JPH08259324A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH08259324A JPH08259324A JP7062590A JP6259095A JPH08259324A JP H08259324 A JPH08259324 A JP H08259324A JP 7062590 A JP7062590 A JP 7062590A JP 6259095 A JP6259095 A JP 6259095A JP H08259324 A JPH08259324 A JP H08259324A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 ，Ｐｂ（Ｚｎ
1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 及びＰｂ（Ｍ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 を、
一般式（Ｉ）の組成となるように、Ｐｂ原子の一部を、
Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒの１種以上の原子で置換した組成を有
する主成分１００重量部に対して、副成分としてＢｉ2
Ｏ3 を０．２０〜０．７０重量部含有する誘電体磁器組
成物。 (Pb1-aRa)[(Fe1/2Nb1/2)1-b-c(Zn1/3Nb2/3)b(M1/2W1/2)
c]O3 …（Ｉ） （Ｒ＝Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒの１種以上、Ｍ＝Ｚｎ，Ｍｇ，
Ｎｉの１種以上、０．００＜ａ＜０．１０，０．００＜
ｂ＋ｃ＜０．５０の正数） 【効果】 焼結温度が低く、誘電率、誘電損失、絶縁抵
抗が良好で、特に、高温での誘電損失が小さく、絶縁抵
抗が大きく、小型大容量の積層コンデンサの誘電体材料
に有効に利用可能な誘電体磁器組成物が提供される。
1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 及びＰｂ（Ｍ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 を、
一般式（Ｉ）の組成となるように、Ｐｂ原子の一部を、
Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒの１種以上の原子で置換した組成を有
する主成分１００重量部に対して、副成分としてＢｉ2
Ｏ3 を０．２０〜０．７０重量部含有する誘電体磁器組
成物。 (Pb1-aRa)[(Fe1/2Nb1/2)1-b-c(Zn1/3Nb2/3)b(M1/2W1/2)
c]O3 …（Ｉ） （Ｒ＝Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒの１種以上、Ｍ＝Ｚｎ，Ｍｇ，
Ｎｉの１種以上、０．００＜ａ＜０．１０，０．００＜
ｂ＋ｃ＜０．５０の正数） 【効果】 焼結温度が低く、誘電率、誘電損失、絶縁抵
抗が良好で、特に、高温での誘電損失が小さく、絶縁抵
抗が大きく、小型大容量の積層コンデンサの誘電体材料
に有効に利用可能な誘電体磁器組成物が提供される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は誘電体磁器組成物に係
り、特に、小型大容量の積層コンデンサ等の誘電体材料
に好適な誘電体磁器組成物に関する。
り、特に、小型大容量の積層コンデンサ等の誘電体材料
に好適な誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、高誘電率磁器組成物として、チタ
ン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）を主体とする磁器組成物
が一般に使用されている。この磁器組成物は、ＢａＴｉ
Ｏ3 を基体とし、これにキュリー点を室温付近に移動さ
せるシフター剤と温度特性を改善するデプレッサ剤、更
に焼結促進剤、還元防止剤などを加えた組成とするのが
一般的である。
