JPH082945B2 - 高分子半導体ないし導電体の製造方法 - Google Patents
高分子半導体ないし導電体の製造方法Info
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- JPH082945B2 JPH082945B2 JP62036387A JP3638787A JPH082945B2 JP H082945 B2 JPH082945 B2 JP H082945B2 JP 62036387 A JP62036387 A JP 62036387A JP 3638787 A JP3638787 A JP 3638787A JP H082945 B2 JPH082945 B2 JP H082945B2
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- film
- electrode
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- compound
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、有機高分子導電体ないしは半導体材料の製
造方法に関する。
造方法に関する。
従来技術 近年、電子材料の研究が盛んに行なわれており、その
中でも共役系高分子を用いた機能性高分子材料が多様な
可能性があるものとして注目されている。共役系重合体
は、通常不純物をドープすると錯体が形成されて、絶縁
体または半導体から金属に匹敵する電気伝導度を持つよ
うになることが知られており、その伝導機構は未だ解明
されていないが、機能性材料として期待され種々の材料
についての研究がなされている。
中でも共役系高分子を用いた機能性高分子材料が多様な
可能性があるものとして注目されている。共役系重合体
は、通常不純物をドープすると錯体が形成されて、絶縁
体または半導体から金属に匹敵する電気伝導度を持つよ
うになることが知られており、その伝導機構は未だ解明
されていないが、機能性材料として期待され種々の材料
についての研究がなされている。
従来研究が行なわれてきた重合体には、ポリパラフェ
ニレン系、ポリチオフェン系、ポリピロール系、ポリア
セチレン系（特開昭61-4165号、特開昭56-136469号、Jo
urnal of Polymer Sciense、Polymer Chemical Editio
n、第12巻、11〜20頁）などが挙げられる。
ニレン系、ポリチオフェン系、ポリピロール系、ポリア
セチレン系（特開昭61-4165号、特開昭56-136469号、Jo
urnal of Polymer Sciense、Polymer Chemical Editio
n、第12巻、11〜20頁）などが挙げられる。
また、下記の一般式（III）で示されるポリ芳香族ビ
ニレン化合物についても報告されており、例えば、特開
昭61-4165号公報においてポリフェニレンビニレンが、
また特開昭61-148231号公報においてポリチエニレンビ
ニレンおよびポリフラニレンビニレンが合成され、その
性質が報告されている。
ニレン化合物についても報告されており、例えば、特開
昭61-4165号公報においてポリフェニレンビニレンが、
また特開昭61-148231号公報においてポリチエニレンビ
ニレンおよびポリフラニレンビニレンが合成され、その
性質が報告されている。
Ar−CH＝CHn …（III） （Arは共役系を有する基を示す） これらの芳香族ビニレン化合物は、他の共役化合物と
同様に不純物のドーピングが可能であり、SO3等のガス
ドーピングもしくは電気化学的手法による電解質イオン
のドーピングにより、ｎ型、ｐ型の両方のドーピングが
行なえることが見出され、新しい電子材料として種々の
応用が期待されている。
同様に不純物のドーピングが可能であり、SO3等のガス
ドーピングもしくは電気化学的手法による電解質イオン
のドーピングにより、ｎ型、ｐ型の両方のドーピングが
行なえることが見出され、新しい電子材料として種々の
応用が期待されている。
しかしながら、これらの重合体の製造法は、いずれも
その前駆体として下記で表されるスルホニウム塩のポリ
マーを熱分解することによりポリ芳香族ビニレン化合物
とする方法であり、長い合成過程を必要とするものであ
った。
その前駆体として下記で表されるスルホニウム塩のポリ
マーを熱分解することによりポリ芳香族ビニレン化合物
