JPH02284120A - アクティブマトリクス表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は液晶等と組み合わせてマトリクス表示装置を構
成するための、薄膜トランジスタ（以下ではｒＴＦＴＪ
と称する）等のスイッチング素子と電荷保持のための付
加容量用電極とが設けられたアクティブマトリクス基板
、及びそのアクティブマトリクス基板を用いたアクティ
ブマトリクス表示装置に関する。

（従来の技術） マトリクス表示装置に於いては、マトリクス状に配列さ
れた表示絵素を選択することによって、画面上に表示パ
ターンが形成される。表示絵素の選択方式として、個々
の絵素にスイッチング素子を接続し、スイッチング素子
を介して絵素電極を駆動するアクティブマトリクス方式
が知られている。アクティブマトリクス駆動方式は高コ
ントラストの表示が可能なので、液晶テレビジョン、ワ
ードプロセッサ、コンビ二一夕の表示装置等に実用化さ
れている。

第６図に従来のアクティブマトリクス基板の一例を示す
。マトリクス状に配列された絵素電極４２には、アドレ
ススイッチング素子としてＴＰＴ３がそれぞれ設けられ
ている。各絵素電極４２の間にはＴＰＴ３を駆動するた
めのゲートパスライン４及びソースパスライン５が互い
に交差するように配設され、絵素電極４２の下方にはゲ
ートパスライン４に平行して付加容量用電極１５が配設
されている。

箪７図は第６図の■−■線に沿ったＴＦＴ３近傍の断面
図である。ガラス基板６上にゲートパスライン４から分
岐したゲート電極７が形成されている。ゲート電極７の
上に絶縁膜（陽極酸化膜）８が形成され、さらに、ゲー
ト絶縁膜９が基板６の全面に亙って形成されている。ゲ
ート電極７の上方には、絶縁膜８及び９を介して半導体
膜１０が形成されている。半導体膜ｌＯ上には、ソース
パスライン５に接続された第１のソース？Ｊ極１１及び
第２のソース電極１２と、絵素電極４２に電荷を供給す
るための第１のドレイン電極１３及び第２のドレイン電
極１４とがそれぞれ順に堆積されている。絵素電極４２
はゲート絶縁膜９上に形成されている。

付加容量用電極１５はゲートパスライン４及びゲート電
極７と同時にガラス基板６上に設けられ、絶縁膜８．９
を介して絵素電極４２の端部の下方に位置し、絵素電極
４２との間で付加容量を構成する。この付加容量は走査
パルスが印加されると電荷を蓄積し、走査パルスが消滅
した後火の走査パルスが印加されるまでの１フレームの
期間、蓄積された電荷を引き続いて液晶に印加するため
に設けられる。

このようなアクティブマトリクス基板を製造するには、
多くの薄膜形成及びエツチング等の極めて複雑な工程を
経なければならない。また、スイッチング素子としての
ＴＰＴ及び付加容量用電極は、１０万〜５０万以上にも
及ぶ膨大な数の絵素電極のすべてに備えられるものであ
り、その一つ一つの電気的な特性を確保するためには、
精密な工程管理が要求される。

（発明が解決しようとする課題） このため、充分に製造工程の管理を行っても、スイッチ
ング素子の不良、付加容量用電極と絵素電極との間のリ
ーク等により絵素欠陥が発生する場合がある。このよう
な絵素欠陥は画像品位を低下させるので、品質検査の段
階でチエツクが行われる。絵素電極と付加容量用電極と
の間のリークによる絵素欠陥は、以下に述べるように修
正することが可能であるが、スイッチング素子の不良に
よる絵素欠陥の修正は不可能である。

絵素電極と付加容量用電極との間のリークによる絵素欠
陥の修正は、リークの発生した絵素電極の付加容量用電
極上の部分を切断することによって行われる。絵素電極
の切断はレーザＣＶ　Ｄ、　　レーザトリマ、超音波力
フタ等によって行われる。

しかし、切断する距離は絵素電極の一辺の長さに及ぶた
め、完全に切断することが難しいうえ、長時間を要する
。また、このように付加容量用電極上の絵素電極が切断
されている場合、該絵素電極により構成される絵素では
他の絵素に比べ電荷の保持率が低下し、表示むらの原因
となる。このような表示むらの発生は、画像品位を低下
させるので好ましくない。

