JPH0828975B2 - 電話機用電源回路 - Google Patents
電話機用電源回路Info
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- JPH0828975B2 JPH0828975B2 JP61203645A JP20364586A JPH0828975B2 JP H0828975 B2 JPH0828975 B2 JP H0828975B2 JP 61203645 A JP61203645 A JP 61203645A JP 20364586 A JP20364586 A JP 20364586A JP H0828975 B2 JPH0828975 B2 JP H0828975B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
- H02M7/02—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal
- H02M7/04—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/12—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/21—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/217—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M7/219—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a bridge configuration
- H02M7/2195—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a bridge configuration the switches being synchronously commutated at the same frequency of the AC input voltage
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電話機等において用いる電圧降下の少ない
低損失整流回路に関するものである。
低損失整流回路に関するものである。
電話機においては、電話線路の線間電圧極性にかゝわ
らず、内部回路へ通ずるループ電流の極性を一定とする
場合、線路端子側へ全波整流回路を挿入することが行な
われており、特に、内部回路を半導体素子により構成し
た各種の電話機においては、この全波整流回路を必要と
し、通常のダイオードによりフリツジ回路の4辺を構成
した全波整流回路が一般に用いられている。
らず、内部回路へ通ずるループ電流の極性を一定とする
場合、線路端子側へ全波整流回路を挿入することが行な
われており、特に、内部回路を半導体素子により構成し
た各種の電話機においては、この全波整流回路を必要と
し、通常のダイオードによりフリツジ回路の4辺を構成
した全波整流回路が一般に用いられている。
しかし、ダイオードによる全波整流回路を用いる場
合、これの順方向電圧が1素子当り0.5〜0.6Vであり、
ブリツジ回路とすれば常に2素子が直列となり、整流回
路の電圧降下が1.0〜1.2Vとなるため、標準的な使用状
態では特に支障を生じないが、内部直流抵抗値の低い電
話機と並列接続され、同時にオフフツクの行なわれた場
合等には、電話線路の抵抗値との関係に応じて線間電圧
が低下し、半導体素子により構成された大部回路の動作
可能電圧近傍となることがあり、この際には整流回路の
電圧降下が無視できず、条件によつては、この電圧降下
分により内部回路の動作が不能となる問題を生ずる。
合、これの順方向電圧が1素子当り0.5〜0.6Vであり、
ブリツジ回路とすれば常に2素子が直列となり、整流回
路の電圧降下が1.0〜1.2Vとなるため、標準的な使用状
態では特に支障を生じないが、内部直流抵抗値の低い電
話機と並列接続され、同時にオフフツクの行なわれた場
合等には、電話線路の抵抗値との関係に応じて線間電圧
が低下し、半導体素子により構成された大部回路の動作
可能電圧近傍となることがあり、この際には整流回路の
電圧降下が無視できず、条件によつては、この電圧降下
分により内部回路の動作が不能となる問題を生ずる。
前述の問題を解決するため、本発明はつぎの手段によ
