JPH0828404B2 - Ｔａｂ用テープキャリアおよびその製造方法 - Google Patents
Ｔａｂ用テープキャリアおよびその製造方法Info
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- JPH0828404B2 JPH0828404B2 JP2077327A JP7732790A JPH0828404B2 JP H0828404 B2 JPH0828404 B2 JP H0828404B2 JP 2077327 A JP2077327 A JP 2077327A JP 7732790 A JP7732790 A JP 7732790A JP H0828404 B2 JPH0828404 B2 JP H0828404B2
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/02—Details
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3465—Application of solder
- H05K3/3473—Plating of solder
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はTAB（Tape Automated Bonding）用テープキ
ャリアおよびその製造方法、特にIC等の高集積化に対応
できる、リード部のパターンが微細化されたTAB用テー
プキャリアおよびその製造方法に関する。
ャリアおよびその製造方法、特にIC等の高集積化に対応
できる、リード部のパターンが微細化されたTAB用テー
プキャリアおよびその製造方法に関する。
TAB法は高集積ICの実装を能率よく行うために開発さ
れた方式で、テープキャリア上でIC素子の実装を行うも
のである。TAB用テープキャリアは例えば第４図に断面
図、第５図に平面図で示すように、IC素子（図示せず）
を装着するデバイスホール３および位置合わせ等のため
の送り孔（パイロットホール）４が形成された可撓性絶
縁フィルム１に、銅箔２を接着剤42により接着した後、
フォトエッチングにより不要部20を除去して所定の配線
パターンをもつインナーリード部21を有するリード部２
を形成したものである。なお第４図でＷ、Ｇ、Ｐはそれ
ぞれ後述の導体幅、導体間隔、ピッチを示している。TA
B法においてギャングボンディングと呼ばれる工程で、
テープキャリアのインナーリード部21はIC素子上の微小
電極に加熱圧着して接合されるので、その表面は接着性
のある金属（例えば金）または低融点の金属接合剤、例
えば錫、ハンダ等で被覆される。絶縁フィルム１は一般
に、厚さ70ないし125μｍ、幅35mm（または70mm、140mm
等）の有機ポリイミドフィルム、ガラス強化エポキシフ
ィルム等から成る。銅箔２には厚さ18ないし35μｍの圧
延銅箔、電解銅箔等が用いられる。デバイスホール３お
よび送り孔４は可撓性絶縁フィルム１の打ち抜き加工に
より形成される。インナーリード部21を有するリード部
２は、銅箔２を可撓性絶縁フィルム１に接着剤42により
接着した後、フォトエッチングにより不要部20を除去し
て、インナーリード部21を所定の配線パターンをもつよ
うに形成される。低融点の金属接合剤で被覆するには、
従来は多くの場合、無電解錫めっきを用いていた。
れた方式で、テープキャリア上でIC素子の実装を行うも
のである。TAB用テープキャリアは例えば第４図に断面
図、第５図に平面図で示すように、IC素子（図示せず）
を装着するデバイスホール３および位置合わせ等のため
の送り孔（パイロットホール）４が形成された可撓性絶
縁フィルム１に、銅箔２を接着剤42により接着した後、
フォトエッチングにより不要部20を除去して所定の配線
パターンをもつインナーリード部21を有するリード部２
を形成したものである。なお第４図でＷ、Ｇ、Ｐはそれ
ぞれ後述の導体幅、導体間隔、ピッチを示している。TA
B法においてギャングボンディングと呼ばれる工程で、
テープキャリアのインナーリード部21はIC素子上の微小
電極に加熱圧着して接合されるので、その表面は接着性
