JPH08264749A - 凹部を含んだ基体上に導電通路を形成する方法 - Google Patents

凹部を含んだ基体上に導電通路を形成する方法

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JPH08264749A JP7336808A JP33680895A JPH08264749A JP H08264749 A JPH08264749 A JP H08264749A JP 7336808 A JP7336808 A JP 7336808A JP 33680895 A JP33680895 A JP 33680895A JP H08264749 A JPH08264749 A JP H08264749A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、基体の凹部の端部から非常に短い
距離で導電通路および接触バンプを正確に形成する方法
を提供することを目的とする。 【解決手段】 基体１の凹部５はプラスティックシート
７による被覆或いはフォトレジストの充填によって一時
的に閉じられて平坦な表面とされ、その平坦な表面を利
用して導電通路４や接触バンプがフォトリソグラフ処理
により形成されることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基体に形成された凹
部の端部から非常に短い距離で導電通路および／または
高導電材料の接触バンプを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光・電子ハイブリッド回路のような電子
回路では、電子接触部を備えた光・電子部品がシリコン
基体上に配置され、そこに光導波体が結合される。光導
波体はＶ溝に配置されている。半導体レーザまたはダイ
オードのような光・電子部品が光・電子接続リンクを構
成するので、例えばフリップチップ技術により接続され
ているこれらに導かれる電線および／または接触部はＶ
溝の端部から非常に短距離に位置されなければならな
い。この距離は例えば５０μｍ程度であり、Ｖ溝の深さ
は７００μｍ程度である。基体の凹部は基体表面の凹凸
のために導電通路および／または接触バンプの形成をよ
り困難にする。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】それ故、本発明の基礎
となる技術的問題は、導電通路および／または接触バン
プが大きさと距離に関して必要な品質で形成されること
ができる方法を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、凹部が一時的
に閉じられ、導電通路および／または接触バンプがそれ
に続いてフォトリソグラフ処理により形成されることに
よってこの技術的問題を解決する。
【０００５】例えば、光導波体を受けるＶ溝等の凹部は
導電通路および／または接触バンプの形成期間中に閉じ
られるならば、即ち基体の凹凸が平坦化されるならば、
既知のフォトリソグラフ処理を用いて必要な品質でこれ
らを形成することが可能である。本発明の効果的な構成
の詳細は請求項２乃至８に記載されている。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図１乃至３を参照
してより詳細に説明する。図１に示されるように、基体
１は半導体レーザ２または異なった光・電子部品を支持
しており、それにはＶ溝に位置された光導波体３が結合
されている。半導体レーザ２との電気接触は導電通路４
により行われる。導電通路４の端部には高導電材料から
作られている接触バンプ（図示せず）が設けられてお
り、これは半導体レーザ２の対応する接触部との導電接
触を行う。
【０００７】図２のＡは、導電通路または接触バンプの
形成が開始される前のＶ溝５領域の基体１の断面を示し
ている。基体１の表面は例えば金よりな１μｍの薄い金
属層６により被覆される。
【０００８】図２のＢは、接着性被覆を有するフィルム
７が基体１の表面に積層された後の図２のＡと同一の断
面図を示している。フィルム７はＰＴＦＥ、ポリイミド
または類似の特性を有するその他の材料から作られるこ
とができ、２５乃至２００μｍの厚さを有する。その強
度のために、これはＶ溝または他の凹部を覆って延在す
る。
【０００９】図２のＣは金属層６まで到達する開口８が
フィルム７の１領域で形成された後の基体１を示してお
り、この開口８を通って金属層との接触が設けられる。
この開口８は例えば対応して構成されたリソグラフマス
クを使用して反応イオンエッチング（ＲＩＥエッチン
グ）により形成されることができる。
【００１０】図３のＡは開口８が金属柱９により充填さ
れた後の基体１を示している。適切な金属は銅またはニ
ッケルであり、これは例えば電流を通さずに付着される
ことができる。金属柱９は通電金属付着によって生成さ
れることもでき、これはフィルムがＰＴＦＥで作られる
ならば困難ではなく、電流を供給するための閉じた金属
層はフィルムの下に配置される。
【００１１】図３のＢは導電通路４がフィルム表面に形
成された後の基体１を示している。これらの導電通路４
は減法または半加法技術による既知の方法でフォトリソ
グラフ法によって形成されることができ、これにより金
属層６との接触はまた金属柱９を通って設けられること
ができる。接触バンプのような他の構造は薄膜多重層技
術に従って連続段階により形成されることができる。
