JPH082655Y2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH082655Y2 JPH082655Y2 JP1986144426U JP14442686U JPH082655Y2 JP H082655 Y2 JPH082655 Y2 JP H082655Y2 JP 1986144426 U JP1986144426 U JP 1986144426U JP 14442686 U JP14442686 U JP 14442686U JP H082655 Y2 JPH082655 Y2 JP H082655Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- auxiliary capacitance
- electrode
- crystal display
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本考案は薄膜トランジスタ（TFT）をアクテイブマト
リクス型のスイツチング素子として用いた液晶表示装置
に関するものである。
リクス型のスイツチング素子として用いた液晶表示装置
に関するものである。
（ロ）従来の技術 アクテイブマトリクス型の液晶表示装置は、日経エレ
クトロニクス1984年１月２日号の記事「文書と画像表示
をねらうフラツト・パネル・デイスプレイ」に開示され
ており、特に表示部に補助容量を持つものは特公昭61−
7789号に示されている。従来の補助容量を持つアクテイ
ブマトリクス型の液晶表示装置は第２図に示す如く複数
本のゲートライン（５）とそれらと直交する複数本のド
レインライン（４）及びそれらの交点にTFTを形成し表
示電極を結合したもので、特に補助容量として補助容量
電極（９）と表示電極（８）とが絶縁膜を介して形成さ
れている。そして、この基板に対向電極が相対しその間
に液晶を挟持する形をとる。補助容量電極（９）と表示
電極（８）の作る補助容量は、TFTのOFF時の電流などに
よるリークによって表示電極（８）と対向電極間に蓄え
られた電荷が逃げて液晶にかかる電圧が低下するのを防
ぐものとして作られている。従来の技術では、この補助
容量を全画素の表示電極（８）夫々について均等に形成
していた。
クトロニクス1984年１月２日号の記事「文書と画像表示
をねらうフラツト・パネル・デイスプレイ」に開示され
ており、特に表示部に補助容量を持つものは特公昭61−
7789号に示されている。従来の補助容量を持つアクテイ
ブマトリクス型の液晶表示装置は第２図に示す如く複数
本のゲートライン（５）とそれらと直交する複数本のド
レインライン（４）及びそれらの交点にTFTを形成し表
示電極を結合したもので、特に補助容量として補助容量
電極（９）と表示電極（８）とが絶縁膜を介して形成さ
れている。そして、この基板に対向電極が相対しその間
に液晶を挟持する形をとる。補助容量電極（９）と表示
電極（８）の作る補助容量は、TFTのOFF時の電流などに
よるリークによって表示電極（８）と対向電極間に蓄え
られた電荷が逃げて液晶にかかる電圧が低下するのを防
ぐものとして作られている。従来の技術では、この補助
容量を全画素の表示電極（８）夫々について均等に形成
していた。
（ハ）考案が解決しようとする問題点 しかしながら上述の如き補助容量を全画素に等しく付
けることは、製造上表示電極（８）と補助容量電極
（９）の重なり部においてゴミの付着等に起因する短絡
事故の確率を増やすことになり、製造歩留の大巾な低下
を招く惧れがあった。
けることは、製造上表示電極（８）と補助容量電極
（９）の重なり部においてゴミの付着等に起因する短絡
事故の確率を増やすことになり、製造歩留の大巾な低下
を招く惧れがあった。
（ニ）問題点を解決するための手段 本考案の液晶表示装置は、上述の補助容量を各画素全
てに対して付けるのではなく、ゲート信号（走査信号）
の走査方向に対して後半部分のみこの補助容量を付けた
ものである。
てに対して付けるのではなく、ゲート信号（走査信号）
の走査方向に対して後半部分のみこの補助容量を付けた
ものである。
（ホ）作用 本考案の液晶表示装置の構造によれば、表示電極と対
向電極の作る容量に蓄えられた電荷がTFTからリークし
やすく、液晶表示として、暗くなりやすい部分のみ補助
容量を付ける事によって、電荷の放電が補充され、表示
電極と補助容量電極との短絡事故の確率が減少する。
向電極の作る容量に蓄えられた電荷がTFTからリークし
やすく、液晶表示として、暗くなりやすい部分のみ補助
容量を付ける事によって、電荷の放電が補充され、表示
電極と補助容量電極との短絡事故の確率が減少する。
ここで本考案で付設される補助容量電極の大きさは次
のような考えに基づいて計算される。
のような考えに基づいて計算される。
通常の表示電極の保持電圧をＶ、複数の画像信号によ
り発生するリーク電圧をΞ、液晶の容量をCL、補助容量
をＣとすると、画質低下を起こさない条件は以下の式で
表現される。
り発生するリーク電圧をΞ、液晶の容量をCL、補助容量
をＣとすると、画質低下を起こさない条件は以下の式で
表現される。
