JPH09179130A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH09179130A JPH09179130A JP35022995A JP35022995A JPH09179130A JP H09179130 A JPH09179130 A JP H09179130A JP 35022995 A JP35022995 A JP 35022995A JP 35022995 A JP35022995 A JP 35022995A JP H09179130 A JPH09179130 A JP H09179130A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- sealing material
- liquid crystal
- wiring
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 140
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 104
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 102
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 75
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 60
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 12
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000002964 rayon Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13454—Drivers integrated on the active matrix substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】シール材の段差を一様にして、液晶表示装置の
歩留まり、信頼性を向上する。 【解決手段】走査線の出発膜をパターニングして、領域
R1、領域R2には、電気的に接続されない角柱状の第１層
目のダミー配線３０１が形成され、領域R3には、画素部
から延長された配線３０２が形成され、領域R4には、接
続端部３０３ａを有する配線３０３が形成される。これ
らの表面に層間絶縁膜が形成された後に、信号線の出発
膜をパターニングして、配線３０１〜３０３の間隙を埋
めるように第２層目のダミー配線３０４が形成されると
共に、画素部から延長された配線３０５と配線３０３が
接続される。この結果、シール材形成領域１０７の線Ａ
−Ａ’に沿った断面構成を一様にすることができる。
歩留まり、信頼性を向上する。 【解決手段】走査線の出発膜をパターニングして、領域
R1、領域R2には、電気的に接続されない角柱状の第１層
目のダミー配線３０１が形成され、領域R3には、画素部
から延長された配線３０２が形成され、領域R4には、接
続端部３０３ａを有する配線３０３が形成される。これ
らの表面に層間絶縁膜が形成された後に、信号線の出発
膜をパターニングして、配線３０１〜３０３の間隙を埋
めるように第２層目のダミー配線３０４が形成されると
共に、画素部から延長された配線３０５と配線３０３が
接続される。この結果、シール材形成領域１０７の線Ａ
−Ａ’に沿った断面構成を一様にすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
ック方式の液晶表示装置に関するものであり、基板張り
合わせ時に発生する不良を削減することを目的とする。
特に、周辺回路一体型の液晶表示装置に関するものであ
る。
ック方式の液晶表示装置に関するものであり、基板張り
合わせ時に発生する不良を削減することを目的とする。
特に、周辺回路一体型の液晶表示装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のアクティブマトリックス型液晶表
示装置においては、画素部にマトリクス状に配置された
ＭＩＭ等の２端子素子、又はＴＦＴ等の３端子素子のス
イチッング作用を利用して、画素電極間に挟持されてい
る液晶材料の透光性等の光学特性を制御して、表示を得
ている。一般に、画素電極のスイチッング素子として、
アモルファスシリコンを使用したＴＦＴが広く使用され
ている。
示装置においては、画素部にマトリクス状に配置された
ＭＩＭ等の２端子素子、又はＴＦＴ等の３端子素子のス
イチッング作用を利用して、画素電極間に挟持されてい
る液晶材料の透光性等の光学特性を制御して、表示を得
ている。一般に、画素電極のスイチッング素子として、
アモルファスシリコンを使用したＴＦＴが広く使用され
ている。
【０００３】しかしながら、アモルファスシリコンの電
界効果移動度が０．１ｃｍ／Ｖｓ〜１ｃｍ／Ｖｓ程度と
低くいため、アモルファスシリコンを利用したＴＦＴを
画素電極に接続されたＴＦＴを制御する周辺駆動回路に
配置することはできない。
界効果移動度が０．１ｃｍ／Ｖｓ〜１ｃｍ／Ｖｓ程度と
低くいため、アモルファスシリコンを利用したＴＦＴを
画素電極に接続されたＴＦＴを制御する周辺駆動回路に
配置することはできない。
【０００４】このため、従来のアクティブマトリックス
型液晶表示装置では、半導体集積回路により構成された
周辺駆動回路を、テープ自動ボンディング（ＴＡＢ）法
や、チップ・オン・グラス（ＣＯＧ）法により、液晶パ
ネルに外付けしている。
型液晶表示装置では、半導体集積回路により構成された
周辺駆動回路を、テープ自動ボンディング（ＴＡＢ）法
や、チップ・オン・グラス（ＣＯＧ）法により、液晶パ
ネルに外付けしている。
【０００５】図１６は第１の従来例のアクティブマトリ
ックス型液晶パネルの概略の正面図であり、周辺駆動回
路を外付けにしたものである。図１６に示すように、ガ
ラス、石英等の素子基板１上には、走査線２、信号線３
がマトリクス上に配置され、画素部４において、これら
の配線の交差部には、画素電極、画素電極のスイッチン
グ用の画素ＴＦＴが接続されている。走査線２、信号線
３はそれぞれシール材領域５の外側まで延在しており、
このため、シール材を横切る配線数は少なくとも、走査
線２、信号線３の数だけある。それら配線の端部はその
まま引き出し端子６となり、引き出し端子６には、図示
しない周辺駆動回路接続されている。更に、シール材領
域５に形成されるシール材により、素子基板１と図示し
ない対向基板とが接合され、これらの基板間にシール材
により液晶材料が封入されている。
ックス型液晶パネルの概略の正面図であり、周辺駆動回
路を外付けにしたものである。図１６に示すように、ガ
ラス、石英等の素子基板１上には、走査線２、信号線３
がマトリクス上に配置され、画素部４において、これら
の配線の交差部には、画素電極、画素電極のスイッチン
グ用の画素ＴＦＴが接続されている。走査線２、信号線
３はそれぞれシール材領域５の外側まで延在しており、
このため、シール材を横切る配線数は少なくとも、走査
線２、信号線３の数だけある。それら配線の端部はその
まま引き出し端子６となり、引き出し端子６には、図示
しない周辺駆動回路接続されている。更に、シール材領
域５に形成されるシール材により、素子基板１と図示し
ない対向基板とが接合され、これらの基板間にシール材
により液晶材料が封入されている。
【０００６】また、近年では、電界効果移動度が大きい
ＴＦＴを得るために、結晶性シリコンを利用してＴＦＴ
を作製技術が盛んに研究されている。結晶性シリコンを
利用したＴＦＴはアモルファスシリコンＴＦＴよりも格
段の高速動作が可能であり、結晶性シリコンにより、Ｎ
ＭＯＳのＴＦＴのみでなく、ＰＭＯＳのＴＦＴも同様に
得られるのでＣＭＯＳ回路を形成することが可能であ
る。従って、同一基板上に表示部と共に、周辺駆動回路
を作製することが可能になる。
ＴＦＴを得るために、結晶性シリコンを利用してＴＦＴ
を作製技術が盛んに研究されている。結晶性シリコンを
利用したＴＦＴはアモルファスシリコンＴＦＴよりも格
段の高速動作が可能であり、結晶性シリコンにより、Ｎ
ＭＯＳのＴＦＴのみでなく、ＰＭＯＳのＴＦＴも同様に
得られるのでＣＭＯＳ回路を形成することが可能であ
る。従って、同一基板上に表示部と共に、周辺駆動回路
を作製することが可能になる。
【０００７】図１７は第２の従来例のアクティブマトリ
ックス型液晶表示装置の概略の正面図であり、周辺駆動
回路と表示部をパネル一体化したものである。図１７に
示すように、ガラス、石英等の素子基板１１上には、画
素部１２が配置され、画素部１２の周囲において、上側
には信号線駆動回路１３が設けられ、左側には走査線駆
動回路１４が設けられている。信号線駆動回路１３、走
査線駆動回路１４にはそれぞれ信号線１５、走査線１６
が接続されている。信号線１５、走査線１６はそれぞれ
画素部１２において格子を成し、信号線駆動回路１３、
走査線駆動回路１４に接続されていない端部はシール材
領域１７の外側まで延在して、図示しない制御回路、電
源等が接続されている。また、シール材領域１７に形成
されるシール材により、素子基板１１と対向基板１８と
が接合され、シール材形により、これら基板１１、１８
間に液晶材料が封入されている。更に、素子基板１１上
には、外部端子１９が設けられている。
ックス型液晶表示装置の概略の正面図であり、周辺駆動
回路と表示部をパネル一体化したものである。図１７に
示すように、ガラス、石英等の素子基板１１上には、画
素部１２が配置され、画素部１２の周囲において、上側
には信号線駆動回路１３が設けられ、左側には走査線駆
動回路１４が設けられている。信号線駆動回路１３、走
査線駆動回路１４にはそれぞれ信号線１５、走査線１６
が接続されている。信号線１５、走査線１６はそれぞれ
画素部１２において格子を成し、信号線駆動回路１３、
走査線駆動回路１４に接続されていない端部はシール材
領域１７の外側まで延在して、図示しない制御回路、電
源等が接続されている。また、シール材領域１７に形成
されるシール材により、素子基板１１と対向基板１８と
が接合され、シール材形により、これら基板１１、１８
間に液晶材料が封入されている。更に、素子基板１１上
には、外部端子１９が設けられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図１６に示す第１の従
来例では、画素部４周辺の配線構造が紙面において上下
及び左右に対称的であるため、シール部の段差が均一に
なるので、基板間隔を均等にすることができる。
来例では、画素部４周辺の配線構造が紙面において上下
及び左右に対称的であるため、シール部の段差が均一に
なるので、基板間隔を均等にすることができる。
【０００９】しかしながら、第１の従来例では、周辺駆
動回路がシール材の外側に接続されるため、シール材を
横切る配線数が多く、駆動回路から画素部に接続されて
いる配線とシール材との界面から水分が侵入して、液晶
表材料を劣化してしまうとい問題点がある。また、周辺
駆動回路が外側にあるため、装置自体が大型化してしま
う。
動回路がシール材の外側に接続されるため、シール材を
横切る配線数が多く、駆動回路から画素部に接続されて
いる配線とシール材との界面から水分が侵入して、液晶
表材料を劣化してしまうとい問題点がある。また、周辺
駆動回路が外側にあるため、装置自体が大型化してしま
う。
【００１０】これらの問題点を回避するために、図１７
に示す第２の従来例の周辺駆動回路一体型のアクティブ
マトリックス型液晶表示装置では、シール材領域１７の
内側に周辺駆動回路を配置している。また、一般的に冗
長回路を設けずに、片側駆動方式が採用されている。こ
のため、図１３に示すように、素子基板１１の右側、下
側だけ配線がシール材を横断しているので、配線構造が
紙面上下及び左右で対称性が無くなり、シール材の段差
は周辺駆動回路側と、配線が延長している側では異な
る。従って、基板を張り合わせる際に、基板に均等に圧
力がかからないため、基板間隔を均等にすることが困難
になる。この結果、表示ムラが生じたり、画質を低下さ
せてしまう。
に示す第２の従来例の周辺駆動回路一体型のアクティブ
マトリックス型液晶表示装置では、シール材領域１７の
内側に周辺駆動回路を配置している。また、一般的に冗
長回路を設けずに、片側駆動方式が採用されている。こ
のため、図１３に示すように、素子基板１１の右側、下
側だけ配線がシール材を横断しているので、配線構造が
紙面上下及び左右で対称性が無くなり、シール材の段差
は周辺駆動回路側と、配線が延長している側では異な
る。従って、基板を張り合わせる際に、基板に均等に圧
力がかからないため、基板間隔を均等にすることが困難
になる。この結果、表示ムラが生じたり、画質を低下さ
せてしまう。
【００１１】特に、周辺駆動回路側のシール材の段差が
低くなっているため、基板張り合わせ時に、周辺駆動回
路において、配線が上下間でショートしてしまう恐れが
あり、線欠陥が生じ易い。これらの問題点は、周辺駆動
回路一体型の液晶表示装置の歩留りの低下、信頼性の低
下の新たな原因となっている。
低くなっているため、基板張り合わせ時に、周辺駆動回
路において、配線が上下間でショートしてしまう恐れが
あり、線欠陥が生じ易い。これらの問題点は、周辺駆動
回路一体型の液晶表示装置の歩留りの低下、信頼性の低
下の新たな原因となっている。
【００１２】また、画素部において、最も突出している
部分は走査線と信号線とが重なっている領域であり、こ
の領域には、走査線、信号線、これらを分離するための
層間絶縁膜のみでなく、更に、画素電極、ブラックマト
リクス等が積層されている。一般に、シール材には基板
間隔を維持するための円柱状のファイバーが混入されて
いる。ファイバーの寸法は画素部の突出部の厚さと、シ
ール材の内側に散布されるスペーサーの寸法とを合わせ
て、マージンを考慮した値とされて、画素部よりシール
材の段差が高くなるようにしているが、画素部の突出部
上にスペーサーが配置されていると、シール材よりもこ
の部分のほうが高くなってしまうので、この状態で、基
板を張り合わせると、スペーサにより走査線と信号線が
上下間でショートされてしまい、点欠陥、線欠陥の原因
となる。
部分は走査線と信号線とが重なっている領域であり、こ
の領域には、走査線、信号線、これらを分離するための
層間絶縁膜のみでなく、更に、画素電極、ブラックマト
リクス等が積層されている。一般に、シール材には基板
間隔を維持するための円柱状のファイバーが混入されて
いる。ファイバーの寸法は画素部の突出部の厚さと、シ
ール材の内側に散布されるスペーサーの寸法とを合わせ
て、マージンを考慮した値とされて、画素部よりシール
材の段差が高くなるようにしているが、画素部の突出部
上にスペーサーが配置されていると、シール材よりもこ
の部分のほうが高くなってしまうので、この状態で、基
板を張り合わせると、スペーサにより走査線と信号線が
上下間でショートされてしまい、点欠陥、線欠陥の原因
となる。
【００１３】本発明の目的は、上述の問題点を解消し
て、画質の優れた、信頼性の高い周辺駆動回路一体型の
液晶表示装置を提供することにある。
て、画質の優れた、信頼性の高い周辺駆動回路一体型の
液晶表示装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上述の問題点を解消する
ために、本発明に係る液晶表示装置の構成は、マトリク
ス回路を有する素子基板と、該素子基板と対向する対向
基板と、前記素子基板と前記対向基板とを接着するため
のシール材と、を有する液晶表示装置において、前記素
子基板において、前記シール材が形成される領域には、
少なくとも１層以上の積層構造を有する基板間隔補正手
段が配置されていることを特徴とする。
ために、本発明に係る液晶表示装置の構成は、マトリク
ス回路を有する素子基板と、該素子基板と対向する対向
基板と、前記素子基板と前記対向基板とを接着するため
のシール材と、を有する液晶表示装置において、前記素
子基板において、前記シール材が形成される領域には、
少なくとも１層以上の積層構造を有する基板間隔補正手
段が配置されていることを特徴とする。
【００１５】また本発明の他の構成は、マトリクス状に
配置され、第１の層間絶縁膜より層間分離された信号線
と走査線と、該信号線と該走査線との交点に配置され、
第２の層間絶縁膜により信号線と層間分離された画素電
極とを有するマトリクス回路と、該マトリクス回路を制
御するための周辺駆動回路とを有する素子基板と、該素
子基板と対向する対向基板と、前記マトリクス回路を取
り囲み、前記素子基板と前記対向基板とを接着するため
のシール材と、を有する液晶表示装置において、前記素
子基板において、前記シール材の形成領域には、少なく
とも信号線と同一の材料から成る第１の支持手段と、前
記第１の層間絶縁膜と、信号線と同一の材料から成る第
２の支持手段と、第２の層間絶縁膜とが互いに異なる層
に形成されている基板間隔補正手段を有することを特徴
とする。
配置され、第１の層間絶縁膜より層間分離された信号線
と走査線と、該信号線と該走査線との交点に配置され、
第２の層間絶縁膜により信号線と層間分離された画素電
極とを有するマトリクス回路と、該マトリクス回路を制
御するための周辺駆動回路とを有する素子基板と、該素
子基板と対向する対向基板と、前記マトリクス回路を取
り囲み、前記素子基板と前記対向基板とを接着するため
のシール材と、を有する液晶表示装置において、前記素
子基板において、前記シール材の形成領域には、少なく
とも信号線と同一の材料から成る第１の支持手段と、前
記第１の層間絶縁膜と、信号線と同一の材料から成る第
２の支持手段と、第２の層間絶縁膜とが互いに異なる層
に形成されている基板間隔補正手段を有することを特徴
とする。
【００１６】更に、本発明に係る液晶表示装置の他の構
成は、マトリクス状に配置され、第１の層間絶縁膜より
層間分離された信号線と走査線と、該信号線と該走査線
との交点に配置され、第２の層間絶縁膜により信号線と
層間分離された画素電極と、画素電極を動作させるため
の薄膜トランジスタとを有するマトリクス回路と、該マ
トリクス回路を制御するための周辺駆動回路とを有する
素子基板と、該素子基板と対向する対向基板と、前記マ
トリクス回路を取り囲み、前記素子基板と前記対向基板
とを接着するためのシール材と、を有する液晶表示装置
において、前記素子基板において、前記シール材の形成
領域には、少なくとも走査線と同一の材料から成る支持
手段と、前記第１の層間絶縁膜と、第２の層間絶縁膜と
が互いに異なる層に形成されている基板間隔補正手段を
有することを特徴とする。
成は、マトリクス状に配置され、第１の層間絶縁膜より
層間分離された信号線と走査線と、該信号線と該走査線
との交点に配置され、第２の層間絶縁膜により信号線と
層間分離された画素電極と、画素電極を動作させるため
の薄膜トランジスタとを有するマトリクス回路と、該マ
トリクス回路を制御するための周辺駆動回路とを有する
素子基板と、該素子基板と対向する対向基板と、前記マ
トリクス回路を取り囲み、前記素子基板と前記対向基板
とを接着するためのシール材と、を有する液晶表示装置
において、前記素子基板において、前記シール材の形成
領域には、少なくとも走査線と同一の材料から成る支持
手段と、前記第１の層間絶縁膜と、第２の層間絶縁膜と
が互いに異なる層に形成されている基板間隔補正手段を