り構成するものとなつている。
り構成するものとなつている。
すなわち、方向性素子によりブリツジ回路の4辺を構
成した全波整流回路において、直流出力端子の正負のい
ずれか一方の端子と第1の交流入力端子との間へドレイ
ン・ソース間を電流の流通方向として挿入されると共に
第2の交流入力端子からゲートへバイアスの印加される
第1のエンハンスメント形トランジスタと、前記一方の
端子と第2の交流入力端子との間へドレイン・ソース間
を電流の流通方向として挿入されると共に第1の交流入
力端子からゲートヘバイアスの印加される第2のエンハ
ンスメント形トランジスタとを少くともブリツジ回路の
2辺として備え、さらに第1および第2のエンハンスメ
ント形トランジスタのゲートに電圧制限用素子を設けた
ものである。
成した全波整流回路において、直流出力端子の正負のい
ずれか一方の端子と第1の交流入力端子との間へドレイ
ン・ソース間を電流の流通方向として挿入されると共に
第2の交流入力端子からゲートへバイアスの印加される
第1のエンハンスメント形トランジスタと、前記一方の
端子と第2の交流入力端子との間へドレイン・ソース間
を電流の流通方向として挿入されると共に第1の交流入
力端子からゲートヘバイアスの印加される第2のエンハ
ンスメント形トランジスタとを少くともブリツジ回路の
2辺として備え、さらに第1および第2のエンハンスメ
ント形トランジスタのゲートに電圧制限用素子を設けた
ものである。
したがつて、第1および第2のエンハンスメント形ト
ランジスタは、自己の接続された交流入力端子と反対側
の交流入力端子が順方向バイアスとなる極性のときオン
となり、これを各トランジスタが交互に反復し、オンの
ときにドレイン・ソース間がダイオードとしての作用を
呈すると共に、このときのオン抵抗値が極めて低く、低
電圧降下の整流回路が得られる。さらに、第1および第
2のエンハンスメント形トランジスタのゲートに設けた
電圧制御用素子によって、サージ入力電圧に対してもそ
のトランジスタのドレイン・ソース逆耐電圧まで確実に
動作させることができる。
ランジスタは、自己の接続された交流入力端子と反対側
の交流入力端子が順方向バイアスとなる極性のときオン
となり、これを各トランジスタが交互に反復し、オンの
ときにドレイン・ソース間がダイオードとしての作用を
呈すると共に、このときのオン抵抗値が極めて低く、低
電圧降下の整流回路が得られる。さらに、第1および第
2のエンハンスメント形トランジスタのゲートに設けた
電圧制御用素子によって、サージ入力電圧に対してもそ
のトランジスタのドレイン・ソース逆耐電圧まで確実に
動作させることができる。
〔実施例〕 以下、実施例を示す図によつて本発明の詳細を説明す
る。
る。
同図は、加入者電話機のブロツク図であり、交換機か
らの電話線路が接続される線路端子L1,L2に対し、フツ
クスイツチHS、全波整流回路(以下、REC)1、およ
び、パルス送出回路(以下、DPS)2を介し、ハンドセ
ツトを含む通話回路(以下、TKC)3が接続されている
と共に、TKC3と並列に定電流回路(以下、CIC)4を経
てダイヤル回路(以下、DIC)5が接続されており、DIC
5には、ダイヤルキー(以下、DK)6の出力が与えられ
る。
らの電話線路が接続される線路端子L1,L2に対し、フツ
クスイツチHS、全波整流回路(以下、REC)1、およ
び、パルス送出回路(以下、DPS)2を介し、ハンドセ
ツトを含む通話回路(以下、TKC)3が接続されている
と共に、TKC3と並列に定電流回路(以下、CIC)4を経
てダイヤル回路(以下、DIC)5が接続されており、DIC
5には、ダイヤルキー(以下、DK)6の出力が与えられ
る。
また、REC1は、方向性素子としV(Vertical groov
e)MOS形等のエンハンスメント形トランジスタ(以下、
TR)Q1〜Q4を用い、これらによりブリツジ回路の4辺を
構成しており、この例ではTR・Q1〜Q4にNチヤネルのTR
を用いたうえ、直流出力端子11、12中の負極端子12と第
1の交流入力端子13との間へ第1のTR・Q1のドレイン・
ソース間を負極端子12から電流が通ずる方向として挿入
すると共に、TR・Q1のゲートへ第2の交流入力端子14か
ら抵抗器R1および定電圧ダイオードZD1の電圧制限回路
を介し、バイアス電圧を印加するものとなつている一
方、第2のTR・Q2のドレイン・ソース間を負極端子12と
交流入力端子14との間へ前述と同様の方向として挿入す
ると共に、TR・Q2のゲートには、交流入力端子13から抵
