JPH08236541A - 高速バイポーラートランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡略化されたプロセスを用いたバイポーラ
ートランジスタ作製方法を得る。 【解決手段】 コレクター領域（１０２）の一部分を覆
ってベースリンク拡散源層（１１８）が形成される。ベ
ースリンク拡散源層はドーパント源として用いることが
でき、シリコンに対して選択的にエッチできる材料を含
む。ベースリンク拡散源層の少なくとも一端部分を覆っ
てベース電極が形成され、ベースリンク拡散源層の露出
部分が除去される。ベース電極（１１４）から外因性ベ
ース領域（１１０）が拡散され、ベースリンク拡散源層
からベースリンクアップ領域（１１２）が拡散される。
プロセスを続けることにより、真性ベース領域（１０
８）、エミッター領域（１２６）、およびエミッター電
極（１２４）が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は一般的に半導体構造
およびプロセスに関するものであって、更に詳細にはバ
イポーラートランジスタに関する。

【０００２】

【従来の技術】バイポーラートランジスタ（ＢＪＴ）は
半導体デバイス、特に高速動作および駆動電流の大きい
用途に広く用いられている。二重ポリシリコンＢＪＴ１
０が図１に示されている。ＢＪＴ１０のためのエリアは
フィールド酸化物１２によって分離されている。コレク
ター１４は１つの伝導形の高濃度にドープされたエピタ
キシャル層であり、ベース領域はそれとは逆の伝導形に
ドープされた領域１６および１８によって形成されてい
る。ドープされた領域１６は真性（ｉｎｔｒｉｎｓｉ
ｃ）ベース領域と呼ばれ、領域１８は外因性（ｅｘｔｒ
ｉｎｓｉｃ）ベース領域と呼ばれる。外因性ベース領域
１８はベース領域への接続のためのエリアを提供する。
ベース電極２０は第１のドープされたポリシリコン層を
含んでいる。エミッター領域２２はコレクターと同じ伝
導形にドープされた領域で、真性ベース領域１６の内側
に位置している。エミッター電極２４は第２のドープさ
れたポリシリコン層によって構成される。酸化物２６と
ベース−エミッター間のスペーサー２８とがエミッター
電極２４をベース電極２０から分離している。二重ポリ
シリコンＢＪＴは単一ポリシリコンのＢＪＴと比べて、
ベース抵抗が低いこと、および外因性の容量が小さいこ
との利点を有する。しかし、この特長は、活性なデバイ
スエリアからポリシリコンをエッチングして除去するこ
とや、高濃度にドープされたポリシリコン拡散源からベ
ースリンクアップ（ｌｉｎｋ−ｕｐ）ドーピング領域が
外へ拡散（アウトディフーズ）することに付随するもの
のような、付加的なプロセスの複雑さを受け入れること
と引き替えに得られるものである。

【０００３】図１のＢＪＴは典型的にはシリコン活性領
域（コレクター１４）およびフィールド酸化物１２を覆
ってドープされたポリシリコン層と酸化物層とを形成す
ることによって作製される。ポリシリコン層および酸化
物層がその後、図２に示すようにエッチされて、ベース
電極２０が形成される。しかし、ポリシリコンのエッチ
ングがシリコンの活性領域の直上において行われるため
に、過剰エッチングおよびシリコン活性領域１４の一部
除去が発生する。これはポリシリコンをシリコンと区別
して選択的にエッチングすることが困難であるためであ
る。この結果、非平坦な活性デバイス領域が生ずる。過
剰エッチング（オーバーエッチング）の程度を制御する
ことは困難であり、表面の荒れを引き起こし、また表面
に欠陥や不純物をもたらす。