有することを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】図面を使用して本発明の実施の形
態を説明する。図１は本実施例のアクティブマトリック
ス型液晶表示装置の素子基板の概略の正面図であり、周
辺駆動回路１０３、１０２と表示部１０２が素子基板１
０１上に配置されている。
態を説明する。図１は本実施例のアクティブマトリック
ス型液晶表示装置の素子基板の概略の正面図であり、周
辺駆動回路１０３、１０２と表示部１０２が素子基板１
０１上に配置されている。
【００１８】図１に示すように、紙面右側、下側におい
て、信号線１０５、走査線１０６がシール材形成領域１
０７を横断しているが、周辺回路１０３、１０４側のシ
ール材形成領域１０７には、これらの配線が横断してい
ない。このため本発明において、シール材下部構造の段
差を均一にする基板間隔補正手段を形成する。
て、信号線１０５、走査線１０６がシール材形成領域１
０７を横断しているが、周辺回路１０３、１０４側のシ
ール材形成領域１０７には、これらの配線が横断してい
ない。このため本発明において、シール材下部構造の段
差を均一にする基板間隔補正手段を形成する。
【００１９】図６は基板間隔維持手段のシール材幅方向
の断面図である。図６に示すように、シール材形成領域
には、走査線１０６と同一の材料から成る第１の支持部
材３０１、３０２、３０３と、信号線１０５と走査線１
０６とを分離する第１の層間絶縁膜２２０、信号線１０
５と同一の材料から成る第２の支持部材３０４とが積層
されている。特に、第１の支持部材３０１、３０２、３
０３上に、第２の支持部材３０４が存在しないようにし
たため、シール材形成領域１０７の縁部に沿った基板間
隔維持手段の断面構成を一様になるので、シール材の段
差を均一にすることができる。
の断面図である。図６に示すように、シール材形成領域
には、走査線１０６と同一の材料から成る第１の支持部
材３０１、３０２、３０３と、信号線１０５と走査線１
０６とを分離する第１の層間絶縁膜２２０、信号線１０
５と同一の材料から成る第２の支持部材３０４とが積層
されている。特に、第１の支持部材３０１、３０２、３
０３上に、第２の支持部材３０４が存在しないようにし
たため、シール材形成領域１０７の縁部に沿った基板間
隔維持手段の断面構成を一様になるので、シール材の段
差を均一にすることができる。
【００２０】図１５は他の基板間隔維持手段のシール材
幅方向の断面図である。図１５に示すように、シール材
形成領域１０７には、走査線１０６と同一の材料から成
る第１の支持部材３０１、３０２、３０３と、信号線１
０５と走査線１０６とを分離する第１の層間絶縁膜２２
０、信号線１０５と同一の材料から成る第２の支持部材
７０１とが積層されている。マトリクス回路の厚さが最
大となる領域は、信号線１０５と走査線１０６とが重な
る領域であり、その領域には、少なくとも、素子基板上
に、信号線、層間絶縁膜、走査線、パッシベーション膜
が積層されている。従って、本発明では、第１の支持部
材３０１、３０２、３０３上と、第２の支持部材７０１
とを重なるように配置することにより、基板間隔保持手
段の段差と、マトリクス回路の厚さが最大となる領域の
高さを略等しくすることができるので、シール材より
も、スペーサーを含むマトリクス回路の段差が低くなる
ので、基板を張り合わせる際の圧力はシール材で支える
ことができるため、スペーサにより走査線と信号線が上
下間でショートされることを防止することができる。な
お、信号線１０５と走査線１０６とが重なる領域には、
更に、画素電極、ブラックマトリクス等が積層されるた
め、基板間隔形成手段にも、同様に、画素電極、ブラッ
クマトリクス等を積層するとよい。
幅方向の断面図である。図１５に示すように、シール材
形成領域１０７には、走査線１０６と同一の材料から成
る第１の支持部材３０１、３０２、３０３と、信号線１
０５と走査線１０６とを分離する第１の層間絶縁膜２２
０、信号線１０５と同一の材料から成る第２の支持部材
７０１とが積層されている。マトリクス回路の厚さが最
大となる領域は、信号線１０５と走査線１０６とが重な
る領域であり、その領域には、少なくとも、素子基板上
に、信号線、層間絶縁膜、走査線、パッシベーション膜
が積層されている。従って、本発明では、第１の支持部
材３０１、３０２、３０３上と、第２の支持部材７０１
とを重なるように配置することにより、基板間隔保持手
段の段差と、マトリクス回路の厚さが最大となる領域の
高さを略等しくすることができるので、シール材より
も、スペーサーを含むマトリクス回路の段差が低くなる
ので、基板を張り合わせる際の圧力はシール材で支える
ことができるため、スペーサにより走査線と信号線が上
下間でショートされることを防止することができる。な
お、信号線１０５と走査線１０６とが重なる領域には、
更に、画素電極、ブラックマトリクス等が積層されるた
め、基板間隔形成手段にも、同様に、画素電極、ブラッ
クマトリクス等を積層するとよい。
【００２１】図４は基板間隔補正手段の上面図であり、
シール材形成領域１０７には、線状の第１の支持部材３
０１、３０２、３０３と第２の支持部材３０４とが等間
隔に交互に配置されている
シール材形成領域１０７には、線状の第１の支持部材３
０１、３０２、３０３と第２の支持部材３０４とが等間
隔に交互に配置されている
【００２２】マトリクス回路から延長された走査線はシ
ール材形成領域１０７を横断する領域R3において、第１
の支持部材３０２と一体的に形成され、シール材形成領
域１０７の外部に延長される。他方、マトリクス回路１
０２から延長された信号線３０５はシール材形成領域１
０７を横断する第１の支持部材３０３とシール材形成領
域１０７の内側で接続される。
ール材形成領域１０７を横断する領域R3において、第１
の支持部材３０２と一体的に形成され、シール材形成領
域１０７の外部に延長される。他方、マトリクス回路１
０２から延長された信号線３０５はシール材形成領域１
０７を横断する第１の支持部材３０３とシール材形成領
域１０７の内側で接続される。
【００２３】このように、本発明では、シール材形成領
域１０７を横断して電気的に素子基板外部の回路と接続
される配線パターンを第１の支持部材３０２、３０３の
みで構成するようにしたため、シール材の段差をより均
一にすることができる。
域１０７を横断して電気的に素子基板外部の回路と接続
される配線パターンを第１の支持部材３０２、３０３の
みで構成するようにしたため、シール材の段差をより均
一にすることができる。
【００２４】また、図８に示すように、マトリクス回路
１０２又は周辺回路１０３、１０４からの配線がシール
材形成領域１０７を横断しない領域R1、R2において、第
１の配線層４０１を分断せずに、シール材形成領域１０
７の幅と略等しく矩形波状に形成する。これにより、シ
ール材形成領域１０７の幅方向の任意の断面構成におい
て、第１の配線層が存在するため、外部から水分が侵入
することを防止することができる。
１０２又は周辺回路１０３、１０４からの配線がシール
材形成領域１０７を横断しない領域R1、R2において、第
１の配線層４０１を分断せずに、シール材形成領域１０
７の幅と略等しく矩形波状に形成する。これにより、シ
ール材形成領域１０７の幅方向の任意の断面構成におい
て、第１の配線層が存在するため、外部から水分が侵入
することを防止することができる。
【００２５】また、本発明において、基板間隔維持手段
は、前記画素電極を駆動する薄膜トランジスタと共に形
成されるようにし、第１の配線層は前記信号線と同時に
形成され、前記第２の配線層は前記信号線と同時に形成
される。
は、前記画素電極を駆動する薄膜トランジスタと共に形
成されるようにし、第１の配線層は前記信号線と同時に
形成され、前記第２の配線層は前記信号線と同時に形成
される。
【００２６】
【実施例】本発明を図示の実施例に基づいて、詳細に説
明する。
明する。
【００２７】図１は実施例１〜５のアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置の素子基板の概略の正面図であり、
周辺駆動回路と表示部を一体化したものである。図１に
示すように、ガラス、石英等の素子基板１０１上には、
画素部１０２が配置され、画素部１０２の周囲におい
て、上側には信号線駆動回路１０３が設けられ、左側に
は走査線駆動回路１０４が設けられている。信号線駆動
回路１０３、走査線駆動回路１０４はそれぞれ信号線１
０５、走査線１０６により画素部１０２と接続され、信
号線１０５、走査線１０６は画素部１０２において格子
を成し、それらの交差には、それぞれ液晶セル１１１、
画素ＴＦＴ１１２が直列に接続されている。画素ＴＦＴ
１１２において、ゲイト電極は信号線１０５に接続さ
れ、ソース電極は走査線１０６に接続され、ドレイン電
極は液晶セル１１１の電極に接続されている。
クス型液晶表示装置の素子基板の概略の正面図であり、
周辺駆動回路と表示部を一体化したものである。図１に
示すように、ガラス、石英等の素子基板１０１上には、
画素部１０２が配置され、画素部１０２の周囲におい
て、上側には信号線駆動回路１０３が設けられ、左側に
は走査線駆動回路１０４が設けられている。信号線駆動
回路１０３、走査線駆動回路１０４はそれぞれ信号線１
０５、走査線１０６により画素部１０２と接続され、信
号線１０５、走査線１０６は画素部１０２において格子
を成し、それらの交差には、それぞれ液晶セル１１１、
画素ＴＦＴ１１２が直列に接続されている。画素ＴＦＴ
１１２において、ゲイト電極は信号線１０５に接続さ
れ、ソース電極は走査線１０６に接続され、ドレイン電
極は液晶セル１１１の電極に接続されている。
【００２８】更に、画素部１０２、信号線駆動回路１０
３、走査線駆動回路１０４を取り囲むようにシール材領
域１０７が配置され、シール材領域１０７に形成される
シール材により、素子基板１０１と図示しない対向基板
とが接合され、これらの基板間に液晶材料が封入され
る。
３、走査線駆動回路１０４を取り囲むようにシール材領
域１０７が配置され、シール材領域１０７に形成される
シール材により、素子基板１０１と図示しない対向基板
とが接合され、これらの基板間に液晶材料が封入され
る。
【００２９】紙面右側、下側において、信号線１０５、
走査線１０６はシール材形成領域１０７の外部に延長さ
れて、パネル外部の制御回路等に接続される。更に、素
子基板１０１には外部端子１０８が設けられており、配
線１０９により外部端子１０８と信号線駆動回路１０
３、走査線駆動回路１０４とがそれぞれ接続される。
走査線１０６はシール材形成領域１０７の外部に延長さ
れて、パネル外部の制御回路等に接続される。更に、素
子基板１０１には外部端子１０８が設けられており、配
線１０９により外部端子１０８と信号線駆動回路１０
３、走査線駆動回路１０４とがそれぞれ接続される。
【００３０】〔実施例１〕 本実施例では、図１に示す
アクティブマトリックス型の液晶表示装置において、シ
ール材の段差を均等にするために、信号線１０３、走査
線１０４の出発膜から整形された電気的に実質的に絶縁
されている配線パターン（ダミー配線構造）をシール材
形成領域１０７に配置して、シール材下部の構造を均一
にすることにより、シール材の段差を均一にすることを
特徴とする。また、本実施例では、このような配線パタ
ーンを液晶パネルに配置されるＴＦＴと同時に作製す
る。
アクティブマトリックス型の液晶表示装置において、シ
ール材の段差を均等にするために、信号線１０３、走査
線１０４の出発膜から整形された電気的に実質的に絶縁
されている配線パターン（ダミー配線構造）をシール材
形成領域１０７に配置して、シール材下部の構造を均一
にすることにより、シール材の段差を均一にすることを
特徴とする。また、本実施例では、このような配線パタ
ーンを液晶パネルに配置されるＴＦＴと同時に作製す
る。
【００３１】本実施例のアクティブマトリクス型の液晶
パネルの作製工程について、図２〜６を用いて説明す
る。図２にＴＦＴの作製工程を断面図で示し、図２の左
側に周辺駆動回路（信号線駆動回路２０３、走査線駆動
回路２０４）に配置される駆動回路ＴＦＴの作製工程を
示し、右側に画素部２０２に配置される画素ＴＦＴの作
製工程を示す。
パネルの作製工程について、図２〜６を用いて説明す
る。図２にＴＦＴの作製工程を断面図で示し、図２の左
側に周辺駆動回路（信号線駆動回路２０３、走査線駆動
回路２０４）に配置される駆動回路ＴＦＴの作製工程を
示し、右側に画素部２０２に配置される画素ＴＦＴの作
製工程を示す。
【００３２】また、図３〜図６に第１層目のダミー配線
３０１の作製工程図を示す。図３、図４はシール材形成
領域１０７の模式的な上面図であり、図１において楕円
で示す領域R1〜R4の拡大図である。また、図５、図６は
それぞれ図３、図４における線Ａ−Ａ’による断面図で
ある。
３０１の作製工程図を示す。図３、図４はシール材形成
領域１０７の模式的な上面図であり、図１において楕円
で示す領域R1〜R4の拡大図である。また、図５、図６は
それぞれ図３、図４における線Ａ−Ａ’による断面図で
ある。
【００３３】ＴＦＴを作製するには、図２（Ａ）に示す
ように、石英基板またはガラス基板等の基板２０１上
に、下地酸化膜２０２として厚さ１０００〜３０００Å
の酸化珪素膜を形成する。この酸化珪素膜の形成方法と
しては、酸素雰囲気中でのスパッタ法やプラズマＣＶＤ
法を用いればよい。
ように、石英基板またはガラス基板等の基板２０１上
に、下地酸化膜２０２として厚さ１０００〜３０００Å
の酸化珪素膜を形成する。この酸化珪素膜の形成方法と
しては、酸素雰囲気中でのスパッタ法やプラズマＣＶＤ
法を用いればよい。
【００３４】次に、プラズマＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法に
よってアモルファスシリコン膜を３００〜１５００Å、
好ましくは５００〜１０００Å形成する。そして、５０
０℃以上、好ましくは、８００〜９５０℃の温度で熱ア
ニールをおこない、シリコン膜を結晶化させる。熱アニ
ールによって結晶化させた後に、光アニールをおこなっ
て、さらに結晶性を高めてもよい。また、熱アニールに
よる結晶化の際に、特開平６−２４４１０３、同６−２
４４１０４に記述されているように、ニッケル等のシリ
コンの結晶化を促進させる元素（触媒元素）を添加して
もよい。
よってアモルファスシリコン膜を３００〜１５００Å、
好ましくは５００〜１０００Å形成する。そして、５０
０℃以上、好ましくは、８００〜９５０℃の温度で熱ア
ニールをおこない、シリコン膜を結晶化させる。熱アニ
ールによって結晶化させた後に、光アニールをおこなっ
て、さらに結晶性を高めてもよい。また、熱アニールに
よる結晶化の際に、特開平６−２４４１０３、同６−２
４４１０４に記述されているように、ニッケル等のシリ
コンの結晶化を促進させる元素（触媒元素）を添加して
もよい。
【００３５】次に結晶化されたシリコン膜をエッチング
して、島状の周辺駆動回路のＴＦＴの活性層２０３（Ｐ
チャネル型ＴＦＴ用）、２０４（Ｎチャネル型ＴＦＴ）
とマトリクス回路のＴＦＴ（画素ＴＦＴ）の活性層２０
５をそれぞれ形成する。さらに、酸素雰囲気中でのスパ
ッタ法によって、厚さ５００〜２０００Åの酸化シリコ
ンをゲイト絶縁膜２０６として形成する。酸化シリコン
膜の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法を用いてもよ
い。プラズマＣＶＤ法によって酸化シリコン膜を形成す
る場合には、原料ガスとして、一酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）
もしくは酸素（Ｏ2 ）とモンシラン（ＳｉＨ4 ）を用い
ることが好ましい。
して、島状の周辺駆動回路のＴＦＴの活性層２０３（Ｐ
チャネル型ＴＦＴ用）、２０４（Ｎチャネル型ＴＦＴ）
とマトリクス回路のＴＦＴ（画素ＴＦＴ）の活性層２０
５をそれぞれ形成する。さらに、酸素雰囲気中でのスパ
ッタ法によって、厚さ５００〜２０００Åの酸化シリコ
ンをゲイト絶縁膜２０６として形成する。酸化シリコン
膜の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法を用いてもよ
い。プラズマＣＶＤ法によって酸化シリコン膜を形成す
る場合には、原料ガスとして、一酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）
もしくは酸素（Ｏ2 ）とモンシラン（ＳｉＨ4 ）を用い
ることが好ましい。
【００３６】その後、第１層目の配線の出発膜を形成す
る。本実施例では、厚さ２０００Å〜５μｍ、好ましく
は２０００〜６０００Åの多結晶シリコン膜（導電性を
高めるため微量の燐を含有する）をＬＰＣＶＤ法によっ
て基板全面に形成する。そして、これをエッチングし
て、ゲイト電極２０７、２０８、２０９を形成する。
（図２（Ａ））
る。本実施例では、厚さ２０００Å〜５μｍ、好ましく
は２０００〜６０００Åの多結晶シリコン膜（導電性を
高めるため微量の燐を含有する）をＬＰＣＶＤ法によっ
て基板全面に形成する。そして、これをエッチングし
て、ゲイト電極２０７、２０８、２０９を形成する。
（図２（Ａ））
【００３７】更に、本実施例では、ゲイト電極２０７〜
２０９を形成すると同時に、図３に示すように、シール
材領域１０７にも第１層目の配線の出発膜をパターニン
グして、配線パターンを形成する。
２０９を形成すると同時に、図３に示すように、シール
材領域１０７にも第１層目の配線の出発膜をパターニン
グして、配線パターンを形成する。
【００３８】走査線駆動回路側領域R1、信号線駆動回路
側領域R2には、シール材形成領域１０７を横断するよう
な配線パターン形成する必要がないので、シリコン膜を
パターニングして、電気的に接続されない、等間隔に配
置された線状の第１層目のダミー配線３０１が形成され
る。
側領域R2には、シール材形成領域１０７を横断するよう
な配線パターン形成する必要がないので、シリコン膜を
パターニングして、電気的に接続されない、等間隔に配
置された線状の第１層目のダミー配線３０１が形成され
る。
【００３９】走査線延長側領域R3には、シール材形成領
域１０７を横断するように配線３０２を形成する。配線
３０２は図１に示す走査線１０６に相当し、画素ＴＦＴ
のゲイト電極２０９が延長されたものである。
域１０７を横断するように配線３０２を形成する。配線
３０２は図１に示す走査線１０６に相当し、画素ＴＦＴ
のゲイト電極２０９が延長されたものである。
【００４０】また信号線延長側領域R4には、シール材形
成領域１０７を横断するように配線３０３が形成され
る。配線３０３の画素部１０２側の端部には画素部１０
２から延長された第２層目の配線と接続するための接続
端部３０３ａが形成される。
成領域１０７を横断するように配線３０３が形成され
る。配線３０３の画素部１０２側の端部には画素部１０
２から延長された第２層目の配線と接続するための接続
端部３０３ａが形成される。
【００４１】なお、ダミー配線３０１、及び配線３０
２、３０３の間隔は走査線１０６の間隔と同じに、即ち
画素の間隔と略同一とされる。本実施例では、第１層目
のダミー配線３０１、配線３０２、第１層目のダミー配
線３０１の間隔を約５０μｍとし、その幅を約１０μｍ
とする。
２、３０３の間隔は走査線１０６の間隔と同じに、即ち
画素の間隔と略同一とされる。本実施例では、第１層目
のダミー配線３０１、配線３０２、第１層目のダミー配
線３０１の間隔を約５０μｍとし、その幅を約１０μｍ
とする。