抗器R2および定電圧ダイオードZD2の電圧制限回路を介
し、バイアス電圧を印加するものとなつており、TR・
Q1、Q2によりブリツジ回路の2辺を構成している。
e)MOS形等のエンハンスメント形トランジスタ(以下、
TR)Q1〜Q4を用い、これらによりブリツジ回路の4辺を
構成しており、この例ではTR・Q1〜Q4にNチヤネルのTR
を用いたうえ、直流出力端子11、12中の負極端子12と第
1の交流入力端子13との間へ第1のTR・Q1のドレイン・
ソース間を負極端子12から電流が通ずる方向として挿入
すると共に、TR・Q1のゲートへ第2の交流入力端子14か
ら抵抗器R1および定電圧ダイオードZD1の電圧制限回路
を介し、バイアス電圧を印加するものとなつている一
方、第2のTR・Q2のドレイン・ソース間を負極端子12と
交流入力端子14との間へ前述と同様の方向として挿入す
ると共に、TR・Q2のゲートには、交流入力端子13から抵
抗器R2および定電圧ダイオードZD2の電圧制限回路を介
し、バイアス電圧を印加するものとなつており、TR・
Q1、Q2によりブリツジ回路の2辺を構成している。
これに対し、正極端子11と各交流入力端子13,14との
間には、TR・Q3、Q4のドレイン・ソース間が正極端子11
へ電流が通ずる方向として各個に挿入されていると共
に、TR・Q3、Q4のゲートが各々のソースと共通接続され
ており、これらは零バイアスによりオフ状態となるが、
ドレイン・ソース間に形成される等価的な寄性ダイオー
ドdによりダイオードとしての作用を呈するものとなつ
ている。
間には、TR・Q3、Q4のドレイン・ソース間が正極端子11
へ電流が通ずる方向として各個に挿入されていると共
に、TR・Q3、Q4のゲートが各々のソースと共通接続され
ており、これらは零バイアスによりオフ状態となるが、
ドレイン・ソース間に形成される等価的な寄性ダイオー
ドdによりダイオードとしての作用を呈するものとなつ
ている。
このため、交流入力端子13が正極性のときは、TR・Q3
を介して正極端子11から負極端子12へ電流を通ずると共
に、抵抗器R2を介し、かつ、定電圧ダイオードZD2によ
り電圧が制限され、TR・Q2のゲートへ順方向バイアスが
印加されるものとなり、TR・Q2がオンとなつてソースか
らドレインの方向へ電流を通じ、このとき負極性となつ
ている交流入力端子14へ還流させる。
を介して正極端子11から負極端子12へ電流を通ずると共
に、抵抗器R2を介し、かつ、定電圧ダイオードZD2によ
り電圧が制限され、TR・Q2のゲートへ順方向バイアスが
印加されるものとなり、TR・Q2がオンとなつてソースか
らドレインの方向へ電流を通じ、このとき負極性となつ
ている交流入力端子14へ還流させる。
また、交流入力端子14が正極性、同端子13が負極性と
なれば、TR・Q1のゲートへ抵抗器R1を介し、かつ、定電
圧ダイオードZD1により電圧が制限されて順方向バイア
スの印加がなされ、TR・Q1がオンとなつてソースからド
レインの方向へ電流を通ずると共に、TR・Q4がTR・Q3と
同様に作用し、正極端子11から負極端子12へ電流を通ず
るため、線路端子L1,L2へ接続される電話線路の線間電
圧極性にかゝわらず、一定極性としたループ電流をDPS2
〜DIC5の内部回路へ通ずるものとなる。
なれば、TR・Q1のゲートへ抵抗器R1を介し、かつ、定電
圧ダイオードZD1により電圧が制限されて順方向バイア
スの印加がなされ、TR・Q1がオンとなつてソースからド
レインの方向へ電流を通ずると共に、TR・Q4がTR・Q3と
同様に作用し、正極端子11から負極端子12へ電流を通ず
るため、線路端子L1,L2へ接続される電話線路の線間電
圧極性にかゝわらず、一定極性としたループ電流をDPS2
〜DIC5の内部回路へ通ずるものとなる。
したがつて、オフフツクを行なえばフツクスイツチHS
がオンとなるのに応じ、REC1により一定極性となつたル
ープ電流がTKC3へ通じ、直流ループの閉成がなされると
共に、CIC4を介するループ電流の一部によりDIC5が動作
状態となりDK6の操作に応じてDPS2を制御し、これの中
のTR等を用いたスイツチング素子のオフ,オンによりダ
イヤルパルスの送出を行ない、これに交換機が応動して
交換接続がなされ、相手側が応答すればTKC3中のハンド
セツトにより通話が自在となる。
がオンとなるのに応じ、REC1により一定極性となつたル
ープ電流がTKC3へ通じ、直流ループの閉成がなされると
共に、CIC4を介するループ電流の一部によりDIC5が動作
状態となりDK6の操作に応じてDPS2を制御し、これの中
のTR等を用いたスイツチング素子のオフ,オンによりダ
イヤルパルスの送出を行ない、これに交換機が応動して
交換接続がなされ、相手側が応答すればTKC3中のハンド
セツトにより通話が自在となる。
たヾし、REC1に用いるTR・Q3、Q4は、上述の接続によ
り、ダイオードとしての順方向飽和電圧が少電流におい
ても約0.4Vと低くなる一方、TR・Q1、Q2のオン抵抗値
は、順方向バイアスの印加により約5Ωとなり、ダイオ
ードとしての順方向飽和電圧が20mA程度の通電々流にお
いて約0.1Vとなるため、TR・Q3とQ2との直列時、およ
び、TR・Q4とQ1との直列時にREC1としての電圧降下が約
0.5Vと極めて低下する。
り、ダイオードとしての順方向飽和電圧が少電流におい
ても約0.4Vと低くなる一方、TR・Q1、Q2のオン抵抗値
は、順方向バイアスの印加により約5Ωとなり、ダイオ
ードとしての順方向飽和電圧が20mA程度の通電々流にお
いて約0.1Vとなるため、TR・Q3とQ2との直列時、およ
び、TR・Q4とQ1との直列時にREC1としての電圧降下が約
0.5Vと極めて低下する。
したがつて、内部直流抵抗値が100Ω程度の601形電話
機等と並列接続され、同時にオフフツクのなされた際、
電話線路の抵抗値との関係により線間電圧が低下して
も、一般のダイオードをREC1に用いた場合に比し、REC1
の電圧降下が約0.7V減少し、この減少分に応じて内部回
路の印加電圧が上昇するため、内部回路に半導体素子お
よび集積回路を用いた場合にも、十分に内部回路が動作
するものとなり、特にTCK3中の送話増幅器および受話増
増幅器の動作状態が維持され、通話を確保することがで
きる。
機等と並列接続され、同時にオフフツクのなされた際、
電話線路の抵抗値との関係により線間電圧が低下して
も、一般のダイオードをREC1に用いた場合に比し、REC1
の電圧降下が約0.7V減少し、この減少分に応じて内部回
路の印加電圧が上昇するため、内部回路に半導体素子お
よび集積回路を用いた場合にも、十分に内部回路が動作
するものとなり、特にTCK3中の送話増幅器および受話増
増幅器の動作状態が維持され、通話を確保することがで
きる。
たヾし、TR・Q3、Q4としてPチヤネルのエンハンスメ
ント形を用い、TR・Q1、Q2と同様に接続すれば、TR・
Q3、Q4の順方向電圧も約0.1Vとなり、REC1の電圧降下を
約0.2Vまで低下させることができる。
ント形を用い、TR・Q1、Q2と同様に接続すれば、TR・
Q3、Q4の順方向電圧も約0.1Vとなり、REC1の電圧降下を
約0.2Vまで低下させることができる。
すなわち、第2図(A)にNチヤネル、同図(B)に
Pチヤネルの各ゲート・ソース間電圧VGSとドレイン電
流IDとの関係を示すとおり、Nチヤネルでは正極性の+
VGSに応じてIDの流通を開始し、かつ、IDが増大するも
のとなり、ドレイン・ソース間がダイオード作用を呈す
るのに対し、Pチヤネルにおいては、負極性の−VGSに
応じてIDが同様に変化し、ドレイン・ソース間がダイオ
ード作用を呈するものとなつているため、TR・Q3、Q4と
してPチヤネルのものを用い、(B)の特性に基づきオ
ンとなる方向へバイアスを印加すればよいものとなる。
Pチヤネルの各ゲート・ソース間電圧VGSとドレイン電
流IDとの関係を示すとおり、Nチヤネルでは正極性の+
VGSに応じてIDの流通を開始し、かつ、IDが増大するも
のとなり、ドレイン・ソース間がダイオード作用を呈す
るのに対し、Pチヤネルにおいては、負極性の−VGSに
応じてIDが同様に変化し、ドレイン・ソース間がダイオ
ード作用を呈するものとなつているため、TR・Q3、Q4と
してPチヤネルのものを用い、(B)の特性に基づきオ
ンとなる方向へバイアスを印加すればよいものとなる。
第3図および第4図は、第1図のTR・Q3、Q4に代え、
PチヤネルのTR・Q5、Q6用いた場合のREC1を示す回路図
であり、第3図においては、線間電圧がTR・Q1、Q2、
Q5、Q6の最大ゲート・ソース間電圧 を超えない条件となつており、TR・Q1、Q2の各ゲートを
直接、交流入力端子14、13へ接続する一方、TR・Q5、Q6
のドレイン・ソース間を正極端子11と交流入力端子13、
14との間へ、各々の電流が流通する方向として各個に挿
入すると共に、TR・Q5のゲートは交流入力端子14へ、TR