【０００４】図３を参照すると、第１のポリシリコン層
（ベース電極２０）からの拡散によって外因性ベース領
域１８が形成される。ベースリンクアップ（外因性ベー
ス領域と真性ベース領域とをつなぐ領域）が、ベース電
極２０からのアウトディフュージョンによって形成され
る。次に真性ベース領域１６に対してイオン打ち込みが
施され、ベース−エミッター間のスペーサー２８が形成
される。低抵抗のベースリンクアップを得るための拡散
長は、過剰エッチの程度に依存して変化する。”過剰に
リンクされた（ｏｖｅｒｌｉｎｋｅｄ）”ベースはエミ
ッター−ベース間の接合の降伏電圧を減少させ、また”
リンクの不足した（ｕｎｄｅｒｌｉｎｋｅｄ）”ベース
は外因性ベースの抵抗を増大させる。更に、ベース電極
のシート抵抗値は、外因性ベース領域１８の深さを制御
するように調節されるべきである。次に、第２のドープ
されたポリシリコン層が形成され、それは引き続くエッ
チングによってエミッター電極２４となり、エミッター
電極２４からのドーパントの拡散によってエミッター領
域２２が形成される。

【０００５】

【発明の解決しようとする課題】二重ポリシリコンＢＪ
Ｔの特長は現状では上述のようなプロセスの複雑さによ
って相殺されている。従って、それらのプロセス上の複
雑さを低減できるＢＪＴ作製方法に対する需要が存在す
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】バイポーラートランジス
タおよびそれを作製するための方法をここに開示する。
コレクター領域の一部を覆ってベースリンク拡散源層が
形成される。ベースリンク拡散源層は、ドーパント源と
して使用でき、シリコンに対して選択的にエッチできる
材料を含む。ベースリンク拡散源層の少なくとも一端を
覆ってベース電極が形成され、ベースリンク拡散源層の
露出部分は除去される。ベース電極から外因性ベース領
域が拡散され、ベースリンクアップ領域がベースリンク
拡散源層から拡散される。その後プロセスを続けること
によって、真性ベース領域、エミッター領域、およびエ
ミッター電極が形成される。

【０００７】本発明の１つの特長は、エミッターのポリ
シリコン部のエッチング中に過剰エッチや損傷を起こさ
ない、バイポーラートランジスタ作製方法を提供するこ
とである。

【０００８】本発明の更に別の特長は、ベースリンクア
ップ拡散がベース電極ドーパント濃度に結びつかない、
バイポーラートランジスタ作製方法を提供することであ
る。

【０００９】本発明の更に別の１つの特長は、エミッタ
ーのポリシリコン部のエッチング中に過剰エッチや損傷
を起こさず、しかも従来の自己整合的なＢＪＴプロセス
と両立する、バイポーラートランジスタ作製方法を提供
することである。

【００１０】これらおよびその他の特長については、以
下の図面を参照した詳細な説明から当業者には明らかで
あろう。

【００１１】各図面において、特に断らない限り対応す
る部品には同じ参照符号が用いられている。

【００１２】

【発明の実施の形態】ここで本発明について、ＢｉＣＭ
ＯＳプロセスを用いて作製される二重ポリシリコンバイ
ポーラートランジスタ（ＢＪＴ）を取り上げて説明す
る。当業者には明らかなように、本発明はバイポーラー
プロセスおよびデバイスとならんで、その他のＢｉＣＭ
ＯＳプロセスおよびデバイスに対しても適用できる。

【００１３】本発明に従うＢＪＴ１００が図４に示され
ている。フィールド絶縁領域１０４が、他のＢＪＴ、Ｍ
ＯＳトランジスタ、ダイオード、および抵抗等の他のデ
バイス（図示されていない）からＢＪＴ１００を分離し
ている。領域１０２はコレクター領域である。当該分野
では適当なコレクター領域が数多く知られている。例え
ば、コレクター領域１０２は、１９９０年９月１８日付
けで発行され、テキサスインスツルメンツ社に譲渡され
た米国特許第４，９５８，２１３号に述べられているよ
うな低濃度にドープされたエピタキシャル層と埋め込み
コレクターを含むことができる。

【００１４】ベース領域１０６は真性ベース領域１０
８、外因性ベース領域１１０、およびベースリンクアッ
プ領域１１２から構成される。真性ベース領域１０８は
その内側にエミッター領域が位置することになる領域で
ある。外因性ベース領域１１０はベース領域１０６への
接続のためのエリアを提供する。ベースリンクアップ領
域１１２は外因性ベース領域１１０と真性ベース領域１
０８との間の低抵抗の接続を提供する。真性、外因性、
およびベースリンクアップの各領域（１０８、１１０、
および１１２）はすべて同じ伝導形を有する。例えば、
もしコレクター領域１０２がｎ形であれば、ベース領域
１０８、１１０、および１１２はｐ形である。逆に、も
しコレクター領域１０２がｐ形であれば、ベース領域１
０８、１１０、および１１２はｎ形である。