【００４２】従って、図５に示すように、シール材形成
領域１０７には、第１層目のダミー配線３０１、配線３
０２、配線３０３が等間隔に配置されているためシール
材形成領域１０７の断面構成を一様にすることができ
る。
領域１０７には、第１層目のダミー配線３０１、配線３
０２、配線３０３が等間隔に配置されているためシール
材形成領域１０７の断面構成を一様にすることができ
る。
【００４３】なお、ゲイト電極２０７〜２０９、第１層
目のダミー配線３０１、配線３０２、３０３の出発膜の
材料はシリコン膜に限定されるものでなく、一般的に使
用されているゲイト電極の材料を使用すればよいく、例
えば、シリサイドや、陽極酸化可能な材料としてアルミ
ニウム、タンタル、クロム、モリブデン等を使用するこ
とができる。
目のダミー配線３０１、配線３０２、３０３の出発膜の
材料はシリコン膜に限定されるものでなく、一般的に使
用されているゲイト電極の材料を使用すればよいく、例
えば、シリサイドや、陽極酸化可能な材料としてアルミ
ニウム、タンタル、クロム、モリブデン等を使用するこ
とができる。
【００４４】次に、図２（Ｂ）に示すように、イオンド
ーピング法によって、全ての島状活性層２０３〜２０５
に、ゲイト電極２０７〜２０９をマスクとして、自己整
合的にフォスフィン（ＰＨ3 ）をドーピングガスとして
燐を注入する。ドーズ量は１×１０12〜５×１０13原子
／ｃｍ2 する。この結果、弱いＮ型領域２１０、２１
１、２１２が形成される。
ーピング法によって、全ての島状活性層２０３〜２０５
に、ゲイト電極２０７〜２０９をマスクとして、自己整
合的にフォスフィン（ＰＨ3 ）をドーピングガスとして
燐を注入する。ドーズ量は１×１０12〜５×１０13原子
／ｃｍ2 する。この結果、弱いＮ型領域２１０、２１
１、２１２が形成される。
【００４５】次に、Ｐチャネル型ＴＦＴの活性層２０３
を覆うフォトレジストのマスク２１３を形成すると同時
に、画素ＴＦＴの活性層２０５のうち、ゲイト電極２０
９に平行にゲイト電極２０９の端から３μｍ離れた部分
までを覆うフォトレジストのマスク２１４を形成する。
そして、再び、イオンドーピング法によって、フォスフ
ィンをドーピングガスとして燐を注入する。ドーズ量は
１×１０14〜５×１０15原子／ｃｍ2 とする。この結
果、強いＮ型領域（ソース／ドレイン）２１５、２１６
が形成される。画素ＴＦＴの活性層２０５の弱いＮ型領
域２１２のうち、マスク２１４に覆われていた領域２１
７は今回のドーピングでは燐が注入されないので、弱い
Ｎ型のままとなる。（図２（Ｃ））
を覆うフォトレジストのマスク２１３を形成すると同時
に、画素ＴＦＴの活性層２０５のうち、ゲイト電極２０
９に平行にゲイト電極２０９の端から３μｍ離れた部分
までを覆うフォトレジストのマスク２１４を形成する。
そして、再び、イオンドーピング法によって、フォスフ
ィンをドーピングガスとして燐を注入する。ドーズ量は
１×１０14〜５×１０15原子／ｃｍ2 とする。この結
果、強いＮ型領域（ソース／ドレイン）２１５、２１６
が形成される。画素ＴＦＴの活性層２０５の弱いＮ型領
域２１２のうち、マスク２１４に覆われていた領域２１
７は今回のドーピングでは燐が注入されないので、弱い
Ｎ型のままとなる。（図２（Ｃ））
【００４６】次に、図２（Ｄ）に示すＮチャネル型ＴＦ
Ｔの活性層２０４、２０５をフォトレジストのマスク２
１８で覆い、ジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）をドーピングガスと
して、イオンドーピング法により、島状領域１０３に硼
素を注入する。ドーズ量は５×１０14〜８×１０15原子
／ｃｍ2 とする。このドーピングでは、硼素のドーズ量
が図２（Ｃ）における燐のドーズ量を上回るため、先に
形成されていた弱いＮ型領域２１０は強いＰ型領域２１
９に反転する。
Ｔの活性層２０４、２０５をフォトレジストのマスク２
１８で覆い、ジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）をドーピングガスと
して、イオンドーピング法により、島状領域１０３に硼
素を注入する。ドーズ量は５×１０14〜８×１０15原子
／ｃｍ2 とする。このドーピングでは、硼素のドーズ量
が図２（Ｃ）における燐のドーズ量を上回るため、先に
形成されていた弱いＮ型領域２１０は強いＰ型領域２１
９に反転する。
【００４７】図２（Ｂ）〜（Ｄ）に示すドーピング工程
を経て、強いＮ型領域（ソース／ドレイン）２１５、２
１６、強いＰ型領域（ソース／ドレイン）２１９、弱い
Ｎ型領域（低濃度不純物領域）２１７が形成される。本
実施例においては、低濃度不純物領域２１７）の幅ｘ
は、約３μｍとする。
を経て、強いＮ型領域（ソース／ドレイン）２１５、２
１６、強いＰ型領域（ソース／ドレイン）２１９、弱い
Ｎ型領域（低濃度不純物領域）２１７が形成される。本
実施例においては、低濃度不純物領域２１７）の幅ｘ
は、約３μｍとする。
【００４８】その後、４５０〜８５０℃で０．５〜３時
間の熱アニールを施すことにより、ドーピングによるダ
メージを回復せしめ、ドーピング不純物を活性化して、
シリコンの結晶性を回復させる。
間の熱アニールを施すことにより、ドーピングによるダ
メージを回復せしめ、ドーピング不純物を活性化して、
シリコンの結晶性を回復させる。
【００４９】その後、図２（Ｅ）、図５に示すように、
基板全面に層間絶縁物２２０として、プラズマＣＶＤ法
によって酸化シリコン膜を厚さ３０００〜６０００Å形
成する。本実施例では層間絶縁物２２０の膜厚を４００
０Åとする。なお、層間絶縁物２２０は、窒化シリコン
膜の単層膜、又は酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の多
層膜であってもよい。層間絶縁物２２０をエッチングし
て、ソース／ドレイン２１９、２１５、２１６及び、図
３に示す配線３０３の接続端部３０３ａに対するコンタ
クトホールをそれぞれ形成する。
基板全面に層間絶縁物２２０として、プラズマＣＶＤ法
によって酸化シリコン膜を厚さ３０００〜６０００Å形
成する。本実施例では層間絶縁物２２０の膜厚を４００
０Åとする。なお、層間絶縁物２２０は、窒化シリコン
膜の単層膜、又は酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の多
層膜であってもよい。層間絶縁物２２０をエッチングし
て、ソース／ドレイン２１９、２１５、２１６及び、図
３に示す配線３０３の接続端部３０３ａに対するコンタ
クトホールをそれぞれ形成する。
【００５０】そして、第２層目の配線・電極の出発膜を
形成する。本実施例では、スパッタ法によって、厚さ１
０００Åのチタン膜、厚さ２０００Åのアルミニウム
膜、厚さ１０００Åのチタン膜を連続的に形成する。こ
の３層膜をエッチングして、周辺回路の電極・配線２２
１、５２２、５２３および画素ＴＦＴの電極・配線２２
４、２２５を形成すると同時に、図４、図６に示すよう
に、シール材形成領域１０７に電気的に接続されない第
２層目のダミー配線３０４が形成される。なお、図６は
図４の領域R1〜R4における線Ａ−Ａ’による断面図であ
る。
形成する。本実施例では、スパッタ法によって、厚さ１
０００Åのチタン膜、厚さ２０００Åのアルミニウム
膜、厚さ１０００Åのチタン膜を連続的に形成する。こ
の３層膜をエッチングして、周辺回路の電極・配線２２
１、５２２、５２３および画素ＴＦＴの電極・配線２２
４、２２５を形成すると同時に、図４、図６に示すよう
に、シール材形成領域１０７に電気的に接続されない第
２層目のダミー配線３０４が形成される。なお、図６は
図４の領域R1〜R4における線Ａ−Ａ’による断面図であ
る。
【００５１】図４に示すように、第２層目のダミー配線
３０４は第１層目の電極・配線の出発膜（シリコン膜）
から形成された第１層目のダミー配線３０１、配線３０
２、配線３０３の間隙に均等に配置される。このため、
図６に示すように、シール材形成領域１０７の下部構成
を一様にすることができる。なお、ダミー配線３０４は
走査線駆動回路側R1と走査線延長線側領域R3とで１本の
配線が分断されたように形成され、同様に、信号線駆動
回路側領域R2、信号線延長側領域R4とにおいても、１本
の配線が分断されたように形成される。
３０４は第１層目の電極・配線の出発膜（シリコン膜）
から形成された第１層目のダミー配線３０１、配線３０
２、配線３０３の間隙に均等に配置される。このため、
図６に示すように、シール材形成領域１０７の下部構成
を一様にすることができる。なお、ダミー配線３０４は
走査線駆動回路側R1と走査線延長線側領域R3とで１本の
配線が分断されたように形成され、同様に、信号線駆動
回路側領域R2、信号線延長側領域R4とにおいても、１本
の配線が分断されたように形成される。
【００５２】更に、本実施例では、図３に示すように、
素子基板１０１外部の回路や外部端子と接続するため
に、シール材形成領域１０７を横断するような配線パタ
ーン（配線３０２、配線３０３）を第１層目の配線の出
発膜から形成するようにして、第２層目の配線をシール
材形成領域１０７の外部に延長しないようにして、シー
ル材形成領域１０７の下部構造の段差がより均一になる
ようにしている。
素子基板１０１外部の回路や外部端子と接続するため
に、シール材形成領域１０７を横断するような配線パタ
ーン（配線３０２、配線３０３）を第１層目の配線の出
発膜から形成するようにして、第２層目の配線をシール
材形成領域１０７の外部に延長しないようにして、シー
ル材形成領域１０７の下部構造の段差がより均一になる
ようにしている。
【００５３】従って、信号線延長側領域R4で画素部１０
２を他の回路とをパネル外部で接続するために、第２層
目の電極・配線の出発膜（チタン／アルミニウム／チタ
ン膜）をパターニングする際に、配線３０３と接続端部
３０３ａで接続される配線３０５が形成される。配線３
０３、配線３０５により、画素部１０２を他の回路とを
パネル外部で接続することが可能になる。
２を他の回路とをパネル外部で接続するために、第２層
目の電極・配線の出発膜（チタン／アルミニウム／チタ
ン膜）をパターニングする際に、配線３０３と接続端部
３０３ａで接続される配線３０５が形成される。配線３
０３、配線３０５により、画素部１０２を他の回路とを
パネル外部で接続することが可能になる。
【００５４】なお、第２層目のダミー配線３０４のピッ
チを走査線１０６のピッチとし、即ち配線３０５のピッ
チ同じにして、第２層目のダミー配線３０４の幅を３０
μｍとする。第１層目のダミー配線３０１、配線３０
２、配線３０３の間隔は５０μｍ程度であるため、第２
層目のダミー配線３０４の端面と、第１層目のダミー配
線３０１、配線３０２、配線３０３端面の間隔は１０μ
ｍ程度となる。
チを走査線１０６のピッチとし、即ち配線３０５のピッ
チ同じにして、第２層目のダミー配線３０４の幅を３０
μｍとする。第１層目のダミー配線３０１、配線３０
２、配線３０３の間隔は５０μｍ程度であるため、第２
層目のダミー配線３０４の端面と、第１層目のダミー配
線３０１、配線３０２、配線３０３端面の間隔は１０μ
ｍ程度となる。
【００５５】そして、第２層目の電極・配線の出発膜
（チタン／アルミニウム／チタン膜）をパターニングし
た後に、図２（Ｅ）、図６に示すように、プラズマＣＶ
Ｄ法によって、厚さ１０００〜３０００Åの窒化シリコ
ン膜をパッシべーション膜２２６として形成する。
（チタン／アルミニウム／チタン膜）をパターニングし
た後に、図２（Ｅ）、図６に示すように、プラズマＣＶ
Ｄ法によって、厚さ１０００〜３０００Åの窒化シリコ
ン膜をパッシべーション膜２２６として形成する。
【００５６】図６に示すように、シール材形成領域１０
７において、層間絶縁膜２２０上に、第２層目のダミー
配線３０４が第１層目のダミー配線３０１、配線３０
２、３０３が形成されていない領域に等間隔に配置され
ることにより、図４における線Ａ−Ａ’による断面構
成、即ちシール材形成領域１０７の外周沿った断面構成
を同一にすることができる。そして、第２層目のダミー
配線３０４の表面にパッシべーション膜２２７を形成す
ることにより、シール材形成領域１０７の表面を平坦化
することができる。
７において、層間絶縁膜２２０上に、第２層目のダミー
配線３０４が第１層目のダミー配線３０１、配線３０
２、３０３が形成されていない領域に等間隔に配置され
ることにより、図４における線Ａ−Ａ’による断面構
成、即ちシール材形成領域１０７の外周沿った断面構成
を同一にすることができる。そして、第２層目のダミー
配線３０４の表面にパッシべーション膜２２７を形成す
ることにより、シール材形成領域１０７の表面を平坦化
することができる。
【００５７】なお、シール材形成領域１０７の外周沿っ
た断面構成を同一にするためには、第１層目の電極・配
線の出発膜から形成されたダミー配線３０１、配線３０
２、配線３０３のみを配置してもよいが、これらの配線
３０１〜３０３の間隔が約５０μｍであるのに対して、
その幅が約１０μｍと小さく、その強度を補償できない
ため、第２層目のダミー配線３０４を形成して、シール
材の下部構成を補強する。
た断面構成を同一にするためには、第１層目の電極・配
線の出発膜から形成されたダミー配線３０１、配線３０
２、配線３０３のみを配置してもよいが、これらの配線
３０１〜３０３の間隔が約５０μｍであるのに対して、
その幅が約１０μｍと小さく、その強度を補償できない
ため、第２層目のダミー配線３０４を形成して、シール
材の下部構成を補強する。
【００５８】更に、本実施例では、シール材形成領域１
０７の下部構造の段差を均一するためには、第２層目の
ダミー配線３０４が第１層目のダミー配線３０１、配線
３０２、配線３０３と重ならないようにすることが重要
になる。短面の間隔が１０μｍ程度であれば、マスクの
アライメント等の誤差を考慮しても、第２層目のダミー
配線３０４が第１層目のダミー配線３０１、配線３０
２、配線３０３とが重なることを回避することができ
る。
０７の下部構造の段差を均一するためには、第２層目の
ダミー配線３０４が第１層目のダミー配線３０１、配線
３０２、配線３０３と重ならないようにすることが重要
になる。短面の間隔が１０μｍ程度であれば、マスクの
アライメント等の誤差を考慮しても、第２層目のダミー
配線３０４が第１層目のダミー配線３０１、配線３０
２、配線３０３とが重なることを回避することができ
る。
【００５９】本実施例では、ダミー配線３０１、３０４
をシール材形成領域１０７の幅よりも長く成るように形
成したが、ダミー配線３０１、３０４がシール材形成領
域１０７から突出しないように形成してもよい。
をシール材形成領域１０７の幅よりも長く成るように形
成したが、ダミー配線３０１、３０４がシール材形成領
域１０７から突出しないように形成してもよい。
【００６０】なお、外部端子１０８と接続される配線パ
ターン１０９の構成は信号線延長側領域R4に配置された
配線３０１、３０５構成と同一にすればよい。第１層目
の配線の出発膜からシール材形成領域を横断する配線パ
タ─ンを形成する。そして、第２層目の配線の出発膜か
ら第１層目の配線パターンと接続する配線パターンを形
成して、信号線駆動回路１０３と走査線駆動回路１０４
と、外部端子１０９とが接続されるようにすればよい。
ターン１０９の構成は信号線延長側領域R4に配置された
配線３０１、３０５構成と同一にすればよい。第１層目
の配線の出発膜からシール材形成領域を横断する配線パ
タ─ンを形成する。そして、第２層目の配線の出発膜か
ら第１層目の配線パターンと接続する配線パターンを形
成して、信号線駆動回路１０３と走査線駆動回路１０４
と、外部端子１０９とが接続されるようにすればよい。
【００６１】パッシべーション膜２２７をエッチングし
て、画素ＴＦＴの電極２２５に達するコンタクトホール
を形成する。最後に、スパッタ法で成膜した厚さ５００
〜１５００ÅのＩＴＯ（インディウム錫酸化物）膜をエ
ッチングして、画素電極２２８を形成する。このように
して、周辺論理回路とアクティブマトリクス回路を一体
化して形成する。（図２（Ｅ））
て、画素ＴＦＴの電極２２５に達するコンタクトホール
を形成する。最後に、スパッタ法で成膜した厚さ５００
〜１５００ÅのＩＴＯ（インディウム錫酸化物）膜をエ
ッチングして、画素電極２２８を形成する。このように
して、周辺論理回路とアクティブマトリクス回路を一体
化して形成する。（図２（Ｅ））
【００６２】以下に、アクティブマトリクス型液晶表示
パネルの組立工程を説明する。図２〜図６に示す工程に
より得られたＴＦＴ基板１０１と、カラーフィルタ基板
とをそれぞれ表面処理に用いられたエッチング液レジス
ト剥離液等の各種薬品を十分に洗浄する。
パネルの組立工程を説明する。図２〜図６に示す工程に
より得られたＴＦＴ基板１０１と、カラーフィルタ基板
とをそれぞれ表面処理に用いられたエッチング液レジス
ト剥離液等の各種薬品を十分に洗浄する。
【００６３】次に配向膜をカラーフィルタ基板及びＴＦ
Ｔ基板に付着させる。配向膜はある一定の溝が刻まれ、
その溝に沿って液晶分子が均一に配列する。配向膜材料
にはブチルセルソングかｎ−メチルピロリドンといった
溶媒に、溶媒の約１０重量％のポリイミドを溶解したも
のを用いる。これをポリイミドワニスと呼ぶ。ポリイミ
ドワニスはフレキソ印刷装置によって印刷する。
Ｔ基板に付着させる。配向膜はある一定の溝が刻まれ、
その溝に沿って液晶分子が均一に配列する。配向膜材料
にはブチルセルソングかｎ−メチルピロリドンといった
溶媒に、溶媒の約１０重量％のポリイミドを溶解したも
のを用いる。これをポリイミドワニスと呼ぶ。ポリイミ
ドワニスはフレキソ印刷装置によって印刷する。
【００６４】そして、ＴＦＴ基板・カラーフィルタ基板
の両基板に付着した配向膜を加熱・硬化させる。これを
ベークと呼ぶ。ベークは最高使用温度約３００℃の熱風
を送り加熱し、ポリイミドワニスを焼成・硬化させるも
のである。
の両基板に付着した配向膜を加熱・硬化させる。これを
ベークと呼ぶ。ベークは最高使用温度約３００℃の熱風
を送り加熱し、ポリイミドワニスを焼成・硬化させるも
のである。
【００６５】次に、配向膜の付着したガラス基板表面を
毛足の長さ２〜３ｍｍのバフ布（レイヨン・ナイロン等
の繊維）で一定方向に擦り、微細な溝を作るラビング工
程を行う。
毛足の長さ２〜３ｍｍのバフ布（レイヨン・ナイロン等
の繊維）で一定方向に擦り、微細な溝を作るラビング工
程を行う。
【００６６】そして、ＴＦＴ基板もしくはカラーフィル
タ基板のいずれかに、ポリマー系・ガラス系・シリカ系
等の球のスペーサを散布する。スペーサ散布の方式とし
ては純水・アルコール等の溶媒にスペーサを混ぜ、ガラ
ス基板上に散布するウェット方式と、溶媒を一切使用せ
ずスペーサを散布するドライ方式がある。
タ基板のいずれかに、ポリマー系・ガラス系・シリカ系
等の球のスペーサを散布する。スペーサ散布の方式とし
ては純水・アルコール等の溶媒にスペーサを混ぜ、ガラ
ス基板上に散布するウェット方式と、溶媒を一切使用せ
ずスペーサを散布するドライ方式がある。
【００６７】その次に、ＴＦＴ基板１０１の外枠に封止
材を塗布する。封止材塗布には、ＴＦＴ基板とカラーフ
ィルタ基板を接着する役割と注入する液晶材が外部に流
出するのを防ぐ目的がある。封止材の材料は、エポキシ
樹脂とフェノール硬化剤をエチルセルソルブの溶媒に溶
かしたものが使用される。封止材塗布後に２枚のガラス
基板の貼り合わせを行う。方法は約１６０℃の高温プレ
スによって、約３時間で封止材を硬化する加熱硬化方式
をとる。
