JPH08236885A - アルミニウムベース基材及び配線板 - Google Patents
アルミニウムベース基材及び配線板Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Landscapes
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】放熱特性に優れ、しかも簡単な工程で作製する
ことができるアルミニウムベース基材、及びかかる基材
を用いた配線板を提供する。 【構成】アルミニウムベース基材は、アルミニウム板又
はアルミニウム箔10から成り、窒素(酸素)低温プラ
ズマ法により厚さ0.01乃至100μmの窒化(酸
化)アルミニウムから成る絶縁層12,12A(14,
14A)がその表面に形成されている。あるいは又、ア
ルミニウム板又はアルミニウム箔10には、スルーホー
ル等を形成するための孔部16が設けられ、この孔部1
6の内壁に絶縁層12,12A(14,14A)が形成
されている。更に、配線板はこのようなアルミニウムベ
ース基材上に回路が形成されて成る。
ことができるアルミニウムベース基材、及びかかる基材
を用いた配線板を提供する。 【構成】アルミニウムベース基材は、アルミニウム板又
はアルミニウム箔10から成り、窒素(酸素)低温プラ
ズマ法により厚さ0.01乃至100μmの窒化(酸
化)アルミニウムから成る絶縁層12,12A(14,
14A)がその表面に形成されている。あるいは又、ア
ルミニウム板又はアルミニウム箔10には、スルーホー
ル等を形成するための孔部16が設けられ、この孔部1
6の内壁に絶縁層12,12A(14,14A)が形成
されている。更に、配線板はこのようなアルミニウムベ
ース基材上に回路が形成されて成る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、放熱特性に優れたアル
ミニウムベース基材、及びかかる基材を用いた配線板に
関する。
ミニウムベース基材、及びかかる基材を用いた配線板に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来、混成集積回路等の各種回路は、ア
ルミナ基材、金属基材、又はエポキシ樹脂やフッ素樹脂
等をベースにした樹脂基材上に形成されている。アルミ
ナ基材を用いて配線板を作製する場合、AgPd、A
g、Au、AuPt、Cu、W、Mo等の導電性ペース
トをスクリーン印刷法でアルミナ基材上に印刷して回路
導体パターンを形成した後、導電性ペーストを焼成した
り硬化させて回路導体を形成する。金属基材を用いて配
線板を作製する場合、絶縁層が形成された金属基材に電
解銅箔等の金属箔を積層し、所望のパターンに形成され
たエッチングレジストを用いて金属箔を化学エッチング
することにより、回路導体パターンを形成する。あるい
は又、絶縁層が形成された金属基材に、各種導電性ペー
ストを印刷するかアディティブ法による金属メッキを施
して、回路導体パターンを形成する。電解銅箔等の金属
箔が予め積層された樹脂基材を用いて配線板を作製する
場合、所望のパターンに形成されたエッチングレジスト
を用いて金属箔を化学エッチングすることにより、回路
導体パターンを形成する。その後、必要な電子部品をこ
れらの配線板に搭載し混成集積回路が完成する。
ルミナ基材、金属基材、又はエポキシ樹脂やフッ素樹脂
等をベースにした樹脂基材上に形成されている。アルミ
ナ基材を用いて配線板を作製する場合、AgPd、A
g、Au、AuPt、Cu、W、Mo等の導電性ペース
トをスクリーン印刷法でアルミナ基材上に印刷して回路
導体パターンを形成した後、導電性ペーストを焼成した
り硬化させて回路導体を形成する。金属基材を用いて配
線板を作製する場合、絶縁層が形成された金属基材に電
解銅箔等の金属箔を積層し、所望のパターンに形成され
たエッチングレジストを用いて金属箔を化学エッチング
することにより、回路導体パターンを形成する。あるい
は又、絶縁層が形成された金属基材に、各種導電性ペー
ストを印刷するかアディティブ法による金属メッキを施
して、回路導体パターンを形成する。電解銅箔等の金属
箔が予め積層された樹脂基材を用いて配線板を作製する
場合、所望のパターンに形成されたエッチングレジスト
を用いて金属箔を化学エッチングすることにより、回路
導体パターンを形成する。その後、必要な電子部品をこ
れらの配線板に搭載し混成集積回路が完成する。
【0003】最近では電子回路の高周波化、信号の高速
化、電子装置の軽薄短小化の要求から、電子回路を一層
高密度化することが不可欠である。これに対処するため
に、配線板における配線層の多層化が進められている
が、配線板の放熱対策が重大問題になっている。
化、電子装置の軽薄短小化の要求から、電子回路を一層
高密度化することが不可欠である。これに対処するため
に、配線板における配線層の多層化が進められている
が、配線板の放熱対策が重大問題になっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】セラミック材料を用い
て配線層を多層化した多層配線板を作製する方法には、
グリーンシート積層法、印刷積層法、厚膜積層法が挙げ
られるが、セラミック材料は加工性が低く、配線板の大
型化が困難である。更には、製造工程が複雑で、製造時
間が長く、製造コストが高いという問題がある。また、
例えば、窒化アルミナ粉末を用いてグリーンシート積層
法にて多層配線板を作製する場合、配線板作製のために
窒化アルミナ粉末に焼結剤を5〜10%添加しなければ
ならないが、焼結剤の添加によって配線板の熱伝導特性
が1/2〜1/5以下に低下するという問題があるし、
窒化アルミナは高価である。
て配線層を多層化した多層配線板を作製する方法には、
グリーンシート積層法、印刷積層法、厚膜積層法が挙げ
られるが、セラミック材料は加工性が低く、配線板の大
型化が困難である。更には、製造工程が複雑で、製造時
間が長く、製造コストが高いという問題がある。また、
例えば、窒化アルミナ粉末を用いてグリーンシート積層
法にて多層配線板を作製する場合、配線板作製のために
窒化アルミナ粉末に焼結剤を5〜10%添加しなければ
ならないが、焼結剤の添加によって配線板の熱伝導特性
が1/2〜1/5以下に低下するという問題があるし、
窒化アルミナは高価である。
【0005】樹脂基材を用いて配線板の配線層を多層化
することはセラミック材料を用いる場合に比べて比較的
容易であるが、樹脂基材から作製された配線板は、配線
板の放熱性が悪いという問題を有している。
することはセラミック材料を用いる場合に比べて比較的
容易であるが、樹脂基材から作製された配線板は、配線
板の放熱性が悪いという問題を有している。
【0006】放熱対策のために、金属ベース配線板、メ
タルコア配線板、ホーロー配線板、アルマイト配線板、
IMST配線板等の金属配線板が実用化されている。
タルコア配線板、ホーロー配線板、アルマイト配線板、
IMST配線板等の金属配線板が実用化されている。
【0007】金属ベース配線板は、図7の(A)に模式
的な一部断面図を示すように、アルミニウムや珪素鋼板
から成る金属基材と、銅箔のエッチング加工により形成
された回路と、銅箔を金属基材に接着するための接着剤
層から成る。金属ベース配線板は接着剤層を有している
ため、放熱特性に問題がある。また、スルーホール加工
が難しく、多層配線板を形成することが困難であるとい
う欠点を有する。
的な一部断面図を示すように、アルミニウムや珪素鋼板
から成る金属基材と、銅箔のエッチング加工により形成
された回路と、銅箔を金属基材に接着するための接着剤
層から成る。金属ベース配線板は接着剤層を有している
ため、放熱特性に問題がある。また、スルーホール加工
が難しく、多層配線板を形成することが困難であるとい
う欠点を有する。
【0008】メタルコア配線板は、図7の(B)に模式
的な一部断面図を示すように、鋼板から成る金属基材
と、銅箔のエッチング加工により形成された回路と、銅
箔を金属基材に接着するための接着剤層と、銅メッキ層
から成る。スルーホールの内壁にも接着剤層が形成され
ているので、銅メッキによるスルーホール加工を行うこ
とはできるが、接着剤層が存在するので、放熱特性が悪
いという問題を有する。
的な一部断面図を示すように、鋼板から成る金属基材
と、銅箔のエッチング加工により形成された回路と、銅
箔を金属基材に接着するための接着剤層と、銅メッキ層
から成る。スルーホールの内壁にも接着剤層が形成され
ているので、銅メッキによるスルーホール加工を行うこ
とはできるが、接着剤層が存在するので、放熱特性が悪
いという問題を有する。
【0009】ホーロー配線板は、図7の(C)に模式的