【００１５】ベース電極１１４は、ドープされたポリシ
リコンを含み、外因性ベース領域１１０へつながってい
る。ベース電極１１４は外因性ベース領域１１０を形成
するためのドーパント源である。従って、ＮＰＮ型のＢ
ＪＴのためには、ベース電極１１４はｐ形にドープされ
る。逆に、ＰＮＰ型のＢＪＴのためには、ベース電極１
１４はｎ形にドープされる。ベース電極１１４のドーピ
ングはベース電極に対して所望の伝導度を与えるように
調節される。これと対照的に、従来技術では、低抵抗の
リンクアップ領域を提供するようにベース電極のドーピ
ング調節が要求される。ベース電極１１４はベースリン
クアップ領域１１２のためのドーパント源ではないの
で、ベース電極のドーパント濃度はベースリンクアップ
領域１１２の抵抗率とは切り離すことができる。

【００１６】ベースリンク拡散源層１１８がベース電極
１１４の一端の下側に位置しており、ベースリンクアッ
プ領域１１２のためのドーパント源となる。層１１８
は、ｎ形および／またはｐ形ドーパントのためのドーパ
ント源として働くことのでき、またシリコンに対して選
択的にエッチできる材料を含んでいる。それはまた、従
来の半導体プロセスと両立できるものでなければならな
い。例として、シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）の
他に、ホウケイ酸ガラス（ＢＳＧ）やリンケイ酸ガラス
（ＰＳＧ）のようなケイ酸ガラスが含まれる。

【００１７】ベース−エミッター間のスペーサー１２０
はエミッター領域１２６の両端と真性ベース領域１０８
の両端との間のスペーサーの役目を果たす。更に、ベー
ス−エミッター間のスペーサー１２０と誘電体層１２２
との組み合わせによってエミッター電極１２４とベース
電極１１４とが絶縁される。エミッター電極１２４はド
ープされたポリシリコンを含むことが好ましく、エミッ
ター領域１２６のためのドーパント源となっている。エ
ミッター電極１２４はベース電極１１４とは逆の伝導形
を有する。

【００１８】

【実施例】図５はコレクター領域１０２とフィールド絶
縁領域１０４とを形成した後の半導体基板１０１を示し
ている。コレクター領域１０２は当該分野で良く知られ
ているように、埋め込み層、エピタキシャル層、および
深いＮ＋コレクターシンクを含むことができる。本発明
に従って図５の構造中へＢＪＴ１００を作製することに
ついて以下に述べる。

【００１９】図６を参照すると、図５の構造を覆って５
００オングストロームオーダーの厚さにベースリンク拡
散源層１１８が堆積される。既に述べたように、ベース
リンク拡散源層１１８はシリコンに対して選択的にエッ
チできる材料を含み、後の工程で形成されるベースリン
クアップ領域のためのドーパント源として機能する。層
１１８が絶縁性であるか導電性であるかは重要でない。
ベースリンク拡散源層１１８は堆積時にドープされるの
が好ましいが、堆積後に打ち込みドープしてもよい。例
えば、ベースリンク拡散源層はＢＳＧ、ＰＳＧ、または
ドープされたＳｉＧｅを含むことができる。ベースリン
ク拡散源層１１８のドーパント濃度は、後に形成される
ベースリンクアップ領域の好ましい抵抗値によって決ま
る。次に、層１１８はパターン化され、例えばエミッタ
ーパターンの特大レプリカを用いてエッチされる。シリ
コンに対して高度に選択的なエッチング反応が好まし
い。適当なエッチ物質は本明細書を参照すれば当業者に
は明らかであろう。

