JPH0824083B2 - ノイズフイルタ - Google Patents
ノイズフイルタInfo
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- JPH0824083B2 JPH0824083B2 JP1267493A JP26749389A JPH0824083B2 JP H0824083 B2 JPH0824083 B2 JP H0824083B2 JP 1267493 A JP1267493 A JP 1267493A JP 26749389 A JP26749389 A JP 26749389A JP H0824083 B2 JPH0824083 B2 JP H0824083B2
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電圧非直線性を示す半導体磁器材料を用い
たノイズフイルタに関し、特に、半導体磁器粉末を含む
複合材料を用いて構成されたノイズフイルタに関する。
たノイズフイルタに関し、特に、半導体磁器粉末を含む
複合材料を用いて構成されたノイズフイルタに関する。
産業及び民生用の種々の電気・電子機器に、マイクロ
コンピュータが搭載されてきており、あるいは通信回線
によりマイクロコンピュータに接続されるようになって
きている。このようなマイコン搭載機器やマイコンと接
続される機器においては、ノイズによるマイクロコンピ
ュータの誤動作や機器の破壊を防止するために、種々の
ノイズ吸収素子が用いられている。
コンピュータが搭載されてきており、あるいは通信回線
によりマイクロコンピュータに接続されるようになって
きている。このようなマイコン搭載機器やマイコンと接
続される機器においては、ノイズによるマイクロコンピ
ュータの誤動作や機器の破壊を防止するために、種々の
ノイズ吸収素子が用いられている。
従来よりノイズ吸収素子として一般的に用いられてい
るものには、コンデンサ、インダクタンス及びバリスタ
等がある。コンデンサ及びインダクタンスは、高周波ノ
イズの吸収に適しており、バリスタは単発的なトランジ
ェントノイズの吸収に適している。
るものには、コンデンサ、インダクタンス及びバリスタ
等がある。コンデンサ及びインダクタンスは、高周波ノ
イズの吸収に適しており、バリスタは単発的なトランジ
ェントノイズの吸収に適している。
上記のようなノイズ吸収素子は、それぞれ、固有の特
徴を有するため、種々のノイズ吸収を行う周波数帯域や
吸収レベルに応じて、これらのノイズ吸収素子が組み合
わされて用いられている。
徴を有するため、種々のノイズ吸収を行う周波数帯域や
吸収レベルに応じて、これらのノイズ吸収素子が組み合
わされて用いられている。
他方、上記のようなマイクロコンピュータ搭載機器の
信号ラインのように、高周波信号ラインにおいてノイズ
吸収を行う必要がある場合には、ノイズ吸収素子の静電
容量の小さいことが要求される。また、近年、信号電圧
はICやLSIの駆動電圧の低下傾向に対応して、３〜5V程
度と比較的低くなってきている。
信号ラインのように、高周波信号ラインにおいてノイズ
吸収を行う必要がある場合には、ノイズ吸収素子の静電
容量の小さいことが要求される。また、近年、信号電圧
はICやLSIの駆動電圧の低下傾向に対応して、３〜5V程
度と比較的低くなってきている。
従来、ノイズ吸収素子としてのバリスタは、高速信号
ライン用に用いることはできなかった。これは、（ａ）
高速信号タインにおいて用いられる電圧が３〜5Vと低
く、またICを確実に保護するには、バリスタ電圧は５〜
8V以下であることが要求されるが、このような低バリス
タ電圧の素子を安定に製造することができなかったこ
と、並びに（ｂ）バリスタ電圧を低くするには電極間に
挟まれたバリスタ特性層を薄くする必要があるが、特性
層の厚みが薄くなった場合、静電容量が大きくなること
による。
ライン用に用いることはできなかった。これは、（ａ）
高速信号タインにおいて用いられる電圧が３〜5Vと低
く、またICを確実に保護するには、バリスタ電圧は５〜
8V以下であることが要求されるが、このような低バリス
タ電圧の素子を安定に製造することができなかったこ
と、並びに（ｂ）バリスタ電圧を低くするには電極間に
挟まれたバリスタ特性層を薄くする必要があるが、特性
層の厚みが薄くなった場合、静電容量が大きくなること
による。