【００１２】図３のＣはフィルム７がエッチングにタイ
する保護膜として機能する導電通路４により被覆されな
い領域で除去された後の基体１を示している。エッチン
グはＲＩＥエッチングによって行われる。導電通路４は
部分的に空気またはそれと同様の低い誘電定数を有する
フィルム７により包囲されるので良好な高周波数特性を
示している。
【００１３】図３のＤはＶ溝５が開口され、光導波体３
がそこに配置された後の基体１のほぼ最終段階を示して
いる。例えば半導体レーザ等の部品は導電通路４により
接触されることができる。例えば図４のＣ乃至Ｅに示さ
れた方法で形成されることができるような接触バンプ
（図示せず）はこの目的の役目をすることができる。
【００１４】必要ならば、処理のこの段階で以前として
基体を完全に被覆した金属層６はまたさらにリソグラフ
処理により構成されることができるが、構造は凹部周辺
ではそれ程正確ではない。金属層６の正確な構造が必要
とされるならば、プラスティックフィルムが所望のパタ
ーンで（例えばレーザ加工によって）構成され、エッチ
ングマスクとして使用されることができる。可能なプラ
スティックフィルム残留物はそれに続くＲＩＥにより除
去される。
【００１５】図４のＡ乃至Ｆは、導電通路および／また
は接触バンプを形成する方法の別の構造における異なっ
た連続段階における基体１を示している。
【００１６】図４のＡは図２のＡに関係して既に説明し
たように、基体１の表面上に配置されたＶ溝および金属
層を有する基体１を示している。図２のＢと対照的に、
図４のＡで示されているように、基体１の表面はフォト
レジストの層10で被覆され、これはローラー、シルクス
クリーンまたは類似の方法により与えられる。
【００１７】図４のＢは、フォトレジストの層10が露光
され、現像された後の図４のＡに応じた基体１を示して
おり、フォトレジスト層の露出され現像された部分は除
去されている。この処理段階はＶ溝のフォトレジストが
露光、現像されず除去されないように行われる。
【００１８】図４のＣは新しいフォトレジスト層11が被
覆された後の基体１を示している。図４のＤで示されて
いるように基体１のフォトレジスト層11はマスクを通し
て露光され、フォトレジスト層11の露出部は現像され除
去される。結果としてフォトレジスト層11に穴12が生成
され、これは下方に金属層６まで延在する。
【００１９】図４のＥは金属層13が穴12に付着された後
の基体１を示している。図４のＦで示されている基体１
上のフォトレジスト層11と金属層６の一部は差別的なエ
ッチングにより除去される。
【００２０】しかしながら、別の既知のフォトリソグラ
フ方法、即ち図４のＢにしたがって基体１から始めて導
電通路および／または接触バンプが形成されることも可
能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体レーザが光導波体に結合される基体の平
面図。
【図２】本発明の１実施例の導電通路の異なった構成段
階における基体の断面図。
【図３】本発明の１実施例の導電通路の異なった構成段
階における基体の断面図。
【図４】本発明の別の実施例の導電通路の異なった構成
段階における基体の断面図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 バルター・ヨルグ ドイツ連邦共和国、70439 シュツットガ ルト、ビキンゲルベーク 25 (72)発明者 ヨハン・シュプリンゲル ドイツ連邦共和国、73773 アーイヒバル ト、リンデンシュトラーセ 47

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基体の凹部の端部から非常に短い距離で
    高導電材料の導電通路および接触バンプの少なくとも１
    つを形成する方法において、 前記凹部は一時的に閉じられ、導電通路と接触バンプは
    フォトリソグラフ処理により形成されることを特徴とす
    る形成方法。
  2. 【請求項２】 凹部はフォトレジストで充填されること
    を特徴とする請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 凹部はプラスティックシートで被覆され
    ることを特徴とする請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】 マイクロストリップ形状の無線周波数ラ
    インが導電通路およびプラスティックシートから形成さ
    れることを特徴とする請求項１および３記載の方法。
  5. 【請求項５】 導電通路の形成後に、接触バンプが導電
    通路上に形成されることを特徴とする請求項１および３
    記載の方法。
  6. 【請求項６】 プラスティックシートがポリイミドで作
    られていることを特徴とする請求項１および３乃至５の
    いずれか１項記載の方法。
  7. 【請求項７】 プラスティックシートがフッ素樹脂から
    作られていることを特徴とする請求項１および３乃至５
    のいずれか１項記載の方法。
  8. 【請求項８】 プラスティックシートは金属層をパター
    ン化するマスクとして使用されることを特徴とする請求
    項１および３乃至７のいずれか１項記載の方法。
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