【００２０】次に、ポリシリコンの第１層およびポリシ
リコン層間の誘電体層が、それぞれ２０００オングスト
ロームおよび３０００オングストロームのオーダーの厚
さに堆積される。ポリシリコンの第１層をその場ドープ
するか、あるいは堆積後に打ち込みドープすることによ
って、それらの間に低抵抗のベース電極１１４が形成さ
れる。次に、ポリシリコンの第１層とポリシリコン層間
の誘電体層とは図７に示すようにエッチされて、ベース
電極１１４とエミッター窓とが形成される。ポリシリコ
ン層間の誘電体層のエッチングはポリシリコンの手前で
停止し、ポリシリコンのエッチングはベースリンク拡散
源層１１８の手前で停止する。その結果、活性なエリア
は過剰エッチングおよび結晶損傷から保護されることに
なる。図７に示されたように、ベース電極１１４はベー
スリンク拡散源層１１８の端部と重なり合っている。重
なりの量は設計により変化するが、多くの場合０．２ミ
クロンのオーダーである。ベース電極１１４のパターン
は一端または複数端においてフィールド酸化物１０４と
重ならせてデバイス面積を減らすようにする。これによ
り、３つ以下の辺にベース領域へのコンタクトが残され
ることになる。

【００２１】次に図８に示すように、ベースリンク拡散
源層１１８の露出部分が除去される。例えば、選択的ド
ライエッチを用いることができる。しかし、このエッチ
ングはシリコンに対して高度に選択的である。そのた
め、シリコンの直上からポリシリコンをエッチングする
場合のような活性エリアに対する損傷を回避することが
できる。次にアニールサイクルが施される。このアニー
ルは、ベース電極１１４から外因性ベース領域１１０を
拡散させ、ベースリンク拡散源層１１８の残っている部
分からベースリンクアップ領域１１２を拡散させると同
時に、スクリーン酸化物１３０を成長させるために施さ
れる。その様子が図９に示されている。ベースリンクア
ップ領域１１２はベースリンク拡散源層１１８から拡散
されるため、ベースリンク拡散源層１１８のドーパント
濃度はベース電極１１４の抵抗値に影響を与えることな
く低抵抗のベースリンクアップ領域１１２を提供するよ
うに調節できる。界面におけるドーパントの表面濃度は
５×１０¹⁹／ｃｍ³ のオーダーであることが好ましい。

【００２２】続いて従来と同じようなプロセスを用いて
図４の構造が完成する。スクリーン酸化物１３０を通し
ての打ち込みと拡散とによって真性ベース領域１０８が
形成される。次に、ベース−エミッター間のスペーサー
１２０が形成されて、後に形成されるエミッター領域の
端部を真性ベース領域の端部から隔てる。ベース−エミ
ッター間のスペーサー１２０は、例えばシリコン二酸化
物を含むことができる。次に、ポリシリコンの第２層１
３２が２５００オングストロームのオーダーの厚さに堆
積される。ポリシリコン層１３２はその場ドープしても
よいし、堆積後に打ち込みでドープしてもよい。最後
に、第２のポリシリコン層がパターン化およびエッチさ
れてエミッター電極１２４が形成され、後に続く第２の
ポリシリコンのエッチングの前、または後に第２のポリ
シリコン層／エミッター電極からの拡散でエミッター領
域１２６が形成される。

【００２３】本発明は例示実施例に関して説明してきた
が、この説明は限定的な意図のものではない。本発明の
その他の実施例とともに、例示実施例に対する各種の修
正や組み合わせが可能であることを、本明細書を参考に
することによって当業者には明らかであろう。従って、
本発明の特許請求の範囲はそれらの実施例や修正をすべ
て包含するものと解釈されるべきである。

【００２４】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）バイポーラートランジスタを作製するための方法
であって、次の工程 コレクター領域を形成すること、前記コレクター領域の
一部分を覆ってベースリンク拡散源層を形成すること、
前記ベースリンク拡散源層の少なくとも一端を覆ってベ
ース電極を形成すること、前記少なくとも一端を除い
て、前記ベースリンク拡散源層を除去すること、および
前記ベース電極から外因性ベース領域を拡散させ、前記
ベースリンク層の少なくとも一端からベースリンクアッ
プ領域を拡散させることを含む方法。