な一部断面図を示すように、鋼板から成る金属基材と、
ホーローエナメル層と、銅メッキにより形成された回路
から成る。スルーホールの内壁にもホーローエナメル層
が形成されているので、銅メッキによるスルーホール加
工を行うことができ、放熱特性も優れているが、スルー
ホール用孔部や金属基材の周辺でホーローが盛り上がる
という欠点を有し、それ故、細かい回路を形成すること
が困難である。また、ホーローエナメル層の形成工程は
複雑である。
な一部断面図を示すように、鋼板から成る金属基材と、
ホーローエナメル層と、銅メッキにより形成された回路
から成る。スルーホールの内壁にもホーローエナメル層
が形成されているので、銅メッキによるスルーホール加
工を行うことができ、放熱特性も優れているが、スルー
ホール用孔部や金属基材の周辺でホーローが盛り上がる
という欠点を有し、それ故、細かい回路を形成すること
が困難である。また、ホーローエナメル層の形成工程は
複雑である。
【0010】アルマイト配線板は、図7の(D)に模式
的な一部断面図を示すように、アルミニウムから成る金
属基材と、Al2O3/接着剤/Al2O3層と、アルミニ
ウム箔のエッチング加工により形成された回路と、メッ
キ層から成る。スルーホールの内壁には、例えば耐熱性
ポリアミド樹脂が電着されている。このアルマイト配線
板は、メッキによるスルーホール加工を行うことがで
き、放熱特性も優れているが、Al2O3/接着剤/Al
2O3層の形成、スルーホールの内壁への樹脂電着加工を
必要とし、製造工程が複雑になるという問題を有する。
的な一部断面図を示すように、アルミニウムから成る金
属基材と、Al2O3/接着剤/Al2O3層と、アルミニ
ウム箔のエッチング加工により形成された回路と、メッ
キ層から成る。スルーホールの内壁には、例えば耐熱性
ポリアミド樹脂が電着されている。このアルマイト配線
板は、メッキによるスルーホール加工を行うことがで
き、放熱特性も優れているが、Al2O3/接着剤/Al
2O3層の形成、スルーホールの内壁への樹脂電着加工を
必要とし、製造工程が複雑になるという問題を有する。
【0011】IMST(Insulated Metal Substrate Te
chnology)配線板は、図7の(E)に模式的な一部断面
図を示すように、両面が陽極酸化されたアルミニウムか
ら成る金属基材と、接着剤層と、銅箔のエッチング加工
により形成された回路とから成る。このIMST配線板
は、接着剤層を用いているので放熱特性に問題があり、
更に、スルーホール加工が困難であるという欠点を有す
る。
chnology)配線板は、図7の(E)に模式的な一部断面
図を示すように、両面が陽極酸化されたアルミニウムか
ら成る金属基材と、接着剤層と、銅箔のエッチング加工
により形成された回路とから成る。このIMST配線板
は、接着剤層を用いているので放熱特性に問題があり、
更に、スルーホール加工が困難であるという欠点を有す
る。
【0012】従って、本発明の第1の目的は、放熱特性
に優れ、しかも簡単な工程で作製することができるアル
ミニウムベース基材を提供することにある。本発明の第
2の目的は、放熱特性に優れ、容易にスルーホールやビ
ヤホールの加工を行うことができ、多層配線板を容易に
形成することができ、しかも簡単な工程で作製すること
ができるアルミニウムベース基材を提供することにあ
る。本発明の第3の目的は、かかるアルミニウムベース
基材を用いた配線板を提供することにある。
に優れ、しかも簡単な工程で作製することができるアル
ミニウムベース基材を提供することにある。本発明の第
2の目的は、放熱特性に優れ、容易にスルーホールやビ
ヤホールの加工を行うことができ、多層配線板を容易に
形成することができ、しかも簡単な工程で作製すること
ができるアルミニウムベース基材を提供することにあ
る。本発明の第3の目的は、かかるアルミニウムベース
基材を用いた配線板を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記の第1の目的は、ア
ルミニウム板又はアルミニウム箔から成り、窒素低温プ
ラズマ法により厚さ0.01乃至100μmの窒化アル
ミニウムから成る絶縁層が、該アルミニウム板又はアル
ミニウム箔の表面に形成されていることを特徴とする本
発明の第1の態様に係るアルミニウムベース基材によっ
て達成することができる。
ルミニウム板又はアルミニウム箔から成り、窒素低温プ
ラズマ法により厚さ0.01乃至100μmの窒化アル
ミニウムから成る絶縁層が、該アルミニウム板又はアル
ミニウム箔の表面に形成されていることを特徴とする本
発明の第1の態様に係るアルミニウムベース基材によっ
て達成することができる。
【0014】上記の第1の目的は、更に、アルミニウム
板又はアルミニウム箔から成り、酸素低温プラズマ法に
より厚さ0.01乃至100μmの酸化アルミニウムか
ら成る絶縁層が、該アルミニウム板又はアルミニウム箔
の表面に形成されていることを特徴とする本発明の第2
の態様に係るアルミニウムベース基材によって達成する
ことができる。
板又はアルミニウム箔から成り、酸素低温プラズマ法に
より厚さ0.01乃至100μmの酸化アルミニウムか
ら成る絶縁層が、該アルミニウム板又はアルミニウム箔
の表面に形成されていることを特徴とする本発明の第2
の態様に係るアルミニウムベース基材によって達成する
ことができる。
【0015】上記の第2の目的は、アルミニウム板又は
アルミニウム箔から成り、スルーホール又はビヤホール
を形成するための孔部が設けられ、窒素低温プラズマ法
により厚さ0.01乃至100μmの窒化アルミニウム
から成る絶縁層が、該アルミニウム板又はアルミニウム
箔の表面及び該孔部の内壁に形成されていることを特徴
とする本発明の第3の態様に係るアルミニウムベース基
材によって達成することができる。
アルミニウム箔から成り、スルーホール又はビヤホール
を形成するための孔部が設けられ、窒素低温プラズマ法
により厚さ0.01乃至100μmの窒化アルミニウム
から成る絶縁層が、該アルミニウム板又はアルミニウム
箔の表面及び該孔部の内壁に形成されていることを特徴
とする本発明の第3の態様に係るアルミニウムベース基
材によって達成することができる。
【0016】上記の第2の目的は、更に、アルミニウム
板又はアルミニウム箔から成り、スルーホール又はビヤ
ホールを形成するための孔部が設けられ、酸素低温プラ
ズマ法により厚さ0.01乃至100μmの酸化アルミ
ニウムから成る絶縁層が、該アルミニウム板又はアルミ
ニウム箔の表面及び該孔部の内壁に形成されていること
を特徴とする本発明の第4の態様に係るアルミニウムベ
ース基材によって達成することができる。
板又はアルミニウム箔から成り、スルーホール又はビヤ
ホールを形成するための孔部が設けられ、酸素低温プラ
ズマ法により厚さ0.01乃至100μmの酸化アルミ
ニウムから成る絶縁層が、該アルミニウム板又はアルミ
ニウム箔の表面及び該孔部の内壁に形成されていること
を特徴とする本発明の第4の態様に係るアルミニウムベ
ース基材によって達成することができる。
【0017】上記の第3の目的は、アルミニウムベース
基材、該アルミニウムベース基材の少なくとも一方の面
に形成された回路から成る配線板であって、該アルミニ
ウムベース基材は、アルミニウム板又はアルミニウム箔
から成り、窒素低温プラズマ法により厚さ0.01乃至
100μmの窒化アルミニウムから成る絶縁層が、該ア
ルミニウム板又はアルミニウム箔の表面に形成されてい
ることを特徴とする本発明の第1の態様に係る配線板に
よって達成することができる。
基材、該アルミニウムベース基材の少なくとも一方の面
に形成された回路から成る配線板であって、該アルミニ
ウムベース基材は、アルミニウム板又はアルミニウム箔
から成り、窒素低温プラズマ法により厚さ0.01乃至
100μmの窒化アルミニウムから成る絶縁層が、該ア
ルミニウム板又はアルミニウム箔の表面に形成されてい
ることを特徴とする本発明の第1の態様に係る配線板に
よって達成することができる。
【0018】あるいは又、上記の第3の目的は、アルミ
ニウムベース基材、該アルミニウムベース基材の少なく
とも一方の面に形成された回路から成る配線板であっ
て、該アルミニウムベース基材は、アルミニウム板又は
アルミニウム箔から成り、酸素低温プラズマ法により厚
さ0.01乃至100μmの酸化アルミニウムから成る
絶縁層が、該アルミニウム板又はアルミニウム箔の表面
に形成されていることを特徴とする本発明の第2の態様
に係る配線板によって達成することができる。
ニウムベース基材、該アルミニウムベース基材の少なく
とも一方の面に形成された回路から成る配線板であっ
て、該アルミニウムベース基材は、アルミニウム板又は
