JPH08279644A - パルスレーザ装置用放電回路 - Google Patents
パルスレーザ装置用放電回路Info
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- JPH08279644A JPH08279644A JP11892595A JP11892595A JPH08279644A JP H08279644 A JPH08279644 A JP H08279644A JP 11892595 A JP11892595 A JP 11892595A JP 11892595 A JP11892595 A JP 11892595A JP H08279644 A JPH08279644 A JP H08279644A
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Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気アシスト回路のリセットを簡単な回路に
より、リセットのための直流電源やタイミング回路を省
略することのできるパルスレーザ装置用放電回路を提供
すること。 【構成】 高圧電源1に接続され磁気アシスト回路13
を構成する可飽和リアクトル4を介して充電されるメイ
ンコンデンサ5と、メインコンデンサ5にサイラトロン
3及び可飽和リアクトル4を介して接続されメインコン
デンサ5の放電により充電されるピーキングコンデンサ
8が並列接続された放電ギャップ9とからなり、ピーキ
ングコンデンサ8の一部の放電電流をダイオード6を介
して取り出し、この取り出した電流により可飽和リアク
トル4をリセットするようにした構成。
より、リセットのための直流電源やタイミング回路を省
略することのできるパルスレーザ装置用放電回路を提供
すること。 【構成】 高圧電源1に接続され磁気アシスト回路13
を構成する可飽和リアクトル4を介して充電されるメイ
ンコンデンサ5と、メインコンデンサ5にサイラトロン
3及び可飽和リアクトル4を介して接続されメインコン
デンサ5の放電により充電されるピーキングコンデンサ
8が並列接続された放電ギャップ9とからなり、ピーキ
ングコンデンサ8の一部の放電電流をダイオード6を介
して取り出し、この取り出した電流により可飽和リアク
トル4をリセットするようにした構成。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、パルスレーザ装置用放
電回路に関するものであり、特に磁気アシスト回路の可
飽和リアクトルのリセットに関するものである。
電回路に関するものであり、特に磁気アシスト回路の可
飽和リアクトルのリセットに関するものである。
【0002】
【従来技術】従来、パルスレーザ装置用放電回路(以
下、「パルス放電回路」という。)は、図2に示すよう
に、高圧電源1と、この高圧電源1のプラス側に保護抵
抗2を介して接続された可飽和リアクトル4と、可飽和
リアクトル4と直列に接続されたメインコンデンサ5
と、メインコンデンサ5に並列に接続し、その他端を高
圧電源1のマイナス側に接続した充電用リアクトル7
と、ピーキングコンデンサ8及び一対の主放電電極10
a、10bからなるレーザを発生させるための放電ギャ
ップ9と、保護抵抗2と可飽和リアクトル4との間から
高圧電源1のマイナス側に接続されている高速スイッチ
ング素子であるサイラトロン3が接続されている。
下、「パルス放電回路」という。)は、図2に示すよう
に、高圧電源1と、この高圧電源1のプラス側に保護抵
抗2を介して接続された可飽和リアクトル4と、可飽和
リアクトル4と直列に接続されたメインコンデンサ5
と、メインコンデンサ5に並列に接続し、その他端を高
圧電源1のマイナス側に接続した充電用リアクトル7
と、ピーキングコンデンサ8及び一対の主放電電極10
a、10bからなるレーザを発生させるための放電ギャ
ップ9と、保護抵抗2と可飽和リアクトル4との間から
高圧電源1のマイナス側に接続されている高速スイッチ
ング素子であるサイラトロン3が接続されている。
【0003】このような接続状態からなるパルス放電回
路の動作は、先ずサイラトロン3がオンしていない時
は、高圧電源1のプラス側から保護抵抗2、可飽和リア
クトル4、メインコンデンサ5、充電用リアクトル7、
高圧電源1のマイナス側との閉ループが形成され、メイ
ンコンデンサ5が充電される。