他方、機器のコネクタにノイズ吸収素子を組み込んだ
構造が広汎に用いられている。コネクタに組込まれるノ
イズ吸収素子としては、セラミックスよりなる貫通円筒
形状のものがよく用いられている。しかしながら、セラ
ミックスよりなるため脆く、コネクタに組み込む際に欠
けやクラック等が生じがちであった。
構造が広汎に用いられている。コネクタに組込まれるノ
イズ吸収素子としては、セラミックスよりなる貫通円筒
形状のものがよく用いられている。しかしながら、セラ
ミックスよりなるため脆く、コネクタに組み込む際に欠
けやクラック等が生じがちであった。
よって、本発明の目的は、高速信号ライン用ノイズ吸
収素子として用い得る低いバリスタ電圧を有し、かつ静
電容量が十分に低く、さらに取り扱い時に欠けやクラッ
ク等が生じ難いノイズフイルタを提供することにある。
収素子として用い得る低いバリスタ電圧を有し、かつ静
電容量が十分に低く、さらに取り扱い時に欠けやクラッ
ク等が生じ難いノイズフイルタを提供することにある。
本発明のノイズフイルタは、電圧非直線性を示す半導
体磁器粉末と合成樹脂とを含む混合材料を成形してなる
板状の成形体を用いて構成されている。この成形体内ま
たは成形体主面には、少なくとも１つの共通電極が形成
されており、該共通電極と電気的に接続されるように上
記成形体の側面に第１の外部電極が形成されている。ま
た、共通電極と、成形体層を介して重なり合うように、
かつ共通電極と交差するように、少なくとも１つのライ
ン電極が配置されており、このライン電極と電気的に接
続されるように上記成形体の側面に第２の外部電極が形
成されている。
体磁器粉末と合成樹脂とを含む混合材料を成形してなる
板状の成形体を用いて構成されている。この成形体内ま
たは成形体主面には、少なくとも１つの共通電極が形成
されており、該共通電極と電気的に接続されるように上
記成形体の側面に第１の外部電極が形成されている。ま
た、共通電極と、成形体層を介して重なり合うように、
かつ共通電極と交差するように、少なくとも１つのライ
ン電極が配置されており、このライン電極と電気的に接
続されるように上記成形体の側面に第２の外部電極が形
成されている。
本発明において電圧非直線性を示す半導体磁器粉末と
しては、ZnO、SrTiO3またはSiC等の半導体磁器粉末を主
体とする、従来よりバリスタ材料として用いられている
種々の半導体磁器粉末が用いられる。
しては、ZnO、SrTiO3またはSiC等の半導体磁器粉末を主
体とする、従来よりバリスタ材料として用いられている
種々の半導体磁器粉末が用いられる。
上記半導体磁器粉末と混合される合成樹脂としては、
エポキシ樹脂のような種々の熱硬化性樹脂、シリコン樹
脂のようなフッ素系樹脂もしくはゴム系樹脂、またはこ
れらの樹脂にガラスフィラーもしくはカーボンフィラー
を混合したもの等が用いられ得る。上記材料の混合材料
を成形してなる成形体は、例えば150℃の温度で加熱成
形したり、あるいはシート成形等の種々の成形法により
成形されたものを用いることができる。
エポキシ樹脂のような種々の熱硬化性樹脂、シリコン樹
脂のようなフッ素系樹脂もしくはゴム系樹脂、またはこ
れらの樹脂にガラスフィラーもしくはカーボンフィラー
を混合したもの等が用いられ得る。上記材料の混合材料
を成形してなる成形体は、例えば150℃の温度で加熱成
形したり、あるいはシート成形等の種々の成形法により
成形されたものを用いることができる。
成形体中において半導体磁器粉末の粒度を大きくする
ことにより、共通電極とライン電極との間の成形体層の
厚みを薄くすることなくバリスタ電圧が低減される。
ことにより、共通電極とライン電極との間の成形体層の
厚みを薄くすることなくバリスタ電圧が低減される。
また、合成樹脂が含まれているため、並びに共通電極
とライン電極とが交差されて重なり面積が小さくされて
いるため、静電容量が低下される。
とライン電極とが交差されて重なり面積が小さくされて
いるため、静電容量が低下される。
さらに、合成樹脂が混合されているため、耐衝撃性が
高められる。
高められる。
以下、本発明の実施例につき説明する。
半導体磁器粉末の調製 半導体磁器粉末として、下記のZnO系粉末、SrTiO3系
粉末及びSiC系粉末の３種類の粉末を用意した。
粉末及びSiC系粉末の３種類の粉末を用意した。
ZnOを98.3モル％、Co2O3を0.5モル％、MnOを0.5モル