材を塗布する。封止材塗布には、ＴＦＴ基板とカラーフ
ィルタ基板を接着する役割と注入する液晶材が外部に流
出するのを防ぐ目的がある。封止材の材料は、エポキシ
樹脂とフェノール硬化剤をエチルセルソルブの溶媒に溶
かしたものが使用される。封止材塗布後に２枚のガラス
基板の貼り合わせを行う。方法は約１６０℃の高温プレ
スによって、約３時間で封止材を硬化する加熱硬化方式
をとる。
【００６８】素子基板とカラーフィルタ基板を貼り合わ
せたアクティブマトリクス型液晶表示デバイスの液晶注
入口より液晶材を入れて、液晶材注入後エポキシ系樹脂
で液晶注入口を封止する。以上のようにして、アクティ
ブマトリクス型液晶表示デバイスが組み立てられる。
せたアクティブマトリクス型液晶表示デバイスの液晶注
入口より液晶材を入れて、液晶材注入後エポキシ系樹脂
で液晶注入口を封止する。以上のようにして、アクティ
ブマトリクス型液晶表示デバイスが組み立てられる。
【００６９】〔実施例２〕 本実施例は実施例１の変形
例であり、図１に示す液晶パネルにおいて、シール材形
成領域１０７の配線が横断しない領域の第１層目のダミ
ー配線に関するものである。
例であり、図１に示す液晶パネルにおいて、シール材形
成領域１０７の配線が横断しない領域の第１層目のダミ
ー配線に関するものである。
【００７０】実施例１では、線状の第１層目のダミー配
線３０１と、線状の第２層目のダミー配線３０４を交互
に配置するようにしたため、パターニングは容易である
が、シール材形成領域１０７を横断するように配線パタ
−ンが配置されているため、配線と層間絶縁膜２２０、
パッシベーション膜２２７との界面から水分が侵入しや
すい。本実施例では、シール材形成領域１０７におい
て、図４に示す配線３０２、３０３のように、画素部１
０２、駆動回路１０３、１０４をシール材外部の回路に
電気的に接続するための配線が横断しない領域には、第
１層目のダミー配線３０１を分断しないで形成すること
により、外部から水分が侵入することを防止する。
線３０１と、線状の第２層目のダミー配線３０４を交互
に配置するようにしたため、パターニングは容易である
が、シール材形成領域１０７を横断するように配線パタ
−ンが配置されているため、配線と層間絶縁膜２２０、
パッシベーション膜２２７との界面から水分が侵入しや
すい。本実施例では、シール材形成領域１０７におい
て、図４に示す配線３０２、３０３のように、画素部１
０２、駆動回路１０３、１０４をシール材外部の回路に
電気的に接続するための配線が横断しない領域には、第
１層目のダミー配線３０１を分断しないで形成すること
により、外部から水分が侵入することを防止する。
【００７１】図７、図８は本実施例のシール材下部構成
の作製工程図であり、図７、図８はシール材形成領域１
０７の模式的な上面図であり、図１において楕円で示す
領域R1〜R4の拡大図である。
の作製工程図であり、図７、図８はシール材形成領域１
０７の模式的な上面図であり、図１において楕円で示す
領域R1〜R4の拡大図である。
【００７２】本実施例において、ダミー配線は実施例１
と同様にＴＦＴと同時に作製される。また、電気的に接
続される配線がシール材形成領域１０７を横断するよう
な領域、即ち走査線延長側領域R3、信号線延長側領域R
4、及び外部端子１０８に接続される配線パターン１０
９は実施例１と同一の構成とする。以下、シール材形成
領域１０７に電気的に接続されない第１層目のダミー配
線４０１の作製工程を図７、図８に従って説明する。
と同様にＴＦＴと同時に作製される。また、電気的に接
続される配線がシール材形成領域１０７を横断するよう
な領域、即ち走査線延長側領域R3、信号線延長側領域R
4、及び外部端子１０８に接続される配線パターン１０
９は実施例１と同一の構成とする。以下、シール材形成
領域１０７に電気的に接続されない第１層目のダミー配
線４０１の作製工程を図７、図８に従って説明する。
【００７３】第１層目の電極・配線となるアルミニウム
膜等の出発膜を例えば３０００Åの厚さに成膜する。図
７に示すように、この出発膜をパターニングして、ＴＦ
Ｔのゲイト電極・配線を形成すると共に、走査線駆動回
路側領域R1、信号線駆動回路側領域R2には矩形波状の第
１層目のダミー配線４０１を形成する。走査線駆動回路
側領域R1、信号線駆動回路側領域R2において、第１層目
のダミー配線４０１のピッチP1、P2は走査線１０６、信
号線１０５のピッチと等しくなるようにし、本実施例で
は約５０μｍとし、第１層目のダミー配線４０１の幅を
１０μｍとする。又、第１層目のダミー配線４０１はシ
ール材形成領域１０７から突出しないようにする。
膜等の出発膜を例えば３０００Åの厚さに成膜する。図
７に示すように、この出発膜をパターニングして、ＴＦ
Ｔのゲイト電極・配線を形成すると共に、走査線駆動回
路側領域R1、信号線駆動回路側領域R2には矩形波状の第
１層目のダミー配線４０１を形成する。走査線駆動回路
側領域R1、信号線駆動回路側領域R2において、第１層目
のダミー配線４０１のピッチP1、P2は走査線１０６、信
号線１０５のピッチと等しくなるようにし、本実施例で
は約５０μｍとし、第１層目のダミー配線４０１の幅を
１０μｍとする。又、第１層目のダミー配線４０１はシ
ール材形成領域１０７から突出しないようにする。
【００７４】図７の線Ｂ−Ｂ’による断面図は図５に対
応する。図５に示すように、本実施例では、図５に示す
ように、シール材形成領域１０７には、第１層目のダミ
ー配線４０１を配線３０２、配線３０３を等間隔に配置
したため、シール材形成領域１０７の断面構成を一様に
することができる。
応する。図５に示すように、本実施例では、図５に示す
ように、シール材形成領域１０７には、第１層目のダミ
ー配線４０１を配線３０２、配線３０３を等間隔に配置
したため、シール材形成領域１０７の断面構成を一様に
することができる。
【００７５】この状態で、シール材形成領域１０７の外
周沿った断面構成を同一にすることができるが、１層目
の配線の出発膜から形成された第１層目のダミー配線４
０１は間隔が約５０μｍに対して、その幅が約１０μｍ
と小さく、その強度を補償できないため、層間絶縁物２
２０上にダミー配線４０２を形成して、シール材の下部
構成を補強する。
周沿った断面構成を同一にすることができるが、１層目
の配線の出発膜から形成された第１層目のダミー配線４
０１は間隔が約５０μｍに対して、その幅が約１０μｍ
と小さく、その強度を補償できないため、層間絶縁物２
２０上にダミー配線４０２を形成して、シール材の下部
構成を補強する。
【００７６】層間絶縁物２２０を約４０００Åの厚さに
形成した後に、チタン膜やチタンとアルミの積層膜等を
第２層目の電極・配線の出発膜として、４０００Åの厚
さに形成する。この出発膜をパターニングして、ＴＦＴ
のソース・ドレイン電極・配線を形成すると共に、図８
に示すように、線状の第２層目のダミー配線４０２を等
間隔に形成する。第２層目のダミー配線４０２は第１層
目のダミー配線４０１が形成されていない領域を埋める
様に、かつ第１層目のダミー配線４０１と重ならないよ
うに形成される。その後、第２層目の電極・配線の出発
膜（チタン／アルミニウム／チタン膜）をパターニング
した後に、厚さ１０００〜３０００Åの窒化シリコン膜
をパッシべーション膜２２６として形成する。なお、図
８における線Ｂ−Ｂ’による断面図は図６に対応する。
形成した後に、チタン膜やチタンとアルミの積層膜等を
第２層目の電極・配線の出発膜として、４０００Åの厚
さに形成する。この出発膜をパターニングして、ＴＦＴ
のソース・ドレイン電極・配線を形成すると共に、図８
に示すように、線状の第２層目のダミー配線４０２を等
間隔に形成する。第２層目のダミー配線４０２は第１層
目のダミー配線４０１が形成されていない領域を埋める
様に、かつ第１層目のダミー配線４０１と重ならないよ
うに形成される。その後、第２層目の電極・配線の出発
膜（チタン／アルミニウム／チタン膜）をパターニング
した後に、厚さ１０００〜３０００Åの窒化シリコン膜
をパッシべーション膜２２６として形成する。なお、図
８における線Ｂ−Ｂ’による断面図は図６に対応する。
【００７７】図８に示すように、本実施例では、シール
材形成領域１０７において、層間絶縁膜２２０上に、第
２層目のダミー配線４０２を第１層目のダミー配線４０
１が形成されていない領域に、等間隔に配置することに
より、図６に示すようにシール材形成領域１０７の外周
沿った断面構成を同一にすることができる。更に、第２
層目のダミー配線３０４の表面にパッシべーション膜２
２７を形成することにより、シール材形成領域１０７の
表面を平坦化することができる。
材形成領域１０７において、層間絶縁膜２２０上に、第
２層目のダミー配線４０２を第１層目のダミー配線４０
１が形成されていない領域に、等間隔に配置することに
より、図６に示すようにシール材形成領域１０７の外周
沿った断面構成を同一にすることができる。更に、第２
層目のダミー配線３０４の表面にパッシべーション膜２
２７を形成することにより、シール材形成領域１０７の
表面を平坦化することができる。
【００７８】特に、シール材形成領域１０７の下部構造
の段差を均一するためには、第２層目のダミー配線４０
２が第１層目のダミー配線４０１と重ならないようにす
ることが重要になる。端面の間隔が１０μｍ程度であれ
ば、マスクのアライメント等の誤差を考慮しても、ダミ
ー配線４０１と４０２とが重なることを回避することが
できる。
の段差を均一するためには、第２層目のダミー配線４０
２が第１層目のダミー配線４０１と重ならないようにす
ることが重要になる。端面の間隔が１０μｍ程度であれ
ば、マスクのアライメント等の誤差を考慮しても、ダミ
ー配線４０１と４０２とが重なることを回避することが
できる。
【００７９】本実施例では、シール材形成領域１０７に
おいて、配線が横断しない領域に、具体的には領域R1、
R2に、分断されないダミー配線４０１を形成したため、
シール材形成領域１０７を横断する断面構成（線Ｂ−
Ｂ’に直交する線に沿った断面構成）において、ダミー
配線４０１が必ず存在するため、外部からの水分の侵入
を防止することが可能になる。
おいて、配線が横断しない領域に、具体的には領域R1、
R2に、分断されないダミー配線４０１を形成したため、
シール材形成領域１０７を横断する断面構成（線Ｂ−
Ｂ’に直交する線に沿った断面構成）において、ダミー
配線４０１が必ず存在するため、外部からの水分の侵入
を防止することが可能になる。
【００８０】〔実施例３〕 本実施例は実施例１の第１
層目の配線パターンの変形例であり、シール材形成領域
１０７に配線パターンを１層のみ配置するようにしてい
る。実施例１では、第１層目のダミー配線３０１、第２
層目のダミー配線３０４を交互に配置するようにしたた
め、パターニングは容易であるが、図６の断面図に示す
ように、第１層目のダミー配線３０１、第２層目のダミ
ー配線３０４と層間絶縁膜２２０、パッシベーション膜
２２７との界面から水分が侵入しやすい。本実施例は水
分の侵入を防止するために、シール材形成領域１０７に
おける第１層目の配線の形状を工夫したものである。
層目の配線パターンの変形例であり、シール材形成領域
１０７に配線パターンを１層のみ配置するようにしてい
る。実施例１では、第１層目のダミー配線３０１、第２
層目のダミー配線３０４を交互に配置するようにしたた
め、パターニングは容易であるが、図６の断面図に示す
ように、第１層目のダミー配線３０１、第２層目のダミ
ー配線３０４と層間絶縁膜２２０、パッシベーション膜
２２７との界面から水分が侵入しやすい。本実施例は水
分の侵入を防止するために、シール材形成領域１０７に
おける第１層目の配線の形状を工夫したものである。
【００８１】図９は本実施例のシール材形成領域１０７
の上面図であり、走査線駆動回路側領域R1、信号線駆動
回路側領域R2付近の拡大図を示す。図１０は図９におけ
る点線Ｃ−Ｃ’による断面図であり、図１１は図９にお
ける点線Ｄ−Ｄ’による断面図である。また、本実施例
のシール材の下部のダミー配線は実施例１と同様にＴＦ
Ｔと同時に作製される。
の上面図であり、走査線駆動回路側領域R1、信号線駆動
回路側領域R2付近の拡大図を示す。図１０は図９におけ
る点線Ｃ−Ｃ’による断面図であり、図１１は図９にお
ける点線Ｄ−Ｄ’による断面図である。また、本実施例
のシール材の下部のダミー配線は実施例１と同様にＴＦ
Ｔと同時に作製される。
【００８２】第１層目の電極・配線となる出発膜をアル
ミニウム膜等により例えば３０００Åの厚さに成膜す
る。この出発膜をパターニングして、ＴＦＴのゲイト電
極・配線が形成されると共に、図９に示すように、電気
的に接続されないダミー配線５０１が形成される。その
表面に、図１０、図１１に示すように、ＴＦＴの作製工
程に従って、層間絶縁物２２０、パッシベーション膜２
２７が順次に積層される。なお、実施例１、２と同様
に、層間絶縁膜２２０上に、第２の電極・配線の出発膜
からなる配線パターンを、ダミー配線５０１と重ならな
いように形成してもよい。
ミニウム膜等により例えば３０００Åの厚さに成膜す
る。この出発膜をパターニングして、ＴＦＴのゲイト電
極・配線が形成されると共に、図９に示すように、電気
的に接続されないダミー配線５０１が形成される。その
表面に、図１０、図１１に示すように、ＴＦＴの作製工
程に従って、層間絶縁物２２０、パッシベーション膜２
２７が順次に積層される。なお、実施例１、２と同様
に、層間絶縁膜２２０上に、第２の電極・配線の出発膜
からなる配線パターンを、ダミー配線５０１と重ならな
いように形成してもよい。
【００８３】また、ダミー配線５０１のシール材形成領
域１０７外縁側には、ダミー配線５０１の長手方向に対
して直交する分岐５０１ａ等間隔に形成される。これら
の分岐５０１ａは隣合うダミー配線５０１の分岐５０１
ａと互い違いに形成されて、ダミー配線５０１の隙間を
埋めるように配置される。従って、シール材形成領域１
０７を横断する任意の断面構成（線Ｃ−Ｃ’に直交する
線に沿った断面構成）において、ダミー配線５０１が必
ず存在するため、外部からの水分の侵入を防止すること
が可能になる。
域１０７外縁側には、ダミー配線５０１の長手方向に対
して直交する分岐５０１ａ等間隔に形成される。これら
の分岐５０１ａは隣合うダミー配線５０１の分岐５０１
ａと互い違いに形成されて、ダミー配線５０１の隙間を
埋めるように配置される。従って、シール材形成領域１
０７を横断する任意の断面構成（線Ｃ−Ｃ’に直交する
線に沿った断面構成）において、ダミー配線５０１が必
ず存在するため、外部からの水分の侵入を防止すること
が可能になる。
【００８４】外部からの水分の侵入を防止するには、シ
ール材形成領域１０７の幅Ｗは数ｍｍ程度であるため、
分岐５０１ａが形成される領域の長さＬは１００μｍ〜
５００μｍ程度にすればよい。また、ダミー配線５０１
のピッチは画素のピッチと同一にし、且つ分岐５０１ａ
が形成されている部分において、隣合うダミー配線５０
１の端面の間隔の最小値は、配線間でショートすること
を防止するためには、５〜１０μｍ程度にすることが好
ましい。
ール材形成領域１０７の幅Ｗは数ｍｍ程度であるため、
分岐５０１ａが形成される領域の長さＬは１００μｍ〜
５００μｍ程度にすればよい。また、ダミー配線５０１
のピッチは画素のピッチと同一にし、且つ分岐５０１ａ
が形成されている部分において、隣合うダミー配線５０
１の端面の間隔の最小値は、配線間でショートすること
を防止するためには、５〜１０μｍ程度にすることが好
ましい。
【００８５】なお、本実施例では、走査線駆動回路側領
域R1、信号線駆動回路側領域R2に形成されるダミー配線
５０１のみについて説明したが、走査線延長側領域R3に
は、ダミー配線５０１をシール材形成領域１０７を横断
して画素側及び基板外側それぞれ延長して形成する。ま
た、信号線延長側領域R4には、ダミー配線５０１を基板
外側に延長するようして、画素側には図３に示す配線３
０３のように接続端部を形成すればよい。
域R1、信号線駆動回路側領域R2に形成されるダミー配線
５０１のみについて説明したが、走査線延長側領域R3に
は、ダミー配線５０１をシール材形成領域１０７を横断
して画素側及び基板外側それぞれ延長して形成する。ま
た、信号線延長側領域R4には、ダミー配線５０１を基板
外側に延長するようして、画素側には図３に示す配線３
０３のように接続端部を形成すればよい。
【００８６】この結果、シール材形成領域１０７の外縁
部側に分岐５０１ａを有する配線パターンが均一に配置
されるために、図１に示すシール材形成領域１０７に配
置されるシール材の下部構成を紙面において左右、上下
に対称にすることができるため、基板張り合わせ時に基
板に均等に圧力をかけることができる。
部側に分岐５０１ａを有する配線パターンが均一に配置
されるために、図１に示すシール材形成領域１０７に配
置されるシール材の下部構成を紙面において左右、上下
に対称にすることができるため、基板張り合わせ時に基
板に均等に圧力をかけることができる。
【００８７】なお、実施例１〜３において、シール材形
成領域１０７に配置された基板間隔補正手段の最上層を
パッシベーション膜２２７としたが、その表面に、さら
に、画素電極２２８、ブラックマトリクス等を画素部１
０２の作製工程に従って形成してもよい。
成領域１０７に配置された基板間隔補正手段の最上層を
パッシベーション膜２２７としたが、その表面に、さら
に、画素電極２２８、ブラックマトリクス等を画素部１
０２の作製工程に従って形成してもよい。
【００８８】〔実施例４〕 実施例１、２においては、
シール材の下部構成を均一に配置するようにするため、
シール材形成領域において、第１層目の配線の端面と第
２層目の配線の端面とが重ならないようにしている。本
実施例では、第１層目の配線の端面と第２層目の配線の
端面とを重ねて、シール材と画素部との段差が小さくな
るようにする。図１２は本実施例の基板間隔補正手段の
上面図であり、走査線駆動回路側、又は信号線駆動回路
側の領域のみを図示している。また、図１３は図１２の
線Ｅ−Ｅ’における断面図である。
シール材の下部構成を均一に配置するようにするため、
シール材形成領域において、第１層目の配線の端面と第
２層目の配線の端面とが重ならないようにしている。本
実施例では、第１層目の配線の端面と第２層目の配線の
端面とを重ねて、シール材と画素部との段差が小さくな
るようにする。図１２は本実施例の基板間隔補正手段の
上面図であり、走査線駆動回路側、又は信号線駆動回路
側の領域のみを図示している。また、図１３は図１２の
線Ｅ−Ｅ’における断面図である。
【００８９】本実施例は図４、図６に示す実施例１の第
２層目のダミー配線３０４の変形例であり、先ず、シー
ル材形成領域には、走査線６０２の出発膜により線状の
第１層目のダミー配線を形成する。そして、層間絶縁物
２２０を形成した後に、信号線６０３の出発膜をパター
ニングして、第２層目のダミー配線６０１を形成する。
ダミー配線６０１は第１層目のダミー配線３０１と重な
るように、かつダミー配線３０１が形成されていない領
域を埋める様に等間隔に形成される。
２層目のダミー配線３０４の変形例であり、先ず、シー
ル材形成領域には、走査線６０２の出発膜により線状の
第１層目のダミー配線を形成する。そして、層間絶縁物
２２０を形成した後に、信号線６０３の出発膜をパター
ニングして、第２層目のダミー配線６０１を形成する。
ダミー配線６０１は第１層目のダミー配線３０１と重な
るように、かつダミー配線３０１が形成されていない領
域を埋める様に等間隔に形成される。
