JPH0873265A - 誘電体セラミクスの製造方法 - Google Patents
誘電体セラミクスの製造方法Info
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- JPH0873265A JPH0873265A JP6207728A JP20772894A JPH0873265A JP H0873265 A JPH0873265 A JP H0873265A JP 6207728 A JP6207728 A JP 6207728A JP 20772894 A JP20772894 A JP 20772894A JP H0873265 A JPH0873265 A JP H0873265A
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- dielectric ceramics
- dielectric
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造工程数を減らし、より安価に低損失の誘
電体セラミクスを得ることを目的とする。 【構成】 原料粉末の混合物を造粒して得られる造粒物
を加圧成形した後に焼成して製造するＭｇＴｉＯ3 −Ｃ
ａＴｉＯ3 系の誘電体セラミクスの製造方法であって、
焼成温度を１２８０℃〜１３２０℃の範囲で製造するよ
うにしたものである。
電体セラミクスを得ることを目的とする。 【構成】 原料粉末の混合物を造粒して得られる造粒物
を加圧成形した後に焼成して製造するＭｇＴｉＯ3 −Ｃ
ａＴｉＯ3 系の誘電体セラミクスの製造方法であって、
焼成温度を１２８０℃〜１３２０℃の範囲で製造するよ
うにしたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は例えば高周波（マイクロ
波）用の誘電体アンテナ、誘電体共振器等に使用して好
適な誘電体セラミクスの製造方法に関する。
波）用の誘電体アンテナ、誘電体共振器等に使用して好
適な誘電体セラミクスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
高周波（マイクロ波）用の誘電体アンテナ、誘電体共振
器等の如き電子デバイスの小型化、高周波化、高性能化
にともないマイクロ波域で高誘電率でかつ低損失である
誘電体セラミクスが必要とされている。
高周波（マイクロ波）用の誘電体アンテナ、誘電体共振
器等の如き電子デバイスの小型化、高周波化、高性能化
にともないマイクロ波域で高誘電率でかつ低損失である
誘電体セラミクスが必要とされている。
【０００３】従来、この高誘電率で低損失である誘電体
セラミクスとしてＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系の誘電
体セラミクスが知られている（エレクトロニクス・セラ
ミクス,1993,Vol.24,124号）。このＭｇＴｉＯ3 −Ｃａ
ＴｉＯ3 系の誘電体セラミクスの特性は誘電率ε＝２１
でＱｆ（Ｑ値に共振周波数ｆを乗算した値）＝５６００
０ＧＨｚである。
セラミクスとしてＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系の誘電
体セラミクスが知られている（エレクトロニクス・セラ
ミクス,1993,Vol.24,124号）。このＭｇＴｉＯ3 −Ｃａ
ＴｉＯ3 系の誘電体セラミクスの特性は誘電率ε＝２１
でＱｆ（Ｑ値に共振周波数ｆを乗算した値）＝５６００
０ＧＨｚである。
【０００４】この従来のＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系
の誘電体セラミクスの製造方法は、図３に示す如く、先
ずＴｉＯ2 ，ＭｇＯ，ＣａＣＯ3 の原料粉末を（Ｍｇ
0.95Ｃａ0.05）ＴｉＯ3 で示される組成に秤量し、ボー
ルミル等で１次混合し、その後乾燥し、これを粉砕す
る。これを１０００℃〜１２００℃の温度で仮焼し、こ
の仮焼後のセラミクスを再び粉砕しその後、これを２次
混合し、これを乾燥し、その後造粒する。この造粒した
ものにバインダー（ＰＶＡ）を添加し、加圧成形し、こ
の成形体を１４００℃〜１６００℃で焼成した。
の誘電体セラミクスの製造方法は、図３に示す如く、先
ずＴｉＯ2 ，ＭｇＯ，ＣａＣＯ3 の原料粉末を（Ｍｇ
0.95Ｃａ0.05）ＴｉＯ3 で示される組成に秤量し、ボー
ルミル等で１次混合し、その後乾燥し、これを粉砕す
る。これを１０００℃〜１２００℃の温度で仮焼し、こ
の仮焼後のセラミクスを再び粉砕しその後、これを２次
混合し、これを乾燥し、その後造粒する。この造粒した
ものにバインダー（ＰＶＡ）を添加し、加圧成形し、こ
の成形体を１４００℃〜１６００℃で焼成した。