上述のような絵素欠陥の発生箇所を特定するには、表示
装置を組み立てて実際に表示した状態で行う方法が、簡
単で正確なので適している。表示装置を作動させた状態
で、これらの欠陥は拡大鏡等を用いて容易に視認される
。これに比べ、アクティブマトリクス基板の状態で絵素
欠陥発生箇所を特定するには、多数のスイッチング素子
及び絵素電極の全ての動作特性を個々に検査する必要が
あるので簡単ではない。このような検査を行うには、極
めて高精度の測定機器を使用して、複雑な検査工程を経
なければならない。一方、前述のレーザ光を用いた絵素
欠陥の修正作業はアクティブマトリクス基板の状態で行
われ、表示装置を組み立てた状態では行うことはできな
い。もし表示装置を組み立てた状態での修正作業を行え
ば、レーザ光によって蒸発或いは溶融した金属の一部が
、表示媒体である液晶に混入し、表示媒体の光学特性が
著しく劣化する。そのため、実際には絵素電極の修正は
、アクティブマトリクス基板の状態で行われている。

本発明はこのような問題点に鑑みて為されたものであり
、本発明の目的は、絵素電極と付加容量用電極との間の
絶縁不良等による絵素欠陥が発生した場合に、容易にし
かも短時間で絵素欠陥を修正でき、しかも表示むらを生
じないアクティブマトリクス基板を提供することである
。本発明の他の目的は、スイッチング素子不良による絵
素欠陥が発生した場合にも、該欠陥を容易に修正できる
アクティブマトリクス基板を提供することである。

本発明の更に他の目的は、表示装置のままで、上記の絵
素欠陥の修正を行うことができるアクティブマトリクス
装置を提供することである。

（課題を解決するための手段） 本発明のアクティブマトリクス基板は、絶縁性基板上に
マトリクス状に配列され複数の電極部に分割された絵素
電極と、該絵素電極の下方に設けられた付加容量用電極
と、該電極部のそれぞれに近接し、互いに電気的に接続
された並行する複数の信号配線と、を有し、該電極部の
それぞれの下方には該付加容量用電極が位置し、該電極
部のそれぞれが該付加容量用電極に対向している付加容
量領域と非付加容量領域とに分割され、該付加容量領域
と該非付加容量領域との間を電気的に接続する導通部と
、該非付加容量領域のそれぞれに設けられ、近接する該
信号配線に接続されたスイッチング素子と、互いに隣接
する該非付加容量領域間を橋絡し、該非付加容量領域の
それぞれの一部と絶縁膜を介して非導通状態で正量され
た導電膜と、を備えており、そのことによって上記目的
が達成される。

また、本発明のアクティブマトリクス表示装置は、少な
（とも一方が透光性を有する一対の絶縁性基板と、該基
板間に挿入され印加電圧に応答して光学特性が変調され
る表示媒体と、該一対の基板の何れか一方の基板内面に
マトリクス状に配列され複数の電極部に分割された絵素
電極と、該絵素電極の下方に設けられた付加容量用電極
と、該電極部のそれぞれに近接し、互いに電気的に接続
された並行する複数の信号配線と、を有し、該電極部の
それぞれの下方には該付加容量用電極が位置し、該電極
部のそれぞれが該付加容量用電極に対向している付加容
量領域と非付加容量領域とに分割され、該付加容量領域
と該非付加容量領域との間を電気的に接続する導通部と
、該非付加容量領域のそれぞれに設けられ、近接する該
信号配線に接続されたスイッチング素子と、互いに隣接
する該非付加容量領域間を橋絡し、該非付加容量領域の
それぞれの一部と絶縁膜を介して非導通状態で重畳され
た導電膜と、を備え、該導通部と該導電膜との上方に保
護膜が形成されており、そのことによっても上記目的が
達成される。

（作用） 本発明のアクティブマトリクス基板では、絵素電極は複
数の電極部に分割されている。何れかの電極部の付加容
量領域と付加容量用ｖＬ極との間に絶縁不良が生じた場
合には、該付加容量領域と非付加容量領域との間の導通
部をレーザＣＶＤ、　　レーザトリマ、超音波カッタ等
で切断することにより、これらの領域の間を切り離すこ
とができる。