【００９０】これにより、シール材の下部構成を均一に
することができるので、基板の張り合わせ時に、シール
材に均等に圧力をかけることができる。更に、走査線６
０２と信号線６０３とが重なっている部分と略同じ段差
を有する凸部が、シール材形成領域に等間隔に配置され
ている。従って、基板張り合わせの圧力をシール形成領
域の凸部で支持されるので、スペーサにより、走査線６
０２と信号線６０３とが上下間でショートすることを防
止することができる。
することができるので、基板の張り合わせ時に、シール
材に均等に圧力をかけることができる。更に、走査線６
０２と信号線６０３とが重なっている部分と略同じ段差
を有する凸部が、シール材形成領域に等間隔に配置され
ている。従って、基板張り合わせの圧力をシール形成領
域の凸部で支持されるので、スペーサにより、走査線６
０２と信号線６０３とが上下間でショートすることを防
止することができる。
【００９１】なお、本実施例では、第２層目のダミー配
線６０１をシール材形成領域１０７の幅よりも短くした
が、シール材形成領域１０７の幅よりも長くしてもよ
い。
線６０１をシール材形成領域１０７の幅よりも短くした
が、シール材形成領域１０７の幅よりも長くしてもよ
い。
【００９２】〔実施例５〕 本実施例では、実施例４と
同様に、第１層目の配線の端面と第２層目の配線の端面
とを重ねて、シール材と画素部との段差が小さくなるよ
うにする。図１４は本実施例の基板間隔補正手段の上面
図であり、走査線駆動回路側、又は信号線駆動回路側の
領域のみを図示している。また、図１５は図１４の線Ｆ
−Ｆ’における断面図である。
同様に、第１層目の配線の端面と第２層目の配線の端面
とを重ねて、シール材と画素部との段差が小さくなるよ
うにする。図１４は本実施例の基板間隔補正手段の上面
図であり、走査線駆動回路側、又は信号線駆動回路側の
領域のみを図示している。また、図１５は図１４の線Ｆ
−Ｆ’における断面図である。
【００９３】本実施例は図８に示す実施例２の第２層目
のダミー配線４０１の変形例であり、先ず、シール材形
成領域には、走査線７０２の出発膜により線状の第１層
目のダミー配線を形成する。そして、層間絶縁物２２０
を形成した後に、信号線７０３の出発膜をパターニング
して、第２層目のダミー配線７０１を形成し、その表面
にパッシベッション膜２２７を形成する。ダミー配線７
０１は第１層目のダミー配線４０１と重なるように、か
つダミー配線４０１が形成されていない領域を埋める様
に等間隔に形成される。これにより、シール材の下部構
成を均一にすることができるので、基板の張り合わせ時
に、シール材に均等に圧力をかけることができる。更
に、走査線６０２と信号線６０３とが重なっている部分
と略同じ段差を有する凸部が、シール材形成領域に等間
隔に配置されている。従って、基板張り合わせの圧力を
シール形成領域の凸部で支持されるので、スペーサによ
り、走査線６０７と信号線７０３とが上下間でショート
することを防止することができる。
のダミー配線４０１の変形例であり、先ず、シール材形
成領域には、走査線７０２の出発膜により線状の第１層
目のダミー配線を形成する。そして、層間絶縁物２２０
を形成した後に、信号線７０３の出発膜をパターニング
して、第２層目のダミー配線７０１を形成し、その表面
にパッシベッション膜２２７を形成する。ダミー配線７
０１は第１層目のダミー配線４０１と重なるように、か
つダミー配線４０１が形成されていない領域を埋める様
に等間隔に形成される。これにより、シール材の下部構
成を均一にすることができるので、基板の張り合わせ時
に、シール材に均等に圧力をかけることができる。更
に、走査線６０２と信号線６０３とが重なっている部分
と略同じ段差を有する凸部が、シール材形成領域に等間
隔に配置されている。従って、基板張り合わせの圧力を
シール形成領域の凸部で支持されるので、スペーサによ
り、走査線６０７と信号線７０３とが上下間でショート
することを防止することができる。
【００９４】なお、実施例４、５において、シール材形
成領域１０７に配置された基板間隔補正手段の最上層を
パッシベーション膜２２７としたが、その表面に、さら
に、画素電極２２８、ブラックマトリクス等を画素部１
０２の作製工程に従って、形成してもよい。これによ
り、基板補正手段の段差と画素部の段差をより等しくす
ることができる。
成領域１０７に配置された基板間隔補正手段の最上層を
パッシベーション膜２２７としたが、その表面に、さら
に、画素電極２２８、ブラックマトリクス等を画素部１
０２の作製工程に従って、形成してもよい。これによ
り、基板補正手段の段差と画素部の段差をより等しくす
ることができる。
【００９５】
【発明の効果】本発明に係る液晶表示装置において、シ
ール材の下部に形成される基板間隔補正手段補正の段差
を均一にすることができるためシール材自体の段差も均
一にすることができる。また、基板間隔補正手段によ
り、スペーサーを含んでもマトリクス回路がシール材よ
りも突出することがない。従って、基板張り合わせ時
に、周辺駆動回路において配線が上下間でショートする
ことを回避することができ、周辺駆動回路一体型の液晶
表示装置の歩留りを向上するとともに、信頼性をも向上
することができる。さらに、基板間隔を均一に維持する
ことができるので、表示ムラがなくなり、高精細な表示
が可能になる。
ール材の下部に形成される基板間隔補正手段補正の段差
を均一にすることができるためシール材自体の段差も均
一にすることができる。また、基板間隔補正手段によ
り、スペーサーを含んでもマトリクス回路がシール材よ
りも突出することがない。従って、基板張り合わせ時
に、周辺駆動回路において配線が上下間でショートする
ことを回避することができ、周辺駆動回路一体型の液晶
表示装置の歩留りを向上するとともに、信頼性をも向上
することができる。さらに、基板間隔を均一に維持する
ことができるので、表示ムラがなくなり、高精細な表示
が可能になる。
【００９６】更に、本発明の基板間隔補正手段は、マト
リクス回路、周辺駆動回路と同時に、かつ工程数を増加
することなく作製することが可能である。
リクス回路、周辺駆動回路と同時に、かつ工程数を増加
することなく作製することが可能である。
【図１】実施例１〜５の液晶表示装置の上面図である。
【図２】実施例１〜５のＴＦＴの作製工程図である。
【図３】実施例１のシール材下部構成の作製工程図であ
る。
る。
【図４】実施例１のシール材下部構成の作製工程図であ
る。
る。
【図５】図４の線Ａ−Ａ’における断面図であり、図７
の線Ｂ−Ｂ’における断面図である。
の線Ｂ−Ｂ’における断面図である。
【図６】図４の線Ａ−Ａ’における断面図であり、図８
の線Ｂ−Ｂ’における断面図である。
の線Ｂ−Ｂ’における断面図である。
【図７】実施例２の基板間隔補正手段の作製工程図であ
る。
る。
【図８】実施例２の基板間隔補正手段の作製工程図であ
る。
る。
【図９】実施例３の基板間隔補正手段の作製工程図であ
る。
る。
【図１０】図９の線Ｃ−Ｃ’における断面図である。
【図１１】図９の線Ｄ−Ｄ’における断面図である。
【図１２】実施例４の基板間隔補正手段の上面図であ
る。
る。
【図１３】図１２の線Ｅ−Ｅ’における断面図である。
【図１４】実施例５の基板間隔補正手段の上面図であ
る。
る。
【図１５】図１４の線Ｆ−Ｆ’における断面図である。
【図１６】従来例１の液晶表示装置の上面図である。
【図１７】従来例２の液晶表示装置の上面図である。
１０１ 素子基板 １０２ 画素部 １０３ 信号線駆動回路 １０４ 走査線駆動回路 １０５ 信号線 １０６ 走査線 １０７ シール材形成領域 ３０１、４０１ 第１層目のダミー配線 ３０２、３０３、３０５ 配線 ３０４、４０２ 第２層目のダミー配線 ５０１ ダミー配線
Claims (23)
- 【請求項１】 マトリクス回路を有する素子基板と、 該素子基板と対向する対向基板と、 前記素子基板と前記対向基板とを接着するためのシール
材と、 を有する液晶表示装置において、 前記素子基板において、前記シール材が形成される領域
には、少なくとも１層以上の積層構造を有する基板間隔
補正手段が配置されていることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項２】 請求項１において、前記基板間隔補正手
段は、少なくとも前記マトリクス回路の配線と同一の材
料からなる支持部材を含むことを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項３】 請求項１において、前記マトリクス回路
は絶縁膜により層毎に絶縁されている層状の配線構造を
有し、前記基板間隔補正手段は、少なくとも前記層状の
配線と同一の積層構造を有することを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項４】 請求項１において、前記基板間隔補正手
段の厚さの最大値は、前記マトリクス回路の厚さの最大
値と略等しいことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】 請求項１に記載の素子基板において、マ
トリクス回路を駆動するための周辺回路が前記マトリク
ス回路と、前記シール材との間に配置されていることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】 マトリクス状に配置され、第１の層間絶
縁膜より層間分離された信号線と走査線と、該信号線と
該走査線との交点に配置され、第２の層間絶縁膜により
信号線と層間分離された画素電極とを有するマトリクス
回路と、該マトリクス回路を制御するための周辺駆動回
路とを有する素子基板と、 該素子基板と対向する対向基板と、 前記マトリクス回路を取り囲み、前記素子基板と前記対
向基板とを接着するためのシール材と、 を有する液晶表示装置において、 前記素子基板において、前記シール材の形成領域には、
少なくとも信号線と同一の材料から成る第１の支持手段
と、前記第１の層間絶縁膜と、信号線と同一の材料から
成る第２の支持手段と、第２の層間絶縁膜とが互いに異
なる層に形成されている基板間隔補正手段を有すること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】請求項６に記載の素子基板において、マト
リクス回路を駆動するための周辺回路が前記マトリクス
回路と、前記シール材との間に配置されていることを特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項８】 請求項６に記載の基板間隔補正手段にお
いて、前記第１の支持部材の端面と第２の支持部材の端
面とは重ならないことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項９】 請求項６に記載の基板間隔補正手段は、
少なくとも、前記マトリクスにおいて前記信号線と前記
走査線が重なっている領域と同一の積層構造を有するこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１０】 請求項６において、前記基板間隔補正
手段の厚さの最大値は、前記マトリクス回路の厚さの最
大値と略等しいことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１１】 請求項６において、前記シール材内部
に配置された回路と、前記素子基板上の前記シール材の
外側に配置された回路、又は前記素子基板外部の回路と
を接続するための配線は、前記第１の支持部材と一体的
に形成され、前記第１の支持部材は前記シール材の外側
に延長していることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１２】 請求項６において、前記シール材内部
に配置された回路と、前記素子基板上の前記シール材の
外側に配置された回路、又は前記素子基板外部の回路と
を接続するための配線は、前記シール材の内側で前記第
１の支持部材と接続され、前記第１の支持部材は前記シ
ール材の外側に延長していることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項１３】 請求項６において、前記第２の支持部
材は、前記シール材内部に配置された回路と、前記素子
基板上の前記シール材の外側に配置された回路、及び前
記素子基板外部の回路とに電気的に接続されていないこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１４】 請求項６に記載の基板間隔補正手段に
おいて、前記第１の支持部材は線状の配線が等間隔に配
置され、前記第２の配線層には、前記第１の配線層の間
隙に、信号線又は走査線と平行な線状の配線が等間隔に
配置されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１５】 請求項６において、前記第１の支持部
材は、前記シール材の幅と略等しく蛇行する形状である
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１６】 請求項６において、前記第１の支持部
材は、前記リクス記第２の支持部材のピッチは前記画素
電極のピッチと概略等しいことを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項１７】 請求項６に記載のマトリクス回路は前
記信号線に接続される画素電極と、該画素電極を駆動す
る薄膜トランジスタを有し、前記第１の支持部材は前記
走査線と同時に形成され、前記第２の支持部材は前記信
号線と同時に形成されることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項１８】 マトリクス状に配置され、第１の層間
絶縁膜より層間分離された信号線と走査線と、該信号線
と該走査線との交点に配置され、第２の層間絶縁膜によ
り信号線と層間分離された画素電極と、画素電極を動作
させるための薄膜トランジスタとを有するマトリクス回
路と、該マトリクス回路を制御するための周辺駆動回路
とを有する素子基板と、 該素子基板と対向する対向基板と、 前記マトリクス回路を取り囲み、前記素子基板と前記対
向基板とを接着するためのシール材と、 を有する液晶表示装置において、 前記素子基板において、前記シール材の形成領域には、
少なくとも走査線と同一の材料から成る支持手段と、前
記第１の層間絶縁膜と、第２の層間絶縁膜とが互いに異
なる層に形成されている基板間隔補正手段を有すること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１９】 請求項１８に記載の素子基板におい
て、マトリクス回路を駆動するための周辺回路が前記マ
トリクス回路と、前記シール材との間に配置されている
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２０】 請求項１８において、前記シール材内
部に配置された回路と、前記素子基板上の前記シール材
の外側に配置された回路、又は前記素子基板外部の回路
とを接続するための配線は、前記支持部材と一体的に形
成され、前記第１の支持部材は前記シール材の外側に延
長していることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２１】 請求項１８において、前記シール材内
部に配置された回路と、前記素子基板上の前記シール材
の外側に配置された回路、又は前記素子基板外部の回路
とを接続するための配線は、前記シール材の内側で前記
支持部材と接続され、前記支持部材は前記シール材の外
側に延長していることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２２】 請求項１８において、前記支持部材
は、素子基板の縁部に沿った複数の分岐を有する線状の
部材であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２３】請求項２２において、前記支持部材の分
岐は前記シール材が形成される領域の内側で、且つ素子
基板の外側よりに形成されていることを特徴とする。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35022995A JP3737176B2 (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 液晶表示装置 |
| US08/768,066 US5995189A (en) | 1995-12-21 | 1996-12-16 | Liquid-crystal display device |
| KR1019960069418A KR100355939B1 (ko) | 1995-12-21 | 1996-12-21 | 액정표시장치 |
| US09/316,697 US7333172B1 (en) | 1995-12-21 | 1999-05-21 | Liquid crystal display device having plurality of conductive layers between a substrate and sealing member and insulated by insulating film |
| KR1020010045855A KR100355940B1 (ko) | 1995-12-21 | 2001-07-30 | 표시장치 |
| KR1020020006678A KR100383163B1 (ko) | 1995-12-21 | 2002-02-06 | 표시장치 |
| US10/811,920 US7394516B2 (en) | 1995-12-21 | 2004-03-30 | Liquid crystal display device having a particular conductive layer |
| US12/165,783 US7956978B2 (en) | 1995-12-21 | 2008-07-01 | Liquid-crystal display device having a particular conductive layer |
| US13/153,495 US8194224B2 (en) | 1995-12-21 | 2011-06-06 | Liquid crystal display device having particular conductive layers |
| US13/484,800 US8665411B2 (en) | 1995-12-21 | 2012-05-31 | Liquid crystal display device having particular conductive layer |
| US14/192,020 US9316880B2 (en) | 1995-12-21 | 2014-02-27 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35022995A JP3737176B2 (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003035990A Division JP3799021B2 (ja) | 2003-02-14 | 2003-02-14 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09179130A true JPH09179130A (ja) | 1997-07-11 |
