JPH0831427B2 - スタッキングボート - Google Patents
スタッキングボートInfo
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- JPH0831427B2 JPH0831427B2 JP1341235A JP34123589A JPH0831427B2 JP H0831427 B2 JPH0831427 B2 JP H0831427B2 JP 1341235 A JP1341235 A JP 1341235A JP 34123589 A JP34123589 A JP 34123589A JP H0831427 B2 JPH0831427 B2 JP H0831427B2
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 60
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （１）発明の目的 ［産業上の利用分野］ 本発明は、複数の石英パイプをパイプ状もしくは中実
の複数の石英支柱で互いに連結して形成されたスタッキ
ングボートに関し、特に、石英パイプの内部にそれぞれ
化学蒸着によって炭化珪素の皮膜が付着された炭化珪素
製の補強棒が配置されてなるスタッキングボートに関す
るものである。
の複数の石英支柱で互いに連結して形成されたスタッキ
ングボートに関し、特に、石英パイプの内部にそれぞれ
化学蒸着によって炭化珪素の皮膜が付着された炭化珪素
製の補強棒が配置されてなるスタッキングボートに関す
るものである。
［従来の技術］ 従来、この種のスタッキングボートとしては、第２図
に示したスタッキングボート10のごとく、両端部の閉鎖
された２本の石英パイプ11A,11Bを両端部と中間部とに
おいてパイプ状の複数（ここでは３本）の石英支柱12A,
12B,12Cによって互いに結合せしめることにより作成さ
れてなるものが提案されていた。
に示したスタッキングボート10のごとく、両端部の閉鎖
された２本の石英パイプ11A,11Bを両端部と中間部とに
おいてパイプ状の複数（ここでは３本）の石英支柱12A,
12B,12Cによって互いに結合せしめることにより作成さ
れてなるものが提案されていた。
［解決すべき問題点］ しかしながら、従来のスタッキングボート10では、半
導体ウェーハＭの熱処理温度が昨今の技術革新に伴なっ
て石英の軟化点（すなわち1200℃）を超えるようになっ
た結果、（ｉ）石英パイプ11A,11Bが半導体ウェーハＭ
の重量によってその熱処理に際し外方へ彎曲してしまう
欠点があり、また（ii）石英パイプ11A,11Bの中間部を
連結する石英支柱12Cの近傍では熱ストレスが増大する
ため載置された半導体ウェーハＭにスリップが生じ易い
欠点があり、ひいては（iii）耐用寿命を延長できず、
半導体ウェーハの積載数を増加できない欠点があった。
導体ウェーハＭの熱処理温度が昨今の技術革新に伴なっ
て石英の軟化点（すなわち1200℃）を超えるようになっ
た結果、（ｉ）石英パイプ11A,11Bが半導体ウェーハＭ
の重量によってその熱処理に際し外方へ彎曲してしまう
欠点があり、また（ii）石英パイプ11A,11Bの中間部を
連結する石英支柱12Cの近傍では熱ストレスが増大する
ため載置された半導体ウェーハＭにスリップが生じ易い
欠点があり、ひいては（iii）耐用寿命を延長できず、
半導体ウェーハの積載数を増加できない欠点があった。
ちなみに、従来のスタッキングボート10では、石英パ
イプ11A,11Bの内部に石英ウールなどを介して炭化珪素
製の補強棒（図示せず）を封入して補強することが提案
されており、上記（ｉ）〜（iii）の欠点を除去してい
たが、（iv）製造に多大の時間および労力を要する欠点
があった。
イプ11A,11Bの内部に石英ウールなどを介して炭化珪素
製の補強棒（図示せず）を封入して補強することが提案
されており、上記（ｉ）〜（iii）の欠点を除去してい
たが、（iv）製造に多大の時間および労力を要する欠点
があった。
そこで、本発明は、これらの欠点を除去すべく、両端
部の開放された複数の石英パイプの内部にそれぞれ化学
蒸着によって炭化珪素の皮膜が付着された炭化珪素製の
補強棒を配置することにより石英パイプを両端部のみで
石英支柱によって連結可能としてなるスタッキングボー
トを提供せんとするものである。
部の開放された複数の石英パイプの内部にそれぞれ化学