のある金属（例えば金）または低融点の金属接合剤、例
えば錫、ハンダ等で被覆される。絶縁フィルム１は一般
に、厚さ70ないし125μｍ、幅35mm（または70mm、140mm
等）の有機ポリイミドフィルム、ガラス強化エポキシフ
ィルム等から成る。銅箔２には厚さ18ないし35μｍの圧
延銅箔、電解銅箔等が用いられる。デバイスホール３お
よび送り孔４は可撓性絶縁フィルム１の打ち抜き加工に
より形成される。インナーリード部21を有するリード部
２は、銅箔２を可撓性絶縁フィルム１に接着剤42により
接着した後、フォトエッチングにより不要部20を除去し
て、インナーリード部21を所定の配線パターンをもつよ
うに形成される。低融点の金属接合剤で被覆するには、
従来は多くの場合、無電解錫めっきを用いていた。
しかし従来のTAB用テープキャリアでは、フォトエッ
チングで形成されるリード部の微細化は、フォトエッチ
ング後のリード部の縁の凹凸、即ち非直線性のために制
約されていた。絶縁フィルムに接着される銅箔の厚さは
通常18または35μｍであるが、厚さ35μｍの銅箔の場合
で、導体幅70μｍ、導体間隔70μｍ、従ってピッチ140
μｍが限度であり、厚さ18μｍの銅箔の場合、導体幅50
μｍ、導体間隔50μｍ、従ってピッチ100μｍが限度で
あった。最近、IC素子の高集積化がますます進むにつ
れ、TAB用テープキャリア上に形成されるリード部のさ
らに微細化が強く望まれ、そのようなTAB用テープキャ
リアの製造方法の実現が求められている。特に導体間隔
60μｍ以下のものは従来の方法で製造は一応可能でも、
電界下での経時劣化（マイグレーション耐性試験）でリ
ード部間の絶縁が低下することが問題となっていた。こ
れはリード部の直線性が悪いために、リード部間の電界
強度が局所的に大きくなることが重要な要因となってい
る。実用的には60℃、相対湿度90％で35Vの直流をリー
ド間に印加して109Ω以上の電気抵抗を500時間以上保つ
ことが要求されている。圧延銅箔、電解銅箔等のインナ
ーリード部に無電解錫めっきの被覆をした場合はこれを
達成することは困難であった。
チングで形成されるリード部の微細化は、フォトエッチ
ング後のリード部の縁の凹凸、即ち非直線性のために制
約されていた。絶縁フィルムに接着される銅箔の厚さは
通常18または35μｍであるが、厚さ35μｍの銅箔の場合
で、導体幅70μｍ、導体間隔70μｍ、従ってピッチ140
μｍが限度であり、厚さ18μｍの銅箔の場合、導体幅50
μｍ、導体間隔50μｍ、従ってピッチ100μｍが限度で
あった。最近、IC素子の高集積化がますます進むにつ
れ、TAB用テープキャリア上に形成されるリード部のさ
らに微細化が強く望まれ、そのようなTAB用テープキャ
リアの製造方法の実現が求められている。特に導体間隔
60μｍ以下のものは従来の方法で製造は一応可能でも、
電界下での経時劣化（マイグレーション耐性試験）でリ
ード部間の絶縁が低下することが問題となっていた。こ
れはリード部の直線性が悪いために、リード部間の電界
強度が局所的に大きくなることが重要な要因となってい
る。実用的には60℃、相対湿度90％で35Vの直流をリー
ド間に印加して109Ω以上の電気抵抗を500時間以上保つ
ことが要求されている。圧延銅箔、電解銅箔等のインナ
ーリード部に無電解錫めっきの被覆をした場合はこれを
達成することは困難であった。
また、導体幅を60μｍ以下とした場合、無電解錫めっ
きを用いるとリード部銅層のピール強度が著しく低下す
る欠点がある。さらに、無電解錫めっきで被覆されたイ
ンナーリード部は、熱や水分に対し不安定で、表面の化
学変化による変色等を生じ易かった。
きを用いるとリード部銅層のピール強度が著しく低下す
る欠点がある。さらに、無電解錫めっきで被覆されたイ
ンナーリード部は、熱や水分に対し不安定で、表面の化
学変化による変色等を生じ易かった。
従って本発明の目的は、電界下での経時劣化でリード
部間の絶縁が低下することなく、リード部が微細化され
た、TAB用テープキャリアを提供することである。
部間の絶縁が低下することなく、リード部が微細化され
た、TAB用テープキャリアを提供することである。