| JP3737176B2 JP3737176B2 (ja) | 2006-01-18 |
Family
ID=18409101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35022995A Expired - Fee Related JP3737176B2 (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 液晶表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (7) | US5995189A (ja) |
| JP (1) | JP3737176B2 (ja) |
| KR (3) | KR100355939B1 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001156072A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、半導体装置のパターン設計方法、および半導体装置のパターン設計装置 |
| US6476901B2 (en) | 1997-10-06 | 2002-11-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display including interlayer insulating layer at peripheral sealing portion |
| US6549259B2 (en) | 2000-02-14 | 2003-04-15 | Nec Corporation | Liquid crystal display panel and fabrication method of the same |
| WO2005029450A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | 電極配線基板および表示装置 |
| JP2005173108A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US7333172B1 (en) | 1995-12-21 | 2008-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having plurality of conductive layers between a substrate and sealing member and insulated by insulating film |
| JP2008151849A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Canon Inc | 液晶表示装置及びアクティブマトリクス基板 |
| US7728948B2 (en) | 2007-04-26 | 2010-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method |
| JP2011191367A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2012234213A (ja) * | 2012-09-03 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2013200573A (ja) * | 2013-06-05 | 2013-10-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US8675166B2 (en) | 1997-10-06 | 2014-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having an improved sealant thickness homogencity |
| JP2016040628A (ja) * | 1999-04-06 | 2016-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
Families Citing this family (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3698809B2 (ja) * | 1996-03-23 | 2005-09-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶装置作製方法 |
| KR100193987B1 (ko) * | 1996-05-11 | 1999-06-15 | 구자홍 | 구동회로 일체형 액정표시소자 및 제조방법 |
| US7298447B1 (en) | 1996-06-25 | 2007-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display panel |
| JP3640224B2 (ja) * | 1996-06-25 | 2005-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示パネル |
| JP3788649B2 (ja) * | 1996-11-22 | 2006-06-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP3343645B2 (ja) * | 1997-03-25 | 2002-11-11 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US6927826B2 (en) * | 1997-03-26 | 2005-08-09 | Semiconductor Energy Labaratory Co., Ltd. | Display device |
| JPH10268360A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP3742485B2 (ja) * | 1997-04-24 | 2006-02-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶パネル |
| TW430859B (en) * | 1997-05-22 | 2001-04-21 | Semiconductor Energy Lab | Electro-optical device |
| TWI224221B (en) * | 1998-01-30 | 2004-11-21 | Seiko Epson Corp | Electro-optic apparatus, electronic apparatus using the same, and its manufacturing method |
| JPH11307782A (ja) | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| WO2000007170A1 (en) * | 1998-07-27 | 2000-02-10 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method of manufacture thereof, projection display, and electronic device |
| JP2000081848A (ja) * | 1998-09-03 | 2000-03-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置を搭載した電子機器 |
| US6475836B1 (en) | 1999-03-29 | 2002-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP3428511B2 (ja) * | 1999-07-02 | 2003-07-22 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| KR100315208B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2001-11-26 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| US6750835B2 (en) * | 1999-12-27 | 2004-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Image display device and driving method thereof |
| US6922226B2 (en) * | 1999-12-31 | 2005-07-26 | Lg. Philips Lcd Co. Ltd. | Liquid crystal display device implementing improved electrical lines and the fabricating method |
| KR100545021B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2006-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자와 그 제조 방법 |
| KR100672626B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2007-01-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정패널 및 그 제조방법 |
| US6582980B2 (en) | 2001-01-30 | 2003-06-24 | Eastman Kodak Company | System for integrating digital control with common substrate display devices |
| GB0111423D0 (en) | 2001-05-10 | 2001-07-04 | Koninkl Philips Electronics Nv | An electronic device including a thin film transistor |
| KR100789087B1 (ko) * | 2001-07-03 | 2007-12-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| JP4789369B2 (ja) * | 2001-08-08 | 2011-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
| JP2003108021A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
| JP3909572B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2007-04-25 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
| CN100383651C (zh) * | 2001-09-28 | 2008-04-23 | 株式会社日立制作所 | 显示装置及液晶显示装置 |
| KR100805389B1 (ko) * | 2001-12-22 | 2008-02-25 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 라인 온 글래스형 액정패널 |
| KR100473588B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2005-03-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판 |
| KR100450701B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2004-10-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| KR100854378B1 (ko) * | 2002-03-20 | 2008-08-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 패널 및 그 제조방법 |
| KR100480332B1 (ko) | 2002-04-08 | 2005-04-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 액정패널 |
| KR100870666B1 (ko) | 2002-09-04 | 2008-11-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP3800184B2 (ja) * | 2003-02-04 | 2006-07-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2005227529A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Nec Corp | アクティブマトリクス型半導体装置 |
| KR100681022B1 (ko) * | 2004-06-16 | 2007-02-09 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법 |
| TWI343492B (en) * | 2005-02-01 | 2011-06-11 | Samsung Electronics Co Ltd | Liquid crystal display and method of fabricating the same |
| TWI312434B (en) * | 2005-08-19 | 2009-07-21 | Au Optronics Corporatio | A fan-out structure for a flat panel display |
| US20100164089A1 (en) * | 2006-02-15 | 2010-07-01 | Nxp B.V. | Non-Conductive Planarization of Substrate Surface for Mold Cap |
| JP4448834B2 (ja) * | 2006-04-25 | 2010-04-14 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 |
| KR101316635B1 (ko) * | 2006-07-27 | 2013-10-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판의 제조 방법, 표시 기판 및 마스크 |
| JP2008164787A (ja) | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
| JP5246782B2 (ja) | 2008-03-06 | 2013-07-24 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 液晶装置および電子機器 |
| KR101565798B1 (ko) * | 2009-03-31 | 2015-11-05 | 삼성전자주식회사 | 콘택 패드와 도전 라인과의 일체형 구조를 가지는 반도체 소자 |
| KR101598951B1 (ko) * | 2009-09-02 | 2016-03-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101845480B1 (ko) | 2010-06-25 | 2018-04-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| WO2012147807A1 (ja) * | 2011-04-25 | 2012-11-01 | シャープ株式会社 | 配線欠陥検査方法および配線欠陥検査装置、並びに半導体基板の製造方法 |
| TWI516851B (zh) * | 2011-05-05 | 2016-01-11 | 友達光電股份有限公司 | 液晶顯示面板的引線結構以及具有此引線結構的液晶顯示面板 |
| CN102354070B (zh) * | 2011-09-28 | 2014-08-27 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示装置、液晶面板及其构建方法 |
| US20130077032A1 (en) * | 2011-09-28 | 2013-03-28 | Shih-Hslang Chen | Liquid crystal display device, liquid crystal panel and method for manufacturing the same |
| TWI569490B (zh) | 2011-11-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 密封體，發光模組，及製造密封體之方法 |
| CN102683422B (zh) * | 2012-03-21 | 2016-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 氧化物薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置 |
| TWI692108B (zh) | 2013-04-10 | 2020-04-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| US9394614B2 (en) | 2013-04-19 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming projections and depressions, sealing structure, and light-emitting device |
