JPH0832007A - 半導体装置および半導体装置組立体 - Google Patents
半導体装置および半導体装置組立体Info
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- JPH0832007A JPH0832007A JP6157663A JP15766394A JPH0832007A JP H0832007 A JPH0832007 A JP H0832007A JP 6157663 A JP6157663 A JP 6157663A JP 15766394 A JP15766394 A JP 15766394A JP H0832007 A JPH0832007 A JP H0832007A
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- Japan
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- lead
- lead pins
- semiconductor device
- heat
- heat dissipation
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＣパッケージの放熱性を高める。
【構成】 放熱用リードピン（１２ａ〜１２ｄ）は半導
体チップ（２０）がマウントされるダイパッド（１１）
と一体であるため、チップ（２０）で生じた熱は放熱用
リードピン（１２ａ〜１２ｄ）のアウターリード部へ効
率よく伝わる。したがって、放熱用リードピン（１２ａ
〜１２ｄ）をヒートシンク（６１，６２）に接続してお
けば、半導体チップが温度上昇してしまうのを防止でき
る。また、放熱用リードピン（１２ａ〜１２ｄ）と電極
用リードピン（１３ａ〜１３ｂ）を反対方向に屈曲させ
ると、一方の側の配線基板（７）で信号の入出力や電源
供給を行ないながら他方の側のヒートシンク（６１，６
２）で放熱ができる。さらに、ヒートシンク（６１，６
２）を導電性の材料で形成すると、放熱用リードピン
（１２ａ〜１２ｄ）を介して半導体チップ（２０）のグ
ランド強化をなし得る。
体チップ（２０）がマウントされるダイパッド（１１）
と一体であるため、チップ（２０）で生じた熱は放熱用
リードピン（１２ａ〜１２ｄ）のアウターリード部へ効
率よく伝わる。したがって、放熱用リードピン（１２ａ
〜１２ｄ）をヒートシンク（６１，６２）に接続してお
けば、半導体チップが温度上昇してしまうのを防止でき
る。また、放熱用リードピン（１２ａ〜１２ｄ）と電極
用リードピン（１３ａ〜１３ｂ）を反対方向に屈曲させ
ると、一方の側の配線基板（７）で信号の入出力や電源
供給を行ないながら他方の側のヒートシンク（６１，６
２）で放熱ができる。さらに、ヒートシンク（６１，６
２）を導電性の材料で形成すると、放熱用リードピン
（１２ａ〜１２ｄ）を介して半導体チップ（２０）のグ
ランド強化をなし得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置および半導体
装置組立体に係り、特に詳細には、リードフレームを利
用したSmall Outline Package （ＳＯＰ）実装法による
ＩＣパッケージに適用される。
装置組立体に係り、特に詳細には、リードフレームを利
用したSmall Outline Package （ＳＯＰ）実装法による
ＩＣパッケージに適用される。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ＩＣチ
ップのプラスチック・パッケージングには種々の手法が
あり、例えばＳＯＰは日経ＢＰ社による「マイクロエレ
クトロニクス・パッケージング・ハンドブック」（Ｐ．
４１９〜４２８）に紹介されている。電子機器の高性能
化、高密度化はＩＣの高集積化をもたらし、したがって
発熱による温度上昇を放熱により阻止することが重要で
ある。特に、ＳＯＰは熱抵抗の高いパッケージ形態であ
るため、何らかの工夫をしないと、発熱密度の高いＩＣ
チップのパッケージングには使えない。
ップのプラスチック・パッケージングには種々の手法が
あり、例えばＳＯＰは日経ＢＰ社による「マイクロエレ
クトロニクス・パッケージング・ハンドブック」（Ｐ．
４１９〜４２８）に紹介されている。電子機器の高性能
