示したものである。
【００１７】
【表２】
【００１８】表２からわかるように、比誘電率εの値は
１０〜１７の範囲にあるので、この磁器組成物を電子デ
バイスとして用いた場合も、電子デバイスの小型を図る
のに十分である。
１０〜１７の範囲にあるので、この磁器組成物を電子デ
バイスとして用いた場合も、電子デバイスの小型を図る
のに十分である。
【００１９】以上のことから、本例による磁器組成物
は、ＭｎＯを添加しない従来材料に比較して高いＱ値を
有している。すなわち、本例の磁器組成物は、マイクロ
波域で高いＱ値を得ることができ、この磁器組成物を用
いれば、低損失で高周波特性に優れた誘電体素子を得る
ことができる。
は、ＭｎＯを添加しない従来材料に比較して高いＱ値を
有している。すなわち、本例の磁器組成物は、マイクロ
波域で高いＱ値を得ることができ、この磁器組成物を用
いれば、低損失で高周波特性に優れた誘電体素子を得る
ことができる。
【００２０】なお、本発明は上述の実施例に限らず本発
明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成を採り得
ることはもちろんである。
明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成を採り得
ることはもちろんである。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＭｎＯを添加しない従来材料に比較して、高いＱ値を有
する磁器組成物を得ることができる。すなわち、本発明
の高周波用誘電体磁器組成物は、マイクロ波域で高いＱ
値を得ることができ、この磁器組成物を用いれば、低損
失で高周波特性に優れた誘電体素子を得ることができ
る。
ＭｎＯを添加しない従来材料に比較して、高いＱ値を有
する磁器組成物を得ることができる。すなわち、本発明
の高周波用誘電体磁器組成物は、マイクロ波域で高いＱ
値を得ることができ、この磁器組成物を用いれば、低損
失で高周波特性に優れた誘電体素子を得ることができ
る。
【図１】Ｑ値に対するＭｎＯの添加の効果を示したグラ
フである。
フである。
【図２】磁器組成物の製造についての工程図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式（（ＭｇＯ）1-X （Ｔｉ
Ｏ2 ）X ）1-Y （ＭｎＯ）Y について、 Ｘの値が、０．２≦Ｘ≦０．５５の範囲であり、 かつ、Ｙの値が、０．００２≦Ｙ≦０．０１の範囲であ
ることを特徴とする高周波用誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 Ｘの値が、０．３≦Ｘ≦０．５５の範囲
であり、 かつ、Ｙの値が、０．００２≦Ｙ≦０．００７の範囲で
あることを特徴とする請求項１記載の高周波用誘電体磁
器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7226623A JPH0971457A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7226623A JPH0971457A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0971457A true JPH0971457A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=16848107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7226623A Pending JPH0971457A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0971457A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004168579A (ja) * | 2002-11-19 | 2004-06-17 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物及び誘電体共振器 |
| US6762142B2 (en) * | 2001-09-26 | 2004-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic and dielectric device |
| EP1433765A3 (en) * | 2002-12-25 | 2005-03-02 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device and their process of manufacturing |
-
1995
- 1995-09-04 JP JP7226623A patent/JPH0971457A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6762142B2 (en) * | 2001-09-26 | 2004-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic and dielectric device |
| JP2004168579A (ja) * | 2002-11-19 | 2004-06-17 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物及び誘電体共振器 |
| EP1433765A3 (en) * | 2002-12-25 | 2005-03-02 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device and their process of manufacturing |
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