| KR102439308B1 (ko) * | 2015-10-06 | 2022-09-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| KR20230041845A (ko) * | 2021-09-16 | 2023-03-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0561072A (ja) * | 1991-03-15 | 1993-03-12 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH0682811A (ja) * | 1992-07-15 | 1994-03-25 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| JPH06186578A (ja) * | 1992-12-17 | 1994-07-08 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (99)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2678594B2 (ja) | 1986-03-06 | 1997-11-17 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPS62229234A (ja) | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2502529B2 (ja) | 1986-07-18 | 1996-05-29 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2574775B2 (ja) | 1986-10-17 | 1997-01-22 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示素子 |
| JPH0820639B2 (ja) | 1986-10-21 | 1996-03-04 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPH01265229A (ja) | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| US5365357A (en) | 1988-04-21 | 1994-11-15 | Asahi Glass Company Ltd. | Color liquid crystal display having color filters and light blocking layers in the periphery |
| US5151689A (en) | 1988-04-25 | 1992-09-29 | Hitachi, Ltd. | Display device with matrix-arranged pixels having reduced number of vertical signal lines |
| JP2515868B2 (ja) | 1988-11-04 | 1996-07-10 | 松下電子工業株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2816982B2 (ja) | 1989-03-16 | 1998-10-27 | 松下電子工業株式会社 | 液晶表示装置 |
| US5162901A (en) | 1989-05-26 | 1992-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active-matrix display device with added capacitance electrode wire and secondary wire connected thereto |
| KR900018804A (ko) * | 1989-05-31 | 1990-12-22 | 야마무라 가쯔미 | 입력 장치 |
| JP2767145B2 (ja) | 1989-11-22 | 1998-06-18 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| US5076667A (en) | 1990-01-29 | 1991-12-31 | David Sarnoff Research Center, Inc. | High speed signal and power supply bussing for liquid crystal displays |
| US5148301A (en) * | 1990-02-27 | 1992-09-15 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display device having a driving circuit inside the seal boundary |
| US5105187A (en) | 1990-04-18 | 1992-04-14 | General Electric Company | Shift register for active matrix display devices |
| US5200847A (en) * | 1990-05-01 | 1993-04-06 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display device having driving circuit forming on a heat-resistant sub-substrate |
| JP2712764B2 (ja) | 1990-06-08 | 1998-02-16 | 三菱電機株式会社 | マトリクス型液晶表示装置 |
| JPH0497321A (ja) | 1990-08-16 | 1992-03-30 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH04242719A (ja) | 1991-01-08 | 1992-08-31 | Toshiba Corp | 液晶表示器 |
| KR960014823B1 (ko) | 1991-03-15 | 1996-10-21 | 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼 | 액정표시장치 |
| JPH04324826A (ja) | 1991-04-25 | 1992-11-13 | Seiko Epson Corp | ドライバー内蔵型液晶表示装置 |
| JPH04331920A (ja) | 1991-05-07 | 1992-11-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH0572540A (ja) | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| US5285300A (en) * | 1991-10-07 | 1994-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| JPH05127181A (ja) | 1991-11-01 | 1993-05-25 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JP2650543B2 (ja) | 1991-11-25 | 1997-09-03 | カシオ計算機株式会社 | マトリクス回路駆動装置 |
| JP2901028B2 (ja) | 1991-12-03 | 1999-06-02 | シャープ株式会社 | 誘電性表示素子およびその製造方法 |
| JPH05249478A (ja) | 1991-12-25 | 1993-09-28 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| JPH05203966A (ja) * | 1992-01-29 | 1993-08-13 | Seiko Instr Inc | カラー液晶電気光学装置 |
| JPH05273532A (ja) | 1992-01-31 | 1993-10-22 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPH06214241A (ja) | 1993-01-18 | 1994-08-05 | Canon Inc | 液晶表示装置 |
| DE69330318T2 (de) * | 1992-02-27 | 2001-10-31 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Flüssigkristallanzeigevorrichtung |
| JP3256810B2 (ja) | 1992-02-27 | 2002-02-18 | キヤノン株式会社 | 液晶表示装置 |
| GB9204336D0 (en) | 1992-02-28 | 1992-04-08 | Rank Cintel Ltd | Image stability in telecines |
| JPH05241165A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP3212352B2 (ja) | 1992-04-09 | 2001-09-25 | カシオ計算機株式会社 | 表示駆動装置 |
| JP3293163B2 (ja) | 1992-04-28 | 2002-06-17 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶パネル |
| JPH05313175A (ja) | 1992-05-13 | 1993-11-26 | Sharp Corp | 液晶表示素子 |
| DE69330337T2 (de) | 1992-07-15 | 2001-11-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki | Flüssigkristallanzeige |
| JPH0651332A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-02-25 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2803792B2 (ja) | 1992-08-28 | 1998-09-24 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JPH0682809A (ja) | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JP3397810B2 (ja) | 1992-10-29 | 2003-04-21 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2893433B2 (ja) | 1992-11-10 | 1999-05-24 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示装置 |
| GB9223697D0 (en) | 1992-11-12 | 1992-12-23 | Philips Electronics Uk Ltd | Active matrix display devices |
| US5403762A (en) | 1993-06-30 | 1995-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a TFT |
| JPH06186588A (ja) | 1992-12-17 | 1994-07-08 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| KR100268007B1 (ko) | 1992-12-22 | 2000-10-16 | 구본준 | 액정표시소자 제조방법 |
| JPH06202124A (ja) | 1992-12-26 | 1994-07-22 | Nippondenso Co Ltd | 液晶表示装置 |
| EP0612102B1 (en) | 1993-02-15 | 2001-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for the fabrication of a crystallised semiconductor layer |
| JPH06250224A (ja) | 1993-02-24 | 1994-09-09 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JPH06258659A (ja) | 1993-03-02 | 1994-09-16 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| JP3413230B2 (ja) | 1993-03-02 | 2003-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPH06258661A (ja) | 1993-03-02 | 1994-09-16 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| JPH081500B2 (ja) | 1993-03-23 | 1996-01-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 液晶表示装置 |
| JP3413239B2 (ja) | 1993-04-06 | 2003-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3208909B2 (ja) | 1993-04-06 | 2001-09-17 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPH06308510A (ja) | 1993-04-27 | 1994-11-04 | Sharp Corp | 液晶表示パネル |
| JPH06347827A (ja) | 1993-06-07 | 1994-12-22 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JPH081502B2 (ja) | 1993-06-21 | 1996-01-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 液晶表示装置 |
| JPH078838U (ja) | 1993-06-28 | 1995-02-07 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示素子用のパネル組立体 |
| JPH078838A (ja) | 1993-06-29 | 1995-01-13 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 遠心分離機のダイバータ制御装置 |
| JPH0792477A (ja) | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH07146481A (ja) | 1993-11-25 | 1995-06-06 | Hitachi Ltd | 液晶表示基板 |
| JP3216379B2 (ja) | 1993-12-07 | 2001-10-09 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPH07159809A (ja) | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| EP0692104B1 (en) | 1994-01-01 | 2001-10-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid crystal display device and method for manufacturing a number of liquid crystal display devices |
| JP3383055B2 (ja) | 1994-01-24 | 2003-03-04 | ソニー株式会社 | 液晶表示パネル |
| JP3523901B2 (ja) | 1994-04-14 | 2004-04-26 | シチズン時計株式会社 | カラー液晶表示パネル |
| JP3192546B2 (ja) | 1994-04-15 | 2001-07-30 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US5517344A (en) | 1994-05-20 | 1996-05-14 | Prime View Hk Limited | System for protection of drive circuits formed on a substrate of a liquid crystal display |
| JP3208997B2 (ja) | 1994-05-24 | 2001-09-17 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
| US5508532A (en) | 1994-06-16 | 1996-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with braded silicon nitride |
| JP3777201B2 (ja) | 1994-06-23 | 2006-05-24 | 株式会社東芝 | アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法 |
| TW321731B (ja) | 1994-07-27 | 1997-12-01 | Hitachi Ltd | |
| US5684547A (en) | 1994-08-05 | 1997-11-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and method for fabricating the same |
| JP3122003B2 (ja) | 1994-08-24 | 2001-01-09 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
| TW293093B (ja) | 1994-09-08 | 1996-12-11 | Hitachi Ltd | |
| JP3086606B2 (ja) * | 1994-11-14 | 2000-09-11 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| TW373094B (en) * | 1994-11-14 | 1999-11-01 | Hitachi Device Engineering Corp | Liquid crystal display device having a uniform liquid crystal layer thickness |
| FR2727216B1 (fr) * | 1994-11-18 | 1996-12-20 | Asulab Sa | Cellule electrique du type comprenant deux lames-supports paralleles, en matiere plastique, ecartees l'une de l'autre, portant des electrodes sur leurs faces |
| TW347479B (en) | 1994-12-15 | 1998-12-11 | Sharp Kk | Liquid crystal display panel and liquid crystal display apparatus |