化、高密度化はＩＣの高集積化をもたらし、したがって
発熱による温度上昇を放熱により阻止することが重要で
ある。特に、ＳＯＰは熱抵抗の高いパッケージ形態であ
るため、何らかの工夫をしないと、発熱密度の高いＩＣ
チップのパッケージングには使えない。
【０００３】また、ＳＯＰなどのプラスチック・パッケ
ージでは、例えば１ＧＨZ を越える高周波用ＩＣチップ
は、電源のグランド強化のための工夫をしないと出力の
一部が電源と結合したり、雑音が高レベルとなる問題が
あった。
ージでは、例えば１ＧＨZ を越える高周波用ＩＣチップ
は、電源のグランド強化のための工夫をしないと出力の
一部が電源と結合したり、雑音が高レベルとなる問題が
あった。
【０００４】本発明は、このような従来技術に鑑みてな
されたもので、半導体装置における放熱性を向上させる
ことを目的とし、あわせて、グランドの強化とノイズの
低減を図ることを目的とする。
されたもので、半導体装置における放熱性を向上させる
ことを目的とし、あわせて、グランドの強化とノイズの
低減を図ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、リードフレー
ムのダイパッドに半導体チップをマウントし、複数のリ
ードピンのアウターリード部を外方に突出させてモール
ド成型されることによって矩形の樹脂部材により一体化
した半導体装置において、上記複数のリードピンは、イ
ンナーリード部がボンディングワイヤを介して半導体チ
ップと接続された複数の電極用リードピンと、インナー
リード部がダイパッドと一体に成型された複数の放熱用
リードピンとを含み、複数の放熱用リードピンは、複数
の電極用リードピンが突出する矩形の樹脂部材の側面と
直交する側面から外方に突出していることを特徴とす
る。
ムのダイパッドに半導体チップをマウントし、複数のリ
ードピンのアウターリード部を外方に突出させてモール
ド成型されることによって矩形の樹脂部材により一体化
した半導体装置において、上記複数のリードピンは、イ
ンナーリード部がボンディングワイヤを介して半導体チ
ップと接続された複数の電極用リードピンと、インナー
リード部がダイパッドと一体に成型された複数の放熱用
リードピンとを含み、複数の放熱用リードピンは、複数
の電極用リードピンが突出する矩形の樹脂部材の側面と
直交する側面から外方に突出していることを特徴とす
る。
【０００６】ここで、複数の放熱用リードピンと複数の
電極用リードピンはそれぞれのアウターリード部が互い
に反対方向に屈曲され、複数の放熱用リードピンの先端
はヒートシンクに接続されていてもよく、放熱用リード
ピンのインナーリード部は半導体チップのグランド用電
極パッドと接続され、ヒートシンクは導電性材料で形成
されていてもよい。
電極用リードピンはそれぞれのアウターリード部が互い
に反対方向に屈曲され、複数の放熱用リードピンの先端
はヒートシンクに接続されていてもよく、放熱用リード
ピンのインナーリード部は半導体チップのグランド用電
極パッドと接続され、ヒートシンクは導電性材料で形成
されていてもよい。
【０００７】また、本発明の半導体装置組立体は、上記
の如き半導体装置と、表面に配線パターンが形成され、
アウターリード部で屈曲された複数の電極用リードピン
の先端が当該配線パターンに接続される配線基板と、ア
ウターリード部が複数の電極用リードピンとは反対方向
に屈曲された複数の放熱用リードピンの先端に接続され
るヒートシンクと、ヒートシンクを配線基板に固定する
固定部材とを備えることを特徴とする。ここで、放熱用
リードピンのインナーリード部は半導体チップのグラン
ド用電極パッドに接続され、ヒートシンクおよび固定部
材は導電性材料で形成され、固定部材は配線基板のグラ
ンド用配線パターンに接続されていてもよい。
の如き半導体装置と、表面に配線パターンが形成され、
アウターリード部で屈曲された複数の電極用リードピン
の先端が当該配線パターンに接続される配線基板と、ア
ウターリード部が複数の電極用リードピンとは反対方向
に屈曲された複数の放熱用リードピンの先端に接続され
るヒートシンクと、ヒートシンクを配線基板に固定する
固定部材とを備えることを特徴とする。ここで、放熱用
リードピンのインナーリード部は半導体チップのグラン
ド用電極パッドに接続され、ヒートシンクおよび固定部
材は導電性材料で形成され、固定部材は配線基板のグラ
ンド用配線パターンに接続されていてもよい。
【０００８】
【作用】本発明の構成によれば、放熱用リードピンは半
導体チップがマウントされるダイパッドと一体であるた
め、チップで生じた熱は放熱用リードピンのアウターリ
ード部へ効率よく伝わる。したがって、放熱用リードピ
ンをヒートシンクに接続しておけば、半導体チップが温
度上昇してしまうのを防止できる。また、放熱用リード
ピンと電極用リードピンを反対方向に屈曲させると、一
方の側の配線基板で信号の入出力や電源供給を行ないな
がら他方の側のヒートシンクで放熱ができる。さらに、
ヒートシンクを導電性の材料で形成すると、放熱用リー
ドピンを介して半導体チップのグランド強化をなし得
る。
導体チップがマウントされるダイパッドと一体であるた
め、チップで生じた熱は放熱用リードピンのアウターリ
ード部へ効率よく伝わる。したがって、放熱用リードピ
ンをヒートシンクに接続しておけば、半導体チップが温
度上昇してしまうのを防止できる。また、放熱用リード
ピンと電極用リードピンを反対方向に屈曲させると、一
方の側の配線基板で信号の入出力や電源供給を行ないな
がら他方の側のヒートシンクで放熱ができる。さらに、
ヒートシンクを導電性の材料で形成すると、放熱用リー
ドピンを介して半導体チップのグランド強化をなし得
る。
【０００９】本発明の半導体装置組立体によれば、上記
の半導体装置は電極用リートピンによって配線基板に接
続され、放熱用リードピンにはヒートシンクが接続され
る。そして、ヒートシンクは固定部材により配線基板に
固定されるので、放熱用の構造を安定に保持し得る。ま
た、ヒートシンクと固定部材を導電性材料で形成し、こ
れをグランドパターンに接続すれば、放熱構造とグラン
ド強化および電磁シールド構造を同時に達成できる。
の半導体装置は電極用リートピンによって配線基板に接
続され、放熱用リードピンにはヒートシンクが接続され
る。そして、ヒートシンクは固定部材により配線基板に
固定されるので、放熱用の構造を安定に保持し得る。ま
た、ヒートシンクと固定部材を導電性材料で形成し、こ
れをグランドパターンに接続すれば、放熱構造とグラン
ド強化および電磁シールド構造を同時に達成できる。
【００１０】
【実施例】以下、添付図面により実施例を説明するが、
同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略
する。
同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略
する。
【００１１】図１は、実施例に係る半導体装置（ＩＣパ
ッケージ）に用いられるリードフレームと、半導体チッ
プおよびモールド樹脂の相互関係を平面図で示してい
る。図１の通り、矩形のダイパッド１１からは上下方向
に２本づつの放熱用リードピン１２ａ〜１２ｄが延び、
先端は上下のフレーム本体１０ａ，１０ｂで支持されて
いる。ダイパッド１１の左右には４本づつの電極用リー
ドピン１３ａ〜１３ｈが延びて放熱用リードピン１２ａ
〜１２ｄと直交する方向に配列され、タイバー１４ａ，
１４ｂによって４本づつフレーム本体１０ａ，１０ｂに
支持されている。なお、上記のリードフレームの各要素
は１枚の金属板を型抜き加工することで作製される。
ッケージ）に用いられるリードフレームと、半導体チッ
プおよびモールド樹脂の相互関係を平面図で示してい
る。図１の通り、矩形のダイパッド１１からは上下方向
に２本づつの放熱用リードピン１２ａ〜１２ｄが延び、
先端は上下のフレーム本体１０ａ，１０ｂで支持されて
いる。ダイパッド１１の左右には４本づつの電極用リー
ドピン１３ａ〜１３ｈが延びて放熱用リードピン１２ａ
〜１２ｄと直交する方向に配列され、タイバー１４ａ，
１４ｂによって４本づつフレーム本体１０ａ，１０ｂに
支持されている。なお、上記のリードフレームの各要素
は１枚の金属板を型抜き加工することで作製される。
【００１２】半導体チップに回路素子を集積化させたＩ
Ｃチップ２０はダイパッド１１にダイボンディングさ
れ、このダイパッド１１の電極パッドと電極用リードピ
ン１３ａ〜１３ｈのインナーリード部は、ボンディング
ワイヤ５ａ〜５ｈにより電気的に接続される。そしてダ
イパッド１１およびＩＣチップ２０の全部と、放熱用リ
ードピン１２ａ〜１２ｄおよび電極用リードピン１３ａ
〜１３ｈのインナーリード部は、矩形のモールド樹脂３
０により一体化される。
