JPH08288452A - 集積回路装置，及びその製造方法 - Google Patents
集積回路装置，及びその製造方法Info
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- JPH08288452A JPH08288452A JP7094963A JP9496395A JPH08288452A JP H08288452 A JPH08288452 A JP H08288452A JP 7094963 A JP7094963 A JP 7094963A JP 9496395 A JP9496395 A JP 9496395A JP H08288452 A JPH08288452 A JP H08288452A
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高精度にかつ連続的にインピーダンス整合の
調整ができ、高周波信号の合成効率の良好な集積回路装
置およびその製造方法を提供する。 【構成】 熱可塑性樹脂体１２０は、入力インピーダン
ス整合回路５とＦＥＴ３のゲート電極の間，及びＦＥＴ
のドレイン電極と出力インピーダンス整合回路６の間を
接続している。熱可塑性樹脂体１２１は、その一端が入
力インピーダンス整合回路５に接続している。また、熱
可塑性樹脂体１２２は、出力インピーダンス整合回路６
と島状の導体膜からなるランド７の間を接続している。 【効果】 集積回路装置の高周波特性のばらつきを低減
させ、合成効率及びその再現性を向上させることが可能
となる。また、連続的なインピーダンス整合の調整が可
能となる。
調整ができ、高周波信号の合成効率の良好な集積回路装
置およびその製造方法を提供する。 【構成】 熱可塑性樹脂体１２０は、入力インピーダン
ス整合回路５とＦＥＴ３のゲート電極の間，及びＦＥＴ
のドレイン電極と出力インピーダンス整合回路６の間を
接続している。熱可塑性樹脂体１２１は、その一端が入
力インピーダンス整合回路５に接続している。また、熱
可塑性樹脂体１２２は、出力インピーダンス整合回路６
と島状の導体膜からなるランド７の間を接続している。 【効果】 集積回路装置の高周波特性のばらつきを低減
させ、合成効率及びその再現性を向上させることが可能
となる。また、連続的なインピーダンス整合の調整が可
能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、集積回路装置，及び
その製造方法に関し、特に高周波帯において用いる集積
回路装置，及びその製造方法に関するものである。
その製造方法に関し、特に高周波帯において用いる集積
回路装置，及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の集積回路装置を示す上面図
で、１は入力側基板，２は出力側基板，３は電界効果ト
ランジスタ（以後、ＦＥＴと記す），４はＡｕ等からな
るワイヤ，５は入力側基板上に設けられた入力インピー
ダンス整合回路，６は出力側基板上に設けられた出力イ
ンピーダンス整合回路，７はＡｕ等の導体膜からなるラ
ンド，１１は半導体基板である。基板１，２はアルミナ
等の誘電体からなり、入力及び出力インピーダンス整合
回路はＡｕ等の導体膜からなるものである。
で、１は入力側基板，２は出力側基板，３は電界効果ト
ランジスタ（以後、ＦＥＴと記す），４はＡｕ等からな
るワイヤ，５は入力側基板上に設けられた入力インピー
ダンス整合回路，６は出力側基板上に設けられた出力イ
ンピーダンス整合回路，７はＡｕ等の導体膜からなるラ
ンド，１１は半導体基板である。基板１，２はアルミナ
等の誘電体からなり、入力及び出力インピーダンス整合
回路はＡｕ等の導体膜からなるものである。
【０００３】図５は図４のＦＥＴ３を拡大したもので、
８はゲート電極，９はドレイン電極，１０はソース電
極，１１はＧａＡｓ，Ｓｉ等の半導体基板である。半導
体基板１１上に複数のＦＥＴ３が設けられている。この
半導体基板１１は全ＦＥＴにわたって一体のものであ
り、互いに隣接するＦＥＴのゲート電極８，ドレイン電
極９も連続したものである。これは互いに隣接するＦＥ
Ｔの電極を接続しないと不要なループが形成されて発振
し易くなるためである。さらに、各ＦＥＴ３におけるゲ
ート電極８及びドレイン電極９は、図４に示したワイヤ
４により、それぞれ入力側基板１上の入力インピーダン
ス整合回路５及び出力側基板２上の出力インピーダンス
整合回路６と接続されている。また図では省略している
が、ソース電極１０は、エアブリッジと呼ばれる空中配
線によって互いに接続され、さらに半導体基板１１の裏
面の金属層とバイアホールを通じて接続されている。ま
た、この例ではＦＥＴ３は、４本のくし型のゲート８ａ
を有している。なおこの例では、ＦＥＴの表面を保護す
るための絶縁膜が形成されていないが、もしこのような
保護絶縁膜が形成されている場合は、ゲート電極８，ド
レイン電極９のワイヤ４が接続される位置の近傍の領域
に１００μｍ×１００μｍ程度の絶縁膜開口部を設けて
この開口部においてワイヤボンディングが可能となるよ
うにすればよい。
８はゲート電極，９はドレイン電極，１０はソース電
極，１１はＧａＡｓ，Ｓｉ等の半導体基板である。半導
体基板１１上に複数のＦＥＴ３が設けられている。この
半導体基板１１は全ＦＥＴにわたって一体のものであ
り、互いに隣接するＦＥＴのゲート電極８，ドレイン電
極９も連続したものである。これは互いに隣接するＦＥ
Ｔの電極を接続しないと不要なループが形成されて発振
し易くなるためである。さらに、各ＦＥＴ３におけるゲ
ート電極８及びドレイン電極９は、図４に示したワイヤ
４により、それぞれ入力側基板１上の入力インピーダン
ス整合回路５及び出力側基板２上の出力インピーダンス
整合回路６と接続されている。また図では省略している
が、ソース電極１０は、エアブリッジと呼ばれる空中配
線によって互いに接続され、さらに半導体基板１１の裏
面の金属層とバイアホールを通じて接続されている。ま
た、この例ではＦＥＴ３は、４本のくし型のゲート８ａ
を有している。なおこの例では、ＦＥＴの表面を保護す
るための絶縁膜が形成されていないが、もしこのような
保護絶縁膜が形成されている場合は、ゲート電極８，ド
レイン電極９のワイヤ４が接続される位置の近傍の領域
に１００μｍ×１００μｍ程度の絶縁膜開口部を設けて
この開口部においてワイヤボンディングが可能となるよ
うにすればよい。
【０００４】この集積回路装置においては、入力信号は
入力インピーダンス整合回路５を介して各ＦＥＴ３のゲ
ート電極に供給され、各ＦＥＴで増幅された信号は各ド
レイン電極から出力インピーダンス整合回路６に伝えら
れ、ここで合成される。
入力インピーダンス整合回路５を介して各ＦＥＴ３のゲ
ート電極に供給され、各ＦＥＴで増幅された信号は各ド
レイン電極から出力インピーダンス整合回路６に伝えら
れ、ここで合成される。
【０００５】一般にマイクロ波帯以上の高周波帯でのイ
ンピーダンス整合は、入出力インピーダンス整合回路の
パターン幅，長さを変化させることにより調整すること
ができる。実際には、基板１，２上に島状の導体パター
ンであるランド７を予め設けておき、必要に応じてこれ
をインピーダンス整合回路パターン５，６とワイヤ４に
より接続することにより調整する手法が一般的に行われ
ている。
ンピーダンス整合は、入出力インピーダンス整合回路の
パターン幅，長さを変化させることにより調整すること
ができる。実際には、基板１，２上に島状の導体パター
ンであるランド７を予め設けておき、必要に応じてこれ
をインピーダンス整合回路パターン５，６とワイヤ４に
より接続することにより調整する手法が一般的に行われ
ている。
【０００６】しかしながら、このワイヤ４による調整で
は、あらかじめランド７を基板上に形成しておく必要が
あり、またインピーダンスの調整も連続的な調整は不可
能であり、離散的にしかできない問題があった。また、
ＦＥＴの電極にワイヤ４をボンディングするためには、
電極上に１００μｍ角以上のスペースを確保する必要が
あり、半導体基板１１上の微細な領域にランドを設け
て、これとＦＥＴの電極をワイヤで接続してインピーダ
ンスを調整することは困難であった。さらにワイヤ４は
張られている形状が湾曲形状をなしており、この形状の
微妙な差異により、そのインダクタンスやキャパシタン
スが変化し、高周波における電気特性が変化してしまう
ため、インピーダンス整合の精度を向上させることが困
難であるという問題もあった。
は、あらかじめランド７を基板上に形成しておく必要が
あり、またインピーダンスの調整も連続的な調整は不可
能であり、離散的にしかできない問題があった。また、
ＦＥＴの電極にワイヤ４をボンディングするためには、
電極上に１００μｍ角以上のスペースを確保する必要が
あり、半導体基板１１上の微細な領域にランドを設け
て、これとＦＥＴの電極をワイヤで接続してインピーダ
ンスを調整することは困難であった。さらにワイヤ４は
張られている形状が湾曲形状をなしており、この形状の
微妙な差異により、そのインダクタンスやキャパシタン
スが変化し、高周波における電気特性が変化してしまう
ため、インピーダンス整合の精度を向上させることが困
難であるという問題もあった。
【０００７】また、上記のような集積回路装置において
は、同一の半導体基板１１上にＦＥＴ３が複数形成され
ており、ＦＥＴが作製された時点でゲート電極８，ソー
ス電極１０，ドレイン電極１１はそれぞれＦＥＴ間で接
続されているため、各ＦＥＴごとの電気特性を測定する
ことはできない。このため、集積回路装置が作製された
後の直流特性の検査においては、全ＦＥＴの平均的な特
性が得られるのみであり、ＦＥＴ間での動作の不均一性
を評価することはできない。従って、この集積回路で電
気特性に関する不良が発生しても、その原因となってい
るＦＥＴを特定することができず、製造歩留まりを向上
させることは困難であった。さらにまた、上記の集積回
路装置では、各ＦＥＴ間に不要な帰還が生じ易く、これ
による不要発振が起こり易い問題があった。
は、同一の半導体基板１１上にＦＥＴ３が複数形成され
ており、ＦＥＴが作製された時点でゲート電極８，ソー
ス電極１０，ドレイン電極１１はそれぞれＦＥＴ間で接
続されているため、各ＦＥＴごとの電気特性を測定する
ことはできない。このため、集積回路装置が作製された
後の直流特性の検査においては、全ＦＥＴの平均的な特
性が得られるのみであり、ＦＥＴ間での動作の不均一性
を評価することはできない。従って、この集積回路で電
気特性に関する不良が発生しても、その原因となってい
るＦＥＴを特定することができず、製造歩留まりを向上
させることは困難であった。さらにまた、上記の集積回
路装置では、各ＦＥＴ間に不要な帰還が生じ易く、これ
による不要発振が起こり易い問題があった。
【０００８】また、上記の集積回路装置では、入力側基
板１または出力側基板２と半導体基板上に形成されたＦ
ＥＴ３との間をワイヤ４により接続しているために、ワ
イヤの湾曲形状の差異により各ＦＥＴに接続されている
ワイヤの長さが異なり、各ワイヤの寄生インダクタンス
の値が異なってしまうため、高周波帯における各ＦＥＴ
セルからの信号の出力側での合成効率が悪化するととも
に、高周波特性のばらつきが大きくなる問題があった。
板１または出力側基板２と半導体基板上に形成されたＦ
ＥＴ３との間をワイヤ４により接続しているために、ワ
イヤの湾曲形状の差異により各ＦＥＴに接続されている
ワイヤの長さが異なり、各ワイヤの寄生インダクタンス
の値が異なってしまうため、高周波帯における各ＦＥＴ
セルからの信号の出力側での合成効率が悪化するととも
に、高周波特性のばらつきが大きくなる問題があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、上記の
従来の集積回路装置においては、インピーダンス整合の
調整は、ランドを用いた離散的な調整しかできず、ワイ
ヤ形状の影響によりインピーダンス整合の調整の精度も
悪い。また、ＦＥＴセルの動作の不均一性を評価するこ
とができないため、製造歩留まりを向上させることが難
しい。さらに、不要な帰還による不要発振が生じ易く、
また高周波信号の合成効率が悪いなどの問題点があっ
た。
従来の集積回路装置においては、インピーダンス整合の
調整は、ランドを用いた離散的な調整しかできず、ワイ
ヤ形状の影響によりインピーダンス整合の調整の精度も
悪い。また、ＦＥＴセルの動作の不均一性を評価するこ
とができないため、製造歩留まりを向上させることが難
しい。さらに、不要な帰還による不要発振が生じ易く、
また高周波信号の合成効率が悪いなどの問題点があっ
た。
【００１０】この発明は上記のような問題に鑑みなされ
たもので、高精度にかつ連続的にインピーダンス整合の
調整ができるとともに、ＦＥＴセルの不均一動作を検査
でき、さらに不要な発振を防止でき、高周波信号の合成
効率の良好な集積回路装置およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。
たもので、高精度にかつ連続的にインピーダンス整合の
調整ができるとともに、ＦＥＴセルの不均一動作を検査
でき、さらに不要な発振を防止でき、高周波信号の合成
効率の良好な集積回路装置およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明（請求項１）に
係る集積回路装置は、半導体または誘電体からなる基板
上に、回路要素とこの回路要素に電気的に接続された熱
可塑性樹脂体とが設けられているものである。
係る集積回路装置は、半導体または誘電体からなる基板
上に、回路要素とこの回路要素に電気的に接続された熱
可塑性樹脂体とが設けられているものである。
【００１２】この発明（請求項２）に係る集積回路装置
は、上記の集積回路装置（請求項１）において、複数の
上記回路要素を備え、上記熱可塑性樹脂体が上記回路要
素の間を電気的に接続するものである。
は、上記の集積回路装置（請求項１）において、複数の
上記回路要素を備え、上記熱可塑性樹脂体が上記回路要
素の間を電気的に接続するものである。
【００１３】この発明（請求項３）に係る集積回路装置
は、上記の集積回路装置（請求項２）において、上記回
路要素がＦＥＴを含むものである。
は、上記の集積回路装置（請求項２）において、上記回
路要素がＦＥＴを含むものである。
【００１４】この発明（請求項４）に係る集積回路装置
は、上記の集積回路装置（請求項２または３）におい
て、上記回路要素が複数の上記基板上に設けられてお
り、上記熱可塑性樹脂体が異なる上記基板上に形成され
た回路要素の間を接続しているものである。
は、上記の集積回路装置（請求項２または３）におい
て、上記回路要素が複数の上記基板上に設けられてお
り、上記熱可塑性樹脂体が異なる上記基板上に形成され
た回路要素の間を接続しているものである。
【００１５】この発明（請求項５）に係る集積回路装置
は、上記の集積回路装置（請求項４）において、上記回
路要素が誘電体からなる第１の基板上に設けられた入力
インピーダンス整合回路，半導体からなる第２の基板上
に設けられたＦＥＴ，及び誘電体からなる第３の基板上
に設けられた出力インピーダンス整合回路を含むもので
あり、上記熱可塑性樹脂体が上記入力インピーダンス整
合回路と上記ＦＥＴのゲート電極の間，及び上記ＦＥＴ
のドレイン電極と出力インピーダンス整合回路の間を接
続しているものである。
は、上記の集積回路装置（請求項４）において、上記回
路要素が誘電体からなる第１の基板上に設けられた入力
インピーダンス整合回路，半導体からなる第２の基板上
に設けられたＦＥＴ，及び誘電体からなる第３の基板上
に設けられた出力インピーダンス整合回路を含むもので
あり、上記熱可塑性樹脂体が上記入力インピーダンス整
合回路と上記ＦＥＴのゲート電極の間，及び上記ＦＥＴ
のドレイン電極と出力インピーダンス整合回路の間を接
続しているものである。
【００１６】この発明（請求項６）に係る集積回路装置
は、上記の集積回路装置（請求項１ないし５のいずれ
か）において、上記熱可塑性樹脂体がインピーダンス整
合回路の少なくとも一部を構成するものである。
は、上記の集積回路装置（請求項１ないし５のいずれ
か）において、上記熱可塑性樹脂体がインピーダンス整
合回路の少なくとも一部を構成するものである。
【００１７】この発明（請求項７）に係る集積回路装置
は、上記の集積回路装置（請求項６）において、上記回
路要素が基板上に設けられたインピーダンス整合回路部
を含むものであり、上記熱可塑性樹脂体が上記インピー
ダンス整合回路部にその一端が接続されて、このインピ
ーダンス整合回路部とともに上記インピーダンス整合回
路を構成するものである。
は、上記の集積回路装置（請求項６）において、上記回
路要素が基板上に設けられたインピーダンス整合回路部
を含むものであり、上記熱可塑性樹脂体が上記インピー
ダンス整合回路部にその一端が接続されて、このインピ
ーダンス整合回路部とともに上記インピーダンス整合回
路を構成するものである。
【００１８】この発明（請求項８）に係る集積回路装置
は、上記の集積回路装置（請求項６）において、上記回
路要素が基板上に設けられたインピーダンス整合回路部
及びこの基板上に設けられた島状の導体膜からなるラン
ドを含むものであり、上記熱可塑性樹脂体が上記インピ
ーダンス整合回路部と上記ランドの間を接続するように
設けられて、上記インピーダンス整合回路部及び上記熱
可塑性樹脂体によりこれに接続された上記ランドととも
に上記インピーダンス整合回路を構成するものである。
は、上記の集積回路装置（請求項６）において、上記回
路要素が基板上に設けられたインピーダンス整合回路部
及びこの基板上に設けられた島状の導体膜からなるラン
ドを含むものであり、上記熱可塑性樹脂体が上記インピ
ーダンス整合回路部と上記ランドの間を接続するように
設けられて、上記インピーダンス整合回路部及び上記熱
可塑性樹脂体によりこれに接続された上記ランドととも
に上記インピーダンス整合回路を構成するものである。
【００１９】この発明（請求項９）に係る集積回路装置
は、上記の集積回路装置（請求項１ないし８のいずれ
か）において、上記回路要素上に形成され、この回路要
素上の，この回路要素を上記熱可塑性樹脂体により他の
回路要素と電気的に接続するための領域に開口部を有す
る絶縁膜を備えたものである。
は、上記の集積回路装置（請求項１ないし８のいずれ
か）において、上記回路要素上に形成され、この回路要
素上の，この回路要素を上記熱可塑性樹脂体により他の
回路要素と電気的に接続するための領域に開口部を有す
る絶縁膜を備えたものである。
【００２０】この発明（請求項１０）に係る集積回路装
置は、上記の集積回路装置（請求項１ないし９のいずれ
か）において、上記熱可塑性樹脂体が電気良導体である
ものである。
置は、上記の集積回路装置（請求項１ないし９のいずれ
か）において、上記熱可塑性樹脂体が電気良導体である
ものである。
【００２１】この発明（請求項１１）に係る集積回路装
置は、上記の集積回路装置（請求項１ないし９のいずれ
か）において、上記熱可塑性樹脂体が電気抵抗体である
ものである。
置は、上記の集積回路装置（請求項１ないし９のいずれ
か）において、上記熱可塑性樹脂体が電気抵抗体である
ものである。
【００２２】この発明（請求項１２）に係る集積回路装
置は、上記の集積回路装置（請求項１ないし１１のいず
れか）において、上記熱可塑性樹脂体が導電性粒子を含
む熱可塑性ポリイミド樹脂からなるものである。
置は、上記の集積回路装置（請求項１ないし１１のいず
れか）において、上記熱可塑性樹脂体が導電性粒子を含
む熱可塑性ポリイミド樹脂からなるものである。
【００２３】この発明（請求項１３）に係る集積回路装
置は、半導体または誘電体からなる基板上に形成された
複数のＦＥＴを含む回路要素と、上記複数のＦＥＴのゲ
ート電極相互間，ソース電極相互間，またはドレイン電
極相互間のそれぞれを直接電気的に接続する導電性配線
を備えたものである。
置は、半導体または誘電体からなる基板上に形成された
複数のＦＥＴを含む回路要素と、上記複数のＦＥＴのゲ
ート電極相互間，ソース電極相互間，またはドレイン電
極相互間のそれぞれを直接電気的に接続する導電性配線
を備えたものである。
【００２４】この発明（請求項１４）に係る集積回路装
置は、半導体または誘電体からなる基板上に形成された
複数のＦＥＴ，及びこの複数のＦＥＴの内少なくとも一
部のＦＥＴの間の領域に形成された電気抵抗体を含む回
路要素と、上記複数のＦＥＴのゲート電極相互間，ソー
ス電極相互間，またはドレイン電極相互間のそれぞれを
直接または上記電気抵抗体を介して電気的に接続する導
電性配線とを備えたものである。
置は、半導体または誘電体からなる基板上に形成された
複数のＦＥＴ，及びこの複数のＦＥＴの内少なくとも一
部のＦＥＴの間の領域に形成された電気抵抗体を含む回
路要素と、上記複数のＦＥＴのゲート電極相互間，ソー
ス電極相互間，またはドレイン電極相互間のそれぞれを
直接または上記電気抵抗体を介して電気的に接続する導
電性配線とを備えたものである。
【００２５】この発明（請求項１５）に係る集積回路装
置は、上記の集積回路装置（請求項１３または１４）に
おいて、上記回路要素上に形成され、この回路要素上
の，この回路要素を上記導電性配線により他の回路要素
と電気的に接続するための領域に開口部を有する絶縁膜
を備えているものである。
置は、上記の集積回路装置（請求項１３または１４）に
おいて、上記回路要素上に形成され、この回路要素上
の，この回路要素を上記導電性配線により他の回路要素
と電気的に接続するための領域に開口部を有する絶縁膜
を備えているものである。
【００２６】この発明（請求項１６）に係る集積回路装
置は、上記の集積回路装置（請求項１３ないし１５のい
ずれか）において、上記導電性配線が電気良導体からな
るものである。
置は、上記の集積回路装置（請求項１３ないし１５のい
ずれか）において、上記導電性配線が電気良導体からな
るものである。
【００２７】この発明（請求項１７）に係る集積回路装
置は、上記の集積回路装置（請求項１６）において、上
記電気良導体が金属からなるものである。
置は、上記の集積回路装置（請求項１６）において、上
記電気良導体が金属からなるものである。
【００２８】この発明（請求項１８）に係る集積回路装
置は、上記の集積回路装置（請求項１３ないし１５のい
ずれか）において、上記導電性配線が電気抵抗体からな
るものである。
置は、上記の集積回路装置（請求項１３ないし１５のい
ずれか）において、上記導電性配線が電気抵抗体からな
るものである。
【００２９】この発明（請求項１９）に係る集積回路装
置は、上記の集積回路装置（請求項１８）において、上
記電気抵抗体が高融点金属からなるものである。
置は、上記の集積回路装置（請求項１８）において、上
記電気抵抗体が高融点金属からなるものである。
【００３０】この発明（請求項２０）に係る集積回路装
置は、上記の集積回路装置（請求項１３ないし１５のい
ずれか）において、上記導電性配線が熱可塑性樹脂体か
らなるものである。
置は、上記の集積回路装置（請求項１３ないし１５のい
ずれか）において、上記導電性配線が熱可塑性樹脂体か
らなるものである。
【００３１】この発明（請求項２１）に係る集積回路装
置は、上記の集積回路装置（請求項２０）において、上
記熱可塑性樹脂体が電気良導体であるものである。
置は、上記の集積回路装置（請求項２０）において、上
記熱可塑性樹脂体が電気良導体であるものである。
【００３２】この発明（請求項２２）に係る集積回路装
置は、上記の集積回路装置（請求項２０）において、上
記熱可塑性樹脂体が電気抵抗体であるものである。
置は、上記の集積回路装置（請求項２０）において、上
記熱可塑性樹脂体が電気抵抗体であるものである。
【００３３】この発明（請求項２３）に係る集積回路装
置は、上記の集積回路装置（請求項２０ないし２２のい
ずれか）において、上記熱可塑性樹脂体が導電性粒子を
含む熱可塑性ポリイミド樹脂からなるものである。
置は、上記の集積回路装置（請求項２０ないし２２のい
ずれか）において、上記熱可塑性樹脂体が導電性粒子を
含む熱可塑性ポリイミド樹脂からなるものである。
【００３４】この発明（請求項２４）に係る集積回路装
置は、半導体または誘電体からなる基板上に設けられた
ＦＥＴを含む回路要素と、このＦＥＴ上または上記基板
上のこのＦＥＴに隣接する領域に設けられた磁性体とを
備えたものである。
置は、半導体または誘電体からなる基板上に設けられた
ＦＥＴを含む回路要素と、このＦＥＴ上または上記基板
上のこのＦＥＴに隣接する領域に設けられた磁性体とを
備えたものである。
【００３５】この発明（請求項２５）に係る集積回路装
置は、上記の集積回路装置（請求項２４）において、上
記磁性体が樹脂により上記ＦＥＴまたは上記基板に接着
されているものである。
置は、上記の集積回路装置（請求項２４）において、上
記磁性体が樹脂により上記ＦＥＴまたは上記基板に接着
されているものである。
【００３６】この発明（請求項２６）に係る集積回路装
置は、上記の集積回路装置（請求項２５）において、上
記樹脂が熱可塑性樹脂であるものである。
置は、上記の集積回路装置（請求項２５）において、上
記樹脂が熱可塑性樹脂であるものである。
【００３７】この発明（請求項２７）に係る集積回路装
置は、上記の集積回路装置（請求項２６）において、上
記熱可塑性樹脂が熱可塑性ポリイミド樹脂であるもので
ある。
置は、上記の集積回路装置（請求項２６）において、上
記熱可塑性樹脂が熱可塑性ポリイミド樹脂であるもので
ある。
【００３８】この発明（請求項２８）に係る集積回路装
置は、上記の集積回路装置（請求項２４ないし２７のい
ずれか）において、上記磁性体が磁性粒子を含む熱可塑
性樹脂からなるものである。
置は、上記の集積回路装置（請求項２４ないし２７のい
ずれか）において、上記磁性体が磁性粒子を含む熱可塑
性樹脂からなるものである。
【００３９】この発明（請求項２９）に係る集積回路装
置は、上記の集積回路装置（請求項２８）において、上
記熱可塑性樹脂が熱可塑性ポリイミド樹脂からなるもの
である。
置は、上記の集積回路装置（請求項２８）において、上
記熱可塑性樹脂が熱可塑性ポリイミド樹脂からなるもの
である。
【００４０】この発明（請求項３０）に係る集積回路装
置は、上記の集積回路装置（請求項２８または２９）に
おいて、上記磁性粒子がフェライトからなるものであ
る。
置は、上記の集積回路装置（請求項２８または２９）に
おいて、上記磁性粒子がフェライトからなるものであ
る。
【００４１】この発明（請求項３１）に係る集積回路装
置の製造方法は、半導体または誘電体からなる基板上に
回路要素を形成する工程と、この回路要素に電気的に接
続するように熱可塑性樹脂体を形成する工程とを含むも
のである。
置の製造方法は、半導体または誘電体からなる基板上に
回路要素を形成する工程と、この回路要素に電気的に接
続するように熱可塑性樹脂体を形成する工程とを含むも
のである。
【００４２】この発明（請求項３２）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３１）において、上記回路要素を形成する工程が複数
の上記回路要素を形成するものであり、上記熱可塑性樹
脂体を形成する工程が上記回路要素の間を電気的に接続
するように上記熱可塑性樹脂体を形成するものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３１）において、上記回路要素を形成する工程が複数
の上記回路要素を形成するものであり、上記熱可塑性樹
脂体を形成する工程が上記回路要素の間を電気的に接続
するように上記熱可塑性樹脂体を形成するものである。
【００４３】この発明（請求項３３）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３２）において、上記回路要素がＦＥＴを含むもので
ある。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３２）において、上記回路要素がＦＥＴを含むもので
ある。
【００４４】この発明（請求項３４）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３２または３３）において、上記回路要素を形成する
工程が複数の上記基板上に上記回路要素を形成するもの
であり、上記熱可塑性樹脂体を形成する工程が異なる上
記基板上に形成された回路要素の間を接続するように上
記熱可塑性樹脂体を形成するものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３２または３３）において、上記回路要素を形成する
工程が複数の上記基板上に上記回路要素を形成するもの
であり、上記熱可塑性樹脂体を形成する工程が異なる上
記基板上に形成された回路要素の間を接続するように上
記熱可塑性樹脂体を形成するものである。
【００４５】この発明（請求項３５）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３４）において、上記回路要素を形成する工程が誘電
体からなる第１の基板上に設けられる入力インピーダン
ス整合回路，半導体からなる第２の基板上に設けられる
ＦＥＴ，及び誘電体からなる第３の基板上に設けられる
出力インピーダンス整合回路を含む上記回路要素を形成
するものであり、上記熱可塑性樹脂体を形成する工程が
上記入力インピーダンス整合回路と上記ＦＥＴのゲート
電極の間，及び上記ＦＥＴのドレイン電極と出力インピ
ーダンス整合回路の間を接続するように上記熱可塑性樹
脂体を形成するものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３４）において、上記回路要素を形成する工程が誘電
体からなる第１の基板上に設けられる入力インピーダン
ス整合回路，半導体からなる第２の基板上に設けられる
ＦＥＴ，及び誘電体からなる第３の基板上に設けられる
出力インピーダンス整合回路を含む上記回路要素を形成
するものであり、上記熱可塑性樹脂体を形成する工程が
上記入力インピーダンス整合回路と上記ＦＥＴのゲート
電極の間，及び上記ＦＥＴのドレイン電極と出力インピ
ーダンス整合回路の間を接続するように上記熱可塑性樹
脂体を形成するものである。
【００４６】この発明（請求項３６）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３１ないし３５のいずれか）において、上記回路要素
を形成する工程の後に、この回路要素の電気特性を測定
する工程を含み、上記熱可塑性樹脂体を形成する工程
が、上記回路要素の電気特性を測定する工程の後、この
電気特性に応じて上記熱可塑性樹脂体を形成するもので
ある。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３１ないし３５のいずれか）において、上記回路要素
を形成する工程の後に、この回路要素の電気特性を測定
する工程を含み、上記熱可塑性樹脂体を形成する工程
が、上記回路要素の電気特性を測定する工程の後、この
電気特性に応じて上記熱可塑性樹脂体を形成するもので
ある。
【００４７】この発明（請求項３７）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３１ないし３５のいずれか）において、上記熱可塑性
樹脂体を形成する工程がインピーダンス整合回路の少な
くとも一部を構成するように熱可塑性樹脂体を形成する
ものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３１ないし３５のいずれか）において、上記熱可塑性
樹脂体を形成する工程がインピーダンス整合回路の少な
くとも一部を構成するように熱可塑性樹脂体を形成する
ものである。
【００４８】この発明（請求項３８）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３７）において、上記回路要素を形成する工程がイン
ピーダンス整合回路部を含む回路要素を形成するもので
あり、上記回路要素を形成する工程の後に、上記回路要
素の高周波特性を測定する工程を含み、上記熱可塑性樹
脂体を形成する工程が上記回路要素の高周波特性を測定
する工程の後に、この回路要素の高周波特性に応じて、
上記インピーダンス整合回路部に接続するように上記熱
可塑性樹脂体を形成して、この熱可塑性樹脂体及び上記
インピーダンス整合回路部を含む上記インピーダンス整
合回路を形成するものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３７）において、上記回路要素を形成する工程がイン
ピーダンス整合回路部を含む回路要素を形成するもので
あり、上記回路要素を形成する工程の後に、上記回路要
素の高周波特性を測定する工程を含み、上記熱可塑性樹
脂体を形成する工程が上記回路要素の高周波特性を測定
する工程の後に、この回路要素の高周波特性に応じて、
上記インピーダンス整合回路部に接続するように上記熱
可塑性樹脂体を形成して、この熱可塑性樹脂体及び上記
インピーダンス整合回路部を含む上記インピーダンス整
合回路を形成するものである。
【００４９】この発明（請求項３９）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３７）において、上記回路要素を形成する工程がイン
ピーダンス整合回路部及び島状の導体膜からなる一つま
たは複数のランドを含む回路要素を形成するものであ
り、上記回路要素を形成する工程の後に、上記回路要素
の高周波特性を測定する工程を含み、上記熱可塑性樹脂
体を形成する工程が上記回路要素の高周波特性を測定す
る工程の後に、この回路要素の高周波特性に応じて、上
記ランドの中から選択されたものと上記インピーダンス
整合回路部とを接続するように上記熱可塑性樹脂体を形
成して、この熱可塑性樹脂体，上記の選択されたランド
及び上記インピーダンス整合回路部を含む上記インピー
ダンス整合回路を形成するものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３７）において、上記回路要素を形成する工程がイン
ピーダンス整合回路部及び島状の導体膜からなる一つま
たは複数のランドを含む回路要素を形成するものであ
り、上記回路要素を形成する工程の後に、上記回路要素
の高周波特性を測定する工程を含み、上記熱可塑性樹脂
体を形成する工程が上記回路要素の高周波特性を測定す
る工程の後に、この回路要素の高周波特性に応じて、上
記ランドの中から選択されたものと上記インピーダンス
整合回路部とを接続するように上記熱可塑性樹脂体を形
成して、この熱可塑性樹脂体，上記の選択されたランド
及び上記インピーダンス整合回路部を含む上記インピー
ダンス整合回路を形成するものである。
【００５０】この発明（請求項４０）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３１ないし３９のいずれか）において、上記回路要素
を形成する工程の後に、上記回路要素上に絶縁膜を形成
し、この絶縁膜の，上記回路要素を他の回路要素と電気
的に接続するための領域に上記絶縁膜の開口部を形成す
る工程を含み、上記熱可塑性樹脂体を形成する工程が上
記熱可塑性樹脂体を上記絶縁膜の開口部において上記回
路要素と接続されるように形成するものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３１ないし３９のいずれか）において、上記回路要素
を形成する工程の後に、上記回路要素上に絶縁膜を形成
し、この絶縁膜の，上記回路要素を他の回路要素と電気
的に接続するための領域に上記絶縁膜の開口部を形成す
る工程を含み、上記熱可塑性樹脂体を形成する工程が上
記熱可塑性樹脂体を上記絶縁膜の開口部において上記回
路要素と接続されるように形成するものである。
【００５１】この発明（請求項４１）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３１ないし４０のいずれか）において、上記熱可塑性
樹脂体が電気良導体であるものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３１ないし４０のいずれか）において、上記熱可塑性
樹脂体が電気良導体であるものである。
【００５２】この発明（請求項４２）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３１ないし４０のいずれか）において、上記熱可塑性
樹脂体が電気抵抗体であるものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３１ないし４０のいずれか）において、上記熱可塑性
樹脂体が電気抵抗体であるものである。
【００５３】この発明（請求項４３）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３１ないし４２のいずれか）において、上記熱可塑性
樹脂体が導電性粒子を含む熱可塑性ポリイミド樹脂から
なるものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項３１ないし４２のいずれか）において、上記熱可塑性
樹脂体が導電性粒子を含む熱可塑性ポリイミド樹脂から
なるものである。
【００５４】この発明（請求項４４）に係る集積回路装
置の製造方法は、半導体または誘電体からなる基板上に
複数のＦＥＴを含む回路要素を形成する工程と、上記複
数のＦＥＴのゲート電極相互間，ソース電極相互間，ま
たはドレイン電極相互間のそれぞれを直接電気的に接続
するように導電性配線を形成する工程とを含むものであ
る。
置の製造方法は、半導体または誘電体からなる基板上に
複数のＦＥＴを含む回路要素を形成する工程と、上記複
数のＦＥＴのゲート電極相互間，ソース電極相互間，ま
たはドレイン電極相互間のそれぞれを直接電気的に接続
するように導電性配線を形成する工程とを含むものであ
る。
【００５５】この発明（請求項４５）に係る集積回路装
置の製造方法は、半導体または誘電体からなる基板上
に、複数のＦＥＴ，及びこの複数のＦＥＴの内少なくと
も一部ＦＥＴの間の領域に設けられる電気抵抗体を含む
回路要素を形成する工程と、上記複数のＦＥＴのゲート
電極相互間，ソース電極相互間，またはドレイン電極相
互間のそれぞれを直接または上記電気抵抗体を介して電
気的に接続する導電性配線を形成する工程とを含むもの
である。
置の製造方法は、半導体または誘電体からなる基板上
に、複数のＦＥＴ，及びこの複数のＦＥＴの内少なくと
も一部ＦＥＴの間の領域に設けられる電気抵抗体を含む
回路要素を形成する工程と、上記複数のＦＥＴのゲート
電極相互間，ソース電極相互間，またはドレイン電極相
互間のそれぞれを直接または上記電気抵抗体を介して電
気的に接続する導電性配線を形成する工程とを含むもの
である。
【００５６】この発明（請求項４６）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項４４または４５）において、上記回路要素上に絶縁膜
を形成し、この回路要素上の，この回路要素を他の回路
要素と電気的に接続するための領域に上記絶縁膜の開口
部を形成する工程を含み、上記導電性配線を形成する工
程が上記絶縁膜を形成する工程の後、この導電性配線を
上記絶縁膜の開口部において上記回路要素と接続するよ
うに形成するものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項４４または４５）において、上記回路要素上に絶縁膜
を形成し、この回路要素上の，この回路要素を他の回路
要素と電気的に接続するための領域に上記絶縁膜の開口
部を形成する工程を含み、上記導電性配線を形成する工
程が上記絶縁膜を形成する工程の後、この導電性配線を
上記絶縁膜の開口部において上記回路要素と接続するよ
うに形成するものである。
【００５７】この発明（請求項４７）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項４４ないし４６のいずれか）において、上記回路要素
を形成する工程の後に、上記各ＦＥＴの電気特性を測定
する工程を含み、上記導電性配線を形成する工程が上記
各ＦＥＴの電気特性を測定する工程の後、この電気特性
に応じて上記導電性配線を形成するものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項４４ないし４６のいずれか）において、上記回路要素
を形成する工程の後に、上記各ＦＥＴの電気特性を測定
する工程を含み、上記導電性配線を形成する工程が上記
各ＦＥＴの電気特性を測定する工程の後、この電気特性
に応じて上記導電性配線を形成するものである。
【００５８】この発明（請求項４８）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項４４ないし４７のいずれか）において、上記導電性配
線が電気良導体からなるものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項４４ないし４７のいずれか）において、上記導電性配
線が電気良導体からなるものである。
【００５９】この発明（請求項４９）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項４８）において、上記電気良導体が金属からなるもの
である。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項４８）において、上記電気良導体が金属からなるもの
である。
【００６０】この発明（請求項５０）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項４４ないし４７のいずれか）において、上記導電性配
線が電気抵抗体からなるものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項４４ないし４７のいずれか）において、上記導電性配
線が電気抵抗体からなるものである。
【００６１】この発明（請求項５１）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項５０）において、上記電気抵抗体が高融点金属からな
るものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項５０）において、上記電気抵抗体が高融点金属からな
るものである。
【００６２】この発明（請求項５２）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項４４ないし４７のいずれか）において、上記導電性配
線が熱可塑性樹脂体からなるものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項４４ないし４７のいずれか）において、上記導電性配
線が熱可塑性樹脂体からなるものである。
【００６３】この発明（請求項５３）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項５２）において、上記熱可塑性樹脂体が電気良導体で
あるものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項５２）において、上記熱可塑性樹脂体が電気良導体で
あるものである。
【００６４】この発明（請求項５４）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項５２）において、上記熱可塑性樹脂体が電気抵抗体で
あるものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項５２）において、上記熱可塑性樹脂体が電気抵抗体で
あるものである。
【００６５】この発明（請求項５５）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項５２ないし５４のいずれか）において、上記熱可塑性
樹脂体が導電性粒子を含む熱可塑性ポリイミド樹脂から
なるものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項５２ないし５４のいずれか）において、上記熱可塑性
樹脂体が導電性粒子を含む熱可塑性ポリイミド樹脂から
なるものである。
【００６６】この発明（請求項５６）に係る集積回路装
置の製造方法は、半導体または誘電体からなる基板上
に、ＦＥＴを含む回路要素を形成する工程と、このＦＥ
Ｔ上または上記基板上のこのＦＥＴに隣接する領域に磁
性体を形成する工程とを含むものである。
置の製造方法は、半導体または誘電体からなる基板上
に、ＦＥＴを含む回路要素を形成する工程と、このＦＥ
Ｔ上または上記基板上のこのＦＥＴに隣接する領域に磁
性体を形成する工程とを含むものである。
【００６７】この発明（請求項５７）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項５６）において、上記回路要素を形成する工程の後
に、上記各ＦＥＴの電気特性を測定する工程を含み、上
記磁性体を形成する工程が上記各ＦＥＴの電気特性を測
定する工程の後、この電気特性に応じて上記磁性体を形
成するものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項５６）において、上記回路要素を形成する工程の後
に、上記各ＦＥＴの電気特性を測定する工程を含み、上
記磁性体を形成する工程が上記各ＦＥＴの電気特性を測
定する工程の後、この電気特性に応じて上記磁性体を形
成するものである。
【００６８】この発明（請求項５８）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項５６または５７）において、上記磁性体を形成する工
程が樹脂により上記ＦＥＴまたは上記基板に上記磁性体
を接着するものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項５６または５７）において、上記磁性体を形成する工
程が樹脂により上記ＦＥＴまたは上記基板に上記磁性体
を接着するものである。
【００６９】この発明（請求項５９）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項５８）において、上記樹脂が熱可塑性樹脂であるもの
である。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項５８）において、上記樹脂が熱可塑性樹脂であるもの
である。
【００７０】この発明（請求項６０）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項５９）において、上記熱可塑性樹脂が熱可塑性ポリイ
ミド樹脂であるものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項５９）において、上記熱可塑性樹脂が熱可塑性ポリイ
ミド樹脂であるものである。
【００７１】この発明（請求項６１）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項５６ないし６０のいずれか）において、上記磁性体が
磁性粒子を含む熱可塑性樹脂からなるものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項５６ないし６０のいずれか）において、上記磁性体が
磁性粒子を含む熱可塑性樹脂からなるものである。
【００７２】この発明（請求項６２）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項６１）において、上記熱可塑性樹脂が熱可塑性ポリイ
ミド樹脂からなるものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項６１）において、上記熱可塑性樹脂が熱可塑性ポリイ
ミド樹脂からなるものである。
【００７３】この発明（請求項６３）に係る集積回路装
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項６１または６２）において、上記磁性粒子がフェライ
トからなるものである。
置の製造方法は、上記の集積回路装置の製造方法（請求
項６１または６２）において、上記磁性粒子がフェライ
トからなるものである。
【００７４】
【作用】この発明（請求項１）に係る集積回路装置で
は、半導体または誘電体からなる基板上に設けられた回
路要素に電気的に接続された熱可塑性樹脂体を備えてお
り、この熱可塑性樹脂体の形状のばらつきはワイヤと比
較して極めて小さいから、この形状のばらつきに起因す
る寄生インダクタンスのばらつきが低減され、このため
集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上す
る。
は、半導体または誘電体からなる基板上に設けられた回
路要素に電気的に接続された熱可塑性樹脂体を備えてお
り、この熱可塑性樹脂体の形状のばらつきはワイヤと比
較して極めて小さいから、この形状のばらつきに起因す
る寄生インダクタンスのばらつきが低減され、このため
集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上す
る。
【００７５】この発明（請求項２）に係る集積回路装置
では、上記の集積回路装置（請求項１）において、複数
の上記回路要素を備え、上記熱可塑性樹脂体は、上記回
路要素の間を電気的に接続しており、この熱可塑性樹脂
体の形状のばらつきはワイヤと比較して極めて小さいか
ら、この形状のばらつきに起因する寄生インダクタンス
のばらつきが低減され、このため集積回路装置の高周波
特性の均一性及び再現性が向上する。
では、上記の集積回路装置（請求項１）において、複数
の上記回路要素を備え、上記熱可塑性樹脂体は、上記回
路要素の間を電気的に接続しており、この熱可塑性樹脂
体の形状のばらつきはワイヤと比較して極めて小さいか
ら、この形状のばらつきに起因する寄生インダクタンス
のばらつきが低減され、このため集積回路装置の高周波
特性の均一性及び再現性が向上する。
【００７６】この発明（請求項３）に係る集積回路装置
では、上記の集積回路装置（請求項２）において、上記
回路要素は、ＦＥＴを含むから、上記のように、熱可塑
性樹脂体の寄生インダクタンスのばらつきが低減され、
集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上す
るだけでなく、上記熱可塑性樹脂体の寄生インダクタン
スは、ワイヤと比較して、そのばらつきとともに、その
値自体が低減されているため、複数のＦＥＴのドレイン
電極と出力インピーダンス整合回路の間をこの熱可塑性
樹脂体によって接続することにより、高周波帯における
信号の合成効率を向上させることができ、さらにその再
現性を向上させることができる。
では、上記の集積回路装置（請求項２）において、上記
回路要素は、ＦＥＴを含むから、上記のように、熱可塑
性樹脂体の寄生インダクタンスのばらつきが低減され、
集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上す
るだけでなく、上記熱可塑性樹脂体の寄生インダクタン
スは、ワイヤと比較して、そのばらつきとともに、その
値自体が低減されているため、複数のＦＥＴのドレイン
電極と出力インピーダンス整合回路の間をこの熱可塑性
樹脂体によって接続することにより、高周波帯における
信号の合成効率を向上させることができ、さらにその再
現性を向上させることができる。
【００７７】この発明（請求項４）に係る集積回路装置
では、上記の集積回路装置（請求項２または３）におい
て、複数の上記基板を備え、上記熱可塑性樹脂体は、異
なる上記基板上に形成された回路要素の間を接続してお
り、この熱可塑性樹脂体の形状のばらつきはワイヤと比
較して極めて小さいから、この形状のばらつきに起因す
る寄生インダクタンスのばらつきが低減され、このため
集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上す
る。また、上記熱可塑性樹脂体の寄生インダクタンス
は、ワイヤと比較して、そのばらつきが小さくなってい
るだけでなく、その値自体が低減されているため、半導
体基板上に形成されている複数のＦＥＴのドレイン電極
とアルミナ等の誘電体基板上に形成されている出力イン
ピーダンス整合回路の間をこの熱可塑性樹脂体によって
接続することにより、高周波帯における信号の合成効率
を向上させることができ、さらにその再現性を向上させ
ることができる。
では、上記の集積回路装置（請求項２または３）におい
て、複数の上記基板を備え、上記熱可塑性樹脂体は、異
なる上記基板上に形成された回路要素の間を接続してお
り、この熱可塑性樹脂体の形状のばらつきはワイヤと比
較して極めて小さいから、この形状のばらつきに起因す
る寄生インダクタンスのばらつきが低減され、このため
集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上す
る。また、上記熱可塑性樹脂体の寄生インダクタンス
は、ワイヤと比較して、そのばらつきが小さくなってい
るだけでなく、その値自体が低減されているため、半導
体基板上に形成されている複数のＦＥＴのドレイン電極
とアルミナ等の誘電体基板上に形成されている出力イン
ピーダンス整合回路の間をこの熱可塑性樹脂体によって
接続することにより、高周波帯における信号の合成効率
を向上させることができ、さらにその再現性を向上させ
ることができる。
【００７８】この発明（請求項５）に係る集積回路装置
では、上記の集積回路装置（請求項４）において、上記
回路要素は、誘電体からなる第１の基板上に設けられた
入力インピーダンス整合回路，半導体からなる第２の基
板上に設けられたＦＥＴ，及び誘電体からなる第３の基
板上に設けられた出力インピーダンス整合回路を含むも
のであり、上記熱可塑性樹脂体は、上記入力インピーダ
ンス整合回路と上記ＦＥＴのゲート電極の間，及び上記
ＦＥＴのドレイン電極と出力インピーダンス整合回路の
間を接続しているものであるから、上記のように、集積
回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上するだ
けでなく、上記熱可塑性樹脂体の寄生インダクタンス
は、ワイヤと比較して、そのばらつきとともに、その値
自体が低減されているため、半導体基板上に形成されて
いる複数のＦＥＴのドレイン電極とアルミナ等の誘電体
基板上に形成されている出力インピーダンス整合回路の
間をこの熱可塑性樹脂体によって接続することにより、
高周波帯における信号の合成効率を向上させることがで
き、さらにその再現性を向上させることができる。
では、上記の集積回路装置（請求項４）において、上記
回路要素は、誘電体からなる第１の基板上に設けられた
入力インピーダンス整合回路，半導体からなる第２の基
板上に設けられたＦＥＴ，及び誘電体からなる第３の基
板上に設けられた出力インピーダンス整合回路を含むも
のであり、上記熱可塑性樹脂体は、上記入力インピーダ
ンス整合回路と上記ＦＥＴのゲート電極の間，及び上記
ＦＥＴのドレイン電極と出力インピーダンス整合回路の
間を接続しているものであるから、上記のように、集積
回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上するだ
けでなく、上記熱可塑性樹脂体の寄生インダクタンス
は、ワイヤと比較して、そのばらつきとともに、その値
自体が低減されているため、半導体基板上に形成されて
いる複数のＦＥＴのドレイン電極とアルミナ等の誘電体
基板上に形成されている出力インピーダンス整合回路の
間をこの熱可塑性樹脂体によって接続することにより、
高周波帯における信号の合成効率を向上させることがで
き、さらにその再現性を向上させることができる。
【００７９】この発明（請求項６）に係る集積回路装置
では、上記の集積回路装置（請求項１ないし５のいずれ
か）において、上記熱可塑性樹脂体は、インピーダンス
整合回路の少なくとも一部を構成するものであるから、
この熱可塑性樹脂体を任意の形状とすることができ、イ
ンピーダンス整合の調整を連続的にかつ高精度におこな
うことができる。また、予め設けられているインピーダ
ンス整合回路とその近傍に設けられている島状の導体膜
からなるランドとの間を熱可塑性樹脂体で接続して新た
なインピーダンス整合回路を形成することにより、イン
ピーダンス整合の調整を行う際、ワイヤの寄生インダク
タンスのばらつきより熱可塑性樹脂体の寄生インダクタ
ンスのばらつきが低減されているため、インピーダンス
整合回路の高周波特性の均一性及び再現性が向上する。
では、上記の集積回路装置（請求項１ないし５のいずれ
か）において、上記熱可塑性樹脂体は、インピーダンス
整合回路の少なくとも一部を構成するものであるから、
この熱可塑性樹脂体を任意の形状とすることができ、イ
ンピーダンス整合の調整を連続的にかつ高精度におこな
うことができる。また、予め設けられているインピーダ
ンス整合回路とその近傍に設けられている島状の導体膜
からなるランドとの間を熱可塑性樹脂体で接続して新た
なインピーダンス整合回路を形成することにより、イン
ピーダンス整合の調整を行う際、ワイヤの寄生インダク
タンスのばらつきより熱可塑性樹脂体の寄生インダクタ
ンスのばらつきが低減されているため、インピーダンス
整合回路の高周波特性の均一性及び再現性が向上する。
【００８０】この発明（請求項７）に係る集積回路装置
では、上記の集積回路装置（請求項６）において、上記
回路要素は、基板上に設けられたインピーダンス整合回
路部を含むものであり、上記熱可塑性樹脂体は、上記イ
ンピーダンス整合回路部にその一端が接続されて、この
インピーダンス整合回路部とともに上記インピーダンス
整合回路を構成するものであるから、この熱可塑性樹脂
体の形状及び上記インピーダンス整合回路部に接続する
位置を任意とすることができ、インピーダンス整合の調
整を連続的にかつ高精度におこなうことができる。
では、上記の集積回路装置（請求項６）において、上記
回路要素は、基板上に設けられたインピーダンス整合回
路部を含むものであり、上記熱可塑性樹脂体は、上記イ
ンピーダンス整合回路部にその一端が接続されて、この
インピーダンス整合回路部とともに上記インピーダンス
整合回路を構成するものであるから、この熱可塑性樹脂
体の形状及び上記インピーダンス整合回路部に接続する
位置を任意とすることができ、インピーダンス整合の調
整を連続的にかつ高精度におこなうことができる。
【００８１】この発明（請求項８）に係る集積回路装置
では、上記の集積回路装置（請求項６）において、上記
回路要素は、基板上に設けられたインピーダンス整合回
路部及びこの基板上に設けられた島状の導体膜からなる
ランドを含むものであり、上記熱可塑性樹脂体は、上記
インピーダンス整合回路部と上記ランドの間を接続する
ように設けられて、上記インピーダンス整合回路部及び
上記熱可塑性樹脂体によりこれに接続された上記ランド
とともに上記インピーダンス整合回路を構成するもので
あるから、これによってインピーダンス整合の調整を行
う際、ワイヤによりこれらを接続する場合と比較して、
上記のように熱可塑性樹脂体の寄生インダクタンスのば
らつきが低減され、インピーダンス整合回路の高周波特
性の均一性及び再現性が向上する。さらに、上記熱可塑
性樹脂体の幅を任意の幅とすることができるため、これ
によりインピーダンス整合の調整を連続的に、かつ高精
度に行うことができる。
では、上記の集積回路装置（請求項６）において、上記
回路要素は、基板上に設けられたインピーダンス整合回
路部及びこの基板上に設けられた島状の導体膜からなる
ランドを含むものであり、上記熱可塑性樹脂体は、上記
インピーダンス整合回路部と上記ランドの間を接続する
ように設けられて、上記インピーダンス整合回路部及び
上記熱可塑性樹脂体によりこれに接続された上記ランド
とともに上記インピーダンス整合回路を構成するもので
あるから、これによってインピーダンス整合の調整を行
う際、ワイヤによりこれらを接続する場合と比較して、
上記のように熱可塑性樹脂体の寄生インダクタンスのば
らつきが低減され、インピーダンス整合回路の高周波特
性の均一性及び再現性が向上する。さらに、上記熱可塑
性樹脂体の幅を任意の幅とすることができるため、これ
によりインピーダンス整合の調整を連続的に、かつ高精
度に行うことができる。
【００８２】この発明（請求項９）に係る集積回路装置
では、上記の集積回路装置（請求項１ないし８のいずれ
か）において、上記回路要素上に形成され、この回路要
素上の，この回路要素を上記熱可塑性樹脂体により他の
回路要素と電気的に接続するための領域に開口部を有す
る絶縁膜を備えており、上記のようにこの熱可塑性樹脂
体の形状のばらつきはワイヤと比較して極めて小さいか
ら、この形状のばらつきに起因する寄生インダクタンス
のばらつきが低減され、このため集積回路装置の高周波
特性の均一性及び再現性が向上するだけでなく、上記絶
縁膜により上記回路要素の表面を保護することができ
る。
では、上記の集積回路装置（請求項１ないし８のいずれ
か）において、上記回路要素上に形成され、この回路要
素上の，この回路要素を上記熱可塑性樹脂体により他の
回路要素と電気的に接続するための領域に開口部を有す
る絶縁膜を備えており、上記のようにこの熱可塑性樹脂
体の形状のばらつきはワイヤと比較して極めて小さいか
ら、この形状のばらつきに起因する寄生インダクタンス
のばらつきが低減され、このため集積回路装置の高周波
特性の均一性及び再現性が向上するだけでなく、上記絶
縁膜により上記回路要素の表面を保護することができ
る。
【００８３】この発明（請求項１０）に係る集積回路装
置では、上記の集積回路装置（請求項１ないし９のいず
れか）において、上記熱可塑性樹脂体は、電気良導体で
あるから、上記のように集積回路装置の高周波特性の均
一性及び再現性の向上、及び高周波帯における信号の合
成効率の向上を実現でき、さらにインピーダンス整合回
路におけるインピーダンス整合の調整を連続的にかつ高
精度に行うことができる。
置では、上記の集積回路装置（請求項１ないし９のいず
れか）において、上記熱可塑性樹脂体は、電気良導体で
あるから、上記のように集積回路装置の高周波特性の均
一性及び再現性の向上、及び高周波帯における信号の合
成効率の向上を実現でき、さらにインピーダンス整合回
路におけるインピーダンス整合の調整を連続的にかつ高
精度に行うことができる。