【００２５】（２）第１項記載の方法であって、前記ベ
ースリンク拡散源層がケイ酸ガラスを含んでいる方法。

【００２６】（３）第１項記載の方法であって、前記ベ
ースリンク拡散源層がホウケイ酸ガラスを含んでいる方
法。

【００２７】（４）第１項記載の方法であって、前記ベ
ースリンク拡散源層がリンケイ酸ガラスを含んでいる方
法。

【００２８】（５）第１項記載の方法であって、前記ベ
ースリンク拡散源層がシリコン−ゲルマニウムを含んで
いる方法。

【００２９】（６）第１項記載の方法であって、前記ベ
ース電極を形成する工程が、次の工程前記コレクター領
域および前記ベースリンク拡散源層を覆ってポリシリコ
ンの第１層を堆積させること、および前記ベースリンク
拡散源層をエッチストップとして用いて前記ポリシリコ
ンの第１層をエッチして、前記ベース電極を形成するこ
と、を含んでいる方法。

【００３０】（７）第６項記載の方法であって、更に次
の工程 前記ポリシリコンの第１層を覆って誘電体層を形成する
こと、および前記ポリシリコンの第１層をエッチする前
記工程に先立って、前記ベースリンク拡散源層を覆う前
記誘電体層の一部分を除去するために前記誘電体層をエ
ッチングすること、を含んでいる方法。

【００３１】（８）第１項記載の方法であって、更に次
の工程 真性ベース領域を打ち込むこと、前記真性ベース領域を
覆ってエミッター電極を形成すること、および前記真性
ベース領域の内側にエミッター領域を形成すること、を
含む方法。

【００３２】（９）二重ポリシリコンバイポーラートラ
ンジスタを作製するための方法であって、次の工程 コレクター領域を形成すること、前記コレクター領域の
第１の部分を覆ってベースリンク拡散源層を形成するこ
と、前記コレクター領域および前記ベースリンク拡散源
層を覆ってポリシリコンの第１層を堆積させること、前
記ベースリンク拡散源層をエッチストップとして用いて
前記ポリシリコンの第１層をエッチし、前記ベースリン
ク拡散源層の少なくとも一端を覆うベース電極を形成す
ること、前記少なくとも一端の部分を除いて前記ベース
リンク拡散源層を除去し、前記第１の部分の内側に前記
コレクター領域の第２の部分を露出させること、および
前記ベース電極から外因性ベース領域を拡散させ、前記
ベースリンク層の少なくとも一端部分からベースリンク
アップ領域を拡散させること、を含む方法。

【００３３】（１０）第９項記載の方法であって、更に
次の工程 前記コレクター領域の前記第２の部分へ真性ベース領域
を打ち込むこと、前記ベース電極に隣接してベース−エ
ミッター間スペーサーを形成すること、前記真性ベース
領域と前記ベース−エミッター間スペーサーとを覆って
エミッター電極を形成すること、および前記真性ベース
領域の内側にエミッター領域を形成すること、を含む方
法。

【００３４】（１１）第９項記載の方法であって、前記
ベースリンク拡散源層がケイ酸ガラスを含んでいる方
法。

【００３５】（１２）第９項記載の方法であって、前記
ベースリンク拡散源層がホウケイ酸ガラスを含んでいる
方法。

【００３６】（１３）第９項記載の方法であって、前記
ベースリンク拡散源層がリンケイ酸ガラスを含んでいる
方法。

【００３７】（１４）第９項記載の方法であって、前記
ベースリンク拡散源層がシリコン−ゲルマニウムを含ん
でいる方法。

【００３８】（１５）バイポーラートランジスタであっ
て、コレクター領域、前記コレクター領域の内部の真性
ベース領域、前記コレクター領域の内部の外因性ベース
領域、前記コレクター領域の内部にあって、前記真性ベ
ース領域と前記外因性ベース領域との間のベースリンク
アップ領域、前記ベースリンクアップ領域の上のベース
リンク拡散源層、前記ベースリンク拡散源層および前記
外因性ベース領域を覆うベース電極、および前記真性ベ
ース領域の内側のエミッター領域、を含むバイポーラー
トランジスタ。