・Q6のゲートは同端子13へ各個に接続している。
PチヤネルのTR・Q5、Q6用いた場合のREC1を示す回路図
であり、第3図においては、線間電圧がTR・Q1、Q2、
Q5、Q6の最大ゲート・ソース間電圧 を超えない条件となつており、TR・Q1、Q2の各ゲートを
直接、交流入力端子14、13へ接続する一方、TR・Q5、Q6
のドレイン・ソース間を正極端子11と交流入力端子13、
14との間へ、各々の電流が流通する方向として各個に挿
入すると共に、TR・Q5のゲートは交流入力端子14へ、TR
・Q6のゲートは同端子13へ各個に接続している。
したがつて、交流入力端子13が正極性、同端子14が負
極性のとき、TR・Q5のゲートへ負極性の順方向バイアス
が印加されてオンになると共に、TR・Q2のゲートには正
極性の順方向バイアスが印加されてオンとなり、交流入
力端子13から正極端子11へ、更に、負極端子12から交流
入力端子14へ電流が通じ、交流入力端子14が正極性、同
端子13が負極性のときは、同様にTR・Q6、Q1がオンとな
り、交流入力端子14から正極端子11へ、更に、負極端子
12から交流入力端子13へ電流が通じ、第1図と同じく全
波整流を行なうことができると共に、TR・Q1、Q2、Q5、
Q6の電圧降下は各々が約0.1Vであり、全体の電圧降下を
約0.2Vとすることができる。
極性のとき、TR・Q5のゲートへ負極性の順方向バイアス
が印加されてオンになると共に、TR・Q2のゲートには正
極性の順方向バイアスが印加されてオンとなり、交流入
力端子13から正極端子11へ、更に、負極端子12から交流
入力端子14へ電流が通じ、交流入力端子14が正極性、同
端子13が負極性のときは、同様にTR・Q6、Q1がオンとな
り、交流入力端子14から正極端子11へ、更に、負極端子
12から交流入力端子13へ電流が通じ、第1図と同じく全
波整流を行なうことができると共に、TR・Q1、Q2、Q5、
Q6の電圧降下は各々が約0.1Vであり、全体の電圧降下を
約0.2Vとすることができる。
第4図は、第1図と同様にゲートへ印加する電圧を制
限しており、TR・Q5、Q6に対しても各々抵抗器R3、R4お
よび定電圧ダイオードZD3、ZD4を設けているほかは、第
1図および第3図と同様である。
限しており、TR・Q5、Q6に対しても各々抵抗器R3、R4お
よび定電圧ダイオードZD3、ZD4を設けているほかは、第
1図および第3図と同様である。
たヾし、定電圧ダイオードZD3、ZD4は、負極性の順方
向バイアスを制限するため、ゲード側をアノードとして
接続されている。
向バイアスを制限するため、ゲード側をアノードとして
接続されている。
なお、定電圧ダイオードZD1〜ZD4のツエナー電圧は、
TR・Q1、Q2、Q5、Q6が十分に飽和するオン状態となるV
GSに応じて設定すればよい。
TR・Q1、Q2、Q5、Q6が十分に飽和するオン状態となるV
GSに応じて設定すればよい。
また、現在のところ、Pチヤネルのエンハンスメント
形TRは入手が困難であり、実用上は第1図のものが好適
である。
形TRは入手が困難であり、実用上は第1図のものが好適
である。
たヾし、第1図のTR・Q3、Q4を一般のダイオードとし
てもよく、第3図または第4図において、TR・Q1、Q2を
同様にダイオードとすることもできる。
てもよく、第3図または第4図において、TR・Q1、Q2を
同様にダイオードとすることもできる。
また、加入者用電話機のみならず、公衆電話機等のダ
イオードブリツジを必要とする各種の電話機にも適用で
きると共に、電圧降下の少ない低損失の整流回路を要す
る各種の電子機器へ用いることも任意である等、種々の
変形が自在である。
イオードブリツジを必要とする各種の電話機にも適用で
きると共に、電圧降下の少ない低損失の整流回路を要す
る各種の電子機器へ用いることも任意である等、種々の
変形が自在である。
以上の説明により明らかなとおり本発明によれば、低
損失の整流回路が実現し、整流回路の電圧降下が少なく
入力電圧が低下しても十分な出力電圧を得られるため、
整流回路の出力側へ接続される回路の動作を確保でき
る。さらに、サージ入力電圧に対してもエンハンスメン
ト形トランジスタのドレイン・ソース逆耐電圧まで確実
に動作させることができるので、そのトランジスタ素子
を逆サージ電圧から保護できるものとなり、各種の電子
機器において顕著な効果を呈する。
損失の整流回路が実現し、整流回路の電圧降下が少なく
入力電圧が低下しても十分な出力電圧を得られるため、