路の動作は、先ずサイラトロン3がオンしていない時
は、高圧電源1のプラス側から保護抵抗2、可飽和リア
クトル4、メインコンデンサ5、充電用リアクトル7、
高圧電源1のマイナス側との閉ループが形成され、メイ
ンコンデンサ5が充電される。
【0004】メインコンデンサ5が充電された後に、サ
イラトロン3のグリッドに電圧を印加してオンさせる
と、メインコンデンサ5に蓄えられている電荷を導通状
態のサイラトロン3を介してピーキングコンデンサの方
向に電流I1が流れ、メインコンデンサ5に蓄えられて
いる電荷がピーキングコンデンサ8に移行する。
イラトロン3のグリッドに電圧を印加してオンさせる
と、メインコンデンサ5に蓄えられている電荷を導通状
態のサイラトロン3を介してピーキングコンデンサの方
向に電流I1が流れ、メインコンデンサ5に蓄えられて
いる電荷がピーキングコンデンサ8に移行する。
【0005】この時、サイラトロン3の保護やパワー損
失の低減の目的でサイラトロン3が導電状態に落ち着く
まで可飽和リアクトル4により電流の流れを遅らせてい
る。これは、磁気アシスト回路と呼ばれる周知技術の回
路動作であり、可飽和リアクトル4に電流が流れてか
ら、ある時間経過後に可飽和リアクトル4が飽和し、こ
れによりインダクタンスが急激に下がってサイラトロン
3に大電流を流すという可飽和リアクトル4の作用を利
用する回路構成となっている。
失の低減の目的でサイラトロン3が導電状態に落ち着く
まで可飽和リアクトル4により電流の流れを遅らせてい
る。これは、磁気アシスト回路と呼ばれる周知技術の回
路動作であり、可飽和リアクトル4に電流が流れてか
ら、ある時間経過後に可飽和リアクトル4が飽和し、こ
れによりインダクタンスが急激に下がってサイラトロン
3に大電流を流すという可飽和リアクトル4の作用を利
用する回路構成となっている。
【0006】磁気アシスト回路を構成する可飽和リアク
トル4のヒステリシス曲線は、図3に示すように、初期
の動作点a点から少しずつ電流が流れるとb点に達し、
インダクタンスの急激な低下により大電流が流れる。そ
の後電流は何度かヒステリシス曲線をたどりながら次第
に減少してゼロになる。この時、可飽和リアクトル4の
残留磁束はヒステリシス曲線内のH=0の何れかの点上
にある。
トル4のヒステリシス曲線は、図3に示すように、初期
の動作点a点から少しずつ電流が流れるとb点に達し、
インダクタンスの急激な低下により大電流が流れる。そ
の後電流は何度かヒステリシス曲線をたどりながら次第
に減少してゼロになる。この時、可飽和リアクトル4の
残留磁束はヒステリシス曲線内のH=0の何れかの点上
にある。
【0007】したがって、可飽和リアクトル4の高イン
ダクタンス状態を常に安定して有効に使用するには、磁
性体を動作方向とは逆向きに飽和させておく(c点)、
所謂リセット動作を行う必要がある。
ダクタンス状態を常に安定して有効に使用するには、磁
性体を動作方向とは逆向きに飽和させておく(c点)、
所謂リセット動作を行う必要がある。
【0008】図4は、リセットを行うために可飽和リア
クトル4にスイッチ12を設けたリセット回路の要部を
示したものであり、可飽和リアクトル4の動作方向とは
逆方向に飽和させるために、スイッチ12をオンさせて
直流電源11を供給し、逆向きに飽和させておくことに
より可飽和リアクトル4の動作を安定させている。
クトル4にスイッチ12を設けたリセット回路の要部を
示したものであり、可飽和リアクトル4の動作方向とは
逆方向に飽和させるために、スイッチ12をオンさせて
直流電源11を供給し、逆向きに飽和させておくことに
より可飽和リアクトル4の動作を安定させている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来のようにして可飽和リアクトルをリセットするに
は、可飽和リアクトルのリセット方向に電流を流すため
のに別途直流電源を必要とし、また、スイッチを同期的
に動作させる複雑なタイミング回路も必要とし、リセッ
トを図るための回路が大掛かりであるという問題点があ
った。
従来のようにして可飽和リアクトルをリセットするに
は、可飽和リアクトルのリセット方向に電流を流すため
のに別途直流電源を必要とし、また、スイッチを同期的
に動作させる複雑なタイミング回路も必要とし、リセッ
トを図るための回路が大掛かりであるという問題点があ
った。