蒸着によって炭化珪素の皮膜が付着された炭化珪素製の
補強棒を配置することにより石英パイプを両端部のみで
石英支柱によって連結可能としてなるスタッキングボー
トを提供せんとするものである。
（２）発明の構成 ［問題点の解決手段］ 本発明により提供される問題点の解決手段は、 「半導体ウェーハを載置するための複数の溝部がそれ
ぞれ形成されかつ平行に配置された複数の石英パイプを
複数の石英支柱で互いに連結して形成してなるスタッキ
ングボートにおいて、石英パイプ（11A,11B）の両端部
が開放されかつ内部にそれぞれ化学蒸着によって炭化珪
素の皮膜が付着された炭化珪素製の補強棒（13A,13B）
が配置されてなることを特徴とするスタッキングボー
ト」 である。
ぞれ形成されかつ平行に配置された複数の石英パイプを
複数の石英支柱で互いに連結して形成してなるスタッキ
ングボートにおいて、石英パイプ（11A,11B）の両端部
が開放されかつ内部にそれぞれ化学蒸着によって炭化珪
素の皮膜が付着された炭化珪素製の補強棒（13A,13B）
が配置されてなることを特徴とするスタッキングボー
ト」 である。
［作用］ 本発明にかかるスタッキングボートは、上述の［問題
点の解決手段］で明示したごとく、半導体ウェーハを載
置するための複数の溝部がそれぞれ形成されかつ平行に
配置された複数の石英パイプを複数の石英支柱で互いに
連結して形成されており、特に、石英パイプの両端部が
開放されかつ内部にそれぞれ化学蒸着によって炭化珪素
の皮膜が付着された炭化珪素製の補強棒が配置されてな
るので、 （ｉ）石英の軟化点を超える温度まで石英パイプを補強
する作用 をなし、ひいては （ii）半導体ウェーハの熱処理温度が石英の軟化点を超
えても変形を抑制する作用 をなし、また （iii）中間部に挿入される石英支柱を除去可能とする
作用 をなし、結果的に （iv）耐用寿命を延長可能とし、かつ半導体ウェーハの
積載数を増加可能とする作用をなし、併せて （ｖ）石英パイプの両端部の閉鎖処理を回避して製造容
易とする作用 をなす。
点の解決手段］で明示したごとく、半導体ウェーハを載
置するための複数の溝部がそれぞれ形成されかつ平行に
配置された複数の石英パイプを複数の石英支柱で互いに
連結して形成されており、特に、石英パイプの両端部が
開放されかつ内部にそれぞれ化学蒸着によって炭化珪素
の皮膜が付着された炭化珪素製の補強棒が配置されてな
るので、 （ｉ）石英の軟化点を超える温度まで石英パイプを補強
する作用 をなし、ひいては （ii）半導体ウェーハの熱処理温度が石英の軟化点を超
えても変形を抑制する作用 をなし、また （iii）中間部に挿入される石英支柱を除去可能とする
作用 をなし、結果的に （iv）耐用寿命を延長可能とし、かつ半導体ウェーハの
積載数を増加可能とする作用をなし、併せて （ｖ）石英パイプの両端部の閉鎖処理を回避して製造容
易とする作用 をなす。
［実施例］ 次に、本発明にかかるスタッキングボートについて、
その好ましい実施例を挙げ、添付図面を参照しつつ、具
体的に説明する。しかしながら、以下に説明する実施例
は、本発明の理解を容易化ないし促進化するために記載
されるものであって、本発明を限定するために記載され
るものではない。換言すれば、以下に説明される実施例
において開示される各要素は、本発明の精神ならびに技
術的範囲に属する全ての設計変更ならびに均等物置換を
含むものである。
その好ましい実施例を挙げ、添付図面を参照しつつ、具
体的に説明する。しかしながら、以下に説明する実施例
は、本発明の理解を容易化ないし促進化するために記載
されるものであって、本発明を限定するために記載され
るものではない。換言すれば、以下に説明される実施例
において開示される各要素は、本発明の精神ならびに技
術的範囲に属する全ての設計変更ならびに均等物置換を
含むものである。
（添付図面の説明） 第１図は、本発明のスタッキングボートの一実施例を
示すための部分断面斜視図である。
示すための部分断面斜視図である。
（実施例の構成） まず、第１図を参照しつつ、本発明にかかるスタッキ
ングボートの一実施例について、その構成を詳細に説明
する。
ングボートの一実施例について、その構成を詳細に説明
する。
10は、本発明にかかるスタッキングボートであって、
互いに対向する位置にそれぞれ複数の溝部11a,11bが形
成されており半導体ウェーハＭをそれらの溝部11a,11b
に挿入して保持するための２本の石英パイプ11A,11B
と、石英パイプ11A,11Bを両端部において互いに連結す
るための石英支柱12A,12Bと、石英パイプ11A,11Bの内部
に対してそれぞれ配設され両端部近傍まで延長されてお
り石英パイプ11A,11Bを補強するための炭化珪素製の補
強棒13A,13Bとを備えている。
互いに対向する位置にそれぞれ複数の溝部11a,11bが形
成されており半導体ウェーハＭをそれらの溝部11a,11b
に挿入して保持するための２本の石英パイプ11A,11B
と、石英パイプ11A,11Bを両端部において互いに連結す
るための石英支柱12A,12Bと、石英パイプ11A,11Bの内部
に対してそれぞれ配設され両端部近傍まで延長されてお
り石英パイプ11A,11Bを補強するための炭化珪素製の補
強棒13A,13Bとを備えている。
石英支柱12A,12Bは、パイプ状であってもよく、また
中実であってもよいが、それぞれ両端部で石英パイプ11
A,11Bに対し熔着されている。
中実であってもよいが、それぞれ両端部で石英パイプ11
A,11Bに対し熔着されている。
補強棒13A,13Bは、化学蒸着によって炭化珪素の皮膜
が付着された炭化珪素製の棒材によって形成されてい
る。このため、本発明によれば、石英パイプ11A,11Bの
両端部を開放したまま放置しても、半導体ウェーハＭの
熱処理に際して補強棒13A,13Bから不純物が飛散し半導
体ウェーハＭを汚染してしまうことを回避できる。補強
棒13A,13Bは、それぞれ両端部が石英パイプ11A,11Bの両
端部の一部をそれぞれ内部へ折返すことによって脱落す
ることが防止されている。また、補強棒13A,13Bは、石
英パイプ11A,11Bへの挿入ののち、石英パイプ11A,11Bの
両端部に対しそれぞれ短かい固定用石英パイプを挿入し
加熱軟化せしめて熔着することにより脱落することが防
止されてもよい。
が付着された炭化珪素製の棒材によって形成されてい
る。このため、本発明によれば、石英パイプ11A,11Bの
両端部を開放したまま放置しても、半導体ウェーハＭの
熱処理に際して補強棒13A,13Bから不純物が飛散し半導
体ウェーハＭを汚染してしまうことを回避できる。補強
棒13A,13Bは、それぞれ両端部が石英パイプ11A,11Bの両
端部の一部をそれぞれ内部へ折返すことによって脱落す
ることが防止されている。また、補強棒13A,13Bは、石
英パイプ11A,11Bへの挿入ののち、石英パイプ11A,11Bの
両端部に対しそれぞれ短かい固定用石英パイプを挿入し
加熱軟化せしめて熔着することにより脱落することが防
止されてもよい。
補強棒13A,13Bの横断面形状は、半円形に近い形状の
場合を図示しているが、石英パイプ11A,11Bの内周面と
の間に熱膨張率の差に伴なう熱膨張を吸収できるだけの
スペースが確保されている限り、円形，多角形あるいは
矩形などの所望の形状であっても差し支えない。
場合を図示しているが、石英パイプ11A,11Bの内周面と
の間に熱膨張率の差に伴なう熱膨張を吸収できるだけの
スペースが確保されている限り、円形，多角形あるいは
矩形などの所望の形状であっても差し支えない。
（実施例の作用） 更に、第１図を参照しつつ、本発明にかかるスタッキ
ングボートの一実施例について、その作用を詳細に説明
する。
ングボートの一実施例について、その作用を詳細に説明
する。
本発明にかかるスタッキングボート10は、石英パイプ
11A,11Bの内部に対しそれぞれ炭化珪素製の補強棒13A,1
3Bが配設されているので、半導体ウェーハＭの熱処理温
度が石英の軟化点を超えるような場合であっても、石英
パイプ11A,11Bを補強できる。
11A,11Bの内部に対しそれぞれ炭化珪素製の補強棒13A,1
3Bが配設されているので、半導体ウェーハＭの熱処理温
度が石英の軟化点を超えるような場合であっても、石英
パイプ11A,11Bを補強できる。
したがって、本発明にかかるスタッキングボート10
は、半導体ウェーハＭの熱処理温度が石英の軟化点を超
えるような場合であっても、石英パイプ11A,11Bが半導
体ウェーハＭの重量によって外方へ彎曲し変形すること
を抑制でき、また中間部から石英支柱を除去できる。
は、半導体ウェーハＭの熱処理温度が石英の軟化点を超
えるような場合であっても、石英パイプ11A,11Bが半導
体ウェーハＭの重量によって外方へ彎曲し変形すること
を抑制でき、また中間部から石英支柱を除去できる。
結果的に、本発明にかかるスタッキングボート10は、
耐用寿命を延長でき、かつ半導体ウェーハＭの積載数を
増加できる。
耐用寿命を延長でき、かつ半導体ウェーハＭの積載数を
増加できる。
併せて、本発明にかかるスタッキングボート10は、石
英パイプ11A,11Bの内部に配設された炭化珪素製の補強
棒13A,13Bに対し化学蒸着によって炭化珪素の皮膜が付
着されているので、半導体ウェーハＭの熱処理に際し補
強棒13A,13Bから不純物が飛散して半導体ウェーハＭを
汚染することを抑制でき、ひいては石英パイプ11A,11B
の両端部の閉鎖処理を回避して製造容易とできる。
英パイプ11A,11Bの内部に配設された炭化珪素製の補強
棒13A,13Bに対し化学蒸着によって炭化珪素の皮膜が付
着されているので、半導体ウェーハＭの熱処理に際し補
強棒13A,13Bから不純物が飛散して半導体ウェーハＭを
汚染することを抑制でき、ひいては石英パイプ11A,11B
の両端部の閉鎖処理を回避して製造容易とできる。
（変形例） なお、上述においては、補強棒13A,13Bが石英パイプ1
1A,11Bの内部に挿入されている場合についてのみ説明し
たが、本発明は、これに限定されるものではなく、補強
棒が石英パイプに加え石英支柱の内部にも挿入される場
合を包摂している。
1A,11Bの内部に挿入されている場合についてのみ説明し
たが、本発明は、これに限定されるものではなく、補強
棒が石英パイプに加え石英支柱の内部にも挿入される場
合を包摂している。
（３）発明の効果 上述より明らかなように、本発明にかかるスタッキン
グボートは、上述の［問題点の解決手段］で明示したご
とく、半導体ウェーハを載置するための複数の溝部がそ
れぞれ形成されかつ平行に配置された複数の石英パイプ
を複数の石英支柱で互いに連結して形成されており、特
に、石英パイプの両端部が開放されかつ内部にそれぞれ
化学蒸着によって炭化珪素の皮膜が付着された炭化珪素
製の補強棒が配置されてなるので、 （ｉ）石英の軟化点を超える温度まで石英パイプを補強
できる効果 を有し、ひいては、 （ii）半導体ウェーハの熱処理温度が石英の軟化点を超
えても変形を抑制可能とできる効果 を有し、また （iii）中間部に挿入される石英支柱を除去可能とでき
る効果 を有し、結果的に （iv）耐用寿命を延長可能とでき、かつ半導体ウェーハ
の積載数を増加可能とできる効果 を有し、併せて （ｖ）石英パイプの両端部の閉鎖処理を回避して製造容
易とできる効果 を有する。
グボートは、上述の［問題点の解決手段］で明示したご
とく、半導体ウェーハを載置するための複数の溝部がそ
れぞれ形成されかつ平行に配置された複数の石英パイプ
を複数の石英支柱で互いに連結して形成されており、特
に、石英パイプの両端部が開放されかつ内部にそれぞれ
化学蒸着によって炭化珪素の皮膜が付着された炭化珪素
製の補強棒が配置されてなるので、 （ｉ）石英の軟化点を超える温度まで石英パイプを補強
できる効果 を有し、ひいては、 （ii）半導体ウェーハの熱処理温度が石英の軟化点を超
えても変形を抑制可能とできる効果 を有し、また （iii）中間部に挿入される石英支柱を除去可能とでき
る効果 を有し、結果的に （iv）耐用寿命を延長可能とでき、かつ半導体ウェーハ
の積載数を増加可能とできる効果 を有し、併せて （ｖ）石英パイプの両端部の閉鎖処理を回避して製造容
易とできる効果 を有する。
第１図は本発明にかかるスタッキングボートの一実施例
を示すための部分断面斜視図、第２図は従来例を示すた
めの斜視図である。10 ……スタッキングボート 11A,11B……石英パイプ 11a,11b……溝部 12A,12B……石英支柱 13A,13B……補強棒
を示すための部分断面斜視図、第２図は従来例を示すた
めの斜視図である。10 ……スタッキングボート 11A,11B……石英パイプ 11a,11b……溝部 12A,12B……石英支柱 13A,13B……補強棒
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウェーハを載置するための複数の溝
部がそれぞれ形成されかつ平行に配置された複数の石英
パイプを複数の石英支柱で互いに連結して形成してなる
スタッキングボートにおいて、石英パイプ（11A,11B）
の両端部が開放されかつ内部にそれぞれ化学蒸着によっ
て炭化珪素の皮膜が付着された炭化珪素製の補強棒（13
