JPH0829492B2 - ウェーハ研磨用キャリアプレートの製造方法 - Google Patents

ウェーハ研磨用キャリアプレートの製造方法

Info

Publication number
JPH0829492B2
JPH0829492B2 JP61085262A JP8526286A JPH0829492B2 JP H0829492 B2 JPH0829492 B2 JP H0829492B2 JP 61085262 A JP61085262 A JP 61085262A JP 8526286 A JP8526286 A JP 8526286A JP H0829492 B2 JPH0829492 B2 JP H0829492B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carrier plate
main surface
polishing
hole
wafer polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP61085262A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62241658A (ja
Inventor
幸雄 堤
敬一 石井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Silicon Corp, Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Silicon Corp
Priority to JP61085262A priority Critical patent/JPH0829492B2/ja
Publication of JPS62241658A publication Critical patent/JPS62241658A/ja
Publication of JPH0829492B2 publication Critical patent/JPH0829492B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、半導体ウェーハの表面を研磨する際に用
いられるウェーハ研磨用キャリアプレートの製造方法に
関するものである。
[従来の技術] 一般に、半導体ウェーハの表面を鏡面仕上げする場合
には、複数の半導体ウェーハをキャリアプレートの一主
面に固定して行うようにしている。
第3図は、従来のこの種のキャリアプレートが用いら
れている研磨装置の一例を示す図である。
この研磨装置は、軸線を中心として回転せしめられる
回転ラップ板1と、この回転ラップ板1の上方に、周方
向へ等間隔をもって離間するとともに、上下方向へ移動
自在かつ回転自在に設けられた複数の押えプレート2
(図では1つのみ示す)から構成されたものであって、
一主面に複数の半導体ウェーハ3…が固定されたキャリ
アプレート4を、半導体ウェーハ3…が下側になるよう
にして回転ラップ板1の上面に複数載置し、このキャリ
アプレート4を押えプレート2によって回転テーブル1
に押圧した状態で回転テーブル1を回転させることによ
り、半導体ウェーハ3の表面を研磨するように構成され
たものである。
ここで、キャリアプレート4は、第4図に示すよう
に、セラミックスからなる円板状のものであって、その
両面は研磨によって平坦な面とされている。そして、キ
ャリアプレート4の一主面には、その周方向へほぼ等間
隔をもって離間した複数の半導体ウェーハ3…がワック
スによって貼着されており、これがキャリアプレート4
の下面により回転ラップ板1の上面に押圧され、鏡面仕
上げがなされるようになっている。
[発明が解決しようとする問題点] ところで、半導体ウェーハの平面度は、極めて高い精
度が要求され、しかもこの精度は半導体ウェーハの表面
をいかに均一に回転ラップ板に押圧するかで決定され
る。したがって、半導体ウェーハを高精度に鏡面仕上げ
するためには、キャリアプレートの両面を高精度な平面
度で仕上げなければならない。ところが、上記のような
キャリアプレートでは、その両面を充分な平面度に仕上
げることができず、このため高精度の鏡面仕上げをする
ことができないという問題点があった。
すなわち、上記のようなキャリアプレートを製造する
場合には、キャリアプレートの両面をラップ盤等の研磨
装置を用いて研磨し、所定の平面度を得るようにしてい
る。この場合においてキャリアプレートの一主面は、キ
ャリアプレートと研磨装置のラップ盤とを相対移動させ
ることによって、両者の隙間に介在させた研磨剤により
研磨される。そして、研磨剤はキャリアプレートとラッ
プ盤との隙間に常に供給され、これによって研磨によっ
て発生する切り粉等が洗い流されるようになっている。
ところが、キャリアプレートとラップ盤との間には僅か
な隙間しかないので、研磨剤がキャリアプレートの中央
部に充分供給されない。このため、キャリアプレートの
中央部には、切り粉等が洗い流されることなく留どま
り、その部分の研磨量が外周部に比して少なくなり、必
要な平面度を得ることができないのである。
[発明の目的] この発明は、上記従来のキャリアプレートが有するこ
のような問題点を解決するためになされたもので、キャ
リアプレートの一主面を充分な平面度に仕上げることが
でき、したがって、したがって、高精度の鏡面仕上げを
行うことができるウェーハ研磨用キャリアプレートの製
造方法を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段] この発明は、上記目的を達成するものであって、セラ
ミックスからなる円板状のキャリアプレート本体の中央
部に、研磨剤を出し入れできる貫通孔を形成し、次い
で、該キャリアプレート本体の一主面にラッピング加工
を施し、該キャリアプレート本体の一主面の平面度を向
上させる構成としたものである。
[作用] 上記構成のウェーハ研磨用キャリアプレートの製造方
法にあっては、セラミックスからなる円板状のキャリア
プレート本体の中央部に、研磨剤を出し入れできる貫通
孔を形成し、次いで、該キャリアプレート本体の一主面
にラッピング加工を施すことにより、キャリアプレート
本体の一主面を研磨する際に、貫通孔の近傍に存在する
切り粉等が貫通孔内に流し出され、研磨剤がキャリアプ
レート本体の一主面全域に供給される。これによって、
キャリアプレート本体の一主面が平坦な面に高精度で研
磨され、この一主面の平面度が向上する。
[実施例] 以下、この発明の一実施例について第1図および第2
図を参照して説明する。
第1図および第2図は本実施例の製造方法により得ら
れたウェーハ研磨用キャリアプレート(以下、キャリア
プレートと称する)を示す図である。これらの図におい
て符号5はキャリアプレート本体である。
キャリアプレート本体5は、直径が320〜450mmとされ
た円板状をなすものであって、セラミックスにより構成
されている。このキャリアプレート本体5には、その両
面中央部に開口する貫通孔6が形成されている。貫通孔
6は、断面形状が円形のものであって、その直径が20〜
50mmとされたものである。
このようなキャリアプレートを製造するにおいては、
キャリアプレート本体5の中央部に貫通孔6を形成して
いるので、その一主面を研磨する際に、貫通孔6の近傍
に存在する切り粉等が貫通孔6内に流し出され、研磨剤
がキャリアプレート本体5の一主面全域に供給される。
これによって、キャリアプレート本体5の一主面が平坦
な面に高精度で研磨されるので、高精度な平面度を得る
ことができる。したがって、このようなキャリアプレー
トを用いて半導体ウェーハの鏡面仕上げを行う場合に
は、半導体ウェーハの表面が均一に回転ラップ板に押圧
されるので、この鏡面仕上げを高い精度で行うことがで
きる。
また、キャリアプレートの一主面に半導体ウェーハを
貼着する場合には、ワックスを迅速に固化するためにキ
ャリアプレートを約150℃まで急速に加熱し、その後急
冷するため、キャリアプレートが急激に膨張し、その後
収縮する。しかしながら、上記キャリアプレートにおい
ては、キャリアプレート本体5の中央部に貫通孔6を形
成しているので、上記膨張及び収縮に伴う体積変化によ
る歪が小さく、したがってキャリアプレートの変形や割
れの発生を未然に防止することができる。
また、第3図に示す押えプレート2の中央部に上記貫
通孔6に嵌合する案内ピンを設ければ、キャリアプレー
トの位置決めを簡単に行うことができ、さらに、貫通孔
6に指を掛けることにより回転ラップ板1への載置や取
出しを行うことができるので、その作業を簡単にするこ
とができる。
なお、貫通孔6の内壁部に持ち運びの際に指を掛ける
ための凹部を形成してもよい。
[発明の効果] 以上説明したように、この発明のウェーハ研磨用キャ
リアプレートの製造方法によれば、セラミックスからな
る円板状のキャリアプレート本体の中央部に、研磨剤を
出し入れできる貫通孔を形成し、次いで、該キャリアプ
レート本体の一主面にラッピング加工を施し、該キャリ
アプレート本体の一主面の平面度を向上させるので、キ
ャリアプレートを研磨する際に、貫通孔の近傍に存在す
る切り粉等が貫通孔内に流し出され、研磨剤がキャリア
プレート本体の一主面全域に供給される。これによっ
て、キャリアプレート本体の一主面が平坦な面に高精度
で研磨され、この一主面の平面度を向上させることがで
きる。したがって、この製造方法により得られたキャリ
アプレートを用いて半導体ウェーハを研磨すれば、この
半導体ウェーハの表面が均一に回転ラップ板に押圧され
るので、その鏡面仕上げを高精度で行うことができると
いう効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図はこの発明の一実施例のウェーハ研
磨用キャリアプレートの製造方法により得られたウェー
ハ研磨用キャリアプレートを示す図であって、第1図は
ウェーハ研磨用キャリアプレートを示す平面図、第2図
は第1図のII−II線視断面図、第3図は従来のキャリア
プレートが用いられている研磨装置を示す側面図、第4
図は従来のキャリアプレートの一例を示す平面図であ
る。 5……キャリアプレート本体 6……貫通孔。
フロントページの続き (72)発明者 石井 敬一 千葉県野田市西ヶ尾金打314 日本シリコ ン株式会社野田工場内 (56)参考文献 特開 昭52−149696(JP,A) 特公 昭53−11432(JP,B2)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】セラミックスからなる円板状のキャリアプ
    レート本体の中央部に、研磨剤を出し入れできる貫通孔
    を形成し、次いで、該キャリアプレート本体の一主面に
    ラッピング加工を施し、該キャリアプレート本体の一主
    面の平面度を向上させることを特徴とするウェーハ研磨
    用キャリアプレートの製造方法。
JP61085262A 1986-04-14 1986-04-14 ウェーハ研磨用キャリアプレートの製造方法 Expired - Fee Related JPH0829492B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61085262A JPH0829492B2 (ja) 1986-04-14 1986-04-14 ウェーハ研磨用キャリアプレートの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61085262A JPH0829492B2 (ja) 1986-04-14 1986-04-14 ウェーハ研磨用キャリアプレートの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62241658A JPS62241658A (ja) 1987-10-22
JPH0829492B2 true JPH0829492B2 (ja) 1996-03-27