本発明の他の目的は、リード部が充分なピール強度を
有し、熱や水分に対しても安定な、リード部が微細化さ
れたTAB用テープキャリアを提供することである。
有し、熱や水分に対しても安定な、リード部が微細化さ
れたTAB用テープキャリアを提供することである。
本発明の今一つの目的は、リード部が微細化されても
電界下での経時でリード部間の絶縁が低下せず、充分な
ピール強度を有し、熱や水分に対しても安定なリード部
を有する、TAB用テープキャリアを製造する方法を、提
供することである。
電界下での経時でリード部間の絶縁が低下せず、充分な
ピール強度を有し、熱や水分に対しても安定なリード部
を有する、TAB用テープキャリアを製造する方法を、提
供することである。
上記目的を達成するため本発明では、TAB用テープキ
ャリアの絶縁フィルム上に接着する金属層に、無酸素銅
圧延箔を低粗面化した銅箔（以下、低粗面化無酸素銅箔
と言う）を用い、パターン形成後金属層を低融点金属で
被覆するのに錫またはハンダ電気めっきを用いた。な
お、以下本明細書では錫電気めっきを含めてハンダ電気
めっきと言う。
ャリアの絶縁フィルム上に接着する金属層に、無酸素銅
圧延箔を低粗面化した銅箔（以下、低粗面化無酸素銅箔
と言う）を用い、パターン形成後金属層を低融点金属で
被覆するのに錫またはハンダ電気めっきを用いた。な
お、以下本明細書では錫電気めっきを含めてハンダ電気
めっきと言う。
低粗面化無酸素銅箔は接着剤に接する面の平均深さRa
が0.4μｍを超えない表面粗さを有することが望まし
い。無酸素銅は、一般に酸素含有量が10ppm以下、銅純
度99.99％以上の銅を言い、公知の方法、例えば特開昭6
0-244054号、特開昭64-11932号等に記載された方法によ
り得ることができる。低粗面化無酸素銅箔は、無酸素銅
圧延箔を交流電解法で電解低粗面化処理することにより
得られる。交流電解法の通常の条件を用いて所要の表面
粗さを得ることができる。接着性と耐蝕性向上のために
は、さらにジンククロメート（ZnCrO4）処理を施したも
のが好ましい。
が0.4μｍを超えない表面粗さを有することが望まし
い。無酸素銅は、一般に酸素含有量が10ppm以下、銅純
度99.99％以上の銅を言い、公知の方法、例えば特開昭6
0-244054号、特開昭64-11932号等に記載された方法によ
り得ることができる。低粗面化無酸素銅箔は、無酸素銅
圧延箔を交流電解法で電解低粗面化処理することにより
得られる。交流電解法の通常の条件を用いて所要の表面
粗さを得ることができる。接着性と耐蝕性向上のために
は、さらにジンククロメート（ZnCrO4）処理を施したも
のが好ましい。
絶縁フィルム、金属層すなわち銅箔を接着するための
接着剤、接着方法、フォトエッチング、ハンダの電気め
っきについては、従来公知の材料および方法を用いるこ
とができる。
接着剤、接着方法、フォトエッチング、ハンダの電気め
っきについては、従来公知の材料および方法を用いるこ
とができる。
パターン形成は通常の方法で行えるが、後に表面にハ
ンダ電気めっきを施す際に銅箔のリード部自体を電気め
っき電極として利用する都合上、幾つかのリードに共通
に通電するためそれらを仮に連結する導電性の仮連結部
を設けることが好ましく、この場合パターン中に仮連結
部を含める点のみが通常と異なる。この仮連結部は、フ
ォトエッチング後に金型により打ち抜いて除去する。こ
の打ち抜きは、IC素子との接合前にインラインで行うこ
とができ、コスト上の負担は無視できる程度である。各
リード部が電気的に独立すれば、仮連結部の一部は絶縁
フィルム上に残ってもよい。
ンダ電気めっきを施す際に銅箔のリード部自体を電気め
っき電極として利用する都合上、幾つかのリードに共通
に通電するためそれらを仮に連結する導電性の仮連結部
を設けることが好ましく、この場合パターン中に仮連結
部を含める点のみが通常と異なる。この仮連結部は、フ
ォトエッチング後に金型により打ち抜いて除去する。こ
の打ち抜きは、IC素子との接合前にインラインで行うこ
とができ、コスト上の負担は無視できる程度である。各
リード部が電気的に独立すれば、仮連結部の一部は絶縁