ン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）を主体とする磁器組成物
が一般に使用されている。この磁器組成物は、ＢａＴｉ
Ｏ3 を基体とし、これにキュリー点を室温付近に移動さ
せるシフター剤と温度特性を改善するデプレッサ剤、更
に焼結促進剤、還元防止剤などを加えた組成とするのが
一般的である。
【０００３】しかし、ＢａＴｉＯ3 を主体とする磁器組
成物は、その焼結温度が１３００〜１４００℃の高温で
あるため、焼成コストが高く、特にこの磁器組成物を積
層コンデンサとして利用する場合には、内部電極材料と
して、パラジウム、白金などの高価な貴金属を用いなけ
ればならず、このことが積層コンデンサのコスト低減の
大きな障壁になっていた。
成物は、その焼結温度が１３００〜１４００℃の高温で
あるため、焼成コストが高く、特にこの磁器組成物を積
層コンデンサとして利用する場合には、内部電極材料と
して、パラジウム、白金などの高価な貴金属を用いなけ
ればならず、このことが積層コンデンサのコスト低減の
大きな障壁になっていた。
【０００４】これに対し、近年、鉛系複合型ペロブスカ
イト化合物を主体とする誘電体磁器組成物を用いて、低
温で焼成することにより、積層コンデンサの製造コスト
の低減が図られている。特に、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ
1/2 ）Ｏ3 を含む磁器組成物は低温焼結可能で、かつ高
誘電率を有しており、この成分系を中心とした様々な磁
器組成物が提案されている（例えば、Ｍ．Ｙｏｎｅｚａ
ｗａ：Ｃｅｒａｍｉｃ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ ６２（１９
８３）１３７５）。
イト化合物を主体とする誘電体磁器組成物を用いて、低
温で焼成することにより、積層コンデンサの製造コスト
の低減が図られている。特に、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ
1/2 ）Ｏ3 を含む磁器組成物は低温焼結可能で、かつ高
誘電率を有しており、この成分系を中心とした様々な磁
器組成物が提案されている（例えば、Ｍ．Ｙｏｎｅｚａ
ｗａ：Ｃｅｒａｍｉｃ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ ６２（１９
８３）１３７５）。
【０００５】また、特開平２−２５２６４９号公報に
は、この種の磁器組成物として、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ
1/2 ）Ｏ3 ，Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 及びＰｂ
（Ｍ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 を含み、下記一般式（Ｉ）で表わ
される組成となるように、Ｐｂ原子のうちの一部を、Ｃ
ａ，Ｂａ及びＳｒよりなる群から選ばれる少なくとも１
種の原子で置換した組成を有する誘電体磁器組成物が開
示されている。
は、この種の磁器組成物として、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ
1/2 ）Ｏ3 ，Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 及びＰｂ
（Ｍ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 を含み、下記一般式（Ｉ）で表わ
される組成となるように、Ｐｂ原子のうちの一部を、Ｃ
ａ，Ｂａ及びＳｒよりなる群から選ばれる少なくとも１
種の原子で置換した組成を有する誘電体磁器組成物が開
示されている。
【０００６】 (Pb1-aRa)[(Fe1/2Nb1/2)1-b-c(Zn1/3Nb2/3)b(M1/2W1/2)c]O3 …（Ｉ） （式中、ＲはＣａ，Ｂａ及びＳｒよりなる群から選ばれ
る少なくとも１種の原子であり、ＭはＺｎ，Ｍｇ及びＮ
ｉよりなる群から選ばれる少なくとも１種の原子であ
り、ａ，ｂ及びｃは、 ０．００＜ ａ ＜０．１０ ０．００＜ｂ＋ｃ＜０．５０ を満たす正数である。） この磁器組成物は１０００℃程度の温度で焼結可能であ
って、高い誘電率を示すものである。
る少なくとも１種の原子であり、ＭはＺｎ，Ｍｇ及びＮ
ｉよりなる群から選ばれる少なくとも１種の原子であ
り、ａ，ｂ及びｃは、 ０．００＜ ａ ＜０．１０ ０．００＜ｂ＋ｃ＜０．５０ を満たす正数である。） この磁器組成物は１０００℃程度の温度で焼結可能であ
って、高い誘電率を示すものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の磁
器組成物は、低温焼結が可能で、高誘電率であっても、
誘電損失が大きいか、或いは絶縁抵抗が小さいなどの問
題が依然として残されていた。
器組成物は、低温焼結が可能で、高誘電率であっても、
誘電損失が大きいか、或いは絶縁抵抗が小さいなどの問
題が依然として残されていた。
【０００８】本発明は、焼結温度が低く、誘電率が高
く、しかも、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が大きく、特
に、高温での誘電損失が小さく、絶縁抵抗が大きく、小
型大容量の積層コンデンサの誘電体材料に有効に利用可
能な誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
く、しかも、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が大きく、特
に、高温での誘電損失が小さく、絶縁抵抗が大きく、小
型大容量の積層コンデンサの誘電体材料に有効に利用可
能な誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段及び作用】請求項１の誘電
体磁器組成物は、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 ，Ｐｂ
（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 及びＰｂ（Ｍ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ
3 を含み、下記一般式（Ｉ）で表わされる組成となるよ
うに、Ｐｂ原子のうちの一部を、Ｃａ，Ｂａ及びＳｒよ
りなる群から選ばれる少なくとも１種の原子で置換した
組成を有する主成分と、副成分としてＢｉ2 Ｏ3 を前記
主成分１００重量部に対して０．２０〜０．７０重量部
含有することを特徴とする。
体磁器組成物は、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 ，Ｐｂ
（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 及びＰｂ（Ｍ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ
3 を含み、下記一般式（Ｉ）で表わされる組成となるよ
うに、Ｐｂ原子のうちの一部を、Ｃａ，Ｂａ及びＳｒよ
りなる群から選ばれる少なくとも１種の原子で置換した
組成を有する主成分と、副成分としてＢｉ2 Ｏ3 を前記
主成分１００重量部に対して０．２０〜０．７０重量部
含有することを特徴とする。
【００１０】 (Pb1-aRa)[(Fe1/2Nb1/2)1-b-c(Zn1/3Nb2/3)b(M1/2W1/2)c]O3 …（Ｉ） （式中、ＲはＣａ，Ｂａ及びＳｒよりなる群から選ばれ
る少なくとも１種の原子であり、ＭはＺｎ，Ｍｇ及びＮ
ｉよりなる群から選ばれる少なくとも１種の原子であ
り、ａ，ｂ及びｃは、 ０．００＜ ａ ＜０．１０ ０．００＜ｂ＋ｃ＜０．５０ を満たす正数である。） 請求項２の誘電体磁器組成物は請求項１の誘電体磁器組
成物において、前記一般式（Ｉ）中のｂ及びｃが、 ０．００＜ ｂ ≦０．２０ ０．００＜ ｃ ≦０．２０ を満たす正数であることを特徴とする。
る少なくとも１種の原子であり、ＭはＺｎ，Ｍｇ及びＮ
ｉよりなる群から選ばれる少なくとも１種の原子であ
り、ａ，ｂ及びｃは、 ０．００＜ ａ ＜０．１０ ０．００＜ｂ＋ｃ＜０．５０ を満たす正数である。） 請求項２の誘電体磁器組成物は請求項１の誘電体磁器組