整流回路の出力側へ接続される回路の動作を確保でき
る。さらに、サージ入力電圧に対してもエンハンスメン
ト形トランジスタのドレイン・ソース逆耐電圧まで確実
に動作させることができるので、そのトランジスタ素子
を逆サージ電圧から保護できるものとなり、各種の電子
機器において顕著な効果を呈する。
図は本発明の実施例を示し、第1図は電話機のブロツク
図、第2図はエンハンスメント形トランジスタの特性を
示す図、第3図および第4図は他の実施例を示す全波整
流回路の回路図である。 1……REC(全波整流回路)、11,12……直流出力端子、
13,14……交流入力端子、Q1〜Q6……TR(トランジス
タ)、R1〜R4……抵抗器、ZD1〜ZD4……定電圧ダイオー
ド。
図、第2図はエンハンスメント形トランジスタの特性を
示す図、第3図および第4図は他の実施例を示す全波整
流回路の回路図である。 1……REC(全波整流回路)、11,12……直流出力端子、
13,14……交流入力端子、Q1〜Q6……TR(トランジス
タ)、R1〜R4……抵抗器、ZD1〜ZD4……定電圧ダイオー
ド。
Claims (2)
- 【請求項1】第1の端子(13)と第2の端子(14)が電
話線に接続され、第3の端子(11)と第4の端子(12)
が電話機回路(TEL)に接続され、その電話機回路(TE
L)に一定極性の直流電圧を供給する電話機用電源回路
(REC)であって、 電話機用電源回路(REC)は、第1の端子(13)と第2
の端子(14)間に接続され、中点が第4の端子(12)に
接続された第1のアーム(A1)と、第1の端子(13)と
第2の端子(14)間に接続され、中点が第3の端子(1
1)に接続された第2のアーム(A2)とから構成され、 第1のアーム(A1)は、Nチャンネルで構成された第1
のエンハンストメントトランジスタ(Q1)およびNチャ
ンネルで構成された第2のエンハンストメントトランジ
スタ(Q2)からなり、第1のエンハンストメントトラン
ジスタ(Q1)は、ドレインが第1の端子(13)に接続さ
れ、ゲートが第1の抵抗(R1)を介して第2の端子(1
4)に接続され、ゲート・ソース間にカソードをゲート
側に接続した第1の電圧制限素子(ZD1)が接続され、
第2のエンハンストメントトランジスタ(Q2)は、ドレ
インが第2の端子(14)に接続され、ゲートが第2の抵
抗(R2)を介して第1の端子(13)に接続され、ゲート
・ソース間にカソードをゲート側に接続した第2の電圧
制限素子(ZD2)が接続され、第1のエンハンストメン
トトランジスタ(Q1)および第2のエンハンストメント
トランジスタのソースは、共通接続されて第1のアーム
(A1)の中点を形成し、 第2のアーム(A2)は、Nチャンネルで構成された第3
のエンハンストメントトランジスタ(Q3)およびNチャ
ンネルで構成された第4のエンハンストメントトランジ
スタ(Q4)からなり、第3のエンハンストメントトラン
ジスタ(Q3)は、ソースおよびゲートが第1の端子(1
3)に接続され、第4のエンハンストメントトランジス
タ(Q4)は、ソースおよびゲートが第2の端子(14)に
接続され、第3のエンハンストメントトランジスタ(Q
3)と第4のエンハンストメントトランジスタ(Q4)の
ドレインは、共通接続されて第2のアーム(A2)の中点
を形成する電話機用電源回路。 - 【請求項2】第1の端子(13)と第2の端子(14)が電
話線に接続され、第3の端子(11)と第4の端子(12)
が電話機回路(TEL)に接続され、その電話機回路(TE
L)に一定極性の直流電圧を供給する電話機用電源回路
(REC)であって、 電話機用電源回路(REC)は、第1の端子(13)と第2
の端子(14)間に接続され、中点が第4の端子(12)に
接続された第1のアーム(A1)と、第1の端子(13)と
第2の端子(14)間に接続され、中点が第3の端子(1
1)に接続された第2のアーム(A2)とから構成され、 第1のアーム(A1)は、Nチャンネルで構成された第1
のエンハンストメントトランジスタ(Q1)およびNチャ
ンネルで構成された第2のエンハンストメントトランジ
スタ(Q2)からなり、第1のエンハンストメントトラン
ジスタ(Q1)は、ドレインが第1の端子(13)に接続さ
れ、ゲートが第1の抵抗(R1)を介して第2の端子(1
4)に接続され、ゲート・ソース間にカソードをゲート
側に接続した第1の電圧制限素子(ZD1)が接続され、
第2のエンハンストメントトランジスタ(Q2)は、ドレ
