JPH0833342B2 - 金属組識の検査方法 - Google Patents
金属組識の検査方法Info
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- JPH0833342B2 JPH0833342B2 JP63288356A JP28835688A JPH0833342B2 JP H0833342 B2 JPH0833342 B2 JP H0833342B2 JP 63288356 A JP63288356 A JP 63288356A JP 28835688 A JP28835688 A JP 28835688A JP H0833342 B2 JPH0833342 B2 JP H0833342B2
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- JP
- Japan
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- illumination light
- light
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Investigating And Analyzing Materials By Characteristic Methods (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は顕微鏡を用いた金属組織の検査方法に関し、
さらに詳しくは例えば合金組織のなかに含まれる特定の
成分の面積率を検出するのに好適な検査方法に関する。
さらに詳しくは例えば合金組織のなかに含まれる特定の
成分の面積率を検出するのに好適な検査方法に関する。
従来の技術 例えばアルミニウム合金の表面組織のなかからSi（シ
リコン）結晶部の析出面積率を検出する方法として第９
図に示すような方法がある。
リコン）結晶部の析出面積率を検出する方法として第９
図に示すような方法がある。
これは定盤１上にセットされた試料２に対し、落射式
顕微鏡３の鏡筒４および対物レンズ５を通してハーフミ
ラー６で反射した内部照明光源７の照明光L1を照射する
一方、対物レンズ５がとらえた試料２の表面組織をハー
フミラー６を通して二次元の固体撮像素子（例えばCCD
等）型のカメラ８で撮像する。そして、カメラ８がとら
えた画像を画像処理装置９にて所定のレベルで明暗二値
化し、前述したSi結晶部に相当するところの明部の面積
を演算して求めることにより、Si結晶部の析出面接率が
得られる。
顕微鏡３の鏡筒４および対物レンズ５を通してハーフミ
ラー６で反射した内部照明光源７の照明光L1を照射する
一方、対物レンズ５がとらえた試料２の表面組織をハー
フミラー６を通して二次元の固体撮像素子（例えばCCD
等）型のカメラ８で撮像する。そして、カメラ８がとら
えた画像を画像処理装置９にて所定のレベルで明暗二値
化し、前述したSi結晶部に相当するところの明部の面積
を演算して求めることにより、Si結晶部の析出面接率が
得られる。
すなわち、第３図にも示すように試料２の表面は一旦
平滑に仕上げたのちにエッチングを施すことにより、Si
結晶部10の露出面は鏡面に近い平滑面のままであるのに
対してAl共晶層11はエッチングにより荒らされて粗面と
なっている。したがって、内部照明光L1を試料２の表面
に照射すると、Al共晶層11では粗面のために乱反射して
反射光のごく一部が対物レンズ５側に入射するのに対
し、Si結晶部10では平滑面であるために照射光が正反射
して反射光の大部分が対物レンズ５側に入射することに
なる。つまり、前述した二値化画像では正反射光の強い
部分がSi結晶部10として認識されて抽出されることにな
る。
平滑に仕上げたのちにエッチングを施すことにより、Si
結晶部10の露出面は鏡面に近い平滑面のままであるのに
対してAl共晶層11はエッチングにより荒らされて粗面と
なっている。したがって、内部照明光L1を試料２の表面
に照射すると、Al共晶層11では粗面のために乱反射して
反射光のごく一部が対物レンズ５側に入射するのに対
し、Si結晶部10では平滑面であるために照射光が正反射
して反射光の大部分が対物レンズ５側に入射することに
なる。つまり、前述した二値化画像では正反射光の強い
部分がSi結晶部10として認識されて抽出されることにな
る。
発明が解決しようとする課題 しかしながら従来の方法においては、反射光の明るさ
の違いから平滑面であるところのSi結晶部10を抽出する
方式であるため、エッチングにより腐食した部分が必ず
しも粗面とはならずに偶然に平滑面に近い状態になるよ
うなことがあるとSi結晶部10とAl共晶層11とを明確に区
別できないことになる。したがって、Si結晶部10を抽出
するのに最適しきい値を設定することがきわめて困難で
検出誤差が生じやすい。しかも、従来の方法では外光の
影響を受けやすく、これが上記の検出誤差を一段と大き
くする一因となっている。
の違いから平滑面であるところのSi結晶部10を抽出する
方式であるため、エッチングにより腐食した部分が必ず
しも粗面とはならずに偶然に平滑面に近い状態になるよ
うなことがあるとSi結晶部10とAl共晶層11とを明確に区
別できないことになる。したがって、Si結晶部10を抽出
するのに最適しきい値を設定することがきわめて困難で
検出誤差が生じやすい。しかも、従来の方法では外光の
影響を受けやすく、これが上記の検出誤差を一段と大き
くする一因となっている。
本発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、そ
の目的とするところは、照明条件が異なる三種類の画像
から、相互に重複する部分のみを例えば組織の平滑面と
して抽出することで精度の向上を図った検査方法を提供
するものである。
の目的とするところは、照明条件が異なる三種類の画像
から、相互に重複する部分のみを例えば組織の平滑面と
して抽出することで精度の向上を図った検査方法を提供
するものである。
課題を解決するための手段 本発明は、試料表面の粗面部と平滑面との光反射特性
の相違に基づいて表面組織の特定の成分を抽出して検査
する方法であって、試料に対し顕微鏡の対物レンズを通
して内部照明光を照射するとともに試料表面と所定角度
をなす斜め方向から外部照明光を照射し、内部照明光と
外部照明光の双方を照射した場合と内部照射光のみを照
射した場合、および外部照明光のみを照射した場合のそ
れぞれについて、対物レンズがとらえた試料の表面組織
を撮像装置で撮像し、内部照明光照射時の画像と内外部
照明光同時照射時の画像とを比較して双方の画像のうち
明るさの差のない明部を表面組織の特定の成分の領域と
して抽出して明暗反転した上で明確二値化するととも
に、外部照明光照射時の画像を明暗二値化して特定の成
分の領域を抽出し、二つの二値化画像を合成して各二値
化画像から抽出した領域が相互に重複する部分のみを特
定成分の真の領域として抽出することを特徴としてい
る。
の相違に基づいて表面組織の特定の成分を抽出して検査
する方法であって、試料に対し顕微鏡の対物レンズを通
して内部照明光を照射するとともに試料表面と所定角度
をなす斜め方向から外部照明光を照射し、内部照明光と
外部照明光の双方を照射した場合と内部照射光のみを照
射した場合、および外部照明光のみを照射した場合のそ
れぞれについて、対物レンズがとらえた試料の表面組織
を撮像装置で撮像し、内部照明光照射時の画像と内外部
照明光同時照射時の画像とを比較して双方の画像のうち
明るさの差のない明部を表面組織の特定の成分の領域と
して抽出して明暗反転した上で明確二値化するととも
に、外部照明光照射時の画像を明暗二値化して特定の成
分の領域を抽出し、二つの二値化画像を合成して各二値
化画像から抽出した領域が相互に重複する部分のみを特
定成分の真の領域として抽出することを特徴としてい
る。
作用 この方法によるた、照明条件が異なれば、たとえ同一
対象物を撮像したとしても反射光量の変動のために各画
像から抽出した特定成分の領域は少しずつ異なる。そこ
で例えば金属組織の平滑面に対応する領域について、内
部照明光照射時の画像と内外部照明光同時照射時の画像
とを比較して双方の画像のうち明るさの差のない部分、
すなわち検査すべき金属組織が例えばアルミニウム合金
である場合に、Si結晶部は上記二照射条件においても明
度に変化はないが、Al共晶層は双方の照射条件で明度が
変化することに着目して、Si結晶部を抽出するべく、明
るさの差のない明部を表面組織の特定の成分の領域とし
て抽出して明暗反転した上で明暗二値化する。同様に外
部照明光照射時の画像を明暗二値化して特定の成分の領
域を抽出する。そして、二つの二値化画像を合成して各
二値化画像から抽出した領域が相互に重複する部分のみ
を真の平滑面領域として抽出することでその抽出誤差が
小さくなる。
対象物を撮像したとしても反射光量の変動のために各画
像から抽出した特定成分の領域は少しずつ異なる。そこ
で例えば金属組織の平滑面に対応する領域について、内
部照明光照射時の画像と内外部照明光同時照射時の画像
とを比較して双方の画像のうち明るさの差のない部分、
すなわち検査すべき金属組織が例えばアルミニウム合金
である場合に、Si結晶部は上記二照射条件においても明
度に変化はないが、Al共晶層は双方の照射条件で明度が
変化することに着目して、Si結晶部を抽出するべく、明
るさの差のない明部を表面組織の特定の成分の領域とし
て抽出して明暗反転した上で明暗二値化する。同様に外
部照明光照射時の画像を明暗二値化して特定の成分の領