フィルム上に残ってもよい。
ハンダ電気めっきに用いるハンダは、全部が錫から成
ってもよく、鉛を５ないし90％含む錫−鉛合金でもよ
い。ハンダ電気めっきはリード部全体でなく必要な部分
のみに施してもよい。
ってもよく、鉛を５ないし90％含む錫−鉛合金でもよ
い。ハンダ電気めっきはリード部全体でなく必要な部分
のみに施してもよい。
本発明では表面を低粗面化した無酸素銅圧延箔を用い
ることにより、導体リード部の縁（側面）の直線性が改
良される。これは、絶縁フィルムとの間の接着剤層への
銅の食い込みが少ないため、銅層のエッチングが容易と
なり、エッチングが短時間で完了するので、リード部側
面のエッチングが適度に制御され、凹凸が少なくなるも
のと思われる。導体リード部の縁の直線性の向上によ
り、リード部間の電界強度が局所的に大きくなることが
防がれるから、電界下での経時によるリード部間の絶縁
劣化が生じ難くなる。
ることにより、導体リード部の縁（側面）の直線性が改
良される。これは、絶縁フィルムとの間の接着剤層への
銅の食い込みが少ないため、銅層のエッチングが容易と
なり、エッチングが短時間で完了するので、リード部側
面のエッチングが適度に制御され、凹凸が少なくなるも
のと思われる。導体リード部の縁の直線性の向上によ
り、リード部間の電界強度が局所的に大きくなることが
防がれるから、電界下での経時によるリード部間の絶縁
劣化が生じ難くなる。
またハンダ被覆のために電気めっきを用いたことによ
り、無電解錫めっきの場合に比べて、電界下での経時に
よるリード部間の絶縁劣化もさらに減少し、また熱や水
分に対して変色等の変化を生じない。これは無電解錫め
っきのような高温（60℃ないし80℃）の硫酸または有機
酸を含む浴でなく、低温の穏和な浴を用いるためと思わ
れる。
り、無電解錫めっきの場合に比べて、電界下での経時に
よるリード部間の絶縁劣化もさらに減少し、また熱や水
分に対して変色等の変化を生じない。これは無電解錫め
っきのような高温（60℃ないし80℃）の硫酸または有機
酸を含む浴でなく、低温の穏和な浴を用いるためと思わ
れる。
一般的傾向として、低粗面化された銅箔はピール強度
（接着層との間の接着強度）が低下し、また幅および長
さ方向での表面粗さの均一性が得られない欠点が見られ
るが、無酸素銅箔を交流電解法で電解低粗面化処理する
ことにより、平均深さがRa＝0.2〜0.4μｍの範囲の充分
均一な粗さを得ることができる。ピール強度に関して
は、ピール強度の低下が少ないハンダ電気めっきを用い
るので、実用上充分なピール強度（150℃10時間放置後
で0.8Kg/cm2以上）をもつ銅導体層（リード部）を得る
ことができる。ハンダ電気めっきを用いると無電解錫め
っきよりピール強度の低下が少ないのは、低温の穏和な
浴を用いるため、銅箔（リード部）と接着剤層との界面
へのめっき薬品の浸透が少なくなるからであろう。
（接着層との間の接着強度）が低下し、また幅および長
さ方向での表面粗さの均一性が得られない欠点が見られ
るが、無酸素銅箔を交流電解法で電解低粗面化処理する
ことにより、平均深さがRa＝0.2〜0.4μｍの範囲の充分
均一な粗さを得ることができる。ピール強度に関して
は、ピール強度の低下が少ないハンダ電気めっきを用い
るので、実用上充分なピール強度（150℃10時間放置後
で0.8Kg/cm2以上）をもつ銅導体層（リード部）を得る
ことができる。ハンダ電気めっきを用いると無電解錫め
っきよりピール強度の低下が少ないのは、低温の穏和な
浴を用いるため、銅箔（リード部）と接着剤層との界面
へのめっき薬品の浸透が少なくなるからであろう。
さらに無電解錫めっきでは、用いる薬品が高価（めっ
き液１当たり約3000円）で、しかもめっき浴の寿命が
短い（２日間）ためめっき工程に関するコストが高かっ
たのに対し、電気めっきを用いる本発明ではめっき工程
のコストが遥かに安くなる。
き液１当たり約3000円）で、しかもめっき浴の寿命が
短い（２日間）ためめっき工程に関するコストが高かっ
たのに対し、電気めっきを用いる本発明ではめっき工程
のコストが遥かに安くなる。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