【００８４】この発明（請求項１１）に係る集積回路装
置では、上記の集積回路装置（請求項１ないし９のいず
れか）において、上記熱可塑性樹脂体は、電気抵抗体で
あるから、上記のように集積回路装置の高周波特性の均
一性及び再現性の向上、及び高周波帯における信号の合
成効率の向上を実現させることができ、さらにインピー
ダンス整合回路におけるインピーダンス整合の調整を連
続的にかつ高精度に行うことができる。
置では、上記の集積回路装置（請求項１ないし９のいず
れか）において、上記熱可塑性樹脂体は、電気抵抗体で
あるから、上記のように集積回路装置の高周波特性の均
一性及び再現性の向上、及び高周波帯における信号の合
成効率の向上を実現させることができ、さらにインピー
ダンス整合回路におけるインピーダンス整合の調整を連
続的にかつ高精度に行うことができる。
【００８５】この発明（請求項１２）に係る集積回路装
置では、上記の集積回路装置（請求項１ないし１１のい
ずれか）において、上記熱可塑性樹脂体は、導電性粒子
を含む熱可塑性ポリイミド樹脂からなるから、この導電
性粒子の密度を変えることにより、熱可塑性樹脂体が有
する電気抵抗を変化させることができる。
置では、上記の集積回路装置（請求項１ないし１１のい
ずれか）において、上記熱可塑性樹脂体は、導電性粒子
を含む熱可塑性ポリイミド樹脂からなるから、この導電
性粒子の密度を変えることにより、熱可塑性樹脂体が有
する電気抵抗を変化させることができる。
【００８６】この発明（請求項１３）に係る集積回路装
置では、半導体または誘電体からなる基板上に形成され
た複数のＦＥＴを含む回路要素と、上記複数のＦＥＴの
ゲート電極相互間，ソース電極相互間，またはドレイン
電極相互間のそれぞれを直接電気的に接続する導電性配
線とを備えたから、この導電性配線の形成前に各ＦＥＴ
ごとに電気特性を測定することができ、ＦＥＴの動作特
性の均一性の評価ができ、特性の均一なＦＥＴのみを用
いて、集積回路装置を構成することが可能となる。これ
により、集積回路装置の製造歩留まりを向上させること
ができる。
置では、半導体または誘電体からなる基板上に形成され
た複数のＦＥＴを含む回路要素と、上記複数のＦＥＴの
ゲート電極相互間，ソース電極相互間，またはドレイン
電極相互間のそれぞれを直接電気的に接続する導電性配
線とを備えたから、この導電性配線の形成前に各ＦＥＴ
ごとに電気特性を測定することができ、ＦＥＴの動作特
性の均一性の評価ができ、特性の均一なＦＥＴのみを用
いて、集積回路装置を構成することが可能となる。これ
により、集積回路装置の製造歩留まりを向上させること
ができる。
【００８７】この発明（請求項１４）に係る集積回路装
置では、半導体または誘電体からなる基板上に形成され
た複数のＦＥＴ，及びこの複数のＦＥＴの内少なくとも
一部のＦＥＴの間の領域に形成された電気抵抗体を含む
回路要素と、上記複数のＦＥＴのゲート電極相互間，ソ
ース電極相互間，またはドレイン電極相互間のそれぞれ
を直接または上記電気抵抗体を介して電気的に接続する
導電性配線とを備えたから、上記のように特性の均一な
ＦＥＴのみを用いて集積回路装置を構成することが可能
となり、製造歩留まりを向上させることができるだけで
なく、上記導電性配線を形成する前に各ＦＥＴの電気特
性を測定し、これが発振している場合は、その発振特性
に応じてＦＥＴの上記電極間を上記電気抵抗体を介して
接続するか、または直接接続することにより、この発振
を容易に防止することができる。
置では、半導体または誘電体からなる基板上に形成され
た複数のＦＥＴ，及びこの複数のＦＥＴの内少なくとも
一部のＦＥＴの間の領域に形成された電気抵抗体を含む
回路要素と、上記複数のＦＥＴのゲート電極相互間，ソ
ース電極相互間，またはドレイン電極相互間のそれぞれ
を直接または上記電気抵抗体を介して電気的に接続する
導電性配線とを備えたから、上記のように特性の均一な
ＦＥＴのみを用いて集積回路装置を構成することが可能
となり、製造歩留まりを向上させることができるだけで
なく、上記導電性配線を形成する前に各ＦＥＴの電気特
性を測定し、これが発振している場合は、その発振特性
に応じてＦＥＴの上記電極間を上記電気抵抗体を介して
接続するか、または直接接続することにより、この発振
を容易に防止することができる。
【００８８】この発明（請求項１５）に係る集積回路装
置では、上記の集積回路装置（請求項１３または１４）
において、上記回路要素上に形成され、この回路要素上
の，この回路要素を上記導電性配線により他の回路要素
と電気的に接続するための領域に開口部を有する絶縁膜
を備えているから、上記のように特性の均一なＦＥＴの
みを用いて、集積回路装置を構成することが可能とな
り、集積回路装置の製造歩留まりを向上させることがで
き、さらにＦＥＴの発振を容易に防止することができる
だけでなく、上記回路要素の表面を上記絶縁膜によって
保護することができる。
置では、上記の集積回路装置（請求項１３または１４）
において、上記回路要素上に形成され、この回路要素上
の，この回路要素を上記導電性配線により他の回路要素
と電気的に接続するための領域に開口部を有する絶縁膜
を備えているから、上記のように特性の均一なＦＥＴの
みを用いて、集積回路装置を構成することが可能とな
り、集積回路装置の製造歩留まりを向上させることがで
き、さらにＦＥＴの発振を容易に防止することができる
だけでなく、上記回路要素の表面を上記絶縁膜によって
保護することができる。
【００８９】この発明（請求項１６）に係る集積回路装
置では、上記の集積回路装置（請求項１３ないし１５の
いずれか）において、上記導電性配線は、電気良導体か
らなるから、上記のように特性の均一なＦＥＴのみを用
いて、集積回路装置を構成することが可能となり、集積
回路装置の製造歩留まりを向上させることができ、ＦＥ
Ｔの発振を容易に防止することができる。
置では、上記の集積回路装置（請求項１３ないし１５の
いずれか）において、上記導電性配線は、電気良導体か
らなるから、上記のように特性の均一なＦＥＴのみを用
いて、集積回路装置を構成することが可能となり、集積
回路装置の製造歩留まりを向上させることができ、ＦＥ
Ｔの発振を容易に防止することができる。
【００９０】この発明（請求項１７）に係る集積回路装
置では、上記の集積回路装置（請求項１６）において、
上記電気良導体は、金属からなるから、上記のように特
性の均一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装置を構成す
ることが可能となり、集積回路装置の製造歩留まりを向
上させることができ、ＦＥＴの発振を容易に防止するこ
とができる。
置では、上記の集積回路装置（請求項１６）において、
上記電気良導体は、金属からなるから、上記のように特
性の均一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装置を構成す
ることが可能となり、集積回路装置の製造歩留まりを向
上させることができ、ＦＥＴの発振を容易に防止するこ
とができる。
【００９１】この発明（請求項１８）に係る集積回路装
置では、上記の集積回路装置（請求項１３ないし１５の
いずれか）において、上記導電性配線は、電気抵抗体か
らなるから、上記のように特性の均一なＦＥＴのみを用
いて、集積回路装置を構成することが可能となり、集積
回路装置の製造歩留まりを向上させることができるだけ
でなく、上記導電性配線自身が有する電気抵抗により、
ＦＥＴの発振を容易に防止することができる。
置では、上記の集積回路装置（請求項１３ないし１５の
いずれか）において、上記導電性配線は、電気抵抗体か
らなるから、上記のように特性の均一なＦＥＴのみを用
いて、集積回路装置を構成することが可能となり、集積
回路装置の製造歩留まりを向上させることができるだけ
でなく、上記導電性配線自身が有する電気抵抗により、
ＦＥＴの発振を容易に防止することができる。
【００９２】この発明（請求項１９）に係る集積回路装
置では、上記の集積回路装置（請求項１８）において、
上記電気抵抗体は、高融点金属からなるから、上記のよ
うに特性の均一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装置を
構成することが可能となり、集積回路装置の製造歩留ま
りを向上させることができるだけでなく、上記導電性配
線自身が有する電気抵抗により、ＦＥＴの発振を容易に
防止することができる。
置では、上記の集積回路装置（請求項１８）において、
上記電気抵抗体は、高融点金属からなるから、上記のよ
うに特性の均一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装置を
構成することが可能となり、集積回路装置の製造歩留ま
りを向上させることができるだけでなく、上記導電性配
線自身が有する電気抵抗により、ＦＥＴの発振を容易に
防止することができる。
【００９３】この発明（請求項２０）に係る集積回路装
置では、上記の集積回路装置（請求項１３ないし１５の
いずれか）において、上記導電性配線は、熱可塑性樹脂
体からなるから、上記のように特性の均一なＦＥＴのみ
を用いて、集積回路装置を構成することが可能となり、
集積回路装置の製造歩留まりを向上させることができ、
ＦＥＴの発振を容易に防止することができる。
置では、上記の集積回路装置（請求項１３ないし１５の
いずれか）において、上記導電性配線は、熱可塑性樹脂
体からなるから、上記のように特性の均一なＦＥＴのみ
を用いて、集積回路装置を構成することが可能となり、
集積回路装置の製造歩留まりを向上させることができ、
ＦＥＴの発振を容易に防止することができる。
【００９４】この発明（請求項２１）に係る集積回路装
置では、上記の集積回路装置（請求項２０）において、
上記熱可塑性樹脂体は、電気良導体であるから、上記の
ように特性の均一なＦＥＴのみを用いて集積回路装置を
構成することが可能となり、集積回路装置の製造歩留ま
りを向上させることができ、さらにＦＥＴの発振を容易
に防止することができる。
置では、上記の集積回路装置（請求項２０）において、
上記熱可塑性樹脂体は、電気良導体であるから、上記の
ように特性の均一なＦＥＴのみを用いて集積回路装置を
構成することが可能となり、集積回路装置の製造歩留ま
りを向上させることができ、さらにＦＥＴの発振を容易
に防止することができる。
【００９５】この発明（請求項２２）に係る集積回路装
置では、上記の集積回路装置（請求項２０）において、
上記熱可塑性樹脂体は、電気抵抗体であるから、上記の
ように集積回路装置の製造歩留まりの向上を実現できる
だけでなく、上記熱可塑性樹脂体自身が有する電気抵抗
により、ＦＥＴの発振を容易に防止することができる。
置では、上記の集積回路装置（請求項２０）において、
上記熱可塑性樹脂体は、電気抵抗体であるから、上記の
ように集積回路装置の製造歩留まりの向上を実現できる
だけでなく、上記熱可塑性樹脂体自身が有する電気抵抗
により、ＦＥＴの発振を容易に防止することができる。
【００９６】この発明（請求項２３）に係る集積回路装
置では、上記の集積回路装置（請求項２０ないし２２の
いずれか）において、上記熱可塑性樹脂体は、導電性粒
子を含む熱可塑性ポリイミド樹脂からなるから、この導
電性粒子の密度を変えることにより、熱可塑性樹脂体が
有する電気抵抗を変化させることができる。
置では、上記の集積回路装置（請求項２０ないし２２の
いずれか）において、上記熱可塑性樹脂体は、導電性粒
子を含む熱可塑性ポリイミド樹脂からなるから、この導
電性粒子の密度を変えることにより、熱可塑性樹脂体が
有する電気抵抗を変化させることができる。
【００９７】この発明（請求項２４）に係る集積回路装
置では、半導体または誘電体からなる基板上に設けられ
たＦＥＴを含む回路要素と、このＦＥＴ上または上記基
板上のこのＦＥＴに隣接する領域に設けられた磁性体と
を備えたから、ＦＥＴの不要発振を減衰させ、この発振
を防止することができる。
置では、半導体または誘電体からなる基板上に設けられ
たＦＥＴを含む回路要素と、このＦＥＴ上または上記基
板上のこのＦＥＴに隣接する領域に設けられた磁性体と
を備えたから、ＦＥＴの不要発振を減衰させ、この発振
を防止することができる。
【００９８】この発明（請求項２５）に係る集積回路装
置では、上記の集積回路装置（請求項２４）において、
上記磁性体は、樹脂により上記ＦＥＴまたは上記基板に
接着されているから、ＦＥＴの不要発振を減衰させ、こ
の発振を防止することができる。
置では、上記の集積回路装置（請求項２４）において、
上記磁性体は、樹脂により上記ＦＥＴまたは上記基板に
接着されているから、ＦＥＴの不要発振を減衰させ、こ
の発振を防止することができる。
【００９９】この発明（請求項２６）に係る集積回路装
置では、上記の集積回路装置（請求項２５）において、
上記樹脂は、熱可塑性樹脂であるから、ＦＥＴの不要発
振を減衰させ、この発振を防止することができる。
置では、上記の集積回路装置（請求項２５）において、
上記樹脂は、熱可塑性樹脂であるから、ＦＥＴの不要発
振を減衰させ、この発振を防止することができる。
【０１００】この発明（請求項２７）に係る集積回路装
置では、上記の集積回路装置（請求項２６）において、
上記熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポリイミド樹脂であるか
ら、ＦＥＴの不要発振を減衰させ、この発振を防止する
ことができる。
置では、上記の集積回路装置（請求項２６）において、
上記熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポリイミド樹脂であるか
ら、ＦＥＴの不要発振を減衰させ、この発振を防止する
ことができる。
【０１０１】この発明（請求項２８）に係る集積回路装
置では、上記の集積回路装置（請求項２４ないし２７の
いずれか）において、上記磁性体は、磁性粒子を含む熱
可塑性樹脂からなるから、ＦＥＴの不要発振を減衰さ
せ、この発振を防止することができる。
置では、上記の集積回路装置（請求項２４ないし２７の
いずれか）において、上記磁性体は、磁性粒子を含む熱
可塑性樹脂からなるから、ＦＥＴの不要発振を減衰さ
せ、この発振を防止することができる。
【０１０２】この発明（請求項２９）に係る集積回路装
置では、上記の集積回路装置（請求項２８）において、
上記熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポリイミド樹脂からなる
から、ＦＥＴの不要発振を減衰させ、この発振を防止す
ることができる。
置では、上記の集積回路装置（請求項２８）において、
上記熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポリイミド樹脂からなる
から、ＦＥＴの不要発振を減衰させ、この発振を防止す
ることができる。
【０１０３】この発明（請求項３０）に係る集積回路装
置では、上記の集積回路装置（請求項２８または２９）
において、上記磁性粒子は、フェライトからなるから、
ＦＥＴの不要発振を減衰させ、この発振を防止すること
ができる。
置では、上記の集積回路装置（請求項２８または２９）
において、上記磁性粒子は、フェライトからなるから、
ＦＥＴの不要発振を減衰させ、この発振を防止すること
ができる。
【０１０４】この発明（請求項３１）に係る集積回路装
置の製造方法では、半導体または誘電体からなる基板上
に回路要素を形成する工程と、この回路要素に電気的に
接続するように熱可塑性樹脂体を形成する工程とを含
み、この熱可塑性樹脂体の形状のばらつきはワイヤと比
較して極めて小さいから、この形状のばらつきに起因す
る寄生インダクタンスのばらつきが低減され、このため
集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上す
る。
置の製造方法では、半導体または誘電体からなる基板上
に回路要素を形成する工程と、この回路要素に電気的に
接続するように熱可塑性樹脂体を形成する工程とを含
み、この熱可塑性樹脂体の形状のばらつきはワイヤと比
較して極めて小さいから、この形状のばらつきに起因す
る寄生インダクタンスのばらつきが低減され、このため
集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上す
る。
【０１０５】この発明（請求項３２）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３１）において、上記回路要素を形成する工程は、
複数の上記回路要素を形成するものであり、上記熱可塑
性樹脂体を形成する工程は、上記回路要素の間を電気的
に接続するように上記熱可塑性樹脂体を形成するもので
あり、この熱可塑性樹脂体の形状のばらつきはワイヤと
比較して極めて小さいから、この形状のばらつきに起因
する寄生インダクタンスのばらつきが低減され、このた
め集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上
する。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３１）において、上記回路要素を形成する工程は、
複数の上記回路要素を形成するものであり、上記熱可塑
性樹脂体を形成する工程は、上記回路要素の間を電気的
に接続するように上記熱可塑性樹脂体を形成するもので
あり、この熱可塑性樹脂体の形状のばらつきはワイヤと
比較して極めて小さいから、この形状のばらつきに起因
する寄生インダクタンスのばらつきが低減され、このた
め集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上
する。
【０１０６】この発明（請求項３３）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３２）において、上記回路要素は、ＦＥＴを含むか
ら、上記のように、熱可塑性樹脂体の寄生インダクタン
スのばらつきが低減され、集積回路装置の高周波特性の
均一性及び再現性が向上するだけでなく、上記熱可塑性
樹脂体の寄生インダクタンスは、ワイヤと比較して、そ
のばらつきとともに、その値自体が低減されているた
め、複数のＦＥＴのドレイン電極と出力インピーダンス
整合回路の間をこの熱可塑性樹脂体によって接続するこ
とにより、高周波帯における信号の合成効率を向上させ
ることができ、さらにその再現性を向上させることがで
きる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３２）において、上記回路要素は、ＦＥＴを含むか
ら、上記のように、熱可塑性樹脂体の寄生インダクタン
スのばらつきが低減され、集積回路装置の高周波特性の
均一性及び再現性が向上するだけでなく、上記熱可塑性
樹脂体の寄生インダクタンスは、ワイヤと比較して、そ
のばらつきとともに、その値自体が低減されているた
め、複数のＦＥＴのドレイン電極と出力インピーダンス
整合回路の間をこの熱可塑性樹脂体によって接続するこ
とにより、高周波帯における信号の合成効率を向上させ
ることができ、さらにその再現性を向上させることがで
きる。
【０１０７】この発明（請求項３４）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３２または３３）において、上記回路要素を形成す
る工程は、複数の上記基板上に上記回路要素を形成する
ものであり、上記熱可塑性樹脂体を形成する工程は、異
なる上記基板上に形成された回路要素の間を接続するよ
うに上記熱可塑性樹脂体を形成するものであり、この熱
可塑性樹脂体の形状のばらつきはワイヤと比較して極め
て小さいから、この形状のばらつきに起因する寄生イン
ダクタンスのばらつきが低減され、このため集積回路装
置の高周波特性の均一性及び再現性が向上する。また、
上記熱可塑性樹脂体の寄生インダクタンスは、ワイヤと
比較して、そのばらつきが小さくなっているだけでな
く、その値自体が低減されているため、半導体基板上に
形成されている複数のＦＥＴのドレイン電極とアルミナ
等の誘電体基板上に形成されている出力インピーダンス
整合回路の間をこの熱可塑性樹脂体によって接続するこ
とにより、高周波帯における信号の合成効率を向上させ
ることができ、さらにその再現性を向上させることがで
きる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３２または３３）において、上記回路要素を形成す
る工程は、複数の上記基板上に上記回路要素を形成する
ものであり、上記熱可塑性樹脂体を形成する工程は、異
なる上記基板上に形成された回路要素の間を接続するよ
うに上記熱可塑性樹脂体を形成するものであり、この熱
可塑性樹脂体の形状のばらつきはワイヤと比較して極め
て小さいから、この形状のばらつきに起因する寄生イン
ダクタンスのばらつきが低減され、このため集積回路装
置の高周波特性の均一性及び再現性が向上する。また、
上記熱可塑性樹脂体の寄生インダクタンスは、ワイヤと
比較して、そのばらつきが小さくなっているだけでな
く、その値自体が低減されているため、半導体基板上に
形成されている複数のＦＥＴのドレイン電極とアルミナ
等の誘電体基板上に形成されている出力インピーダンス
整合回路の間をこの熱可塑性樹脂体によって接続するこ
とにより、高周波帯における信号の合成効率を向上させ
ることができ、さらにその再現性を向上させることがで
きる。
【０１０８】この発明（請求項３５）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３４）において、上記回路要素を形成する工程は、
誘電体からなる第１の基板上に設けられる入力インピー
ダンス整合回路，半導体からなる第２の基板上に設けら
れるＦＥＴ，及び誘電体からなる第３の基板上に設けら
れる出力インピーダンス整合回路を含む上記回路要素を
形成するものであり、上記熱可塑性樹脂体を形成する工
程は、上記入力インピーダンス整合回路と上記ＦＥＴの
ゲート電極の間，及び上記ＦＥＴのドレイン電極と出力
インピーダンス整合回路の間を接続するように上記熱可
塑性樹脂体を形成するものであるから、上記のように、
集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上す
るだけでなく、上記熱可塑性樹脂体の寄生インダクタン
スは、ワイヤと比較して、そのばらつきとともに、その
値自体が低減されているため、半導体基板上に形成され
ている複数のＦＥＴのドレイン電極とアルミナ等の誘電
体基板上に形成されている出力インピーダンス整合回路
の間をこの熱可塑性樹脂体によって接続することによ
り、高周波帯における信号の合成効率を向上させること
ができ、さらにその再現性を向上させることができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３４）において、上記回路要素を形成する工程は、
誘電体からなる第１の基板上に設けられる入力インピー
ダンス整合回路，半導体からなる第２の基板上に設けら
れるＦＥＴ，及び誘電体からなる第３の基板上に設けら
れる出力インピーダンス整合回路を含む上記回路要素を
形成するものであり、上記熱可塑性樹脂体を形成する工
程は、上記入力インピーダンス整合回路と上記ＦＥＴの
ゲート電極の間，及び上記ＦＥＴのドレイン電極と出力
インピーダンス整合回路の間を接続するように上記熱可
塑性樹脂体を形成するものであるから、上記のように、
集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上す
るだけでなく、上記熱可塑性樹脂体の寄生インダクタン
スは、ワイヤと比較して、そのばらつきとともに、その
値自体が低減されているため、半導体基板上に形成され
ている複数のＦＥＴのドレイン電極とアルミナ等の誘電
体基板上に形成されている出力インピーダンス整合回路
の間をこの熱可塑性樹脂体によって接続することによ
り、高周波帯における信号の合成効率を向上させること
ができ、さらにその再現性を向上させることができる。
【０１０９】この発明（請求項３６）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３１ないし３５のいずれか）において、上記回路要
素を形成する工程の後に、この回路要素の電気特性を測
定する工程を含み、上記熱可塑性樹脂体を形成する工程
が上記回路要素の電気特性を測定する工程の後、この電
気特性に応じて上記熱可塑性樹脂体を形成するものであ
るから、上記のように、集積回路装置の高周波特性の均
一性及び再現性の向上、及び高周波帯における信号の合
成効率の向上を実現させることができるだけでなく、こ
のための熱可塑性樹脂体の最適化が容易に行える。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３１ないし３５のいずれか）において、上記回路要
素を形成する工程の後に、この回路要素の電気特性を測
定する工程を含み、上記熱可塑性樹脂体を形成する工程
が上記回路要素の電気特性を測定する工程の後、この電
気特性に応じて上記熱可塑性樹脂体を形成するものであ
るから、上記のように、集積回路装置の高周波特性の均
一性及び再現性の向上、及び高周波帯における信号の合
成効率の向上を実現させることができるだけでなく、こ
のための熱可塑性樹脂体の最適化が容易に行える。
【０１１０】この発明（請求項３７）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３１ないし３５のいずれか）において、上記熱可塑
性樹脂体を形成する工程は、インピーダンス整合回路の
少なくとも一部を構成するように熱可塑性樹脂体を形成
するから、この熱可塑性樹脂体を任意の形状とすること
ができ、インピーダンス整合の調整を連続的にかつ高精
度におこなうことができる。また、予め設けられている
インピーダンス整合回路とその近傍に設けられている島
状の導体膜からなるランドとの間を上記熱可塑性樹脂体
で接続して新たなインピーダンス整合回路を形成するこ
とにより、インピーダンス整合の調整を行う際、ワイヤ
によりこれらを接続する場合と比較して、熱可塑性樹脂
体の形状のばらつきに起因する寄生インダクタンスのば
らつきが低減され、インピーダンス整合回路の高周波特
性の均一性及び再現性が向上する。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３１ないし３５のいずれか）において、上記熱可塑
性樹脂体を形成する工程は、インピーダンス整合回路の
少なくとも一部を構成するように熱可塑性樹脂体を形成
するから、この熱可塑性樹脂体を任意の形状とすること
ができ、インピーダンス整合の調整を連続的にかつ高精
度におこなうことができる。また、予め設けられている
インピーダンス整合回路とその近傍に設けられている島
状の導体膜からなるランドとの間を上記熱可塑性樹脂体
で接続して新たなインピーダンス整合回路を形成するこ
とにより、インピーダンス整合の調整を行う際、ワイヤ
によりこれらを接続する場合と比較して、熱可塑性樹脂
体の形状のばらつきに起因する寄生インダクタンスのば
らつきが低減され、インピーダンス整合回路の高周波特
性の均一性及び再現性が向上する。
【０１１１】この発明（請求項３８）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３７）において、上記回路要素を形成する工程は、
インピーダンス整合回路部を含む回路要素を形成するも
のであり、上記回路要素を形成する工程の後に、上記回
路要素の高周波特性を測定する工程を含み、上記熱可塑
性樹脂体を形成する工程は、上記回路要素の高周波特性
を測定する工程の後に、この回路要素の高周波特性に応
じて、上記インピーダンス整合回路部に接続するように
上記熱可塑性樹脂体を形成して、この熱可塑性樹脂体及
び上記インピーダンス整合回路部を含む上記インピーダ
ンス整合回路を形成するから、上記回路要素の特性がば
らついて、上記インピーダンス整合回路部によって充分
にインピーダンス整合をとることができなくても、この
回路要素の特性に応じて、適切な形状の上記熱可塑性樹
脂体を上記インピーダンス整合回路部の適切な位置に接
続するように形成することができるため、それぞれの集
積回路装置でインピーダンス整合が可能な上記インピー
ダンス整合回路を形成することができる。すなわち、イ
ンピーダンス整合の調整を連続的にかつ高精度におこな
うことができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３７）において、上記回路要素を形成する工程は、
インピーダンス整合回路部を含む回路要素を形成するも
のであり、上記回路要素を形成する工程の後に、上記回
路要素の高周波特性を測定する工程を含み、上記熱可塑
性樹脂体を形成する工程は、上記回路要素の高周波特性
を測定する工程の後に、この回路要素の高周波特性に応
じて、上記インピーダンス整合回路部に接続するように
上記熱可塑性樹脂体を形成して、この熱可塑性樹脂体及
び上記インピーダンス整合回路部を含む上記インピーダ
ンス整合回路を形成するから、上記回路要素の特性がば
らついて、上記インピーダンス整合回路部によって充分
にインピーダンス整合をとることができなくても、この
回路要素の特性に応じて、適切な形状の上記熱可塑性樹
脂体を上記インピーダンス整合回路部の適切な位置に接
続するように形成することができるため、それぞれの集
積回路装置でインピーダンス整合が可能な上記インピー
ダンス整合回路を形成することができる。すなわち、イ
ンピーダンス整合の調整を連続的にかつ高精度におこな
うことができる。
【０１１２】この発明（請求項３９）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３７）において、上記回路要素を形成する工程は、
インピーダンス整合回路部及び島状の導体膜からなる一
つまたは複数のランドを含む回路要素を形成するもので
あり、上記回路要素を形成する工程の後に、上記回路要
素の高周波特性を測定する工程を含み、上記熱可塑性樹
脂体を形成する工程は、上記回路要素の高周波特性を測
定する工程の後に、この回路要素の高周波特性に応じ
て、上記ランドの中から選択されたものと上記インピー
ダンス整合回路部とを接続するように上記熱可塑性樹脂
体を形成して、この熱可塑性樹脂体，上記の選択された
ランド及び上記インピーダンス整合回路部を含む上記イ
ンピーダンス整合回路を形成するから、上記回路要素の
特性がばらついて、上記インピーダンス整合回路部によ
って充分にインピーダンス整合をとることができなくて
も、この回路要素の特性に応じて、予め形成されている
上記ランドのなかから適切なランドを選択し、上記熱可
塑性樹脂体によりこのランドと上記インピーダンス整合
回路部とを接続することができるため、それぞれの集積
回路装置でインピーダンス整合が可能な上記インピーダ
ンス整合回路を形成することができる。さらに、従来の
ワイヤによりランドとインピーダンス整合回路部を接続
する場合と比較して、熱可塑性樹脂体の形状のばらつき
はワイヤのそれより小さく、従ってこの形状のばらつき
に起因する寄生インダクタンスのばらつきが低減される
から、インピーダンス整合回路の高周波特性の均一性及
び再現性が向上する。さらに、測定された上記回路要素
の高周波特性に応じて、上記熱可塑性樹脂体の幅を任意
の幅とすることができ、これによりインピーダンス整合
の調整を連続的に、かつ高精度に行うことができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３７）において、上記回路要素を形成する工程は、
インピーダンス整合回路部及び島状の導体膜からなる一
つまたは複数のランドを含む回路要素を形成するもので
あり、上記回路要素を形成する工程の後に、上記回路要
素の高周波特性を測定する工程を含み、上記熱可塑性樹
脂体を形成する工程は、上記回路要素の高周波特性を測
定する工程の後に、この回路要素の高周波特性に応じ
て、上記ランドの中から選択されたものと上記インピー
ダンス整合回路部とを接続するように上記熱可塑性樹脂
体を形成して、この熱可塑性樹脂体，上記の選択された
ランド及び上記インピーダンス整合回路部を含む上記イ
ンピーダンス整合回路を形成するから、上記回路要素の
特性がばらついて、上記インピーダンス整合回路部によ
って充分にインピーダンス整合をとることができなくて
も、この回路要素の特性に応じて、予め形成されている
上記ランドのなかから適切なランドを選択し、上記熱可
塑性樹脂体によりこのランドと上記インピーダンス整合
回路部とを接続することができるため、それぞれの集積
回路装置でインピーダンス整合が可能な上記インピーダ
ンス整合回路を形成することができる。さらに、従来の
ワイヤによりランドとインピーダンス整合回路部を接続
する場合と比較して、熱可塑性樹脂体の形状のばらつき
はワイヤのそれより小さく、従ってこの形状のばらつき
に起因する寄生インダクタンスのばらつきが低減される
から、インピーダンス整合回路の高周波特性の均一性及
び再現性が向上する。さらに、測定された上記回路要素
の高周波特性に応じて、上記熱可塑性樹脂体の幅を任意
の幅とすることができ、これによりインピーダンス整合
の調整を連続的に、かつ高精度に行うことができる。
【０１１３】この発明（請求項４０）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３１ないし３９のいずれか）において、上記回路要
素を形成する工程の後に、上記回路要素上に絶縁膜を形
成し、この絶縁膜の，上記回路要素を他の回路要素と電
気的に接続するための領域に上記絶縁膜の開口部を形成
する工程を含み、上記熱可塑性樹脂体を形成する工程
は、上記熱可塑性樹脂体を上記絶縁膜の開口部において
上記回路要素と接続されるように形成するものであり、
上記のようにこの熱可塑性樹脂体の形状のばらつきはワ
イヤと比較して極めて小さいから、この形状のばらつき
に起因する寄生インダクタンスのばらつきが低減され、
このため集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性
が向上するだけでなく、上記絶縁膜により上記回路要素
の表面を保護することができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３１ないし３９のいずれか）において、上記回路要
素を形成する工程の後に、上記回路要素上に絶縁膜を形
成し、この絶縁膜の，上記回路要素を他の回路要素と電
気的に接続するための領域に上記絶縁膜の開口部を形成
する工程を含み、上記熱可塑性樹脂体を形成する工程
は、上記熱可塑性樹脂体を上記絶縁膜の開口部において
上記回路要素と接続されるように形成するものであり、
上記のようにこの熱可塑性樹脂体の形状のばらつきはワ
イヤと比較して極めて小さいから、この形状のばらつき
に起因する寄生インダクタンスのばらつきが低減され、
このため集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性
が向上するだけでなく、上記絶縁膜により上記回路要素
の表面を保護することができる。
【０１１４】この発明（請求項４１）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３１ないし４０のいずれか）において、上記熱可塑
性樹脂体は、電気良導体であるから、上記のように集積
回路装置の高周波特性の均一性及び再現性の向上、及び
高周波帯における信号の合成効率の向上を実現でき、さ
らにインピーダンス整合回路におけるインピーダンス整
合の調整を連続的にかつ高精度に行うことができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３１ないし４０のいずれか）において、上記熱可塑
性樹脂体は、電気良導体であるから、上記のように集積
回路装置の高周波特性の均一性及び再現性の向上、及び
高周波帯における信号の合成効率の向上を実現でき、さ
らにインピーダンス整合回路におけるインピーダンス整
合の調整を連続的にかつ高精度に行うことができる。
【０１１５】この発明（請求項４２）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３１ないし４０のいずれか）において、上記熱可塑
性樹脂体は、電気抵抗体であるから、上記のように集積
回路装置の高周波特性の均一性及び再現性の向上、及び
高周波帯における信号の合成効率の向上を実現でき、さ
らにインピーダンス整合回路におけるインピーダンス整
合の調整を連続的にかつ高精度に行うことができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３１ないし４０のいずれか）において、上記熱可塑
性樹脂体は、電気抵抗体であるから、上記のように集積
回路装置の高周波特性の均一性及び再現性の向上、及び
高周波帯における信号の合成効率の向上を実現でき、さ
らにインピーダンス整合回路におけるインピーダンス整
合の調整を連続的にかつ高精度に行うことができる。
【０１１６】この発明（請求項４３）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３１ないし４２のいずれか）において、上記熱可塑
性樹脂体は、導電性粒子を含む熱可塑性ポリイミド樹脂
からなるから、この導電性粒子の密度を変えることによ
り、熱可塑性樹脂体が有する電気抵抗を変化させること
ができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項３１ないし４２のいずれか）において、上記熱可塑
性樹脂体は、導電性粒子を含む熱可塑性ポリイミド樹脂
からなるから、この導電性粒子の密度を変えることによ
り、熱可塑性樹脂体が有する電気抵抗を変化させること
ができる。
【０１１７】この発明（請求項４４）に係る集積回路装
置の製造方法では、半導体または誘電体からなる基板上
に複数のＦＥＴを含む回路要素を形成する工程と、上記
複数のＦＥＴのゲート電極相互間，ソース電極相互間，
またはドレイン電極相互間のそれぞれを直接電気的に接
続するように導電性配線を形成する工程とを含むから、
この導電性配線の形成前に各ＦＥＴごとに電気特性を測
定することができ、ＦＥＴの動作特性の均一性の評価が
でき、特性の均一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装置
を構成することが可能となる。これにより、集積回路装
置の製造歩留まりを向上させることができる。
置の製造方法では、半導体または誘電体からなる基板上
に複数のＦＥＴを含む回路要素を形成する工程と、上記
複数のＦＥＴのゲート電極相互間，ソース電極相互間，
またはドレイン電極相互間のそれぞれを直接電気的に接
続するように導電性配線を形成する工程とを含むから、
この導電性配線の形成前に各ＦＥＴごとに電気特性を測
定することができ、ＦＥＴの動作特性の均一性の評価が
でき、特性の均一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装置
を構成することが可能となる。これにより、集積回路装
置の製造歩留まりを向上させることができる。
【０１１８】この発明（請求項４５）に係る集積回路装
置の製造方法では、半導体または誘電体からなる基板上
に、複数のＦＥＴ，及びこの複数のＦＥＴの内少なくと
も一部ＦＥＴの間の領域に設けられる電気抵抗体を含む
回路要素を形成する工程と、上記複数のＦＥＴのゲート
電極相互間，ソース電極相互間，またはドレイン電極相
互間のそれぞれを直接または上記電気抵抗体を介して電
気的に接続する導電性配線を形成する工程とを含むか
ら、上記のように特性の均一なＦＥＴのみを用いて、集
積回路装置を構成することが可能となる。これにより、
集積回路装置の製造歩留まりを向上させることができる
だけでなく、上記導電性配線を形成する前に各ＦＥＴの
電気特性を測定し、これが発振している場合は、その発
振特性に応じてＦＥＴの上記電極間を上記電気抵抗体を
介して接続するか、または直接接続することにより、こ
の発振を容易に防止することができる。
置の製造方法では、半導体または誘電体からなる基板上
に、複数のＦＥＴ，及びこの複数のＦＥＴの内少なくと
も一部ＦＥＴの間の領域に設けられる電気抵抗体を含む
回路要素を形成する工程と、上記複数のＦＥＴのゲート
電極相互間，ソース電極相互間，またはドレイン電極相
互間のそれぞれを直接または上記電気抵抗体を介して電
気的に接続する導電性配線を形成する工程とを含むか
ら、上記のように特性の均一なＦＥＴのみを用いて、集
積回路装置を構成することが可能となる。これにより、
集積回路装置の製造歩留まりを向上させることができる
だけでなく、上記導電性配線を形成する前に各ＦＥＴの
電気特性を測定し、これが発振している場合は、その発
振特性に応じてＦＥＴの上記電極間を上記電気抵抗体を
介して接続するか、または直接接続することにより、こ
の発振を容易に防止することができる。
【０１１９】この発明（請求項４６）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項４４または４５）において、上記回路要素上に絶縁
膜を形成し、この回路要素上の，この回路要素を他の回
路要素と電気的に接続するための領域に上記絶縁膜の開
口部を形成する工程を含み、上記導電性配線を形成する
工程は、上記絶縁膜を形成する工程の後、この導電性配
線を上記絶縁膜の開口部において上記回路要素と接続す
るように形成するから、上記のように特性の均一なＦＥ
Ｔのみを用いて、集積回路装置を構成することが可能と
なり、集積回路装置の製造歩留まりを向上させることが
でき、さらにＦＥＴの発振を容易に防止することができ
るだけでなく、上記回路要素の表面を上記絶縁膜によっ
て保護することができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項４４または４５）において、上記回路要素上に絶縁
膜を形成し、この回路要素上の，この回路要素を他の回
路要素と電気的に接続するための領域に上記絶縁膜の開
口部を形成する工程を含み、上記導電性配線を形成する
工程は、上記絶縁膜を形成する工程の後、この導電性配
線を上記絶縁膜の開口部において上記回路要素と接続す
るように形成するから、上記のように特性の均一なＦＥ
Ｔのみを用いて、集積回路装置を構成することが可能と
なり、集積回路装置の製造歩留まりを向上させることが
でき、さらにＦＥＴの発振を容易に防止することができ
るだけでなく、上記回路要素の表面を上記絶縁膜によっ
て保護することができる。
【０１２０】この発明（請求項４７）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項４４ないし４６のいずれか）において、上記回路要
素を形成する工程の後に、上記各ＦＥＴの電気特性を測
定する工程を含み、上記導電性配線を形成する工程は、
上記各ＦＥＴの電気特性を測定する工程の後、この電気
特性に応じて上記導電性配線を形成するから、ＦＥＴの
動作特性の均一性の評価ができ、特性の均一なＦＥＴの
みを用いて、集積回路装置を構成することが可能とな
る。これにより、集積回路装置の製造歩留まりを向上さ
せることができる。さらに、上記ＦＥＴが発振している
場合は、その発振特性に応じてＦＥＴの上記電極間を上
記電気抵抗体を介して接続するか、または直接接続する
ことにより、この発振を容易に防止することができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項４４ないし４６のいずれか）において、上記回路要
素を形成する工程の後に、上記各ＦＥＴの電気特性を測
定する工程を含み、上記導電性配線を形成する工程は、
上記各ＦＥＴの電気特性を測定する工程の後、この電気
特性に応じて上記導電性配線を形成するから、ＦＥＴの
動作特性の均一性の評価ができ、特性の均一なＦＥＴの
みを用いて、集積回路装置を構成することが可能とな
る。これにより、集積回路装置の製造歩留まりを向上さ
せることができる。さらに、上記ＦＥＴが発振している
場合は、その発振特性に応じてＦＥＴの上記電極間を上
記電気抵抗体を介して接続するか、または直接接続する
ことにより、この発振を容易に防止することができる。
【０１２１】この発明（請求項４８）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項４４ないし４７のいずれか）において、上記導電性
配線は、電気良導体からなるから、上記のように特性の
均一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装置を構成するこ
とが可能となり、集積回路装置の製造歩留まりを向上さ
せることができ、ＦＥＴの発振を容易に防止することが
できる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項４４ないし４７のいずれか）において、上記導電性
配線は、電気良導体からなるから、上記のように特性の
均一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装置を構成するこ
とが可能となり、集積回路装置の製造歩留まりを向上さ
せることができ、ＦＥＴの発振を容易に防止することが
できる。
【０１２２】この発明（請求項４９）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項４８）において、上記電気良導体は、金属からなる
から、上記のように特性の均一なＦＥＴのみを用いて、
集積回路装置を構成することが可能となり、集積回路装
置の製造歩留まりを向上させることができ、ＦＥＴの発
振を容易に防止することができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項４８）において、上記電気良導体は、金属からなる
から、上記のように特性の均一なＦＥＴのみを用いて、
集積回路装置を構成することが可能となり、集積回路装
置の製造歩留まりを向上させることができ、ＦＥＴの発
振を容易に防止することができる。
【０１２３】この発明（請求項５０）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項４４ないし４７のいずれか）において、上記導電性
配線は、電気抵抗体からなるから、上記のように特性の
均一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装置を構成するこ
とが可能となり、集積回路装置の製造歩留まりを向上さ
せることができるだけでなく、上記導電性配線自身が有
する電気抵抗により、ＦＥＴの発振を容易に防止するこ
とができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項４４ないし４７のいずれか）において、上記導電性
配線は、電気抵抗体からなるから、上記のように特性の
均一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装置を構成するこ
とが可能となり、集積回路装置の製造歩留まりを向上さ
せることができるだけでなく、上記導電性配線自身が有
する電気抵抗により、ＦＥＴの発振を容易に防止するこ
とができる。
【０１２４】この発明（請求項５１）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項５０）において、上記電気抵抗体は、高融点金属か
らなるから、上記のように特性の均一なＦＥＴのみを用
いて、集積回路装置を構成することが可能となり、集積
回路装置の製造歩留まりを向上させることができるだけ
でなく、上記導電性配線自身が有する電気抵抗により、
ＦＥＴの発振を容易に防止することができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項５０）において、上記電気抵抗体は、高融点金属か
らなるから、上記のように特性の均一なＦＥＴのみを用
いて、集積回路装置を構成することが可能となり、集積
回路装置の製造歩留まりを向上させることができるだけ
でなく、上記導電性配線自身が有する電気抵抗により、
ＦＥＴの発振を容易に防止することができる。
【０１２５】この発明（請求項５２）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項４４ないし４７のいずれか）において、上記導電性
配線は、熱可塑性樹脂体からなるから、上記のように特
性の均一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装置を構成す
ることが可能となり、集積回路装置の製造歩留まりを向
上させることができ、ＦＥＴの発振を容易に防止するこ
とができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項４４ないし４７のいずれか）において、上記導電性
配線は、熱可塑性樹脂体からなるから、上記のように特
性の均一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装置を構成す
ることが可能となり、集積回路装置の製造歩留まりを向
上させることができ、ＦＥＴの発振を容易に防止するこ
とができる。
【０１２６】この発明（請求項５３）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項５２）において、上記熱可塑性樹脂体は、電気良導
体であるから、上記のように特性の均一なＦＥＴのみを
用いて集積回路装置を構成することが可能となり、集積
回路装置の製造歩留まりを向上させることができ、さら
にＦＥＴの発振を容易に防止することができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項５２）において、上記熱可塑性樹脂体は、電気良導
体であるから、上記のように特性の均一なＦＥＴのみを
用いて集積回路装置を構成することが可能となり、集積
回路装置の製造歩留まりを向上させることができ、さら
にＦＥＴの発振を容易に防止することができる。
【０１２７】この発明（請求項５４）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項５２）において、上記熱可塑性樹脂体は、電気抵抗
体であるから、上記のように特性の均一なＦＥＴのみを
用いて集積回路装置を構成することが可能となり、集積
回路装置の製造歩留まりを向上させることができるだけ
でなく、上記熱可塑性樹脂体自身が有する電気抵抗によ
り、ＦＥＴの発振を容易に防止することができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項５２）において、上記熱可塑性樹脂体は、電気抵抗
体であるから、上記のように特性の均一なＦＥＴのみを
用いて集積回路装置を構成することが可能となり、集積
回路装置の製造歩留まりを向上させることができるだけ
でなく、上記熱可塑性樹脂体自身が有する電気抵抗によ
り、ＦＥＴの発振を容易に防止することができる。
【０１２８】この発明（請求項５５）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項５２ないし５４のいずれか）において、上記熱可塑
性樹脂体は、導電性粒子を含む熱可塑性ポリイミド樹脂
からなるから、この導電性粒子の密度を変えることによ
り、熱可塑性樹脂体が有する電気抵抗を変化させること
ができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項５２ないし５４のいずれか）において、上記熱可塑
性樹脂体は、導電性粒子を含む熱可塑性ポリイミド樹脂
からなるから、この導電性粒子の密度を変えることによ
り、熱可塑性樹脂体が有する電気抵抗を変化させること
ができる。
【０１２９】この発明（請求項５６）に係る集積回路装
置の製造方法では、半導体または誘電体からなる基板上
に、ＦＥＴを含む回路要素を形成する工程と、このＦＥ
Ｔ上または上記基板上のこのＦＥＴに隣接する領域に磁
性体を形成する工程とを含むから、ＦＥＴの不要発振を
減衰させ、この発振を防止することができる。
置の製造方法では、半導体または誘電体からなる基板上
に、ＦＥＴを含む回路要素を形成する工程と、このＦＥ
Ｔ上または上記基板上のこのＦＥＴに隣接する領域に磁
性体を形成する工程とを含むから、ＦＥＴの不要発振を
減衰させ、この発振を防止することができる。
【０１３０】この発明（請求項５７）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項５６）において、上記回路要素を形成する工程の後
に、上記各ＦＥＴの電気特性を測定する工程を含み、上
記磁性体を形成する工程は、上記各ＦＥＴの電気特性を
測定する工程の後、この電気特性に応じて上記磁性体を
形成するものであるから、上記各ＦＥＴの発振特性に応
じて、適切な形状の上記磁性体を適切な位置に形成する
ことができ、ＦＥＴの発振を容易に防止することができ
る。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項５６）において、上記回路要素を形成する工程の後
に、上記各ＦＥＴの電気特性を測定する工程を含み、上
記磁性体を形成する工程は、上記各ＦＥＴの電気特性を
測定する工程の後、この電気特性に応じて上記磁性体を
形成するものであるから、上記各ＦＥＴの発振特性に応
じて、適切な形状の上記磁性体を適切な位置に形成する
ことができ、ＦＥＴの発振を容易に防止することができ
る。
【０１３１】この発明（請求項５８）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項５６または５７）において、上記磁性体を形成する
工程は、樹脂により上記ＦＥＴまたは上記基板に上記磁
性体を接着するから、上記のようにＦＥＴの発振を容易
に防止することができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項５６または５７）において、上記磁性体を形成する
工程は、樹脂により上記ＦＥＴまたは上記基板に上記磁
性体を接着するから、上記のようにＦＥＴの発振を容易
に防止することができる。
【０１３２】この発明（請求項５９）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項５８）において、上記樹脂は、熱可塑性樹脂である
から、上記のようにＦＥＴの発振を容易に防止すること
ができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項５８）において、上記樹脂は、熱可塑性樹脂である
から、上記のようにＦＥＴの発振を容易に防止すること
ができる。
【０１３３】この発明（請求項６０）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項５９）において、上記熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポ
リイミド樹脂であるから、上記のようにＦＥＴの発振を
容易に防止することができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項５９）において、上記熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポ
リイミド樹脂であるから、上記のようにＦＥＴの発振を
容易に防止することができる。
【０１３４】この発明（請求項６１）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項５６ないし６０のいずれか）において、上記磁性体
は、磁性粒子を含む熱可塑性樹脂からなるから、上記の
ようにＦＥＴの発振を容易に防止することができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項５６ないし６０のいずれか）において、上記磁性体
は、磁性粒子を含む熱可塑性樹脂からなるから、上記の
ようにＦＥＴの発振を容易に防止することができる。
【０１３５】この発明（請求項６２）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項６１）において、上記熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポ
リイミド樹脂からなるから、上記のようにＦＥＴの発振
を容易に防止することができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項６１）において、上記熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポ
リイミド樹脂からなるから、上記のようにＦＥＴの発振
を容易に防止することができる。
【０１３６】この発明（請求項６３）に係る集積回路装
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項６１または６２）において、上記磁性粒子は、フェ
ライトからなるから、上記のようにＦＥＴの発振を容易
に防止することができる。
置の製造方法では、上記の集積回路装置の製造方法（請
求項６１または６２）において、上記磁性粒子は、フェ
ライトからなるから、上記のようにＦＥＴの発振を容易
に防止することができる。
【０１３７】
実施例１．この発明の第１の実施例について説明する。
図１(a) は本実施例による集積回路装置の上面図であ
る。図中、１は入力側基板，２は出力側基板，３はＦＥ
Ｔ，５は入力側基板上に設けられた入力インピーダンス
整合回路，６は出力側基板上に設けられた出力インピー
ダンス整合回路，７はＡｕ等の導体膜からなるランド，
１１はＧａＡｓ，Ｓｉ等からなる半導体基板，１２０，
１２１，１２２は導電性粒子を含む熱可塑性ポリイミド
等からなる熱可塑性樹脂体である。基板１，２はアルミ
ナ等の誘電体からなり、入力及び出力インピーダンス整
合回路はＡｕ等の導体膜からなるものである。半導体基
板１１上に複数のＦＥＴ３が設けられている。各ＦＥＴ
３の内部の構成は図５に示した従来の集積回路装置と同
じである。上記熱可塑性樹脂の抵抗率は１０-4〜１０-5
Ωcm程度であり、これはＡｕ等よりは高いが実用上使用
可能な抵抗率である。熱可塑性樹脂体１２０は、入力イ
ンピーダンス整合回路５とＦＥＴ３のゲート電極の間，
及びＦＥＴ３のドレイン電極と出力インピーダンス整合
回路６の間を接続している。熱可塑性樹脂体１２１は、
その一端が入力インピーダンス整合回路５に接続してい
る。また、熱可塑性樹脂体１２２は、出力インピーダン
ス整合回路６とこの近傍に設けられた島状の導体膜から
なるランド７の間を接続している。
図１(a) は本実施例による集積回路装置の上面図であ
る。図中、１は入力側基板，２は出力側基板，３はＦＥ
Ｔ，５は入力側基板上に設けられた入力インピーダンス
整合回路，６は出力側基板上に設けられた出力インピー
ダンス整合回路，７はＡｕ等の導体膜からなるランド，
１１はＧａＡｓ，Ｓｉ等からなる半導体基板，１２０，
１２１，１２２は導電性粒子を含む熱可塑性ポリイミド
等からなる熱可塑性樹脂体である。基板１，２はアルミ
ナ等の誘電体からなり、入力及び出力インピーダンス整
合回路はＡｕ等の導体膜からなるものである。半導体基
板１１上に複数のＦＥＴ３が設けられている。各ＦＥＴ
３の内部の構成は図５に示した従来の集積回路装置と同
じである。上記熱可塑性樹脂の抵抗率は１０-4〜１０-5
Ωcm程度であり、これはＡｕ等よりは高いが実用上使用
可能な抵抗率である。熱可塑性樹脂体１２０は、入力イ
ンピーダンス整合回路５とＦＥＴ３のゲート電極の間，
及びＦＥＴ３のドレイン電極と出力インピーダンス整合
回路６の間を接続している。熱可塑性樹脂体１２１は、
その一端が入力インピーダンス整合回路５に接続してい
る。また、熱可塑性樹脂体１２２は、出力インピーダン
ス整合回路６とこの近傍に設けられた島状の導体膜から
なるランド７の間を接続している。
【０１３８】次に、本実施例１の集積回路装置の製造方
法について説明する。図１(b) は本実施例の集積回路装
置の製造方法を示す上面図である。図中の図１(a) と同
一符号は、同一部分を示す。まず、図１(b) に示すよう
に、アルミナ等の誘電体からなる入力側基板１上にＡｕ
等の導体膜からなる入力インピーダンス整合回路５を、
半導体基板１１上に複数のＦＥＴ３を、アルミナ等の誘
電体からなる出力側基板２上にＡｕ等の導体膜からなる
出力インピーダンス整合回路６及びランド７を形成し、
これらを組み立てる。次に、熱可塑性樹脂体１２０を入
力インピーダンス整合回路５とＦＥＴ３のゲート電極の
間，及びＦＥＴ３のドレイン電極と出力インピーダンス
整合回路６の間を接続するように形成する。この後、入
力インピーダンス整合回路５と出力インピーダンス整合
回路６の間の高周波特性を測定する。この高周波特性に
応じて、入力側でインピーダンス整合するように、適切
な形状の熱可塑性樹脂体１２１をその一端が入力インピ
ーダンス整合回路５の適切な位置に接続するように形成
し、また、出力側でインピーダンス整合するように、熱
可塑性樹脂体１２２を出力インピーダンス整合回路６と
適切に選ばれたランド７の間を接続するように形成す
る。熱可塑性樹脂体１２０，１２１，１２２の形成は、
エッチングによるパターンニングまたはシール状にして
貼り付ける等の方法により任意の形状の熱可塑性樹脂体
を基板上に付着させ、さらにこれをレーザ照射等の方法
により２００〜２５０℃程度に加熱して基板に接着させ
ることによって行われる。以上により、図１(a) に示し
た集積回路装置が作製される。
法について説明する。図１(b) は本実施例の集積回路装
置の製造方法を示す上面図である。図中の図１(a) と同
一符号は、同一部分を示す。まず、図１(b) に示すよう
に、アルミナ等の誘電体からなる入力側基板１上にＡｕ
等の導体膜からなる入力インピーダンス整合回路５を、
半導体基板１１上に複数のＦＥＴ３を、アルミナ等の誘
電体からなる出力側基板２上にＡｕ等の導体膜からなる
出力インピーダンス整合回路６及びランド７を形成し、
これらを組み立てる。次に、熱可塑性樹脂体１２０を入
力インピーダンス整合回路５とＦＥＴ３のゲート電極の
間，及びＦＥＴ３のドレイン電極と出力インピーダンス
整合回路６の間を接続するように形成する。この後、入
力インピーダンス整合回路５と出力インピーダンス整合
回路６の間の高周波特性を測定する。この高周波特性に
応じて、入力側でインピーダンス整合するように、適切
な形状の熱可塑性樹脂体１２１をその一端が入力インピ
ーダンス整合回路５の適切な位置に接続するように形成
し、また、出力側でインピーダンス整合するように、熱
可塑性樹脂体１２２を出力インピーダンス整合回路６と
適切に選ばれたランド７の間を接続するように形成す
る。熱可塑性樹脂体１２０，１２１，１２２の形成は、
エッチングによるパターンニングまたはシール状にして
貼り付ける等の方法により任意の形状の熱可塑性樹脂体
を基板上に付着させ、さらにこれをレーザ照射等の方法
により２００〜２５０℃程度に加熱して基板に接着させ
ることによって行われる。以上により、図１(a) に示し
た集積回路装置が作製される。
【０１３９】本実施例１においては、入力側基板１上の
入力インピーダンス整合回路５と半導体基板上に形成さ
れたＦＥＴ３のゲート電極，及び出力側基板２上の出力
インピーダンス整合回路６とＦＥＴ３のドレイン電極を
熱可塑性樹脂１２０により接続している。前述の従来の
集積回路装置のように、ワイヤによってこれらを接続し
ている場合は、ワイヤが基板表面から浮いて形成され、
その形状が湾曲形状となるため、ワイヤ長が長くなり、
寄生インダクタンスが増加するとともに、各ＦＥＴ３に
接続されているワイヤの形状のばらつきによりその寄生
インダクタンスにばらつきが生じてしまい、高周波帯で
の信号の合成効率が劣化してしまうという問題があっ
た。これに対して、熱可塑性樹脂体１２０は、基板表面
に接着されているため、湾曲形状が生じず、かつこの熱
可塑性樹脂体の幅を高い精度で任意に設定できることか
ら、低インダクタンスでかつそのばらつきの小さい、再
現性の良好な結線ができる。従って、合成効率の再現性
を向上させることができるとともに、合成効率自身を向
上させることが可能となる。
入力インピーダンス整合回路５と半導体基板上に形成さ
れたＦＥＴ３のゲート電極，及び出力側基板２上の出力
インピーダンス整合回路６とＦＥＴ３のドレイン電極を
熱可塑性樹脂１２０により接続している。前述の従来の
集積回路装置のように、ワイヤによってこれらを接続し
ている場合は、ワイヤが基板表面から浮いて形成され、
その形状が湾曲形状となるため、ワイヤ長が長くなり、
寄生インダクタンスが増加するとともに、各ＦＥＴ３に
接続されているワイヤの形状のばらつきによりその寄生
インダクタンスにばらつきが生じてしまい、高周波帯で
の信号の合成効率が劣化してしまうという問題があっ
た。これに対して、熱可塑性樹脂体１２０は、基板表面
に接着されているため、湾曲形状が生じず、かつこの熱
可塑性樹脂体の幅を高い精度で任意に設定できることか
ら、低インダクタンスでかつそのばらつきの小さい、再
現性の良好な結線ができる。従って、合成効率の再現性
を向上させることができるとともに、合成効率自身を向
上させることが可能となる。
【０１４０】さらに、本実施例１においては、熱可塑性
樹脂体は上記のように銀ペースト等の旧来の導電性樹脂
より格段に低い抵抗率を有しているので、入力側基板１
上の熱可塑性樹脂体１２１は、入力インピーダンス整合
回路５に金属膜等からなる導体パターンを付加したもの
とほぼ同等に機能する。このため、入力側基板１，出力
側基板２，及び半導体基板１１の上にインピーダンス整
合回路，ＦＥＴ等の回路要素を形成して、これらの基板
を集積回路装置に組み立てた後、その高周波特性を測定
し、この特性に応じて上記熱可塑性樹脂体１２１を形成
することにより、入力側のインピーダンス整合を容易に
調整することが可能となる。この場合、前述の従来の集
積回路装置のように入力インピーダンス整合回路の近傍
にランドを予め用意する必要がなく、また任意の位置に
任意の形状の熱可塑性樹脂体１２１を形成できるため、
インピーダンス整合の調整の自由度が大きくなる。すな
わち、従来の集積回路装置のように接続するランドを選
択することによって、離散的なインピーダンス整合の調
整がなされるのではなく、連続的なインピーダンス整合
の調整が可能となる。さらに、従来の集積回路装置にお
いてランドとインピーダンス整合回路を接続するために
用いていたワイヤは基板表面から浮いて形成されている
ため、その湾曲形状のばらつきに起因する高周波特性の
ばらつきが問題となっていたが、上記熱可塑性樹脂体で
は基板表面上に付着した形状で形成され、湾曲形状を有
さないため、高周波特性のばらつきは低減される。
樹脂体は上記のように銀ペースト等の旧来の導電性樹脂
より格段に低い抵抗率を有しているので、入力側基板１
上の熱可塑性樹脂体１２１は、入力インピーダンス整合
回路５に金属膜等からなる導体パターンを付加したもの
とほぼ同等に機能する。このため、入力側基板１，出力
側基板２，及び半導体基板１１の上にインピーダンス整
合回路，ＦＥＴ等の回路要素を形成して、これらの基板
を集積回路装置に組み立てた後、その高周波特性を測定
し、この特性に応じて上記熱可塑性樹脂体１２１を形成
することにより、入力側のインピーダンス整合を容易に
調整することが可能となる。この場合、前述の従来の集
積回路装置のように入力インピーダンス整合回路の近傍
にランドを予め用意する必要がなく、また任意の位置に
任意の形状の熱可塑性樹脂体１２１を形成できるため、
インピーダンス整合の調整の自由度が大きくなる。すな
わち、従来の集積回路装置のように接続するランドを選
択することによって、離散的なインピーダンス整合の調
整がなされるのではなく、連続的なインピーダンス整合
の調整が可能となる。さらに、従来の集積回路装置にお
いてランドとインピーダンス整合回路を接続するために
用いていたワイヤは基板表面から浮いて形成されている
ため、その湾曲形状のばらつきに起因する高周波特性の
ばらつきが問題となっていたが、上記熱可塑性樹脂体で
は基板表面上に付着した形状で形成され、湾曲形状を有
さないため、高周波特性のばらつきは低減される。
【０１４１】また、本実施例１においては、出力側基板
２上の熱可塑性樹脂１２２は、ランド７と出力整合回路
６との間を接続するように設けられている。これは、出
力側では一般に大電流が出力インピーダンス整合回路６
中を流れるため、インピーダンス整合調整用に付加した
部分の抵抗をできるだけ低減し、出力信号の損失を抑制
するように、熱可塑性樹脂より抵抗率の低い金属膜等か
らなる導体ランド７を用いたものである。この熱可塑性
樹脂体１２２の場合でも、入力側の熱可塑性樹脂体１２
１と同様に、従来のワイヤの湾曲形状に伴う高周波特性
のばらつきの影響が生じない上に、この熱可塑性樹脂体
の幅を任意に設定できるため、連続的な出力側のインピ
ーダンス整合の微調整が可能である。
２上の熱可塑性樹脂１２２は、ランド７と出力整合回路
６との間を接続するように設けられている。これは、出
力側では一般に大電流が出力インピーダンス整合回路６
中を流れるため、インピーダンス整合調整用に付加した
部分の抵抗をできるだけ低減し、出力信号の損失を抑制
するように、熱可塑性樹脂より抵抗率の低い金属膜等か
らなる導体ランド７を用いたものである。この熱可塑性
樹脂体１２２の場合でも、入力側の熱可塑性樹脂体１２
１と同様に、従来のワイヤの湾曲形状に伴う高周波特性
のばらつきの影響が生じない上に、この熱可塑性樹脂体
の幅を任意に設定できるため、連続的な出力側のインピ
ーダンス整合の微調整が可能である。
【０１４２】実施例２．この発明の第２の実施例につい
て説明する。図２(a) は本実施例２による集積回路装置
のＦＥＴ３を拡大して示す上面図である。図において、
８はＦＥＴのゲート電極，８ａはくし形ゲート，９はド
レイン電極，１０はソース電極，１３は絶縁膜開口部，
１２３は導電性粒子を含む熱可塑性ポリイミド樹脂等か
らなる熱可塑性樹脂体を用いた導電性配線である。な
お、図１と同一部分には同一符号を付して、その詳しい
説明は省略する。導電性配線１２３は、互いに隣接する
ＦＥＴのゲート電極の間，及びドレイン電極の間を接続
している。ＦＥＴ３の電極に熱可塑性樹脂体を用いた導
電性配線１２３を接続する領域の大きさは、ワイヤボン
ディングに必要な１００μｍ×１００μｍといった領域
に比べて２０μｍ×２０μｍ以下の著しく微細な領域で
十分である。また、ＦＥＴ３の表面を保護するための絶
縁膜は、上記の絶縁膜開口部１３以外のＦＥＴ３及び半
導体基板１１表面の全面に形成されている。この図で
は、記載を省略してあるが、全ＦＥＴのソース電極の間
は、前述の従来の集積回路装置と同様にエアブリッジに
よって接続されている。
て説明する。図２(a) は本実施例２による集積回路装置
のＦＥＴ３を拡大して示す上面図である。図において、
８はＦＥＴのゲート電極，８ａはくし形ゲート，９はド
レイン電極，１０はソース電極，１３は絶縁膜開口部，
１２３は導電性粒子を含む熱可塑性ポリイミド樹脂等か
らなる熱可塑性樹脂体を用いた導電性配線である。な
お、図１と同一部分には同一符号を付して、その詳しい
説明は省略する。導電性配線１２３は、互いに隣接する
ＦＥＴのゲート電極の間，及びドレイン電極の間を接続
している。ＦＥＴ３の電極に熱可塑性樹脂体を用いた導
電性配線１２３を接続する領域の大きさは、ワイヤボン
ディングに必要な１００μｍ×１００μｍといった領域
に比べて２０μｍ×２０μｍ以下の著しく微細な領域で
十分である。また、ＦＥＴ３の表面を保護するための絶
縁膜は、上記の絶縁膜開口部１３以外のＦＥＴ３及び半
導体基板１１表面の全面に形成されている。この図で
は、記載を省略してあるが、全ＦＥＴのソース電極の間
は、前述の従来の集積回路装置と同様にエアブリッジに
よって接続されている。
【０１４３】次に、本実施例２の集積回路装置の製造方
法について説明する。図２(b) は本実施例の集積回路装
置の製造方法を示す上面図である。図中の図２(a) と同
一符号は、同一部分を示す。入力インピーダンス整合回
路５及び出力インピーダンス整合回路６の製造方法は実
施例１と同じであるので説明は省略する。まず、半導体
ウエハ上に複数のＦＥＴの動作層，複数のゲート電極
８，くし形ゲート８ａ，ドレイン電極９，ソース電極１
０を形成し、さらにソース電極間を接続するエアブリッ
ジ（図では記載は省略），及び全面にＦＥＴの表面を保
護する絶縁膜を形成した後、絶縁膜開口部１３を形成す
る。次に、各ＦＥＴの電気特性をそれぞれ測定した後、
それぞれの集積回路装置を構成する一連のＦＥＴがその
表面に形成されている半導体基板１１を半導体ウエハか
ら切り出す。このように切り出された半導体基板１１の
内、それぞれの基板を構成しているＦＥＴの電気特性が
一定程度の均一性を有するもののみを用いて、入力側基
板５及び出力側基板６とともに集積回路装置を組み立て
る。この状態を示したものが図２(b) である。最後に、
入力インピーダンス整合回路５と各ＦＥＴのゲート電極
８の間，及び出力インピーダンス整合回路６と各ＦＥＴ
のドレイン電極の間を熱可塑性樹脂体１２０により接続
し、互いに隣接するＦＥＴのゲート電極の間，及びドレ
イン電極の間を熱可塑性樹脂体を用いた導電性配線１２
３により接続する。熱可塑性樹脂体１２０，１２３の形
成は、実施例１と同様に、エッチングによるパターンニ
ングまたはシール状にして貼り付ける等の方法により任
意の形状の熱可塑性樹脂体を基板上に付着させ、さらに
これをレーザ照射等の方法により２００〜２５０℃程度
に加熱して基板に接着させることによって行われる。以
上により、図２(a) に示した集積回路装置が作製され
る。
法について説明する。図２(b) は本実施例の集積回路装
置の製造方法を示す上面図である。図中の図２(a) と同
一符号は、同一部分を示す。入力インピーダンス整合回
路５及び出力インピーダンス整合回路６の製造方法は実
施例１と同じであるので説明は省略する。まず、半導体
ウエハ上に複数のＦＥＴの動作層，複数のゲート電極
８，くし形ゲート８ａ，ドレイン電極９，ソース電極１
０を形成し、さらにソース電極間を接続するエアブリッ
ジ（図では記載は省略），及び全面にＦＥＴの表面を保
護する絶縁膜を形成した後、絶縁膜開口部１３を形成す
る。次に、各ＦＥＴの電気特性をそれぞれ測定した後、
それぞれの集積回路装置を構成する一連のＦＥＴがその
表面に形成されている半導体基板１１を半導体ウエハか
ら切り出す。このように切り出された半導体基板１１の
内、それぞれの基板を構成しているＦＥＴの電気特性が
一定程度の均一性を有するもののみを用いて、入力側基
板５及び出力側基板６とともに集積回路装置を組み立て
る。この状態を示したものが図２(b) である。最後に、
入力インピーダンス整合回路５と各ＦＥＴのゲート電極
８の間，及び出力インピーダンス整合回路６と各ＦＥＴ
のドレイン電極の間を熱可塑性樹脂体１２０により接続
し、互いに隣接するＦＥＴのゲート電極の間，及びドレ
イン電極の間を熱可塑性樹脂体を用いた導電性配線１２
３により接続する。熱可塑性樹脂体１２０，１２３の形
成は、実施例１と同様に、エッチングによるパターンニ
ングまたはシール状にして貼り付ける等の方法により任
意の形状の熱可塑性樹脂体を基板上に付着させ、さらに
これをレーザ照射等の方法により２００〜２５０℃程度
に加熱して基板に接着させることによって行われる。以
上により、図２(a) に示した集積回路装置が作製され
る。
【０１４４】本実施例２においては、互いに隣接するＦ
ＥＴ３のゲート電極８の間、及びドレイン電極９の間を
熱可塑性樹脂体を用いた導電性配線１２３によって接続
している。導電性配線１２３とそれぞれの電極との接続
は絶縁膜開口部１３の部分においてなされている。一般
にＦＥＴが多数並列に接続された高出力ＦＥＴでは、製
造工程等の要因により各ＦＥＴ３の電気特性が不均一と
なることがあり、これによって集積回路装置が特性不良
となる場合がある。前述の従来の集積回路装置のよう
に、全ＦＥＴの電極が一体に形成されており、ＦＥＴ３
が半導体基板１１上に形成された時点で全ＦＥＴの電極
が接続されている場合は、それぞれのＦＥＴの電気特性
を検査することができないため、ＦＥＴの不均一動作を
検出できず、これが製造歩留まり低下の大きな要因とな
っている。これに対して、本実施例２では、半導体基板
１１上にＦＥＴが形成された後、入力及び出力側基板と
ＦＥＴを接続する前に、ＦＥＴの電気特性を測定するこ
とができ、この後に互いに隣接するＦＥＴの電極間を接
続するので、予め上記のＦＥＴの不均一動作を検査で
き、ＦＥＴの特性が均一な半導体基板１１のみを用いて
集積回路装置の組立を行うことにより、集積回路装置の
製造歩留まりを向上させることができる。この際、上記
のように各ＦＥＴの電気特性を検査した後にワイヤによ
り互いに隣接するＦＥＴの電極の間を接続することも可
能ではあるが、ワイヤをＦＥＴの電極にボンディングす
るためには、１００μｍ×１００μｍ程度の大きな電極
領域を確保する必要があり、これによりＦＥＴ間の距離
が長くなってしまい、高出力集積回路装置の電力密度が
低くなり、高周波信号の合成効率が悪くなる問題があ
る。これに対して、本実施例２のようにＦＥＴの電極間
を接続する導電性配線に熱可塑性樹脂体を用いれば、こ
の配線とＦＥＴの電極を接続するための領域は、２０μ
ｍ×２０μｍ以下の微細な領域で十分なため、ＦＥＴ間
の距離を従来のＦＥＴの電極が一体に形成されている集
積回路装置と同程度にでき、従来と同等な電力密度の高
出力集積回路装置を作製でき、高周波信号の合成効率が
劣化しない。
ＥＴ３のゲート電極８の間、及びドレイン電極９の間を
熱可塑性樹脂体を用いた導電性配線１２３によって接続
している。導電性配線１２３とそれぞれの電極との接続
は絶縁膜開口部１３の部分においてなされている。一般
にＦＥＴが多数並列に接続された高出力ＦＥＴでは、製
造工程等の要因により各ＦＥＴ３の電気特性が不均一と
なることがあり、これによって集積回路装置が特性不良
となる場合がある。前述の従来の集積回路装置のよう
に、全ＦＥＴの電極が一体に形成されており、ＦＥＴ３
が半導体基板１１上に形成された時点で全ＦＥＴの電極
が接続されている場合は、それぞれのＦＥＴの電気特性
を検査することができないため、ＦＥＴの不均一動作を
検出できず、これが製造歩留まり低下の大きな要因とな
っている。これに対して、本実施例２では、半導体基板
１１上にＦＥＴが形成された後、入力及び出力側基板と
ＦＥＴを接続する前に、ＦＥＴの電気特性を測定するこ
とができ、この後に互いに隣接するＦＥＴの電極間を接
続するので、予め上記のＦＥＴの不均一動作を検査で
き、ＦＥＴの特性が均一な半導体基板１１のみを用いて
集積回路装置の組立を行うことにより、集積回路装置の
製造歩留まりを向上させることができる。この際、上記
のように各ＦＥＴの電気特性を検査した後にワイヤによ
り互いに隣接するＦＥＴの電極の間を接続することも可
能ではあるが、ワイヤをＦＥＴの電極にボンディングす
るためには、１００μｍ×１００μｍ程度の大きな電極
領域を確保する必要があり、これによりＦＥＴ間の距離
が長くなってしまい、高出力集積回路装置の電力密度が
低くなり、高周波信号の合成効率が悪くなる問題があ
る。これに対して、本実施例２のようにＦＥＴの電極間
を接続する導電性配線に熱可塑性樹脂体を用いれば、こ
の配線とＦＥＴの電極を接続するための領域は、２０μ
ｍ×２０μｍ以下の微細な領域で十分なため、ＦＥＴ間
の距離を従来のＦＥＴの電極が一体に形成されている集
積回路装置と同程度にでき、従来と同等な電力密度の高
出力集積回路装置を作製でき、高周波信号の合成効率が
劣化しない。
【０１４５】さらに、本実施例２においては、上記の熱
可塑性樹脂体を用いた導電性配線１２３は、電気良導体
であっても良いが、数Ω程度の抵抗を有する抵抗体であ
っても良い。この際、熱可塑性樹脂中の導電性粒子の材
料，導電性粒子の密度，熱可塑性樹脂体の幅，厚さ等を
適切に選択することにより、容易に所望の抵抗を得るこ
とが可能である。例えば、熱可塑性樹脂として抵抗率１
０-4Ωcm程度のものを用いた場合、１Ωの抵抗を有する
熱可塑性樹脂体を得るためには、その厚さ，幅，長さを
それぞれ５μｍ，１００μｍ，５００μｍとすれば良
い。このように、一部またはすべての導電性配線を電気
抵抗体とすることにより、ＦＥＴ間の信号ループによる
不要発振を防止することができる。
可塑性樹脂体を用いた導電性配線１２３は、電気良導体
であっても良いが、数Ω程度の抵抗を有する抵抗体であ
っても良い。この際、熱可塑性樹脂中の導電性粒子の材
料，導電性粒子の密度，熱可塑性樹脂体の幅，厚さ等を
適切に選択することにより、容易に所望の抵抗を得るこ
とが可能である。例えば、熱可塑性樹脂として抵抗率１
０-4Ωcm程度のものを用いた場合、１Ωの抵抗を有する
熱可塑性樹脂体を得るためには、その厚さ，幅，長さを
それぞれ５μｍ，１００μｍ，５００μｍとすれば良
い。このように、一部またはすべての導電性配線を電気
抵抗体とすることにより、ＦＥＴ間の信号ループによる
不要発振を防止することができる。
【０１４６】なお、上記導電性配線１２３としては、熱
可塑性樹脂体では無く、電気良導体であるＡｕ，Ａｌ等
の金属を用いても良く、また、電気抵抗体であるＷＳｉ
等の高融点金属を用いても良い。
可塑性樹脂体では無く、電気良導体であるＡｕ，Ａｌ等
の金属を用いても良く、また、電気抵抗体であるＷＳｉ
等の高融点金属を用いても良い。
【０１４７】実施例３．この発明の第３の実施例につい
て説明する。図３(a) は本実施例３の集積回路装置のＦ
ＥＴ部の上面図である。図において、１４は金属薄膜抵
抗や半導体抵抗等の抵抗体，１５はフェライト等の磁性
粒子を含む熱可塑性ポリイミド等の熱可塑性樹脂からな
る磁性体，１２４，１２５は導電性粒子を含む熱可塑性
ポリイミド樹脂等からなる熱可塑性樹脂体を用いた導電
性配線である。なお、図１，２と同一部分には同一符号
を付して、その詳しい説明は省略する。抵抗体１４はそ
の上面に熱可塑性樹脂体からなる導電性配線１２３，１
２４，１２５を付着することによりこれと接続可能なも
のである。互いに隣接するＦＥＴのゲート電極間または
ドレイン電極間は、導電性配線１２３，１２５により直
接接続されているか、または導電性配線１２４により抵
抗体１４を介して接続されている。また、ＦＥＴの境界
付近に磁性体１５が設けられている。本実施例３におい
ても、実施例２と同様に、上記抵抗体１４及びＦＥＴ３
の電極に熱可塑性樹脂体を用いた導電性配線１２３，１
２４，１２５を接続する領域の大きさは、２０μｍ×２
０μｍ以下の微細な領域で十分である。また、ＦＥＴ３
の表面を保護するための絶縁膜は、上記の絶縁膜開口部
１３以外のＦＥＴ３及び半導体基板１１表面の全面に形
成されており、また記載を省略してあるが、全ＦＥＴの
ソース電極の間は、前述のエアブリッジによって接続さ
れている。
て説明する。図３(a) は本実施例３の集積回路装置のＦ
ＥＴ部の上面図である。図において、１４は金属薄膜抵
抗や半導体抵抗等の抵抗体，１５はフェライト等の磁性
粒子を含む熱可塑性ポリイミド等の熱可塑性樹脂からな
る磁性体，１２４，１２５は導電性粒子を含む熱可塑性
ポリイミド樹脂等からなる熱可塑性樹脂体を用いた導電
性配線である。なお、図１，２と同一部分には同一符号
を付して、その詳しい説明は省略する。抵抗体１４はそ
の上面に熱可塑性樹脂体からなる導電性配線１２３，１
２４，１２５を付着することによりこれと接続可能なも
のである。互いに隣接するＦＥＴのゲート電極間または
ドレイン電極間は、導電性配線１２３，１２５により直
接接続されているか、または導電性配線１２４により抵
抗体１４を介して接続されている。また、ＦＥＴの境界
付近に磁性体１５が設けられている。本実施例３におい
ても、実施例２と同様に、上記抵抗体１４及びＦＥＴ３
の電極に熱可塑性樹脂体を用いた導電性配線１２３，１
２４，１２５を接続する領域の大きさは、２０μｍ×２
０μｍ以下の微細な領域で十分である。また、ＦＥＴ３
の表面を保護するための絶縁膜は、上記の絶縁膜開口部
１３以外のＦＥＴ３及び半導体基板１１表面の全面に形
成されており、また記載を省略してあるが、全ＦＥＴの
ソース電極の間は、前述のエアブリッジによって接続さ
れている。
【０１４８】次に、本実施例３の集積回路装置の製造方
法について説明する。図３(b) は本実施例の集積回路装
置の製造方法を示す上面図である。図中の図３(a) と同
一符号は、同一部分を示す。入力インピーダンス整合回
路５及び出力インピーダンス整合回路６の製造方法は実
施例１と同じであるので説明は省略する。まず、半導体
ウエハ上に複数のＦＥＴの動作層，複数のゲート電極
８，くし形ゲート８ａ，ドレイン電極９，ソース電極１
０，及び金属薄膜抵抗や半導体抵抗等の複数の抵抗体１
４を形成し、さらにソース電極間を接続するエアブリッ
ジ（図では記載は省略），及び全面にＦＥＴの表面を保
護する絶縁膜を形成した後、絶縁膜開口部１３を形成す
る。次に、各ＦＥＴの電気特性を測定するとともに、不
要発振を評価した後、それぞれの集積回路装置を構成す
る一連のＦＥＴがその表面に形成されている半導体基板
１１を半導体ウエハから切り出す。このように切り出さ
れた半導体基板１１の内、それぞれの基板を構成してい
るＦＥＴの電気特性が一定以上の均一性を有するものの
みを用いて、入力側基板５及び出力側基板６とともに集
積回路装置を組み立てる。この状態を示したものが図３
(b) である。次に、入力インピーダンス整合回路５と各
ＦＥＴのゲート電極８の間，及び出力インピーダンス整
合回路６と各ＦＥＴのドレイン電極の間を熱可塑性樹脂
体１２０により接続する。さらに、上記の各ＦＥＴの不
要発振の評価結果に応じて、互いに隣接するＦＥＴのゲ
ート電極の間，及びドレイン電極の間を熱可塑性樹脂体
を用いた導電性配線１２４により上記抵抗体１４を介し
て接続するか、または導電性配線１２３，１２５により
直接接続する。さらに、ＦＥＴの上記不要発振の評価結
果に応じて、フェライト等の磁性粒子を含む熱可塑性ポ
リイミド等の熱可塑性樹脂からなる磁性体１５をＦＥＴ
３の境界付近のソース電極上に形成する。熱可塑性樹脂
体１２０，１２３，１２４，１２５及び熱可塑性樹脂か
らなる磁性体１５の形成方法は、実施例１，２とまった
く同じである。以上により、図３(a) に示した集積回路
装置が作製される。
法について説明する。図３(b) は本実施例の集積回路装
置の製造方法を示す上面図である。図中の図３(a) と同
一符号は、同一部分を示す。入力インピーダンス整合回
路５及び出力インピーダンス整合回路６の製造方法は実
施例１と同じであるので説明は省略する。まず、半導体
ウエハ上に複数のＦＥＴの動作層，複数のゲート電極
８，くし形ゲート８ａ，ドレイン電極９，ソース電極１
０，及び金属薄膜抵抗や半導体抵抗等の複数の抵抗体１
４を形成し、さらにソース電極間を接続するエアブリッ
ジ（図では記載は省略），及び全面にＦＥＴの表面を保
護する絶縁膜を形成した後、絶縁膜開口部１３を形成す
る。次に、各ＦＥＴの電気特性を測定するとともに、不
要発振を評価した後、それぞれの集積回路装置を構成す
る一連のＦＥＴがその表面に形成されている半導体基板
１１を半導体ウエハから切り出す。このように切り出さ
れた半導体基板１１の内、それぞれの基板を構成してい
るＦＥＴの電気特性が一定以上の均一性を有するものの
みを用いて、入力側基板５及び出力側基板６とともに集
積回路装置を組み立てる。この状態を示したものが図３
(b) である。次に、入力インピーダンス整合回路５と各
ＦＥＴのゲート電極８の間，及び出力インピーダンス整
合回路６と各ＦＥＴのドレイン電極の間を熱可塑性樹脂
体１２０により接続する。さらに、上記の各ＦＥＴの不
要発振の評価結果に応じて、互いに隣接するＦＥＴのゲ
ート電極の間，及びドレイン電極の間を熱可塑性樹脂体
を用いた導電性配線１２４により上記抵抗体１４を介し
て接続するか、または導電性配線１２３，１２５により
直接接続する。さらに、ＦＥＴの上記不要発振の評価結
果に応じて、フェライト等の磁性粒子を含む熱可塑性ポ
リイミド等の熱可塑性樹脂からなる磁性体１５をＦＥＴ
３の境界付近のソース電極上に形成する。熱可塑性樹脂
体１２０，１２３，１２４，１２５及び熱可塑性樹脂か
らなる磁性体１５の形成方法は、実施例１，２とまった
く同じである。以上により、図３(a) に示した集積回路
装置が作製される。
【０１４９】本実施例３においては、実施例２と同様に
ウエハ状態にて各ＦＥＴの電気特性を測定した後に各Ｆ
ＥＴのゲートおよびドレイン電極を導電性配線により接
続したために、ＦＥＴの不均一動作をあらかじめ検査で
きて、集積回路装置の製造歩留まりを向上させることが
できる。
ウエハ状態にて各ＦＥＴの電気特性を測定した後に各Ｆ
ＥＴのゲートおよびドレイン電極を導電性配線により接
続したために、ＦＥＴの不均一動作をあらかじめ検査で
きて、集積回路装置の製造歩留まりを向上させることが
できる。
【０１５０】また、本実施例３においては、予めＦＥＴ
３の間に金属薄膜または半導体等からなる抵抗体１４を
設けておき、不要発振の有無に応じて抵抗体１４を介し
て各電極を接続するか、直接接続するかを選択すること
が可能である。このようにすることにより、不要発振を
防止することができるとともに、各ＦＥＴの電気特性測
定時に不要発振が発生していないことが確認された場合
には、抵抗体１４を介さずに隣接するＦＥＴの電極間を
接続することができるので、抵抗体１４をＦＥＴの電極
に接続することによる信号の損失を最小限に抑えること
ができる。
３の間に金属薄膜または半導体等からなる抵抗体１４を
設けておき、不要発振の有無に応じて抵抗体１４を介し
て各電極を接続するか、直接接続するかを選択すること
が可能である。このようにすることにより、不要発振を
防止することができるとともに、各ＦＥＴの電気特性測
定時に不要発振が発生していないことが確認された場合
には、抵抗体１４を介さずに隣接するＦＥＴの電極間を
接続することができるので、抵抗体１４をＦＥＴの電極
に接続することによる信号の損失を最小限に抑えること
ができる。
【０１５１】また、本実施例３においては、電気良導体
である熱可塑性樹脂体のみからなる導電性配線１２３，
１２４，１２５を用いて、ＦＥＴの電極間またはＦＥＴ
の電極と抵抗体１４の間を接続することにより容易にＦ
ＥＴの不要発振を防止することができる。すなわち、実
施例２のように、各ＦＥＴの不要発振の有無に応じてあ
る部分においては電気抵抗体である熱可塑性樹脂体から
なる導電性配線を用い、他では電気良導体である熱可塑
性樹脂体からなる導電性配線を用いるということをする
必要が無い。
である熱可塑性樹脂体のみからなる導電性配線１２３，
１２４，１２５を用いて、ＦＥＴの電極間またはＦＥＴ
の電極と抵抗体１４の間を接続することにより容易にＦ
ＥＴの不要発振を防止することができる。すなわち、実
施例２のように、各ＦＥＴの不要発振の有無に応じてあ
る部分においては電気抵抗体である熱可塑性樹脂体から
なる導電性配線を用い、他では電気良導体である熱可塑
性樹脂体からなる導電性配線を用いるということをする
必要が無い。
【０１５２】また、本実施例３においては、ＦＥＴ３の
間の抵抗体１４に加えて、上記の磁性体１５を設けたた
めに、ＦＥＴの不要なループ発振をより効果的に防止す
ることができる。さらに、図３(a) に示すように、ＦＥ
Ｔの電極間を接続する熱可塑性樹脂体からなる導電性配
線１２３の上に磁性体１５を設けることも可能であり、
ループ発振の経路上で、強力に発振信号を減衰させ、不
要発振を防止することが可能となる。また、特に導電性
配線に熱可塑性樹脂体を用いることにより、高精度にＦ
ＥＴ間の数十μｍ程度の狭い領域にこの配線を形成する
ことが可能となり、磁性体１５を形成するためにＦＥＴ
間の距離を増大させることなく磁性体を形成することが
できる。従って、磁性体１５を形成しても、高出力集積
回路装置の電力密度を劣化させることなく、高周波信号
の合成効率を維持することができる。
間の抵抗体１４に加えて、上記の磁性体１５を設けたた
めに、ＦＥＴの不要なループ発振をより効果的に防止す
ることができる。さらに、図３(a) に示すように、ＦＥ
Ｔの電極間を接続する熱可塑性樹脂体からなる導電性配
線１２３の上に磁性体１５を設けることも可能であり、
ループ発振の経路上で、強力に発振信号を減衰させ、不
要発振を防止することが可能となる。また、特に導電性
配線に熱可塑性樹脂体を用いることにより、高精度にＦ
ＥＴ間の数十μｍ程度の狭い領域にこの配線を形成する
ことが可能となり、磁性体１５を形成するためにＦＥＴ
間の距離を増大させることなく磁性体を形成することが
できる。従って、磁性体１５を形成しても、高出力集積
回路装置の電力密度を劣化させることなく、高周波信号
の合成効率を維持することができる。
【０１５３】なお、上記導電性配線１２３，１２４，１
２５としては、熱可塑性樹脂体では無く、電気良導体で
あるＡｕ，Ａｌ等の金属を用いても良く、また、電気抵
抗体であるＷＳｉ等の高融点金属を用いても良い。
２５としては、熱可塑性樹脂体では無く、電気良導体で
あるＡｕ，Ａｌ等の金属を用いても良く、また、電気抵
抗体であるＷＳｉ等の高融点金属を用いても良い。
【０１５４】
【発明の効果】以上のように、この発明（請求項１）に
係る集積回路装置によれば、半導体または誘電体からな
る基板上に設けられた回路要素に電気的に接続された熱
可塑性樹脂体を備えており、この熱可塑性樹脂体の寄生
インダクタンスのばらつきはワイヤより低減されている