【００３９】（１６）第１５項記載のバイポーラートラ
ンジスタであって、前記ベースリンク拡散源層がケイ酸
ガラスを含んでいるバイポーラートランジスタ。

【００４０】（１７）第１５項記載のバイポーラートラ
ンジスタであって、前記ベースリンク拡散源層がホウケ
イ酸ガラスを含んでいるバイポーラートランジスタ。

【００４１】（１８）第１５項記載のバイポーラートラ
ンジスタであって、前記ベースリンク拡散源層がリンケ
イ酸ガラスを含んでいるバイポーラートランジスタ。

【００４２】（１９）第１５項記載のバイポーラートラ
ンジスタであって、前記ベースリンク拡散源層がシリコ
ン−ゲルマニウムを含んでいるバイポーラートランジス
タ。

【００４３】（２０）第１５項記載のバイポーラートラ
ンジスタであって、ポリシリコンの２つの層を含むバイ
ポーラートランジスタ。

【００４４】（２１）バイポーラートランジスタ１００
およびそれを作製するための方法。コレクター領域１０
２の一部分を覆ってベースリンク拡散源層１１８が形成
される。ベースリンク拡散源層１１８はドーパント源と
して用いることができ、シリコンに対して選択的にエッ
チできる材料を含む。ベースリンク拡散源層１１８の少
なくとも一端部分を覆ってベース電極１１４が形成さ
れ、ベースリンク拡散源層１１８の露出部分が除去され
る。ベース電極１１４から外因性ベース領域１１０が拡
散され、ベースリンク拡散源層１１８からベースリンク
アップ領域１１２が拡散される。プロセスを続けること
により、真性ベース領域１０８、エミッター領域１２
６、およびエミッター電極１２４が形成される。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来技術のＢＪＴの断面図。

【図２】図１に示した従来技術のＢＪＴの製造段階にお
ける断面図。

【図３】図１に示した従来技術のＢＪＴの製造段階にお
ける断面図。

【図４】本発明に従うＢＪＴの断面図。

【図５】図４に示したＢＪＴの製造段階における断面図
であって、コレクター層の上にフィールド酸化物絶縁領
域を作成した段階を示す断面図。

【図６】図４に示したＢＪＴの製造段階における断面図
であって、ベースリンク拡散源層をパターニングした段
階を示す断面図。

【図７】図４に示したＢＪＴの製造段階における断面図
であって、ベース電極およびエミッター用の窓を形成し
た段階を示す断面図。

【図８】図４に示したＢＪＴの製造段階における断面図
であって、露出したベースリンク拡散源層を除去した段
階を示す断面図。

【図９】図４に示したＢＪＴの製造段階における断面図
であって、アニールを施して各拡散を行い、スクリーン
酸化物が形成された段階を示す断面図。

【符号の説明】

１０ 二重ポリシリコン・バイポーラートランジスタ １２ フィールド酸化物 １４ コレクター １６ 真性ベース領域 １８ 外因性ベース領域 ２０ ベース電極 ２２ エミッター領域 ２４ エミッター電極 ２６ 酸化物領域 ２８ ベース−エミッター間スペーサー １００ ＢＪＴ １０２ コレクター領域 １０４ フィールド絶縁領域 １０６ ベース領域 １０８ 真性ベース領域 １１０ 外因性ベース領域 １１２ ベースリンクアップ領域 １１４ ベース電極 １１８ ベースリンク拡散源層 １２０ ベース−エミッター間スペーサー １２２ 誘電体層 １２４ エミッター電極 １２６ エミッター領域 １３０ スクリーン酸化物 １３２ 第２のポリシリコン層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 バイポーラートランジスタを作製するた
   めの方法であって、次の工程コレクター領域を形成する
   こと、 前記コレクター領域の一部分を覆ってベースリンク拡散
   源層を形成すること、 前記ベースリンク拡散源層の少なくとも一端を覆ってベ
   ース電極を形成すること、 前記少なくとも一端を除いて、前記ベースリンク拡散源
   層を除去すること、および前記ベース電極から外因性ベ
   ース領域を拡散させ、前記ベースリンク層の少なくとも
   一端からベースリンクアップ領域を拡散させることを含
   む方法。
2. 【請求項２】 バイポーラートランジスタであって、 コレクター領域、 前記コレクター領域の内部の真性ベース領域、 前記コレクター領域の内部の外因性ベース領域、 前記コレクター領域の内部にあって、前記真性ベース領
   域と前記外因性ベース領域との間のベースリンクアップ
   領域、 前記ベースリンクアップ領域の上のベースリンク拡散源
   層、 前記ベースリンク拡散源層および前記外因性ベース領域
   を覆うベース電極、および前記真性ベース領域の内側の
   エミッター領域、を含むバイポーラートランジスタ。