成物において、前記一般式（Ｉ）中のｂ及びｃが、 ０．００＜ ｂ ≦０．２０ ０．００＜ ｃ ≦０．２０ を満たす正数であることを特徴とする。
【００１１】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１２】本発明の誘電体磁器組成物は、前記一般式
（Ｉ）で表される主成分と、この主成分に所定の割合で
添加されるＢｉ2 Ｏ3 の副成分とにより構成される。
（Ｉ）で表される主成分と、この主成分に所定の割合で
添加されるＢｉ2 Ｏ3 の副成分とにより構成される。
【００１３】本発明の誘電体磁器組成物の組成域の限定
理由について説明する。
理由について説明する。
【００１４】前記一般式（Ｉ）中、ａが０．００である
と誘電率の温度変化が急激になり、ａが０．１０以上で
あると誘電率のピークが著しく低温側に移行するため誘
電率が小さくなる。このため、ａの範囲は０．００＜ａ
＜０．１０とする。
と誘電率の温度変化が急激になり、ａが０．１０以上で
あると誘電率のピークが著しく低温側に移行するため誘
電率が小さくなる。このため、ａの範囲は０．００＜ａ
＜０．１０とする。
【００１５】また、前記一般式（Ｉ）中、ｂ≧０．５０
を満たす領域においては、通常の固相反応ではペロブス
カイト構造にならないＰｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 が
主組成となり、誘電率が低下する。また、ｃ≧０．５０
を満たす領域においては、反強誘電体であるＰｂ（Ｍ
1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 （但し、Ｍは前記の通り）が主組成と
なり、誘電率が低下する。更に、ｂ＋ｃ≧０．５０かつ
ｂ＜０．５０、ｃ＜０．５を満たす領域においては、前
述の二つの要因が共存するため、やはり誘電率が低下す
る。このため、ｂ＋ｃ＜０．５０でなければならない。
また、ｂ＋ｃ＝０のときは、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）
Ｏ3 のＰｂをＲ（Ｒは前記の通り）で置換した組成とな
り、良好な電気特性が得られない。このため、０．００
＜ｂ＋ｃとする。
を満たす領域においては、通常の固相反応ではペロブス
カイト構造にならないＰｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 が
主組成となり、誘電率が低下する。また、ｃ≧０．５０
を満たす領域においては、反強誘電体であるＰｂ（Ｍ
1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 （但し、Ｍは前記の通り）が主組成と
なり、誘電率が低下する。更に、ｂ＋ｃ≧０．５０かつ
ｂ＜０．５０、ｃ＜０．５を満たす領域においては、前
述の二つの要因が共存するため、やはり誘電率が低下す
る。このため、ｂ＋ｃ＜０．５０でなければならない。
また、ｂ＋ｃ＝０のときは、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）
Ｏ3 のＰｂをＲ（Ｒは前記の通り）で置換した組成とな
り、良好な電気特性が得られない。このため、０．００
＜ｂ＋ｃとする。
【００１６】本発明においては、特に ０．００＜ ｂ ≦０．２０ ０．００＜ ｃ ≦０．２０ であることが好ましい。
【００１７】上記のごとく限定された組成の主成分に対
して、副成分としてＢｉ2 Ｏ3 を添加した場合、その添
加量が多すぎると、電気特性の劣化を招く。従って、Ｂ
ｉ2Ｏ3 の添加量は、前記一般式（Ｉ）で示される主成
分１００重量部に対して、０．２０〜０．７０重量部と
する。
して、副成分としてＢｉ2 Ｏ3 を添加した場合、その添
加量が多すぎると、電気特性の劣化を招く。従って、Ｂ
ｉ2Ｏ3 の添加量は、前記一般式（Ｉ）で示される主成
分１００重量部に対して、０．２０〜０．７０重量部と
する。
【００１８】このような本発明の誘電体磁器組成物を製
造するには、例えば、一酸化鉛、炭酸カルシウム、炭酸