とする方法であり、長い合成過程を必要とするものであ
った。
一方、ポリピロール系等の共役系重合体を製造する方
法の一つとして、電気化学的方法を応用した電解重合法
がある。この方法は、単量体と電解質とを溶解した液に
電流を通して、電極上に重合体を生成させる方法であ
り、実質的に一段階でしかもドーピング操作を２次的に
加えることなく導電性高分子が得られ、また、フィルム
状として得られる場合には、通電量を制御することによ
って薄膜を調整できるという特徴をもっている。そし
て、電解重合法により研究されてきた重合体の多くは、
陽極酸化法によって陽極表面に生成されたものであっ
た。
法の一つとして、電気化学的方法を応用した電解重合法
がある。この方法は、単量体と電解質とを溶解した液に
電流を通して、電極上に重合体を生成させる方法であ
り、実質的に一段階でしかもドーピング操作を２次的に
加えることなく導電性高分子が得られ、また、フィルム
状として得られる場合には、通電量を制御することによ
って薄膜を調整できるという特徴をもっている。そし
て、電解重合法により研究されてきた重合体の多くは、
陽極酸化法によって陽極表面に生成されたものであっ
た。
しかしながら、フェニレン、チエニレン、フラニレン
等の芳香族単位とビニレン基とが交互に結合したポリ芳
香族ビニレン化合物を陽極酸化による電解重合法で合成
することは困難であり、現段階では報告例が見られな
い。また、一部陰極還元法が試みられているが、還元に
より得られた重合体は電極表面上で電気伝導度が低く、
厚い膜として生長させることが困難であった。
等の芳香族単位とビニレン基とが交互に結合したポリ芳
香族ビニレン化合物を陽極酸化による電解重合法で合成
することは困難であり、現段階では報告例が見られな
い。また、一部陰極還元法が試みられているが、還元に
より得られた重合体は電極表面上で電気伝導度が低く、
厚い膜として生長させることが困難であった。
一方、上記のようなポリエン化合物に対して、ポリジ
アセチレンのような共役ポリイン化合物も、機能性高分
子材料として固相重合法、LB膜法（ラングミュア・ブロ
ジェット法）を中心に合成されている。しかしながら、
フェニレン基のような芳香族単位と−Ｃ≡Ｃ−基とが交
互に結合したポリインを主鎖に含む高分子化合物の合成
例は報告されていない。
アセチレンのような共役ポリイン化合物も、機能性高分
子材料として固相重合法、LB膜法（ラングミュア・ブロ
ジェット法）を中心に合成されている。しかしながら、
フェニレン基のような芳香族単位と−Ｃ≡Ｃ−基とが交
互に結合したポリインを主鎖に含む高分子化合物の合成
例は報告されていない。
本発明者らは、先に特許請求の範囲に示された一般式
（Ｉ）のハロゲン化物をモノマーとして用い、還元・重
合することにより、主鎖に二重結合または三重合結合を
含むポリエンまたはポリイン化合物を製造する方法を提
案した。
（Ｉ）のハロゲン化物をモノマーとして用い、還元・重
合することにより、主鎖に二重結合または三重合結合を
含むポリエンまたはポリイン化合物を製造する方法を提
案した。
発明の目的 本発明は、重合体中の残存ハロゲン量を抑えて還元法
により有機導電性ないし半導電体高分子を製造する方法
を提供するものである。
により有機導電性ないし半導電体高分子を製造する方法
を提供するものである。
発明の構成 本発明の高分子半導体ないし導電体組成物の製造方法
は、以下の一般式（Ｉ）で表される化合物を、カルボニ
ル金属錯体存在下に還元することを特徴とする。
は、以下の一般式（Ｉ）で表される化合物を、カルボニ
ル金属錯体存在下に還元することを特徴とする。
Z1−Ar−Z2 …（Ｉ） （式中、各記号は次のものを示す。
Ar:直鎖状芳香族化合物、縮合環式芳香族化合物等の
共役系を有する基 Z1，Z2：ハロゲン化メチル基） 以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
共役系を有する基 Z1，Z2：ハロゲン化メチル基） 以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
本発明において出発物質（単量体）として用いられる
化合物は、下記の一般式（Ｉ）で表される。
化合物は、下記の一般式（Ｉ）で表される。
Z1−Ar−Z2 …（Ｉ） Arとしては、例えば直鎖状芳香族化合物、縮合環式芳香
族化合物等の共役系を有する基が用いられる。
族化合物等の共役系を有する基が用いられる。
直鎖状芳香族化合物基としては、 が例示される。
また、縮合環芳香族化合物基としては、 が例示される。
Z1およびZ2は、ハロゲン化メチル基、例えば−CH2C
l、−CHCl2、 −CCl3、−CH2Br、−CHBr2、 −CBr3等であり、特にジハロゲン化メチル基またはトリ
ハロゲン化メチル基を用いると容易に重合体を厚膜状に
生成させることができる。またトリハロゲン化メチル基
を用いることにより、−Ｃ≡Ｃ−基を有するポリイン化
合物が得られる。
l、−CHCl2、 −CCl3、−CH2Br、−CHBr2、 −CBr3等であり、特にジハロゲン化メチル基またはトリ
ハロゲン化メチル基を用いると容易に重合体を厚膜状に
生成させることができる。またトリハロゲン化メチル基
を用いることにより、−Ｃ≡Ｃ−基を有するポリイン化
合物が得られる。
この単量体を還元して重合することにより、とりわけ
電気化学的に還元することにより、半導性ないし導電性
の重合体が得られる。
電気化学的に還元することにより、半導性ないし導電性
の重合体が得られる。
この電気化学的方法は、一般には例えば、J.Electroc
hem.Soc.,Vol.130,No.7,1506〜1509（1983）、Electroc
hem.Acta.,Vol.27,No.1,61〜65（1982）、J.Chem.Soc.,
Chem.Commun.,1199〜（1984）などに示されているが、
本発明においてはモノマーの還元と同時に還元性基の一
部が脱離することにより重合反応が進行する。本発明
は、モノマーと電解質とを溶媒に溶解した液を所定の電
解槽に入れ、電極を浸漬し、電界を印加することによっ
て実現され、重合体が陰極表面上に膜状物あるいは繊維
状物として得られる。膜状物の膜厚は通電電気量で制御
することができる。
hem.Soc.,Vol.130,No.7,1506〜1509（1983）、Electroc
hem.Acta.,Vol.27,No.1,61〜65（1982）、J.Chem.Soc.,
Chem.Commun.,1199〜（1984）などに示されているが、
本発明においてはモノマーの還元と同時に還元性基の一
部が脱離することにより重合反応が進行する。本発明
は、モノマーと電解質とを溶媒に溶解した液を所定の電
解槽に入れ、電極を浸漬し、電界を印加することによっ
て実現され、重合体が陰極表面上に膜状物あるいは繊維
状物として得られる。膜状物の膜厚は通電電気量で制御
することができる。
本発明では、この還元重合に際して、カルボニル金属
錯体を使用する。カルボニル金属錯体としては、Fe(CO)
5、Co(CO)8、 Cr(CO)6、Mo(CO)6、V(CO)6、 W(CO)6、Mn2(CO)6、Ni(CO)4、Pt(CO)4、あるいは有機化
合物の配位したC6H6Cr(CO)3等が挙げられるが、特に限
定されない。好ましくは、クロムまたはモリブデンのカ
ルボニル錯体が用いられる。カルボニル金属錯体の使用
量は、2mmol/l以上、特に好ましく５〜15mmol/l以上が
使用される。
錯体を使用する。カルボニル金属錯体としては、Fe(CO)
5、Co(CO)8、 Cr(CO)6、Mo(CO)6、V(CO)6、 W(CO)6、Mn2(CO)6、Ni(CO)4、Pt(CO)4、あるいは有機化
合物の配位したC6H6Cr(CO)3等が挙げられるが、特に限
定されない。好ましくは、クロムまたはモリブデンのカ
ルボニル錯体が用いられる。カルボニル金属錯体の使用
量は、2mmol/l以上、特に好ましく５〜15mmol/l以上が
使用される。
電解質塩としては、過塩素酸テトラメチルアンモニウ
ム、過塩素酸テトラエチルアンモニウム、過塩素酸テト
ラブチルアンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラメ
チルアンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラエチル
アンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアン
モニウム、過塩素酸リチウム、テトラフルオロホウ酸リ
チウム、ヘキサフルオロヒ素酸テトラメチルアンモニウ
ム、ヘキサフルオロヒ素酸テトラエチルアンモニウム、
ヘキサフルオロヒ素酸テトラブチルアンモニウム、ヘキ
サフルオロヒ素酸ナトリウム、ヘキサフルオロリン酸テ
トラメチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸テトラ
ブチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸ナトリウ
ム、硫酸、硫酸水素テトラメチルアンモニウム、硫酸水
素テトラブチルアンモニウム、トリフルオロ酢酸ナトリ
ウム、ｐ−トルエンスルホン酸テトラメチルアンモニウ
ム、ｐ−トルエンスルホン酸テトラブチルアンモニウム
などが挙げられる。特に、カチオンとしてテトラブチル
アンモニウム塩、アニオンとして四フッ化ホウ素または
六フッ化リンを組合せた場合に良好な結果が得られる。
ム、過塩素酸テトラエチルアンモニウム、過塩素酸テト
ラブチルアンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラメ
チルアンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラエチル
アンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアン
モニウム、過塩素酸リチウム、テトラフルオロホウ酸リ
チウム、ヘキサフルオロヒ素酸テトラメチルアンモニウ
ム、ヘキサフルオロヒ素酸テトラエチルアンモニウム、
ヘキサフルオロヒ素酸テトラブチルアンモニウム、ヘキ
サフルオロヒ素酸ナトリウム、ヘキサフルオロリン酸テ
トラメチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸テトラ
ブチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸ナトリウ
ム、硫酸、硫酸水素テトラメチルアンモニウム、硫酸水
素テトラブチルアンモニウム、トリフルオロ酢酸ナトリ
ウム、ｐ−トルエンスルホン酸テトラメチルアンモニウ
ム、ｐ−トルエンスルホン酸テトラブチルアンモニウム
などが挙げられる。特に、カチオンとしてテトラブチル
アンモニウム塩、アニオンとして四フッ化ホウ素または
六フッ化リンを組合せた場合に良好な結果が得られる。
溶媒としては、脱水、脱気等の精製処理を行なった極
性溶媒を使用することが好ましく、テトラヒドロフラ
ン、ヘキサメチルホルアミド、ジメトキシエタン、アセ
トニトリル、炭酸プロピレン、ニトロベンゼン、ベンゾ
ニトリル、塩化メチレン、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシドなどが用いられ、特に好ましくは、テ
トラヒドロフラン、ジメトキシエタンおよびプロピレン
カーボネートである。
性溶媒を使用することが好ましく、テトラヒドロフラ
ン、ヘキサメチルホルアミド、ジメトキシエタン、アセ
トニトリル、炭酸プロピレン、ニトロベンゼン、ベンゾ
ニトリル、塩化メチレン、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシドなどが用いられ、特に好ましくは、テ
トラヒドロフラン、ジメトキシエタンおよびプロピレン
カーボネートである。
電解重合時の電極を構成する電極材料としては銅、
銀、金、白金、ニッケル、亜鉛、スズ、アルミニウム等
の金属電極；グラッシーカーボン等の炭素電極;ITO等の
金属酸化電極などを用いることができる。−Ｃ＝−二重
結合を主骨格に有する重合体を合成する場合には、酸化
第二インジウム、酸化第二スズ等の金属酸化物をガラス
表面に蒸着したガラス電極を使用するのが骨格に有する
重合体を合成する場合には銅、白金電極が好ましい。反
応雰囲気としては、窒素、アルゴン等の不活性雰囲気下
で行なうことが好ましい。
銀、金、白金、ニッケル、亜鉛、スズ、アルミニウム等
の金属電極；グラッシーカーボン等の炭素電極;ITO等の
金属酸化電極などを用いることができる。−Ｃ＝−二重
結合を主骨格に有する重合体を合成する場合には、酸化
第二インジウム、酸化第二スズ等の金属酸化物をガラス
表面に蒸着したガラス電極を使用するのが骨格に有する
重合体を合成する場合には銅、白金電極が好ましい。反
応雰囲気としては、窒素、アルゴン等の不活性雰囲気下
で行なうことが好ましい。
電解法は、定電流電解法、定電位電解法、定電圧電解
法のいずれの方法を用いても進行するが、定電位電解法
が好ましく、Ag/Ag+の標準電極に対しては、−1V以下、
好ましくは−2V〜−10Vの電位を作用極にかけることが
好適である。
法のいずれの方法を用いても進行するが、定電位電解法
が好ましく、Ag/Ag+の標準電極に対しては、−1V以下、
好ましくは−2V〜−10Vの電位を作用極にかけることが
好適である。
得られる重合膜は、下記一般式（II）で示される主骨
格を有する。
格を有する。
（式中、各信号は次のものを示す。
Ar:共役系を有する化合物 X1，X2：水素またはハロゲン原子、あるいは−Ｃ≡Ｃ
−三重結合となるときは存在しない） Arの具体例については、既に単量体で説明したものと
同様である。ハロゲン原子は１つの繰返し単位に必ず所
定数結合しているのではなく、一般に繰返し単位により
結合数は異なる。
−三重結合となるときは存在しない） Arの具体例については、既に単量体で説明したものと
同様である。ハロゲン原子は１つの繰返し単位に必ず所
定数結合しているのではなく、一般に繰返し単位により
結合数は異なる。
重合度ｎは特に限定されないが、10以上が半導体とし
て好適であり、これは不溶不融の高分子である。
て好適であり、これは不溶不融の高分子である。
単量体としてモノハロゲン化メチル基またはジハロゲ
ン化メチル基を有するものを用いた場合には、下記（II
a）で表される単位を主骨格とする重合体が得られる。
ン化メチル基を有するものを用いた場合には、下記（II
a）で表される単位を主骨格とする重合体が得られる。
一方、単量体としてトリハロゲン化メチル基を有する
ものを用いた場合には、下記（IIb）で表される単位を
主鎖中に含む重合体が得られる。
ものを用いた場合には、下記（IIb）で表される単位を
主鎖中に含む重合体が得られる。
Ar−Ｃ≡Ｃn …（IIb） この場合には、重合条件を調整することにより、主鎖
中の単位（IIa）と（IIb）の比率を制御することができ
る。例えば同一単体を用いた場合でも、電解重合時の溶
媒としてテトラヒドロフランを用いたとき（IIa）で示
した単位を主骨格に有する重合体が得られ、また、溶媒
としてプロピレンカーボネートを用いることにより（II
b）で示したポリイン単位を主骨格に有する重合体が得
られる。
中の単位（IIa）と（IIb）の比率を制御することができ
る。例えば同一単体を用いた場合でも、電解重合時の溶
媒としてテトラヒドロフランを用いたとき（IIa）で示
した単位を主骨格に有する重合体が得られ、また、溶媒
としてプロピレンカーボネートを用いることにより（II
b）で示したポリイン単位を主骨格に有する重合体が得
られる。
本発明により得られる重合体は、成膜性に優れた安定
な膜として得ることができ、電気化学的に活性でドーパ
ントを可逆的に重合体中に安定化することができる。
な膜として得ることができ、電気化学的に活性でドーパ
ントを可逆的に重合体中に安定化することができる。
本発明により得られる重合体は、半導体ないし導電体
としての電気伝導を有し、また、ドーパントのドープ−
脱ドープにより光の吸収特性が可逆的に変化することか
ら、電極材料、電極シールド材料、エレクトロクロミッ
ク材料などの用途に用いることができる。
としての電気伝導を有し、また、ドーパントのドープ−
脱ドープにより光の吸収特性が可逆的に変化することか
ら、電極材料、電極シールド材料、エレクトロクロミッ
ク材料などの用途に用いることができる。
発明の効果 本発明によれば、共役系を有しハロゲン化メチル基で
置換された化合物をモノマーとして用いて還元重合する
ことにより、機能性高分子材料を得ることができ、しか
も、この重合をカルボニル金属錯体の存在下で行なうこ
とにより重合体中に含まれる残存ハロゲン量の少ない厚
膜が得らえる。
置換された化合物をモノマーとして用いて還元重合する
ことにより、機能性高分子材料を得ることができ、しか
も、この重合をカルボニル金属錯体の存在下で行なうこ
とにより重合体中に含まれる残存ハロゲン量の少ない厚
膜が得らえる。
実施例１ 作用極にITOガラス（１×2cm）、対極に白金、参照電
極としてAg/Ag+を使用した。脱水・脱気処理を施したテ
トラヒドロフラン10mlにα，α，α′，α′−テトラブ
ロモーｐ−キシレン0.2g、テトラフルオロホウ酸テトラ
ブチルアンモニウム0.33g、Mo(CO)626mgを溶解させた。
アルゴン雰囲気下に、−3.0V vs Ag/Ag+で６時間通電し
て重合を進行させると、陰極であるITOガラス表面上に
黄色の膜が形成された。次に±0V vs Ag/Ag+を膜に対し
て20分間印加し、アセトンで洗浄、乾燥すると、重量2.