Family

ID=13853661

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61085262A Expired - Fee Related JPH0829492B2 (ja) 1986-04-14 1986-04-14 ウェーハ研磨用キャリアプレートの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0829492B2 (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5311432A (en) * 1976-07-19 1978-02-01 Hitachi Ltd Automotive fuel consumption rate indicator

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62241658A (ja) 1987-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5191738A (en) Method of polishing semiconductor wafer
TWI824024B (zh) 矩形基板的磨削方法
JP2016203342A (ja) ツルーアーの製造方法および半導体ウェーハの製造方法、ならびに半導体ウェーハの面取り加工装置
JP3493208B2 (ja) 平坦な主面を持つ板の製造方法および、平行な二つの主面を持つ板の製造方法
US2722089A (en) Method of and apparatus for lapping articles
JP6494377B2 (ja) ワーク加工装置
US3562965A (en) Method and apparatus for preparing a plurality of disc-shaped semiconductor crystals for simultaneous working by a tool
JPS62264858A (ja) 平面研削方法
JPS6365473B2 (ja)
EP0403287A2 (en) Method of polishing semiconductor wafer
JPH02159722A (ja) ウエーハ研磨装置
JPS62241658A (ja) ウエ−ハ研磨用キヤリアプレ−ト
JPH08107093A (ja) 半導体基板の加工方法
JPS6319309B2 (ja)
JP2645736B2 (ja) 鏡面仕上装置
JPH06198560A (ja) 耐熱ガラス定盤
JPH0523959A (ja) ワークエツジの鏡面研磨方法及び装置
JPH05318294A (ja) Siウエハの研削方法
JPH04201178A (ja) ポリッシング装置とそのポリッシング方法
JPS6274567A (ja) セラミツクス板の研摩加工方法
JP2604089Y2 (ja) 研削盤
WO2025134503A1 (ja) 両面研磨装置用キャリアプレートの製造方法、ワークの両面研磨方法、及び両面研磨装置用キャリアプレート
JP3002091B2 (ja) 光学素子成形型の製作方法
JPH0425363A (ja) ガラス部品の斜面加工方法
JPH04129669A (ja) ウェーハの超精密研磨方法及び研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees