JPH0830949A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0830949A JPH0830949A JP15830694A JP15830694A JPH0830949A JP H0830949 A JPH0830949 A JP H0830949A JP 15830694 A JP15830694 A JP 15830694A JP 15830694 A JP15830694 A JP 15830694A JP H0830949 A JPH0830949 A JP H0830949A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- recording medium
- magnetic recording
- coercive force
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はガラス基板を用いた磁気記録媒体に
おいて保磁力を高め、ノイズを低減し、高密度記録に適
する磁気記録媒体を提供する。 【構成】 ガラス基板上にCr等の下地膜と磁性膜と保
護膜を順次積層させてなる磁気記録媒体において、ガラ
ス基板と下地膜の間に下地膜の微細構造を制御するCr
からなる金属中間膜を設ける。
おいて保磁力を高め、ノイズを低減し、高密度記録に適
する磁気記録媒体を提供する。 【構成】 ガラス基板上にCr等の下地膜と磁性膜と保
護膜を順次積層させてなる磁気記録媒体において、ガラ
ス基板と下地膜の間に下地膜の微細構造を制御するCr
からなる金属中間膜を設ける。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、情報を記録する磁気デ
ィスク装置に用いられる磁気記録媒体に関し、詳しくは
磁性層下に改良された下地層を有し、ガラス基板上にC
oNiCrを積層して高保磁力を得られるようにしたも
のである。
ィスク装置に用いられる磁気記録媒体に関し、詳しくは
磁性層下に改良された下地層を有し、ガラス基板上にC
oNiCrを積層して高保磁力を得られるようにしたも
のである。
【0002】
【従来の技術】非磁性基板上に、スパッタ法等の方法で
Cr,W,Moまたはこれらを主成分とする合金膜を下
地膜として形成し、該下地膜上にCo−Cr−Ta、C
o−Ni−Cr、Co−Cr−Pt等の合金膜を形成し
た磁気記録媒体が、高密度記録可能な磁気記録媒体とし
て現在用いられている。コンピューター用磁気ディスク
装置では、近年その大容量化が強く求められているが、
大容量化を図るためには磁気記録媒体における記録密度
を高めることが必要である。記録密度を高めるために
は、磁気ヘッドの低浮上量化を可能とするために平滑な
表面を有する基板、および磁気記録媒体の高保磁力化、
低ノイズ化が求められている。ところで、従来磁気記録
媒体用基板としてはNiPメッキを施したアルミ基板が
用いられているが、近年、磁気ディスク用基板としてガ
ラス基板が注目されている。ガラス基板は、その表面の
平滑性が優れ、硬く、変形抵抗が大きく、かつ表面欠陥
が少ないことから、高密度磁気ディスク用基板として注
目されている(例えば、特開昭49−122707号、
特開昭52−18002号)。磁気記録媒体の構成は、
NiPメッキを施したアルミ基板を用いた場合にはCr
等の下地膜上にCoCrTa,CoNiPt,CoCr
Pt,CoNiCr等の磁性膜、C,SiO2等の保護
膜が順次積層されている。ガラス基板を用いた場合アル
ミ基板と同様にガラス基板上に直接下地膜を成膜し、磁
性膜、保護膜を順次積層した場合には、アルミ基板を用
いた場合に比べ保磁力が低くなり、同等の保磁力を得る
ためには下地膜の膜厚を厚くしなければならない。そこ
で、特開平2−29923号公報にはガラス基板と下地
膜の間に、ガラス基板から放出されるガスを封じ込めう
る非磁性中間膜を設けて磁気特性を改善したものが開示
されている。
Cr,W,Moまたはこれらを主成分とする合金膜を下
地膜として形成し、該下地膜上にCo−Cr−Ta、C
o−Ni−Cr、Co−Cr−Pt等の合金膜を形成し
た磁気記録媒体が、高密度記録可能な磁気記録媒体とし
て現在用いられている。コンピューター用磁気ディスク
装置では、近年その大容量化が強く求められているが、
大容量化を図るためには磁気記録媒体における記録密度
を高めることが必要である。記録密度を高めるために
は、磁気ヘッドの低浮上量化を可能とするために平滑な
表面を有する基板、および磁気記録媒体の高保磁力化、
低ノイズ化が求められている。ところで、従来磁気記録
媒体用基板としてはNiPメッキを施したアルミ基板が
用いられているが、近年、磁気ディスク用基板としてガ
ラス基板が注目されている。ガラス基板は、その表面の
平滑性が優れ、硬く、変形抵抗が大きく、かつ表面欠陥
が少ないことから、高密度磁気ディスク用基板として注
目されている(例えば、特開昭49−122707号、
特開昭52−18002号)。磁気記録媒体の構成は、
NiPメッキを施したアルミ基板を用いた場合にはCr
等の下地膜上にCoCrTa,CoNiPt,CoCr
Pt,CoNiCr等の磁性膜、C,SiO2等の保護
膜が順次積層されている。ガラス基板を用いた場合アル
ミ基板と同様にガラス基板上に直接下地膜を成膜し、磁
性膜、保護膜を順次積層した場合には、アルミ基板を用
いた場合に比べ保磁力が低くなり、同等の保磁力を得る
ためには下地膜の膜厚を厚くしなければならない。そこ
で、特開平2−29923号公報にはガラス基板と下地
膜の間に、ガラス基板から放出されるガスを封じ込めう
る非磁性中間膜を設けて磁気特性を改善したものが開示
されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術に開示される磁気記録媒体では、下地層の膜厚
を厚くすることなく磁性層の保磁力を大きくできるとい
う利点を有するが、得られる保磁力は前記の公報に開示
されているように1100Oe〜1390Oe程度であ
り、高保磁力を要求される磁気記録媒体としては必ずし
も要求を満たすものではないという問題があった。そこ
で本発明は、ガラス基板を用いた磁気記録媒体のCoN
iCr合金磁性膜の組成及び磁気特性、記録再生特性を
検討し、保磁力を高め、ノイズを低減し、高密度記録に
適する磁気記録媒体を提供することを目的とする。
従来技術に開示される磁気記録媒体では、下地層の膜厚
を厚くすることなく磁性層の保磁力を大きくできるとい
う利点を有するが、得られる保磁力は前記の公報に開示
されているように1100Oe〜1390Oe程度であ
り、高保磁力を要求される磁気記録媒体としては必ずし
も要求を満たすものではないという問題があった。そこ
で本発明は、ガラス基板を用いた磁気記録媒体のCoN
iCr合金磁性膜の組成及び磁気特性、記録再生特性を
検討し、保磁力を高め、ノイズを低減し、高密度記録に
適する磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】発明者らは、ガラス基板
を用い、CoNiCr磁性膜合金の組成、及び作製条件
を磁気特性、記録再生特性向上のために鋭意研究し、本
発明をするに至った。本発明は、ガラス基板上とCr等
の下地膜の間に下地膜の微細構造を制御するCrからな
る金属中間膜をもうけた磁気記録媒体において、磁性膜
を7at%以上12at%以下のCr、18at%以上
28at%以下のNi、残部Co及び不可避的不純物か
らなることを特徴とする磁気記録媒体である。Crから
なる金属中間膜を設けた理由は次のとおりである。磁性
膜の磁気特性、記録再生特性は、磁性膜の結晶粒径、配
向等の微細構造に依存する。そして、磁性膜の結晶成長
は下地膜の結晶成長により変化する。したがって、磁気
特性、記録再生特性の優れた磁性膜を作製するために
は、下地膜の結晶組織を良くしなければならない。ガラ
ス基板にCrからなる金属中間膜を設けると、基板加熱
時にCr中間膜を設けない場合に比べ基板温度が上昇す
る。また、Cr中間膜を設けた場合には、Cr下地膜と
同じ材料を用いているためガラス表面に直接Cr下地膜
を成膜するよりも均一な結晶成長を行わせることが可能
となる。以上のようにCr中間膜を用いることにより、
その上に順次積層されるに際して下地膜、磁性膜の結晶
成長に影響を及ぼし、磁性膜の微細構造を制御すること
が可能となり、磁性膜の保磁力を高め、かつノイズを小
さくすることができる。さらに上記磁気記録媒体におい
て、高密度記録に適した磁気記録媒体を得る上でCr下
地膜が好都合に結晶成長するためには、上記Cr金属中
間膜の膜厚は50A以上500オングストローム以下で
あることが望ましい。金属中間膜の膜厚が50オングス
トロームより薄いと下地膜および磁性膜の結晶成長を制
御することが困難になり、また500オングストローム
より厚いと下地層の結晶粒径が大きくなり好ましくな
い。磁性膜の組成を上記組成にした理由は次のとおりで
ある。Crは合金の保磁力を高める効果があるので7a
t%〜12at%含有する。Cr7at%未満では高い
保磁力が得られない。一方、Crが12at%を越える
とBrが減少し出力が低下する。保磁力およびノイズは
Ni濃度にも依存し、高保磁力かつ低ノイズの媒体を得
るために18at%〜28at%含有させる。18at
%未満では高い保磁力が得られず、またノイズも大き
い。また、28at%以上においても保磁力が低下して
しまう。さらに上記磁気記録媒体において、磁性膜合金
の平均結晶粒径は200オングストロームから350オ
ングストロームであることが好ましい。磁性膜合金の平
均結晶粒径が200オングストローム未満では保磁力が
小さくなる傾向があり、350オングストロームを越え
ると磁性膜のノイズが大きくなり、S/Nが低下し、高
密度記録に適さなくなるからである。
を用い、CoNiCr磁性膜合金の組成、及び作製条件
を磁気特性、記録再生特性向上のために鋭意研究し、本
発明をするに至った。本発明は、ガラス基板上とCr等
の下地膜の間に下地膜の微細構造を制御するCrからな
る金属中間膜をもうけた磁気記録媒体において、磁性膜
を7at%以上12at%以下のCr、18at%以上
28at%以下のNi、残部Co及び不可避的不純物か
らなることを特徴とする磁気記録媒体である。Crから
なる金属中間膜を設けた理由は次のとおりである。磁性
膜の磁気特性、記録再生特性は、磁性膜の結晶粒径、配
向等の微細構造に依存する。そして、磁性膜の結晶成長
は下地膜の結晶成長により変化する。したがって、磁気
特性、記録再生特性の優れた磁性膜を作製するために
は、下地膜の結晶組織を良くしなければならない。ガラ
ス基板にCrからなる金属中間膜を設けると、基板加熱
時にCr中間膜を設けない場合に比べ基板温度が上昇す
る。また、Cr中間膜を設けた場合には、Cr下地膜と
同じ材料を用いているためガラス表面に直接Cr下地膜
を成膜するよりも均一な結晶成長を行わせることが可能
となる。以上のようにCr中間膜を用いることにより、
その上に順次積層されるに際して下地膜、磁性膜の結晶
成長に影響を及ぼし、磁性膜の微細構造を制御すること
が可能となり、磁性膜の保磁力を高め、かつノイズを小
さくすることができる。さらに上記磁気記録媒体におい
て、高密度記録に適した磁気記録媒体を得る上でCr下
地膜が好都合に結晶成長するためには、上記Cr金属中
間膜の膜厚は50A以上500オングストローム以下で
あることが望ましい。金属中間膜の膜厚が50オングス
トロームより薄いと下地膜および磁性膜の結晶成長を制
御することが困難になり、また500オングストローム
より厚いと下地層の結晶粒径が大きくなり好ましくな
い。磁性膜の組成を上記組成にした理由は次のとおりで
ある。Crは合金の保磁力を高める効果があるので7a
t%〜12at%含有する。Cr7at%未満では高い
保磁力が得られない。一方、Crが12at%を越える
とBrが減少し出力が低下する。保磁力およびノイズは
Ni濃度にも依存し、高保磁力かつ低ノイズの媒体を得
るために18at%〜28at%含有させる。18at
%未満では高い保磁力が得られず、またノイズも大き
い。また、28at%以上においても保磁力が低下して
しまう。さらに上記磁気記録媒体において、磁性膜合金
の平均結晶粒径は200オングストロームから350オ
ングストロームであることが好ましい。磁性膜合金の平
均結晶粒径が200オングストローム未満では保磁力が
小さくなる傾向があり、350オングストロームを越え
ると磁性膜のノイズが大きくなり、S/Nが低下し、高
密度記録に適さなくなるからである。
【0005】
【作用】本発明にかかるCrからなる金属中間膜は、そ
の上に順次積層される下地膜および磁性膜が形成される
に際して結晶成長に影響を及ぼし、磁性膜の保磁力を高
め、かつノイズが小さくなる。また、磁性膜の組成を7
at%以上12at%以下のCr、18at%以上28
at%以下のNi、残部Co及び不可避的不純物とする
ことにより、高保磁力でかつノイズの小さな磁気記録媒
体を得ることが出来る。
の上に順次積層される下地膜および磁性膜が形成される
に際して結晶成長に影響を及ぼし、磁性膜の保磁力を高
め、かつノイズが小さくなる。また、磁性膜の組成を7
at%以上12at%以下のCr、18at%以上28
at%以下のNi、残部Co及び不可避的不純物とする
ことにより、高保磁力でかつノイズの小さな磁気記録媒
体を得ることが出来る。
【0006】
【実施例】以下、添付図面を参照しつつ、本発明の好ま
しい実施例による磁気記録媒体について説明する。図1
は本発明の一実施例となる磁気記録媒体の断面図を示し
たものである。図において11は化学強化ガラス、結晶
化ガラス等のガラス基板、12は前記基板上に形成され
た厚さ50オングストローム以上500オングストロー
ム以下のCrからなる金属中間膜、13はCr膜等の下
地膜、14はCoNiCrからなる磁性膜、15はC,
SiO2,ZrO2等からなる保護膜、16は潤滑膜で
ある。図2は比較例の磁気記録媒体の一部断面図で、2
1は化学強化ガラス、結晶化ガラス等のガラス基板、2
2はCr膜等の下地膜、23はCoNiCrからなる磁
性膜、24はC,SiO2,ZrO2等からなる保護膜、
25は潤滑膜である。
しい実施例による磁気記録媒体について説明する。図1
は本発明の一実施例となる磁気記録媒体の断面図を示し
たものである。図において11は化学強化ガラス、結晶
化ガラス等のガラス基板、12は前記基板上に形成され
た厚さ50オングストローム以上500オングストロー
ム以下のCrからなる金属中間膜、13はCr膜等の下
地膜、14はCoNiCrからなる磁性膜、15はC,
SiO2,ZrO2等からなる保護膜、16は潤滑膜で
ある。図2は比較例の磁気記録媒体の一部断面図で、2
1は化学強化ガラス、結晶化ガラス等のガラス基板、2
2はCr膜等の下地膜、23はCoNiCrからなる磁
性膜、24はC,SiO2,ZrO2等からなる保護膜、
25は潤滑膜である。
【0007】(実施例1)外径65mm、内径20m
m、厚さ0.635mmのガラス基板を洗浄後、DCマ
グネトロンスパッタ装置を用い、1×10-6Torr以
下に排気後ガラス基板を300℃において10分間加熱
した後、Arガスを導入し、放電時のガス圧を10mT
orrに保持し、投入電力2kW,成膜速度を750オ
ングストローム/分の条件でCr中間膜の膜厚を30オ
ングストローム,50オングストローム,100オング
ストローム,300オングストローム,500オングス
トローム,700オングストローム,1000オングス
トロームと膜厚を変化させてガラス基板上に成膜した。
次にCr中間膜を成膜した基板をそれぞれDCマグネト
ロンスパッタ装置を用い、1×10-6Torr以下に排
気後基板を300℃において10分間加熱後、Arガス
を導入し、放電時のガス圧を10mTorrに保持し、
Cr下地膜を500オングストローム、Co67Ni2
2Cr11磁性膜を500オングストローム、保護膜2
50オングストロームを連続的に成膜した。
m、厚さ0.635mmのガラス基板を洗浄後、DCマ
グネトロンスパッタ装置を用い、1×10-6Torr以
下に排気後ガラス基板を300℃において10分間加熱
した後、Arガスを導入し、放電時のガス圧を10mT
orrに保持し、投入電力2kW,成膜速度を750オ
ングストローム/分の条件でCr中間膜の膜厚を30オ
ングストローム,50オングストローム,100オング
ストローム,300オングストローム,500オングス
トローム,700オングストローム,1000オングス
トロームと膜厚を変化させてガラス基板上に成膜した。
次にCr中間膜を成膜した基板をそれぞれDCマグネト
ロンスパッタ装置を用い、1×10-6Torr以下に排
気後基板を300℃において10分間加熱後、Arガス
を導入し、放電時のガス圧を10mTorrに保持し、
Cr下地膜を500オングストローム、Co67Ni2
2Cr11磁性膜を500オングストローム、保護膜2
50オングストロームを連続的に成膜した。
【0008】(比較例1)中間膜を成膜していないガラ
ス基板をDCマグネトロンスパッタ装置を用い、1×1
0-6Torr以下に排気後基板を300℃において10
分間加熱後、Arガスを導入し、放電時のガス圧を10
mTorrに保持し、Cr下地膜を1000オングスト
ローム、Co67Ni22Cr11磁性膜を500オン
グストローム、C保護膜250オングストロームを連続
的に成膜した。上記実施例1および比較例1で作製した
磁気記録媒体について、Cr中間膜の膜厚が保磁力、デ
ィスクノイズにどのような影響があるかを調べた。Cr
中間膜厚と保磁力、ディスクノイズの関係を図3に示し
た。図3から分かるように、Cr中間膜厚を厚くしてい
くと保磁力は増加していき、50オングストローム以上
のCr中間膜を用いることにより1600Oe以上の保
磁力を得ることができ、500オングストローム以上で
保磁力は飽和する。ディスクノイズはCr中間膜を用い
ると一旦減少するが、Cr中間膜の膜厚が500オング
ストロームを越えるとディスクノイズが増加しているこ
とが分かる。以上よりCr中間膜の膜厚を50オングス
トローム以上500オングストローム以下とすることに
より高密度記録に適した磁気記録媒体を得ることが出来
る。
ス基板をDCマグネトロンスパッタ装置を用い、1×1
0-6Torr以下に排気後基板を300℃において10
分間加熱後、Arガスを導入し、放電時のガス圧を10
mTorrに保持し、Cr下地膜を1000オングスト
ローム、Co67Ni22Cr11磁性膜を500オン
グストローム、C保護膜250オングストロームを連続
的に成膜した。上記実施例1および比較例1で作製した
磁気記録媒体について、Cr中間膜の膜厚が保磁力、デ
ィスクノイズにどのような影響があるかを調べた。Cr
中間膜厚と保磁力、ディスクノイズの関係を図3に示し
た。図3から分かるように、Cr中間膜厚を厚くしてい
くと保磁力は増加していき、50オングストローム以上
のCr中間膜を用いることにより1600Oe以上の保
磁力を得ることができ、500オングストローム以上で
保磁力は飽和する。ディスクノイズはCr中間膜を用い
ると一旦減少するが、Cr中間膜の膜厚が500オング
ストロームを越えるとディスクノイズが増加しているこ
とが分かる。以上よりCr中間膜の膜厚を50オングス
トローム以上500オングストローム以下とすることに
より高密度記録に適した磁気記録媒体を得ることが出来
る。
【0009】(比較例2)中間膜に用いる金属膜をT
i、Mo、Wとする以外は実施例1と同じ方法で磁気記
録媒体を作製し、比較例2とした。作製した磁気記録媒
体の保磁力を測定した結果を実施例1の結果とあわせて
図4に示した。Ti中間膜は保磁力の増加に効果はある
ものの、その効果はCr中間膜に比べて小さい。また、
Mo、Wでは保磁力向上の効果はほとんど見られなかっ
た。したがって、中間膜としてはCr膜が最も良いこと
がわかった。
i、Mo、Wとする以外は実施例1と同じ方法で磁気記
録媒体を作製し、比較例2とした。作製した磁気記録媒
体の保磁力を測定した結果を実施例1の結果とあわせて
図4に示した。Ti中間膜は保磁力の増加に効果はある
ものの、その効果はCr中間膜に比べて小さい。また、
Mo、Wでは保磁力向上の効果はほとんど見られなかっ
た。したがって、中間膜としてはCr膜が最も良いこと
がわかった。
【0010】(実施例2)実施例1で作製した磁気記録
媒体において、Cr中間膜厚が300オングストローム
の磁気記録媒体と、比較例1で作製したCr中間膜のな
い磁気記録媒体の磁性膜の透過電子顕微鏡像を図5に示
す。中間膜を用いない磁気記録媒体の磁性膜の平均結晶
粒径は380オングストローム、300オングストロー
ムのCr中間膜を用いた磁気記録媒体の磁性膜の平均結
晶粒径は300オングストロームであり、中間膜を用い
ることにより、平均結晶粒径は小さくなっていることが
わかる。また中間膜を用いた磁気記録媒体の磁性膜の結
晶粒は中間膜のない場合に比べ、一つ一つの結晶粒が明
確になっているとともに結晶粒内の欠陥が少なく良好な
結晶成長をしていることがわかる。これらの差が実施例
1で述べたディスクノイズを低下させた原因であると考
えられる。さらにCr中間膜の膜厚が500オングスト
ローム、700オングストローム、1000オングスト
ロームの磁気記録媒体の磁性膜も透過電子顕微鏡より観
察し、平均結晶粒径を求め表1に示した。50オングス
トローム以上500オングストローム以下のCr中間膜
を用いることにより、平均結晶粒径は300オングスト
ロームから350オングストロームとなりCr中間膜を
用いない場合に比べ小さくなり、さらにCr中間膜厚を
厚くするとしだいに平均結晶粒径が大きくなる傾向がみ
られCr中間膜の膜厚が700オングストロームでは平
均結晶粒径が380オングストローム、Cr中間膜厚が
1000オングストロームのときは平均結晶粒径が40
0オングストロームとなった。図3に示したディスクノ
イズの測定結果と合わせると、ディスクノイズの変化は
磁性膜の平均結晶粒径の変化とほぼ一致し、Cr中間膜
の膜厚が500オングストロームより大きいとノイズが
大きくなり、高密度記録に適さなくなる。以上より、C
r中間膜の膜厚は50オングストローム以上500オン
グストローム以下とすることにより、高密度記録に適し
た磁気記録媒体を得ることができる。
媒体において、Cr中間膜厚が300オングストローム
の磁気記録媒体と、比較例1で作製したCr中間膜のな
い磁気記録媒体の磁性膜の透過電子顕微鏡像を図5に示
す。中間膜を用いない磁気記録媒体の磁性膜の平均結晶
粒径は380オングストローム、300オングストロー
ムのCr中間膜を用いた磁気記録媒体の磁性膜の平均結
晶粒径は300オングストロームであり、中間膜を用い
ることにより、平均結晶粒径は小さくなっていることが
わかる。また中間膜を用いた磁気記録媒体の磁性膜の結
晶粒は中間膜のない場合に比べ、一つ一つの結晶粒が明
確になっているとともに結晶粒内の欠陥が少なく良好な
結晶成長をしていることがわかる。これらの差が実施例
1で述べたディスクノイズを低下させた原因であると考
えられる。さらにCr中間膜の膜厚が500オングスト
ローム、700オングストローム、1000オングスト
ロームの磁気記録媒体の磁性膜も透過電子顕微鏡より観
察し、平均結晶粒径を求め表1に示した。50オングス
トローム以上500オングストローム以下のCr中間膜
を用いることにより、平均結晶粒径は300オングスト
ロームから350オングストロームとなりCr中間膜を
用いない場合に比べ小さくなり、さらにCr中間膜厚を
厚くするとしだいに平均結晶粒径が大きくなる傾向がみ
られCr中間膜の膜厚が700オングストロームでは平
均結晶粒径が380オングストローム、Cr中間膜厚が
1000オングストロームのときは平均結晶粒径が40
0オングストロームとなった。図3に示したディスクノ
イズの測定結果と合わせると、ディスクノイズの変化は
磁性膜の平均結晶粒径の変化とほぼ一致し、Cr中間膜
の膜厚が500オングストロームより大きいとノイズが
大きくなり、高密度記録に適さなくなる。以上より、C
r中間膜の膜厚は50オングストローム以上500オン
グストローム以下とすることにより、高密度記録に適し
た磁気記録媒体を得ることができる。
【表1】 中間膜膜厚(オングストローム) 平均結晶粒径(オングストローム) 0 380 30 370 50 300 100 330 300 300 500 350 700 380 1000 400
【0011】(実施例3)CoNiCr磁性膜の組成が
磁気特性、S/N特性に及ぼす影響を調べるためにCo
NiCr磁性膜の組成が異なる種々の磁気記録媒体をC
r中間膜を500、オングストロームCr下地膜厚を1
000オングストロームとする以外実施例1と同様の方
法で作製した。作製した磁気記録媒体の組成と保磁力と
残留磁束密度(Br)、線記録密度48kFCIでのS
/Nの測定結果を表2に示した。
磁気特性、S/N特性に及ぼす影響を調べるためにCo
NiCr磁性膜の組成が異なる種々の磁気記録媒体をC
r中間膜を500、オングストロームCr下地膜厚を1
000オングストロームとする以外実施例1と同様の方
法で作製した。作製した磁気記録媒体の組成と保磁力と
残留磁束密度(Br)、線記録密度48kFCIでのS
/Nの測定結果を表2に示した。
【表2】 CoNiCrの組成と保磁力の測定結果 試料No. 組成(at%) Hc(Oe) Br(kG) S/N(dB) 1 CoNi22Cr5 (比較例) 1430 11.0 29 2 CoNi22Cr6(比較例) 1540 10.3 28 3 CoNi28Cr6(比較例) 1500 9.8 28 4 CoNi20Cr7(本発明) 1630 9.3 30 5 CoNi28Cr7(本発明) 1700 9.2 31 6 CoNi30Cr7(比較例) 1630 9.2 29 7 CoNi22Cr8(本発明) 1640 8.5 32 8 CoNi25Cr8(本発明) 1740 7.9 33 9 CoNi23Cr9(本発明) 1710 7.0 33 10 CoNi17Cr10(比較例) 1790 6.6 28 11 CoNi18Cr10(本発明) 1810 6.5 31 12 CoNi20Cr10(本発明) 1790 6.7 33 13 CoNi22Cr10(本発明) 1800 6.0 33 14 CoNi24Cr10(本発明) 1760 6.0 32 15 CoNi26Cr10(本発明) 1840 6.0 31 16 CoNi22Cr11(本発明) 1920 5.8 32 17 CoNi18Cr12(本発明) 1810 5.9 33 18 CoNi22Cr13(比較例) 1980 5.0 30 試料1〜試料3はCr濃度が低いために1600Oeの
保磁力が得られない。Cr濃度が7at%以上の組成で
は1600Oe以上の保磁力が得られ、保磁力はCr濃
度が増加するにしたがい増加していくことが分かる。一
方残留磁束密度BrはCr濃度が増加するにしたがい減
少し、Cr濃度が13at%では残留磁束密度が5kG
となり、再生出力が小さくなってしまう。試料6および
試料10は保磁力、残留磁束密度は大きな値を示した
が、S/Nが低く高密度記録に適した磁気記録媒体が得
られない。Cr濃度を10at%に固定した試料10か
ら試料15のS/Nの変化を見ると、Ni濃度が18a
t%より小さいとS/N急激に低下し、Ni濃度が20
at%から22at%でS/Nは最大となり、さらにN
i濃度が高くなるしたがいS/Nが小さくなっているこ
とが分かる。以上からCoNiCr磁性膜の組成は、7
at%以上12at%以下のCr、18at%以上28
at%以下のNiで高密度記録に適した磁気記録媒体が
得られることがわかる。 (実施例4)磁性膜としてCoNi20Cr10をもち
い、Cr中間膜の膜厚を500オングストローム、磁性
膜の膜厚を500オングストロームとし、Cr下地膜の
膜厚を変化させた磁気記録媒体を作製し、その保磁力、
S/N、平均結晶粒径を調べた結果を表3に示した。
保磁力が得られない。Cr濃度が7at%以上の組成で
は1600Oe以上の保磁力が得られ、保磁力はCr濃
度が増加するにしたがい増加していくことが分かる。一
方残留磁束密度BrはCr濃度が増加するにしたがい減
少し、Cr濃度が13at%では残留磁束密度が5kG
となり、再生出力が小さくなってしまう。試料6および
試料10は保磁力、残留磁束密度は大きな値を示した
が、S/Nが低く高密度記録に適した磁気記録媒体が得
られない。Cr濃度を10at%に固定した試料10か
ら試料15のS/Nの変化を見ると、Ni濃度が18a
t%より小さいとS/N急激に低下し、Ni濃度が20
at%から22at%でS/Nは最大となり、さらにN
i濃度が高くなるしたがいS/Nが小さくなっているこ
とが分かる。以上からCoNiCr磁性膜の組成は、7
at%以上12at%以下のCr、18at%以上28
at%以下のNiで高密度記録に適した磁気記録媒体が
得られることがわかる。 (実施例4)磁性膜としてCoNi20Cr10をもち
い、Cr中間膜の膜厚を500オングストローム、磁性
膜の膜厚を500オングストロームとし、Cr下地膜の
膜厚を変化させた磁気記録媒体を作製し、その保磁力、
S/N、平均結晶粒径を調べた結果を表3に示した。
【表3】 Cr下地膜厚(A) 保磁力(Oe) S/N 平均結晶粒径(A) 0 450 測定不能 150 100 800 20 180 300 1400 28 280 500 1500 29 300 700 1700 30 300 1000 1800 32 290 1500 1850 31 340 2000 1900 27 360 表2よりCr下地膜厚が0オングストロームあるいは1
00オングストロームの場合平均結晶粒径が200オン
グストロームより小さく保磁力はそれぞれ450Oe、
800Oeと小さいことがわかる。Cr下地膜厚を30
0オングストローム以上とすると平均結晶粒径はおよそ
300オングストロームとなり、保磁力も1400Oe
以上が得られるようになり、Cr下地膜厚が1000オ
ングストローム以上では保磁力はほぼ一定となる。Cr
下地膜厚を2000オングストロームとさらに厚くする
と平均結晶粒径は360オングストロームと大きくな
り、S/Nが低下してしまうことがわかる。
00オングストロームの場合平均結晶粒径が200オン
グストロームより小さく保磁力はそれぞれ450Oe、
800Oeと小さいことがわかる。Cr下地膜厚を30
0オングストローム以上とすると平均結晶粒径はおよそ
300オングストロームとなり、保磁力も1400Oe
以上が得られるようになり、Cr下地膜厚が1000オ
ングストローム以上では保磁力はほぼ一定となる。Cr
下地膜厚を2000オングストロームとさらに厚くする
と平均結晶粒径は360オングストロームと大きくな
り、S/Nが低下してしまうことがわかる。
【0012】
【発明の効果】上記の磁気記録媒体はCr中間膜を備
え、磁性膜をCoNiCrとし、その組成を7at%以
上12at%以下のCr、18at%以上28at%以
下のNi、残部Co及び不可避的不純物とすることによ
り、保磁力を大きくできる。また、Cr中間膜50オン
グストローム以上を500オングストローム以下とする
ことで、保磁力を増加し、下地膜、磁性膜の結晶成長を
制御しノイズを低減できる。さらに磁性膜の平均結晶粒
径を200オングストローム以上350オングストロー
ム以下とすることで、保磁力を向上でき、ノイズを低減
することができる。上記の条件で作製した磁性膜の保磁
力を1600Oeとすることで高密度記録に適した磁気
記録媒体を得ることができる。
え、磁性膜をCoNiCrとし、その組成を7at%以
上12at%以下のCr、18at%以上28at%以
下のNi、残部Co及び不可避的不純物とすることによ
り、保磁力を大きくできる。また、Cr中間膜50オン
グストローム以上を500オングストローム以下とする
ことで、保磁力を増加し、下地膜、磁性膜の結晶成長を
制御しノイズを低減できる。さらに磁性膜の平均結晶粒
径を200オングストローム以上350オングストロー
ム以下とすることで、保磁力を向上でき、ノイズを低減
することができる。上記の条件で作製した磁性膜の保磁
力を1600Oeとすることで高密度記録に適した磁気
記録媒体を得ることができる。
【図1】本発明の実施例の磁気記録媒体の部分断面図で
ある。
ある。
【図2】比較例の磁気記録媒体の部分断面図である。
【図3】Cr中間膜の膜厚と保磁力およびノイズの関係
を示す図である。
を示す図である。
【図4】Cr中間膜(本発明)、Ti中間膜(比較
例)、W中間膜(比較例)、Mo中間膜(比較例)の膜
厚と保磁力の関係を示す図である。
例)、W中間膜(比較例)、Mo中間膜(比較例)の膜
厚と保磁力の関係を示す図である。
【図5】Cr中間膜がある場合(本発明)とCr中間膜
のない場合(比較例)の磁性膜の金属組織の電子顕微鏡
写真である。
のない場合(比較例)の磁性膜の金属組織の電子顕微鏡
写真である。
11 ガラス基板、12 Cr中間膜、13 Cr下地
膜、14 CoNiCr磁性膜、15 保護膜、16
潤滑膜、21 ガラス基板、22 下地膜、23磁性
膜、24 保護膜、25潤滑膜。
膜、14 CoNiCr磁性膜、15 保護膜、16
潤滑膜、21 ガラス基板、22 下地膜、23磁性
膜、24 保護膜、25潤滑膜。
Claims (5)
- 【請求項1】 ガラス基板上にCr等の下地膜と磁性膜
と保護膜を順次積層させてなる磁気記録媒体において、
前記ガラス基板と下地膜の間に下地膜の微細構造を制御
するCrからなる金属中間膜をもうけたことを特徴とす
る磁気記録媒体。 - 【請求項2】 請求項1において、磁性膜が7at%以
上12at%以下のCr、18at%以上28at%以
下のNi、残部Co及び不可避的不純物からなることを
特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項3】 請求項1において、金属中間膜の膜厚が
50オングストローム〜500オングストロームである
ことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項4】 磁性膜の平均結晶粒径が200オングス
トローム〜350オングストローム以下であることを特
徴とする請求項1記載の磁気記録媒体。 - 【請求項5】 保磁力が1600Oe以上である請求項