アルミニウム箔から成り、酸素低温プラズマ法により厚
さ0.01乃至100μmの酸化アルミニウムから成る
絶縁層が、該アルミニウム板又はアルミニウム箔の表面
に形成されていることを特徴とする本発明の第2の態様
に係る配線板によって達成することができる。
【0019】あるいは又、上記の第3の目的は、アルミ
ニウムベース基材、該アルミニウムベース基材の両面に
形成された回路、及びこれらの回路を電気的に接続する
ためのスルーホールから成る配線板であって、該アルミ
ニウムベース基材は、アルミニウム板又はアルミニウム
箔から成り、スルーホールを形成するための孔部が設け
られ、窒素低温プラズマ法により厚さ0.01乃至10
0μmの窒化アルミニウムから成る絶縁層が、該アルミ
ニウム板又はアルミニウム箔の表面及び該孔部の内壁に
形成されていることを特徴とする本発明の第3の態様に
係る配線板によって達成することができる。
ニウムベース基材、該アルミニウムベース基材の両面に
形成された回路、及びこれらの回路を電気的に接続する
ためのスルーホールから成る配線板であって、該アルミ
ニウムベース基材は、アルミニウム板又はアルミニウム
箔から成り、スルーホールを形成するための孔部が設け
られ、窒素低温プラズマ法により厚さ0.01乃至10
0μmの窒化アルミニウムから成る絶縁層が、該アルミ
ニウム板又はアルミニウム箔の表面及び該孔部の内壁に
形成されていることを特徴とする本発明の第3の態様に
係る配線板によって達成することができる。
【0020】更には、上記の第3の目的は、アルミニウ
ムベース基材、該アルミニウムベース基材の両面に形成
された回路、及びこれらの回路を電気的に接続するため
のスルーホールから成る配線板であって、該アルミニウ
ムベース基材は、アルミニウム板又はアルミニウム箔か
ら成り、スルーホールを形成するための孔部が設けら
れ、酸素低温プラズマ法により厚さ0.01乃至100
μmの酸化アルミニウムから成る絶縁層が、該アルミニ
ウム板又はアルミニウム箔の表面及び該孔部の内壁に形
成されていることを特徴とする本発明の第4の態様に係
る配線板によって達成することができる。
ムベース基材、該アルミニウムベース基材の両面に形成
された回路、及びこれらの回路を電気的に接続するため
のスルーホールから成る配線板であって、該アルミニウ
ムベース基材は、アルミニウム板又はアルミニウム箔か
ら成り、スルーホールを形成するための孔部が設けら
れ、酸素低温プラズマ法により厚さ0.01乃至100
μmの酸化アルミニウムから成る絶縁層が、該アルミニ
ウム板又はアルミニウム箔の表面及び該孔部の内壁に形
成されていることを特徴とする本発明の第4の態様に係
る配線板によって達成することができる。
【0021】あるいは又、上記の第3の目的は、アルミ
ニウムベース基材、該アルミニウムベース基材の少なく
とも一方の面に形成された回路から成る配線板を複数積
層して成り、各回路を電気的に接続するためのスルーホ
ールあるいはビアホールが形成された多層の配線板であ
って、該アルミニウムベース基材は、アルミニウム板又
はアルミニウム箔から成り、スルーホールあるいはビア
ホールを形成するための孔部が設けられており、窒素低
温プラズマ法により厚さ0.01乃至100μmの窒化
アルミニウムから成る絶縁層が、該アルミニウム板又は
アルミニウム箔の表面及び該孔部の内壁に形成されてい
ることを特徴とする本発明の第5の態様に係る配線板に
よって達成することができる。
ニウムベース基材、該アルミニウムベース基材の少なく
とも一方の面に形成された回路から成る配線板を複数積
層して成り、各回路を電気的に接続するためのスルーホ
ールあるいはビアホールが形成された多層の配線板であ
って、該アルミニウムベース基材は、アルミニウム板又
はアルミニウム箔から成り、スルーホールあるいはビア
ホールを形成するための孔部が設けられており、窒素低
温プラズマ法により厚さ0.01乃至100μmの窒化
アルミニウムから成る絶縁層が、該アルミニウム板又は
アルミニウム箔の表面及び該孔部の内壁に形成されてい
ることを特徴とする本発明の第5の態様に係る配線板に
よって達成することができる。
【0022】更には又、上記の第3の目的は、アルミニ
ウムベース基材、該アルミニウムベース基材の少なくと
も一方の面に形成された回路から成る配線板を複数積層
して成り、各回路を電気的に接続するためのスルーホー
ルあるいはビアホールが形成された多層の配線板であっ
て、該アルミニウムベース基材は、アルミニウム板又は
アルミニウム箔から成り、スルーホールあるいはビアホ
ールを形成するための孔部が設けられており、酸素低温
プラズマ法により厚さ0.01乃至100μmの酸化ア
ルミニウムから成る絶縁層が該アルミニウム板又はアル
ミニウム箔の表面及び該孔部の内壁に形成されているこ
とを特徴とする本発明の第6の態様に係る配線板によっ
て達成することができる。
ウムベース基材、該アルミニウムベース基材の少なくと
も一方の面に形成された回路から成る配線板を複数積層
して成り、各回路を電気的に接続するためのスルーホー
ルあるいはビアホールが形成された多層の配線板であっ
て、該アルミニウムベース基材は、アルミニウム板又は
アルミニウム箔から成り、スルーホールあるいはビアホ
ールを形成するための孔部が設けられており、酸素低温
プラズマ法により厚さ0.01乃至100μmの酸化ア
ルミニウムから成る絶縁層が該アルミニウム板又はアル
ミニウム箔の表面及び該孔部の内壁に形成されているこ
とを特徴とする本発明の第6の態様に係る配線板によっ
て達成することができる。
【0023】これらの本発明の第1〜第6の態様に係る
配線板においては、回路は、メッキやスパッタリングに
より形成された金属層、あるいは導電性ペーストから構
成することができる。本発明の第3〜第6の態様に係る
配線板においては、孔部に導電性ペーストを埋め込むこ
とによって、あるいは孔部の内壁にメッキやスパッタリ
ング等の物理的気相成長法(PVD法)により金属層を
形成することによって、スルーホールあるいはビアホー
ルを形成することができる。メッキは、無電解メッキ単
独、あるいは無電解メッキと電解メッキの組み合わせと
することができる。孔部は、ドリリングやパンチングに
より形成することができる。本発明の第5若しくは第6
の態様に係る配線板においては、アルミニウムベース基
材を、接着剤、接着剤シート、各種プリプレグを使用し
て、例えば、多層プリント配線板の製造技術等の公知の
技術を応用して積層することができる。
配線板においては、回路は、メッキやスパッタリングに
より形成された金属層、あるいは導電性ペーストから構
成することができる。本発明の第3〜第6の態様に係る
配線板においては、孔部に導電性ペーストを埋め込むこ
とによって、あるいは孔部の内壁にメッキやスパッタリ
ング等の物理的気相成長法(PVD法)により金属層を
形成することによって、スルーホールあるいはビアホー
ルを形成することができる。メッキは、無電解メッキ単
独、あるいは無電解メッキと電解メッキの組み合わせと
することができる。孔部は、ドリリングやパンチングに
より形成することができる。本発明の第5若しくは第6
の態様に係る配線板においては、アルミニウムベース基
材を、接着剤、接着剤シート、各種プリプレグを使用し
て、例えば、多層プリント配線板の製造技術等の公知の
技術を応用して積層することができる。
【0024】尚、本発明におけるアルミニウムベース基
材においては、酸化アルミニウムから成る絶縁層は、酸
素低温プラズマ法の代わりに、クロム酸法、硫酸法、蓚
酸法、硼酸法、燐酸法等の公知の陽極酸化法により形成
してもよい。あるいは又、酸化アルミニウムから成る絶
縁層をゾルゲル法によって形成してもよい。
材においては、酸化アルミニウムから成る絶縁層は、酸
素低温プラズマ法の代わりに、クロム酸法、硫酸法、蓚
酸法、硼酸法、燐酸法等の公知の陽極酸化法により形成
してもよい。あるいは又、酸化アルミニウムから成る絶
縁層をゾルゲル法によって形成してもよい。
【0025】本発明の第1若しくは第2の態様に係る配
線板においては、アルミニウムベース基材の片面若しく
は両面に回路が形成されている。アルミニウムベース基
材の両面に回路が形成されている場合には、これらの回
路は電気的に導通していない。本発明の第3若しくは第
4の態様に係る配線板は、アルミニウムベース基材の両
面に回路が形成され、これらの回路がスルーホールによ
って電気的に接続された、所謂スルーホール配線板であ
る。本発明の第5若しくは第6の態様に係る配線板は、
所謂多層配線板である。
線板においては、アルミニウムベース基材の片面若しく
は両面に回路が形成されている。アルミニウムベース基