〔実施例１〕 厚さ35μｍの銅導体層を有するリード幅40μｍ、リー
ド間隔40μｍのTABテープキャリアの例について述べ
る。
ド間隔40μｍのTABテープキャリアの例について述べ
る。
本例で得られたTABテープキャリアは、厚さ75μｍ、
幅35mmのポリイミド絶縁フィルム上にエポキシ接着剤を
介して厚さ35μｍの銅箔が接着されたものである。銅箔
は、銅純度99.99％以上、酸素含有量0.001％（10ppm）
以下の銅から成り、表面粗さが平均深さRa＝0.4μｍ
の、低粗面化無酸素銅箔である。銅箔の表面には、接着
性と耐蝕性向上のためにジンククロメート処理（厚さ0.
05μｍ）を施してある。パターンに従って形成された銅
層の上には、錫80％と鉛20％から成る厚さ0.8μｍのハ
ンダ電気めっきが施されている。TABテープキャリアは
４方向に配列された、全部で200のピンを有する。
幅35mmのポリイミド絶縁フィルム上にエポキシ接着剤を
介して厚さ35μｍの銅箔が接着されたものである。銅箔
は、銅純度99.99％以上、酸素含有量0.001％（10ppm）
以下の銅から成り、表面粗さが平均深さRa＝0.4μｍ
の、低粗面化無酸素銅箔である。銅箔の表面には、接着
性と耐蝕性向上のためにジンククロメート処理（厚さ0.
05μｍ）を施してある。パターンに従って形成された銅
層の上には、錫80％と鉛20％から成る厚さ0.8μｍのハ
ンダ電気めっきが施されている。TABテープキャリアは
４方向に配列された、全部で200のピンを有する。
このTABテープキャリアは次のようにして製造した。
無酸素銅圧延箔を、交流電解法により商用周波数、電圧
1.5V、電流密度2A/dm2で、硫酸と硫酸銅を含む電解液中
で電解粗面化処理した後、ジンククロメート処理を施し
た低粗面化無酸素銅箔を、ポリイミド絶縁フィルム上に
エポキシ接着剤を用いて接着した。塩化第二銅エッチン
グ浴を用いすさ方向での表面粗さの均一性が得られない
欠点が見られるが、無酸素銅箔を交流電解法で電解低粗
面化処理することにより、平均深さ２の本数を縦５本、
横４本として示してある。実際には縦60本、横40本のリ
ードがある）の銅層を絶縁フィルム１上に形成した。銅
層は、リード部２と仮連結部2aとから成る。パターン形
成後、仮連結部2aをめっき用電源の端子に接続し、析出
物の錫と鉛の重量比が8:2となる組成の、錫および鉛の
硼弗化物から成る公知のハンダ電気めっき浴中で、温度
30℃で、上記銅箔の全面に厚さ0.8μｍのハンダ電気め
っきを施した。電気めっき終了後、第１図（Ａ）に示し
た打ち抜き部2bの部分を金型で打ち抜いて除去し、第１
図（Ｂ）に示すTABテープキャリアを得た。第１図
（Ａ），（Ｂ）で３はデバイスホール、４は送り孔（パ
イロットホール）である。
無酸素銅圧延箔を、交流電解法により商用周波数、電圧
1.5V、電流密度2A/dm2で、硫酸と硫酸銅を含む電解液中
で電解粗面化処理した後、ジンククロメート処理を施し
た低粗面化無酸素銅箔を、ポリイミド絶縁フィルム上に
エポキシ接着剤を用いて接着した。塩化第二銅エッチン
グ浴を用いすさ方向での表面粗さの均一性が得られない
欠点が見られるが、無酸素銅箔を交流電解法で電解低粗
面化処理することにより、平均深さ２の本数を縦５本、
横４本として示してある。実際には縦60本、横40本のリ
ードがある）の銅層を絶縁フィルム１上に形成した。銅
層は、リード部２と仮連結部2aとから成る。パターン形
成後、仮連結部2aをめっき用電源の端子に接続し、析出
物の錫と鉛の重量比が8:2となる組成の、錫および鉛の
硼弗化物から成る公知のハンダ電気めっき浴中で、温度
30℃で、上記銅箔の全面に厚さ0.8μｍのハンダ電気め
っきを施した。電気めっき終了後、第１図（Ａ）に示し
た打ち抜き部2bの部分を金型で打ち抜いて除去し、第１
図（Ｂ）に示すTABテープキャリアを得た。第１図
（Ａ），（Ｂ）で３はデバイスホール、４は送り孔（パ
イロットホール）である。
比較のため、同じ無酸素銅から成るが表面粗さがRa＝
0.8μｍの標準粗面化無酸素銅圧延箔および電解銅箔を
それぞれ用いてTABテープキャリアを製造した。それぞ
れ比較例１および比較例２とする。本発明および各比較
例で製造されたTABテープキャリアについて、リードの
縁の周期の長いうねりおよび周期の小さい凹凸を観察し
た結果を、第１表に示す。第１表でうねりはリードの長
さ5mm（5000μｍ）の区間内での凹凸の最も高い部分か
ら最も低い部分までの深さ、凹凸は凸部と隣合う凹部と
の高さの差を意味し、それぞれ第２図に示すAMAXおよび
BMAXに相当する。
0.8μｍの標準粗面化無酸素銅圧延箔および電解銅箔を
それぞれ用いてTABテープキャリアを製造した。それぞ
れ比較例１および比較例２とする。本発明および各比較
例で製造されたTABテープキャリアについて、リードの
縁の周期の長いうねりおよび周期の小さい凹凸を観察し
た結果を、第１表に示す。第１表でうねりはリードの長
さ5mm（5000μｍ）の区間内での凹凸の最も高い部分か
ら最も低い部分までの深さ、凹凸は凸部と隣合う凹部と
の高さの差を意味し、それぞれ第２図に示すAMAXおよび
BMAXに相当する。
第１表から明らかなように、低粗面化無酸素銅圧延箔
を用いたことにより、リード側面のうねりおよび周期の
小さい凹凸が明らかに小さくなり、すなわちリードの直
線性が向上している。電解銅箔の場合には、うねり、凹
凸とも非常に大きい。
を用いたことにより、リード側面のうねりおよび周期の
小さい凹凸が明らかに小さくなり、すなわちリードの直
線性が向上している。電解銅箔の場合には、うねり、凹
凸とも非常に大きい。
また比較のため低粗面化無酸素銅箔に、ハンダ電気め
っきの代わりに無電解錫めっき（硫酸系めっき浴を用
い、温度80℃）を施したものを製造した。これを比較例
３とする。本発明により製造したTAB用テープキャリア
と無電解錫めっきを用いた比較例３について、リード部
の諸性能、すなわちピール強度、耐熱試験後ピール強
度、マイグレーション耐性、PCT耐性を第２表に比較し
て示した。各めっき前のピール強度も併せて示した。マ
イグレーション耐性は、リード部間に35Vの直流電圧を
印加して温度60℃、相対湿度90％の恒温恒湿槽中に放置
したとき、リード部間の絶縁抵抗が109Ω以下となる時
間（hr）である。PCT耐性は121℃（２気圧飽和蒸気）の
水蒸気缶中に40時間置いた後、導体パターンを観察しハ
ンダめっきの変色（黒灰色化）を観察した結果を示す。
耐熱試験後ピール強度は、150℃の大気中に10時間放置
した後測定したピール強度を示す。
っきの代わりに無電解錫めっき（硫酸系めっき浴を用
い、温度80℃）を施したものを製造した。これを比較例
３とする。本発明により製造したTAB用テープキャリア
と無電解錫めっきを用いた比較例３について、リード部
の諸性能、すなわちピール強度、耐熱試験後ピール強
度、マイグレーション耐性、PCT耐性を第２表に比較し
て示した。各めっき前のピール強度も併せて示した。マ
イグレーション耐性は、リード部間に35Vの直流電圧を
印加して温度60℃、相対湿度90％の恒温恒湿槽中に放置
したとき、リード部間の絶縁抵抗が109Ω以下となる時
間（hr）である。PCT耐性は121℃（２気圧飽和蒸気）の
水蒸気缶中に40時間置いた後、導体パターンを観察しハ
ンダめっきの変色（黒灰色化）を観察した結果を示す。
耐熱試験後ピール強度は、150℃の大気中に10時間放置
した後測定したピール強度を示す。
第２表から明らかなように、本発明により製造された
TABテープキャリアは、無電解錫めっきを用いた比較例
３に比し、４種すべての特性において格段に優れてい
る。マイグレーション耐性は前述の実用的要求水準（50
0時間以上）を満たしている。
TABテープキャリアは、無電解錫めっきを用いた比較例
３に比し、４種すべての特性において格段に優れてい
る。マイグレーション耐性は前述の実用的要求水準（50
0時間以上）を満たしている。
〔実施例２〕 銅箔の厚さを18μｍとした以外は上記実施例１、比較
例１および比較例２と同じ材料および加工方法を用い
て、リード幅とリード間隔を各々10μｍ間隔で変えてTA
B用テープキャリアを製造した。リン脱酸銅箔に無電解
錫めっきを施したものも同様に製造した。
例１および比較例２と同じ材料および加工方法を用い