インが第2の端子(14)に接続され、ゲートが第2の抵
抗(R2)を介して第1の端子(13)に接続され、ゲート
・ソース間にカソードをゲート側に接続した第2の電圧
制限素子(ZD2)が接続され、第1のエンハンストメン
トトランジスタ(Q1)および第2のエンハンストメント
トランジスタ(Q2)のソースは、共通接続されて第1の
アーム(A1)の中点を形成し、 第2のアーム(A2)は、Pチャンネルで構成された第3
のエンハンストメントトランジスタ(Q5)およびPチャ
ンネルで構成された第4のエンハンストメントトランジ
スタ(Q6)からなり、第3のエンハンストメントトラン
ジスタ(Q5)は、ドレインが第1の端子(13)に接続さ
れ、ゲートが第3抵抗(R3)を介して第2の端子(14)
に接続され、第4のエンハンストメントトランジスタ
(Q6)は、ドレインが第2の端子(14)に接続され、ゲ
ートが第4の抵抗(R4)を介して第1の端子(13)に接
続され、第3のエンハンストメントトランジスタ(Q5)
および第4のエンハンストメントトランジスタ(Q6)の
ソースは、共通接続されることによって第2のアーム
(A2)の中点を形成する電話機用電源回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61203645A JPH0828975B2 (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 電話機用電源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61203645A JPH0828975B2 (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 電話機用電源回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6364572A JPS6364572A (ja) | 1988-03-23 |
| JPH0828975B2 true JPH0828975B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=16477474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61203645A Expired - Fee Related JPH0828975B2 (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 電話機用電源回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828975B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
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| FR2756679B1 (fr) * | 1996-11-29 | 1999-02-12 | France Telecom | Dispositif de redressement de tension a composants integres |
| JP2007020308A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 極性反転整流回路 |
| JP2007020307A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 全波整流回路 |
| CN101405932B (zh) * | 2007-04-02 | 2011-06-01 | 上海凯路微电子有限公司 | 采用标准cmos晶体管实现高耐压的整流器 |
| JP2013255392A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Yoshikawa Rf Semicon Co Ltd | 全波整流回路 |
-
1986
- 1986-09-01 JP JP61203645A patent/JPH0828975B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6364572A (ja) | 1988-03-23 |
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