72mg、膜厚22μｍの重合体フイルムが得られた。この状
態の膜の電気伝導度は１×10-9Ｓ・cm-1を示した。重合
体のIRスペクトルを第１図に示す。
極としてAg/Ag+を使用した。脱水・脱気処理を施したテ
トラヒドロフラン10mlにα，α，α′，α′−テトラブ
ロモーｐ−キシレン0.2g、テトラフルオロホウ酸テトラ
ブチルアンモニウム0.33g、Mo(CO)626mgを溶解させた。
アルゴン雰囲気下に、−3.0V vs Ag/Ag+で６時間通電し
て重合を進行させると、陰極であるITOガラス表面上に
黄色の膜が形成された。次に±0V vs Ag/Ag+を膜に対し
て20分間印加し、アセトンで洗浄、乾燥すると、重量2.
72mg、膜厚22μｍの重合体フイルムが得られた。この状
態の膜の電気伝導度は１×10-9Ｓ・cm-1を示した。重合
体のIRスペクトルを第１図に示す。
比較例として、Mo(CO)6を用いない他は同様な条件で
重合した膜のIRスペクトルを第２図に示す。Ｃ−Brの伸
縮振動である 620cm-1付近の吸収がMo(CO)6添加により小さくなること
が良く判る。
重合した膜のIRスペクトルを第２図に示す。Ｃ−Brの伸
縮振動である 620cm-1付近の吸収がMo(CO)6添加により小さくなること
が良く判る。
元素分析を行なったところ、下記に示すように同様の
結果が得られた。
結果が得られた。
元素分析値（Br） 実施例１ Br:21.08％ 比較例 Br:43.35％ 実施例２ 実施例１においてMo(CO)6の代わりにCr(CO)622mgを用
いた他は同様な操作を行なった。重量1.61mg、膜厚24μ
ｍの重合膜が得られた。
いた他は同様な操作を行なった。重量1.61mg、膜厚24μ
ｍの重合膜が得られた。
実施例３ 実施例１においてMo(CO)6の代わりにC6H6Cr(CO)321mg
を用いた他は同様な操作を行なった。重量0.82mg、膜厚
23μｍの重合体膜が得られた。重合膜のIRスペクトルを
第３図に示す。
を用いた他は同様な操作を行なった。重量0.82mg、膜厚
23μｍの重合体膜が得られた。重合膜のIRスペクトルを
第３図に示す。
実施例４ 実施例１においてMo(CO)6の代わりにFe(CO)520mgを用
いた他は同様な操作を行なった。重量1.68mgの重合膜が
得られた。
いた他は同様な操作を行なった。重量1.68mgの重合膜が
得られた。
実施例５ 実施例１においてMo(CO)6の代わりにCo2(CO)834mgを
用いた他は同様な操作を行なった。重量0.41mgの重合膜
が得られた。
用いた他は同様な操作を行なった。重量0.41mgの重合膜
が得られた。
第１図、および第３図は本発明により得られた重合膜の
IRスペクトルである。 第２図は、比較例の重合膜についてのIRスペクトルであ
る。
IRスペクトルである。 第２図は、比較例の重合膜についてのIRスペクトルであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−125520（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−199726（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−225622（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】一般式（Ｉ） Z1−Ar−Z2 …（Ｉ） （式中、各記号は次のものを示す。 Ar:直鎖状芳香族化合物、縮合環式芳香族化合物等の共
役系を有する基 Z1，Z2：ハロゲン化メチル基） で表わされる化合物を、カルボニル金属錯体の存在下に
還元することを特徴とする高分子半導体ないし導電体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62036387A JPH082945B2 (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 高分子半導体ないし導電体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62036387A JPH082945B2 (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 高分子半導体ないし導電体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63202625A JPS63202625A (ja) | 1988-08-22 |
| JPH082945B2 true JPH082945B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=12468440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62036387A Expired - Fee Related JPH082945B2 (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 高分子半導体ないし導電体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH082945B2 (ja) |
-
1987
- 1987-02-19 JP JP62036387A patent/JPH082945B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63202625A (ja) | 1988-08-22 |
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