JPH0831715A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPH0831715A JPH0831715A JP6159720A JP15972094A JPH0831715A JP H0831715 A JPH0831715 A JP H0831715A JP 6159720 A JP6159720 A JP 6159720A JP 15972094 A JP15972094 A JP 15972094A JP H0831715 A JPH0831715 A JP H0831715A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spin head
- wafer
- outer diameter
- thin plate
- diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】反ったシリコンウエーハを、破損することなく
真空吸着できるスピンヘッドを有するレジスト塗布装置
を提供する。 【構成】スピンヘッドの吸着溝の環状開口部の直径を、
装着するシリコンウエーハの外径の１／２以下、１／４
以上とする。スピンヘッドの外径をウエーハの外径と等
しくしておくのが位置合わせに便利である。スピンヘッ
ドを小さくし、ウエーハが嵌まるような枠体を取付けて
もよい。
真空吸着できるスピンヘッドを有するレジスト塗布装置
を提供する。 【構成】スピンヘッドの吸着溝の環状開口部の直径を、
装着するシリコンウエーハの外径の１／２以下、１／４
以上とする。スピンヘッドの外径をウエーハの外径と等
しくしておくのが位置合わせに便利である。スピンヘッ
ドを小さくし、ウエーハが嵌まるような枠体を取付けて
もよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトリソグラフィ技
術において半導体ウエーハにフォトレジストを塗布する
ために用いるようなレジスト塗布装置に関する。
術において半導体ウエーハにフォトレジストを塗布する
ために用いるようなレジスト塗布装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィ技術において、半導
体ウエーハに均一にフォトレジストを塗布する方法の一
つとしてスピン式の塗布装置が用いられる。スピンコー
タと呼ばれるスピン式の塗布装置は、水平にしたウエー
ハ上にフォトレジストを滴下しウエーハを回転させるこ
とにより、ウエーハ上に均一なフォトレジスト膜を形成
する装置である。ウエーハを支持して回転させるため
に、レジスト塗布装置にはウエーハを真空吸着により固
定するスピンヘッドと呼ばれる円形支持体が用いられ
る。
体ウエーハに均一にフォトレジストを塗布する方法の一
つとしてスピン式の塗布装置が用いられる。スピンコー
タと呼ばれるスピン式の塗布装置は、水平にしたウエー
ハ上にフォトレジストを滴下しウエーハを回転させるこ
とにより、ウエーハ上に均一なフォトレジスト膜を形成
する装置である。ウエーハを支持して回転させるため
に、レジスト塗布装置にはウエーハを真空吸着により固
定するスピンヘッドと呼ばれる円形支持体が用いられ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図４ (ａ) 〜 (ｄ) 、
図５ (ａ) 〜 (ｄ) はガラスパッシベーションメサ型ダ
イオードの製造過程を示す。複数のダイオードチップ
が、１枚のシリコンウエーハから分割されるが、図は一
つのチップに対応する部分のみを示している。図４(ａ)
のようにＮ形基板１１への不純物拡散により表面に平
行なＰＮ接合を作るＰ層１２を形成したのち、両面を保
護膜１３および１４で覆い、上面の保護膜１３をパター
ニングする〔同図 (ｂ) 〕。次いで上面の保護膜１３の
窓からエッチングしてＰＮ接合を横切る溝１５を堀り
〔同図 (ｃ) 〕、溝１５の周囲の保護膜１３を除去して
Ｐ層１２を露出させ、保護膜１４を全部除去する〔同図