て、リード幅とリード間隔を各々10μｍ間隔で変えてTA
B用テープキャリアを製造した。リン脱酸銅箔に無電解
錫めっきを施したものも同様に製造した。
上記第２表のような諸特性を評価し、実用可能なリー
ド幅およびリード間隔を求めた。その結果を第３図に示
す。第３図では本発明によるもの、はRa＝0.8μｍ
の標準粗面化無酸素銅圧延箔にハンダ電気めっきしたも
の、は電解銅箔またはリン脱酸銅箔に無電解錫めっき
を施した従来法の結果を示している。第３図に示される
ように、銅箔の厚さを18μｍとした場合本発明による
と、リード幅最小20μｍ、リード間隔最小20μｍのリー
ド部をもつ実用的なTABテープキャリアが得られる。標
準粗面化無酸素銅圧延箔ではリード幅、リード間隔とも
30μｍが実用的な限界であった。電解銅箔またはリン脱
酸銅箔に無電解錫めっきを施した従来品では、リード
幅、リード間隔とも50μｍが実用的な限界であった。
ド幅およびリード間隔を求めた。その結果を第３図に示
す。第３図では本発明によるもの、はRa＝0.8μｍ
の標準粗面化無酸素銅圧延箔にハンダ電気めっきしたも
の、は電解銅箔またはリン脱酸銅箔に無電解錫めっき
を施した従来法の結果を示している。第３図に示される
ように、銅箔の厚さを18μｍとした場合本発明による
と、リード幅最小20μｍ、リード間隔最小20μｍのリー
ド部をもつ実用的なTABテープキャリアが得られる。標
準粗面化無酸素銅圧延箔ではリード幅、リード間隔とも
30μｍが実用的な限界であった。電解銅箔またはリン脱
酸銅箔に無電解錫めっきを施した従来品では、リード
幅、リード間隔とも50μｍが実用的な限界であった。
本発明のTAB用テープキャリアおよびその製造方法に
よると、電界下での経時劣化でリード部間の絶縁が低下
することなしに、リード部を従来より微細化（例えば、
銅箔の厚さが35μｍでリード部間隔が60μｍ以下）でき
るから、TAB法で製造されるIC素子の一層の高集積化が
可能になる。しかも、ピール強度の低下が抑制され、熱
や水分に対して安定になる。まためっき工程のコストの
低下により、製造コストが安くなる。
よると、電界下での経時劣化でリード部間の絶縁が低下
することなしに、リード部を従来より微細化（例えば、
銅箔の厚さが35μｍでリード部間隔が60μｍ以下）でき
るから、TAB法で製造されるIC素子の一層の高集積化が
可能になる。しかも、ピール強度の低下が抑制され、熱
や水分に対して安定になる。まためっき工程のコストの
低下により、製造コストが安くなる。
第１図（Ａ），（Ｂ）は本発明によるTAB用テープキャ
リアの一実施例の説明図、第２図はリードの縁のうねり
および凹凸の定義を示す略図、第３図は実用可能なリー
ド幅およびリード間隔の範囲を示すグラフ、第４図は従
来のTAB用テープキャリアの断面図、第５図は従来のTAB
用テープキャリアの平面図である。 符号の説明 １……絶縁フィルム ２……リード部 2a……仮連結部 2b……打ち抜き部 ３……デバイスホール ４……送り孔（パイロットホール） 20……エッチングによる除去部分 21……インナーリード部 42……接着剤
リアの一実施例の説明図、第２図はリードの縁のうねり
および凹凸の定義を示す略図、第３図は実用可能なリー
ド幅およびリード間隔の範囲を示すグラフ、第４図は従
来のTAB用テープキャリアの断面図、第５図は従来のTAB
用テープキャリアの平面図である。 符号の説明 １……絶縁フィルム ２……リード部 2a……仮連結部 2b……打ち抜き部 ３……デバイスホール ４……送り孔（パイロットホール） 20……エッチングによる除去部分 21……インナーリード部 42……接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−39794（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−183550（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−81451（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−276738（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−87638（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−18826（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁フィルム上に接着され、パターン形成