【0010】本発明は、上記問題に鑑みなされたもの
で、磁気アシスト回路のリセットを簡単な回路により、
リセットのための直流電源やタイミング回路を省略する
ことのできるパルスレーザ装置用放電回路を提供するこ
とを目的とする。
で、磁気アシスト回路のリセットを簡単な回路により、
リセットのための直流電源やタイミング回路を省略する
ことのできるパルスレーザ装置用放電回路を提供するこ
とを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、高
圧電源に接続され可飽和リアクトルを介して充電される
メインコンデンサと、前記メインコンデンサに高速スイ
ッチング素子及び前記可飽和リアクトルを介して接続さ
れ前記メインコンデンサの放電により充電されるピーキ
ングコンデンサが並列接続された放電ギャップと、前記
可飽和リアクトルに前記ピーキングコンデンサの一部の
放電電流により動作方向とは逆向きに飽和させるリセッ
ト回路とを設けたことを特徴とするパルスレーザ装置用
放電回路とすることにより達成される。
圧電源に接続され可飽和リアクトルを介して充電される
メインコンデンサと、前記メインコンデンサに高速スイ
ッチング素子及び前記可飽和リアクトルを介して接続さ
れ前記メインコンデンサの放電により充電されるピーキ
ングコンデンサが並列接続された放電ギャップと、前記
可飽和リアクトルに前記ピーキングコンデンサの一部の
放電電流により動作方向とは逆向きに飽和させるリセッ
ト回路とを設けたことを特徴とするパルスレーザ装置用
放電回路とすることにより達成される。
【0012】
【作用】本発明の上記構成によれば、高速スイッチング
素子、例えばサイラトロンをオン駆動し、ある時間経過
後に可飽和リアクトルが飽和してメインコンデンサに充
電されている電荷がピーキングコンデンサに移行する。
これにより放電ギャップに放電電流が流れ、ピーキング
コンデンサは極性が逆方向の充放電が繰り返される。可
飽和リアクトルのリセットは、このピーキングコンデン
サの放電電流の一部を取り出して可飽和リアクトルに流
すことにより行なわれている。したがって、可飽和リア
クトルをリセットするための別個の直流電源やタイミン
グ回路を準備する必要がなくなり、簡素なパルスレーザ
装置用放電回路が得られる。
素子、例えばサイラトロンをオン駆動し、ある時間経過
後に可飽和リアクトルが飽和してメインコンデンサに充
電されている電荷がピーキングコンデンサに移行する。
これにより放電ギャップに放電電流が流れ、ピーキング
コンデンサは極性が逆方向の充放電が繰り返される。可
飽和リアクトルのリセットは、このピーキングコンデン
サの放電電流の一部を取り出して可飽和リアクトルに流
すことにより行なわれている。したがって、可飽和リア
クトルをリセットするための別個の直流電源やタイミン
グ回路を準備する必要がなくなり、簡素なパルスレーザ
装置用放電回路が得られる。
【0013】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照にし
て説明する。尚、全図を通じて同一の部分には同一の符
号が付してある。
て説明する。尚、全図を通じて同一の部分には同一の符
号が付してある。
【0014】図1は、本発明の実施例のパルスレーザ装
置用放電回路を示す図で、この実施例におけるパルスレ
ーザ装置用放電回路(以下、「パルス放電回路」とい
う。)は、例えば希ガスとハロゲンガスの混合ガス中で
放電を行ない励起することにより生成するエキシマレー
ザ装置等の放電回路であり、基本的には従来技術で説明
した図2の回路構成と同じである。
置用放電回路を示す図で、この実施例におけるパルスレ
ーザ装置用放電回路(以下、「パルス放電回路」とい
う。)は、例えば希ガスとハロゲンガスの混合ガス中で
放電を行ない励起することにより生成するエキシマレー
ザ装置等の放電回路であり、基本的には従来技術で説明
した図2の回路構成と同じである。
【0015】即ち、図1に示すように、パルス放電回路
を形成する回路構成は、高圧電源1と、この高圧電源1
のプラス側に保護抵抗2を介して直列に接続した磁気ア
シスト回路13と、磁気アシスト回路13に直列に接続
したメインコンデンサ5と、一端がメインコンデンサ5
に接続され、他端が高圧電源1のマイナス側に接続した
充電用リアクトル7とに構成されるメインコンデンサ5
の充電回路を備えている。
を形成する回路構成は、高圧電源1と、この高圧電源1