域を抽出する。そして、二つの二値化画像を合成して各
二値化画像から抽出した領域が相互に重複する部分のみ
を真の平滑面領域として抽出することでその抽出誤差が
小さくなる。
実施例 第１図〜第７図は本発明の一実施例を示す図であっ
て、検査装置の具体的構成としては第２図に示すように
試料２に対し斜め方向から照射光L2を照射する外部照明
光源12を備えている点で第９図のものと異なっている。
て、検査装置の具体的構成としては第２図に示すように
試料２に対し斜め方向から照射光L2を照射する外部照明
光源12を備えている点で第９図のものと異なっている。
先ず第２図および第３図に示めすように内部照明光源
７のみを点灯させてその内部照明光L1を対物レンズ５を
通して試料２の表面に照射する。この時、Al共晶層11で
は前述したようにエッチングにより粗面となっているた
めに内部照明光L1が乱反射して反射光のごく一部が対物
レンズ５側に入射する。一方、Si結晶部10ではその表面
が鏡面に近い平滑面となっているために内部照明光L1が
正反射して反射光の大部分が明るさとして対物レンズ５
側に入射する。
７のみを点灯させてその内部照明光L1を対物レンズ５を
通して試料２の表面に照射する。この時、Al共晶層11で
は前述したようにエッチングにより粗面となっているた
めに内部照明光L1が乱反射して反射光のごく一部が対物
レンズ５側に入射する。一方、Si結晶部10ではその表面
が鏡面に近い平滑面となっているために内部照明光L1が
正反射して反射光の大部分が明るさとして対物レンズ５
側に入射する。
対物レンズ５側に戻ってくるAl共晶層11からの乱反射
光とSi結晶部10からの正反射光はそれぞれの物質の明る
さとしてカメラ８でとらえられ、第２図の画像処理装置
９の画像メモリに記憶される。画像の明るさはA/D変換
器により１画面を例えば256×240の画素に標本化し、64
段階の濃度レベルに量子化されている。
光とSi結晶部10からの正反射光はそれぞれの物質の明る
さとしてカメラ８でとらえられ、第２図の画像処理装置
９の画像メモリに記憶される。画像の明るさはA/D変換
器により１画面を例えば256×240の画素に標本化し、64
段階の濃度レベルに量子化されている。
続いて、照明光源の点灯状態を切り換えて、第２図お
よび第４図に示すように外部照明光源12のみを点灯させ
てその外部照明光L2を試料２の表面に対し所定角度θを
もって斜め方向から照射する。この時、Al共晶層11では
粗面であるために外部照明光L2が乱反射して反射光のご
く一部が対物レンズ５側に明るさとして戻ってくる。一
方、Si結晶部10では平滑面であるために外部照明光L2が
入射角θと等しい角度で正反射し、したがってその正反
射光は対物レンズ５側にはほとんど戻ってこない。そし
て、対物レンズ５側に戻ってくる反射光は第３図と同様
にカメラ８でとらえられて画像処理装置９の画像メモリ
に記憶される。
よび第４図に示すように外部照明光源12のみを点灯させ
てその外部照明光L2を試料２の表面に対し所定角度θを
もって斜め方向から照射する。この時、Al共晶層11では
粗面であるために外部照明光L2が乱反射して反射光のご
く一部が対物レンズ５側に明るさとして戻ってくる。一
方、Si結晶部10では平滑面であるために外部照明光L2が
入射角θと等しい角度で正反射し、したがってその正反
射光は対物レンズ５側にはほとんど戻ってこない。そし
て、対物レンズ５側に戻ってくる反射光は第３図と同様
にカメラ８でとらえられて画像処理装置９の画像メモリ
に記憶される。
次に、再度照明条件を換えるべく内部照明光源７と外
部照明光源12の双方を点灯させて第１図（Ａ）に示すよ
うに試料２の表面を照射する。この時、Al共晶層11およ
びSi結晶部10での反射状態は第３図と第４図の状態を合
成した状態、すなわち内部照明光７のみを照射した場合
と外部照明光12のみを照射した場合との合成状態となっ
ており、対物レンズ５側に戻ってくるAl共晶層11および
Si結晶部10からの反射光は、上記と同様にカメラ８でと
らえられて画像処理装置９の画像メモリに記憶される。
部照明光源12の双方を点灯させて第１図（Ａ）に示すよ
うに試料２の表面を照射する。この時、Al共晶層11およ
びSi結晶部10での反射状態は第３図と第４図の状態を合
成した状態、すなわち内部照明光７のみを照射した場合
と外部照明光12のみを照射した場合との合成状態となっ
ており、対物レンズ５側に戻ってくるAl共晶層11および
Si結晶部10からの反射光は、上記と同様にカメラ８でと
らえられて画像処理装置９の画像メモリに記憶される。
上記のように照明条件を変えて画像処理装置９に記憶
した三種類の画像は例えば第５図〜第７図のようにな
る。すなわち、第５図は内部照明光７のみを照射した場
合の画像を示しており、また第６図は外部照明光12のみ
を照射した場合の画像を示しており、さらに第７図は内
部照明光７と外部照明光12の双方を照射した場合の画像
を示している。
した三種類の画像は例えば第５図〜第７図のようにな
る。すなわち、第５図は内部照明光７のみを照射した場
合の画像を示しており、また第６図は外部照明光12のみ
を照射した場合の画像を示しており、さらに第７図は内
部照明光７と外部照明光12の双方を照射した場合の画像
を示している。
これら三種類の画像を比較すると明らかなように、第
５図および第７図では平滑面であるSi結晶部10からの正
反射光が対物レンズ５側に入射するために第５図および
第７図ではSi結晶部10が白色部分として表れているのに
対し、第６図ではSi結晶部10の正反射光が対物レンズ５
側にほとんど入射しないためにSi結晶部10は黒色部分と
して表れている。
５図および第７図では平滑面であるSi結晶部10からの正
反射光が対物レンズ５側に入射するために第５図および
第７図ではSi結晶部10が白色部分として表れているのに
対し、第６図ではSi結晶部10の正反射光が対物レンズ５
側にほとんど入射しないためにSi結晶部10は黒色部分と
して表れている。
したがって、第５図および第７図でSi結晶部10として
認識された白色部分と、第６図でSi結晶部10として認識
された黒色部分とが完全一致していれば問題はないので
あるが、上記各図から明らかなように反射特性の違いの
ために各画像上でSi結晶部10と認識された領域形状が少
しづつ異なっている。
認識された白色部分と、第６図でSi結晶部10として認識
された黒色部分とが完全一致していれば問題はないので
あるが、上記各図から明らかなように反射特性の違いの
ために各画像上でSi結晶部10と認識された領域形状が少
しづつ異なっている。
そこで、第１図（Ｂ）に示すように、画像処理装置９
に記憶されているところの内部照明光L1照射時の画像P1
と、内部照明光L1および外部照射光L2の双方照射時の画
像P3とを比較し、双方の画像P1,P3にて明るさの差のな
い部分をSi結晶部10として認識した上で白黒反転させ
る。つまり、双方の画像P1,P3を比較して、各画像P1,P3
上での白色部分のうち明度に差のない部分のみをSi結晶
部10として認識する。この場合において、前述したよう
にエッチングにより腐食したAl共晶層11に偶然に粗面で
ない平面部が存在すると、この平面部は平滑面であると
ころのSi結晶部10に類似した反射特性を呈するためにSi
結晶部10との区別がつかなくなる。その結果として、画
像P1とP3とを合成した画像P4上においても、なおも実際
にSi結晶部10でない部分がSi結晶部10として認識されて
いる可能性がある。
に記憶されているところの内部照明光L1照射時の画像P1
と、内部照明光L1および外部照射光L2の双方照射時の画
像P3とを比較し、双方の画像P1,P3にて明るさの差のな
い部分をSi結晶部10として認識した上で白黒反転させ
る。つまり、双方の画像P1,P3を比較して、各画像P1,P3
上での白色部分のうち明度に差のない部分のみをSi結晶
部10として認識する。この場合において、前述したよう
にエッチングにより腐食したAl共晶層11に偶然に粗面で
ない平面部が存在すると、この平面部は平滑面であると
ころのSi結晶部10に類似した反射特性を呈するためにSi
結晶部10との区別がつかなくなる。その結果として、画
像P1とP3とを合成した画像P4上においても、なおも実際
にSi結晶部10でない部分がSi結晶部10として認識されて
いる可能性がある。
そこで、合成画像P4を明暗二値化して二値化画像P5と
する一方で、外部照明光L2照射時の画像P2を明暗二値化
し、双方の画像P5とP6とを比較して各画像P5,P6上での
黒色部分のうち相互に重複している部分のみを画像P7上
でSi結晶部10の真の領域Ｅとして抽出して認識する。
する一方で、外部照明光L2照射時の画像P2を明暗二値化
し、双方の画像P5とP6とを比較して各画像P5,P6上での
黒色部分のうち相互に重複している部分のみを画像P7上
でSi結晶部10の真の領域Ｅとして抽出して認識する。
すなわち、外部照明光L2照射時の画像P2上では、Si結
晶部10は鏡面に近い状態にあるので照明光L2のほとんど
が正反射し、しかも照明光自体が斜め方向から照射であ
るのでSi結晶部10は黒色部分となって表れる。これに対
し、上記のようにAl共晶層11に粗面にならない平面部が
あった場合、Al共晶層11の平面部は金属であるためにSi
結晶部10よりも反射率が大きく、照明光L2を乱反射する
割合が高くなる。よって、Al共晶層11の平面部はSi結晶
部10よりも明るい白色部分として画像P2上に表れる。
晶部10は鏡面に近い状態にあるので照明光L2のほとんど
が正反射し、しかも照明光自体が斜め方向から照射であ
るのでSi結晶部10は黒色部分となって表れる。これに対
し、上記のようにAl共晶層11に粗面にならない平面部が
あった場合、Al共晶層11の平面部は金属であるためにSi
結晶部10よりも反射率が大きく、照明光L2を乱反射する
割合が高くなる。よって、Al共晶層11の平面部はSi結晶
部10よりも明るい白色部分として画像P2上に表れる。
したがって、この性質を利用して、二値化画像P5とP6
との間で黒色部分についての論理積をとることにより、
画像P7のようにSi結晶部10の真の領域Ｅのみが抽出され
ることになる。
との間で黒色部分についての論理積をとることにより、
画像P7のようにSi結晶部10の真の領域Ｅのみが抽出され
ることになる。
Si結晶部10の真の領域Ｅが抽出されると、画像処理装
置９は領域Ｅの面積を画素数として求めて、この画素数
と画面の総画素数との割合からSi結晶部10の析出面積率
を求めて出力することになる。
置９は領域Ｅの面積を画素数として求めて、この画素数
と画面の総画素数との割合からSi結晶部10の析出面積率
を求めて出力することになる。
第８図の実施例は試料22の円筒内周面22aを検査する
場合の例を示しており、対物レンズ25は鏡筒24の軸線に
対して直角に取り付けられる一方、図示外の外部照明光
源の照明光L12は光ファイバー27を通して内部照明光L11
と交差するように照射される。28はファイバーホルダ、
26は反射ミラー、29は外部照明光L12を旋回させるため
の軸部、30はセットビスである。画像処理の手順として
は先に説明した場合と同じであり、この実施例の場合に
も第１実施例と同様の作用効果が得られる。
場合の例を示しており、対物レンズ25は鏡筒24の軸線に
対して直角に取り付けられる一方、図示外の外部照明光
源の照明光L12は光ファイバー27を通して内部照明光L11
と交差するように照射される。28はファイバーホルダ、
26は反射ミラー、29は外部照明光L12を旋回させるため
の軸部、30はセットビスである。画像処理の手順として
は先に説明した場合と同じであり、この実施例の場合に
も第１実施例と同様の作用効果が得られる。
発明の効果 以上のように本発明方法によれば、内部照明光照射時
の画像と内外部照明光同時照射時の画像とを引隠して双
方の画像のうち明るさの差のない部分、すなわち検査す
べき金属組織が例えばアルミニウム合金である場合に、
Si結晶部は上記二照射条件においても明度に変化はない
が、Al共晶層は双方の照射条件で明度が変化することに
着目して、Si結晶部を抽出するべく、明るさの差のない
明部を表面組織の特定の成分の領域として抽出して明暗
反転した上で明暗二値化するとともに、外部照明光照射
時の画像を明暗二値化して特定の成分の領域を抽出し、
二つの二値化画像を合成して各二値化画像から抽出した
領域が相互に重複する部分のみを特定の成分の真の領域
として抽出するようにしたことにより、外光等の影響に
よる抽出誤差を少なくして精度の高い特定成分の抽出を
行え、検査結果の信頼性が向上する。
の画像と内外部照明光同時照射時の画像とを引隠して双
方の画像のうち明るさの差のない部分、すなわち検査す
べき金属組織が例えばアルミニウム合金である場合に、
Si結晶部は上記二照射条件においても明度に変化はない
が、Al共晶層は双方の照射条件で明度が変化することに
着目して、Si結晶部を抽出するべく、明るさの差のない
明部を表面組織の特定の成分の領域として抽出して明暗
反転した上で明暗二値化するとともに、外部照明光照射
時の画像を明暗二値化して特定の成分の領域を抽出し、
二つの二値化画像を合成して各二値化画像から抽出した
領域が相互に重複する部分のみを特定の成分の真の領域
として抽出するようにしたことにより、外光等の影響に
よる抽出誤差を少なくして精度の高い特定成分の抽出を
行え、検査結果の信頼性が向上する。
第１図（Ａ）は本発明の一実施例を示す図で第２図の内
部および外部照明光照射時の要部拡大図、第１図（Ｂ）
は特定成分の抽出時における画像処理過程の模式化した
フローチャート、第２図は本発明の一実施例を示すシス
テム全体の概略説明図、第３図は内部照明光照射時の要
部拡大図、第４図は外部照明光照射時の要部拡大図、第
５図は内部照明光照射時の画像例を示す説明図、第６図
は外部照明光照射時の画像例を示す説明図、第７図は内
部および外部照明光照射時の画像例を示す説明図、第８
図は本発明の他の実施例を示す要部拡大図、第９図は従
来の検査方法を説明するためのシステム全体の概略説明
図である。 2,22……試料、4,24……鏡筒、5,25……対物レンズ、７
……内部照明光源、８……カメラ、９……画像処理装
置、10……Si結晶部（平滑面）、11……Al共晶層（粗
面）、12……外部照明光源、L1,L11……内部照明光、
L2,L12……外部照明光。
部および外部照明光照射時の要部拡大図、第１図（Ｂ）
は特定成分の抽出時における画像処理過程の模式化した
フローチャート、第２図は本発明の一実施例を示すシス
テム全体の概略説明図、第３図は内部照明光照射時の要
部拡大図、第４図は外部照明光照射時の要部拡大図、第
５図は内部照明光照射時の画像例を示す説明図、第６図
は外部照明光照射時の画像例を示す説明図、第７図は内
部および外部照明光照射時の画像例を示す説明図、第８
図は本発明の他の実施例を示す要部拡大図、第９図は従
来の検査方法を説明するためのシステム全体の概略説明
図である。 2,22……試料、4,24……鏡筒、5,25……対物レンズ、７
……内部照明光源、８……カメラ、９……画像処理装
置、10……Si結晶部（平滑面）、11……Al共晶層（粗
面）、12……外部照明光源、L1,L11……内部照明光、
L2,L12……外部照明光。
Claims (1)
- 【請求項１】試料表面の粗面部と平滑面との光反射特性
の相違に基づいて表面組織の特定の成分を抽出して検査
する方法であって、 試料に対し顕微鏡の対物レンズを通して内部照明光を照
射するとともに試料表面と所定角度をなす斜め方向から
外部照明光を照射し、 内部照明光と外部照明光の双方を照射した場合と内部照
射光のみを照射した場合、および外部照明光のみを照射
した場合のそれぞれについて、対物レンズがとらえた試
料の表面組織を撮像装置で撮像し、 内部照明光照射時の画像と内外部照明光同時照射時の画
像とを比較して双方の画像のうち明るさの差のない明部
を表面組織の特定の成分の領域として抽出して明暗反転
した上で明暗二値化するとともに、外部照明光照射時の
画像を明暗二値化して特定の成分の領域を抽出し、 二つの二値化画像を合成して各二値化画像から抽出した
領域が相互に重複する部分のみを特定の成分の真の領域
として抽出することを特徴とする金属組織の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63288356A JPH0833342B2 (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 金属組識の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63288356A JPH0833342B2 (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 金属組識の検査方法 |
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| JPH0833342B2 true JPH0833342B2 (ja) | 1996-03-29 |
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ID=17729149
Family Applications (1)
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| JP63288356A Expired - Lifetime JPH0833342B2 (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 金属組識の検査方法 |
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| JP (1) | JPH0833342B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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-
1988
- 1988-11-15 JP JP63288356A patent/JPH0833342B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017146248A (ja) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 欠陥検出装置、欠陥検出方法およびプログラム |
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Also Published As
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| JPH02134541A (ja) | 1990-05-23 |
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