された金属層と、その表面の少なくとも一部に施された
錫またはハンダ層から成るTAB用テープキャリアにおい
て、 前記金属層は平均深さRaが0.4μｍを超えない表面粗さ
をもつ低粗面化した無酸素銅圧延箔であり、 前記錫またはハンダ層は電気めっきにより施された錫ま
たはハンダ層であることを特徴とする、 TAB用テープキャリア。 - 【請求項２】絶縁フィルム上に、平均深さRaが0.4μｍ
を超えない表面粗さになるように交流電解法により低粗
面化された無酸素銅圧延箔を接着し、前記無酸素銅圧延
箔に所定のパターンを形成し、前記無酸素銅圧延箔のパ
ターン上に錫またはハンダのめっき層を電気めっき法に
より施すことを特徴とするTAB用テープキャリアの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2077327A JPH0828404B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | Ｔａｂ用テープキャリアおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2077327A JPH0828404B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | Ｔａｂ用テープキャリアおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03276739A JPH03276739A (ja) | 1991-12-06 |
| JPH0828404B2 true JPH0828404B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=13630844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2077327A Expired - Fee Related JPH0828404B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | Ｔａｂ用テープキャリアおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828404B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521951A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-01-29 | Cmk Corp | 銅張積層板用銅箔 |
| JP3968788B2 (ja) | 1997-03-21 | 2007-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びフィルムキャリアテープの製造方法 |
| KR102844898B1 (ko) * | 2020-04-27 | 2025-08-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 회로기판, 센서 구동장치 및 이를 포함하는 카메라 모듈 |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP2077327A patent/JPH0828404B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03276739A (ja) | 1991-12-06 |
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