材の両面に回路が形成されている場合には、これらの回
路は電気的に導通していない。本発明の第3若しくは第
4の態様に係る配線板は、アルミニウムベース基材の両
面に回路が形成され、これらの回路がスルーホールによ
って電気的に接続された、所謂スルーホール配線板であ
る。本発明の第5若しくは第6の態様に係る配線板は、
所謂多層配線板である。
【0026】
【作用】本発明のアルミニウムベース基材あるいは配線
板においては、アルミニウム板又はアルミニウム箔の表
面、あるいは又、アルミニウム板又はアルミニウム箔の
表面並びに孔部の内壁に絶縁層が形成されている。この
絶縁層は、簡単な方法及び簡素な設備で均一に形成する
ことができ、アルミニウムベース基材あるいは配線板は
放熱特性に優れている。また、回路と回路とを電気的に
接続するスルーホールあるいはビアホールを形成するた
めの孔部の内壁にも容易に且つ確実にしかも均一に絶縁
層を形成することができるので、両面配線板あるいは多
層配線板用の基材、若しくは両面スルーホール配線板や
多層配線板を容易に作製し得る。
板においては、アルミニウム板又はアルミニウム箔の表
面、あるいは又、アルミニウム板又はアルミニウム箔の
表面並びに孔部の内壁に絶縁層が形成されている。この
絶縁層は、簡単な方法及び簡素な設備で均一に形成する
ことができ、アルミニウムベース基材あるいは配線板は
放熱特性に優れている。また、回路と回路とを電気的に
接続するスルーホールあるいはビアホールを形成するた
めの孔部の内壁にも容易に且つ確実にしかも均一に絶縁
層を形成することができるので、両面配線板あるいは多
層配線板用の基材、若しくは両面スルーホール配線板や
多層配線板を容易に作製し得る。
【0027】
【実施例】以下、図面を参照して本発明を実施例に基づ
き説明する。 (実施例1)実施例1は、本発明の第1の態様に係るア
ルミニウムベース基材に関する。このアルミニウムベー
ス基材は、図1の(A)に拡大した模式的な一部断面図
を示すようにアルミニウム箔10、及びアルミニウム箔
の表面に形成された窒化アルミニウムから成る絶縁層1
2から構成されている。窒化アルミニウムは窒素低温プ
ラズマ法で形成される。
き説明する。 (実施例1)実施例1は、本発明の第1の態様に係るア
ルミニウムベース基材に関する。このアルミニウムベー
ス基材は、図1の(A)に拡大した模式的な一部断面図
を示すようにアルミニウム箔10、及びアルミニウム箔
の表面に形成された窒化アルミニウムから成る絶縁層1
2から構成されている。窒化アルミニウムは窒素低温プ
ラズマ法で形成される。
【0028】窒素低温プラズマ法にて使用されるプラズ
マ装置50の概要を図2に示す。プラズマ装置50は、
真空チャンバ52、反応管54、プロセスガス供給系5
6、反応管54内部でプラズマを発生させるための誘導
コイル58、誘導コイル58に13.6MHzの高周波
を印加するための高周波発生回路60、反応管を加熱す
るための赤外線ランプから成る加熱装置62、真空チャ
ンバ52を排気するための排気部64から成る。尚、誘
導コイル58の過熱防止のために、誘導コイル内部に冷
却水を流すことが望ましい。ロール状に巻かれたアルミ
ニウム箔70は、アンワインダ部72から繰り出され、
反応管54内部を経由して、ワインダ部74でロール状
に巻き取られる。アルミニウム箔を用いる場合、50〜
200mの長尺物として連続生産することが可能であ
る。尚、アルミニウム板を用いる場合、所謂バッチ処理
でアルミニウムベース基材を生産することができる。
マ装置50の概要を図2に示す。プラズマ装置50は、
真空チャンバ52、反応管54、プロセスガス供給系5
6、反応管54内部でプラズマを発生させるための誘導
コイル58、誘導コイル58に13.6MHzの高周波
を印加するための高周波発生回路60、反応管を加熱す
るための赤外線ランプから成る加熱装置62、真空チャ
ンバ52を排気するための排気部64から成る。尚、誘
導コイル58の過熱防止のために、誘導コイル内部に冷
却水を流すことが望ましい。ロール状に巻かれたアルミ
ニウム箔70は、アンワインダ部72から繰り出され、
反応管54内部を経由して、ワインダ部74でロール状
に巻き取られる。アルミニウム箔を用いる場合、50〜
200mの長尺物として連続生産することが可能であ
る。尚、アルミニウム板を用いる場合、所謂バッチ処理
でアルミニウムベース基材を生産することができる。
【0029】反応管54の内部において、アルミニウム
箔70の表面に窒化アルミニウムを形成する。そのため
に、真空チャンバ52を1×10-4〜1×10-5Tor
r(1.3×10-2〜1.3×10-3Pa)程度の真空
にし、しかる後に、プロセスガス供給系56から窒素ガ
スを反応管54に導入する。この時、窒素ガス中に水素
を2〜10体積%混入すると、窒化アルミニウム膜をア
ルミニウム箔表面に均一に形成することができる。
箔70の表面に窒化アルミニウムを形成する。そのため
に、真空チャンバ52を1×10-4〜1×10-5Tor
r(1.3×10-2〜1.3×10-3Pa)程度の真空
にし、しかる後に、プロセスガス供給系56から窒素ガ
スを反応管54に導入する。この時、窒素ガス中に水素
を2〜10体積%混入すると、窒化アルミニウム膜をア
ルミニウム箔表面に均一に形成することができる。
【0030】窒化アルミニウムから成る絶縁層12の厚
さは、アルミニウムベース基材に要求される絶縁耐圧等
の特性に依存して、0.01乃至100μmの適当な厚
さとすればよい。窒化アルミニウムの形成はアルミニウ
ム中の窒素プラズマの拡散速度に依存している。従っ
て、反応管におけるアルミニウム箔の加熱温度、誘導コ
イル58の長さ及びプラズマ処理時間の長さ等によっ
て、窒化アルミニウムから成る絶縁層12の厚さを容易
に制御することができる。
さは、アルミニウムベース基材に要求される絶縁耐圧等
の特性に依存して、0.01乃至100μmの適当な厚
さとすればよい。窒化アルミニウムの形成はアルミニウ
ム中の窒素プラズマの拡散速度に依存している。従っ
て、反応管におけるアルミニウム箔の加熱温度、誘導コ
イル58の長さ及びプラズマ処理時間の長さ等によっ
て、窒化アルミニウムから成る絶縁層12の厚さを容易
に制御することができる。
【0031】(実施例2)実施例2は、本発明の第2の
態様に係るアルミニウムベース基材に関する。このアル
ミニウムベース基材は、図1の(B)に拡大した模式的
な一部断面図を示すように、アルミニウム箔10、及び
アルミニウム箔の表面に形成された酸化アルミニウムか
ら成る絶縁層14から構成されている。酸化アルミニウ
ムは酸素低温プラズマ法で形成される。酸素低温プラズ
マ法にて使用されるプラズマ装置は基本的には図2と同
様であり、その説明は省略する。酸化アルミニウムから
成る絶縁層14の厚さは、アルミニウムベース基材に要
求される絶縁耐圧等の特性に依存して、0.01乃至1
00μmの適当な厚さとすればよい。酸化アルミニウム
の形成はアルミニウム中の酸素プラズマの拡散速度に依
存している。従って、反応管におけるアルミニウム箔の
加熱温度、誘導コイル58の長さ及びプラズマ処理時間
の長さ等によって、酸化アルミニウムから成る絶縁層1
4の厚さを容易に制御することができる。
態様に係るアルミニウムベース基材に関する。このアル
ミニウムベース基材は、図1の(B)に拡大した模式的
な一部断面図を示すように、アルミニウム箔10、及び
アルミニウム箔の表面に形成された酸化アルミニウムか
ら成る絶縁層14から構成されている。酸化アルミニウ
ムは酸素低温プラズマ法で形成される。酸素低温プラズ
マ法にて使用されるプラズマ装置は基本的には図2と同
様であり、その説明は省略する。酸化アルミニウムから
成る絶縁層14の厚さは、アルミニウムベース基材に要
求される絶縁耐圧等の特性に依存して、0.01乃至1
00μmの適当な厚さとすればよい。酸化アルミニウム
の形成はアルミニウム中の酸素プラズマの拡散速度に依
存している。従って、反応管におけるアルミニウム箔の
加熱温度、誘導コイル58の長さ及びプラズマ処理時間
の長さ等によって、酸化アルミニウムから成る絶縁層1
4の厚さを容易に制御することができる。
【0032】(実施例3)実施例3は、本発明の第3の
態様に係るアルミニウムベース基材に関する。このアル
ミニウムベース基材は、図1の(C)に拡大した模式的
な一部断面図を示すように、アルミニウム箔10、及び
アルミニウム箔の表面に形成された窒化アルミニウムか
ら成る絶縁層12、アルミニウム箔に形成された孔部1
6、孔部16の内壁に形成された窒化アルミニウムから
成る絶縁層12Aから構成されている。窒化アルミニウ
ムは窒素低温プラズマ法で形成される。窒素低温プラズ
マ法にて使用されるプラズマ装置は図2に示した装置と