| JPH08171086A (ja) * | 1994-12-15 | 1996-07-02 | Sharp Corp | 液晶表示素子およびその製造方法 |
| US5684555A (en) * | 1994-12-19 | 1997-11-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display panel |
| JPH08171082A (ja) | 1994-12-20 | 1996-07-02 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| US6011607A (en) | 1995-02-15 | 2000-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., | Active matrix display with sealing material |
| US6172732B1 (en) | 1995-06-16 | 2001-01-09 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device suited to narrow frame |
| WO1997010529A1 (en) | 1995-09-11 | 1997-03-20 | Flat Panel Display Co. B.V. Fpd | Liquid crystal display device |
| JPH0990397A (ja) | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびそれを用いた表示装置 |
| US5754208A (en) * | 1995-11-27 | 1998-05-19 | Xerox Corporation | Liquid ink printer having dryer with integral reflector |
| JP3737176B2 (ja) * | 1995-12-21 | 2006-01-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP3640224B2 (ja) | 1996-06-25 | 2005-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示パネル |
| JP2850870B2 (ja) | 1996-08-20 | 1999-01-27 | 日本電気株式会社 | 液晶表示パネル |
| JPH10198292A (ja) | 1996-12-30 | 1998-07-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JPH10288950A (ja) | 1997-04-14 | 1998-10-27 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP3907804B2 (ja) | 1997-10-06 | 2007-04-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US6037005A (en) | 1998-05-12 | 2000-03-14 | 3M Innovative Properties Company | Display substrate electrodes with auxiliary metal layers for enhanced conductivity |
| JP4698688B2 (ja) | 2007-02-27 | 2011-06-08 | シャープ株式会社 | 送受信方法、送受信装置及びプログラム |
-
1995
- 1995-12-21 JP JP35022995A patent/JP3737176B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-12-16 US US08/768,066 patent/US5995189A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-21 KR KR1019960069418A patent/KR100355939B1/ko not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-05-21 US US09/316,697 patent/US7333172B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-07-30 KR KR1020010045855A patent/KR100355940B1/ko not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-02-06 KR KR1020020006678A patent/KR100383163B1/ko not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-03-30 US US10/811,920 patent/US7394516B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-07-01 US US12/165,783 patent/US7956978B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-06-06 US US13/153,495 patent/US8194224B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-05-31 US US13/484,800 patent/US8665411B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-02-27 US US14/192,020 patent/US9316880B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0561072A (ja) * | 1991-03-15 | 1993-03-12 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH0682811A (ja) * | 1992-07-15 | 1994-03-25 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| JPH06186578A (ja) * | 1992-12-17 | 1994-07-08 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7956978B2 (en) | 1995-12-21 | 2011-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal display device having a particular conductive layer |
| US8665411B2 (en) | 1995-12-21 | 2014-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having particular conductive layer |
| US9316880B2 (en) | 1995-12-21 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US7333172B1 (en) | 1995-12-21 | 2008-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having plurality of conductive layers between a substrate and sealing member and insulated by insulating film |
| US8194224B2 (en) | 1995-12-21 | 2012-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having particular conductive layers |
| US7394516B2 (en) | 1995-12-21 | 2008-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having a particular conductive layer |
| US9285618B2 (en) | 1997-10-06 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device comprising two overlapping conductive lines under a sealant |
| US6476901B2 (en) | 1997-10-06 | 2002-11-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display including interlayer insulating layer at peripheral sealing portion |
| US8675166B2 (en) | 1997-10-06 | 2014-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having an improved sealant thickness homogencity |
| JP2017191327A (ja) * | 1999-04-06 | 2017-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP2016040628A (ja) * | 1999-04-06 | 2016-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP2001156072A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、半導体装置のパターン設計方法、および半導体装置のパターン設計装置 |
| US6549259B2 (en) | 2000-02-14 | 2003-04-15 | Nec Corporation | Liquid crystal display panel and fabrication method of the same |
| US7352426B2 (en) | 2003-09-19 | 2008-04-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electrode-wiring substrate and display device |
| WO2005029450A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | 電極配線基板および表示装置 |
| JP2005173108A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2008151849A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Canon Inc | 液晶表示装置及びアクティブマトリクス基板 |
| US8269943B2 (en) | 2007-04-26 | 2012-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US8704971B2 (en) | 2007-04-26 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US7728948B2 (en) | 2007-04-26 | 2010-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method |
| JP2011191367A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2012234213A (ja) * | 2012-09-03 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2013200573A (ja) * | 2013-06-05 | 2013-10-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3737176B2 (ja) | 2006-01-18 |
| KR100383163B1 (ko) | 2003-05-16 |
| US9316880B2 (en) | 2016-04-19 |
| US7956978B2 (en) | 2011-06-07 |
| US7333172B1 (en) | 2008-02-19 |
| KR100355940B1 (ko) | 2002-10-14 |
| US8194224B2 (en) | 2012-06-05 |
| US20140176842A1 (en) | 2014-06-26 |
| US8665411B2 (en) | 2014-03-04 |
| US20120299008A1 (en) | 2012-11-29 |
| US7394516B2 (en) | 2008-07-01 |
| US20090021684A1 (en) | 2009-01-22 |
| KR970048811A (ko) | 1997-07-29 |
| US5995189A (en) | 1999-11-30 |
| US20110309369A1 (en) | 2011-12-22 |
| KR100355939B1 (ko) | 2003-06-09 |
| US20040179164A1 (en) | 2004-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3737176B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3477301B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH09105953A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3163576B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JPH08248427A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3998755B2 (ja) | 半導体表示装置 | |
| JP3778964B2 (ja) | アクティブマトリクス表示装置 | |
| JP5879645B2 (ja) | アクティブマトリックス型表示装置 | |
| JP3799021B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3983316B2 (ja) | 液晶表示装置の作製方法 | |
| JPH11183925A (ja) | 液晶装置、及びその製造方法 | |
| JP5622815B2 (ja) | 表示装置 | |
| JP5084579B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP5194162B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2006146277A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP5679532B2 (ja) | アクティブマトリックス型表示装置 | |
| JP2006154866A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3594863B2 (ja) | アクティブマトリクス型表示装置の作製方法 | |
| JP3706867B2 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
| JP2000155313A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JP2000131678A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JP2003241225A (ja) | 液晶装置、及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050104 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050111 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050225 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050621 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050727 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050823 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050926 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051025 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051026 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091104 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091104 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091104 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101104 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101104 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111104 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111104 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121104 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121104 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131104 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |