JPH08329538A - プローブ装置 - Google Patents

プローブ装置

Info

Publication number
JPH08329538A
JPH08329538A JP7155222A JP15522295A JPH08329538A JP H08329538 A JPH08329538 A JP H08329538A JP 7155222 A JP7155222 A JP 7155222A JP 15522295 A JP15522295 A JP 15522295A JP H08329538 A JPH08329538 A JP H08329538A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
microneedle
target
tip
vibration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7155222A
Other languages
English (en)
Inventor
Youbun Eki
幼文 易
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HP Inc
Original Assignee
Hewlett Packard Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hewlett Packard Co filed Critical Hewlett Packard Co
Priority to JP7155222A priority Critical patent/JPH08329538A/ja
Priority to US08/644,385 priority patent/US5751685A/en
Priority to EP96303453A priority patent/EP0745987A3/en
Publication of JPH08329538A publication Critical patent/JPH08329538A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
    • G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
    • G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
    • G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
    • G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
    • G11B9/1418—Disposition or mounting of heads or record carriers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
    • G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
    • G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
    • G11B9/1418—Disposition or mounting of heads or record carriers
    • G11B9/1427—Disposition or mounting of heads or record carriers with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other or for access to indexed parts without effectively imparting a relative movement
    • G11B9/1436—Disposition or mounting of heads or record carriers with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other or for access to indexed parts without effectively imparting a relative movement with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
    • G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
    • G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
    • G11B9/1418—Disposition or mounting of heads or record carriers
    • G11B9/1427—Disposition or mounting of heads or record carriers with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other or for access to indexed parts without effectively imparting a relative movement
    • G11B9/1436—Disposition or mounting of heads or record carriers with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other or for access to indexed parts without effectively imparting a relative movement with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other
    • G11B9/1454—Positioning the head or record carrier into or out of operative position or across information tracks; Alignment of the head relative to the surface of the record carrier
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q80/00—Applications, other than SPM, of scanning-probe techniques
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