同様である。ロール状のアルミニウム箔70には、予
め、必要な部分にスルーホール又はビヤホールを形成す
るための孔部16を、ドリリング又はパンチング等によ
って設けておく。実施例1と同様の条件で、アルミニウ
ム箔10の表面だけでなく、スルーホール又はビヤホー
ルを形成するための孔部16の内壁にも、窒化アルミニ
ウムから成る熱伝導性に優れた絶縁層12,12Aを均
一に且つ容易に形成することができる。
態様に係るアルミニウムベース基材に関する。このアル
ミニウムベース基材は、図1の(C)に拡大した模式的
な一部断面図を示すように、アルミニウム箔10、及び
アルミニウム箔の表面に形成された窒化アルミニウムか
ら成る絶縁層12、アルミニウム箔に形成された孔部1
6、孔部16の内壁に形成された窒化アルミニウムから
成る絶縁層12Aから構成されている。窒化アルミニウ
ムは窒素低温プラズマ法で形成される。窒素低温プラズ
マ法にて使用されるプラズマ装置は図2に示した装置と
同様である。ロール状のアルミニウム箔70には、予
め、必要な部分にスルーホール又はビヤホールを形成す
るための孔部16を、ドリリング又はパンチング等によ
って設けておく。実施例1と同様の条件で、アルミニウ
ム箔10の表面だけでなく、スルーホール又はビヤホー
ルを形成するための孔部16の内壁にも、窒化アルミニ
ウムから成る熱伝導性に優れた絶縁層12,12Aを均
一に且つ容易に形成することができる。
【0033】(実施例4)実施例4は、本発明の第4の
態様に係るアルミニウムベース基材に関する。このアル
ミニウムベース基材は、図1の(D)に拡大した模式的
な一部断面図を示すように、アルミニウム箔10、及び
アルミニウム箔の表面に形成された酸化アルミニウムか
ら成る絶縁層14、アルミニウム箔に形成された孔部1
6、孔部16の内壁に形成された酸化アルミニウムから
成る絶縁層14Aから構成されている。酸化アルミニウ
ムは酸素低温プラズマ法で形成される。酸素低温プラズ
マ法にて使用されるプラズマ装置は実質的に図2に示し
た装置と同様である。ロール状のアルミニウム箔70に
は、実施例3と同様に、予め、必要な部分にスルーホー
ル又はビヤホールを形成するための孔部16を、ドリリ
ング又はパンチング等によって設けておく。実施例2と
同様の条件で、アルミニウム箔10の表面だけでなく、
スルーホール又はビヤホールを形成するための孔部16
の内壁にも、酸化アルミニウムから成る熱伝導性に優れ
た絶縁層14,14Aを均一に且つ容易に形成すること
ができる。
態様に係るアルミニウムベース基材に関する。このアル
ミニウムベース基材は、図1の(D)に拡大した模式的
な一部断面図を示すように、アルミニウム箔10、及び
アルミニウム箔の表面に形成された酸化アルミニウムか
ら成る絶縁層14、アルミニウム箔に形成された孔部1
6、孔部16の内壁に形成された酸化アルミニウムから
成る絶縁層14Aから構成されている。酸化アルミニウ
ムは酸素低温プラズマ法で形成される。酸素低温プラズ
マ法にて使用されるプラズマ装置は実質的に図2に示し
た装置と同様である。ロール状のアルミニウム箔70に
は、実施例3と同様に、予め、必要な部分にスルーホー
ル又はビヤホールを形成するための孔部16を、ドリリ
ング又はパンチング等によって設けておく。実施例2と
同様の条件で、アルミニウム箔10の表面だけでなく、
スルーホール又はビヤホールを形成するための孔部16
の内壁にも、酸化アルミニウムから成る熱伝導性に優れ
た絶縁層14,14Aを均一に且つ容易に形成すること
ができる。
【0034】(実施例5)実施例5は、本発明の第1の
態様に係る配線板に関する。実施例5の配線板は、図3
の(A)又は(B)に拡大した模式的な一部断面図を示
すように、アルミニウムベース基材と、アルミニウムベ
ース基材の少なくとも一方の面に形成された回路20か
ら成る。アルミニウムベース基材は、アルミニウム箔1
0から成り、窒素低温プラズマ法により厚さ0.01乃
至100μmの窒化アルミニウムから成る絶縁層12
が、アルミニウム箔10の表面に形成されている。回路
20は絶縁層12上に形成されている。図3の(A)に
示した例においては、回路20はアルミニウムベース基
材の片面に形成されている。一方、図3の(B)に示し
た例においては、回路20はアルミニウムベース基材の
両面に形成されている。
態様に係る配線板に関する。実施例5の配線板は、図3
の(A)又は(B)に拡大した模式的な一部断面図を示
すように、アルミニウムベース基材と、アルミニウムベ
ース基材の少なくとも一方の面に形成された回路20か
ら成る。アルミニウムベース基材は、アルミニウム箔1
0から成り、窒素低温プラズマ法により厚さ0.01乃
至100μmの窒化アルミニウムから成る絶縁層12
が、アルミニウム箔10の表面に形成されている。回路
20は絶縁層12上に形成されている。図3の(A)に
示した例においては、回路20はアルミニウムベース基
材の片面に形成されている。一方、図3の(B)に示し
た例においては、回路20はアルミニウムベース基材の
両面に形成されている。
【0035】実施例5の配線板は、実施例1にて説明し
た方法で作製されたアルミニウムベース基材の絶縁層1
2の上に、例えば銀ペーストや銅ペースト等の導電性ペ
ーストをスクリーン印刷法で印刷して所望の回路パター
ンを形成し、かかる導電性ペーストを焼成若しくは硬化
させたり、メッキやスパッタリング等のPVD法により
形成された金属層を所望のパターンにパターニングする
ことで作製することができる。
た方法で作製されたアルミニウムベース基材の絶縁層1
2の上に、例えば銀ペーストや銅ペースト等の導電性ペ
ーストをスクリーン印刷法で印刷して所望の回路パター
ンを形成し、かかる導電性ペーストを焼成若しくは硬化
させたり、メッキやスパッタリング等のPVD法により
形成された金属層を所望のパターンにパターニングする
ことで作製することができる。
【0036】(実施例6)実施例6は、本発明の第2の
態様に係る配線板に関する。実施例6の配線板は、図3
の(C)又は(D)に拡大した模式的な一部断面図を示
すように、アルミニウムベース基材と、アルミニウムベ
ース基材の少なくとも一方の面に形成された回路20か
ら成る。アルミニウムベース基材は、アルミニウム箔1
0から成り、酸素低温プラズマ法により厚さ0.01乃
至100μmの酸化アルミニウムから成る絶縁層14
が、アルミニウム箔10の表面に形成されている。回路
20は絶縁層14上に形成されている。図3の(C)に
示した例においては、回路20はアルミニウムベース基
材の片面に形成されている。一方、図3の(D)に示し
た例においては、回路20はアルミニウムベース基材の
両面に形成されている。実施例6の配線板は、実施例5
の配線板と同様の方法で作製することができる。
態様に係る配線板に関する。実施例6の配線板は、図3
の(C)又は(D)に拡大した模式的な一部断面図を示
すように、アルミニウムベース基材と、アルミニウムベ
ース基材の少なくとも一方の面に形成された回路20か
ら成る。アルミニウムベース基材は、アルミニウム箔1
0から成り、酸素低温プラズマ法により厚さ0.01乃
至100μmの酸化アルミニウムから成る絶縁層14
が、アルミニウム箔10の表面に形成されている。回路
20は絶縁層14上に形成されている。図3の(C)に
示した例においては、回路20はアルミニウムベース基
材の片面に形成されている。一方、図3の(D)に示し
た例においては、回路20はアルミニウムベース基材の
両面に形成されている。実施例6の配線板は、実施例5
の配線板と同様の方法で作製することができる。
【0037】(実施例7)実施例7は、本発明の第3の
態様に係る配線板に関し、所謂スルーホール配線板であ
る。図4の(B)に拡大した模式的な一部断面図を示す
ように、実施例7の配線板は、アルミニウムベース基
材、アルミニウムベース基材の両面に形成された回路2
0A,20B、及びこれらの回路20A,20Bを電気
的に接続するためのスルーホール22から成る。そし
て、アルミニウムベース基材は、アルミニウム箔10か
ら成り、スルーホールを形成するための孔部16が設け
られ、窒素低温プラズマ法により厚さ0.01乃至10
0μmの窒化アルミニウムから成る絶縁層12,12A
が、アルミニウム箔10の表面及び孔部16の内壁に形
成されている。
態様に係る配線板に関し、所謂スルーホール配線板であ
る。図4の(B)に拡大した模式的な一部断面図を示す
ように、実施例7の配線板は、アルミニウムベース基
材、アルミニウムベース基材の両面に形成された回路2
0A,20B、及びこれらの回路20A,20Bを電気
的に接続するためのスルーホール22から成る。そし