そして、非付加容量領域と、該領域に隣接する電極部の
非付加容量領域とを、導電膜を介して接続する。この接
続は、それぞれの非付加容量領域と導電膜との重畳部に
レーザ光等の光エネルギーを照射することによって行わ
れる。光エネルギー照射によって、それぞれの非付加容
量領域と導電膜との間の絶縁膜が破壊され、隣接するこ
れらの非付加容量領域は電気的に接続される。付加容量
領域を切り離した電極部は非付加容量領域のみで作動す
るが、該非付加容量領域が接続された隣の電極部には、
付加容量領域が存在するので、これにより付加容量が形
成され、表示むらとなることもない。

各電極部に接続されたスイッチング素子の何れかが不良
となり、絵素欠陥が生じた場合には、該不良スイッチン
グ素子が接続されている電極部の非付加容量領域と、該
電極部に隣接する正常な電極部の非付加容量領域とを、
導電膜を介して接続する。この接続は、上述と同様にし
て、レーザ光などの光エネルギーを照射することによっ
て行われる。更に、必要な場合には、該不良スイッチン
グ素子を絵素電極から切り離すこともできる。

本発明のアクティブマトリクス表示装置は、少なくとも
一方が透明である一対の対向する基板を有している。該
一対の基板のうちの何れか一方を上記構成を有するアク
ティブマトリクス基板とし、更にその導通部及び導電膜
の上方に保護膜を形成し、対向する基板との間に表示媒
体を封入した構成となっている。このような構成により
、表示装置を作動させた状態で絵素欠陥の発生箇所を特
定した後、表示装置の外部からレーザ光等を用いた絵素
欠陥の修正を行うことが可能となる。修正の際にレーザ
光を導通部或いは導電膜に照射しても、保ｔＨＡによっ
て導通部或いは導電膜を構成する物質が、表示媒体中に
混入することはない。即ち、導通部の切断或いは導電膜
と電極部との接続は、表示媒体から離隔された保護膜と
基板との間で行われるので、画像品位を低下させること
なく絵素欠陥を修正することができる。

（実施例） 本発明を実施例について以下に説明する。第１図に本発
明のアクティブマトリクス基板の一実施例を示す。本実
施例のアクティブマトリクス基板１に於いては、絵素電
極２３は２つの電極部２３ａ及び２３ｂに分割されてい
る。後述するように各電極部２３ａ及び２３ｂは、それ
ぞれ更に付加容量領域２５ａと非付加容量領域２４ａ１
及び付加容量領域２５ｂと非付加容量領域２４ｂに分割
されている。電極部２３ａ及び２３ｂの隅部にはＴＦＴ
３ａ及び３ｂがそれぞれドレイン電極１４ａ及び１４ｂ
によって接続されている。ＴＦＴ３ａ及び３ｂの構成は
第７図に示すものと同様であるｏＴＦＴ３ｍ及び３ｂの
ゲート電極７ａ、７１）は、走査信号を供給するゲート
パスライン４にそれぞれ接続されている。ＴＰＴ３ａ及
び３ｂのソース電極１２ａ及び１２ｂは、データ信号を
供給するソースパスライン５にそれぞれ接続されてい本
実施例ではソースパスライン５は、２つのソース配線５
ａ、５ｂ及び支線５Ｃから成る。ソース配線５ａは２つ
の電極部２３ａと２３ｂとの間に配設され、ソース配＄
１５ｂは、電極部２３ｂと隣接する絵素電極の電極部２
３ａとの間に配設されている。支線５Ｃは２つのソース
配線５ａと５ｂとの間を電気的に接続している。電極部
２３ｂは２つのソース配線５ａ、５ｂ及び２つの支線５
ｃ、５ｃに囲まれた矩形の領域に位置している。

ソース電極１２ａ及び１２ｂは、それぞれソース配線５
ａ及び５ｂに接続されている。このような構成により、
ＴＦＴ３ａ及び３ｂは、同一の走査信号及び同一のデー
タ信号によって駆動される。

従って、電極部２３ａ及び２３ｂは同時に駆動され、１
つの絵素電極として機能する。

電極部２３ａ及び２３ｂの、ＴＦＴ３ａ及び３ｂからそ
れぞれ最も遠い辺に沿った部分の下方に、付加容量用電
極１５がゲートパスライン４に平行して設けられている
。前述の従来例と同様に、付加容量用電極１５はゲート
パスライン４の形成と同時に形成される。本実施例に於
いては電極部２３ａは、付加容量用電極１５の直上に位
置する付加容量領域２５ａと、該付加容ｊ！を領域２５
ａ以外の非付加容量領域２４ａとに分割されている。同
様に、電極部２３ｂは、付加容量領域２５ｂと非付加容
量領域２４ｂとに分割されている。付加容量領域２５ａ
と非付加容量領域２４ａとの間、及び付加容量領域２５
ｂと非付加容量領域２４ｂとの間には、それぞれ導通部
２７ａ及び２７ｂが設けられている。

第１図のｎ−ｎ線に沿った、導通部２７ａ付近の断面構
成を第２図に示す。導通部２７ｂの断面構成も第２図に
示すものと同様である。ガラス基板６上に付加容量用電
極１５が形成され、該付加容量用電極１５の表面には陽
極酸化によって絶縁膜８が形成されている。更に、基板
全面に亙ってゲート絶縁膜９が堆積されている。絶縁膜
９上には導電性の材料から成る導通部２７ａが形成され
ている。導通部２７ａの一方の端部は付加容量用電極１
５の一部と重畳するように設けられる。更に、該端部の
上には付加容量領域２５ａを構成する絵素電極部分が重
畳されている。導通部２７ａの他方の端部の上には、非
付加容量領域２４ａを構成する絵素電極部分が重畳され
ている。導通部２７ａは導電性の材料から成るので、付
加容量領域２５ａと非付加容量領域２４ａとは電気的に
接続されている。

本実施例では更に、非付加容量領域２４ａと非付加容量
領域２４ｂとの間を橋絡する導電膜２９が設けられる。

第１図の■−■線に沿った導電膜２９付近の断面構成を
第３図に示す。導電膜２９はガラス基板６上にゲートパ
スライン４及び付加容量用電極１５と同時に形成される
。導電膜２９の上には、基板６の全面に形成されたゲー
ト絶縁膜９が堆積されている。更に、導電膜２９の中央
の上方には、前述のソース配線５ａが形成されている。

導電膜２９の両端の上方には、それぞれ非付加容量領域
２４ａ及び２４ｂを構成する絵素電極部分が重畳されて
いる。非付加容量領域２４ａ。

２４ｂのそれぞれと、導電膜２９との間は、ゲート絶縁
膜９によって絶縁されている。従って、電極部２３ａ及
び２３ｂはそれぞれ別々にＴＦＴ３ａ及び３ｂによって
駆動される。

電極部２３ａの付加容量領域２５ａと付加容量用電極１
５との間に絶縁不良が発生し、絵素欠陥となった場合に
は、付加容量領域２５ａと非付加容量領域２４ａとの間
の導通部２７ａをレーザートリマ、超音波カッタ等で切
断してこれらの領域、を切り離す。これにより、付加容
量用電極１５と対向しておらず、従って該電極１５との
間に絶縁不良の問題のない非付加容量領域２４ａによっ
て絵素電極としての機能が確保される。

しかし、このように付加容量領域２５ａが切り離された
電極部２３ａには、付加容量が形成されないので、他の
正常な電極部に比べ電荷の保持が不十分となり、表示む
らの原因となる場合がある。

そのような場合には、導電膜２９を介して非付加容量領
域２４ａと２４ｂとが電気的に接続される。

この接続は非付加容量領域２４ａと導電膜２９との重畳
部２９ａ、及び非付加容量領域２４ｂと導電膜２９との
重畳部２９ｂに、レーザートリマ等を用いて光エネルギ
ーを照射することにより行われる。レーザ光照射により
、ゲート絶縁膜９が破壊され、非付加容量領域２４ａと
導電膜２９との間、及び非付加容量領域２４ｂと導電膜
２９との間が電気的に接続される。

以上のように修正を行った絵素では、２つの非付加容量
領域２４ａ、２４ｂ及び付加容量領域２５ｂによって絵
素電極としての機能が確保される。

そして、付加容量領域２５ｂと付加容量用電極１５との
間には付加容量が形成されているので、表示むらが生じ
ることもない。

電極部２３ｂの付加容量領域２５ｂと付加容量用電極１
５との間に絶縁不良が発生し、絵素欠陥となった場合に
も、上述と同様にして絵素欠陥を修正することができる
。この場合には、２つの非付加容量領域２４ｎ、２４ｂ
及び付加容量領域２５ａによって絵素電極としての機能
が確保される。

このように本実施例によれば、付加容量を付与する機能
を維持したままで、絶縁不良となった部分を容易に且つ
短時間に除去できる。

本実施例では、ＴＦＴの不良による絵素欠陥も修正する
ことができる。ＴＦＴ３ａが不良の場合には電極部２３
ａが動作不良となる。この場合には上述と同様にして、
導電膜２９を介して電極部２３ａと２３ｂとが接続され
る。更に、必要に応じてドレイン電極１４ａを切断する
ことにより、ＴＦＴ３　ａが切り離される。このような
修正によって、２つの電極部２３ａ及び２３ｂが１つの
ＴＦＴａｂによって駆動され、絵素電極としての機能が
確保される。

ＴＦＴ３　ｂが不良の場合にも同様にして修正すること
ができる。この場合には、２つの電極部２３ａ及び２３
ｂが１つのＴＦＴ３　ａによって駆動され、絵素電極と
しての機能が確保される。

本実施例によればこのように、ＴＰＴ不良による絵素欠
陥が発生した場合にも、該欠陥を容易に修正することが
できる。

第４図に本発明のアクティブマトリクス基板２の他の実
施例を示す。本実施例に於いても絵素電極２３は、２つ
の電極部２３ａ及び２３ｂに分割され、更に、電極部２
３ａは、非付加容量領域２４ａ及び付加容量領域２５ａ
に分割されている。

同様に電極部２３ｂは、非付加容量領域２４ｂ及び付加
容量領域２５ｂに分割されている。更に、付加容量領域
２５ａは付加容量部２６ａ及び２６ｂに分割されている
。同様に、付加容量領域２５ｂは付加容量部２６ｃ及び
２６ｄに分割されている。付加容量部２６ａ及び２６ｂ
と、非付加容量領域２４ａとの間には、それぞれ導通部
２７ａ１２７ｂが設けられている。同様に、付加容量部
２６Ｃ及び２６ｄと、非付加容量領域２４ｂとの間には
、それぞれ導通部２７ｃ、２７ｄが設けられている。こ
れら４つの導通部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、及び２７ｄ
の断面構成は第２図に示すものと同様である。

もし電極部２３ａの一方の付加容量部２６ａと付加容量
用電極１５との間に絶縁不良が発生しているならば、付
加容量部２６ａと非付加容領域２４ａとの間の導通部２
７ａをレーザートリマ、超音波カッタ等で切断してこれ
らを切り離す。これにより、非付加容量領域２４ａと他
方の付加容量部２６ｂとが電極部２３ａとして機能する
。

この実施例では、非付加容量領域２４ａと他方の付加容
量部２６ｂとが接続されたままとすることができるので
、電荷は保持され、表示むらが生じない。付加容量部２
６ｂと付加容量用電極１５との間に絶縁不良が発生して
いる場合には、導通部２７ｂを切断して、非付加容量領
域２４ａと付加容量部２６ａとにより電極部２３ａが構
成される。

電極部２３ｂの付加容量部２７ｃ或いは２７ｄと、付加
容量用電極１５との間に絶縁不良が発生している場合に
も、導電膜２７ｃ或いは２７ｄを切断することにより、
上述と同様にして該不良を修正することができる。

更に本実施例では、同時に２つの付加容量部２５ａ、２
６ｂが、付加容量用電極１５との間で絶縁不良となり、
絵素欠陥を生じた場合にも、該絵素欠陥を修正すること
ができる。この場合には、導通部２７ａと２７ｂとをレ
ーザートリマ等により切断する。そして、前述の実施例
のように導電膜２９の重畳部２９ａ及び２９ｂにレーザ
光を照射し、非付加容量領域２４ａと２４ｂとを導電膜
２９を介して電気的（こ接続する。このような修正によ
り、非付加容量領域２４ａ、２４ｂｓ及び付加容量部２
６ｃ、２６ｄにより、絵素電極の機能が維持される。し
かも、付加容量部２６ｃ、２６ｄと付加容量用電極１５
との間で付加容量が形成されているので、電荷が保持さ
れ表示むらが生じることもない。