のプラス側に保護抵抗2を介して直列に接続した磁気ア
シスト回路13と、磁気アシスト回路13に直列に接続
したメインコンデンサ5と、一端がメインコンデンサ5
に接続され、他端が高圧電源1のマイナス側に接続した
充電用リアクトル7とに構成されるメインコンデンサ5
の充電回路を備えている。
【0016】また、保護抵抗2と磁気アシスト回路13
との間と充電用リアクトル7の高圧電源1のマイナス側
とに接続された高速スイッチング素子(この実施例では
サイラトロン)3と、充電用リアクトル7と並列に接続
され、放電ギャップ9内で放電を起こす放電電流を供給
するピーキングコンデンサ8と、ピーキングコンデンサ
8に並列に接続され、レーザ光を発生させる放電ギャッ
プ9を有する一対の主放電電極10a、10bとで構成
されるメインコンデンサ5の放電回路を備えている。
との間と充電用リアクトル7の高圧電源1のマイナス側
とに接続された高速スイッチング素子(この実施例では
サイラトロン)3と、充電用リアクトル7と並列に接続
され、放電ギャップ9内で放電を起こす放電電流を供給
するピーキングコンデンサ8と、ピーキングコンデンサ
8に並列に接続され、レーザ光を発生させる放電ギャッ
プ9を有する一対の主放電電極10a、10bとで構成
されるメインコンデンサ5の放電回路を備えている。
【0017】そして、磁気アシスト回路13とメインコ
ンデンサ5とサイラトロン3とに並列に接続したリセッ
ト回路14とから構成されている。
ンデンサ5とサイラトロン3とに並列に接続したリセッ
ト回路14とから構成されている。
【0018】サイラトロン3は、例えば1秒間に数千回
オン/オフする高速スイッチング素子であり、その一端
は可飽和リアクトル4の一端に接続し、その他端は高圧
電源1のマイナス側に接続されている。
オン/オフする高速スイッチング素子であり、その一端
は可飽和リアクトル4の一端に接続し、その他端は高圧
電源1のマイナス側に接続されている。
【0019】尚、サイラトロン3のグリッドに電気的パ
ルス信号を印加してスイッチング動作をさせるスイッチ
ング駆動部及び主放電に先立って行われる予備電離放電
用の電極及び回路は省略されている。
ルス信号を印加してスイッチング動作をさせるスイッチ
ング駆動部及び主放電に先立って行われる予備電離放電
用の電極及び回路は省略されている。
【0020】磁気アシスト回路13は、可飽和リアクト
ル4から構成されている。可飽和リアクトル4は、リン
グ状の磁性体4aと、この磁性体4aに巻回した充放電
用巻線4bとからなり、充放電用巻線4bの一端がサイ
ラトロン3の一端に接続し、他端がメインコンデンサ5
の一端に接続されている。尚、この可飽和リアクトル4
の動作特性は、図3で示したヒステリシス曲線と同様で
あるのでその説明は省略する。
ル4から構成されている。可飽和リアクトル4は、リン
グ状の磁性体4aと、この磁性体4aに巻回した充放電
用巻線4bとからなり、充放電用巻線4bの一端がサイ
ラトロン3の一端に接続し、他端がメインコンデンサ5
の一端に接続されている。尚、この可飽和リアクトル4
の動作特性は、図3で示したヒステリシス曲線と同様で
あるのでその説明は省略する。
【0021】メインコンデンサ5は、高圧電源1からの
高電圧を充放電するものであり、その一端が可飽和リア
クトル4の充放電用巻線4bの他端に接続し、その他端
は片方の主放電電極10aに接続されている。
高電圧を充放電するものであり、その一端が可飽和リア
クトル4の充放電用巻線4bの他端に接続し、その他端
は片方の主放電電極10aに接続されている。
【0022】リセット回路14は、可飽和リアクトル4
の磁性体4aに巻回した充放電用巻線4bに並列状態で
巻回され、この充放電用巻線4bの巻数よりも少ない巻
数のリセット用巻線4cと、このリセット用巻線4cに
直列に接続されたリセット用高電圧ダイオード6とから
構成されている。
の磁性体4aに巻回した充放電用巻線4bに並列状態で
巻回され、この充放電用巻線4bの巻数よりも少ない巻
数のリセット用巻線4cと、このリセット用巻線4cに
直列に接続されたリセット用高電圧ダイオード6とから
構成されている。
【0023】リセット用巻線4cは、可飽和リアクトル
4の磁性体4aを有効且つ安定させるために可飽和リア
クトル4の動作方向とは逆方向に電流を流して逆向きに
飽和させるものであり、その一端は高電圧ダイオード6