て、アルミニウムベース基材は、アルミニウム箔10か
ら成り、スルーホールを形成するための孔部16が設け
られ、窒素低温プラズマ法により厚さ0.01乃至10
0μmの窒化アルミニウムから成る絶縁層12,12A
が、アルミニウム箔10の表面及び孔部16の内壁に形
成されている。
【0038】実施例7の配線板は、以下の方法で作製す
ることができる。先ず、実施例3にて説明した方法で作
製されたアルミニウムベース基材の絶縁層12の上に、
例えば銀ペーストや銅ペースト等の導電性ペーストをス
クリーン印刷法で印刷して所望の回路パターンを形成
し、かかる導電性ペーストを焼成若しくは硬化させて、
回路20A,20Bを形成する(図4の(A)参照)。
次いで、孔部16の内部に導電性ペーストをスクリーン
印刷法で埋め込むことによって、接続孔であるスルーホ
ール22を形成することができる(図4の(B)参
照)。あるいは又、図4の(C)に示すように、アルミ
ニウム箔10の表面の絶縁層12上及び孔部16の内壁
の絶縁層12A上に、無電解メッキやスパッタリング等
のPVD法によって例えば銅から成る金属薄膜を形成
し、エッチングレジストを用いてかかる金属薄膜をエッ
チングすることで、図4の(B)と同様の回路20A,
20B及び接続孔であるスルーホール22を形成するこ
とができる。尚、無電解メッキの後に電解メッキを施す
ことができるし、所謂アディティブ法による無電解メッ
キを採用することもできる。
ることができる。先ず、実施例3にて説明した方法で作
製されたアルミニウムベース基材の絶縁層12の上に、
例えば銀ペーストや銅ペースト等の導電性ペーストをス
クリーン印刷法で印刷して所望の回路パターンを形成
し、かかる導電性ペーストを焼成若しくは硬化させて、
回路20A,20Bを形成する(図4の(A)参照)。
次いで、孔部16の内部に導電性ペーストをスクリーン
印刷法で埋め込むことによって、接続孔であるスルーホ
ール22を形成することができる(図4の(B)参
照)。あるいは又、図4の(C)に示すように、アルミ
ニウム箔10の表面の絶縁層12上及び孔部16の内壁
の絶縁層12A上に、無電解メッキやスパッタリング等
のPVD法によって例えば銅から成る金属薄膜を形成
し、エッチングレジストを用いてかかる金属薄膜をエッ
チングすることで、図4の(B)と同様の回路20A,
20B及び接続孔であるスルーホール22を形成するこ
とができる。尚、無電解メッキの後に電解メッキを施す
ことができるし、所謂アディティブ法による無電解メッ
キを採用することもできる。
【0039】(実施例8)実施例8は、本発明の第4の
態様に係る配線板に関し、所謂スルーホール配線板であ
る。図5に拡大した模式的な一部断面図を示すように、
実施例8の配線板も、実施例7と同様に、アルミニウム
ベース基材、アルミニウムベース基材の両面に形成され
た回路20A,20B、及びこれらの回路20A,20
Bを電気的に接続するためのスルーホール22から成
る。そして、アルミニウムベース基材は、アルミニウム
箔10から成り、スルーホールを形成するための孔部1
6が設けられ、酸素低温プラズマ法により厚さ0.01
乃至100μmの酸化アルミニウムから成る絶縁層1
4,14Aが、アルミニウム箔10の表面及び孔部16
の内壁に形成されている。実施例8の配線板は、実施例
7の配線板と同様の作製方法で作製することができるの
で、詳細な説明は省略する。
態様に係る配線板に関し、所謂スルーホール配線板であ
る。図5に拡大した模式的な一部断面図を示すように、
実施例8の配線板も、実施例7と同様に、アルミニウム
ベース基材、アルミニウムベース基材の両面に形成され
た回路20A,20B、及びこれらの回路20A,20
Bを電気的に接続するためのスルーホール22から成
る。そして、アルミニウムベース基材は、アルミニウム
箔10から成り、スルーホールを形成するための孔部1
6が設けられ、酸素低温プラズマ法により厚さ0.01
乃至100μmの酸化アルミニウムから成る絶縁層1
4,14Aが、アルミニウム箔10の表面及び孔部16
の内壁に形成されている。実施例8の配線板は、実施例
7の配線板と同様の作製方法で作製することができるの
で、詳細な説明は省略する。
【0040】(実施例9)実施例9は、本発明の第5の
態様に係る配線板に関し、所謂多層配線板である。図6
の(C)に拡大した一部断面図を示すように、実施例9
の配線板は、アルミニウムベース基材、アルミニウムベ
ース基材の少なくとも一方の面に形成された回路20か
ら成る配線板を複数積層して成り、各回路20を電気的
に接続するためのスルーホール22あるいはビアホール
24が形成された多層の配線板である。そして、アルミ
ニウムベース基材は、アルミニウム箔10から成り、ス
ルーホール22あるいはビアホール24を形成するため
の孔部16が設けられており、窒素低温プラズマ法によ
り厚さ0.01乃至100μmの窒化アルミニウムから
成る絶縁層12,12Aが、アルミニウム箔10の表面
及び孔部16の内壁に形成されている。
態様に係る配線板に関し、所謂多層配線板である。図6
の(C)に拡大した一部断面図を示すように、実施例9
の配線板は、アルミニウムベース基材、アルミニウムベ
ース基材の少なくとも一方の面に形成された回路20か
ら成る配線板を複数積層して成り、各回路20を電気的
に接続するためのスルーホール22あるいはビアホール
24が形成された多層の配線板である。そして、アルミ
ニウムベース基材は、アルミニウム箔10から成り、ス
ルーホール22あるいはビアホール24を形成するため
の孔部16が設けられており、窒素低温プラズマ法によ
り厚さ0.01乃至100μmの窒化アルミニウムから
成る絶縁層12,12Aが、アルミニウム箔10の表面
及び孔部16の内壁に形成されている。
【0041】実施例9の配線板は、以下の方法で作製す
ることができる。先ず、実施例3にて説明した方法で作
製されたアルミニウムベース基材の絶縁層12の上に、
例えば銀ペーストや銅ペースト等の導電性ペーストをス
クリーン印刷法で印刷して所望の回路パターンを形成
し、かかる導電性ペーストを焼成若しくは硬化させて、
回路20を形成する。次いで、孔部16Aの内部に導電
性ペーストをスクリーン印刷法で埋め込むことによっ
て、接続孔であるスルーホール22Aを形成することが
できる(図6の(A)参照)。あるいは又、アルミニウ
ム板又はアルミニウム箔10の表面の絶縁層12上及び
孔部16Aの内壁の絶縁層12A上に、無電解メッキや
スパッタリング等のPVD法によって例えば銅から成る
金属薄膜を形成し、エッチングレジストを用いてかかる
金属薄膜をエッチングすることで、回路20及び接続孔
であるスルーホール22Aを形成することができる。
尚、無電解メッキの後に電解メッキを施すことができる
し、所謂アディティブ法による無電解メッキを採用する
こともできる。
ることができる。先ず、実施例3にて説明した方法で作
製されたアルミニウムベース基材の絶縁層12の上に、
例えば銀ペーストや銅ペースト等の導電性ペーストをス
クリーン印刷法で印刷して所望の回路パターンを形成
し、かかる導電性ペーストを焼成若しくは硬化させて、
回路20を形成する。次いで、孔部16Aの内部に導電
性ペーストをスクリーン印刷法で埋め込むことによっ
て、接続孔であるスルーホール22Aを形成することが
できる(図6の(A)参照)。あるいは又、アルミニウ
ム板又はアルミニウム箔10の表面の絶縁層12上及び
孔部16Aの内壁の絶縁層12A上に、無電解メッキや
スパッタリング等のPVD法によって例えば銅から成る
金属薄膜を形成し、エッチングレジストを用いてかかる
金属薄膜をエッチングすることで、回路20及び接続孔
であるスルーホール22Aを形成することができる。
尚、無電解メッキの後に電解メッキを施すことができる
し、所謂アディティブ法による無電解メッキを採用する
こともできる。
【0042】次に、一例として、このようにして作製さ
れた回路板を3枚準備する。そして、これらの回路板
を、例えばエポキシ系あるいはポリイミド系の接着剤シ
ート26等を使用して積層する(図6の(B)参照)。
積層を容易にするために、各々の配線板に、位置合わせ
のためのガイドホールを設けておくことが望ましい。ま
た、接着剤シート26には、予め、所定の部分に孔を開
けておく。積層は、例えば熱プレスを用いた多層プリン
ト配線板製造技術を応用して行うことができる。
れた回路板を3枚準備する。そして、これらの回路板
を、例えばエポキシ系あるいはポリイミド系の接着剤シ
ート26等を使用して積層する(図6の(B)参照)。
積層を容易にするために、各々の配線板に、位置合わせ
のためのガイドホールを設けておくことが望ましい。ま
た、接着剤シート26には、予め、所定の部分に孔を開