同様に、同時に２つの付加容量部２６ｃ、２６ｄが、付
加容量用電極１５との間で絶縁不良となり、絵素欠陥を
生じた場合にも、該絵素欠陥を修正することができる。

この場合には、非付加容量領域２４ａ、２４ｂ、及び付
加容量部２６ａ、２６ｂにより、絵素電極の機能が維持
される。

本実施例でも第１図の実施例と同様に、ＴＰＴ３ａの不
良による絵素欠陥を修正することができる。この場合に
は上述と同様にして、導電膜２９を介して電極部２３ａ
と２３ｂとが接続される。

更に、必要に応じてドレイン電極１４ａを切断すること
により、ＴＰＴ３　ａが切り離される。このような修正
によって、２つの電極部２３ａと２３ｂとが１つのＴＦ
Ｔａ　ｂによって駆動され、絵素電極としての機能が確
保される。ＴＦＴａ　ｂが不良の場合にも同様にして修
正することができる。

第５図は第１図に示す実施例のアクティブマトリクス基
板ｌを用いてアクティブマトリクス表示装置を作製し、
第１図の■−■線に沿った面で切断した断面図である。

アクティブマトリクス基板ｌ上の全面に５ｉＮＸ等から
なる保護膜４３が形成され、更にその上から配向膜４４
が形成されている。

アクティブマトリクス基板１に対向する対向基板５０で
は、絶縁性基板５３上にカラーフィルタ４８が形成され
、更に対向電極４６、及び配向膜４５が形成されている
。アクティブマトリクス基板ｌと、この対向基板５０と
の間に、表示媒体として液晶４９が封入されてアクティ
ブマトリクス表示装置が構成される。

本実施例のアクティブマトリクス表示装置では、２つの
絶縁性基板６及び５３のうち何れか一方を透光性の基板
とすることができるので、表示装置として作動させた状
態で絵素欠陥の位置を特定した後、表示装置のままで絵
素欠陥を修正することができる。絵素欠陥が、電極部２
３ａの付加容量領域２５ａと付加容量用電極１５との間
の絶縁不良等によって生じている場合には、表示装置の
外部から透光性の基板を介してレーザ光等を第５図の矢
印５２で示す位置に照射し、導通部２７ａを切断する。

更に、導電膜２９の重畳部２９ａ、２９ｂにレーザ光を
照射し、非付加容量領域２４ａと２４ｂとを電気的に接
続する。このように外部からのレーザ光照射によって付
加容量領域２５ａを非付加容量領域２４ａより切り離し
、外部からのレーザ光照射によって電極部２３ａと２３
ｂとを接続することにより、絵素欠陥の修正を表示装置
のままで行うことができる。しかも、表示むらが生じる
こともない。

絵素欠陥がＴＦＴ３ａの不良によって生じている場合に
も、表示装置の外部から該欠陥を修正することができる
。この場合には上述と同様にして、透光性の基板を介し
て導電膜２９の重畳部２９ａと２９ｂとにレーザ光を照
射する。レーザ光照射によって電極部２３ａと２３ｂと
が、導電膜２９を介して接続される。更に、必要に応じ
てドレイン電極１４ａを切断することにより、ＴＦＴ３
ａが切り離される。このような修正によって、２つの電
極部２３ａと２３ｂとが１つのＴＦＴ３ｂによって駆動
されて絵素電極として機能する。

上述の導通部の切断、或いは導電膜と電極部との接続は
、表示媒体である液晶４９から離隔されたガラス基板６
と保護膜４３との間で行われるので、レーザ光照射によ
って蒸発或いは溶融した導通部や導電膜を構成する材料
が、液晶４９に混入することはない。従って、表示装置
の画像品位の低下を生じることはない。このように本発
明のアクティブマトリクス表示装置に於いては、絵素欠
陥の修正を表示装置のままで行うことができる。

また、詳細な説明は省略するが、第４図のアクティブマ
トリクス基板２を用いても、本実施例と同様の絵素欠陥
の修正を行うことのできる表示装置が得られる。

以上の各実施例では３端子素子であるＴＰＴを有するア
クティブマトリクス基板について説明したが、本発明は
例えば、ＭＩＭ等の２端子素子を有するアクティブマト
リクス基板にも適用され得る。また、上記実施例では液
晶を用いた表示装置について説明したが、本発明は表示
媒体として薄膜発光層、分散型ＥＬ発光層、プラズマ発
光体等を用いた各種表示装置にも適用可能である。