バリウム、炭酸ストロンチウム、酸化第二鉄、五酸化ニ
オブ、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸ニッケル、三
酸化タングステン、酸化ビスマス等の粉末を所定の割合
となるよう秤量し、湿式ボールミル等を用いて十分に混
合する。ここで所定の割合とは後述する焼成により上記
混合粉末が本発明で限定される主成分組成の固溶体とな
る割合である。
造するには、例えば、一酸化鉛、炭酸カルシウム、炭酸
バリウム、炭酸ストロンチウム、酸化第二鉄、五酸化ニ
オブ、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸ニッケル、三
酸化タングステン、酸化ビスマス等の粉末を所定の割合
となるよう秤量し、湿式ボールミル等を用いて十分に混
合する。ここで所定の割合とは後述する焼成により上記
混合粉末が本発明で限定される主成分組成の固溶体とな
る割合である。
【００１９】次いで、この混合物を脱水し乾燥した後、
６００〜８００℃程度の温度範囲で数時間程度仮焼す
る。この仮焼は必ずしも行なう必要はないが、これを行
なうことにより粒子がより均一化され、諸電気特性が向
上する傾向がある。仮焼を行なった場合には、仮焼物を
再度湿式ボールミル等により粉砕し、乾燥後、ポリビニ
ルアルコール等の適当なバインダを加えて、顆粒を作
り、これを所定の形状にプレス成形した後、焼成を行な
う。この焼成は、８５０〜１０００℃の温度範囲で０．
５〜数時間程度行なう。
６００〜８００℃程度の温度範囲で数時間程度仮焼す
る。この仮焼は必ずしも行なう必要はないが、これを行
なうことにより粒子がより均一化され、諸電気特性が向
上する傾向がある。仮焼を行なった場合には、仮焼物を
再度湿式ボールミル等により粉砕し、乾燥後、ポリビニ
ルアルコール等の適当なバインダを加えて、顆粒を作
り、これを所定の形状にプレス成形した後、焼成を行な
う。この焼成は、８５０〜１０００℃の温度範囲で０．
５〜数時間程度行なう。
【００２０】なお、上記製造条件は最も好適な値であっ
て、本発明の磁器組成物は上記以外の条件もしくは方法
によって製造されても良い。
て、本発明の磁器組成物は上記以外の条件もしくは方法
によって製造されても良い。
【００２１】
【実施例】以下に本発明を実施例を挙げて更に具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
【００２２】実施例１ 出発原料としてＰｂＯ，ＣａＣＯ3 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｎｂ
2 Ｏ5 ，ＺｎＯ，ＮｉＯ，ＷＯ3 及びＢｉ2 Ｏ3 を使用
し、これらを前記一般式（Ｉ）において、ａ＝０．０
４，ｂ＝０．０５，ｃ＝０．０４，Ｒ＝Ｃａ，Ｍ＝Ｎｉ
の配合比となるように秤量し、ボールミル中で純水と共
に約２０時間湿式混合した。Ｂｉ2 Ｏ3 については表１
に示すように、前記一般式（Ｉ）で表される主成分１０
０重量部に対して０．００〜１．００重量部添加した。
次いでこの混合物を脱水し乾燥した後、７００〜７５０
℃で２時間保持して仮焼した。この仮焼物を再びボール
ミル中で純水と共に約２０時間湿式粉砕した後、脱水し
乾燥した。
2 Ｏ5 ，ＺｎＯ，ＮｉＯ，ＷＯ3 及びＢｉ2 Ｏ3 を使用
し、これらを前記一般式（Ｉ）において、ａ＝０．０
４，ｂ＝０．０５，ｃ＝０．０４，Ｒ＝Ｃａ，Ｍ＝Ｎｉ
の配合比となるように秤量し、ボールミル中で純水と共
に約２０時間湿式混合した。Ｂｉ2 Ｏ3 については表１
に示すように、前記一般式（Ｉ）で表される主成分１０
０重量部に対して０．００〜１．００重量部添加した。
次いでこの混合物を脱水し乾燥した後、７００〜７５０
℃で２時間保持して仮焼した。この仮焼物を再びボール
ミル中で純水と共に約２０時間湿式粉砕した後、脱水し
乾燥した。
【００２３】得られた粉末にバインダとしてポリビニル
ブチラールエタノール溶液を加え、成形圧力約３ｔ／ｃ
ｍ2 で、直径約１５ｍｍ、厚さ約０．７ｍｍの円板に加
圧成形した。表１の試料Ｎｏ．１〜７の配合比に基づく
７種類の成形物を約６００℃で１時間保持してバインダ