けておく。積層は、例えば熱プレスを用いた多層プリン
ト配線板製造技術を応用して行うことができる。
【0043】次に、必要に応じて、積層された多層配線
板の最も外側の表面上に、例えば導電性ペーストをスク
リーン印刷法で印刷することによって、回路を形成す
る。更に、必要に応じて孔部16の内部に、導電性ペー
ストをスクリーン印刷法で埋め込むことによって、回路
20と回路20とを電気的に接続する接続孔であるスル
ーホール22やビヤホール24を形成する。あるいは
又、最外表面のアルミニウム箔10上の絶縁層12の表
面、及び必要に応じて孔部16の内壁に、無電解メッ
キ、無電解メッキ/電解メッキ、又はスパッタリング等
のPVD法によって金属薄膜を形成し、かかる金属薄膜
をエッチングすることで、あるいは、アディティブ法に
よる無電解メッキによって、回路20、及び回路20と
回路20とを電気的に接続する接続孔であるスルーホー
ル22あるいはビヤホール24を形成する。
板の最も外側の表面上に、例えば導電性ペーストをスク
リーン印刷法で印刷することによって、回路を形成す
る。更に、必要に応じて孔部16の内部に、導電性ペー
ストをスクリーン印刷法で埋め込むことによって、回路
20と回路20とを電気的に接続する接続孔であるスル
ーホール22やビヤホール24を形成する。あるいは
又、最外表面のアルミニウム箔10上の絶縁層12の表
面、及び必要に応じて孔部16の内壁に、無電解メッ
キ、無電解メッキ/電解メッキ、又はスパッタリング等
のPVD法によって金属薄膜を形成し、かかる金属薄膜
をエッチングすることで、あるいは、アディティブ法に
よる無電解メッキによって、回路20、及び回路20と
回路20とを電気的に接続する接続孔であるスルーホー
ル22あるいはビヤホール24を形成する。
【0044】以上の工程によって図6の(C)に示した
配線板が完成する。実施例9の多層配線板では、3枚の
アルミニウムベース基材が積層されており、6層の配線
層が形成されている。こうして得られた配線板に各種電
子部品を実装して、混成集積回路が完成する。
配線板が完成する。実施例9の多層配線板では、3枚の
アルミニウムベース基材が積層されており、6層の配線
層が形成されている。こうして得られた配線板に各種電
子部品を実装して、混成集積回路が完成する。
【0045】(実施例10)実施例10は、本発明の第
6の態様に係る配線板に関し、所謂多層配線板である。
実施例10の配線板は、アルミニウムベース基材、アル
ミニウムベース基材の少なくとも一方の面に形成された
回路20から成る配線板を複数積層して成り、各回路2
0を電気的に接続するためのスルーホール22あるいは
ビアホール24が形成された多層の配線板である。そし
て、アルミニウムベース基材は、アルミニウム箔10か
ら成り、スルーホール22あるいはビアホール24を形
成するための孔部16が設けられており、酸素低温プラ
ズマ法により厚さ0.01乃至100μmの酸化アルミ
ニウムから成る絶縁層が、アルミニウム箔10の表面及
び孔部16の内壁に形成されている。実施例10の構造
は、絶縁層が酸化アルミニウムであることを除き、実施
例9にて説明した配線板の構造と同様であり、図示は省
略した。また、実施例10の配線板は、実施例4にて説
明したアルミニウムベース基材を用いる点が相違する他
は、実施例9の配線板の作製方法と同様の方法で作製す
ることができるので詳細な説明は省略する。
6の態様に係る配線板に関し、所謂多層配線板である。
実施例10の配線板は、アルミニウムベース基材、アル
ミニウムベース基材の少なくとも一方の面に形成された
回路20から成る配線板を複数積層して成り、各回路2
0を電気的に接続するためのスルーホール22あるいは
ビアホール24が形成された多層の配線板である。そし
て、アルミニウムベース基材は、アルミニウム箔10か
ら成り、スルーホール22あるいはビアホール24を形
成するための孔部16が設けられており、酸素低温プラ
ズマ法により厚さ0.01乃至100μmの酸化アルミ
ニウムから成る絶縁層が、アルミニウム箔10の表面及
び孔部16の内壁に形成されている。実施例10の構造
は、絶縁層が酸化アルミニウムであることを除き、実施
例9にて説明した配線板の構造と同様であり、図示は省
略した。また、実施例10の配線板は、実施例4にて説
明したアルミニウムベース基材を用いる点が相違する他
は、実施例9の配線板の作製方法と同様の方法で作製す
ることができるので詳細な説明は省略する。
【0046】以上、本発明を好ましい実施例に基づき説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。使用した材料や絶縁層の種類、配線板の配線層
数、加工条件、加工に用いる装置は例示であり、アルミ
ニウムベース基材や配線板に要求される特性によって適
宜変更することができる。
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。使用した材料や絶縁層の種類、配線板の配線層
数、加工条件、加工に用いる装置は例示であり、アルミ
ニウムベース基材や配線板に要求される特性によって適
宜変更することができる。
【0047】
【発明の効果】本発明によれば、安定した絶縁特性を有
し、しかも優れた放熱特性を有するアルミニウムベース
基材を安価に提供することができる。また、窒化アルミ
ニウム粉末のグリーンシート方式による多層回路配線板
より配線板の多層化がはるかに容易で、20層〜40層
の超多層化配線板を作り得る。しかも、従来のグリーン
シート方式のように高温を使用せず、また製造工程も単
純である。製造時間も従来のグリーンシート方式の場合
の1/5〜1/10と短縮され、配線板の製造コストも
節約できる。従って、本発明によって、低価格で高性能
の混成集積回路、例えばサーマルヘッド用ハイブリッド
ICやパワーハイブリッドIC等を容易に製造すること
が可能になる。
し、しかも優れた放熱特性を有するアルミニウムベース
基材を安価に提供することができる。また、窒化アルミ
ニウム粉末のグリーンシート方式による多層回路配線板
より配線板の多層化がはるかに容易で、20層〜40層
の超多層化配線板を作り得る。しかも、従来のグリーン
シート方式のように高温を使用せず、また製造工程も単
純である。製造時間も従来のグリーンシート方式の場合
の1/5〜1/10と短縮され、配線板の製造コストも
節約できる。従って、本発明によって、低価格で高性能
の混成集積回路、例えばサーマルヘッド用ハイブリッド
ICやパワーハイブリッドIC等を容易に製造すること
が可能になる。
【図1】本発明のアルミニウムベース基材の模式的な拡
大一部断面図である。
大一部断面図である。
【図2】本発明のアルミニウムベース基材の製造に適し
たプラズマ装置の概念図である。
たプラズマ装置の概念図である。
【図3】実施例5及び実施例6の配線板の模式的な拡大
一部断面図である。
一部断面図である。
【図4】実施例7の配線板の模式的な拡大一部断面図、
並びに、実施例7の配線板の作製方法を説明するための
アルミニウムベース基材等の模式的な拡大一部断面図で
ある。
並びに、実施例7の配線板の作製方法を説明するための
アルミニウムベース基材等の模式的な拡大一部断面図で
ある。
【図5】実施例8の配線板の模式的な拡大一部断面図で
ある。
ある。
【図6】実施例9の配線板の模式的な拡大一部断面図、
並びに、実施例9の配線板の作製方法を説明するための
アルミニウムベース基材等の模式的な拡大一部断面図で
ある。
並びに、実施例9の配線板の作製方法を説明するための
アルミニウムベース基材等の模式的な拡大一部断面図で
ある。
【図7】従来の各種金属配線板の拡大した一部断面図で
ある。
ある。
10 アルミニウム箔 12,12A 窒化アルミニウムから成る絶縁層 14,14A 酸化アルミニウムから成る絶縁層 16,16A 孔部 20,20A,20B 回路 22,22A スルーホール 24 ビヤホール 26 接着剤シート 50 プラズマ装置 52 真空チャンバ 54 反応管 56 プロセスガス供給系 58 誘導コイル 60 高周波発生回路 62 加熱装置 64 排気部 70 アルミニウム箔 72 アンワインダ部 74 ワインダ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 1/02 H05K 1/02 F
Claims (10)
- 【請求項1】アルミニウム板又はアルミニウム箔から成
り、窒素低温プラズマ法により厚さ0.01乃至100
μmの窒化アルミニウムから成る絶縁層が、該アルミニ
ウム板又はアルミニウム箔の表面に形成されていること
を特徴とするアルミニウムベース基材。 - 【請求項2】アルミニウム板又はアルミニウム箔から成