％、Sb2O3を0.2モル％及びBi2O3を0.5モル％含むよう
に、ZnO、CoCO3、MnCO3，Sb2O3及びBi2O3を秤量し、ボ
ールミルにより湿式混合した。混合により得られたスラ
リーを乾燥し、50メッシュのふるいを通過させた。
％、Sb2O3を0.2モル％及びBi2O3を0.5モル％含むよう
に、ZnO、CoCO3、MnCO3，Sb2O3及びBi2O3を秤量し、ボ
ールミルにより湿式混合した。混合により得られたスラ
リーを乾燥し、50メッシュのふるいを通過させた。
ふるわれた原料粉末を、空気中、1200℃の温度で５時
間焼成した。さらに、焼成された原料をボールミルで粉
砕し、乾燥した後、10μｍ〜20μｍの範囲の粒径となる
ように分級し、半導体磁器粉末としてのZnO系粉末を調
製した。
間焼成した。さらに、焼成された原料をボールミルで粉
砕し、乾燥した後、10μｍ〜20μｍの範囲の粒径となる
ように分級し、半導体磁器粉末としてのZnO系粉末を調
製した。
〔SrTiO3系粉末〕 Sr0.80Ca0.20Y0.005Ti1.0O3となるように、SrCO3、Ca
CO3、Y2O3及びTiO2を秤量し、ボールミルで湿式混合し
た。混合して得られたスラリーを乾燥し、50メッシュの
ふるいを通過させた。ふるわれた原料粉末を、空気中、
1200℃の温度で２時間焼成し、さらにN2＋H2雰囲気中に
おいて1400℃の温度で３時間焼成した。焼成された原料
をボールミルで粉砕し、乾燥した後、粒径が10μｍ〜20
μｍとなるように分級し、SrTiO3系粉末を調製した。
CO3、Y2O3及びTiO2を秤量し、ボールミルで湿式混合し
た。混合して得られたスラリーを乾燥し、50メッシュの
ふるいを通過させた。ふるわれた原料粉末を、空気中、
1200℃の温度で２時間焼成し、さらにN2＋H2雰囲気中に
おいて1400℃の温度で３時間焼成した。焼成された原料
をボールミルで粉砕し、乾燥した後、粒径が10μｍ〜20
μｍとなるように分級し、SrTiO3系粉末を調製した。
市販のSiC粉末（100メッシュを通過したもの）をジェ
ットミルで粉砕し、分級して10〜20μｍのSiC系粉末を
調製した。
ットミルで粉砕し、分級して10〜20μｍのSiC系粉末を
調製した。
ノイズフイルタの作製 上述した３種類の半導体磁器粉末95重量％に対し、そ
れぞれ、５重量％のエポキシ樹脂及び20重量％のエチル
アルコールを加えてスラリー状とし、ドクターブレード
法により100μｍの厚みのシートを作製し、乾燥させ
た。
れぞれ、５重量％のエポキシ樹脂及び20重量％のエチル
アルコールを加えてスラリー状とし、ドクターブレード
法により100μｍの厚みのシートを作製し、乾燥させ
た。
乾燥後、複数枚のシートを用意し、第１図に斜視図で
示すライン電極1a〜1d,共通電極２及びライン電極3a〜3
dを、シート４〜６の一方主面にNiをスパッタリングす
ることにより形成した。なお、各ライン電極1a〜1d,3a
〜3d及び共通電極の位置関係を明確にするため、第２図
（ａ）〜（ｃ）に、シート４〜６の平面図をそれぞれ示
す。
示すライン電極1a〜1d,共通電極２及びライン電極3a〜3
dを、シート４〜６の一方主面にNiをスパッタリングす
ることにより形成した。なお、各ライン電極1a〜1d,3a
〜3d及び共通電極の位置関係を明確にするため、第２図
（ａ）〜（ｃ）に、シート４〜６の平面図をそれぞれ示
す。
次に、シート４〜６の上面及び下面にシート7,8を積
層し、厚み方向に５トン／cm2の圧力を加えつつ、150℃
の温度で15分加熱し、成形した。得られた成形体９を第
３図に斜視図で示す。さらに、成形体９に、第４図に示
すように、外部電極11a〜11h,12a〜12h及び13a,13bを形
成した。これらの外部電極は、Ag導電ペーストを塗布
し、150℃の温度で１時間熱処理することにより形成し
た。
層し、厚み方向に５トン／cm2の圧力を加えつつ、150℃
の温度で15分加熱し、成形した。得られた成形体９を第
３図に斜視図で示す。さらに、成形体９に、第４図に示
すように、外部電極11a〜11h,12a〜12h及び13a,13bを形
成した。これらの外部電極は、Ag導電ペーストを塗布
し、150℃の温度で１時間熱処理することにより形成し
た。
なお、比較例として、上記実施例のような成形体では
なく、ZnO系半導体磁器を用いて、実施例のノイズフイ
ルタと等しい大きさでありかつ同様の電極構造を有する
ノイズフイルタを作製した。この比較例において用いた
ZnO系半導体磁器では、ZnOに加えて,Bi、Mn、Co及びSb
等が添加されている。
なく、ZnO系半導体磁器を用いて、実施例のノイズフイ
ルタと等しい大きさでありかつ同様の電極構造を有する
ノイズフイルタを作製した。この比較例において用いた
ZnO系半導体磁器では、ZnOに加えて,Bi、Mn、Co及びSb
等が添加されている。
実施例及び比較例の特性 上述のようにして作製した３種の実施例のノイズフイ
ルタと、比較例のノイズフイルタの特性を、下記の第１
表に示す。
ルタと、比較例のノイズフイルタの特性を、下記の第１
表に示す。
なお、第１表においてV1mAは、1mAの電流を流した場
合のバリスタ電圧を示し、VPは、2kV,50n秒の矩形電圧
波を印加した場合の最高出力電圧を示す。また、落下試
験は、2mの高さから各ノイズフイルタをコンクリート製
の床に自由落下させて、異常の有無を調べることにより
行った。
合のバリスタ電圧を示し、VPは、2kV,50n秒の矩形電圧
波を印加した場合の最高出力電圧を示す。また、落下試
験は、2mの高さから各ノイズフイルタをコンクリート製
の床に自由落下させて、異常の有無を調べることにより
行った。
第１表から明らかなように、ZnO系粉末、SrTiO3系粉
末及びSiO系粉末の何れの半導体磁器粉末を用いた実施
例においても、比較例のノイズフイルタの場合に比べ
て、バリスタ電圧及び静電容量が低められることがわか
る。また、実施例では樹脂が混合された成形体を用いて
いるため、比較例のノイズフイルタに比べて曲げ強度が
かなり高く、また落下試験においても何ら異常を発生し
ないことがわかる。
末及びSiO系粉末の何れの半導体磁器粉末を用いた実施
例においても、比較例のノイズフイルタの場合に比べ
て、バリスタ電圧及び静電容量が低められることがわか
る。また、実施例では樹脂が混合された成形体を用いて
いるため、比較例のノイズフイルタに比べて曲げ強度が
かなり高く、また落下試験においても何ら異常を発生し
ないことがわかる。
本発明によれば、成形体中に合成樹脂が混合されてい
るため、並びにライン電極と共通電極とが交差するよう
に配置されているので、静電容量及びバリスタ電圧を効
果的に低めることができる。従って、従来よりバリスタ
を用いることが困難であると考えられていた信号ライン
用のノイズフイルタ素子に、バリスタからなるノイズフ
イルタを用いることができるので、信号ラインにおける
トランジェントノイズを効果的に吸収することが可能と
なる。
るため、並びにライン電極と共通電極とが交差するよう
に配置されているので、静電容量及びバリスタ電圧を効
果的に低めることができる。従って、従来よりバリスタ
を用いることが困難であると考えられていた信号ライン
用のノイズフイルタ素子に、バリスタからなるノイズフ
イルタを用いることができるので、信号ラインにおける
トランジェントノイズを効果的に吸収することが可能と
なる。
さらに、本発明では、半導体磁器粉末と合成樹脂とを
含む混合材料よりなる成形体を用いているため、耐衝撃
性も高められ、ノイズフイルタの取扱時の欠けやクラッ
ク等の事故を効果的に防止することができる。
含む混合材料よりなる成形体を用いているため、耐衝撃
性も高められ、ノイズフイルタの取扱時の欠けやクラッ
ク等の事故を効果的に防止することができる。
第１図は本発明の実施例において用意されるシートとシ
ートの主面に形成される電極形状を説明するための分解
斜視図、第２図（ａ）〜（ｃ）はライン電極と共通電極
との位置関係を説明するための各平面図、第３図は成形
体を示す斜視図、第４図は成形体に内部電極を付与した
状態を示す斜視図である。 図において、1a〜1d,3a〜3dはライン電極、２は共通電
極、９は成形体、11a〜11h,12a〜12h,13a,13bは外部電
極を示す。
ートの主面に形成される電極形状を説明するための分解
斜視図、第２図（ａ）〜（ｃ）はライン電極と共通電極
との位置関係を説明するための各平面図、第３図は成形
体を示す斜視図、第４図は成形体に内部電極を付与した
状態を示す斜視図である。 図において、1a〜1d,3a〜3dはライン電極、２は共通電
極、９は成形体、11a〜11h,12a〜12h,13a,13bは外部電
極を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 湯川 克巳 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 坂部 行雄 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 昭53−44899（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−203503（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】電圧非直線性を示す半導体磁器粉末と合成
樹脂とを含む混合材料を成形してなる板状の成形体と、 前記成形体内または成形体主面に形成された少なくとも
１つの共通電極と、 前記共通電極と電気的に接続されており、かつ前記成形
体の側面に形成された第１の外部電極と、 前記共通電極と成形体層を介して重なり合うようにかつ
共通電極と交差するように配置された少なくとも１つの
ライン電極と、 前記ライン電極と電気的に接続されており、かつ前記成
形体の側面に形成された第２の外部電極とを備えること
を特徴とする、ノイズフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1267493A JPH0824083B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | ノイズフイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1267493A JPH0824083B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | ノイズフイルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03127802A JPH03127802A (ja) | 1991-05-30 |
| JPH0824083B2 true JPH0824083B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=17445617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1267493A Expired - Fee Related JPH0824083B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | ノイズフイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0824083B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USD600051S1 (en) | 2008-04-09 | 2009-09-15 | Formway Furniture Limited | Chair back |
| USD601827S1 (en) | 2008-12-18 | 2009-10-13 | Formway Furniture Limited | Furniture base |
| USD604535S1 (en) | 2008-04-09 | 2009-11-24 | Formway Furniture Limited | Chair |
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| JPS61203503U (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-22 |
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1989
- 1989-10-13 JP JP1267493A patent/JPH0824083B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| USD601827S1 (en) | 2008-12-18 | 2009-10-13 | Formway Furniture Limited | Furniture base |
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