（発明の効果） 本発明のアクティブマトリクス基板では、絵素電極と付
加容量用電極との間の絶縁不良等にょる絵素欠陥が生じ
た場合には、容易に且つ短時間で絵素欠陥を修正するこ
とができ、しかも表示むらを生じることもない。スイ・
７チング素子不良にょる絵素欠陥が発生した場合にも、
絵素欠陥を修正できる。

また、本発明のアクティブマトリクス表示装置は、絵素
欠陥を光学的に容易に検出することができる表示装置の
状態で、上記の絵素欠陥の修正を行うことができる。そ
のため、検査工程及び修正工程が簡略化され、表示装置
の量産化、コスト低減に寄与することができる。

４　′　の　　なｔ日 第１図は本発明のアクティブマトリクス基板の一実施例
の平面図、第２図は第１図のｎ−ｍ線に沿った断面図、
第３図は第１図のｍ−ｍ線に沿った断面図、第４図は本
発明のアクティブマトリクス基板の他の実施例の平面図
、第５図は第１図の基板を用いたアクティブマトリクス
表示装置の第１図のｎ−ｍ線に沿った断面図、第６図は
従来のアクティブマトリクス基板の一例の平面図、第７
図は第６図の■−■線に沿った断面図である。

１．２・・・アクティブマトリクス基板、３ａ、３ｂ・
・・ＴＦＴ、４・・・ゲートパスライン、５・・・ソー
スパスライン、５ａ、５ｂ・・・ソース配置１．５ｃ・
・・支線、６，５３・・・ガラス基板、９・・・ゲート
絶縁膜、１４ａ、　　１４ｂ・・・ドレイン電極、１５
・・・付加容量用電極、２３・・・絵素電極、２３ａ、
２３ｂ・・・電極部、２４ａ、２４ｂ−・非付加容量領
域、２５ａ。

２５　ｂ　・・・付加容量領域、２６　ａ、　　２６　
ｂ、　　２６　ｃ。

２６ｄ・・・付加容量部、２７ａ、２７ｂ・・・導通部
、２９・・・導電膜、２９ａ、２９ｂ・・・重畳部、４
３・・・保護膜、４４．４５・・・配向膜、４６・・・
対向電極、４８・・・カラーフィルタ、４９・・・液晶
、５０・・・対向基板。

以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁性基板上にマトリクス状に配列され複数の電極
   部に分割された絵素電極と、該絵素電極の下方に設けら
   れた付加容量用電極と、該電極部のそれぞれに近接し、
   互いに電気的に接続された並行する複数の信号配線と、
   を有し、 該電極部のそれぞれの下方には該付加容量用電極が位置
   し、該電極部のそれぞれが該付加容量用電極に対向して
   いる付加容量領域と非付加容量領域とに分割され、該付
   加容量領域と該非付加容量領域との間を電気的に接続す
   る導通部と、該非付加容量領域のそれぞれに設けられ、
   近接する該信号配線に接続されたスイッチング素子と、
   互いに隣接する該非付加容量領域間を橋絡し、該非付加
   容量領域のそれぞれの一部と絶縁膜を介して非導通状態
   で重畳された導電膜と、を備えたアクティブマトリクス
   基板。 ２、少なくとも一方が透光性を有する一対の絶縁性基板
   と、該基板間に挿入され印加電圧に応答して光学特性が
   変調される表示媒体と、該一対の基板の何れか一方の基
   板内面にマトリクス状に配列され複数の電極部に分割さ
   れた絵素電極と、該絵素電極の下方に設けられた付加容
   量用電極と、該電極部のそれぞれに近接し、互いに電気
   的に接続された並行する複数の信号配線と、を有し、該
   電極部のそれぞれの下方には該付加容量用電極が位置し
   、該電極部のそれぞれが該付加容量用電極に対向してい
   る付加容量領域と非付加容量領域とに分割され、該付加
   容量領域と該非付加容量領域との間を電気的に接続する
   導通部と、該非付加容量領域のそれぞれに設けられ、近
   接する該信号配線に接続されたスイッチング素子と、互
   いに隣接する該非付加容量領域間を橋絡し、該非付加容
   量領域のそれぞれの一部と絶縁膜を介して非導通状態で
   重量された導電膜と、を備え、該導通部と該導電膜との
   上方に保護膜が形成されているアクティブマトリクス表
   示装置。