(ｄ) 〕。そして、図５ (ａ) のように溝１５の内面お
よび上部のＰ層１２の露出部にガラス粉末１６を塗布し
たのち、保護膜１３を除去し、約６５０℃の熱処理によ
りパッシベーション用のガラス膜１７を形成する〔図５
(ｂ) 〕。しかし、ガラスの熱膨脹係数はシリコンの熱
膨脹係数より大きいため、この熱処理の際にシリコンウ
エーハは上向きに反ってしまう。このあと、ガラス膜１
７を保護膜１８で覆い、Ｐ層１２の露出面上に電極とし
てのめっき層１９を形成し〔図５ (ｃ) 〕、保護膜１８
を除去する〔図５（ｄ）〕。
図５ (ａ) 〜 (ｄ) はガラスパッシベーションメサ型ダ
イオードの製造過程を示す。複数のダイオードチップ
が、１枚のシリコンウエーハから分割されるが、図は一
つのチップに対応する部分のみを示している。図４(ａ)
のようにＮ形基板１１への不純物拡散により表面に平
行なＰＮ接合を作るＰ層１２を形成したのち、両面を保
護膜１３および１４で覆い、上面の保護膜１３をパター
ニングする〔同図 (ｂ) 〕。次いで上面の保護膜１３の
窓からエッチングしてＰＮ接合を横切る溝１５を堀り
〔同図 (ｃ) 〕、溝１５の周囲の保護膜１３を除去して
Ｐ層１２を露出させ、保護膜１４を全部除去する〔同図
(ｄ) 〕。そして、図５ (ａ) のように溝１５の内面お
よび上部のＰ層１２の露出部にガラス粉末１６を塗布し
たのち、保護膜１３を除去し、約６５０℃の熱処理によ
りパッシベーション用のガラス膜１７を形成する〔図５
(ｂ) 〕。しかし、ガラスの熱膨脹係数はシリコンの熱
膨脹係数より大きいため、この熱処理の際にシリコンウ
エーハは上向きに反ってしまう。このあと、ガラス膜１
７を保護膜１８で覆い、Ｐ層１２の露出面上に電極とし
てのめっき層１９を形成し〔図５ (ｃ) 〕、保護膜１８
を除去する〔図５（ｄ）〕。
【０００４】しかし、このように反りを生じたシリコン
ウエーハに、例えば図５ (ｃ) の保護膜１８のパターニ
ングにフォトリソグラフィを適用するためフォトレジス
トを塗布しようとすると、図６に示すようにシリコンウ
エーハ１の外周部とスピンヘッド２の上面との間にすき
まが生ずるため、スピンヘッド２の吸着溝３を通じての
真空吸引によるシリコンウエーハ１の吸着が不十分で、
スピンヘッド２の回転中にウエーハ１がスピンヘッド２
からはがれてしまう問題がある。真空吸引を強くしてウ
エーハ１の吸着力を上げようとすると、ウエーハ１の反
りが強制的に矯正されるため、ウエーハが割れてしまう
という別の問題が生じることもある。
ウエーハに、例えば図５ (ｃ) の保護膜１８のパターニ
ングにフォトリソグラフィを適用するためフォトレジス
トを塗布しようとすると、図６に示すようにシリコンウ
エーハ１の外周部とスピンヘッド２の上面との間にすき
まが生ずるため、スピンヘッド２の吸着溝３を通じての
真空吸引によるシリコンウエーハ１の吸着が不十分で、
スピンヘッド２の回転中にウエーハ１がスピンヘッド２
からはがれてしまう問題がある。真空吸引を強くしてウ
エーハ１の吸着力を上げようとすると、ウエーハ１の反
りが強制的に矯正されるため、ウエーハが割れてしまう
という別の問題が生じることもある。
【０００５】本発明の目的は、上述の問題を解決し、反
りの生じたウエーハを十分な吸着力が生ずるように吸引
固定できる支持体を有するレジスト塗布装置を提供する
ことにある。
りの生じたウエーハを十分な吸着力が生ずるように吸引
固定できる支持体を有するレジスト塗布装置を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、回転可能の円形スピンヘッドの上面に
開口する吸着溝を有し、レジストを塗布すべき円形薄板
を真空吸引によりスピンヘッド上に吸着するレジスト塗
布装置において、吸着溝が支持される円形薄板の直径の
１／４以上、１／２以下の直径をもち、スピンヘッドと
同心の環状で開口したものとする。スピンヘッドの外径
が円形薄板の外径とほぼ等しいことがよい。あるいは、
スピンヘッドに、その上面に垂直で円形薄板の外径とほ
ぼ等しく、それより小さくない内径をもつ壁状部を有す