    • Y10S977/86—Scanning probe structure
    • Y10S977/863—Atomic force probe
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
    • Y10S977/86—Scanning probe structure
    • Y10S977/873—Tip holder
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
    • Y10S977/86—Scanning probe structure
    • Y10S977/875—Scanning probe structure with tip detail

Landscapes

  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 プローブ先端の微小針とプローブ対象の表面
との接触による、該微小針の摩耗等による損傷を、解消
ないし大幅に低減することができるプローブ装置（特
に、メディア移動型メモリ装置の書込み／読出し機構と
して好適なプローブ装置）を提供する。 【構成】 先端に微小針４を有するカンチレバー形のプ
ローブ１と、微小針４とプローブ対象との間に電気信号
を加えるための電気回路７と、を有して成るプローブ装
置であって、前記プローブ１の先端部に、単位長あたり
のバネ定数がプローブ１の本体より小さいサスペンショ
ン部９が形成され、該サスペンション部９に微小針４が
形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プローブ先端の微小針
とプローブ対象の表面との接触による、該微小針の摩耗
等による損傷を、解消ないし大幅に低減する（すなわ
ち、微小針の摩耗寿命を格段に向上させる）ことができ
るプローブ装置に関し、特に、メディア移動型メモリ装
置の書込み／読出し機構として好適なプローブ装置に関
する。
【０００２】
【技術背景】従来、メディア移動型メモリ装置では、プ
ローブ先端の微小針と記録メディアとの距離を検出し、
かつこの距離が常に一定に保持されるように制御する技
術が提案されている（スリワに発行された米国特許５，
２１６，６３１号、および特開平４−２８９５８０号公
報参照）。
【０００３】しかし、スリワの制御技術では、微小針と
記録メディアとの距離を数Åに保持するために、複雑な
帰還回路が必要であり、しかもメディアの移動速度の高
速化が容易ではない。特に、記録メディアが導電体でな
い場合には、プローブ先端の微小針と記録メディアとの
距離を検出することは極めて困難である。
【０００４】記録密度を大きくするためには、一般に、
プローブ先端の微小針と記録メディアとの距離を、可能
な限り小さくすることが有利である。この点にのみ着目
すれば、微小針と記録メディアとを接触させることが望
ましい。しかし、単に微小針と記録メディアとを接触さ
せると、微小針と記録メディアとの双方が摩耗する。特
に、微小針の摩耗が深刻な問題であり、十分な針の寿命
が得られないとメモリ装置自体が短命化すると言った不
都合が生じる。
【０００５】このような不都合を解決するために、本発
明者（易）等は、先に、極めて小さい接触力で微小針を
記録メディアに接触させるプローブ技術を提案している
（特願平６−２７０２９７号明細書等参照）。これによ
り、微小針が記録メディアと接触している期間中は、接
触力が微小針材料の原子間結合力を越えないように制御
する（具体的には、数ｎＮの接触力で制御する）。この
技術は、プローブ先端の微小針と記録メディアとの距離
の検出、および複雑な帰還制御回路を必要とせずに、微
小針を摩耗寿命を格段に延ばすことができる。
【０００６】
【発明の目的】本発明の一つの目的は、上記の易等によ
る手法とは異なる手法を用いて、プローブ先端の微小針
とプローブ対象の表面との接触による、該微小針の摩耗
を大幅に低減できる（すなわち、微小針の摩耗寿命を格
段に向上させることができる）プローブ装置を提供する
ことである。また、本発明の他の目的は、書込み／読出
し機構として上記プローブ装置を用いた、メディア移動
型メモリ装置を提供することである。
【０００７】
【発明の概要】
（Ａ）微小針の摩耗は、プローブに加えられる外力、
微小針と基板との吸着 力および摩擦力、を小さくすることで低減することがで
きる。たとえば、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）技術では、
バネ定数の小さいプローブおよび微小針先端の曲率半径
が小さい針を用いることで、上記，の力を小さく
し、微小針の摩耗を極力低減している。本発明者は、微
小針の摩耗は、上記，の力のみならず、プローブ
と微小針の実効的な慣性力（あるいは、微小針に加えら
れる有効的な重量）、にも大きく依存することに着目し
た。
【０００８】そして、上記実効的な慣性力を小さくする
ために、微小針が形成された部分とプローブの本体部分
とを、単位長あたりのバネ定数がプローブの本体部分よ
り小さい部材を介して連結すれば、微小針の摩耗を更に
低減することができるとの知見を得た。
【０００９】また、特に、上記の慣性力は、水平方向の
走査速度の二乗に比例すると考えられる。したがって、
微小針を高速で走査すると、該微小針がプローブ対象
（試料）に衝突し、摩耗するする可能性が高くなる。こ
のため、ＡＦＭでは、走査速度はせいぜい数μｍ／ｓｅ
ｃである。また、メディア移動型メモリ装置において
は、ＡＦＭ以上の高速で走査することが希求されている
が、上記微小針の摩耗が障害となり、十分な走査速度が
得られていない。しかし、上記のように微小針の実効的
な慣性力を小さくすることができれば、走査速度を飛躍
的に向上させることができるとの知見も得た。
【００１０】（Ｂ）微小針とプローブ対象との間に電気
信号を加えるための電気回路を有するプローブ装置（た
とえば、メディア移動型メモリ装置におけるプローブ装
置）では、一般に、プローブ先端の微小針が、必ずしも
一定の接触力で接触する必要性はない。
【００１１】特に、メディア移動型メモリ装置では、プ
ローブが記録メディアに対して一定速度で相対的に移動
する。また、記録メディア表面に記録される１ビットの
記憶セルは、該記録メディア表面に一定のピッチで形成
される。したがって、前記電気回路がデータの書込み／
読出しを行うためには、前記微小針はメモリ媒体に周期
的アクセスできればよい。
【００１２】本発明者は、上記の事柄に着目し、微小針
がプローブ対象表面に常に接触するように、あるいは間
欠的に接触するように、プローブに所定周波数で振動を
加えれば、微小針の摩耗を大幅に減らすことができると
の知見を得た。
【００１３】しかも、特にメディア移動型メモリ装置に
あっては、微小針と記録メディアとを高速に相対移動さ
せることができる。また、プローブの振動周期と、微小
針のメモリ媒体に対するアクセスの周期とを同期させる
こともできるとの知見も得た。
【００１４】本発明のプローブ装置は、先端に微小針を
有するカンチレバー形のプローブと、前記微小針とプロ
ーブ対象との間に電気信号を加える（具体的には、プロ
ーブ対象に何らかの電気的な刺激を与える）ための電気
回路と、を有して成るものであって、前記プローブ先端
部に、単位長あたりのバネ定数が前記プローブの本体よ
り小さいサスペンション部が形成され、該サスペンショ
ン部に前記微小針が形成されて成ることを特徴とする
（以下、このプローブ装置を、「緩衝型プローブ装置」
と称する）。この緩衝型プローブ装置は、上記（Ａ）に
述べた知見に基づきなされたものである。
【００１５】緩衝型プローブ装置においては、前記サス
ペンション部として、たとえば前記プローブの本体の厚
さよりも薄い板材が用いられる。バネ定数が厚さの３乗
に比例するので、容易にバネ定数の低減ができるからで
ある。また、プローブの本体の厚さよりも薄い板状部分
を、折り返したもの（図５（Ｄ）参照）を使用すること
もできる。サスペンション部は板状のものに限定される
ものではなく、たとえばフレーム形状を成すもの、棒状
のものを用いることもできる。前記サスペンション部の
材料は、通常、プローブ本体の材料と同じものが用いら
れる。
【００１６】緩衝型プローブ装置においては、微小針と
プローブ対象との距離制御を行う回路（プローブ制御回
路）を設けることができる。この距離制御は、静電気力
または圧電力により行うことができる。静電気力により
上記の距離制御を行う場合、第１の電極を前記プローブ
に設け、第２の電極を前記プローブを支持している基板
とプローブ対象が存在する側の基板との少なくとも一方
に設けることができる。
【００１７】また、本発明のプローブ装置は、先端に微
小針を有するカンチレバー形のプローブと、前記微小針
とプローブ対象との間に電気信号を加えるための電気回
路とを有して成るものであって、所定周波数の振動を前
記プローブに加えるための加振制御回路を有して成るこ
とを特徴とする（以下、このプローブ装置を、「加振型
プローブ装置」と称する）。この加振型プローブ装置
は、上記（Ｂ）に述べた知見に基づきなされたものであ
る。
【００１８】前記プローブの周期的な振動は、静電気力
により生じさせることもできるし、圧電力により生じさ
せることができる。この振動を静電気力により生じさせ
るために、緩衝型プローブ装置において述べたと同様の
第１の電極および第２の電極が用いられる。そして、加
振制御回路（通常、プローブ制御回路に含まれる）によ
り、第１および第２の電極間に周期的に静電気力を生じ
させることで、プローブには前記所定周波数の振動が加
えられる。
【００１９】また、本発明のプローブ装置は、緩衝型プ
ローブ装置と加振型プローブ装置との複合したことをも
特徴とする（以下、このプローブ装置を、「緩衝／加振
型プローブ装置」と称する）。すなわち、緩衝／加振型
プローブ装置は、先端に微小針を有するカンチレバー形
のプローブと、前記微小針とプローブ対象との間に電気
信号を加えるための電気回路とを有して成るものであっ
て、前記プローブ先端部に、単位長あたりのバネ定数が
前記プローブの本体より小さいサスペンション部が形成
され、該サスペンション部に前記微小針が形成されて成
り、かつ、所定周波数の振動を前記プローブに加えるた
めの加振制御回路を有して成ることを特徴とする。
【００２０】上記の緩衝型、加振型、および緩衝／加振
型プローブ装置には、前記プローブと、前記プローブ対
象とを該プローブ対象表面に沿って相対的に移動させる
ためのプローブ走査機構を含めることができる。
【００２１】緩衝型プローブ装置においては、プローブ
制御回路は、通常、微小針を、該微小針が前記プローブ
対象に対して接触した状態で相対移動させる。前述した
ように、プローブ先端部の実効的な質量は小さいので、
微小針がプローブ対象表面の凹凸に衝突しても、微小針
の摩耗を防止ないし低減することができる。もちろん、
微小針を、該微小針がプローブ対象に対して接触しない
状態で相対移動させた場合にも、微小針がプローブ対象
表面の凹凸に衝突することがある。このようなときに
も、上記と同様微小針の摩耗を防止ないし低減ることが
できる。
【００２２】加振型プローブ装置または緩衝／加振型プ
ローブ装置においては、プローブ制御回路は、（ｉ）微
小針がプローブ対象に対して接触した状態で、前記プロ
ーブに振動を加えることもできるし、（ｉｉ）微小針が
プローブ対象に対して前記所定周波数で接触と非接触を
繰り返すように、前記プローブに振動を加えることもで
きる。
【００２３】（ｉ）の場合には、（１）微小針とプロー
ブ対象との接触力の平均値を低くすることができる、
（２）これに伴い微小針とプローブ対象表面の凹凸との
摩擦力を小さくすることができる、（３）プローブ対象
表面に水等の吸着層が存在している場合、吸着分子が微
小針とプローブ対象表面との間に入り込みやすく、該吸
着層の潤滑剤としての効果が高くなる、等の利点があ
る。（ｉｉ）の場合には、微小針がプローブ対象から離
れている期間中は、全く微小針の摩耗が生じない。した
がって、プローブ装置自体の寿命を大幅に延ばすことが
できる。
【００２４】加振型プローブ装置または緩衝／加振型プ
ローブ装置においては、微小針とプローブ対象との間に
加えられる電気信号（プローブ対象に与える電気的刺
激）は、プローブの振動と同期していてもよいし同期し
ていなくてもよい。上記（ｉｉ）の場合において、接触
針とプローブ対象とが離れ、その両者の距離が大きくな
ると、微小針がプローブ対象に電気的刺激を与えること
ができない場合も生じ得る。このような場合には、上記
の電気的刺激を与えるタイミングと微小針がプローブ対
象に近づく（あるいは、接触する）タイミングとの同期
をとる必要がある。
【００２５】緩衝型，加振型プローブ装置または緩衝／
加振型プローブ装置は、プローブ対象の表面の測定に用
いることもできる。また、これら各プローブ装置に、前
記走査機構を含めることにより、本発明をメディア移動
型メモリ装置の書込み／読出し機構に適用することがで
きる。この場合には、プローブ対象として、データの書
込みおよび読出しが可能な記録メディアが用いられ、前
記電気信号として、前記データの読出しまたは書込み用
の信号が用いられる。
【００２６】
【実施例】本発明の緩衝／加振型プローブ装置を、走査
型メモリ装置の書込み／読出し機構に適用した場合を例
に説明する。図１は、本発明の緩衝／加振型プローブ装
置の一構成例を示す図である。図１において、プローブ
支持基板２にカンチレバー形のプローブ１が、記録メデ
ィア３の表面上に迫り出して取り付けられている。プロ
ーブ１は、絶縁層１１の両面に導電層１２，１３が積層
された３層構造となっている。プローブ１先端には、プ
ローブ１の本体部の上部が削られた形状をなす肉薄のサ
スペンション部９が形成されている。このサスペンショ
ン部９の先端の導電層１２側には記録メディア３に向け
て微小針４が形成されている。また、プローブ１先端の
導電層１３側には大面積を持つ可動電極５１が、記録メ
ディア３の表面に平行に形成されている。
【００２７】記録メディア３は、記録層３１とメディア
電極層３２との２層構造となっており、記録層３１はプ
ローブ１側に位置している。記録層３１は強誘電体材料
からなり、メディア電極層３２は導電材料から成る。
【００２８】可動電極５１と、メディア電極層３２との
間には、ブローブ制御回路６が接続されている。このプ
ローブ制御回路６は、バイアス電源６１と変調電源６２
との直列回路を含んでいる。導電層１２とメディア電極
層３２との間（すなわち、微小針４とメディア電極層３
２との間）に、書込み／読出し用の電気回路７が接続さ
れている。図１の実施例では、プローブ支持基板２は静
止しており、記録メディア３がＸ−Ｙ方向に移動する。
この移動は、プローブ走査機構８により行われる。
【００２９】プローブ制御回路６により可動電極５１と
メディア電極層３２との間に所定電圧（変調電圧Ｖｍ）
が与えられる。このＶｍはパルス等の周期的な信号であ
り、可動電極５１とメディア電極層３２との間に静電引
力を一定の周期で生じさせる（すなわち、可動電極５１
には所定周波数の振動が加えられる）。変調電源６２が
発生する信号の周波数は、プローブ１の構成（形状、各
構成要素の素材等）により決定される。たとえば、該周
波数をプローブ１の共振周波数に一致させることができ
る。また、サスペンション部９は、プローブ１の本体部
分に対して、高い固有の共振周波数を持っている。した
がって、プローブ制御回路６により加えられる信号の周
波数と、この共振周波数とを一致させることもできる。
【００３０】図１の緩衝／加振型プローブ装置は、モノ
リシックシリコン積層技術を用いて製造することができ
る。本実施例では、プローブ１の長さＬは約４０μｍ、
幅Ｗは４μｍ、厚さＴは０．３μｍとした。また、可動
電極の長さＬＥおよび幅ＷＥは、それぞれ約５μｍと
し、微小針の径ＤＮおよび高さＨＮは、それぞれ１００
ｎｍとした。
【００３１】サスペンション部９による緩衝効果が小さ
い（図１ではサスペンション部９の長さが短い）と、プ
ローブ１本体の影響が大きく現れるためプローブ先端部
の実効的な慣性力は大きくなる。逆に、サスペンション
部による緩衝効果が大きい（図１ではサスペンション部
９の長さが長い）と、プローブ１全体を大きくせざるを
得なくなり、機械強度が低下する等の不都合を生じる。
このことを考慮して、本実施例では、サスペンション部
９の長さＬＳは２μｍ、厚さＴＳは０．１μｍとした。
【００３２】図２は緩衝／加振型プローブ装置の他の構
成例を示す図であり、図３は図２におけるＡ−Ａ方向断
面図である。図２，図３では、プローブ１側に、一対の
固定電極５２，５２と一つの固定電極５３とが設けられ
ている。この点で、図２のプローブ装置は図１のプロー
ブ装置と異なる。図２においても可動電極５１と、固定
電極５２，あるいは５３との間に周期的な信号を印加す
ることにより、プローブ１に振動が加えられる。
【００３３】固定電極５３は可動電極５１の上側（微小
針４が形成されていない側）に配置され、固定電極５２
は、可動電極５１の下側（微小針４が形成されている
側）に配置されている。ブローブ制御回路６は、可動電
極５１と、固定電極５２，５３とに接続されている。固
定電極５２と５３との間にはバイアス電源６３が接続さ
れ、可動電極５１と固定電極５３との間には、バイアス
電源６３のバイアスより小さい値のバイアスを発生する
バイアス電源６１と変調電源６２との直接回路が接続さ
れている。
【００３４】このプローブ１では、可動電極５１は、固
定電極５２と５３とから静電力を受けることができる。
したがって、可動電極５１を高い信頼性で制御すること
ができ、また可動電極５１の面積を図１と比較して小さ
くすることも可能である。
【００３５】なお、図１の緩衝／加振型プローブ装置で
は、プローブ１側に、図２の固定電極５３に相当する電
極を設けることができる。この場合、図２に示した構成
のプローブ制御回路６が使用される。また、図２の緩衝
／加振型プローブ装置では、固定電極５３を省略するこ
ともできる。この場合、図１に示した構成のプローブ制
御回路６が使用される。
【００３６】図４は緩衝／加振型プローブ装置ののさら
に他の構成例を示す図である。同図のプローブ装置は、
可動電極５１がプローブ１の中央寄りに配置されてい
る。本実施例では、微小針４は可動電極５１から離れて
いるので、プローブ１先端の実効的な慣性力は図１，図
２の場合と比べて小さい。
【００３７】図１のサスペンション部９に代えて種々の
構造のサスペンション部を採用することができる。図５
（Ａ）〜（Ｄ）は、サスペンション部の他の構成例を示
す図である。図５（Ａ）のサスペンション部９Ａは、プ
ローブ１の本体よりも薄く、かつ下側に突出して設けら
れている。メモリ装置のようにプローブ装置の周辺に種
々の回路を設ける場合には、微小針４とプローブ１本体
との距離を大きくとることが有利であり、上記サスペン
ション部９Ａが好適である。図５（Ｂ）のサスペンショ
ン部９Ｂは、図１に示したサスペンション部９の中央部
が取り除かれたフレーム形状を成している。図５（Ｂ）
では、サスペンション部９Ｂの厚さは、プローブ１の本
体の厚さよりも薄いが、鎖線で示すように、プローブ１
の本体の厚さと同じ厚さにしてもよい。
【００３８】図５（Ｃ）のサスペンション部９Ｃは、図
１に示したサスペンション部９の両側が取り除かれた棒
状を成している。図５（Ｃ）では、サスペンション部９
Ｃの厚さは、プローブ１の本体の厚さよりも薄いが、鎖
線で示すように、プローブ１の本体の厚さと同じ厚さに
してもよい。図５（Ｄ）のサスペンション部９Ｄは、プ
ローブ１の本体よりも薄い板状体が下側に折り返された
形状を成している。図５（Ｄ）では、短い長さで、記録
メディアから受ける力に対するたわみ量を大きくする
（微小針４の実効的な慣性力を小さくする）ことができ
る。
【００３９】以下、上記緩衝／加振型プローブ装置が適
用されたメディア移動型メモリ装置による、データの書
込み／読出しについて説明する。
【００４０】プローブ制御回路６の変調電源６２が駆動
することにより、プローブ１は振動を開始する。この振
動は、速やかに定常状態となる。この振動が定常状態に
移行までの時間は、プローブ１およびサスペンション部
９の長さ，厚さ，幅，材質等により決定されるが、通
常、該時間は極めて短い。なお、プローブ１の振動中心
はバイアス電源（図１のプローブ装置では６１、図２の
プローブ装置では６１，６３）の電源電圧に応じて決定
される。
【００４１】微小針４が記録メディア３に接触した状態
で、前記プローブ１が振動を加えられつつ走査される場
合を、図６（Ａ）〜（Ｄ）を参照して説明する。なお、
本実施例では、記録メディア３をプローブ１に対して等
速移動させている。
【００４２】図６（Ａ），（Ｂ）は、微小針２先端にプ
ローブ１を介して加えられる力Ｆｅと、微小針４先端の
接触力Ｆｃとの関係を、時間（ｔ）軸上に表した図であ
る。Ｆｅは、変調電源６２の信号波形と実質上同一であ
る。また、Ｆｃは、外力に対する抗力，吸着力（微小針
４の先端分子と記録メディアを形成する分子との分子間
引力），摩擦力，プローブの慣性力のベクトル和であ
る。
【００４３】ここに示す例では、Ｆｅは、図６（Ａ）に
示すように、僅かな期間中、ゼロより小さくなる。Ｆｅ
がゼロより小さい期間が存在しても、微小針は記録メデ
ィア３から離れることはなく、接触力Ｆｃの大きさは、
常にゼロより大きな値を持っている。図６（Ｃ）には、
時間の経過に対応する記録メディア３表面の様子を微小
針４と共に示してある。
【００４４】書込み／読出し用の電気回路により、記録
メディア３にパルスを印加する。図６（Ｄ）は書込み／
読出し用のパルスを、図６（Ａ）〜（Ｃ）に対応させて
示す図である。本実施例では、微小針４は記録メディア
表面に常に接触している。このため、書込み／読出しの
タイミングを、接触力Ｆｃが最も大きくなるタイミング
に一致させる必要はない。また、書込み／読出しの周期
は、プローブ１の振動周期より大きくてもよいし、小さ
くてもよい。もちろん、図６（Ｄ）に示すように、書込
み／読出しの周期をプローブの振動周期に同期させても
よいことは勿論である。
【００４５】特に、本実施例では、サスペンション部９
がプローブ１の本体と微小針４との間に介在している。
このサスペンション部９は、わずかな力に対しても大き
くたわむので、記録メディア３表面の凹凸に微小針４が
接触しても、該微小針４の摩耗は防止ないし低減され
る。
【００４６】微小針４がメディア媒体３に対して所定周
波数で接触と非接触とを繰り返す場合を参照して説明す
る図７（Ａ）〜（Ｄ）。なお、図７（Ａ）〜（Ｄ）は図
６（Ａ）〜（Ｄ）にそれぞれ対応しているので、図の説
明は省略する。また、図７におけるにおけるＦｅおよび
Ｆｃの定義も、図６におけるそれらの定義と同じである
ので説明は省略する。
【００４７】本実施例では、図７（Ａ）に示すように、
Ｆｅがゼロより小さくなる期間が長い間存在する。Ｆｅ
がゼロより小さくなる期間が長い間存在すると、微小針
は記録メディアから離れ、接触力Ｆｃの大きさが、ゼロ
となる期間が生じる。図７（Ｃ）に、参考として、微小
針４の軌跡を併記しておく。
【００４８】電気回路７により、記録メディア３に書込
み／読出しのためのパルスを与える場合、本実施例で
は、図７（Ｄ）に示すように書込み／読出しのタイミン
グを、接触力Ｆｃが最も大きくなるタイミングに同期さ
せてある。なお、上記プローブ装置では、書込み／読出
しの周期は、プローブ１の振動周期より大きくてもよい
し、小さくてもよい。微小針が記録媒体に接触していな
い期間中であっても書込み／読出しが可能である場合に
は、該書込み／読出しのタイミングに図７（Ｄ）に示す
タイミングには限定されない。
【００４９】さらに、上記緩衝／加振型プローブ装置で
は、走査速度（メモリ媒体の移動速度）を通常使用時の
倍にすることで、データの高速モード読み出しも可能で
ある。この実施例でもサスペンション部９は、わずかな
力に対しても大きくたわむので、記録メディア３表面の
凹凸に微小針４が接触しても、該微小針４の摩耗が防止
ないし低減される。
【００５０】以上、緩衝／加振型プローブ装置について
説明したが、緩衝型プローブ装置または加振型プローブ
装置を走査型メモリ装置の書込み／読出し機構に適用す
ることもできる。緩衝型プローブ装置を走査型メモリ装
置の書込み／読出し機構に用いる場合、書込み／読出し
は、微小針４が記録メディア３に常に接触した状態で、
あるいは常に接触しない状態で行われる。緩衝型プロー
ブ装置では、プローブ１に振動が加えられないようにも
でき、この場合には、プローブ制御回路には、変調電源
は設けられない。なお、微小針４がプローブ対象に常に
接触しない状態で行う書込み／読出しの場合、微小針４
と記録メディア３との距離は数Å程度である。距離制御
を行っているような場合には、応答遅れ等により、微小
針４が記録メディア３に接触する場合も生じる。このよ
うな場合にも、微小針４の摩耗が防止ないし低減され
る。
【００５１】加振型プローブ装置を走査型メモリ装置の
書込み／読出し機構に用いる場合、プローブ１の本体の
先端にサスペンション部９が形成しないようにもでき
る。プローブ１の本体の先端にはサスペンション部９が
形成しない場合であっても、加振型プローブ装置の構成
は、緩衝／加振型プローブ装置と同様である。変調電源
６２が発生する信号の周波数を、プローブ１の共振周波
数に一致させる場合、制御回路の駆動消費電流が少なく
て済む。なお、安定したプローブ１の振動を得るために
は、プローブ１の共振周波数よりも小さい周波数で振動
を加えることが好ましい。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば以
下の効果を奏することができる。プローブ先端の微小針
とプローブ対象の表面との接触による、該微小針の摩耗
を大幅に低減することができる。また、同じ摩耗を許容
するときは、従来比数倍のメディア表面の凹凸を許容で
きる。これにより、書込み／読出し機構として本発明の
プローブ装置を用いることで、微小針の摩耗寿命を飛躍
的に延ばすことができる。また、微小針とプローブ対象
の表面との距離検出を必要としないので、周辺回路が複
雑とならず、製造コストを低下でき、装置の小型化を図
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプローブ装置の一構成例を示す説明図
である。
【図２】本発明のプローブ装置の他の構成例を示す説明
図である。
【図３】図２のプローブ装置のＡ−Ａ方向断面図であ
る。
【図４】本発明のプローブ装置のさらに他の構成例を示
す図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｄ）は、サスペンション部の他の構
成例を示す図である。
【図６】本発明のプローブ装置おける、書込み／読出し
の一例を示す図である。
【図７】本発明のプローブ装置おける、書込み／読出し
の他の例を示す図である。
【符号の説明】
１ プローブ １１ 絶縁層 １２，１３ 導電層 ３ 記録メディア ３１ 記録層 ３２ メディア電極層 ４ 微小針 ５１ 可動電極 ５２，５３ 固定電極 ６ プローブ制御回路 ６１，６３ バイアス電源 ６２ 変調電源 ７ 電気回路 ８ プローブ走査機構 ９ サスペンション部

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 先端に微小針を有する、カンチレバー形
    のプローブと、 前記微小針とプローブ対象との間に電気信号を加えるた
    めの電気回路と、を有して成るプローブ装置であって、 前記プローブ先端部に、単位長あたりのバネ定数が前記
    プローブの本体より小さいサスペンション部が形成さ
    れ、該サスペンション部に前記微小針が形成されて成る
    ことを特徴とするプローブ装置。
  2. 【請求項２】 先端に微小針を有する、カンチレバー形
    のプローブと、 前記微小針とプローブ対象との間に電気信号を加えるた
    めの電気回路と、を有して成るプローブ装置であって、 所定周波数の振動を前記プローブに加えるための加振制
    御回路を有して成ることを特徴とするプローブ装置。
  3. 【請求項３】 先端に微小針を有する、カンチレバー形
    のプローブと、 前記微小針とプローブ対象との間に電気信号を加えるた
    めの電気回路と、を有して成るプローブ装置であって、 前記プローブ先端部に、単位長あたりのバネ定数が前記
    プローブの本体より小さいサスペンション部が形成さ
    れ、該サスペンション部に前記微小針が形成されて成
    り、かつ、所定周波数の振動を前記プローブに加えるた
    めの加振制御回路を有して成ることを特徴とするプロー
    ブ装置。
  4. 【請求項４】 前記プローブと、前記プローブ対象とを
    該プローブ対象表面に沿って相対的に移動させるための
    プローブ走査機構を含むことを特徴とする請求項１〜３
    に記載のプローブ装置。
  5. 【請求項５】 前記プローブ対象が、データの書込みお
    よび読出しが可能な記録メディアであり、 前記電気回路により、前記微小針と前記プローブ対象と
    の間に加えられる電気信号が、前記データの読出しまた
    は書込み用の信号であることを特徴とする請求項１〜４
    に記載のプローブ装置。
JP7155222A 1995-05-30 1995-05-30 プローブ装置 Pending JPH08329538A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7155222A JPH08329538A (ja) 1995-05-30 1995-05-30 プローブ装置
US08/644,385 US5751685A (en) 1995-05-30 1996-05-10 Probe for memory device having movable media
EP96303453A EP0745987A3 (en) 1995-05-30 1996-05-15 Probe for memory device with movable media

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7155222A JPH08329538A (ja) 1995-05-30 1995-05-30 プローブ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08329538A true JPH08329538A (ja) 1996-12-13

Family

ID=15601201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7155222A Pending JPH08329538A (ja) 1995-05-30 1995-05-30 プローブ装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5751685A (ja)
EP (1) EP0745987A3 (ja)
JP (1) JPH08329538A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7466644B2 (en) 2002-05-10 2008-12-16 Samsung Electronics Co., Ltd. High-speed, high-density data storage apparatus employing time-division-multiplexing technique, and data recording method and data reproducing method both using the apparatus

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09293283A (ja) * 1996-04-25 1997-11-11 Hewlett Packard Co <Hp> プローブ装置およびその製造方法、ならびにメディア移動型メモリ装置
FR2755224B1 (fr) * 1996-10-24 1998-12-04 Suisse Electronique Microtech Capteur a effet tunnel, notamment pour relever la topographie d'une surface
US7260051B1 (en) 1998-12-18 2007-08-21 Nanochip, Inc. Molecular memory medium and molecular memory integrated circuit
US6445106B1 (en) * 2000-02-18 2002-09-03 Intel Corporation Micro-electromechanical structure resonator, method of making, and method of using
DE60234367D1 (de) * 2001-09-10 2009-12-24 Pioneer Corp Dielektrizitätskonstantenmessvorrichtung und dielektrizitätskonstantenmessverfahren
JP4771324B2 (ja) * 2001-09-10 2011-09-14 パイオニア株式会社 誘電体情報装置、テープ状媒体記録再生装置及びディスク状媒体記録再生装置
US7765607B2 (en) * 2001-09-12 2010-07-27 Faris Sadeg M Probes and methods of making probes using folding techniques
KR100499125B1 (ko) * 2002-04-25 2005-07-04 삼성전자주식회사 커패시턴스 변화를 이용하는 정보 재생 장치 및 방법
JP4141745B2 (ja) * 2002-06-06 2008-08-27 康雄 長 誘電体記録再生ヘッド、誘電体記録媒体ユニット及び誘電体記録再生装置
JP4082947B2 (ja) * 2002-07-09 2008-04-30 パイオニア株式会社 記録再生ヘッド及びその製造方法
JP4017104B2 (ja) * 2002-07-09 2007-12-05 パイオニア株式会社 誘電体記録再生ヘッド及びトラッキング方法
JP3954456B2 (ja) * 2002-07-09 2007-08-08 パイオニア株式会社 ピックアップ装置
JP4098689B2 (ja) 2002-09-11 2008-06-11 康雄 長 誘電体再生装置、誘電体記録装置及び誘電体記録再生装置
JP3701268B2 (ja) * 2002-09-11 2005-09-28 康雄 長 誘電体記録装置、誘電体再生装置及び誘電体記録再生装置
US6982898B2 (en) * 2002-10-15 2006-01-03 Nanochip, Inc. Molecular memory integrated circuit utilizing non-vibrating cantilevers
US6985377B2 (en) * 2002-10-15 2006-01-10 Nanochip, Inc. Phase change media for high density data storage
US20040150472A1 (en) * 2002-10-15 2004-08-05 Rust Thomas F. Fault tolerant micro-electro mechanical actuators
US7233517B2 (en) * 2002-10-15 2007-06-19 Nanochip, Inc. Atomic probes and media for high density data storage
JP4141811B2 (ja) * 2002-11-18 2008-08-27 パイオニア株式会社 情報記録読取ヘッド
CN1784729A (zh) * 2003-05-01 2006-06-07 長康雄 记录/重放头和记录/重放装置
JP2005004890A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Yasuo Cho 針状部材を用いたデータ記録再生装置およびデータ記録再生方法
DK1647529T3 (da) * 2003-08-22 2015-12-21 Peroxychem Spain S L U Fremgangsmåde til oprensing af spildevand
JP4326007B2 (ja) 2003-08-25 2009-09-02 康雄 長 信号検出方法及び装置、並びに情報再生装置及び方法
JP4145773B2 (ja) * 2003-11-06 2008-09-03 パイオニア株式会社 情報記録再生装置および記録媒体
US7423954B2 (en) * 2003-12-17 2008-09-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Contact probe storage sensor pod
US7436753B2 (en) 2003-12-17 2008-10-14 Mejia Robert G Contact probe storage FET sensor
US7212487B2 (en) * 2004-01-07 2007-05-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Data readout arrangement
US7301887B2 (en) * 2004-04-16 2007-11-27 Nanochip, Inc. Methods for erasing bit cells in a high density data storage device
US7379412B2 (en) 2004-04-16 2008-05-27 Nanochip, Inc. Methods for writing and reading highly resolved domains for high density data storage
US20050232061A1 (en) * 2004-04-16 2005-10-20 Rust Thomas F Systems for writing and reading highly resolved domains for high density data storage
US7212488B2 (en) 2005-03-21 2007-05-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and device enabling capacitive probe-based data storage readout
US7463573B2 (en) 2005-06-24 2008-12-09 Nanochip, Inc. Patterned media for a high density data storage device
US7367119B2 (en) * 2005-06-24 2008-05-06 Nanochip, Inc. Method for forming a reinforced tip for a probe storage device
US7309630B2 (en) * 2005-07-08 2007-12-18 Nanochip, Inc. Method for forming patterned media for a high density data storage device
US8023393B2 (en) * 2007-05-10 2011-09-20 International Business Machines Corporation Method and apparatus for reducing tip-wear of a probe
US20090010144A1 (en) * 2007-07-02 2009-01-08 Seagate Technology Llc Transducer Assembly and Data Storage Apparatus Including the Transducer Assembly

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3706861A (en) * 1969-09-18 1972-12-19 Rca Corp Apparatus for mounting and spacing a signal transducer with respect to a recording medium
US3632900A (en) * 1969-12-31 1972-01-04 Ibm Magnetic transducer displacement control system
JPS57141040A (en) * 1981-02-24 1982-09-01 Toshiba Corp Recording and reproducing decive
DE3542279A1 (de) * 1984-11-30 1986-06-05 Canon K.K., Tokio/Tokyo Aufzeichnungs- und/oder wiedergabeverfahren fuer blochlinienspeicher
JPH029068A (ja) * 1988-06-27 1990-01-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 記録及び／又は再生方法
JP3030574B2 (ja) * 1990-08-16 2000-04-10 キヤノン株式会社 微小変位型情報検知探針素子及びこれを用いた走査型トンネル顕微鏡、原子間力顕微鏡、情報処理装置
US5216631A (en) * 1990-11-02 1993-06-01 Sliwa Jr John W Microvibratory memory device
CA2057619C (en) * 1990-12-17 1997-08-19 Takayuki Yagi Cantilever probe and apparatus using the same
JPH04345928A (ja) * 1991-05-24 1992-12-01 Sony Corp 記録媒体ディスクのドライブ装置
EP0871165B1 (en) * 1991-07-17 2002-10-02 Canon Kabushiki Kaisha Information recording/reproducing apparatus and method for recording and/or reproducing information on information recording carrier by use of probe electrode
DE4211813C1 (en) * 1992-04-08 1993-06-09 Forschungszentrum Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De Electronic spacing regulation circuit for resonating test probe - provides piezoelectric position adjustment dependent on phase difference between detected oscillation and reference oscillation
US5400647A (en) * 1992-11-12 1995-03-28 Digital Instruments, Inc. Methods of operating atomic force microscopes to measure friction
US5308974B1 (en) * 1992-11-30 1998-01-06 Digital Instr Inc Scanning probe microscope using stored data for vertical probe positioning
JP3073616B2 (ja) * 1992-12-24 2000-08-07 キヤノン株式会社 マルチプローブを具備する情報処理装置
JPH0763999A (ja) * 1993-08-27 1995-03-10 Canon Inc 静電アクチュエータ、該静電アクチュエータを備えたアクチュエータアレイ、光偏向器および情報処理装置
JP3162883B2 (ja) * 1993-09-29 2001-05-08 キヤノン株式会社 情報記録再生装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7466644B2 (en) 2002-05-10 2008-12-16 Samsung Electronics Co., Ltd. High-speed, high-density data storage apparatus employing time-division-multiplexing technique, and data recording method and data reproducing method both using the apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
EP0745987A3 (en) 1997-02-26
EP0745987A2 (en) 1996-12-04
US5751685A (en) 1998-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08329538A (ja) プローブ装置
JP3162883B2 (ja) 情報記録再生装置
JP3157840B2 (ja) 新規なカンチレバー構造
JPH0534748B2 (ja)
JP3029916B2 (ja) 情報処理装置
JP3412856B2 (ja) 情報処理装置及びこれに用いるデバイス
JP2003065935A (ja) 非接触原子間力顕微鏡、磁気力顕微鏡、および静電気力顕微鏡
JP4095125B2 (ja) メモリー装置
JPH09265738A (ja) ヘッド支持機構及び情報記録装置
JP3126527B2 (ja) 情報処理装置
JP3023728B2 (ja) プローブ構造体、記録装置、情報検出装置、再生装置及び記録再生装置
JP4054049B2 (ja) 強誘電性情報保存装置及び情報保存／再生方法
JP4097632B2 (ja) マルチプローブストレージ装置
JPH06251436A (ja) 探針の位置制御装置及び方法及びこれを用いた情報記録再生装置、走査型プローブ顕微鏡、リソグラフィー装置
JP3118654B2 (ja) 情報処理装置及び走査型トンネル電子顕微鏡
JPH0540968A (ja) 記録及び／又は再生装置
JPH08287532A (ja) 情報処理装置
JP4111655B2 (ja) 情報記録再生装置及び情報再生装置
JPH07110969A (ja) 面合わせ方法，位置制御機構および該機構を有する情報処理装置
JPH08161778A (ja) 情報処理装置
JPH07211035A (ja) 磁気記録再生装置。
JP2839894B2 (ja) 磁気記録装置
Davidson MEMS-actuated magnetic probe-based storage
KR20010065252A (ko) 초미세 탐침형 픽업 소자 및 그 제조방법
JPH04355232A (ja) プローブユニット及びこれを使用する情報記録及び／又は再生装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060706

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20061002

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20061005

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070308