を除いた後、マグネシア磁器容器に入れて、表１に示す
温度で２時間焼成した。
ブチラールエタノール溶液を加え、成形圧力約３ｔ／ｃ
ｍ2 で、直径約１５ｍｍ、厚さ約０．７ｍｍの円板に加
圧成形した。表１の試料Ｎｏ．１〜７の配合比に基づく
７種類の成形物を約６００℃で１時間保持してバインダ
を除いた後、マグネシア磁器容器に入れて、表１に示す
温度で２時間焼成した。
【００２４】得られた焼結体の両面に、銀電極を６５０
〜７５０℃で焼き付けて平行平板コンデンサとし、その
電気特性を調べた。結果を表１及び図１，２に示す。
〜７５０℃で焼き付けて平行平板コンデンサとし、その
電気特性を調べた。結果を表１及び図１，２に示す。
【００２５】なお、誘電率及び誘電損失はＹＨＰデジタ
ルＬＣＲメータモデル４２７４Ａを用い、測定周波数１
ｋＨｚ、測定電圧１．０Ｖｒｍｓ、温度２５℃にて測定
した。また、絶縁抵抗はＹＨＰアナログＩＲメータ４３
２９Ａを使用し、温度２５℃で印加電圧１００Ｖにて１
分後の値を測定した。また、１２５℃での電気特性は、
試料を恒温シリコンオイルバス中に１０分間保持した
後、そのままの状態で、上記測定装置を用いて測定し
た。
ルＬＣＲメータモデル４２７４Ａを用い、測定周波数１
ｋＨｚ、測定電圧１．０Ｖｒｍｓ、温度２５℃にて測定
した。また、絶縁抵抗はＹＨＰアナログＩＲメータ４３
２９Ａを使用し、温度２５℃で印加電圧１００Ｖにて１
分後の値を測定した。また、１２５℃での電気特性は、
試料を恒温シリコンオイルバス中に１０分間保持した
後、そのままの状態で、上記測定装置を用いて測定し
た。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１より明らかなように、副成分のＢｉ2
Ｏ3 が添加されている本発明の実施例の誘電体磁器組成
物（試料Ｎｏ．３〜６）はいずれも副成分が添加されて
いない比較例の誘電体磁器組成物（試料Ｎｏ．１，２）
に比較して、高温での誘電損失及び絶縁抵抗の特性が優
れていることが判る。また、副成分の添加量が０．７０
重量部を超えた比較例の誘電体磁器組成物（試料Ｎｏ．
７）では誘電損失及び絶縁抵抗は比較的良好であるもの
の、誘電率が低下し、副成分が添加されていない比較例
の誘電体磁器組成物（試料Ｎｏ．１，２）に比較して特
性の優位性が見られないことが判る。
Ｏ3 が添加されている本発明の実施例の誘電体磁器組成
物（試料Ｎｏ．３〜６）はいずれも副成分が添加されて
いない比較例の誘電体磁器組成物（試料Ｎｏ．１，２）
に比較して、高温での誘電損失及び絶縁抵抗の特性が優
れていることが判る。また、副成分の添加量が０．７０
重量部を超えた比較例の誘電体磁器組成物（試料Ｎｏ．
７）では誘電損失及び絶縁抵抗は比較的良好であるもの
の、誘電率が低下し、副成分が添加されていない比較例
の誘電体磁器組成物（試料Ｎｏ．１，２）に比較して特
性の優位性が見られないことが判る。
【００２８】また、図１は試料Ｎｏ．５（実施例）、図
２は試料Ｎｏ．１（比較例）の誘電損失の温度特性をそ
れぞれ示す。
２は試料Ｎｏ．１（比較例）の誘電損失の温度特性をそ
れぞれ示す。
【００２９】図１及び図２より明らかなように、副成分
Ｂｉ2 Ｏ3 が本発明範囲内の量で添加されている実施例
の磁器組成物試料Ｎｏ．５は、副成分が添加されていな
い比較例の磁器組成物試料Ｎｏ．１に比べて、誘電損失
の温度変化が小さい。
Ｂｉ2 Ｏ3 が本発明範囲内の量で添加されている実施例
の磁器組成物試料Ｎｏ．５は、副成分が添加されていな
い比較例の磁器組成物試料Ｎｏ．１に比べて、誘電損失
の温度変化が小さい。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の誘電体磁器
組成物は、９５０℃程度の比較的低温で焼結可能であっ
て、しかも、誘電率が高く誘電損失が低く、絶縁抵抗が
大きく、かつ誘電損失の温度変化が小さい。特に、高温
での誘電損失が小さく絶縁抵抗が大きい。このため、こ
のような本発明の誘電体磁器組成物を積層セラミックコ
ンデンサの誘電体材料として用いることにより、小型で
大容量のコンデンサを得ることができる。
組成物は、９５０℃程度の比較的低温で焼結可能であっ