り、酸素低温プラズマ法により厚さ0.01乃至100
μmの酸化アルミニウムから成る絶縁層が、該アルミニ
ウム板又はアルミニウム箔の表面に形成されていること
を特徴とするアルミニウムベース基材。 - 【請求項3】アルミニウム板又はアルミニウム箔から成
り、スルーホール又はビヤホールを形成するための孔部
が設けられ、窒素低温プラズマ法により厚さ0.01乃
至100μmの窒化アルミニウムから成る絶縁層が、該
アルミニウム板又はアルミニウム箔の表面及び該孔部の
内壁に形成されていることを特徴とするアルミニウムベ
ース基材。 - 【請求項4】アルミニウム板又はアルミニウム箔から成
り、スルーホール又はビヤホールを形成するための孔部
が設けられ、酸素低温プラズマ法により厚さ0.01乃
至100μmの酸化アルミニウムから成る絶縁層が、該
アルミニウム板又はアルミニウム箔の表面及び該孔部の
内壁に形成されていることを特徴とするアルミニウムベ
ース基材。 - 【請求項5】アルミニウムベース基材、該アルミニウム
ベース基材の少なくとも一方の面に形成された回路から
成る配線板であって、 該アルミニウムベース基材は、アルミニウム板又はアル
ミニウム箔から成り、窒素低温プラズマ法により厚さ
0.01乃至100μmの窒化アルミニウムから成る絶
縁層が、該アルミニウム板又はアルミニウム箔の表面に
形成されていることを特徴とする配線板。 - 【請求項6】アルミニウムベース基材、該アルミニウム
ベース基材の少なくとも一方の面に形成された回路から
成る配線板であって、 該アルミニウムベース基材は、アルミニウム板又はアル
ミニウム箔から成り、酸素低温プラズマ法により厚さ
0.01乃至100μmの酸化アルミニウムから成る絶
縁層が、該アルミニウム板又はアルミニウム箔の表面に
形成されていることを特徴とする配線板。 - 【請求項7】アルミニウムベース基材、該アルミニウム
ベース基材の両面に形成された回路、及びこれらの回路
を電気的に接続するためのスルーホールから成る配線板
であって、 該アルミニウムベース基材は、アルミニウム板又はアル
ミニウム箔から成り、スルーホールを形成するための孔
部が設けられ、窒素低温プラズマ法により厚さ0.01
乃至100μmの窒化アルミニウムから成る絶縁層が、
該アルミニウム板又はアルミニウム箔の表面及び該孔部
の内壁に形成されていることを特徴とする配線板。 - 【請求項8】アルミニウムベース基材、該アルミニウム
ベース基材の両面に形成された回路、及びこれらの回路
を電気的に接続するためのスルーホールから成る配線板
であって、 該アルミニウムベース基材は、アルミニウム板又はアル
ミニウム箔から成り、スルーホールを形成するための孔
部が設けられ、酸素低温プラズマ法により厚さ0.01
乃至100μmの酸化アルミニウムから成る絶縁層が、
該アルミニウム板又はアルミニウム箔の表面及び該孔部
の内壁に形成されていることを特徴とする配線板。 - 【請求項9】アルミニウムベース基材、該アルミニウム
ベース基材の少なくとも一方の面に形成された回路から
成る配線板を複数積層して成り、各回路を電気的に接続
するためのスルーホールあるいはビアホールが形成され
た多層の配線板であって、 該アルミニウムベース基材は、アルミニウム板又はアル
ミニウム箔から成り、スルーホールあるいはビアホール
を形成するための孔部が設けられており、窒素低温プラ
ズマ法により厚さ0.01乃至100μmの窒化アルミ
ニウムから成る絶縁層が、該アルミニウム板又はアルミ
ニウム箔の表面及び該孔部の内壁に形成されていること
を特徴とする配線板。 - 【請求項10】アルミニウムベース基材、該アルミニウ
ムベース基材の少なくとも一方の面に形成された回路か
ら成る配線板を複数積層して成り、各回路を電気的に接
続するためのスルーホールあるいはビアホールが形成さ
れた多層の配線板であって、 該アルミニウムベース基材は、アルミニウム板又はアル
ミニウム箔から成り、スルーホールあるいはビアホール
を形成するための孔部が設けられており、酸素低温プラ
ズマ法により厚さ0.01乃至100μmの酸化アルミ
ニウムから成る絶縁層が該アルミニウム板又はアルミニ
ウム箔の表面及び該孔部の内壁に形成されていることを
特徴とする配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7087774A JPH08236885A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | アルミニウムベース基材及び配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7087774A JPH08236885A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | アルミニウムベース基材及び配線板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236885A true JPH08236885A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=13924335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7087774A Pending JPH08236885A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | アルミニウムベース基材及び配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08236885A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004105451A1 (fr) * | 2003-05-26 | 2004-12-02 | Lihua Wang | Carte de circuit imprime et son procede de production |
| US6936854B2 (en) | 2001-05-10 | 2005-08-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Optoelectronic substrate |
| KR100919975B1 (ko) * | 2009-04-14 | 2009-10-05 | 주식회사 엘아이테크 | 방열성이 우수한 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판을 이용한 발광모듈 |
| WO2017134779A1 (ja) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | イーメックス株式会社 | 窒化アルミニウム薄膜、窒化アルミニウム薄膜の形成方法、及び、電極材料 |
| CN108901145A (zh) * | 2018-07-19 | 2018-11-27 | 惠州市鸿业新型材料有限公司 | 一种表面氮化绝缘导热结构的多层基板制造方法 |
| WO2023176770A1 (ja) * | 2022-03-18 | 2023-09-21 | 日油株式会社 | 放熱基板、放熱回路基板、放熱部材、及び放熱基板の製造方法 |
-
1995
- 1995-02-22 JP JP7087774A patent/JPH08236885A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6936854B2 (en) | 2001-05-10 | 2005-08-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Optoelectronic substrate |
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| WO2017134779A1 (ja) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | イーメックス株式会社 | 窒化アルミニウム薄膜、窒化アルミニウム薄膜の形成方法、及び、電極材料 |
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| WO2023176770A1 (ja) * | 2022-03-18 | 2023-09-21 | 日油株式会社 | 放熱基板、放熱回路基板、放熱部材、及び放熱基板の製造方法 |
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