Ｃチップ２０はダイパッド１１にダイボンディングさ
れ、このダイパッド１１の電極パッドと電極用リードピ
ン１３ａ〜１３ｈのインナーリード部は、ボンディング
ワイヤ５ａ〜５ｈにより電気的に接続される。そしてダ
イパッド１１およびＩＣチップ２０の全部と、放熱用リ
ードピン１２ａ〜１２ｄおよび電極用リードピン１３ａ
〜１３ｈのインナーリード部は、矩形のモールド樹脂３
０により一体化される。
【００１３】図２は、樹脂モールド成型の後に、リード
フレームの不要部分（フレーム本体１０ａ，１０ｂおよ
びタイバー１４ａ，１４ｂ）を切断して除去した後の平
面図である。なお、モールド樹脂３０の内部は点線にて
示してある。図示の通り、モールド樹脂３０は矩形状を
なし、縦方向の両側面からは電極用リードピン１３ａ〜
１３ｈが４本づつ、左右の方向に突出している。また、
横方向の両側面からは放熱用リードピン１２ａ〜１２ｄ
が２本づつ、上下の方向に突出している。放熱用リード
ピン１２ａ〜１２ｄはダイパッド１１と一体に成形さ
れ、ＩＣチップ２０はダイパッド１１にダイボンディン
グされているので、ＩＣチップ２０の熱は放熱用リード
ピン１２ａ〜１２ｄに良好に伝達することがわかる。ま
た、電極用リードピン１３ａ〜１３ｈはそのインナーリ
ード部がＩＣチップ２０にワイヤボンディングされてい
るので、電源の供給や信号の入出力を好適に行なえるこ
とがわかる。
フレームの不要部分（フレーム本体１０ａ，１０ｂおよ
びタイバー１４ａ，１４ｂ）を切断して除去した後の平
面図である。なお、モールド樹脂３０の内部は点線にて
示してある。図示の通り、モールド樹脂３０は矩形状を
なし、縦方向の両側面からは電極用リードピン１３ａ〜
１３ｈが４本づつ、左右の方向に突出している。また、
横方向の両側面からは放熱用リードピン１２ａ〜１２ｄ
が２本づつ、上下の方向に突出している。放熱用リード
ピン１２ａ〜１２ｄはダイパッド１１と一体に成形さ
れ、ＩＣチップ２０はダイパッド１１にダイボンディン
グされているので、ＩＣチップ２０の熱は放熱用リード
ピン１２ａ〜１２ｄに良好に伝達することがわかる。ま
た、電極用リードピン１３ａ〜１３ｈはそのインナーリ
ード部がＩＣチップ２０にワイヤボンディングされてい
るので、電源の供給や信号の入出力を好適に行なえるこ
とがわかる。
【００１４】そこで、図３に示すように、放熱用リード
ピン１２ａ〜１２ｄと電極用リードピン１３ａ〜１３ｈ
を、アウターリード部の基部でそれぞれ反対方向に屈曲
させる。同図は平面図、正面図および右側面図である。
図示のように、放熱用リードピン１２ａ〜１２ｄはアウ
ターリードの基部で上方に屈曲され、その先端は反対方
向に屈曲されて外方に突出される。電極用リードピン１
３ａ〜１３ｈはアウターリードの基部で下方に屈曲さ
れ、その先端は反対方向に屈曲されて外方に突出され
る。そして、放熱用リードピン１２ａ〜１２ｄと電極用
リードピン１３ａ〜１３ｈの先端部は、それぞれ同一の
平面上において、全てリードフレームの面方向と平行に
なっている。
ピン１２ａ〜１２ｄと電極用リードピン１３ａ〜１３ｈ
を、アウターリード部の基部でそれぞれ反対方向に屈曲
させる。同図は平面図、正面図および右側面図である。
図示のように、放熱用リードピン１２ａ〜１２ｄはアウ
ターリードの基部で上方に屈曲され、その先端は反対方
向に屈曲されて外方に突出される。電極用リードピン１
３ａ〜１３ｈはアウターリードの基部で下方に屈曲さ
れ、その先端は反対方向に屈曲されて外方に突出され
る。そして、放熱用リードピン１２ａ〜１２ｄと電極用
リードピン１３ａ〜１３ｈの先端部は、それぞれ同一の
平面上において、全てリードフレームの面方向と平行に
なっている。
【００１５】図４は、図３のＩＣパッケージを用いた半
導体装置組立体の構造を示す。４本の放熱用リードピン
１２ａ〜１２ｄの先端部には、放熱板６１が半田などで
固定されている。放熱板６１の上面には３本の放熱フィ
ン６２ａ〜６２ｃを有し、これらによってヒートシンク
が構成される。８本の電極用リードピン１３ａ〜１３ｈ
の先端部には、配線パターン（図示せず）を有する配線
基板７が半田などで固定されている。そして、配線基板
７と放熱板６１の間には、図中で二点鎖線により説明す
るように、樹脂８が封入されて固化されている。この封
入樹脂８は熱伝導性の良好なものが望ましく、これによ
り、放熱フィン６２は配線基板７に緊密に固定される。
導体装置組立体の構造を示す。４本の放熱用リードピン
１２ａ〜１２ｄの先端部には、放熱板６１が半田などで
固定されている。放熱板６１の上面には３本の放熱フィ
ン６２ａ〜６２ｃを有し、これらによってヒートシンク
が構成される。８本の電極用リードピン１３ａ〜１３ｈ
の先端部には、配線パターン（図示せず）を有する配線
基板７が半田などで固定されている。そして、配線基板
７と放熱板６１の間には、図中で二点鎖線により説明す
るように、樹脂８が封入されて固化されている。この封
入樹脂８は熱伝導性の良好なものが望ましく、これによ
り、放熱フィン６２は配線基板７に緊密に固定される。
【００１６】図５は、放熱板６１が４本の支持棒９ａ〜
９ｄで配線基板７に固定されている点で、図４と異なっ
ている。なお、図中では支持棒９ａ〜９ｄは「ボルト」
として描いてあるが、固定のための部材であれば、ピ
ン、棒体等の種々の態様が可能である。この例では、放
熱板６１が支持棒９ａ〜９ｄで強固に固定できる効果が
あるが、更に、図４と同様に樹脂８を注入して固化させ
てもよい。図中では、樹脂８は二点鎖線で示してある。
９ｄで配線基板７に固定されている点で、図４と異なっ
ている。なお、図中では支持棒９ａ〜９ｄは「ボルト」
として描いてあるが、固定のための部材であれば、ピ
ン、棒体等の種々の態様が可能である。この例では、放
熱板６１が支持棒９ａ〜９ｄで強固に固定できる効果が
あるが、更に、図４と同様に樹脂８を注入して固化させ
てもよい。図中では、樹脂８は二点鎖線で示してある。
【００１７】図６は、本発明の別の実施例のＩＣパッケ
ージを示している。そして、図３と異なる点は、ＩＣチ
ップ２０のグランド用電極パッドとダイパッド１１と
が、２本のボンディングワイヤ４ｉ，４ｊにより電気的
に接続されていることである。この場合には、放熱用リ
ードピン１２ａ〜１２ｄはグランド端子としての役割を
持つ。したがって、放熱板６１と支持棒９ａ〜９ｄを導
電性の金属などで形成し、支持棒９ａ〜９ｄのいずれか
を配線基板７上の図示しない配線パターン（メタライズ
されたパターン）と接続すれば、グランド強化と電磁シ
ールドのための構造が、放熱のための構造と共に達成さ
れる。
ージを示している。そして、図３と異なる点は、ＩＣチ
ップ２０のグランド用電極パッドとダイパッド１１と
が、２本のボンディングワイヤ４ｉ，４ｊにより電気的
に接続されていることである。この場合には、放熱用リ
ードピン１２ａ〜１２ｄはグランド端子としての役割を
持つ。したがって、放熱板６１と支持棒９ａ〜９ｄを導
電性の金属などで形成し、支持棒９ａ〜９ｄのいずれか
を配線基板７上の図示しない配線パターン（メタライズ
されたパターン）と接続すれば、グランド強化と電磁シ
ールドのための構造が、放熱のための構造と共に達成さ
れる。
【００１８】上記の実施例については、種々の態様での
具体化が可能である。例えば、ＩＣチップ２０はＳｉチ
ップでもＧａＡｓチップでもよく、搭載される電子回路
の種類も問題にならない。リードフレームはＣｕ（銅）
あるいは４．２アロイ製など、熱伝導製の良好な材料製
であれば、各種のものを用い得る。またボンディングワ
イヤもＡｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）などを用いる
ことができ、放熱板６１および放熱フィン６２からなる
ヒートシンクについては、Ａｌなどの他、下面にＮｉ／
Ｃｒ／Ａｕメッキを施した真ちゅう製のものが利用でき
る。
具体化が可能である。例えば、ＩＣチップ２０はＳｉチ
ップでもＧａＡｓチップでもよく、搭載される電子回路
の種類も問題にならない。リードフレームはＣｕ（銅）
あるいは４．２アロイ製など、熱伝導製の良好な材料製
であれば、各種のものを用い得る。またボンディングワ
イヤもＡｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）などを用いる
ことができ、放熱板６１および放熱フィン６２からなる
ヒートシンクについては、Ａｌなどの他、下面にＮｉ／
Ｃｒ／Ａｕメッキを施した真ちゅう製のものが利用でき
る。
【００１９】配線基板７にＩＣパッケージとヒートシン
クを実装する際には、例えば次のようにすればよい。す
なわち、まず、配線基板７の表面のパッド部（１３ａ〜
１３ｈの接続部）以外を、ポリイミドなどの絶縁性樹脂
でコーティングしておく。次に、半田などを用いてＩＣ
パッケージを配線基板７に実装し、更に半田などで放熱
板６１を実装する。その後、例えばＡｇ（銀）フィラー
入りのエポキシ樹脂の如き熱伝導性の高い樹脂を導入
し、硬化させる。これにより、放熱が良好で電磁シール
ドにも優れ、しかも機械的にも強固な構造を実現でき
る。
クを実装する際には、例えば次のようにすればよい。す
なわち、まず、配線基板７の表面のパッド部（１３ａ〜
１３ｈの接続部）以外を、ポリイミドなどの絶縁性樹脂
でコーティングしておく。次に、半田などを用いてＩＣ
パッケージを配線基板７に実装し、更に半田などで放熱
板６１を実装する。その後、例えばＡｇ（銀）フィラー
入りのエポキシ樹脂の如き熱伝導性の高い樹脂を導入
し、硬化させる。これにより、放熱が良好で電磁シール
ドにも優れ、しかも機械的にも強固な構造を実現でき
る。
【００２０】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り本発明では、
電極用リードピンの他に、ダイパッドに一体の放熱用リ
ードピンを設け、これらを互いに直交する方向に突出さ
せたので、一方の面で配線基板に接続されながら、他方
の面にヒートシンクを付設できる。そして、このヒート
シンクを介してＩＣチップのグランドをとることもでき
るので、放熱性に優れ、かつグランドも強化された構造
が実現できる。また、本発明によれば、ワイヤリング設
計の自由度を高め得る効果がある。
電極用リードピンの他に、ダイパッドに一体の放熱用リ
ードピンを設け、これらを互いに直交する方向に突出さ
せたので、一方の面で配線基板に接続されながら、他方
の面にヒートシンクを付設できる。そして、このヒート
シンクを介してＩＣチップのグランドをとることもでき
るので、放熱性に優れ、かつグランドも強化された構造
が実現できる。また、本発明によれば、ワイヤリング設
計の自由度を高め得る効果がある。
【図１】実施例に係るリードフレームを示す図。
【図２】実施例に係るＩＣパッケージの平面図。
【図３】実施例に係るＩＣパッケージの平面図、正面図
および側面図。
および側面図。
【図４】図３のＩＣパッケージを用いた組立体の平面
図、正面図および側面図。
図、正面図および側面図。
【図５】図３のＩＣパッケージを用いた組立体の平面
図、正面図および側面図
図、正面図および側面図
【図６】別のＩＣパッケージの平面図。
１０ａ，１０ｂ…フレーム本体、１１…ダイパッド、１
２ａ〜１２ｈ…放熱用リードピン、１３ａ〜１３ｄ…電
極用リードピン、２０…ＩＣチップ、３０…モールド樹
脂、５ａ〜５ｊ…ボンディングワイヤ、６１…放熱板、
６２ａ〜６２ｃ…放熱フィン、７…配線基板、８…封入
樹脂、９ａ〜９ｄ…支持棒。
２ａ〜１２ｈ…放熱用リードピン、１３ａ〜１３ｄ…電
極用リードピン、２０…ＩＣチップ、３０…モールド樹
脂、５ａ〜５ｊ…ボンディングワイヤ、６１…放熱板、
６２ａ〜６２ｃ…放熱フィン、７…配線基板、８…封入
樹脂、９ａ〜９ｄ…支持棒。
Claims (5)
- 【請求項１】 リードフレームのダイパッドに半導体チ
ップをマウントし、複数のリードピンのアウターリード
部を外方に突出させてモールド成型されることによって
矩形の樹脂部材により一体化された半導体装置におい
て、 前記複数のリードピンは、インナーリード部がボンディ
ングワイヤを介して前記半導体チップと接続された複数
の電極用リードピンと、インナーリード部が前記ダイパ
ッドと一体に成型された複数の放熱用リードピンとを含
み、 前記複数の放熱用リードピンは、前記複数の電極用リー
ドピンが突出する前記矩形の樹脂部材の側面と直交する
側面から外方に突出していることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 前記複数の放熱用リードピンと前記複数
の電極用リードピンはそれぞれのアウターリード部が互
いに反対方向に屈曲され、前記複数の放熱用リードピン
の先端はヒートシンクに接続されている請求項１記載の
半導体装置。 - 【請求項３】 前記放熱用リードピンのインナーリード
部は前記半導体チップのグランド用電極パッドと接続さ
れ、前記ヒートシンクは導電性材料で形成されている請
求項２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体装置と、 表面に配線パターンが形成され、アウターリード部で屈
曲された前記複数の電極用リードピンの先端が当該配線
パターンに接続される配線基板と、 アウターリード部が前記複数の電極用リードピンとは反
対方向に屈曲された前記複数の放熱用リードピンの先端
に接続されるヒートシンクと、 前記ヒートシンクを前記配線基板に固定する固定部材と
を備えることを特徴とする半導体装置組立体。 - 【請求項５】 前記放熱用リードピンのインナーリード
部は前記半導体チップのグランド用電極パッドに接続さ
れ、前記ヒートシンクおよび前記固定部材は導電性材料
で形成され、前記固定部材は前記配線基板のグランド用
配線パターンに接続されている請求項４記載の半導体装
置組立体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6157663A JPH0832007A (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 半導体装置および半導体装置組立体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6157663A JPH0832007A (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 半導体装置および半導体装置組立体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0832007A true JPH0832007A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15654666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6157663A Pending JPH0832007A (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 半導体装置および半導体装置組立体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0832007A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6021670A (en) * | 1997-04-15 | 2000-02-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor acceleration detecting device with shock absorbing structure |
| JP2013210375A (ja) * | 2006-08-09 | 2013-10-10 | Seiko Epson Corp | 慣性センサ装置 |
| CN107131561A (zh) * | 2017-06-12 | 2017-09-05 | 广东美的暖通设备有限公司 | 空调器及其的电控板、空调器中电控板的防护工艺 |
-
1994
- 1994-07-08 JP JP6157663A patent/JPH0832007A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6021670A (en) * | 1997-04-15 | 2000-02-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor acceleration detecting device with shock absorbing structure |
| DE19745387B4 (de) * | 1997-04-15 | 2005-02-17 | Mitsubishi Denki K.K. | Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung |
| JP2013210375A (ja) * | 2006-08-09 | 2013-10-10 | Seiko Epson Corp | 慣性センサ装置 |
| CN107131561A (zh) * | 2017-06-12 | 2017-09-05 | 广东美的暖通设备有限公司 | 空调器及其的电控板、空调器中电控板的防护工艺 |
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