ので、集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が
向上する。
係る集積回路装置によれば、半導体または誘電体からな
る基板上に設けられた回路要素に電気的に接続された熱
可塑性樹脂体を備えており、この熱可塑性樹脂体の寄生
インダクタンスのばらつきはワイヤより低減されている
ので、集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が
向上する。
【０１５５】また、この発明（請求項２）に係る集積回
路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１）にお
いて、複数の上記回路要素を備え、上記熱可塑性樹脂体
は、上記回路要素の間を電気的に接続しており、この熱
可塑性樹脂体の寄生インダクタンスのばらつきはワイヤ
より低減されているので、集積回路装置の高周波特性の
均一性及び再現性が向上する。
路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１）にお
いて、複数の上記回路要素を備え、上記熱可塑性樹脂体
は、上記回路要素の間を電気的に接続しており、この熱
可塑性樹脂体の寄生インダクタンスのばらつきはワイヤ
より低減されているので、集積回路装置の高周波特性の
均一性及び再現性が向上する。
【０１５６】また、この発明（請求項３）に係る集積回
路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２）にお
いて、上記回路要素は、ＦＥＴを含むので、上記のよう
に集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上
するだけでなく、上記熱可塑性樹脂体の寄生インダクタ
ンスは、ワイヤと比較して、そのばらつきとともにその
値自体が低減されているため、複数のＦＥＴのドレイン
電極と出力インピーダンス整合回路の間をこの熱可塑性
樹脂体によって接続することにより、高周波帯における
信号の合成効率を向上させることができ、さらにその再
現性を向上させることができる。
路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２）にお
いて、上記回路要素は、ＦＥＴを含むので、上記のよう
に集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上
するだけでなく、上記熱可塑性樹脂体の寄生インダクタ
ンスは、ワイヤと比較して、そのばらつきとともにその
値自体が低減されているため、複数のＦＥＴのドレイン
電極と出力インピーダンス整合回路の間をこの熱可塑性
樹脂体によって接続することにより、高周波帯における
信号の合成効率を向上させることができ、さらにその再
現性を向上させることができる。
【０１５７】また、この発明（請求項４）に係る集積回
路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２または
３）において、複数の上記基板を備え、上記熱可塑性樹
脂体は、異なる上記基板上に形成された回路要素の間を
接続しており、この熱可塑性樹脂体の寄生インダクタン
スのばらつきがワイヤと比較して低減されているため集
積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上す
る。また、上記熱可塑性樹脂体の寄生インダクタンス
は、ワイヤと比較して、そのばらつきが小さくなってい
るだけでなく、その値自体が低減されているため、半導
体基板上に形成されている複数のＦＥＴのドレイン電極
とアルミナ等の誘電体基板上に形成されている出力イン
ピーダンス整合回路の間をこの熱可塑性樹脂体によって
接続することにより、高周波帯における信号の合成効率
を向上させることができ、さらにその再現性を向上させ
ることができる。
路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２または
３）において、複数の上記基板を備え、上記熱可塑性樹
脂体は、異なる上記基板上に形成された回路要素の間を
接続しており、この熱可塑性樹脂体の寄生インダクタン
スのばらつきがワイヤと比較して低減されているため集
積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上す
る。また、上記熱可塑性樹脂体の寄生インダクタンス
は、ワイヤと比較して、そのばらつきが小さくなってい
るだけでなく、その値自体が低減されているため、半導
体基板上に形成されている複数のＦＥＴのドレイン電極
とアルミナ等の誘電体基板上に形成されている出力イン
ピーダンス整合回路の間をこの熱可塑性樹脂体によって
接続することにより、高周波帯における信号の合成効率
を向上させることができ、さらにその再現性を向上させ
ることができる。
【０１５８】また、この発明（請求項５）に係る集積回
路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項４）にお
いて、上記回路要素は、誘電体からなる第１の基板上に
設けられた入力インピーダンス整合回路，半導体からな
る第２の基板上に設けられたＦＥＴ，及び誘電体からな
る第３の基板上に設けられた出力インピーダンス整合回
路を含むものであり、上記熱可塑性樹脂体は、上記入力
インピーダンス整合回路と上記ＦＥＴのゲート電極の
間，及び上記ＦＥＴのドレイン電極と出力インピーダン
ス整合回路の間を接続しているものであるので、上記の
ように、集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性
が向上するだけでなく、上記熱可塑性樹脂体の寄生イン
ダクタンスは、ワイヤと比較して、そのばらつきととも
に、その値自体が低減されているため、半導体基板上に
形成されている複数のＦＥＴのドレイン電極とアルミナ
等の誘電体基板上に形成されている出力インピーダンス
整合回路の間をこの熱可塑性樹脂体によって接続するこ
とにより、高周波帯における信号の合成効率を向上させ
ることができ、さらにその再現性を向上させることがで
きる。
路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項４）にお
いて、上記回路要素は、誘電体からなる第１の基板上に
設けられた入力インピーダンス整合回路，半導体からな
る第２の基板上に設けられたＦＥＴ，及び誘電体からな
る第３の基板上に設けられた出力インピーダンス整合回
路を含むものであり、上記熱可塑性樹脂体は、上記入力
インピーダンス整合回路と上記ＦＥＴのゲート電極の
間，及び上記ＦＥＴのドレイン電極と出力インピーダン
ス整合回路の間を接続しているものであるので、上記の
ように、集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性
が向上するだけでなく、上記熱可塑性樹脂体の寄生イン
ダクタンスは、ワイヤと比較して、そのばらつきととも
に、その値自体が低減されているため、半導体基板上に
形成されている複数のＦＥＴのドレイン電極とアルミナ
等の誘電体基板上に形成されている出力インピーダンス
整合回路の間をこの熱可塑性樹脂体によって接続するこ
とにより、高周波帯における信号の合成効率を向上させ
ることができ、さらにその再現性を向上させることがで
きる。
【０１５９】また、この発明（請求項６）に係る集積回
路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１ないし
５のいずれか）において、上記熱可塑性樹脂体は、イン
ピーダンス整合回路の少なくとも一部を構成するもので
あるので、この熱可塑性樹脂体を任意の形状とすること
ができ、インピーダンス整合の調整を連続的にかつ高精
度におこなうことができる。また、予め設けられている
インピーダンス整合回路とその近傍に設けられている島
状の導体膜からなるランドとの間を熱可塑性樹脂体で接
続して新たなインピーダンス整合回路を形成することに
より、インピーダンス整合回路の高周波特性の均一性及
び再現性が向上する。
路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１ないし
５のいずれか）において、上記熱可塑性樹脂体は、イン
ピーダンス整合回路の少なくとも一部を構成するもので
あるので、この熱可塑性樹脂体を任意の形状とすること
ができ、インピーダンス整合の調整を連続的にかつ高精
度におこなうことができる。また、予め設けられている
インピーダンス整合回路とその近傍に設けられている島
状の導体膜からなるランドとの間を熱可塑性樹脂体で接
続して新たなインピーダンス整合回路を形成することに
より、インピーダンス整合回路の高周波特性の均一性及
び再現性が向上する。
【０１６０】また、この発明（請求項７）に係る集積回
路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項６）にお
いて、上記回路要素は、基板上に設けられたインピーダ
ンス整合回路部を含むものであり、上記熱可塑性樹脂体
は、上記インピーダンス整合回路部にその一端が接続さ
れて、このインピーダンス整合回路部とともに上記イン
ピーダンス整合回路を構成するものであるので、インピ
ーダンス整合の調整を連続的にかつ高精度におこなうこ
とができる。
路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項６）にお
いて、上記回路要素は、基板上に設けられたインピーダ
ンス整合回路部を含むものであり、上記熱可塑性樹脂体
は、上記インピーダンス整合回路部にその一端が接続さ
れて、このインピーダンス整合回路部とともに上記イン
ピーダンス整合回路を構成するものであるので、インピ
ーダンス整合の調整を連続的にかつ高精度におこなうこ
とができる。
【０１６１】また、この発明（請求項８）に係る集積回
路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項６）にお
いて、上記回路要素は、基板上に設けられたインピーダ
ンス整合回路部及びこの基板上に設けられた島状の導体
膜からなるランドを含むものであり、上記熱可塑性樹脂
体は、上記インピーダンス整合回路部と上記ランドの間
を接続するように設けられていることにより、上記イン
ピーダンス整合回路部及び上記熱可塑性樹脂体によりこ
れに接続された上記ランドとともに上記インピーダンス
整合回路を構成するものであるので、インピーダンス整
合回路の高周波特性の均一性及び再現性が向上する。さ
らに、上記熱可塑性樹脂体の幅を任意の幅とすることが
できるため、これによりインピーダンス整合の調整を連
続的に、かつ高精度に行うことができる。
路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項６）にお
いて、上記回路要素は、基板上に設けられたインピーダ
ンス整合回路部及びこの基板上に設けられた島状の導体
膜からなるランドを含むものであり、上記熱可塑性樹脂
体は、上記インピーダンス整合回路部と上記ランドの間
を接続するように設けられていることにより、上記イン
ピーダンス整合回路部及び上記熱可塑性樹脂体によりこ
れに接続された上記ランドとともに上記インピーダンス
整合回路を構成するものであるので、インピーダンス整
合回路の高周波特性の均一性及び再現性が向上する。さ
らに、上記熱可塑性樹脂体の幅を任意の幅とすることが
できるため、これによりインピーダンス整合の調整を連
続的に、かつ高精度に行うことができる。
【０１６２】また、この発明（請求項９）に係る集積回
路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１ないし
８のいずれか）において、上記回路要素上に形成され、
この回路要素上の，この回路要素を上記熱可塑性樹脂体
により他の回路要素と電気的に接続するための領域に開
口部を有する絶縁膜を備えており、上記のように集積回
路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上するだけ
でなく、上記絶縁膜により上記回路要素の表面を保護す
ることができる。
路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１ないし
８のいずれか）において、上記回路要素上に形成され、
この回路要素上の，この回路要素を上記熱可塑性樹脂体
により他の回路要素と電気的に接続するための領域に開
口部を有する絶縁膜を備えており、上記のように集積回
路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上するだけ
でなく、上記絶縁膜により上記回路要素の表面を保護す
ることができる。
【０１６３】また、この発明（請求項１０）に係る集積
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１ない
し９のいずれか）において、上記熱可塑性樹脂体は、電
気良導体であるので、上記のように集積回路装置の高周
波特性の均一性及び再現性の向上、及び高周波帯におけ
る信号の合成効率の向上を実現でき、さらにインピーダ
ンス整合回路におけるインピーダンス整合の調整を連続
的にかつ高精度に行うことができる。
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１ない
し９のいずれか）において、上記熱可塑性樹脂体は、電
気良導体であるので、上記のように集積回路装置の高周
波特性の均一性及び再現性の向上、及び高周波帯におけ
る信号の合成効率の向上を実現でき、さらにインピーダ
ンス整合回路におけるインピーダンス整合の調整を連続
的にかつ高精度に行うことができる。
【０１６４】また、この発明（請求項１１）に係る集積
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１ない
し９のいずれか）において、上記熱可塑性樹脂体は、電
気抵抗体であるので、上記のように集積回路装置の高周
波特性の均一性及び再現性の向上、及び高周波帯におけ
る信号の合成効率の向上を実現させることができ、さら
にインピーダンス整合回路におけるインピーダンス整合
の調整を連続的にかつ高精度に行うことができる。ま
た、さらに、不要な発振を減衰させ、発振を防止でき
る。
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１ない
し９のいずれか）において、上記熱可塑性樹脂体は、電
気抵抗体であるので、上記のように集積回路装置の高周
波特性の均一性及び再現性の向上、及び高周波帯におけ
る信号の合成効率の向上を実現させることができ、さら
にインピーダンス整合回路におけるインピーダンス整合
の調整を連続的にかつ高精度に行うことができる。ま
た、さらに、不要な発振を減衰させ、発振を防止でき
る。
【０１６５】また、この発明（請求項１２）に係る集積
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１ない
し１１のいずれか）において、上記熱可塑性樹脂体は、
導電性粒子を含む熱可塑性ポリイミド樹脂からなるの
で、この導電性粒子の密度を変えることにより、熱可塑
性樹脂体が有する電気抵抗を変化させることができる。
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１ない
し１１のいずれか）において、上記熱可塑性樹脂体は、
導電性粒子を含む熱可塑性ポリイミド樹脂からなるの
で、この導電性粒子の密度を変えることにより、熱可塑
性樹脂体が有する電気抵抗を変化させることができる。
【０１６６】また、この発明（請求項１３）に係る集積
回路装置によれば、半導体または誘電体からなる基板上
に形成された複数のＦＥＴを含む回路要素と、上記複数
のＦＥＴのゲート電極相互間，ソース電極相互間，また
はドレイン電極相互間のそれぞれを直接電気的に接続す
る導電性配線とを備えたので、この導電性配線の形成前
に各ＦＥＴごとに電気特性を測定することができ、特性
の均一なＦＥＴのみを選んで、集積回路装置を構成する
ことが可能となる。これにより、集積回路装置の製造歩
留まりを向上させることができる。
回路装置によれば、半導体または誘電体からなる基板上
に形成された複数のＦＥＴを含む回路要素と、上記複数
のＦＥＴのゲート電極相互間，ソース電極相互間，また
はドレイン電極相互間のそれぞれを直接電気的に接続す
る導電性配線とを備えたので、この導電性配線の形成前
に各ＦＥＴごとに電気特性を測定することができ、特性
の均一なＦＥＴのみを選んで、集積回路装置を構成する
ことが可能となる。これにより、集積回路装置の製造歩
留まりを向上させることができる。
【０１６７】また、この発明（請求項１４）に係る集積
回路装置によれば、半導体または誘電体からなる基板上
に形成された複数のＦＥＴ，及びこの複数のＦＥＴの内
少なくとも一部のＦＥＴの間の領域に形成された電気抵
抗体を含む回路要素と、上記複数のＦＥＴのゲート電極
相互間，ソース電極相互間，またはドレイン電極相互間
のそれぞれを直接または上記電気抵抗体を介して電気的
に接続する導電性配線とを備えたので、上記のように集
積回路装置の製造歩留まりを向上させることができるだ
けでなく、上記導電性配線を形成する前に各ＦＥＴの電
気特性を測定し、これが発振している場合は、その発振
特性に応じてＦＥＴの上記電極間を上記電気抵抗体を介
して接続するか、または直接接続することにより、この
発振を容易に防止することができる。
回路装置によれば、半導体または誘電体からなる基板上
に形成された複数のＦＥＴ，及びこの複数のＦＥＴの内
少なくとも一部のＦＥＴの間の領域に形成された電気抵
抗体を含む回路要素と、上記複数のＦＥＴのゲート電極
相互間，ソース電極相互間，またはドレイン電極相互間
のそれぞれを直接または上記電気抵抗体を介して電気的
に接続する導電性配線とを備えたので、上記のように集
積回路装置の製造歩留まりを向上させることができるだ
けでなく、上記導電性配線を形成する前に各ＦＥＴの電
気特性を測定し、これが発振している場合は、その発振
特性に応じてＦＥＴの上記電極間を上記電気抵抗体を介
して接続するか、または直接接続することにより、この
発振を容易に防止することができる。
【０１６８】また、この発明（請求項１５）に係る集積
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１３ま
たは１４）において、上記回路要素上に形成され、この
回路要素上の，この回路要素を上記導電性配線により他
の回路要素と電気的に接続するための領域に開口部を有
する絶縁膜を備えているので、上記のように集積回路装
置の製造歩留まりを向上させることができ、さらにＦＥ
Ｔの発振を容易に防止することができるだけでなく、上
記回路要素の表面を上記絶縁膜によって保護することが
できる。
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１３ま
たは１４）において、上記回路要素上に形成され、この
回路要素上の，この回路要素を上記導電性配線により他
の回路要素と電気的に接続するための領域に開口部を有
する絶縁膜を備えているので、上記のように集積回路装
置の製造歩留まりを向上させることができ、さらにＦＥ
Ｔの発振を容易に防止することができるだけでなく、上
記回路要素の表面を上記絶縁膜によって保護することが
できる。
【０１６９】また、この発明（請求項１６）に係る集積
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１３な
いし１５のいずれか）において、上記導電性配線は、電
気良導体からなるので、上記のように集積回路装置の製
造歩留まりを向上させることができ、ＦＥＴの発振を容
易に防止することができる。
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１３な
いし１５のいずれか）において、上記導電性配線は、電
気良導体からなるので、上記のように集積回路装置の製
造歩留まりを向上させることができ、ＦＥＴの発振を容
易に防止することができる。
【０１７０】また、この発明（請求項１７）に係る集積
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１６）
において、上記電気良導体は、金属からなるので、上記
のように集積回路装置の製造歩留まりを向上させること
ができ、ＦＥＴの発振を容易に防止することができる。
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１６）
において、上記電気良導体は、金属からなるので、上記
のように集積回路装置の製造歩留まりを向上させること
ができ、ＦＥＴの発振を容易に防止することができる。
【０１７１】また、この発明（請求項１８）に係る集積
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１３な
いし１５のいずれか）において、上記導電性配線は、電
気抵抗体からなるので、上記のように集積回路装置の製
造歩留まりを向上させることができるだけでなく、上記
導電性配線自身が有する電気抵抗により、ＦＥＴの発振
を容易に防止することができる。
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１３な
いし１５のいずれか）において、上記導電性配線は、電
気抵抗体からなるので、上記のように集積回路装置の製
造歩留まりを向上させることができるだけでなく、上記
導電性配線自身が有する電気抵抗により、ＦＥＴの発振
を容易に防止することができる。
【０１７２】また、この発明（請求項１９）に係る集積
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１８）
において、上記電気抵抗体は、高融点金属からなるの
で、上記のように集積回路装置の製造歩留まりを向上さ
せることができるだけでなく、上記導電性配線自身が有
する電気抵抗により、ＦＥＴの発振を容易に防止するこ
とができる。
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１８）
において、上記電気抵抗体は、高融点金属からなるの
で、上記のように集積回路装置の製造歩留まりを向上さ
せることができるだけでなく、上記導電性配線自身が有
する電気抵抗により、ＦＥＴの発振を容易に防止するこ
とができる。
【０１７３】また、この発明（請求項２０）に係る集積
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１３な
いし１５のいずれか）において、上記導電性配線は、熱
可塑性樹脂体からなるので、上記のように集積回路装置
の製造歩留まりを向上させることができ、ＦＥＴの発振
を容易に防止することができる。
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項１３な
いし１５のいずれか）において、上記導電性配線は、熱
可塑性樹脂体からなるので、上記のように集積回路装置
の製造歩留まりを向上させることができ、ＦＥＴの発振
を容易に防止することができる。
【０１７４】また、この発明（請求項２１）に係る集積
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２０）
において、上記熱可塑性樹脂体は、電気良導体であるの
で、上記のように特性の均一なＦＥＴのみを用いて集積
回路装置を構成することが可能となり、集積回路装置の
製造歩留まりを向上させることができ、さらにＦＥＴの
発振を容易に防止することができる。
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２０）
において、上記熱可塑性樹脂体は、電気良導体であるの
で、上記のように特性の均一なＦＥＴのみを用いて集積
回路装置を構成することが可能となり、集積回路装置の
製造歩留まりを向上させることができ、さらにＦＥＴの
発振を容易に防止することができる。
【０１７５】また、この発明（請求項２２）に係る集積
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２０）
において、上記熱可塑性樹脂体は、電気抵抗体であるの
で、上記のように集積回路装置の製造歩留まりの向上を
実現できるだけでなく、上記熱可塑性樹脂体自身が有す
る電気抵抗により、ＦＥＴの発振を容易に防止すること
ができる。
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２０）
において、上記熱可塑性樹脂体は、電気抵抗体であるの
で、上記のように集積回路装置の製造歩留まりの向上を
実現できるだけでなく、上記熱可塑性樹脂体自身が有す
る電気抵抗により、ＦＥＴの発振を容易に防止すること
ができる。
【０１７６】また、この発明（請求項２３）に係る集積
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２０な
いし２２のいずれか）において、上記熱可塑性樹脂体
は、導電性粒子を含む熱可塑性ポリイミド樹脂からなる
ので、この導電性粒子の密度を変えることにより、熱可
塑性樹脂体が有する電気抵抗を変化させることができ
る。
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２０な
いし２２のいずれか）において、上記熱可塑性樹脂体
は、導電性粒子を含む熱可塑性ポリイミド樹脂からなる
ので、この導電性粒子の密度を変えることにより、熱可
塑性樹脂体が有する電気抵抗を変化させることができ
る。
【０１７７】また、この発明（請求項２４）に係る集積
回路装置によれば、半導体または誘電体からなる基板上
に設けられたＦＥＴを含む回路要素と、このＦＥＴ上ま
たは上記基板上のこのＦＥＴに隣接する領域に設けられ
た磁性体とを備えたので、ＦＥＴの不要発振を防止する
ことができる。
回路装置によれば、半導体または誘電体からなる基板上
に設けられたＦＥＴを含む回路要素と、このＦＥＴ上ま
たは上記基板上のこのＦＥＴに隣接する領域に設けられ
た磁性体とを備えたので、ＦＥＴの不要発振を防止する
ことができる。
【０１７８】また、この発明（請求項２５）に係る集積
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２４）
において、上記磁性体は、樹脂により上記ＦＥＴまたは
上記基板に接着されているので、ＦＥＴの不要発振を防
止することができる。
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２４）
において、上記磁性体は、樹脂により上記ＦＥＴまたは
上記基板に接着されているので、ＦＥＴの不要発振を防
止することができる。
【０１７９】また、この発明（請求項２６）に係る集積
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２５）
において、上記樹脂は、熱可塑性樹脂であるので、ＦＥ
Ｔの不要発振を防止することができる。
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２５）
において、上記樹脂は、熱可塑性樹脂であるので、ＦＥ
Ｔの不要発振を防止することができる。
【０１８０】また、この発明（請求項２７）に係る集積
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２６）
において、上記熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポリイミド樹
脂であるので、ＦＥＴの不要発振を防止することができ
る。
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２６）
において、上記熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポリイミド樹
脂であるので、ＦＥＴの不要発振を防止することができ
る。
【０１８１】また、この発明（請求項２８）に係る集積
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２４な
いし２７のいずれか）において、上記磁性体は、磁性粒
子を含む熱可塑性樹脂からなるので、ＦＥＴの不要発振
を防止することができる。
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２４な
いし２７のいずれか）において、上記磁性体は、磁性粒
子を含む熱可塑性樹脂からなるので、ＦＥＴの不要発振
を防止することができる。
【０１８２】また、この発明（請求項２９）に係る集積
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２８）
において、上記熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポリイミド樹
脂からなるので、ＦＥＴの不要発振を防止することがで
きる。
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２８）
において、上記熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポリイミド樹
脂からなるので、ＦＥＴの不要発振を防止することがで
きる。
【０１８３】また、この発明（請求項３０）に係る集積
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２８ま
たは２９）において、上記磁性粒子は、フェライトから
なるので、ＦＥＴの不要発振を防止することができる。
回路装置によれば、上記の集積回路装置（請求項２８ま
たは２９）において、上記磁性粒子は、フェライトから
なるので、ＦＥＴの不要発振を防止することができる。
【０１８４】また、この発明（請求項３１）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、半導体または誘電体から
なる基板上に回路要素を形成する工程と、この回路要素
に電気的に接続するように熱可塑性樹脂体を形成する工
程とを含むので、ワイヤと比較してこの熱可塑性樹脂体
の寄生インダクタンスのばらつきが低減され、このため
集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上す
る。
回路装置の製造方法によれば、半導体または誘電体から
なる基板上に回路要素を形成する工程と、この回路要素
に電気的に接続するように熱可塑性樹脂体を形成する工
程とを含むので、ワイヤと比較してこの熱可塑性樹脂体
の寄生インダクタンスのばらつきが低減され、このため
集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向上す
る。
【０１８５】また、この発明（請求項３２）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３１）において、上記回路要素を形成す