CL・Ｖ＝（CL＋Ｃ）・（Ｖ−Ξ） よって、補助容量ＣはΞ・CL/（Ｖ−Ξ）に設定すれ
ば良いことがわかる。
ば良いことがわかる。
尚、リーク電圧Ξは薄膜トランジスタ、駆動方式、行
数により変動する。
数により変動する。
（ヘ）実施例 第１図に本考案の液晶表示装置の一実施例の回路図を
示す。同図に於いて、Ｎ本のゲートライン（５）（５）
…とＭ本のドレインライン（４）（４）…との各交点
（Ｎ×Ｍ個）に形作られる画素はTFT（Ｔ）と液晶容量
（CL）とを備えている。
示す。同図に於いて、Ｎ本のゲートライン（５）（５）
…とＭ本のドレインライン（４）（４）…との各交点
（Ｎ×Ｍ個）に形作られる画素はTFT（Ｔ）と液晶容量
（CL）とを備えている。
而して、本考案装置が従来装置と異なる所は、企画素
を同一構成とするのではなく、ｎ番目の走査ゲート信号
Gnが印加されるもの以降のゲート電極（５）′ラインに
対応した画素にTFT（Ｔ）と液晶容量（CL）の他に補助
容量（Ｃ）を付加した点にある。即ち、ｎ番目以降の走
査画素は第２図図示の画素と同じ構造の補助容量電極
（９）と表示電極（８）とで形成される補助容量（Ｃ）
が存在し、１番目〜ｎ−１番目の走査画素にはこのよう
な補助容量電極（９）を除外しているので補助容量
（Ｃ）が存在しないのである。
を同一構成とするのではなく、ｎ番目の走査ゲート信号
Gnが印加されるもの以降のゲート電極（５）′ラインに
対応した画素にTFT（Ｔ）と液晶容量（CL）の他に補助
容量（Ｃ）を付加した点にある。即ち、ｎ番目以降の走
査画素は第２図図示の画素と同じ構造の補助容量電極
（９）と表示電極（８）とで形成される補助容量（Ｃ）
が存在し、１番目〜ｎ−１番目の走査画素にはこのよう
な補助容量電極（９）を除外しているので補助容量
（Ｃ）が存在しないのである。
次に第３図の信号波形図に基づいて、動作説明を行な
う。Ｎ本の各ゲートライン（５）には夫々第３図に示す
如き、信号G1，G2，G3，…Gn,Gn＋1,…，GNが印加さ
れ、フレーム期間Ｆ中に各信号G1…にはONパルスＰが順
次現われる。例えば、第３番目のゲートライン（５）の
信号G3の場合、フレーム期間Ｆでドレインに印加される
画像信号VD（交流駆動）が負から正に反転した後期間T3
後にONパルスPuが現われるので、TFT（Ｔ）はONし、そ
れまで負に保持されていた表示電極の電位が正のVDの値
まで充電され、次のフレームのONパレスPdが現われるま
で、この値が保持される（図中の破線電圧VCL3）。この
場合、フレーム周期Ｆの内期間t3の間、TFTのソース側
の極性に対してドレイン側の極性が反転する事となるの
で、このT3の期間で表示電極（８）の充電荷がTFT
（Ｔ）をリークしてドレインライン（４）に放電しよう
とする力が働く。
う。Ｎ本の各ゲートライン（５）には夫々第３図に示す
如き、信号G1，G2，G3，…Gn,Gn＋1,…，GNが印加さ
れ、フレーム期間Ｆ中に各信号G1…にはONパルスＰが順
次現われる。例えば、第３番目のゲートライン（５）の
信号G3の場合、フレーム期間Ｆでドレインに印加される
画像信号VD（交流駆動）が負から正に反転した後期間T3
後にONパルスPuが現われるので、TFT（Ｔ）はONし、そ
れまで負に保持されていた表示電極の電位が正のVDの値
まで充電され、次のフレームのONパレスPdが現われるま
で、この値が保持される（図中の破線電圧VCL3）。この
場合、フレーム周期Ｆの内期間t3の間、TFTのソース側
の極性に対してドレイン側の極性が反転する事となるの
で、このT3の期間で表示電極（８）の充電荷がTFT
（Ｔ）をリークしてドレインライン（４）に放電しよう
とする力が働く。
斯様なTFT（Ｔ）のリーク現象を考えると、これは、
１からＮ番までのゲートライン（４）の番号が大きくな
るほど、即ちこの場合ゲートライン（４）の位置が下方
にあるほど、ゲート信号ＧのONパルスがフレーム周期Ｆ
中の時間的に後の方に存在するので、表示電極（８）と
ドレインライン（４）との電圧極性が反転している時間
が長くなる。従って、表示画面の下方に位置する画素の
TFT（Ｔ）ほど、リーク現象が大きくなる。しかしなが
ら実際上このリーク現象にて画質低下を来たすのは、上
述の極性反転期間ｔがフレーム周期Ｆの1/2〜2/3以上で
あるから、第ｎ番目（1/2Nｎ2/3N）以降の走査画素
には、前述の如く、補助容量（Ｃ）が付設されているの
で、たとえTFT（Ｔ）がリークして表示電極（８）の電
荷がドレインライン（４）に多少放電したとしても、こ
の表示電極（８）と補助容量電極（９）とからなる補助
容量（Ｃ）の分だけ、蓄積電荷量が多くなっているの
で、表示電極（８）と対向電極との間の電圧低下は小さ
い。
１からＮ番までのゲートライン（４）の番号が大きくな
るほど、即ちこの場合ゲートライン（４）の位置が下方
にあるほど、ゲート信号ＧのONパルスがフレーム周期Ｆ
中の時間的に後の方に存在するので、表示電極（８）と
ドレインライン（４）との電圧極性が反転している時間
が長くなる。従って、表示画面の下方に位置する画素の
TFT（Ｔ）ほど、リーク現象が大きくなる。しかしなが
ら実際上このリーク現象にて画質低下を来たすのは、上
述の極性反転期間ｔがフレーム周期Ｆの1/2〜2/3以上で
あるから、第ｎ番目（1/2Nｎ2/3N）以降の走査画素
には、前述の如く、補助容量（Ｃ）が付設されているの
で、たとえTFT（Ｔ）がリークして表示電極（８）の電
荷がドレインライン（４）に多少放電したとしても、こ
の表示電極（８）と補助容量電極（９）とからなる補助
容量（Ｃ）の分だけ、蓄積電荷量が多くなっているの
で、表示電極（８）と対向電極との間の電圧低下は小さ
い。
上述の説明では補助容量を付設する画素を画面の下部
1/2〜1/3としたが、これに限る事なく、TFTのリーク現
象によって画質低下を来たす範囲でその領域を設定する
のが望ましい。また補助容量値そのものを部分的に変化
させる事も可能である。
1/2〜1/3としたが、これに限る事なく、TFTのリーク現
象によって画質低下を来たす範囲でその領域を設定する
のが望ましい。また補助容量値そのものを部分的に変化
させる事も可能である。
（ト）考案の効果 本考案の液晶表示装置は、画面全部の画素に補助容量
を設けるのではなく、TFTのリークによる画質低下が生
じる部分にのみ補助容量が付設されるので、高品質の画
質を保ちながらも、製造上での補助容量電極と表示電極
との間での短絡事故の確率を抑制して製造歩留りの向上
が図れる。
を設けるのではなく、TFTのリークによる画質低下が生
じる部分にのみ補助容量が付設されるので、高品質の画
質を保ちながらも、製造上での補助容量電極と表示電極
との間での短絡事故の確率を抑制して製造歩留りの向上
が図れる。
第１図は本考案の液晶表示装置の一実施例回路図、第２
図は液晶表示装置の部分平面図、第３図は信号波形図で
ある。 （４）……ドレインライン、（５）……ゲートライン、
（６）……ソース、（７）……半導体、（８）……表示
電極、（９）……補助容量電極、Ｔ……TFT、Ｃ……補
助容量、CL……液晶容量、Ｇ……ゲート信号。
図は液晶表示装置の部分平面図、第３図は信号波形図で
ある。 （４）……ドレインライン、（５）……ゲートライン、
（６）……ソース、（７）……半導体、（８）……表示
電極、（９）……補助容量電極、Ｔ……TFT、Ｃ……補
助容量、CL……液晶容量、Ｇ……ゲート信号。
Claims (1)
- 【請求項１】複数本のゲートラインと複数本のドレイン
ラインとが交差し、その各交差点に薄膜トランジスタを
設け、該各薄膜トランジスタのソースに夫々表示電極を
形成してなる第１の基板と、全面に共通電極を形成して
なる第２の基板との間に液晶物質を挟持した構造のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置に於いて、表示電極と
ドレインラインとの電圧極性が異なる時間の長い、表示
電極からドレインラインへの薄膜トランジスタのリーク
現象の大きな薄膜トランジスタに限ってソースに補助容
量電極を付設した事を特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986144426U JPH082655Y2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986144426U JPH082655Y2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6349530U JPS6349530U (ja) | 1988-04-04 |
| JPH082655Y2 true JPH082655Y2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=31055017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986144426U Expired - Lifetime JPH082655Y2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH082655Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54108595A (en) * | 1978-02-13 | 1979-08-25 | Sharp Corp | Driving method of matrix type liquid-crystal display unit |
| JPS5919339A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-01-31 | Hitachi Ltd | 加熱装置付きフイ−ダ機構 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP1986144426U patent/JPH082655Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6349530U (ja) | 1988-04-04 |
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