る枠体が取り付けられたこともよい。
めに、本発明は、回転可能の円形スピンヘッドの上面に
開口する吸着溝を有し、レジストを塗布すべき円形薄板
を真空吸引によりスピンヘッド上に吸着するレジスト塗
布装置において、吸着溝が支持される円形薄板の直径の
１／４以上、１／２以下の直径をもち、スピンヘッドと
同心の環状で開口したものとする。スピンヘッドの外径
が円形薄板の外径とほぼ等しいことがよい。あるいは、
スピンヘッドに、その上面に垂直で円形薄板の外径とほ
ぼ等しく、それより小さくない内径をもつ壁状部を有す
る枠体が取り付けられたこともよい。
【０００７】
【作用】スピンヘッド上面の中心に近い部分に吸着溝を
開口させることにより、ガラスパッシベーションメサ型
ダイオード製造工程中のシリコンウエーハのように反っ
ている円形薄板を載せた場合、薄板とスピンヘッド上面
との間に生ずる間隙の小さいところで吸引することによ
り、十分な吸着力が生じ、また吸引によって薄板に生ず
る応力も小さい。吸着溝環状の開口部の直径が吸着する
薄板の直径の１／４未満では吸着力が小さく、１／２を
超えると反っている薄板とスピンヘッド上面の間の間隙
が大きくなる。スピンヘッドの外径寸法を薄板の外径と
合わせるか、あるいは薄板の外径とほぼ等しく、それよ
り小さくない内径をもつ壁状部を有する枠体をスピンヘ
ッドに取り付けることは、支持体への薄板装着時の位置
合わせが容易になる。
開口させることにより、ガラスパッシベーションメサ型
ダイオード製造工程中のシリコンウエーハのように反っ
ている円形薄板を載せた場合、薄板とスピンヘッド上面
との間に生ずる間隙の小さいところで吸引することによ
り、十分な吸着力が生じ、また吸引によって薄板に生ず
る応力も小さい。吸着溝環状の開口部の直径が吸着する
薄板の直径の１／４未満では吸着力が小さく、１／２を
超えると反っている薄板とスピンヘッド上面の間の間隙
が大きくなる。スピンヘッドの外径寸法を薄板の外径と
合わせるか、あるいは薄板の外径とほぼ等しく、それよ
り小さくない内径をもつ壁状部を有する枠体をスピンヘ
ッドに取り付けることは、支持体への薄板装着時の位置
合わせが容易になる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の三つの実施例を示す、図６と
共通の部分に同一の符号を付した図１ないし図３を引用
して本発明の実施例を説明する。図１に示す実施例で
は、スピンヘッド２は、フォトレジストを塗布すべきシ
リコンウエーハ１と等しい直径である７６ｍｍの直径を
有し、吸着溝３は、直径３０ｍｍの環状に開口してい
る。スピンヘッド２の外径がシリコンウエーハ１の外径
と等しいため、吸着前にスピンヘッド２の中心とウエー
ハ１の中心とを位置合わせしてウエーハを載せることが
容易にできる。
共通の部分に同一の符号を付した図１ないし図３を引用
して本発明の実施例を説明する。図１に示す実施例で
は、スピンヘッド２は、フォトレジストを塗布すべきシ
リコンウエーハ１と等しい直径である７６ｍｍの直径を
有し、吸着溝３は、直径３０ｍｍの環状に開口してい
る。スピンヘッド２の外径がシリコンウエーハ１の外径
と等しいため、吸着前にスピンヘッド２の中心とウエー
ハ１の中心とを位置合わせしてウエーハを載せることが
容易にできる。
【０００９】図２に示す実施例では、そのような位置合
わせの容易さはなくなるが、スピンヘッド２の外径を４
０ｍｍにすることにより、スピンヘッド２が軽量にな
り、回転させる動力が小さくてすむ利益が生ずる。図３
に示す実施例では、図２と同様に外径４０ｍｍのスピン
ヘッドに外側にＬ字状断面をもつ枠体４を取付けてあ
る。この枠体４の立上がり部分４１の内径は７６ｍｍ＋
で、図に示すようにウエーハ１の外周の立上がり部分４
１の内面に接するように挿入することにより、自動的に
位置合わせができる。しかし、レジスト塗布時にレジス
トが立上がり部分１に付着し、ウエーハの取外しが困難
になることがあるので注意を要する。
わせの容易さはなくなるが、スピンヘッド２の外径を４
０ｍｍにすることにより、スピンヘッド２が軽量にな
り、回転させる動力が小さくてすむ利益が生ずる。図３
に示す実施例では、図２と同様に外径４０ｍｍのスピン
ヘッドに外側にＬ字状断面をもつ枠体４を取付けてあ
る。この枠体４の立上がり部分４１の内径は７６ｍｍ＋
で、図に示すようにウエーハ１の外周の立上がり部分４
１の内面に接するように挿入することにより、自動的に
位置合わせができる。しかし、レジスト塗布時にレジス
トが立上がり部分１に付着し、ウエーハの取外しが困難
になることがあるので注意を要する。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、スピンヘッドの吸着溝
を装着する薄板の直径の１／２以下の直径をもつ環状で
開口させることにより、反りのある円形薄板を強い吸引
力で吸着できるが薄板に大きい応力が生ずることもな
い。従って、スピンヘッド回転中に装着薄板が剥がれる
こともなく、薄板がシリコンウエーハの場合にも破損す
ることがない。
を装着する薄板の直径の１／２以下の直径をもつ環状で
開口させることにより、反りのある円形薄板を強い吸引
力で吸着できるが薄板に大きい応力が生ずることもな
い。従って、スピンヘッド回転中に装着薄板が剥がれる
こともなく、薄板がシリコンウエーハの場合にも破損す
ることがない。
【図１】本発明の一実施例のレジスト塗布装置の断面図
【図２】本発明の別の実施例のレジスト塗布装置の断面
図
図
【図３】本発明のさらに別の実施例のレジスト塗布装置
の断面図
の断面図
【図４】ガラスパッシベーションメサ型ダイオード用ウ
エーハの製造工程の前半を (ａ) ないし (ｄ) の順に示
す断面図
エーハの製造工程の前半を (ａ) ないし (ｄ) の順に示
す断面図
【図５】ガラスパッシベーションメサ型ダイオード用ウ
エーハの製造工程の後半を (ａ) ないし (ｄ) の順に示
す断面図
エーハの製造工程の後半を (ａ) ないし (ｄ) の順に示
す断面図
【図６】従来のレジスト塗布装置の断面図
１ シリコンウエーハ ２ スピンヘッド ３ 吸着溝 ４ 枠体 ４１ 枠体立上がり部分
Claims (3)
- 【請求項１】回転可能の円形スピンヘッドの上面に開口
する吸着溝を有し、レジストを塗布すべき円形薄板を真
空吸引によりスピンヘッド上に吸着するものにおいて、
吸着溝が支持される円形薄板の直径の１／４以上、１／
２以下の直径をもち、スピンヘッドと同心の環状に開口
したことを特徴とするレジスト塗布装置。 - 【請求項２】スピンヘッドの外径が円形薄板の外径とほ
ぼ等しい請求項１記載のレジスト塗布装置。 - 【請求項３】スピンヘッドに、その上面に垂直で円形薄
板の外径とほぼ等しく、それより小さくない内径をもつ
壁状部を有する枠体が取り付けられた請求項１記載のレ
ジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6159720A JPH0831715A (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6159720A JPH0831715A (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831715A true JPH0831715A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15699811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6159720A Pending JPH0831715A (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831715A (ja) |
-
1994
- 1994-07-12 JP JP6159720A patent/JPH0831715A/ja active Pending
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