1記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15830694A JPH0830949A (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15830694A JPH0830949A (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0830949A true JPH0830949A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15668751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15830694A Pending JPH0830949A (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0830949A (ja) |
-
1994
- 1994-07-11 JP JP15830694A patent/JPH0830949A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3143611B2 (ja) | 磁気薄膜媒体用の超薄核形成層および該層の製造方法 | |
| JPH09190945A (ja) | 水平記録用磁気記録ディスク及び製造方法 | |
| US6767651B2 (en) | Magnetic recording medium, method for manufacturing a magnetic recording medium and magnetic recording device | |
| US6844046B2 (en) | Magnetic recording medium, production process thereof, magnetic recording and reproducing apparatus, and sputtering target | |
| JP2911782B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS63237210A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0830949A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0877544A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| US6826825B2 (en) | Method for manufacturing a magnetic recording medium | |
| JP2920723B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2819839B2 (ja) | 磁気ディスク用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 | |
| JP2911797B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2853529B2 (ja) | 磁気記録媒体用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 | |
| JP2001331934A (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法、磁気記録再生装置、およびスパッタリングターゲット | |
| JPH05135343A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0721543A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH06215348A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2000348323A (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記憶装置 | |
| JPH11339244A (ja) | 磁気記録媒体および製造方法 | |
| JP2002015417A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2001110034A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法、並びに磁気記録装置 | |
| JPH05258278A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2001243620A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH06140247A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0981925A (ja) | 磁気記録媒体 |