のカソード側に接続し、その他端は高圧電源1のマイナ
ス側に接続されている。
4の磁性体4aを有効且つ安定させるために可飽和リア
クトル4の動作方向とは逆方向に電流を流して逆向きに
飽和させるものであり、その一端は高電圧ダイオード6
のカソード側に接続し、その他端は高圧電源1のマイナ
ス側に接続されている。
【0024】高電圧ダイオード6は、放電ギャップ9側
のインピーダンスよりも高インピーダンス、例えば放電
ギャップ9に数キロアンペアの大電流が流れた場合に、
数アンペアから数十アンペア流れるダイオードであり、
アノード側を主放電電極10a側に接続し、カソード側
をリセット用巻線4cの一端に接続されている。
のインピーダンスよりも高インピーダンス、例えば放電
ギャップ9に数キロアンペアの大電流が流れた場合に、
数アンペアから数十アンペア流れるダイオードであり、
アノード側を主放電電極10a側に接続し、カソード側
をリセット用巻線4cの一端に接続されている。
【0025】このような接続状態からなるパルスレーザ
ー装置の動作は、先ずサイラトロン3がオンしていない
時は、高圧電源1のプラス側から保護抵抗2、磁気アシ
スト回路13(可飽和リアクトル4)、メインコンデン
サ5、充電用リアクトル7、高圧電源1のマイナス側と
の閉ループが形成され、メインコンデンサ5に充電され
る。
ー装置の動作は、先ずサイラトロン3がオンしていない
時は、高圧電源1のプラス側から保護抵抗2、磁気アシ
スト回路13(可飽和リアクトル4)、メインコンデン
サ5、充電用リアクトル7、高圧電源1のマイナス側と
の閉ループが形成され、メインコンデンサ5に充電され
る。
【0026】メインコンデンサ5に充電された後に、サ
イラトロン3のグリッドに電気的パルス信号からなる電
圧を印加してオンすると、メインコンデンサ5に蓄えら
れている電荷をサイラトロン3を介してピーキングコン
デンサ8側に電流I1を流す体制ができる。この時、サ
イラトロン3の導通状態を安定させるため、磁気アシス
ト回路13を形成する可飽和リアクトル4が飽和した後
に、メインコンデンサ5に蓄えられている電荷がピーキ
ングコンデンサ8に遅れて移行する。
イラトロン3のグリッドに電気的パルス信号からなる電
圧を印加してオンすると、メインコンデンサ5に蓄えら
れている電荷をサイラトロン3を介してピーキングコン
デンサ8側に電流I1を流す体制ができる。この時、サ
イラトロン3の導通状態を安定させるため、磁気アシス
ト回路13を形成する可飽和リアクトル4が飽和した後
に、メインコンデンサ5に蓄えられている電荷がピーキ
ングコンデンサ8に遅れて移行する。
【0027】このピーキングコンデンサ8の充電によっ
て一対の主放電電極10a、10bの電圧が放電開始電
圧に達すると、ピーキングコンデンサ8に蓄積した電荷
は主放電電極10a、10bの放電ギャップ9に流れ
(電流I2)パルス放電が形成され、レーザー媒質が励
起されレーザー発振が生じる。
て一対の主放電電極10a、10bの電圧が放電開始電
圧に達すると、ピーキングコンデンサ8に蓄積した電荷
は主放電電極10a、10bの放電ギャップ9に流れ
(電流I2)パルス放電が形成され、レーザー媒質が励
起されレーザー発振が生じる。
【0028】一方、ピーキングコンデンサ8に蓄積した
電荷は、放電ギャップ9側に流れる放電電流I2と共
に、その一部の電流I3はリセット回路14の高電圧ダ
イオード6側に流れる。この高電圧ダイオード6側に流
れた一部の電流I3は、可飽和リアクトル4の磁性体4
aに巻いてあるリセット用巻線4cに流れる。即ち、可
飽和リアクトル4の動作方向とは逆向きに飽和させるこ
とができる(図3のc点)。いわゆる可飽和リアクトル
4を自動的にリセットしたことになる。
電荷は、放電ギャップ9側に流れる放電電流I2と共
に、その一部の電流I3はリセット回路14の高電圧ダ
イオード6側に流れる。この高電圧ダイオード6側に流
れた一部の電流I3は、可飽和リアクトル4の磁性体4
aに巻いてあるリセット用巻線4cに流れる。即ち、可
飽和リアクトル4の動作方向とは逆向きに飽和させるこ
とができる(図3のc点)。いわゆる可飽和リアクトル
4を自動的にリセットしたことになる。
【0029】ここで、高電圧ダイオード6側のインピー
ダンスは放電ギャップ9側よりもかなり大きいので、電
流は可飽和リアクトル4をリセットするのに充分な数ア
ンペアから数十アンペアのみ流れ(電流I3)、放電ギ