て、しかも、誘電率が高く誘電損失が低く、絶縁抵抗が
大きく、かつ誘電損失の温度変化が小さい。特に、高温
での誘電損失が小さく絶縁抵抗が大きい。このため、こ
のような本発明の誘電体磁器組成物を積層セラミックコ
ンデンサの誘電体材料として用いることにより、小型で
大容量のコンデンサを得ることができる。
【００３１】また、本発明の誘電体磁器組成物は、低い
温度で焼結可能であるため、焼成コストが小さく、しか
も、積層セラミックコンデンサの材料に用いた場合、内
部電極に高価なパラジウムや白金などの貴金属を使用す
ることなく、比較的安価な銀系等の金属を使用すること
ができる。これにより、積層コンデンサの製造コストを
大幅に低減することができる。
温度で焼結可能であるため、焼成コストが小さく、しか
も、積層セラミックコンデンサの材料に用いた場合、内
部電極に高価なパラジウムや白金などの貴金属を使用す
ることなく、比較的安価な銀系等の金属を使用すること
ができる。これにより、積層コンデンサの製造コストを
大幅に低減することができる。
【００３２】特に、請求項２の誘電体磁器組成物によれ
ば、より一層優れた特性を有する誘電体磁器組成物が提
供される。
ば、より一層優れた特性を有する誘電体磁器組成物が提
供される。
【図１】本発明の実施例に係る誘電体磁器組成物試料Ｎ
ｏ．５の誘電損失の温度特性を示す図である。
ｏ．５の誘電損失の温度特性を示す図である。
【図２】比較例に係る誘電体磁器組成物試料Ｎｏ．１の
誘電損失の温度特性を示す図である。
誘電損失の温度特性を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 ，Ｐｂ
（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 及びＰｂ（Ｍ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ
3 を含み、下記一般式（Ｉ）で表わされる組成となるよ
うに、Ｐｂ原子のうちの一部を、Ｃａ，Ｂａ及びＳｒよ
りなる群から選ばれる少なくとも１種の原子で置換した
組成を有する主成分と、副成分としてＢｉ2 Ｏ3 を前記
主成分１００重量部に対して０．２０〜０．７０重量部
含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 (Pb1-aRa)[(Fe1/2Nb1/2)1-b-c(Zn1/3Nb2/3)b(M1/2W1/2)c]O3 …（Ｉ） （式中、ＲはＣａ，Ｂａ及びＳｒよりなる群から選ばれ
る少なくとも１種の原子であり、ＭはＺｎ，Ｍｇ及びＮ
ｉよりなる群から選ばれる少なくとも１種の原子であ
り、ａ，ｂ及びｃは、 ０．００＜ ａ ＜０．１０ ０．００＜ｂ＋ｃ＜０．５０ を満たす正数である。） - 【請求項２】 前記一般式（Ｉ）中のｂ及びｃが、 ０．００＜ ｂ ≦０．２０ ０．００＜ ｃ ≦０．２０ を満たす正数であることを特徴とする請求項１に記載の
誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7062590A JPH08259324A (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7062590A JPH08259324A (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08259324A true JPH08259324A (ja) | 1996-10-08 |
Family
ID=13204699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7062590A Withdrawn JPH08259324A (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08259324A (ja) |
-
1995
- 1995-03-22 JP JP7062590A patent/JPH08259324A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020604 |