る工程は、複数の上記回路要素を形成するものであり、
上記熱可塑性樹脂体を形成する工程は、上記回路要素の
間を電気的に接続するように上記熱可塑性樹脂体を形成
するものであるので、ワイヤと比較してこの熱可塑性樹
脂体の寄生インダクタンスのばらつきが低減され、この
ため集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向
上する。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３１）において、上記回路要素を形成す
る工程は、複数の上記回路要素を形成するものであり、
上記熱可塑性樹脂体を形成する工程は、上記回路要素の
間を電気的に接続するように上記熱可塑性樹脂体を形成
するものであるので、ワイヤと比較してこの熱可塑性樹
脂体の寄生インダクタンスのばらつきが低減され、この
ため集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性が向
上する。
【０１８６】また、この発明（請求項３３）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３２）において、上記回路要素は、ＦＥ
Ｔを含むので、上記のように、熱可塑性樹脂体の寄生イ
ンダクタンスのばらつきが低減され、集積回路装置の高
周波特性の均一性及び再現性が向上するだけでなく、上
記熱可塑性樹脂体の寄生インダクタンスは、ワイヤと比
較して、そのばらつきとともに、その値自体が低減され
ているため、複数のＦＥＴのドレイン電極と出力インピ
ーダンス整合回路の間をこの熱可塑性樹脂体によって接
続することにより、高周波帯における信号の合成効率を
向上させることができ、さらにその再現性を向上させる
ことができる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３２）において、上記回路要素は、ＦＥ
Ｔを含むので、上記のように、熱可塑性樹脂体の寄生イ
ンダクタンスのばらつきが低減され、集積回路装置の高
周波特性の均一性及び再現性が向上するだけでなく、上
記熱可塑性樹脂体の寄生インダクタンスは、ワイヤと比
較して、そのばらつきとともに、その値自体が低減され
ているため、複数のＦＥＴのドレイン電極と出力インピ
ーダンス整合回路の間をこの熱可塑性樹脂体によって接
続することにより、高周波帯における信号の合成効率を
向上させることができ、さらにその再現性を向上させる
ことができる。
【０１８７】また、この発明（請求項３４）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３２または３３）において、上記回路要
素を形成する工程は、複数の上記基板上に上記回路要素
を形成するものであり、上記熱可塑性樹脂体を形成する
工程は、異なる上記基板上に形成された回路要素の間を
接続するように上記熱可塑性樹脂体を形成するものであ
り、ワイヤと比較してこの熱可塑性樹脂体の寄生インダ
クタンスのばらつきが低減され、このため集積回路装置
の高周波特性の均一性及び再現性が向上する。また、上
記熱可塑性樹脂体の寄生インダクタンスは、ワイヤと比
較して、そのばらつきだけでなく、その値自体が低減さ
れているため、半導体基板上に形成されている複数のＦ
ＥＴのドレイン電極とアルミナ等の誘電体基板上に形成
されている出力インピーダンス整合回路の間をこの熱可
塑性樹脂体によって接続することにより、高周波帯にお
ける信号の合成効率を向上させることができ、さらにそ
の再現性を向上させることができる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３２または３３）において、上記回路要
素を形成する工程は、複数の上記基板上に上記回路要素
を形成するものであり、上記熱可塑性樹脂体を形成する
工程は、異なる上記基板上に形成された回路要素の間を
接続するように上記熱可塑性樹脂体を形成するものであ
り、ワイヤと比較してこの熱可塑性樹脂体の寄生インダ
クタンスのばらつきが低減され、このため集積回路装置
の高周波特性の均一性及び再現性が向上する。また、上
記熱可塑性樹脂体の寄生インダクタンスは、ワイヤと比
較して、そのばらつきだけでなく、その値自体が低減さ
れているため、半導体基板上に形成されている複数のＦ
ＥＴのドレイン電極とアルミナ等の誘電体基板上に形成
されている出力インピーダンス整合回路の間をこの熱可
塑性樹脂体によって接続することにより、高周波帯にお
ける信号の合成効率を向上させることができ、さらにそ
の再現性を向上させることができる。
【０１８８】また、この発明（請求項３５）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３４）において、上記回路要素を形成す
る工程は、誘電体からなる第１の基板上に設けられる入
力インピーダンス整合回路，半導体からなる第２の基板
上に設けられるＦＥＴ，及び誘電体からなる第３の基板
上に設けられる出力インピーダンス整合回路を含む上記
回路要素を形成するものであり、上記熱可塑性樹脂体を
形成する工程は、上記入力インピーダンス整合回路と上
記ＦＥＴのゲート電極の間，及び上記ＦＥＴのドレイン
電極と出力インピーダンス整合回路の間を接続するよう
に上記熱可塑性樹脂体を形成するものであるので、上記
のように、集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現
性が向上するだけでなく、上記熱可塑性樹脂体の寄生イ
ンダクタンスは、ワイヤと比較して、そのばらつきとと
もに、その値自体が低減されているため、半導体基板上
に形成されている複数のＦＥＴのドレイン電極とアルミ
ナ等の誘電体基板上に形成されている出力インピーダン
ス整合回路の間をこの熱可塑性樹脂体によって接続する
ことにより、高周波帯における信号の合成効率を向上さ
せることができ、さらにその再現性を向上させることが
できる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３４）において、上記回路要素を形成す
る工程は、誘電体からなる第１の基板上に設けられる入
力インピーダンス整合回路，半導体からなる第２の基板
上に設けられるＦＥＴ，及び誘電体からなる第３の基板
上に設けられる出力インピーダンス整合回路を含む上記
回路要素を形成するものであり、上記熱可塑性樹脂体を
形成する工程は、上記入力インピーダンス整合回路と上
記ＦＥＴのゲート電極の間，及び上記ＦＥＴのドレイン
電極と出力インピーダンス整合回路の間を接続するよう
に上記熱可塑性樹脂体を形成するものであるので、上記
のように、集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現
性が向上するだけでなく、上記熱可塑性樹脂体の寄生イ
ンダクタンスは、ワイヤと比較して、そのばらつきとと
もに、その値自体が低減されているため、半導体基板上
に形成されている複数のＦＥＴのドレイン電極とアルミ
ナ等の誘電体基板上に形成されている出力インピーダン
ス整合回路の間をこの熱可塑性樹脂体によって接続する
ことにより、高周波帯における信号の合成効率を向上さ
せることができ、さらにその再現性を向上させることが
できる。
【０１８９】また、この発明（請求項３６）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３１ないし３５のいずれか）において、
上記回路要素を形成する工程の後に、この回路要素の電
気特性を測定する工程を含み、上記熱可塑性樹脂体を形
成する工程は、上記回路要素の電気特性を測定する工程
の後、この電気特性に応じて上記熱可塑性樹脂体を形成
するものであるので、上記のように、集積回路装置の高
周波特性の均一性及び再現性の向上、及び高周波帯にお
ける信号の合成効率の向上を実現させることができるだ
けでなく、このための熱可塑性樹脂体の最適化が容易に
行える。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３１ないし３５のいずれか）において、
上記回路要素を形成する工程の後に、この回路要素の電
気特性を測定する工程を含み、上記熱可塑性樹脂体を形
成する工程は、上記回路要素の電気特性を測定する工程
の後、この電気特性に応じて上記熱可塑性樹脂体を形成
するものであるので、上記のように、集積回路装置の高
周波特性の均一性及び再現性の向上、及び高周波帯にお
ける信号の合成効率の向上を実現させることができるだ
けでなく、このための熱可塑性樹脂体の最適化が容易に
行える。
【０１９０】また、この発明（請求項３７）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３１ないし３５のいずれか）において、
上記熱可塑性樹脂体を形成する工程は、インピーダンス
整合回路の少なくとも一部を構成するように熱可塑性樹
脂体を形成するので、この熱可塑性樹脂体を任意の形状
とすることができ、インピーダンス整合の調整を連続的
にかつ高精度におこなうことができる。また、予め設け
られているインピーダンス整合回路とその近傍に設けら
れている島状の導体膜からなるランドとの間を上記熱可
塑性樹脂体で接続して新たなインピーダンス整合回路を
形成することにより、インピーダンス整合の調整がなさ
れたインピーダンス整合回路の高周波特性の均一性及び
再現性が向上する。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３１ないし３５のいずれか）において、
上記熱可塑性樹脂体を形成する工程は、インピーダンス
整合回路の少なくとも一部を構成するように熱可塑性樹
脂体を形成するので、この熱可塑性樹脂体を任意の形状
とすることができ、インピーダンス整合の調整を連続的
にかつ高精度におこなうことができる。また、予め設け
られているインピーダンス整合回路とその近傍に設けら
れている島状の導体膜からなるランドとの間を上記熱可
塑性樹脂体で接続して新たなインピーダンス整合回路を
形成することにより、インピーダンス整合の調整がなさ
れたインピーダンス整合回路の高周波特性の均一性及び
再現性が向上する。
【０１９１】また、この発明（請求項３８）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３７）において、上記回路要素を形成す
る工程は、インピーダンス整合回路部を含む回路要素を
形成するものであり、上記回路要素を形成する工程の後
に、上記回路要素の高周波特性を測定する工程を含み、
上記熱可塑性樹脂体を形成する工程は、上記回路要素の
高周波特性を測定する工程の後に、この回路要素の高周
波特性に応じて、上記インピーダンス整合回路部に接続
するように上記熱可塑性樹脂体を形成して、この熱可塑
性樹脂体及び上記インピーダンス整合回路部を含む上記
インピーダンス整合回路を形成するので、この回路要素
の特性に応じて、適切な形状の上記熱可塑性樹脂体を上
記インピーダンス整合回路部の適切な位置に接続するよ
うに形成することができるため、インピーダンス整合の
調整を連続的にかつ高精度におこなうことができる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３７）において、上記回路要素を形成す
る工程は、インピーダンス整合回路部を含む回路要素を
形成するものであり、上記回路要素を形成する工程の後
に、上記回路要素の高周波特性を測定する工程を含み、
上記熱可塑性樹脂体を形成する工程は、上記回路要素の
高周波特性を測定する工程の後に、この回路要素の高周
波特性に応じて、上記インピーダンス整合回路部に接続
するように上記熱可塑性樹脂体を形成して、この熱可塑
性樹脂体及び上記インピーダンス整合回路部を含む上記
インピーダンス整合回路を形成するので、この回路要素
の特性に応じて、適切な形状の上記熱可塑性樹脂体を上
記インピーダンス整合回路部の適切な位置に接続するよ
うに形成することができるため、インピーダンス整合の
調整を連続的にかつ高精度におこなうことができる。
【０１９２】また、この発明（請求項３９）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３７）において、上記回路要素を形成す
る工程は、インピーダンス整合回路部及び島状の導体膜
からなる一つまたは複数のランドを含む回路要素を形成
するものであり、上記回路要素を形成する工程の後に、
上記回路要素の高周波特性を測定する工程を含み、上記
熱可塑性樹脂体を形成する工程は、上記回路要素の高周
波特性を測定する工程の後に、この回路要素の高周波特
性に応じて、上記ランドの中から選択されたものと上記
インピーダンス整合回路部とを接続するように上記熱可
塑性樹脂体を形成して、この熱可塑性樹脂体，上記の選
択されたランド及び上記インピーダンス整合回路部を含
む上記インピーダンス整合回路を形成するので、この回
路要素の特性に応じて、上記ランドのなかから適切なラ
ンドを選択し、上記熱可塑性樹脂体によりこのランドと
上記インピーダンス整合回路部とを接続することがで
き、それぞれの集積回路装置でインピーダンス整合が可
能な上記インピーダンス整合回路を形成することができ
る。さらに、従来のワイヤより熱可塑性樹脂体の方が寄
生インダクタンスのばらつきが低減されるので、インピ
ーダンス整合回路の高周波特性の均一性及び再現性が向
上する。さらに、測定された上記回路要素の高周波特性
に応じて、上記熱可塑性樹脂体の幅を任意の幅とするこ
とができ、これによりインピーダンス整合の調整を連続
的に、かつ高精度に行うことができる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３７）において、上記回路要素を形成す
る工程は、インピーダンス整合回路部及び島状の導体膜
からなる一つまたは複数のランドを含む回路要素を形成
するものであり、上記回路要素を形成する工程の後に、
上記回路要素の高周波特性を測定する工程を含み、上記
熱可塑性樹脂体を形成する工程は、上記回路要素の高周
波特性を測定する工程の後に、この回路要素の高周波特
性に応じて、上記ランドの中から選択されたものと上記
インピーダンス整合回路部とを接続するように上記熱可
塑性樹脂体を形成して、この熱可塑性樹脂体，上記の選
択されたランド及び上記インピーダンス整合回路部を含
む上記インピーダンス整合回路を形成するので、この回
路要素の特性に応じて、上記ランドのなかから適切なラ
ンドを選択し、上記熱可塑性樹脂体によりこのランドと
上記インピーダンス整合回路部とを接続することがで
き、それぞれの集積回路装置でインピーダンス整合が可
能な上記インピーダンス整合回路を形成することができ
る。さらに、従来のワイヤより熱可塑性樹脂体の方が寄
生インダクタンスのばらつきが低減されるので、インピ
ーダンス整合回路の高周波特性の均一性及び再現性が向
上する。さらに、測定された上記回路要素の高周波特性
に応じて、上記熱可塑性樹脂体の幅を任意の幅とするこ
とができ、これによりインピーダンス整合の調整を連続
的に、かつ高精度に行うことができる。
【０１９３】また、この発明（請求項４０）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３１ないし３９のいずれか）において、
上記回路要素を形成する工程の後に、上記回路要素上に
絶縁膜を形成し、この絶縁膜の，上記回路要素を他の回
路要素と電気的に接続するための領域に上記絶縁膜の開
口部を形成する工程を含み、上記熱可塑性樹脂体を形成
する工程は、上記熱可塑性樹脂体を上記絶縁膜の開口部
において上記回路要素と接続されるように形成するもの
であり、上記のようにこの熱可塑性樹脂体の寄生インダ
クタンスのばらつきが低減され、このため集積回路装置
の高周波特性の均一性及び再現性が向上するだけでな
く、上記絶縁膜により上記回路要素の表面を保護するこ
とができる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３１ないし３９のいずれか）において、
上記回路要素を形成する工程の後に、上記回路要素上に
絶縁膜を形成し、この絶縁膜の，上記回路要素を他の回
路要素と電気的に接続するための領域に上記絶縁膜の開
口部を形成する工程を含み、上記熱可塑性樹脂体を形成
する工程は、上記熱可塑性樹脂体を上記絶縁膜の開口部
において上記回路要素と接続されるように形成するもの
であり、上記のようにこの熱可塑性樹脂体の寄生インダ
クタンスのばらつきが低減され、このため集積回路装置
の高周波特性の均一性及び再現性が向上するだけでな
く、上記絶縁膜により上記回路要素の表面を保護するこ
とができる。
【０１９４】また、この発明（請求項４１）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３１ないし４０のいずれか）において、
上記熱可塑性樹脂体は、電気良導体であるので、上記の
ように集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性の
向上、及び高周波帯における信号の合成効率の向上を実
現でき、さらにインピーダンス整合回路におけるインピ
ーダンス整合の調整を連続的にかつ高精度に行うことが
できる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３１ないし４０のいずれか）において、
上記熱可塑性樹脂体は、電気良導体であるので、上記の
ように集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性の
向上、及び高周波帯における信号の合成効率の向上を実
現でき、さらにインピーダンス整合回路におけるインピ
ーダンス整合の調整を連続的にかつ高精度に行うことが
できる。
【０１９５】また、この発明（請求項４２）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３１ないし４０のいずれか）において、
上記熱可塑性樹脂体は、電気抵抗体であるので、上記の
ように集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性の
向上、及び高周波帯における信号の合成効率の向上を実
現でき、さらにインピーダンス整合回路におけるインピ
ーダンス整合の調整を連続的にかつ高精度に行うことが
できる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３１ないし４０のいずれか）において、
上記熱可塑性樹脂体は、電気抵抗体であるので、上記の
ように集積回路装置の高周波特性の均一性及び再現性の
向上、及び高周波帯における信号の合成効率の向上を実
現でき、さらにインピーダンス整合回路におけるインピ
ーダンス整合の調整を連続的にかつ高精度に行うことが
できる。
【０１９６】また、この発明（請求項４３）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３１ないし４２のいずれか）において、
上記熱可塑性樹脂体は、導電性粒子を含む熱可塑性ポリ
イミド樹脂からなるので、この導電性粒子の密度を変え
ることにより、熱可塑性樹脂体が有する電気抵抗を変化
させることができる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項３１ないし４２のいずれか）において、
上記熱可塑性樹脂体は、導電性粒子を含む熱可塑性ポリ
イミド樹脂からなるので、この導電性粒子の密度を変え
ることにより、熱可塑性樹脂体が有する電気抵抗を変化
させることができる。
【０１９７】また、この発明（請求項４４）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、半導体または誘電体から
なる基板上に複数のＦＥＴを含む回路要素を形成する工
程と、上記複数のＦＥＴのゲート電極相互間，ソース電
極相互間，またはドレイン電極相互間のそれぞれを直接
電気的に接続するように導電性配線を形成する工程とを
含むので、この導電性配線の形成前に各ＦＥＴごとに電
気特性を測定することができ、特性の均一なＦＥＴのみ
を用いて、集積回路装置を構成することが可能となる。
これにより、集積回路装置の製造歩留まりを向上させる
ことができる。
回路装置の製造方法によれば、半導体または誘電体から
なる基板上に複数のＦＥＴを含む回路要素を形成する工
程と、上記複数のＦＥＴのゲート電極相互間，ソース電
極相互間，またはドレイン電極相互間のそれぞれを直接
電気的に接続するように導電性配線を形成する工程とを
含むので、この導電性配線の形成前に各ＦＥＴごとに電
気特性を測定することができ、特性の均一なＦＥＴのみ
を用いて、集積回路装置を構成することが可能となる。
これにより、集積回路装置の製造歩留まりを向上させる
ことができる。
【０１９８】また、この発明（請求項４５）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、半導体または誘電体から
なる基板上に、複数のＦＥＴ，及びこの複数のＦＥＴの
内少なくとも一部ＦＥＴの間の領域に設けられる電気抵
抗体を含む回路要素を形成する工程と、上記複数のＦＥ
Ｔのゲート電極相互間，ソース電極相互間，またはドレ
イン電極相互間のそれぞれを直接または上記電気抵抗体
を介して電気的に接続する導電性配線を形成する工程と
を含むので、上記のように特性の均一なＦＥＴのみを用
いて集積回路装置を構成することにより、集積回路装置
の製造歩留まりを向上させることができるだけでなく、
上記導電性配線を形成する前に各ＦＥＴの電気特性を測
定し、これが発振している場合は、その発振特性に応じ
てＦＥＴの上記電極間を上記電気抵抗体を介して接続す
るか、または直接接続することにより、この発振を容易
に防止することができる。
回路装置の製造方法によれば、半導体または誘電体から
なる基板上に、複数のＦＥＴ，及びこの複数のＦＥＴの
内少なくとも一部ＦＥＴの間の領域に設けられる電気抵
抗体を含む回路要素を形成する工程と、上記複数のＦＥ
Ｔのゲート電極相互間，ソース電極相互間，またはドレ
イン電極相互間のそれぞれを直接または上記電気抵抗体
を介して電気的に接続する導電性配線を形成する工程と
を含むので、上記のように特性の均一なＦＥＴのみを用
いて集積回路装置を構成することにより、集積回路装置
の製造歩留まりを向上させることができるだけでなく、
上記導電性配線を形成する前に各ＦＥＴの電気特性を測
定し、これが発振している場合は、その発振特性に応じ
てＦＥＴの上記電極間を上記電気抵抗体を介して接続す
るか、または直接接続することにより、この発振を容易
に防止することができる。
【０１９９】また、この発明（請求項４６）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項４４または４５）において、上記回路要
素上に絶縁膜を形成し、この回路要素上の，この回路要
素を他の回路要素と電気的に接続するための領域に上記
絶縁膜の開口部を形成する工程を含み、上記導電性配線
を形成する工程は、上記絶縁膜を形成する工程の後、こ
の導電性配線を上記絶縁膜の開口部において上記回路要
素と接続するように形成するので、上記のように特性の
均一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装置を構成するこ
とが可能となり、集積回路装置の製造歩留まりを向上さ
せることができ、さらにＦＥＴの発振を容易に防止する
ことができるだけでなく、上記回路要素の表面を上記絶
縁膜によって保護することができる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項４４または４５）において、上記回路要
素上に絶縁膜を形成し、この回路要素上の，この回路要
素を他の回路要素と電気的に接続するための領域に上記
絶縁膜の開口部を形成する工程を含み、上記導電性配線
を形成する工程は、上記絶縁膜を形成する工程の後、こ
の導電性配線を上記絶縁膜の開口部において上記回路要
素と接続するように形成するので、上記のように特性の
均一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装置を構成するこ
とが可能となり、集積回路装置の製造歩留まりを向上さ
せることができ、さらにＦＥＴの発振を容易に防止する
ことができるだけでなく、上記回路要素の表面を上記絶
縁膜によって保護することができる。
【０２００】また、この発明（請求項４７）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項４４ないし４６のいずれか）において、
上記回路要素を形成する工程の後に、上記各ＦＥＴの電
気特性を測定する工程を含み、上記導電性配線を形成す
る工程は、上記各ＦＥＴの電気特性を測定する工程の
後、この電気特性に応じて上記導電性配線を形成するの
で、ＦＥＴの動作特性の均一性の評価ができ、特性の均
一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装置を構成すること
が可能となる。これにより、集積回路装置の製造歩留ま
りを向上させることができる。さらに、上記ＦＥＴが発
振している場合は、その発振特性に応じてＦＥＴの上記
電極間を上記電気抵抗体を介して接続するか、または直
接接続することにより、この発振を容易に防止すること
ができる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項４４ないし４６のいずれか）において、
上記回路要素を形成する工程の後に、上記各ＦＥＴの電
気特性を測定する工程を含み、上記導電性配線を形成す
る工程は、上記各ＦＥＴの電気特性を測定する工程の
後、この電気特性に応じて上記導電性配線を形成するの
で、ＦＥＴの動作特性の均一性の評価ができ、特性の均
一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装置を構成すること
が可能となる。これにより、集積回路装置の製造歩留ま
りを向上させることができる。さらに、上記ＦＥＴが発
振している場合は、その発振特性に応じてＦＥＴの上記
電極間を上記電気抵抗体を介して接続するか、または直
接接続することにより、この発振を容易に防止すること
ができる。
【０２０１】また、この発明（請求項４８）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項４４ないし４７のいずれか）において、
上記導電性配線は、電気良導体からなるので、上記のよ
うに特性の均一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装置を
構成することが可能となり、集積回路装置の製造歩留ま
りを向上させることができ、ＦＥＴの発振を容易に防止
することができる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項４４ないし４７のいずれか）において、
上記導電性配線は、電気良導体からなるので、上記のよ
うに特性の均一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装置を
構成することが可能となり、集積回路装置の製造歩留ま
りを向上させることができ、ＦＥＴの発振を容易に防止
することができる。
【０２０２】また、この発明（請求項４９）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項４８）において、上記電気良導体は、金
属からなるので、上記のように特性の均一なＦＥＴのみ
を用いて、集積回路装置を構成することが可能となり、
集積回路装置の製造歩留まりを向上させることができ、
ＦＥＴの発振を容易に防止することができる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項４８）において、上記電気良導体は、金
属からなるので、上記のように特性の均一なＦＥＴのみ
を用いて、集積回路装置を構成することが可能となり、
集積回路装置の製造歩留まりを向上させることができ、
ＦＥＴの発振を容易に防止することができる。
【０２０３】また、この発明（請求項５０）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項４４ないし４７のいずれか）において、
上記導電性配線は、電気抵抗体からなるので、上記のよ
うに特性の均一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装置を
構成することが可能となり、集積回路装置の製造歩留ま
りを向上させることができるだけでなく、上記導電性配
線自身が有する電気抵抗により、ＦＥＴの発振を容易に
防止することができる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項４４ないし４７のいずれか）において、
上記導電性配線は、電気抵抗体からなるので、上記のよ
うに特性の均一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装置を
構成することが可能となり、集積回路装置の製造歩留ま
りを向上させることができるだけでなく、上記導電性配
線自身が有する電気抵抗により、ＦＥＴの発振を容易に
防止することができる。
【０２０４】また、この発明（請求項５１）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項５０）において、上記電気抵抗体は、高
融点金属からなるので、上記のように特性の均一なＦＥ
Ｔのみを用いて、集積回路装置を構成することが可能と
なり、集積回路装置の製造歩留まりを向上させることが
できるだけでなく、上記導電性配線自身が有する電気抵
抗により、ＦＥＴの発振を容易に防止することができ
る。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項５０）において、上記電気抵抗体は、高
融点金属からなるので、上記のように特性の均一なＦＥ
Ｔのみを用いて、集積回路装置を構成することが可能と
なり、集積回路装置の製造歩留まりを向上させることが
できるだけでなく、上記導電性配線自身が有する電気抵
抗により、ＦＥＴの発振を容易に防止することができ
る。
【０２０５】また、この発明（請求項５２）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項４４ないし４７のいずれか）において、
上記導電性配線は、熱可塑性樹脂体からなるので、上記
のように特性の均一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装
置を構成することが可能となり、集積回路装置の製造歩
留まりを向上させることができ、ＦＥＴの発振を容易に
防止することができる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項４４ないし４７のいずれか）において、
上記導電性配線は、熱可塑性樹脂体からなるので、上記
のように特性の均一なＦＥＴのみを用いて、集積回路装
置を構成することが可能となり、集積回路装置の製造歩
留まりを向上させることができ、ＦＥＴの発振を容易に