ャップ9側には数キロアンペアの大電流(電流I2)が
流れる。従って、放電ギャップ9での放電動作及び可飽
和リアクトル4のリセット動作に支障を及ぼすことはな
い。
ダンスは放電ギャップ9側よりもかなり大きいので、電
流は可飽和リアクトル4をリセットするのに充分な数ア
ンペアから数十アンペアのみ流れ(電流I3)、放電ギ
ャップ9側には数キロアンペアの大電流(電流I2)が
流れる。従って、放電ギャップ9での放電動作及び可飽
和リアクトル4のリセット動作に支障を及ぼすことはな
い。
【0030】
【発明の効果】以上のように本発明に係るパルスレーザ
装置用放電回路によれば、放電ギャップに流れる電流の
一部を利用して磁気アシスト回路を形成する可飽和リア
クトルのリセットを行なうようにしているので、磁気ア
シスト回路を形成する可飽和リアクトルのリセットのた
めの直流電源やスイッチを省略しても、そのリセットが
容易に且つ自動的に行なうことができるという極めて優
れた効果を奏する。
装置用放電回路によれば、放電ギャップに流れる電流の
一部を利用して磁気アシスト回路を形成する可飽和リア
クトルのリセットを行なうようにしているので、磁気ア
シスト回路を形成する可飽和リアクトルのリセットのた
めの直流電源やスイッチを省略しても、そのリセットが
容易に且つ自動的に行なうことができるという極めて優
れた効果を奏する。
【図1】本発明の実施例のパルスレーザー装置用放電回
路図である。
路図である。
【図2】従来のパルスレーザー装置用放電回路図であ
る。
る。
【図3】磁気アシスト回路を形成する可飽和リアクトル
の磁気特性を示したヒステリシス曲線図である。
の磁気特性を示したヒステリシス曲線図である。
【図4】図3に示す可飽和リアクトルのリセット回路図
である。
である。
1 高圧電源 2 保護抵抗 3 サイラトロン 4 可飽和リアクトル 4a 磁性体(リング状) 4b 充放電用巻線 4c リセット用巻線 5 メインコンデンサ 6 高電圧ダイオード 7 充電用リアクトル 8 ピーキングコンデンサ 9 放電ギャップ 10a、10b 主放電電極 13 磁気アシスト回路 14 リセット回路
Claims (1)
- 【請求項1】 高圧電源に接続され可飽和リアクトルを
介して充電されるメインコンデンサと、前記メインコン
デンサに高速スイッチング素子及び前記可飽和リアクト
ルを介して接続され前記メインコンデンサの放電により
充電されるピーキングコンデンサが並列接続された放電
ギャップと、前記可飽和リアクトルに前記ピーキングコ
ンデンサの一部の放電電流により動作方向とは逆向きに
飽和させるリセット回路とを設けたことを特徴とするパ
ルスレーザ装置用放電回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11892595A JPH08279644A (ja) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | パルスレーザ装置用放電回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11892595A JPH08279644A (ja) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | パルスレーザ装置用放電回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08279644A true JPH08279644A (ja) | 1996-10-22 |
Family
ID=14748601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11892595A Pending JPH08279644A (ja) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | パルスレーザ装置用放電回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08279644A (ja) |
-
1995
- 1995-04-07 JP JP11892595A patent/JPH08279644A/ja active Pending
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