A,13B）が配置されてなることを特徴とするスタッキン
グボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1341235A JPH0831427B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | スタッキングボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1341235A JPH0831427B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | スタッキングボート |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03201527A JPH03201527A (ja) | 1991-09-03 |
| JPH0831427B2 true JPH0831427B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=18344434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1341235A Expired - Fee Related JPH0831427B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | スタッキングボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831427B2 (ja) |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS583224A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Seiko Epson Corp | 半導体装置製造用石英治具 |
| JPS5918434U (ja) * | 1982-07-27 | 1984-02-04 | 株式会社東芝 | 半導体基板用加熱支持台 |
| JPS5999851U (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-05 | 株式会社デンソー | 車両用ワイパア−ム保持構造 |
| JPS59189622A (ja) * | 1983-04-13 | 1984-10-27 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体用拡散炉プロセスチユ−ブ |
| JPS60138914A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-23 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体拡散炉管の製造方法 |
| JPS60189930A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ウエハ−保持装置 |
| DE3441887C1 (de) * | 1984-11-16 | 1985-10-17 | Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Ofen fuer die Waermebehandlung von Halbleiter-Substraten |
| JPS6221001U (ja) * | 1985-07-22 | 1987-02-07 | ||
| JPS63225591A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-20 | 住友金属工業株式会社 | 炭化珪素被覆黒鉛材料の製造方法 |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP1341235A patent/JPH0831427B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03201527A (ja) | 1991-09-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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