【０００５】このようにして製造された従来のＭｇＴｉ
Ｏ3 −ＣａＴｉＯ3 系の誘電体セラミクスの特性は誘電
率ε＝２１で且つＱｆ＝５６０００ＧＨｚであった。
Ｏ3 −ＣａＴｉＯ3 系の誘電体セラミクスの特性は誘電
率ε＝２１で且つＱｆ＝５６０００ＧＨｚであった。
【０００６】斯る従来のＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系
の誘電体セラミクスの製造方法においては上述図３に示
す如く、製造工程数が比較的多く、それだけ時間と手数
を用し、それだけ製造される誘電体セラミクスが高価と
なる不都合があった。
の誘電体セラミクスの製造方法においては上述図３に示
す如く、製造工程数が比較的多く、それだけ時間と手数
を用し、それだけ製造される誘電体セラミクスが高価と
なる不都合があった。
【０００７】本発明は斯る点に鑑み、製造工程数を減ら
し、より安価な低損失の誘電体セラミクスを提供するこ
とを目的とする。
し、より安価な低損失の誘電体セラミクスを提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明誘電体セラミクス
の製造方法は例えば図１に示す如く原料粉末の混合物を
造粒して得られる造粒物を加圧成形した後に焼成して製
造するＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系の誘電体セラミク
スの製造方法であって、焼成温度を１２８０℃〜１３２
０℃の範囲で製造するようにしたものである。
の製造方法は例えば図１に示す如く原料粉末の混合物を
造粒して得られる造粒物を加圧成形した後に焼成して製
造するＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系の誘電体セラミク
スの製造方法であって、焼成温度を１２８０℃〜１３２
０℃の範囲で製造するようにしたものである。
【０００９】
【作用】本発明によれば従来製造工程に比し、仮焼しな
いので、それだけ製造工程数が少なくなると共に焼成温
度を１２８０℃〜１３２０℃としたので、従来と同様に
良好な低損失特性及び誘電率の誘電体セラミクスを得る
ことができる。
いので、それだけ製造工程数が少なくなると共に焼成温
度を１２８０℃〜１３２０℃としたので、従来と同様に
良好な低損失特性及び誘電率の誘電体セラミクスを得る
ことができる。
【００１０】
【実施例】以下図面を参照して本発明誘電体セラミクス
の製造方法の実施例につき説明する。先ず、本例におい
てはＴｉＯ2 ，ＭｇＯ，ＣａＣＯ3 の原料粉末を（Ｍｇ
0.95Ｃａ0.05）ＴｉＯ3 で示される組成に秤量し、これ
をボールミルで１５時間湿式混合する。
の製造方法の実施例につき説明する。先ず、本例におい
てはＴｉＯ2 ，ＭｇＯ，ＣａＣＯ3 の原料粉末を（Ｍｇ
0.95Ｃａ0.05）ＴｉＯ3 で示される組成に秤量し、これ
をボールミルで１５時間湿式混合する。
【００１１】その後、この混合物を乾燥機で１００℃、
２０時間乾燥し、これを粉砕する。この粉砕物に成形用
バインダーとしてＰＶＡ１０％水溶液を１０％添加し、
＃２８のふるいで分級し、これを造粒粉とする。
２０時間乾燥し、これを粉砕する。この粉砕物に成形用
バインダーとしてＰＶＡ１０％水溶液を１０％添加し、
＃２８のふるいで分級し、これを造粒粉とする。
【００１２】この造粒物を水分調整してプレス圧８．２
ＭＰａ、加圧時間２００秒で成形を行う。この成形体を
焼成炉を用いて、図２に示す如く焼成温度を１２５０
℃，１２７０℃，１２８０℃，１２９０℃，１３００
℃，１３１０℃，１３２０℃及び１３５０℃と変化し、
夫々焼成時間５時間、Ｏ2 雰囲気で焼成した。
ＭＰａ、加圧時間２００秒で成形を行う。この成形体を
焼成炉を用いて、図２に示す如く焼成温度を１２５０
℃，１２７０℃，１２８０℃，１２９０℃，１３００
℃，１３１０℃，１３２０℃及び１３５０℃と変化し、
夫々焼成時間５時間、Ｏ2 雰囲気で焼成した。
【００１３】この場合、焼成した誘電体セラミクスを直
径１９ｍｍ、厚さ７．６ｍｍの円柱に加工し、誘電体共
振器法により測定周波数３ＧＨｚ〜６ＧＨｚの範囲で共
振周波数ｆとそのＱ値を測定し、これからＱｆ値を算出
した。この結果を図２に示す。またこの誘電体セラミク
スの誘電率εは２１であった。
径１９ｍｍ、厚さ７．６ｍｍの円柱に加工し、誘電体共
振器法により測定周波数３ＧＨｚ〜６ＧＨｚの範囲で共
振周波数ｆとそのＱ値を測定し、これからＱｆ値を算出
した。この結果を図２に示す。またこの誘電体セラミク
スの誘電率εは２１であった。
【００１４】この図２の結果よりして、この焼成温度を
１２８０℃〜１３２０℃としたときにこのＱｆ値が従来
のＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系の誘電体セラミクスの
最高レベルの低損失特性であるＱｆ＝５５０００ＧＨｚ
であった。
１２８０℃〜１３２０℃としたときにこのＱｆ値が従来
のＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系の誘電体セラミクスの
最高レベルの低損失特性であるＱｆ＝５５０００ＧＨｚ
であった。
【００１５】以上述べた如く、本例によれば従来の誘電
体セラミクスの製造工程の仮焼工程を省略し、これに伴
う粉砕工程、２次混合工程、乾燥工程を削減でき、この
製造工程数を削減しただけ時間及び手数が少なくなりそ
れだけ安価に誘電体セラミクスを得ることができる利益
がある。
体セラミクスの製造工程の仮焼工程を省略し、これに伴
う粉砕工程、２次混合工程、乾燥工程を削減でき、この
製造工程数を削減しただけ時間及び手数が少なくなりそ
れだけ安価に誘電体セラミクスを得ることができる利益
がある。
【００１６】また本例によれば焼成温度を１２８０℃〜
１３２０℃としたのでＱｆ値の高い従来のＭｇＴｉＯ3
−ＣａＴｉＯ3 系の誘電体セラミクスの最高レベルの低
損失特性のものを得ることができる利益がある。
１３２０℃としたのでＱｆ値の高い従来のＭｇＴｉＯ3
−ＣａＴｉＯ3 系の誘電体セラミクスの最高レベルの低
損失特性のものを得ることができる利益がある。
【００１７】尚本発明は上述実施例に限ることなく本発
明の要旨を逸脱することなく、その他種々の構成が採り
得ることは勿論である。
明の要旨を逸脱することなく、その他種々の構成が採り
得ることは勿論である。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば仮焼を省略すると共に焼
成温度を１２８０℃〜１３２０℃としたので低損失特性
の誘電体セラミクスを製造工程数が削減される分だけ容
易且つ安価に得ることができる利益がある。
成温度を１２８０℃〜１３２０℃としたので低損失特性
の誘電体セラミクスを製造工程数が削減される分だけ容
易且つ安価に得ることができる利益がある。
【図１】本発明による製造工程を示す線図である。
【図２】本発明の説明に供する線図である。
【図３】従来の製造工程を示す線図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 原料粉末の混合物を造粒して得られる造
粒物を加圧成形した後に焼成して製造するＭｇＴｉＯ3
−ＣａＴｉＯ3 系の誘電体セラミクスの製造方法であっ
て、焼成温度を１２８０℃〜１３２０℃の範囲で製造す
るようにしたことを特徴とする誘電体セラミクスの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6207728A JPH0873265A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 誘電体セラミクスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6207728A JPH0873265A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 誘電体セラミクスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0873265A true JPH0873265A (ja) | 1996-03-19 |
Family
ID=16544564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6207728A Withdrawn JPH0873265A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 誘電体セラミクスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0873265A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108383520A (zh) * | 2018-02-02 | 2018-08-10 | 天津大学 | 一种超低损耗型MgTiO3基微波介质陶瓷的制备方法 |
-
1994
- 1994-08-31 JP JP6207728A patent/JPH0873265A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108383520A (zh) * | 2018-02-02 | 2018-08-10 | 天津大学 | 一种超低损耗型MgTiO3基微波介质陶瓷的制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040319 |