防止することができる。
【０２０６】また、この発明（請求項５３）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項５２）において、上記熱可塑性樹脂体
は、電気良導体であるので、上記のように特性の均一な
ＦＥＴのみを用いて集積回路装置を構成することが可能
となり、集積回路装置の製造歩留まりを向上させること
ができ、さらにＦＥＴの発振を容易に防止することがで
きる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項５２）において、上記熱可塑性樹脂体
は、電気良導体であるので、上記のように特性の均一な
ＦＥＴのみを用いて集積回路装置を構成することが可能
となり、集積回路装置の製造歩留まりを向上させること
ができ、さらにＦＥＴの発振を容易に防止することがで
きる。
【０２０７】また、この発明（請求項５４）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項５２）において、上記熱可塑性樹脂体
は、電気抵抗体であるので、上記のように特性の均一な
ＦＥＴのみを用いて集積回路装置を構成することが可能
となり、集積回路装置の製造歩留まりを向上させること
ができるだけでなく、上記熱可塑性樹脂体自身が有する
電気抵抗により、ＦＥＴの発振を容易に防止することが
できる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項５２）において、上記熱可塑性樹脂体
は、電気抵抗体であるので、上記のように特性の均一な
ＦＥＴのみを用いて集積回路装置を構成することが可能
となり、集積回路装置の製造歩留まりを向上させること
ができるだけでなく、上記熱可塑性樹脂体自身が有する
電気抵抗により、ＦＥＴの発振を容易に防止することが
できる。
【０２０８】また、この発明（請求項５５）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項５２ないし５４のいずれか）において、
上記熱可塑性樹脂体は、導電性粒子を含む熱可塑性ポリ
イミド樹脂からなるので、この導電性粒子の密度を変え
ることにより、熱可塑性樹脂体が有する電気抵抗を変化
させることができる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項５２ないし５４のいずれか）において、
上記熱可塑性樹脂体は、導電性粒子を含む熱可塑性ポリ
イミド樹脂からなるので、この導電性粒子の密度を変え
ることにより、熱可塑性樹脂体が有する電気抵抗を変化
させることができる。
【０２０９】また、この発明（請求項５６）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、半導体または誘電体から
なる基板上に、ＦＥＴを含む回路要素を形成する工程
と、このＦＥＴ上または上記基板上のこのＦＥＴに隣接
する領域に磁性体を形成する工程とを含むので、ＦＥＴ
の不要発振を減衰させ、この発振を防止することができ
る。
回路装置の製造方法によれば、半導体または誘電体から
なる基板上に、ＦＥＴを含む回路要素を形成する工程
と、このＦＥＴ上または上記基板上のこのＦＥＴに隣接
する領域に磁性体を形成する工程とを含むので、ＦＥＴ
の不要発振を減衰させ、この発振を防止することができ
る。
【０２１０】また、この発明（請求項５７）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項５６）において、上記回路要素を形成す
る工程の後に、上記各ＦＥＴの電気特性を測定する工程
を含み、上記磁性体を形成する工程は、上記各ＦＥＴの
電気特性を測定する工程の後、この電気特性に応じて上
記磁性体を形成するものであるので、上記各ＦＥＴの発
振特性に応じて、適切な形状の上記磁性体を適切な位置
に形成することができ、ＦＥＴの発振を容易に防止する
ことができる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項５６）において、上記回路要素を形成す
る工程の後に、上記各ＦＥＴの電気特性を測定する工程
を含み、上記磁性体を形成する工程は、上記各ＦＥＴの
電気特性を測定する工程の後、この電気特性に応じて上
記磁性体を形成するものであるので、上記各ＦＥＴの発
振特性に応じて、適切な形状の上記磁性体を適切な位置
に形成することができ、ＦＥＴの発振を容易に防止する
ことができる。
【０２１１】また、この発明（請求項５８）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項５６または５７）において、上記磁性体
を形成する工程は、樹脂により上記ＦＥＴまたは上記基
板に上記磁性体を接着するので、上記のようにＦＥＴの
発振を容易に防止することができる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項５６または５７）において、上記磁性体
を形成する工程は、樹脂により上記ＦＥＴまたは上記基
板に上記磁性体を接着するので、上記のようにＦＥＴの
発振を容易に防止することができる。
【０２１２】また、この発明（請求項５９）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項５８）において、上記樹脂は、熱可塑性
樹脂であるので、上記のようにＦＥＴの発振を容易に防
止することができる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項５８）において、上記樹脂は、熱可塑性
樹脂であるので、上記のようにＦＥＴの発振を容易に防
止することができる。
【０２１３】また、この発明（請求項６０）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項５９）において、上記熱可塑性樹脂は、
熱可塑性ポリイミド樹脂であるので、上記のようにＦＥ
Ｔの発振を容易に防止することができる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項５９）において、上記熱可塑性樹脂は、
熱可塑性ポリイミド樹脂であるので、上記のようにＦＥ
Ｔの発振を容易に防止することができる。
【０２１４】また、この発明（請求項６１）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項５６ないし６０のいずれか）において、
上記磁性体は、磁性粒子を含む熱可塑性樹脂からなるの
で、上記のようにＦＥＴの発振を容易に防止することが
できる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項５６ないし６０のいずれか）において、
上記磁性体は、磁性粒子を含む熱可塑性樹脂からなるの
で、上記のようにＦＥＴの発振を容易に防止することが
できる。
【０２１５】また、この発明（請求項６２）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項６１）において、上記熱可塑性樹脂は、
熱可塑性ポリイミド樹脂からなるので、上記のようにＦ
ＥＴの発振を容易に防止することができる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項６１）において、上記熱可塑性樹脂は、
熱可塑性ポリイミド樹脂からなるので、上記のようにＦ
ＥＴの発振を容易に防止することができる。
【０２１６】また、この発明（請求項６３）に係る集積
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項６１または６２）において、上記磁性粒
子は、フェライトからなるので、上記のようにＦＥＴの
発振を容易に防止することができる。
回路装置の製造方法によれば、上記の集積回路装置の製
造方法（請求項６１または６２）において、上記磁性粒
子は、フェライトからなるので、上記のようにＦＥＴの
発振を容易に防止することができる。
【図１】 この発明の第１の実施例による集積回路装置
を示す上面図（図１(a) ）、及びその製造方法を示す上
面図（図１(b) ）である。
を示す上面図（図１(a) ）、及びその製造方法を示す上
面図（図１(b) ）である。
【図２】 この発明の第２の実施例による集積回路装置
を示す上面図（図２(a) ）、及びその製造方法を示す上
面図（図２(b) ）である。
を示す上面図（図２(a) ）、及びその製造方法を示す上
面図（図２(b) ）である。
【図３】 この発明の第３の実施例による集積回路装置
を示す上面図（図３(a) ）、及びその製造方法を示す上
面図（図３(b) ）である。
を示す上面図（図３(a) ）、及びその製造方法を示す上
面図（図３(b) ）である。
【図４】 従来の集積回路装置を示す上面図である。
【図５】 従来の集積回路装置のＦＥＴを拡大して示す
上面図である。
上面図である。
１ 入力側基板、２ 出力側基板、３ ＦＥＴ、４ ワ
イヤ、５ 入力インピーダンス整合回路、６ 出力イン
ピーダンス整合回路、７ ランド、８ ゲート電極、８
ａ くし形ゲート、９ ドレイン電極、１０ ソース電
極、１１ 半導体基板、１３ 絶縁膜開口部、１４ 抵
抗体、１５ 磁性体、１２０，１２１，１２２ 熱可塑
性樹脂体、１２３，１２４，１２５ 導電性配線。
イヤ、５ 入力インピーダンス整合回路、６ 出力イン
ピーダンス整合回路、７ ランド、８ ゲート電極、８
ａ くし形ゲート、９ ドレイン電極、１０ ソース電
極、１１ 半導体基板、１３ 絶縁膜開口部、１４ 抵
抗体、１５ 磁性体、１２０，１２１，１２２ 熱可塑
性樹脂体、１２３，１２４，１２５ 導電性配線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野谷 佳弘 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究 所内 (72)発明者 中島 康晴 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究 所内 (72)発明者 松林 弘人 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究 所内 (72)発明者 太田 行雄 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究 所内
Claims (63)
- 【請求項１】 半導体または誘電体からなる基板上に、
回路要素と該回路要素に電気的に接続された熱可塑性樹
脂体とが設けられていることを特徴とする集積回路装
置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の集積回路装置におい
て、 複数の上記回路要素を備え、 上記熱可塑性樹脂体は、上記回路要素の間を電気的に接
続することを特徴とする集積回路装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の集積回路装置におい
て、 上記回路要素は、トランジスタを含むことを特徴とする
集積回路装置。 - 【請求項４】 請求項２または３に記載の集積回路装置
において、 上記回路要素は、複数の上記基板上に設けられており、 上記熱可塑性樹脂体は、異なる上記基板上に形成された
回路要素の間を接続していることを特徴とする集積回路
装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の集積回路装置におい
て、 上記回路要素は、誘電体からなる第１の基板上に設けら
れた入力インピーダンス整合回路，半導体からなる第２
の基板上に設けられたトランジスタ，及び誘電体からな
る第３の基板上に設けられた出力インピーダンス整合回
路を含むものであり、 上記熱可塑性樹脂体は、上記入力インピーダンス整合回
路と上記トランジスタのゲート電極の間，及び上記トラ
ンジスタのドレイン電極と出力インピーダンス整合回路
の間を接続していることを特徴とする集積回路装置。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載の集
積回路装置において、 上記熱可塑性樹脂体は、インピーダンス整合回路の少な
くとも一部を構成するものであることを特徴とする集積
回路装置。 - 【請求項７】 請求項６に記載の集積回路装置におい
て、 上記回路要素は、基板上に設けられたインピーダンス整
合回路部を含むものであり、 上記熱可塑性樹脂体は、上記インピーダンス整合回路部
にその一端が接続されて、該インピーダンス整合回路部
とともに上記インピーダンス整合回路を構成するもので
あることを特徴とする集積回路装置。 - 【請求項８】 請求項６に記載の集積回路装置におい
て、 上記回路要素は、基板上に設けられたインピーダンス整
合回路部及び該基板上に設けられた島状の導体膜からな
るランドを含むものであり、 上記熱可塑性樹脂体は、上記インピーダンス整合回路部
と上記ランドの間を接続するように設けられて、上記イ
ンピーダンス整合回路部及び上記熱可塑性樹脂体により
これに接続された上記ランドとともに上記インピーダン
ス整合回路を構成するものであることを特徴とする集積
回路装置。 - 【請求項９】 請求項１ないし８のいずれかに記載の集
積回路装置において、 上記回路要素上に形成され、該回路要素上の，該回路要
素を上記熱可塑性樹脂体により他の回路要素と電気的に
接続するための領域に開口部を有する絶縁膜を備えたこ
とを特徴とする集積回路装置。 - 【請求項１０】 請求項１ないし９のいずれかに記載の
集積回路装置において、 上記熱可塑性樹脂体は、電気良導体であることを特徴と
する集積回路装置。 - 【請求項１１】 請求項１ないし９のいずれかに記載の
集積回路装置において、 上記熱可塑性樹脂体は、電気抵抗体であることを特徴と
する集積回路装置。 - 【請求項１２】 請求項１ないし１１のいずれかに記載
の集積回路装置において、 上記熱可塑性樹脂体は、導電性粒子を含む熱可塑性ポリ
イミド樹脂からなることを特徴とする集積回路装置。 - 【請求項１３】 半導体または誘電体からなる基板上に
形成された複数のトランジスタを含む回路要素と、 上記複数のトランジスタのゲート電極相互間，ソース電
極相互間，またはドレイン電極相互間のそれぞれを直接
電気的に接続する導電性配線とを備えたことを特徴とす
る集積回路装置。 - 【請求項１４】 半導体または誘電体からなる基板上に
形成された複数のトランジスタ，及び該複数のトランジ
スタの内少なくとも一部のトランジスタの間の領域に形
成された電気抵抗体を含む回路要素と、 上記複数のトランジスタのゲート電極相互間，ソース電
極相互間，またはドレイン電極相互間を直接または上記
電気抵抗体を介して電気的に接続する導電性配線とを備
えたことを特徴とする集積回路装置。 - 【請求項１５】 請求項１３または１４に記載の集積回
路装置において、 上記回路要素上に形成され、該回路要素上の，該回路要
素を上記導電性配線により他の回路要素と電気的に接続
するための領域に開口部を有する絶縁膜を備えたことを
特徴とする集積回路装置。 - 【請求項１６】 請求項１３ないし１５のいずれかに記
載の集積回路装置において、 上記導電性配線は、電気良導体からなることを特徴とす
る集積回路装置。 - 【請求項１７】 請求項１６に記載の集積回路装置にお
いて、 上記電気良導体は、金属からなることを特徴とする集積
回路装置。 - 【請求項１８】 請求項１３ないし１５のいずれかに記
載の集積回路装置において、 上記導電性配線は、電気抵抗体からなることを特徴とす
る集積回路装置。 - 【請求項１９】 請求項１８に記載の集積回路装置にお
いて、 上記電気抵抗体は、高融点金属からなることを特徴とす
る集積回路装置。 - 【請求項２０】 請求項１３ないし１５のいずれかに記
載の集積回路装置において、 上記導電性配線は、熱可塑性樹脂体からなることを特徴
とする集積回路装置。 - 【請求項２１】 請求項２０に記載の集積回路装置にお
いて、 上記熱可塑性樹脂体は、電気良導体であることを特徴と
する集積回路装置。 - 【請求項２２】 請求項２０に記載の集積回路装置にお
いて、 上記熱可塑性樹脂体は、電気抵抗体であることを特徴と
する集積回路装置。 - 【請求項２３】 請求項２０ないし２２のいずれかに記
載の集積回路装置において、 上記熱可塑性樹脂体は、導電性粒子を含む熱可塑性ポリ
イミド樹脂からなることを特徴とする集積回路装置。 - 【請求項２４】 半導体または誘電体からなる基板上に
設けられたトランジスタを含む回路要素と、 該トランジスタ上または上記基板上の該トランジスタに
隣接する領域に設けられた磁性体とを備えたことを特徴
とする集積回路装置。 - 【請求項２５】 請求項２４に記載の集積回路装置にお
いて、 上記磁性体は、樹脂により上記トランジスタまたは上記
基板に接着されていることを特徴とする集積回路装置。 - 【請求項２６】 請求項２５に記載の集積回路装置にお
いて、 上記樹脂は、熱可塑性樹脂であることを特徴とする集積
回路装置。 - 【請求項２７】 請求項２６に記載の集積回路装置にお
いて、 上記熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポリイミド樹脂であるこ
とを特徴とする集積回路装置。 - 【請求項２８】 請求項２４ないし２７のいずれかに記
載の集積回路装置において、 上記磁性体は、磁性粒子を含む熱可塑性樹脂からなるこ
とを特徴とする集積回路装置。 - 【請求項２９】 請求項２８に記載の集積回路装置にお
いて、 上記熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポリイミド樹脂からなる
ことを特徴とする集積回路装置。 - 【請求項３０】 請求項２８または２９に記載の集積回
路装置において、 上記磁性粒子は、フェライトからなることを特徴とする
集積回路装置。 - 【請求項３１】 半導体または誘電体からなる基板上に
回路要素を形成する工程と、 該回路要素に電気的に接続するように熱可塑性樹脂体を
形成する工程とを含むことを特徴とする集積回路装置の
製造方法。 - 【請求項３２】 請求項３１に記載の集積回路装置の製
造方法において、 上記回路要素を形成する工程は、複数の上記回路要素を
形成するものであり、 上記熱可塑性樹脂体を形成する工程は、上記回路要素の
間を電気的に接続するように上記熱可塑性樹脂体を形成
するものであることを特徴とする集積回路装置の製造方
法。 - 【請求項３３】 請求項３２に記載の集積回路装置の製
造方法において、 上記回路要素は、トランジスタを含むことを特徴とする
集積回路装置の製造方法。 - 【請求項３４】 請求項３２または３３に記載の集積回
路装置の製造方法において、 上記回路要素を形成する工程は、複数の上記基板上に上
記回路要素を形成するものであり、 上記熱可塑性樹脂体を形成する工程は、異なる上記基板
上に形成された回路要素の間を接続するように上記熱可
塑性樹脂体を形成するものであることを特徴とする集積
回路装置の製造方法。 - 【請求項３５】 請求項３４に記載の集積回路装置の製
造方法において、 上記回路要素を形成する工程は、誘電体からなる第１の
基板上に設けられる入力インピーダンス整合回路，半導
体からなる第２の基板上に設けられるトランジスタ，及
び誘電体からなる第３の基板上に設けられる出力インピ
ーダンス整合回路を含む上記回路要素を形成するもので
あり、 上記熱可塑性樹脂体を形成する工程は、上記入力インピ
ーダンス整合回路と上記トランジスタのゲート電極の
間，及び上記トランジスタのドレイン電極と出力インピ
ーダンス整合回路の間を接続するように上記熱可塑性樹
脂体を形成することを特徴とする集積回路装置の製造方
法。 - 【請求項３６】 請求項３１ないし３５のいずれかに記
載の集積回路装置の製造方法において、 上記回路要素を形成する工程の後に、該回路要素の電気
特性を測定する工程を含み、 上記熱可塑性樹脂体を形成する工程は、上記回路要素の
電気特性を測定する工程の後、該電気特性に応じて上記
熱可塑性樹脂体を形成することを特徴とする集積回路装
置の製造方法。 - 【請求項３７】 請求項３１ないし３５のいずれかに記
載の集積回路装置の製造方法において、 上記熱可塑性樹脂体を形成する工程は、インピーダンス
整合回路の少なくとも一部を構成するように熱可塑性樹
脂体を形成するものであることを特徴とする集積回路装
置の製造方法。 - 【請求項３８】 請求項３７に記載の集積回路装置の製
造方法において、 上記回路要素を形成する工程は、インピーダンス整合回
路部を含む回路要素を形成するものであり、 上記回路要素を形成する工程の後に、上記回路要素の高
周波特性を測定する工程を含み、 上記熱可塑性樹脂体を形成する工程は、上記回路要素の
高周波特性を測定する工程の後に、該回路要素の高周波
特性に応じて、上記インピーダンス整合回路部に接続す
るように上記熱可塑性樹脂体を形成して、該熱可塑性樹
脂体及び上記インピーダンス整合回路部を含む上記イン
ピーダンス整合回路を形成するものであることを特徴と
する集積回路装置の製造方法。 - 【請求項３９】 請求項３７に記載の集積回路装置の製
造方法において、 上記回路要素を形成する工程は、インピーダンス整合回
路部及び島状の導体膜からなる一つまたは複数のランド
を含む回路要素を形成するものであり、 上記回路要素を形成する工程の後に、上記回路要素の高
周波特性を測定する工程を含み、 上記熱可塑性樹脂体を形成する工程は、上記回路要素の
高周波特性を測定する工程の後に、該回路要素の高周波
特性に応じて、上記ランドの中から選択されたものと上
記インピーダンス整合回路部とを接続するように上記熱
可塑性樹脂体を形成して、該熱可塑性樹脂体，上記の選
択されたランド及び上記インピーダンス整合回路部を含
む上記インピーダンス整合回路を形成するものであるこ
とを特徴とする集積回路装置の製造方法。 - 【請求項４０】 請求項３１ないし３９のいずれかに記
載の集積回路装置の製造方法において、 上記回路要素を形成する工程の後に、上記回路要素上に
絶縁膜を形成し、該絶縁膜の，上記回路要素を他の回路
要素と電気的に接続するための領域に上記絶縁膜の開口
部を形成する工程を含み、 上記熱可塑性樹脂体を形成する工程は、上記熱可塑性樹
脂体を上記絶縁膜の開口部において上記回路要素と接続
されるように形成するものであることを特徴とする集積
回路装置の製造方法。 - 【請求項４１】 請求項３１ないし４０のいずれかに記
載の集積回路装置の製造方法において、 上記熱可塑性樹脂体は、電気良導体であることを特徴と
する集積回路装置の製造方法。 - 【請求項４２】 請求項３１ないし４０のいずれかに記
載の集積回路装置の製造方法において、 上記熱可塑性樹脂体は、電気抵抗体であることを特徴と
する集積回路装置の製造方法。 - 【請求項４３】 請求項３１ないし４２のいずれかに記
載の集積回路装置の製造方法において、 上記熱可塑性樹脂体は、導電性粒子を含む熱可塑性ポリ
イミド樹脂からなることを特徴とする集積回路装置の製
造方法。 - 【請求項４４】 半導体または誘電体からなる基板上に
複数のトランジスタを含む回路要素を形成する工程と、 上記複数のトランジスタのゲート電極相互間，ソース電
極相互間，またはドレイン電極相互間のそれぞれを直接
電気的に接続するように導電性配線を形成する工程とを
含むことを特徴とする集積回路装置の製造方法。 - 【請求項４５】 半導体または誘電体からなる基板上
に、複数のトランジスタ，及び該複数のトランジスタの
内少なくとも一部トランジスタの間の領域に設けられる
電気抵抗体を含む回路要素を形成する工程と、 上記複数のトランジスタのゲート電極相互間，ソース電
極相互間，またはドレイン電極相互間のそれぞれを直接
または上記電気抵抗体を介して電気的に接続する導電性
配線を形成する工程とを含むことを特徴とする集積回路
装置の製造方法。 - 【請求項４６】 請求項４４または４５に記載の集積回
路装置の製造方法において、 上記回路要素上に絶縁膜を形成し、該回路要素上の，該
回路要素を他の回路要素と電気的に接続するための領域
に上記絶縁膜の開口部を形成する工程を含み、 上記導電性配線を形成する工程は、上記絶縁膜を形成す
る工程の後、該導電性配線を上記絶縁膜の開口部におい
て上記回路要素と接続するように形成するものであるこ
とを特徴とする集積回路装置の製造方法。 - 【請求項４７】 請求項４４ないし４６のいずれかに記
載の集積回路装置の製造方法において、 上記回路要素を形成する工程の後に、上記各トランジス
タの電気特性を測定する工程を含み、 上記導電性配線を形成する工程は、上記各トランジスタ
の電気特性を測定する工程の後、該電気特性に応じて上
記導電性配線を形成することを特徴とする集積回路装置
の製造方法。 - 【請求項４８】 請求項４４ないし４７のいずれかに記
載の集積回路装置の製造方法において、 上記導電性配線は、電気良導体からなることを特徴とす
る集積回路装置の製造方法。 - 【請求項４９】 請求項４８に記載の集積回路装置の製
造方法において、 上記電気良導体は、金属からなることを特徴とする集積
回路装置の製造方法。 - 【請求項５０】 請求項４４ないし４７のいずれかに記
載の集積回路装置の製造方法において、 上記導電性配線は、電気抵抗体からなることを特徴とす
る集積回路装置の製造方法。 - 【請求項５１】 請求項５０に記載の集積回路装置の製
造方法において、 上記電気抵抗体は、高融点金属からなることを特徴とす
る集積回路装置の製造方法。 - 【請求項５２】 請求項４４ないし４７のいずれかに記
載の集積回路装置の製造方法において、 上記導電性配線は、熱可塑性樹脂体からなることを特徴
とする集積回路装置の製造方法。 - 【請求項５３】 請求項５２に記載の集積回路装置の製
造方法において、 上記熱可塑性樹脂体は、電気良導体であることを特徴と
する集積回路装置の製造方法。 - 【請求項５４】 請求項５２に記載の集積回路装置の製
造方法において、 上記熱可塑性樹脂体は、電気抵抗体であることを特徴と
する集積回路装置の製造方法。 - 【請求項５５】 請求項５２ないし５４のいずれかに記
載の集積回路装置の製造方法において、 上記熱可塑性樹脂体は、導電性粒子を含む熱可塑性ポリ
イミド樹脂からなることを特徴とする集積回路装置の製
造方法。 - 【請求項５６】 半導体または誘電体からなる基板上
に、トランジスタを含む回路要素を形成する工程と、 該トランジスタ上または上記基板上の該トランジスタに
隣接する領域に磁性体を形成する工程とを含むことを特
徴とする集積回路装置の製造方法。 - 【請求項５７】 請求項５６に記載の集積回路装置の製
造方法において、 上記回路要素を形成する工程の後に、上記各トランジス
タの電気特性を測定する工程を含み、 上記磁性体を形成する工程は、上記各トランジスタの電
気特性を測定する工程の後、該電気特性に応じて上記磁
性体を形成することを特徴とする集積回路装置の製造方
法。 - 【請求項５８】 請求項５６または５７に記載の集積回
路装置の製造方法において、 上記磁性体を形成する工程は、樹脂により上記トランジ
スタまたは上記基板に上記磁性体を接着するものである
ことを特徴とする集積回路装置の製造方法。 - 【請求項５９】 請求項５８に記載の集積回路装置の製
造方法において、 上記樹脂は、熱可塑性樹脂であることを特徴とする集積
回路装置の製造方法。 - 【請求項６０】 請求項５９に記載の集積回路装置の製
造方法において、 上記熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポリイミド樹脂であるこ
とを特徴とする集積回路装置の製造方法。 - 【請求項６１】 請求項５６ないし６０のいずれかに記
載の集積回路装置の製造方法において、 上記磁性体は、磁性粒子を含む熱可塑性樹脂からなるこ
とを特徴とする集積回路装置の製造方法。 - 【請求項６２】 請求項６１に記載の集積回路装置の製
造方法において、 上記熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポリイミド樹脂からなる
ことを特徴とする集積回路装置の製造方法。 - 【請求項６３】 請求項６１または６２に記載の集積回
路装置の製造方法において、 上記磁性粒子は、フェライトからなることを特徴とする
集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7094963A JPH08288452A (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 集積回路装置，及びその製造方法 |
| EP96104434A EP0739034A3 (en) | 1995-04-20 | 1996-03-20 | Integrated circuit device and fabricating method thereof |
| US08/956,497 US5786627A (en) | 1995-04-20 | 1997-10-22 | Integrated circuit device and fabricating thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7094963A JPH08288452A (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 集積回路装置，及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288452A true JPH08288452A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=14124590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7094963A Pending JPH08288452A (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 集積回路装置，及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5786627A (ja) |
| EP (1) | EP0739034A3 (ja) |
| JP (1) | JPH08288452A (ja) |
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| JP4873964B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2012-02-08 | セイコーインスツル株式会社 | 光電変換装置およびイメージセンサ |
| JP5580230B2 (ja) | 2011-02-28 | 2014-08-27 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
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|---|---|---|---|---|
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